KR20140137734A - 반사형 편광판 제조방법 및 인셀 반사형 편광판 제조방법 - Google Patents

Abstract

반사형 편광판 제조방법은 투명 기판의 전면 상에 금속층 및 희생을을 순차적으로 형성하고, 희생층을 패터닝하여 바 패턴을 형성하며, 바 패턴 및 금속층 상에 격벽층을 형성한다. 이후, 격벽층을 이방성 식각하여 바 패턴의 측벽을 따라 형성되고, 서로 소정 간격 이격된 격벽들을 형성하고, 바 패턴을 제거한다. 격벽들 사이의 개구부에 제1 및 제2 폴리머로 이루어진 공중합체층를 제공하고, 공중합체층을 열처리하여 제1 및 제2 폴리머를 교대로 배열시킨다. 이후, 제1 및 제2 폴리머 중 제2 폴리머를 제거하여 제1 폴리머로 이루어진 다수의 나도 그리드 패턴을 형성한다. 격벽들 및 상기 나도 그리드 패턴을 마스크로하여 금속층을 식각하여 금속 나노 와이어를 형성한다.

Description

반사형 편광판 제조방법 및 인셀 반사형 편광판 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING REFLECTIVE POLARIZER PLATE AND METHOD FO MANUFACTURING IN-CELL REFLECTIVE POLARIZER PLATE}

본 발명은 반사형 편광판 제조방법 및 인셀 반사형 편광판 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반사 효율을 향상시킬 수 있는 반사형 편광판 제조방법 및 인셀 반사형 편광판 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로, 상호 이격되어 어레이된 금속 와이어는 전자기파의 편광을 선택적으로 투과시키거나 반사시킨다. 즉, 입사되는 전자기파의 파장보다 금속 와이어 배열의 주기가 짧은 경우, 금속 와이어와 평행한 편광 성분은 반사되고, 수직한 평광 성분은 투과된다.

이 현상을 이용하여 편광 효율이 우수하고, 투과율이 높으며, 시야각이 넓은 편광자를 제조할 수 있는데, 이러한 소자를 선 격자 편광자(Wire Grid Polarizer)라고 한다.

최근, 선 격자 편광자는 표시 장치에 채용되고 있다.

본 발명의 목적은 반사 효율을 향상시킬 수 있는 반사형 편광판 및 인셀 반사형 편광판의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 편광판 제조방법은 투명 기판의 전면 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층을 패터닝하여 바 패턴을 형성하는 단계; 상기 바 패턴 및 상기 금속층 상에 격벽층을 형성하는 단계; 상기 격벽층을 이방성 식각하여 상기 바 패턴의 측벽을 따라 형성되고, 서로 소정 간격 이격된 격벽들을 형성하는 단계; 상기 바 패턴을 제거하는 단계; 상기 격벽들 사이의 개구부에 제1 및 제2 폴리머로 이루어진 공중합체층를 제공하는 단계; 상기 공중합체층을 열처리하여 제1 및 제2 폴리머를 교대로 배열시키는 단계; 상기 제1 및 제2 폴리머 중 제2 폴리머를 제거하여 제1 폴리머로 이루어지고, 상기 격벽들 사이에서 서로 소정 간격 이격된 다수의 나도 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 격벽들 및 상기 나도 그리드 패턴을 마스크로하여 상기 금속층을 식각하여 금속 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 편광판 제조방법은, 투명 기판의 전면 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 금속층 상에 제1 격벽층을 형성하는 단계; 상기 제1 격벽층 상에 하드 마스크층을 형성하는 단계; 상기 하드 마스크층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층을 패터닝하여 바 패턴을 형성하는 단계; 상기 바 패턴 및 상기 하드 마스크층 상에 제2 격벽층을 형성하는 단계; 상기 제2 격벽층을 이방성 식각하여 상기 바 패턴의 측벽을 따라 형성되고, 서로 소정 간격 이격된 제1 격벽들을 형성하는 단계; 상기 바 패턴을 제거하는 단계; 상기 제1 격벽들을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층을 식각하여 제2 격벽들을 형성하는 단계; 상기 제2 격벽들을 마스크로 하여 상기 제2 격벽층을 식각하여 제3 격벽들을 형성하는 단계; 상기 제3 격벽들 사이의 개구부에 제1 및 제2 폴리머로 이루어진 공중합체층를 제공하는 단계; 상기 공중합체층을 열처리하여 제1 및 제2 폴리머를 교대로 배열시키는 단계; 상기 제1 및 제2 폴리머 중 제2 폴리머를 제거하여 제1 폴리머로 이루어지고, 상기 제3 격벽들 사이에서 서로 소정 간격 이격된 다수의 나노 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 제3 격벽들 및 상기 나노 그리드 패턴들을 마스크로하여 상기 금속층을 식각하여 다수의 금속 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 일 실시예에 따르면, 표시 영역 및 비표시 영역으로 이루어진 표시패널 내에 반사형 편광판을 형성하는 인셀(in-cell) 반사형 편광판 제조방법을 개시한다. 상기 인셀 반사형 편광판 제조방법은 투명 기판의 전면 상에 금속층을 형성하는 단계; 상기 차광 영역에 대응하여 상기 금속층 상에 식각 정지층을 형성하는 단계; 상기 식각 정지층 및 상기 금속층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층을 패터닝하여 바 패턴을 형성하는 단계; 상기 바 패턴 및 상기 금속층 상에 격벽층을 형성하는 단계; 상기 격벽층을 이방성 식각하여 상기 바 패턴의 측벽을 따라 형성되고, 서로 소정 간격 이격된 격벽들을 형성하는 단계; 상기 바 패턴을 제거하는 단계; 상기 격벽들 사이의 개구부에 제1 및 제2 폴리머로 이루어진 공중합체층를 제공하는 단계; 상기 공중합체층을 열처리하여 제1 및 제2 폴리머를 교대로 배열시키는 단계; 상기 제1 및 제2 폴리머 중 제2 폴리머를 제거하여 제1 폴리머로 이루어지고, 상기 격벽들 사이에서 서로 소정 간격 이격된 다수의 돌출바를 형성하는 단계; 및 상기 격벽들 및 상기 돌출바들을 마스크로하여 상기 금속층을 식각하여 상기 화소 영역 내에 나노 와이어 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 공중합체층을 이용한 자발 정렬 공정을 통해 금속 나노 와이어를 형성하는 경우, 가이드 패턴의 폭을 금속 나노 와이어 수준으로 감소시킬 수 있고, 그 결과 반사형 편광판의 개구율 및 반사 효율을 향상킬 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 편광판을 나타낸 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 I 부분의 확대도이다.
도 3a 내지 도 3l은 도 1에 도시된 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정 사시도들이다.
도 4a 내지 도 4m은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정 사시도들이다.
도 5는 인셀 반사형 편광판을 구비하는 표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시된 인셀 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정 사시도들이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 인셀 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정 사시도들이다.

