CN105700056B - 偏振板、包括该偏振板的tft基板及制造该偏振板的方法 - Google Patents

偏振板、包括该偏振板的tft基板及制造该偏振板的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105700056B
CN105700056B CN201510894576.1A CN201510894576A CN105700056B CN 105700056 B CN105700056 B CN 105700056B CN 201510894576 A CN201510894576 A CN 201510894576A CN 105700056 B CN105700056 B CN 105700056B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pattern
layer
polarized light
polarizing plate
partition wall
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510894576.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105700056A (zh
Inventor
金泰佑
朴昇元
谢磊
尹大镐
李文圭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Display Co Ltd filed Critical Samsung Display Co Ltd
Publication of CN105700056A publication Critical patent/CN105700056A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105700056B publication Critical patent/CN105700056B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3008—Polarising elements comprising dielectric particles, e.g. birefringent crystals embedded in a matrix
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
    • H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
    • H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
    • H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
    • H01L29/42384—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate for thin film field effect transistors, e.g. characterised by the thickness or the shape of the insulator or the dimensions, the shape or the lay-out of the conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
    • H01L29/78633—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device with a light shield

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Polarising Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

提供了一种偏振板、一种包括该偏振板的TFT基板和一种制造偏振板的方法。所述偏振板包括基板和导电图案层，导电图案层包括第一图案和第二图案。第一图案包括以周期比入射光的波长短的间隔布置成相互隔离的线形结构，第一图案被构造成使入射光的第一偏振光透射通过并对入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光进行反射。第二图案设置在第一图案的外边界上，第二图案与第一图案隔离且绝缘，第二图案包括主干和从主干朝向第一图案突出的至少一个分支。