본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 경우, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 편광판을 나타낸 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시된 I 부분의 확대도이다.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 편광판(100)은 투명 기판(110) 및 상기 투명 기판(100) 상에 구비된 복수의 금속 나노 와이어(120)를 포함한다.

상기 투명 기판(110)은 광이 투과되는 물질, 예를 들어 실리콘 기판일 수 있다. 또한, 상기 투명 기판(110)은 사각 형상의 기판일 수 있다. 상기 금속 나노 와이어들(120) 각각은 제1 방향(D1)으로 길게 연장된다. 상기 제1 방향(D1)은 상기 투명 기판(110)의 네 변 중 서로 평행한 두 개의 변과 나란한 방향일 수 있다. 또한, 상기 금속 나노 와이어들(120)은 상기 제1 방향(D1)과 직교하는 제2 방향(D2)으로 소정 간격 이격되어 서로 평행하게 배열된다.

상기 반사형 편광판(100)은 입사되는 광(Li)을 상기 금속 나노 와이어들(120)를 통해 편광한다. 구체적으로, 상기 입사광(Li) 중 상기 금속 나노 와이어들(120)의 연장 방향(즉, 상기 제1 방향(D1))과 평행한 편광 성분인 S파는 상기 금속 나노 와이어(120)의 금속 성질에 의해서 반사되고, 상기 금속 나노 와이어들(120)의 연장 방향과 직교하는 방향(즉, 상기 제2 방향(D2))과 평행한 편광 성분인 P파는 유효 굴절 매질로 인식되어 투과된다.

즉, 상기 금속 나노 와이어들(120)의 배열 주기를 "T"라고 할 때, 상기 입사광(Li)의 파장이 상기 배열 주기(T)가 짧을 경우, 편광 성분에 따라 반사 및 투과가 일어난다.

본 발명의 일 예로, 상기 금속 나노 와이어들(120)은 다수의 제1 금속 나노 와이어(121) 및 다수의 제2 금속 나노 와이어(122)를 포함한다. 서로 인접하는 두 개의 제2 금속 나노 와이어(122) 사이에는 적어도 하나의 제1 금속 나노 와이어(121)가 존재한다. 상기 제2 금속 나노 와이어(122)는 상기 제1 금속 나노 와이어(121)의 폭과 높이보다 큰 폭과 높이를 갖는다. 본 발명의 일 예로, 상기 제1 금속 나노 와이어(121)의 폭을 'W1'이라 하고, 상기 제2 금속 나노 와이어(122)의 폭을 'W2'라 할 때, 상기 W2는 W1보다 크고, '2×W1' 이하의 값을 가질 수 있다.

예를 들어, 가시광 영역에서 반사형 편광자로서 동작하기 위해서 상기 금속 나노 와이어들(120) 중 상기 제1 금속 나노 와이어들(121) 각각의 폭은 '0nm < W1 < 100nm'의 범위의 값을 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제2 금속 나노 와이어들(122) 각각의 폭(w2)은 80nm < W2 <200nm의 범위의 값을 가질 수 있다.

또한, 상기 제1 금속 나노 와이어(121) 각각의 높이(h1)는 W1보다 대략 3배 정도 크며, 상기 제2 금속 나노 와이어(122) 각각의 높이(h2)는 W2보다 3배 정도 크다.

본 발명의 일 예로, 상기 반사형 편광판(100)에서 상기 제2 금속 나노 와이어(122)의 개수는 상기 제1 금속 나노 와이어(121)의 개수보다 작거나 같을 수 있다. 즉, 상기 제2 금속 나노 와이어(122)의 배열 주기는 상기 제1 금속 나노 와이어(121)의 배열 주기와 같거나 클 수 있다.

도 3a 내지 도 3l은 도 1에 도시된 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정도들이다.

도 3a를 참조하면, 투명 기판(110)의 전면 상에는 금속층(131)이 형성된다. 본 발명의 일 예로, 상기 금속층(131)은 알루미늄(Al)일 수 있다. 상기 금속층(131)의 높이는 형성하고자 하는 금속 나노 와이어(120, 도 1에 도시됨)의 높이를 고려하여 설정할 수 있다.

도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 금속층(131) 상에는 희생층(132)이 소정 두께로 형성된다. 도 3c를 참조하면, 상기 희생층(132) 상에는 포토 마스크(133)가 형성된다. 본 발명의 일 예로, 상기 포토 마스크(133)는 상기 투명 기판(110)의 네 변 중 서로 나란한 두 개의 변과 평행한 방향으로 연장될 수 있다.

상기 포토 마스크(133)가 형성되지 않은 부분의 상기 희생층(132)을 건식 식각하여 바 패턴들(134)을 형성한다. 이후 상기 포토 마스크(133)를 제거하면 도 3d에 도시된 바와 같이 상기 금속층(131) 상에는 상기 바 패턴들(134)만이 잔류한다.

상기 바 패턴들(134) 각각의 폭(Wa)은 상기 포토 마스크(133)의 폭에 의해서 조정될 수 있다. 또한, 상기 바 패턴들(134) 각각의 측벽의 경사각을 'θ'라고 할 때, 상기 θ는 85° 내지 95°의 범위에 존재할 수 있다. 상기 바 패턴들(134) 각각의 폭(Wa)은 서로 인접하는 두 개의 바 패턴 사이의 간격(d1)보다 작을 수 있다.

상기 바 패턴들(134) 각각의 폭(Wa) 및 상기 바 패턴들(134) 사이의 간격(d1)은 상기 제2 금속 나노 와이어들(122, 도 1에 도시됨) 사이에 구비되는 제1 금속 나노 와이어(121, 도 1에 도시됨)의 개수 및 상기 제1 금속 나노 와이어(121)의 폭(W1) 등에 의해서 결정될 수 있다.

도 3e를 참조하면, 상기 바 패턴(134)을 커버하도록 상기 금속층(131) 상에는 격벽층(135)이 형성된다. 이후 상기 격벽층(135)을 이방성 식각하면 도 3f에 도시된 바와 같이 상기 바 패턴들(134)의 측벽을 따라 배치되고, 서로 소정 간격 이격된 격벽들(136)이 형성된다.

본 발명의 일 예로, 상기 이방성 식각은 상기 투명 기판(110)의 상기 전면에 실질적으로 수직한 방향으로 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 격벽층(135) 중 상기 전면과 평행한 부분은 상기 이방성 식각에 의해서 제거되고, 상기 격벽층(135) 중 상기 전면과 수직한 부분은 상기 이방성 식각에 의해서 제거되지 않는다.

따라서, 상기 바 패턴들(134)의 측벽을 따라 상기 격벽들(136)이 형성될 수 있다.

여기서, 상기 희생층(132)의 식각 선택비는 상기 격벽층(135)의 식각 선택비보다 크다. 상기 희생층(132)의 식각 선택비는 상기 격벽층(135)의 식각 선택비보다 2배 이상 클 수 있다. 본 발명의 일 예로, 상기 희생층(132)은 실리콘 질화물일 수 있고, 상기 격벽층(135)은 실리콘 산화물일 수 있다.

이 경우, 상기 격벽층(135)을 이방성 식각하는 과정에서 상기 희생층(132)으로부터 형성된 상기 바 패턴들(134)은 식각되지 않고 잔류할 수 있다.

이후, 상기 바 패턴들(134)을 식각하면, 도 3g와 같이 서로 소정 간격 이격하여 상기 격벽들(136)만이 상기 금속층(131) 상에 형성될 수 있다. 본 발명의 일 예로, 상기 격벽들(136) 각각은 80nm 내지 200nm의 폭을 가질 수 있다.

상기 희생층(132) 및 상기 격벽층(135)은 상기 금속층(131)과 다른 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진다. 즉, 상기 바 패턴들(134) 및 상기 격벽층(135)을 식각하는 과정에서 상기 금속층(131)이 식각되지 않는 식각 조건을 가질 수 있는 물질로 상기 희생층(132) 및 상기 격벽층(135)을 형성할 수 있다.

도 3h를 참조하면, 상기 격벽들(136) 사이의 공간은 공중합체층(140)으로 채워진다. 여기서, 상기 공중합체층(140)은 상기 격벽들(136) 각각의 높이보다 작은 높이로 형성된다. 본 발명의 일 예로, 상기 공중합체층(140)은 제1 폴리머 및 제2 폴리머가 서로 불규칙하게 무질서한 방향으로 정렬되어 있다. 상기 제1 및 제2 폴리머는 각각 PS(poly stylrene) 및 PMMA(Poly methylmethacrylate) 일 수 있다.

상기 공중합체층(140)을 열처리하면, 도 3i와 같이 상기 공중합체층(140)는 제1 및 제2 폴리머(141, 142)로 상분리된다. 특히, 상기 제1 및 제2 폴리머(141, 142)는 두 개의 격벽(136) 사이에서 교번적으로 배열될 수 있다.

이후, 상기 제1 및 제2 폴리머(141, 142) 중 어느 하나를 제거하면, 두 개의 격벽 사이에는 서로 소정 간격 이격된 이들 중 하나의 폴리머만이 잔류하여 나노 그리드 패턴(143)을 형성한다. 본 발명의 일 예로, PMMA로 이루어진 제2 폴리머(142)가 제거되고, 잔류하는 상기 제1 폴리머(141)가 상기 나노 그리드 패턴(143)을 형성할 수 있다.

이후, 상기 나노 그리드 패턴(143) 및 상기 격벽들(136)을 마스크로 하여 상기 금속층(131)을 식각한다. 그러면, 도 3k에 도시된 바와 같이 상기 투명 기판(110) 상에는 상기 제1 방향(D1)으로 배열된 제1 및 제2 금속 나노 와이어(121, 122)가 구비된다.

도 3k를 참조하면, 상기 제1 및 제2 금속 나노 와이어(121, 122)의 상면 상에는 상기 나노 그리드 패턴(143) 및 상기 격벽들(136)이 각각 잔류할 수 있다. 따라서, 이 잔류물들을 식각 공정을 통해 제거할 수 있다.