Description

偏振板、包括该偏振板的TFT基板及制造该偏振板的方法
技术领域
本发明的示例性实施例涉及一种偏振板、一种包括该偏振板的薄膜晶体管(TFT)基板以及一种制造该偏振板的方法。
背景技术
包括相互平行地布置以使来自电磁波的光偏振的平行导线阵列可以称作线栅偏振器(wire grid polarizer)。
当非偏振光入射到周期比入射光的波长短的线栅偏振器时，线栅偏振器会对平行于线栅偏振器的线的方向的偏振光进行反射，并会对垂直于线栅偏振器的线的方向的偏振光进行透射。线栅偏振器可以比吸收型偏振器更有利之处在于线栅偏振器对被反射的偏振光进行了再利用。
在该背景技术部分所公开的上述信息仅用于强化对发明构思的背景的理解，因此，它可以包含不形成对于该国的本领域技术人员已经公知的现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种具有改善了的加工性和透射率的偏振板。
附加方面将在接下来的描述中部分地阐述，部分地通过公开内容将是清楚的，或者可通过实施本发明构思而获知。
本发明的示例性实施例还提供了一种制造具有改善了的加工性和透射率的偏振板的方法。
本发明的示例性实施例还提供一种具有改善了的加工性和透射率的薄膜晶体管(TFT)基板。
根据本发明的示例性实施例，一种偏振板包括基板和导电图案层，导电图案层包括：第一图案，包括以周期比入射光的波长短的间隔布置成相互隔离的线形结构，第一图案被构造成使射光的第一偏振光透射通过并反射入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光；第二图案，设置在第一图案的外边界上，第二图案与第一图案隔离且绝缘，第二图案包括主干和从主干朝向第一图案突出的至少一个分支。
导电图案层还可以包括被构造成反射第一偏振光和第二偏振光的第三图案，第三图案可以与第二图案隔离且绝缘。
导电图案层可以是金属图案层。
金属图案层可以包括铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钴(Co)、钼(Mo)和它们的合金中的至少一种。
根据本发明的示例性实施例，一种薄膜晶体管基板包括偏振板和设置在偏振板上的数据布线，所述偏振板包括：偏振器，被构造成使入射光的第一偏振光透射通过并对入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光进行反射；栅极布线，设置在偏振器的外边界上。
偏振器可以包括第一图案，所述第一图案包括以具有比入射光的波长短的周期的间隔设置的线形结构。
偏振器可以设置在被栅极布线和数据布线围绕的像素区中。
栅极布线可以包括栅极线和从栅极线朝向第一图案突出的至少一个栅电极。
偏振板还可以包括设置在栅极布线的外边界上的共电极布线。
偏振板还可以包括设置在栅极布线的外边界上的共电极布线，共电极布线可以包括沿基本上平行于栅极线的方向延伸的共电极线和从共电极线朝向第一图案突出的突起。
偏振板还可以包括被构造成反射第一偏振光和第二偏振光的至少一个反射部分。
反射部分可以设置在栅极线之间并与栅极线绝缘。
反射部分可以设置在围绕像素区的非像素区中。
根据本发明的示例性实施例，一种制造偏振板的方法包括下述步骤：在基板上形成导电层；在导电层上形成引导图案层，引导图案层包括第一引导图案和第二引导图案，第一引导图案包括第一隔壁和连接到第一隔壁的半色调区域，半色调区域覆盖导电层，第二引导图案包括暴露导电层的第二隔壁，导电层位于第二隔壁之间；利用第二引导图案通过图案化导电层来形成第二图案；通过去除半色调区域来形成第三引导图案；在形成在第二图案和第三引导图案中的沟槽中形成纳米结构的自取向嵌段共聚物；利用设置在自取向嵌段共聚物上的第一区域或第二区域通过图案化导电层来形成第一图案，其中，第一图案被构造成使入射光的第一偏振光透射通过并对入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光进行反射，第二图案设置在第一图案的外边界上并与第一图案隔离且绝缘，第二图案包括主干和从主干朝向第一图案突出的至少一个分支。
所述方法还可以包括修整第一隔壁和第二隔壁的宽度。
修整第一隔壁和第二隔壁的宽度的步骤可以包括氧(O2)等离子体蚀刻工艺。
设置纳米结构的自取向嵌段共聚物的步骤可以包括：设置包括交替地设置在沟槽中的第一重复单元和第二重复单元的嵌段共聚物层；对嵌段共聚物层进行退火，其中，第一重复单元和第二重复单元具有相互不同的蚀刻速率。
嵌段共聚物层可以包括聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯(PS-b-PB)、聚苯乙烯-嵌段-聚异戊二烯(PS-b-PI)、聚苯乙烯-嵌段-聚(甲基丙烯酸甲酯)(PS-b-PMMA)、聚苯乙烯-嵌段-聚(2-乙烯基吡啶)(PS-b-P2VP)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁-二甲基硅烷)(PS-b-PFDMS)、聚苯乙烯-嵌段-聚(丙烯酸叔丁酯)(PS-b-PtBA)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁乙基甲基硅烷)(PS-b-PFEMS)、聚异戊二烯-嵌段-聚(环氧乙烷)(PI-b-PEO)、聚丁二烯-嵌段-聚(丁二烯-嵌段-乙烯基吡啶鎓)(PB-b-PVP)、聚(丙烯酸叔丁酯)-嵌段-聚(甲基丙烯酸肉桂酰乙酯)(PtBA-b-PCEMA)、聚苯乙烯-嵌段-聚乳酸(PS-b-PLA)、聚(α-甲基苯乙烯)-嵌段-聚(4-羟基苯乙烯)(PαMS-b-PHS)、十五烷基苯酚改性聚苯乙烯-嵌段-聚(4-乙烯基吡啶)(PPDPS-b-P4VP)、聚(苯乙烯-嵌段-环氧乙烷)(PS-b-PEO)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二甲基硅氧烷)(PS-b-PDMS)、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯(PS-b-PE)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁二甲基硅烷)(PS-b-PFS)、聚苯乙烯-嵌段-聚(对苯)(PS-b-PPP)、PS-b-PB-b-PS、PS-b-PI-b-PS、聚(环氧丙烷)-嵌段-PEO(PEO-b-PPO)、聚(4-乙烯基-苯基二甲基-2-丙氧基硅烷)-b-PI-b-PVPDMPS(PVPDMPS)、PS-b-P2VP-b-PtBMA和它们的嵌段共聚物(BCP)中的至少一种。
对嵌段共聚物层进行退火的步骤可以包括热退火或溶剂退火。
设置第一图案的步骤可以包括：去除第一区域和第二区域中的一个，第一区域是通过使嵌段共聚物层的第一重复单元自取向来获得，第二区域是通过使嵌段共聚物层的第二重复单元自取向来获得；利用剩余的第一区域和第二区域中的一个来图案化导电层。
根据本发明的示例性实施例，可以使提供具有改善了的加工性和透射率的偏振板、包括偏振板的TFT基板和制造偏振板的方法成为可能。
以上的总体描述和下面的详细描述是示例性和解释性的，并意图提供对所保护主题的进一步解释。
附图说明
附图示出了发明构思的示例性实施例，并且与描述一起用来解释发明构思的原理，其中，包括附图以提供对发明构思的进一步理解，并且将附图并入本说明书中且构成本说明书的一部分。
图1至图8是示出了根据本发明的示例性实施例的制造偏振板的方法的剖视图。
图9是根据本发明的示例性实施例的偏振板的剖视图。
图10是示出了根据图4的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
图11是示出了根据图5的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
图12至图14是示出了根据图5的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
图15是根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)基板的剖视图。
具体实施方式