상기 격벽들(136)의 높이가 상기 나노 그리드 패턴(143)의 높이보다 상대적으로 높기 때문에, 상기 잔류물 식각 공정 이후에도 상기 제2 금속 나노 와이어(122) 상면 상에는 도 3l과 같이 상기 격벽(136)의 잔류물이 존재할 수 있다.

도 4a 내지 도 4m은 본 발명의 일 실시예에 따른 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정 사시도들이다.

도 4a를 참조하면, 상기 투명 기판(110) 상에는 금속층(151), 제1 격벽층(152), 하드 마스크층(153) 및 희생층(154)을 순차적으로 적층한다. 상기 제1 격벽층(152)을 형성하기 이전에 상기 금속층(151) 상에 캡핑층(미도시)을 더 형성할 수 있다. 상기 캡핑층은 Ti 또는 Mo 물질로 이루어질 수 있다.

도 4b를 참조하면, 상기 희생층(154) 상에는 포토 마스크(155)가 형성된다. 상기 포토 마스크(155)가 형성되지 않은 부분의 상기 희생층(154)을 건식 식각하여바 패턴들(156)을 형성한다. 이후, 상기 포토 마스크(155)를 제거하면 도 4c에 도시된 바와 같이 상기 하드 마스크층(153) 상에는 상기 바 패턴들(156)만이 잔류한다.

본 발명의 일 예로, 상기 바 패턴들(156) 각각의 측벽의 경사각을 'θ'라고 할 때, 상기 θ는 85° 내지 95°의 범위에 존재한다.

도 4d를 참조하면, 상기 바 패턴(156)을 커버하도록 상기 하드 마스크층(153) 상에는 제2 격벽층(157)이 형성된다. 이후 상기 제2 격벽층(157)을 이방성 식각하면 도 4e에 도시된 바와 같이 상기 바 패턴들(156)의 측벽을 따라 배치되고, 서로 소정 간격 이격된 제1 격벽들(158)이 형성된다.

본 발명의 일 예로, 상기 이방성 식각은 상기 투명 기판(110)의 상기 전면에 실질적으로 수직한 방향으로 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 제2 격벽층(157) 중 상기 전면과 평행한 부분은 상기 이방성 식각에 의해서 제거되고, 상기 제2 격벽층(157) 중 상기 전면과 수직한 부분은 상기 이방성 식각에 의해서 제거되지 않는다.

따라서, 상기 바 패턴들(156)의 측벽을 따라 상기 제1 격벽들(158)이 형성될 수 있다.

여기서, 상기 희생층(154)의 식각 선택비는 상기 제2 격벽층(157)의 식각 선택비보다 크다. 상기 희생층(154)의 식각 선택비는 상기 제2 격벽층(157)의 식각 선택비보다 2배 이상 클 수 있다. 본 발명의 일 예로, 상기 희생층(154)은 실리콘 질화물일 수 있고, 상기 제2 격벽층(157)은 실리콘 산화물일 수 있다. 이 경우, 상기 제2 격벽층(157)을 이방성 식각하는 과정에서 상기 희생층(154)으로부터 형성된 상기 바 패턴들(156)은 식각되지 않고 잔류할 수 있다.

이후, 상기 바 패턴들(156)을 식각 공정을 통해 제거하면, 도 4f와 같이 서로 소정 간격 이격하여 상기 제 격벽들(158)만이 상기 하드 마스크층(153) 상에 형성될 수 있다. 상기 제1 격벽들(158) 각각은 80nm 내지 200nm의 폭을 가질 수 있다.

상기 희생층(154) 및 상기 제2 격벽층(157)은 상기 하드 마스크층(153)과 다른 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진다. 즉, 상기 바 패턴들(156) 및 상기 제2 격벽층(157)을 식각하는 과정에서 상기 하드 마스크층(153)이 식각되지 않는 식각 조건을 가질 수 있는 물질로 상기 희생층(154) 및 상기 제2 격벽층(157)을 형성할 수 있다.

상기 제1 격벽들(158)을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층(153)을 식각하면, 도 4g에 도시된 바와 같이, 상기 제1 격벽층(152) 상에는 제2 격벽들(159)이 형성된다. 상기 제2 격벽들(159)은 상기 제1 격벽들(158)이 형성된 위치에 각각 대응하여 형성된다. 상기 하드 마스크층(153)의 식각 공정 시 상기 제1 격벽들(158)이 부분적으로 제거될 수 있다.

상기 하드 마스크층(153)은 상기 제1 격벽층(152) 대비 식각 선택비가 높은 계열의 물질로 이루어질 수 있다. 본 발명의 일 예로, 상기 하드 마스크층(153)은 알루미늄으로 이루어지고, 상기 제1 격벽층(152)은 실리콘 질화물로 이루어질 수 있다.

이후, 상기 제2 격벽들(159)을 마스크로 하여 상기 제1 격벽층(152)을 식각하여 도 4h에 도시된 바와 같이 제3 격벽들(160)을 형성한다. 상기 제3 격벽들(160)은 상기 제2 격벽들(159)이 형성된 위치에 각각 대응하여 형성된다. 상기 제1 격벽층(152)의 식각 공정 시 상기 제2 격벽들(159)이 부분적으로 제거되어 상기 제3 격벽들(160) 상에 위치하는 상기 제2 격벽들(159)의 높이가 낮아질 수 있다.

도 4i를 참조하면, 상기 제3 격벽들(160) 사이의 공간은 공중합체층(161)으로 채워진다. 여기서, 상기 공중합체층(161)은 상기 제3 격벽들(160) 각각의 높이와 상기 제3 격벽들(160) 상에 잔류하는 제2 격벽들(159) 각각의 높이의 합(h1)보다 작은 높이(h2)로 형성된다. 본 발명의 일 예로, 상기 공중합체층(161)은 제1 폴리머 및 제2 폴리머가 서로 불규칙하게 무질서한 방향으로 정렬되어 있다. 상기 제1 및 제2 폴리머는 각각 PS(poly stylrene) 및 PMMA(Poly methylmethacrylate) 일 수 있다.

상기 공중합체층(161)을 열처리하면, 도 4j와 같이 제1 및 제2 폴리머(162, 163)로 상분리된다. 특히, 상기 제1 및 제2 폴리머(162, 163)는 두 개의 제3 격벽(160) 사이에서 교번적으로 배열될 수 있다.

이후, 상기 제1 및 제2 폴리머(162, 163) 중 어느 하나를 제거하면, 두 개의 제3 격벽(160) 사이에는 서로 소정 간격 이격된 이들 중 하나의 폴리머만이 잔류하여 나노 그리드 패턴(164)을 형성한다.

이후, 상기 나노 그리드 패턴(164) 및 상기 제3 격벽들(160)을 마스크로 하여 상기 금속층(151)을 식각한다. 그러면, 도 4l에 도시된 바와 같이 상기 투명 기판(110) 상에는 상기 제1 방향(D1)으로 배열된 제1 및 제2 금속 나노 와이어(121, 122)가 구비된다.

도 4m를 참조하면, 상기 제1 및 제2 금속 나노 와이어(121, 122)의 상면 상에는 상기 나노 그리드 패턴(164) 및 상기 제3 격벽들(160)이 각각 잔류할 수 있다. 이 잔류물들은 식각 공정을 통해 제거될 수 있다.

상기 제3 격벽들(160)의 높이가 상기 나노 그리드 패턴(164)의 높이보다 상대적으로 높기 때문에, 상기 잔류물 식각 공정 이후에도 상기 제2 금속 나노 와이어(122) 상면 상에는 도 4m과 같이 상기 제3 격벽들(160)의 잔류물이 존재할 수 있다.

도 5는 인셀 반사형 편광판을 구비하는 표시장치를 나타낸 단면도이다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시장치(600)는 광을 발생하는 백라이트 유닛(500) 및 상기 광을 이용하여 영상을 표시하는 표시패널(300)을 포함한다.

상기 백라이트 유닛(500)은 광을 발생하는 광원(미도시), 상기 광원으로부터 상기 광을 수신하여 상기 표시패널(300) 측으로 가이드하는 도광판(510) 및 상기 도광판(510)으로부터 누설된 광을 반사하여 상기 도광판(510)으로 재입사시키는 반사판(520)을 포함한다.

상기 백라이트 유닛(500)은 상기 표시패널(300)의 배면에 인접하여 구비되며, 상기 도광판(510)은 상기 표시패널(300)에 대응하는 크기로 형성되어 상기 광을 전면으로 출력한다. 상기 반사판(520)은 상기 도광판(510)의 하면에 대응하는 크기로 구비되고, 반사율이 높은 물질로 이루어져 상기 하면을 통해 누설된 광을 반사한다.

상기 표시패널(300)은 제1 기판(350), 상기 제1 기판(350)과 마주하는 제2 기판(380) 및 상기 제1 기판(350)과 상기 제2 기판(380)과의 사이에 개재된 액정층(390)을 포함한다.

상기 제1 기판(350)은 인셀 반사형 편광판(320), 상기 인셀 반사형 편광판(320)을 커버하는 베이스 절연막(330), 상기 베이스 절연막(330) 상에 구비된 화소 어레이층(340)을 포함한다.

상기 표시패널(300)은 표시 영역(DA) 및 비표시 영역(NDA)으로 구분되고, 상기 인셀 반사형 편광판(320)은 상기 표시 영역(DA)에 대응하여 상기 제1 투명 기판(310) 상에 구비된 편광부(323) 미 제1 투명 기판(310) 및 상기 비표시 영역(NDA)에 대응하여 상기 제1 투명 기판(310) 상에 구비된 반사부(324)를 포함한다.

상기 편광부(323)는 복수의 금속 나노 와이어(321, 322)를 포함한다. 상기 금속 나노 와이어들(321, 322)은 상기 백라이트 유닛(500)으로부터 제공된 상기 광 중 상기 금속 나노 와이어들(321, 322)의 연장 방향과 평행한 편광 성분인 S파는 상기 금속 나노 와이어들(321, 322)의 금속 성질에 의해서 반사되고, 상기 금속 나노 와이어들(321, 322)의 연장 방향과 직교하는 방향과 평행한 편광 성분인 P파는 유효 굴절매질로 인식되어 투과된다.

상기 반사부(324)는 알루미늄과 같은 반사율이 높은 물질로 이루어져 상기 백라이트 유닛(500)으로부터 제공된 상기 광을 반사한다. 상기 반사부(324)를 통해 반사된 광은 상기 백라이트 유닛(500)의 상기 반사판(520)에 의해서 반사되어 상기 표시패널(300) 측으로 재입사된다. 따라서, 상기 인셀 반사형 편광판(320)의 상기 반사부(324)에 의해서 광 이용 효율을 향상시킬 수 있다.

상기 인셀 반사형 편광판(320)의 상면에는 베이스 절연막(330)이 형성된다. 상기 베이스 절연막(330)은 상기 반사부(324) 및 상기 편광부(323)를 전체적으로 커버한다.

상기 베이스 절연막(330) 상에는 화소 어레이층(340)이 형성된다. 상기 베이스 절연막(330)은 상기 반사부(324) 및 편광부(323)를 상기 화소 어레이층(340)과 전기적으로 절연시키기 위하여 절연성 물질로 이루어진다.

상기 화소 어레이층(340)은 박막 트랜지스터(TR), 층간 절연막(346) 및 화소 전극(347)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 박막 트랜지스터(TR)는 게이트 전극(341), 소오스 전극(344) 및 드레인 전극(345)을 포함한다. 구체적으로, 상기 베이스 절연막(330) 상에는 상기 게이트 전극(341)이 형성되고, 상기 게이트 전극(341)은 게이트 절연막(342)에 의해서 커버된다. 상기 게이트 전극(341)에 대응하여 상기 게이트 절연막(342) 상에는 반도체층(343)이 형성되고, 상기 반도체층(343) 상에서 상기 소오스 전극(344) 및 상기 드레인 전극(345)은 소정 간격 이격하여 배치된다.

상기 층간 절연막(346)은 상기 박막 트랜지스터(TR)를 커버하도록 상기 게이트 절연막(342) 상에 형성되고, 상기 층간 절연막(346) 위로 상기 화소 전극(347)이 형성된다.

도 5에 도시된 제1 기판(350)의 구조는 본 발명의 일 실시예로 제시된 것이며, 본 발명은 도 5에 도시된 제1 기판(350)의 구조에 한정되지 않는다.

상기 제2 기판(380)은 제2 투명 기판(360), 컬러 필터층(371) 및 블랙 매트릭스(372)를 포함한다. 상기 제2 투명 기판(360)은 상기 제1 투명 기판(310)과 대향하여 배치되고, 상기 블랙 매트릭스(372)는 상기 비표시 영역(NDA)에 대응하여 상기 제2 투명 기판(360) 상에 구비된다. 상기 컬러 필터층(371)은 레드, 그린 및 블루 색화소를 포함하고, 각 색화소들은 적어도 상기 표시 영역(DA)에 대응하고, 상기 블랙 매트릭스(372)와 중첩할 수 있다.

상기 제1 기판(350)과 상기 제2 기판(380) 사이에는 상기 액정층(390)이 구비되고, 상기 표시 패널(300)은 상기 제1 및 제2 기판(350, 380) 사이에 상기 액정층(390)이 형성될 공간을 제공하기 위하여 상기 제1 기판(350)과 상기 제2 기판(380)을 소정 간격 이격시키는 스페이서(375)를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 표시 패널(300) 상에는 이색성 편광판(dichroic polarizer)(400)이 구비된다. 상기 이색성 편광판(400)은 시트 형태로 이루어져 상기 표시 패널(300) 상에 부착될 수 있다. 상기 이색성 편광판(400)의 편광축은 상기 인셀 반사형 편광판(320)의 상기 금속 나노 와이어들(321, 322)의 연장 방향과 수직 또는 평행할 수 있다.

도 6a 내지 도 6d는 도 5에 도시된 인셀 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정 사시도들이다.

도 6a를 참조하면, 제1 투명 기판(310)의 전면 상에는 금속층(311)이 형성된다. 본 발명의 일 예로, 상기 금속층(311)은 알루미늄(Al)일 수 있다. 상기 금속층(311) 상에는 식각 정지층(312)을 형성한다. 본 발명의 일 예로, 상기 식각 정지층(312)은 상기 표시패널(300)의 상기 비표시 영역(NDA)에 대응하여 형성되고, 상기 표시 영역(DA)에 대응하여 오픈되어 개구홀(OP)을 형성할 수 있다. 또한, 상기 식각 정지층(312)은 크롬 또는 인듐 틴 옥사이드로 이루어질 수 있다.

도 6b에 도시된 바와 같이, 상기 식각 정지층(312) 및 상기 개구홀(OP)을 통해 노출된 상기 금속층(311) 상에는 제1 격벽층(313), 하드 마스크층(314) 및 희생층(315)이 순차적으로 적층될 수 있다. 상기 희생층(315) 상에는 포토 마스크(316)가 제공된다. 본 발명의 일 예로, 상기 포토 마스크(316)는 상기 제1 투명 기판(310)의 네 변 중 서로 나란한 두 개의 변과 평행한 방향으로 연장되어 형성된다.

상기 포토 마스크(316)를 이용하여 상기 희생층(315)을 패터닝하는 단계에서부터 상기 제3 격벽(317)을 형성하는 단계까지는 도 4b 내지 도 4g와 유사하다. 따라서, 상기 희생층(315)을 패터닝하는 단계에서부터 상기 제3 격벽(317)을 형성하는 단계에 대한 구체적인 설명은 생략한다.

도 6c를 참조하면, 상기 금속층(311) 상에는 상기 식각 정지층(312) 및 상기 제3 격벽들(317)이 형성된다. 상기 제3 격벽들(317)은 제1 방향(D1)으로 연장된다. 상기 식각 정지층(312)은 상기 제1 방향(D1)으로 연장된 수직부분들(312a) 및 상기 제2 방향(D2)으로 연장된 수평부분들(312b)을 포함한다. 상기 수직 부분들(312a) 각각은 가장 인접하는 제3 격벽(317)과 소정 간격 이격하며, 상기 수평 부분들(312b)은 두 개의 수직 부분(312a) 사이에 구비되고, 상기 제3 격벽(317)과 교차한다.

한편, 상기 식각 정지층(312)은 상기 제1 격벽층(313)을 식각하는 공정에서 식각되지 않도록 상기 제1 격벽층(313) 대비 높은 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어질 수 있다.

도면에 도시하지는 않았지만, 상기 제3 격벽들(317) 사이에 공중합체층을 형성하여 상기 나노 그리드 패턴들을 형성하는 과정은 도 4i 내지 도 4k의 과정과 유사합니다. 따라서, 여기서 중복되는 설명은 생략한다.

이후, 상기 제3 격벽들(317) 및 나노 그리드 패턴을 마스크로 하여 상기 금속층(311)을 식각하면, 도 6d에 도시된 바와 같이 상기 개구홀(OP) 영역 내에 다수의 금속 나노 와이어들(321, 322)이 형성된다. 구체적으로, 상기 나노 그리드 패턴에 대응하여 제1 금속 나노 와이어들(321)이 형성되고, 상기 제3 격벽들(317)에 대응하여 제2 금속 나노 와이어들(322)이 형성된다.

한편, 상기 식각 정지층(312)에 의해서 커버된 상기 금속층(311)은 상기 식각 공정에서 식각되지 않고 잔류한다. 따라서, 상기 잔류하는 금속층(311)에 의해서 상기 인셀 반사형 편광판(320)의 반사부(324)가 형성된다. 상기 개구홀(OP)이 형성된 영역은 상기 편광부(323)에 대응할 수 있다. 앞서 기술한 바와 같이, 상기 편광부(323)에는 다수의 금속 나노 와이어들(321, 322)이 형성된다.

도 7a 및 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 인셀 반사형 편광판의 제조 과정을 나타낸 공정 사시도들이다. 단, 도 7a 및 도 7b에 도시된 구성 요소 중 도 6a 내지 도 6d에 도시된 구성요소와 동일한 구성요소에 대한 구체적인 설명을 생략한다.

도 7a에 도시된 바와 같이, 상기 식각 정지층(312) 및 상기 금속층(311) 상에는 제1 격벽층(313), 하드 마스크층(314) 및 희생층(315)이 순차적으로 적층될 수 있다.

본 발명의 일 예로, 상기 식각 정지층(312)은 상기 표시패널(300)의 상기 비표시 영역(NDA)에 대응하여 형성되고, 상기 표시 영역(DA)에 대응하여 오픈되어 개구홀(OP)을 형성할 수 있다.

상기 희생층(315) 상에는 포토 마스크(318)가 제공된다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토 마스크(318)는 상기 제1 투명 기판(310)의 네 변 중 나란한 두 변에 대해서 소정 각도(α)(예를 들어, 45°)로 기울어진 방향으로 연장될 수 있다.

이후 과정은 도 4c 내지 도 4m의 과정과 유사하므로, 중복되는 설명은 생략한다.

도 7b를 참조하면, 상기 개구홀(OP) 영역 내에 다수의 금속 나노 와이어들(325, 326)이 형성된다. 상기 다수의 금속 나노 와이어(325, 326)는 상기 포토 마스크(318)과 나란한 방향으로 연장되며, 본 발명의 일 예로, 상기 제1 투명 기판(310)의 네 변 중 나란한 두 변에 대해서 45°로 기울어진 방향으로 연장될 수 있다.

한편, 도 5에 도시된 이색성 편광판(400)은 도 7b에 도시된 상기 다수의 금속 나노 와이어(325, 326)와 직교하거나 나란한 편광축을 가질 수 있다.

이처럼, 식각 정지층(312)을 이용하여 인셀 반사형 편광판(320)에 비표시 영역(NDA)에 대응하는 반사부(324)를 형성함으로써, 상기 백라이트 유닛(500)으로부터 공급되는 광의 재사용율을 향상시킬 수 있습니다.

앞서 검토한 바와 같이, 상기 공중합체층(140)을 이용한 자발 정렬 공정을 통해 제1 금속 나노 와이어(121)를 형성하는 경우, 가이드 패턴의 폭을 금속 나노 와이어 수준으로 감소시킬 수 있다. 따라서, 반사형 편광판(100)에는 상기 제1 금속 나노 와이어(121)의 폭의 2배 이상보다 작은 폭을 갖는 제2 금속 나노 와이어(122)가 형성될 수 있다. 이로써, 상기 반사형 편광판(100)의 개구율 및 반사 효율을 향상킬 수 있다.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

100: 반사형 편광판 110 : 투명 기판
121 : 제1 금속 나노 와이어 122 : 제2 금속 나노 와이어
131 : 제1 금속층 132 : 희생층
133 : 포토 마스크 134 : 바 패턴
135 : 격벽층 136 : 격벽
143 : 나노 그리드 패턴 300 : 표시패널
500 : 백라이트 유닛 600 : 표시장치
320 : 인셀 반사형 편광판 400 : 이색성 편광판

Claims (20)

1. 투명 기판의 전면 상에 금속층을 형성하는 단계;
   상기 금속층 상에 희생층을 형성하는 단계;
   상기 희생층을 패터닝하여 바 패턴을 형성하는 단계;
   상기 바 패턴 및 상기 금속층 상에 격벽층을 형성하는 단계;
   상기 격벽층을 이방성 식각하여 상기 바 패턴의 측벽을 따라 형성되고, 서로 소정 간격 이격된 격벽들을 형성하는 단계;
   상기 바 패턴을 제거하는 단계;
   상기 격벽들 사이의 개구부에 제1 및 제2 폴리머로 이루어진 공중합체층를 제공하는 단계;
   상기 공중합체층을 열처리하여 제1 및 제2 폴리머를 교대로 배열시키는 단계;
   상기 제1 및 제2 폴리머 중 제2 폴리머를 제거하여 제1 폴리머로 이루어지고, 상기 격벽들 사이에서 서로 소정 간격 이격된 다수의 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및
   상기 격벽들 및 상기 그리드 패턴을 마스크로하여 상기 금속층을 식각하여 나노 와이어 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반사형 편광판 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 희생층 및 상기 격벽층은 상기 금속층과 다른 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
3. 제1항에 있어서, 상기 희생층의 식각 선택비는 상기 격벽층의 식각 선택비보다 큰 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 상기 희생층은 실리콘 질화물이고, 상기 격벽층은 실리콘 산화물인 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
5. 제1항에 있어서, 상기 격벽의 높이는 상기 공중합체층의 높이보다 큰 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
6. 제1항에 있어서, 상기 바 패턴의 측벽의 경사각은 85° 내지 95°의 범위에 존재하는 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
7. 제1항에 있어서, 상기 이방성 식각은 상기 투명 기판의 상기 전면에 실질적으로 수직한 방향으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
8. 투명 기판의 전면 상에 금속층을 형성하는 단계;
   상기 금속층 상에 제1 격벽층을 형성하는 단계;
   상기 제1 격벽층 상에 하드 마스크층을 형성하는 단계
   상기 하드 마스크층 상에 희생층을 형성하는 단계;
   상기 희생층을 패터닝하여 바 패턴을 형성하는 단계;
   상기 바 패턴 및 상기 하드 마스크층 상에 제2 격벽층을 형성하는 단계;
   상기 제2 격벽층을 이방성 식각하여 상기 바 패턴의 측벽을 따라 형성되고, 서로 소정 간격 이격된 제1 격벽들을 형성하는 단계;
   상기 바 패턴을 제거하는 단계;
   상기 제1 격벽들을 마스크로 하여 상기 하드 마스크층을 식각하여 제2 격벽들을 형성하는 단계;
   상기 제2 격벽들을 마스크로 하여 상기 제2 격벽층을 식각하여 제3 격벽들을 형성하는 단계;
   상기 제3 격벽들 사이의 개구부에 제1 및 제2 폴리머로 이루어진 공중합체층를 제공하는 단계;
   상기 공중합체층을 열처리하여 제1 및 제2 폴리머를 교대로 배열시키는 단계;
   상기 제1 및 제2 폴리머 중 제2 폴리머를 제거하여 제1 폴리머로 이루어지고, 상기 제3 격벽들 사이에서 서로 소정 간격 이격된 다수의 돌출바를 형성하는 단계; 및
   상기 제3 격벽들 및 상기 돌출바들을 마스크로하여 상기 금속층을 식각하여 나노 와이어 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 반사형 편광판 제조방법.
9. 제8항에 있어서, 상기 희생층 및 상기 제1 격벽층은 상기 하드 마스크층과 다른 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
10. 제8항에 있어서, 상기 희생층의 식각 선택비는 상기 제1 격벽층의 식각 선택비보다 높고,
    상기 하드 마스크층은 상기 제2 격벽층보다 높은 식각 선택비를 갖는 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
11. 제10항에 있어서, 상기 희생층은 실리콘 질화물이고, 상기 제1 격벽층은 실리콘 산화물이며, 상기 하드 마스크층은 알루미늄이고, 상기 제2 격벽층은 실리콘 질화물인 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
12. 제8항에 있어서, 상기 제1 격벽층을 형성하기 이전에 상기 금속층 상에 캡핑층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
13. 제12항에 있어서, 상기 캡핑층은 Ti 또는 Mo 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
14. 제8항에 있어서, 상기 제3 격벽의 높이는 상기 공중합체층의 높이보다 큰 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
15. 제8항에 있어서, 상기 바 패턴의 측벽의 경사각은 85° 내지 95°의 범위에 존재하는 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
16. 제8항에 있어서, 상기 이방성 식각은 상기 투명 기판의 상기 전면에 실질적으로 수직한 방향으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반사형 편광판 제조방법.
17. 화소 영역 및 차광 영역으로 이루어진 표시패널 내에 반사형 편광판을 형성하는 인셀(in-cell) 반사형 편광판 제조방법에서,
    투명 기판의 전면 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 차광 영역에 대응하여 상기 금속층 상에 식각 정지층을 형성하는 단계;
    상기 식각 정지층 및 상기 금속층 상에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층을 패터닝하여 바 패턴을 형성하는 단계;
    상기 바 패턴 및 상기 금속층 상에 격벽층을 형성하는 단계;
    상기 격벽층을 이방성 식각하여 상기 바 패턴의 측벽을 따라 형성되고, 서로 소정 간격 이격된 격벽들을 형성하는 단계;
    상기 바 패턴을 제거하는 단계;
    상기 격벽들 사이의 개구부에 제1 및 제2 폴리머로 이루어진 공중합체층를 제공하는 단계;
    상기 공중합체층을 열처리하여 제1 및 제2 폴리머를 교대로 배열시키는 단계;
    상기 제1 및 제2 폴리머 중 제2 폴리머를 제거하여 제1 폴리머로 이루어지고, 상기 격벽들 사이에서 서로 소정 간격 이격된 다수의 나노 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 격벽들 및 상기 나노 그리드 패턴들을 마스크로하여 상기 금속층을 식각하여 상기 화소 영역 내에 금속 나노 와이어를 형성하는 단계를 포함하는 인셀 반사형 편광판 제조방법.
18. 제17항에 있어서, 상기 금속 나노 와이어는 0nm 보다 크고 200nm 이하의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 인셀 반사형 편광판 제조방법.
19. 제17항에 있어서, 상기 식각 정지층은 상기 격벽층의 식각 선택비보다 높은 식각 선택비를 갖는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 인셀 반사형 편광판 제조방법.
20. 제19항에 있어서, 상기 식각 정지층은 크롬 또는 인듐 틴 옥사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 인셀 반사형 편광판 제조방법.

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