在以下的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体的细节以提供对各种示例性实施例的彻底的理解。然而，清楚的是，各种示例性实施例可以在没有这些具体细节或者利用一个或更多个等同布置的情况下实施。在其它实例中，为了避免不必要地模糊各种示例性实施例，众所周知的结构和装置以框图形式示出。
在附图中，为了清晰和说明的目的，可以夸大层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸。另外，同样的附图标号指示同样的元件。
当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”或者“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当元件被称作“直接在”另一元件或层“上”或者“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个/种”和“从由X、Y和Z组成的组中选择的至少一个/种”可以被理解为仅X、仅Y、仅Z或者X、Y和Z中的两个/种或更多个/种的任意组合(例如，以XYZ、XYY、YZ和ZZ为例)。同样的标号始终指示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意组合和所有组合。
尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述各种的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开来。因此，在不脱离本公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层和/或部分。
出于描述性目的，在这里可使用诸如“在……下面”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“下面”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在……下方”可包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。此外，所述装置可被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位)，并因此相应地解释这里使用的空间相对描述符。
这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图进行限制。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。而且，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
这里参照作为理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图来描述各种示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里所公开的示例性实施例不应该被理解为受限于区域的具体示出的形状，而将包括诸如由制造导致的形状上的偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其边缘将通常具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋区会导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状并且不意图进行限制。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非这里明确这样定义，否则术语(例如，在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而将不以理想的或过于形式化的含义来解释。
图1至图8是示出了根据本发明的示例性实施例的制造偏振板的方法的剖视图。
参照图1，可以在基板110上形成导电层120。导电层120可以覆盖基板110的整个表面。
只要基板110可以透射可见光，就可以在考虑基板110的使用目的和应用于基板110的处理的类型的情况下对基板110的材料进行选择。根据本发明的示例性实施例，基板110可以由各种聚合物化合物形成，例如，由玻璃、石英、丙烯酸类材料、三乙酰纤维素(TAC)、环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)和聚芳酯(PAR)形成。可选择地，基板110可以由具有一定程度的柔性的光学膜材料形成。
导电层120可以由任意的导电材料形成。根据本发明的示例性实施例，导电层120可以由诸如铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、铜(Cu)、镍(Ni)、钛(Ti)、钴(Co)、钼(Mo)和它们的合金的金属材料形成。
导电层120可以包括至少两层，例如，由Al形成的第一导电层(未示出)和由Ti或Mo形成的第二导电层(未示出)。当单独由Al形成第一导电层时，会因在随后的制造工艺中施加的温度而产生小丘(hillock)。结果，第一导电层的顶表面会变得不规则，这会使第一导电层的光学特性劣化。可以使用Ti或Mo在第一导电层上形成第二导电层，以防止在第一导电层上产生小丘。
导电层120可以通过诸如化学气相沉积(CVD)法或蒸镀法的典型溅射法来形成。
参照图2，可以在导电层120上形成引导层130。
引导层130可以由光致抗蚀剂形成。引导层130可以覆盖导电层120的整个表面。引导层130可以被图案化成包括线形结构的引导图案层。
参照图3，可以通过蚀刻或图案化图2中示出的引导层130来形成引导图案层。引导图案层可以包括具有隔壁(barrier)1(131W和131R)的第一引导图案和具有隔壁2(131C和131G)的第二引导图案。
为了方便说明，隔壁1(131W和131R)可以分为隔壁1-1(131W)和隔壁1-2(131R)，隔壁2(131C和131G)可以分为隔壁2-1(131C)和隔壁2-2(131G)。
隔壁1-1(131W)和隔壁1-2(131R)可以布置成相互隔离，隔壁2-1(131C)和隔壁2-2(131G)可以布置成相互隔离。第一引导图案可以包括连接隔壁1(131W和131R)的半色调区域HR。因为半色调区域HR可以覆盖导电层120，所以第一引导图案不会暴露隔壁1(131W和131R)之间的导电层120。另一方面，第二引导图案可以暴露被隔离的隔壁2(131C和131G)之间的导电层120.
隔壁1-1(131W)的宽度W1可以小于隔壁1-2(131R)的宽度W2。隔壁2-1(131C)的宽度W3可以小于隔壁2-2(131G)的宽度W4。隔壁1-1(131W)可以用作用于形成第一图案的引导图案，隔壁1-2(131R)可以用作用于形成至少一个反射部分或第三图案的引导图案。隔壁2-1(131C)和隔壁2-2(131G)可以用作用于形成第二图案的引导图案。更具体地讲，隔壁2-1(131C)可以用作用于形成共电极线的引导图案，隔壁2-2(131G)可以用作用于形成栅极线的引导图案。根据本发明的示例性实施例，可以省略隔壁2-1(131C)。
隔壁1(131W和131R)和隔壁2(131C和131G)可以通过使用掩模对由光致抗蚀剂形成的引导层130(在图2中示出)进行曝光和显影来形成。可以使用各种图案化方法来形成隔壁1(131W和131R)和隔壁2(131C和131G)。
第一引导图案和第二引导图案可以使用掩模M来形成。第一引导图案可以通过使用半色调掩模M来形成。当第一引导图案使用半色调掩模M来形成时，第二引导图案可以使用单个掩模来形成。
当不使用半色调掩模时，会需要至少两个掩模和九个步骤来选择性地图案化导电层120的与第二引导图案叠置的第二区域。然而，当利用半色调掩模形成第一引导图案时，可以在仅六个步骤内使用单个掩模来有选择性地图案化导电层120的与第二引导图案叠置的第二区域。因此，可以改善制造偏振板的效率。
参照图3和图4，可以利用第二引导图案将导电层120图案化成导电图案层121C和121G。导电层120的被隔壁2(131C和131G)覆盖的部分在蚀刻工艺后可以保留在基板110上，而导电层120的未被隔壁2(131C和131G)覆盖的剩余部分可以通过蚀刻工艺去除。与导电层120的被隔壁2(131C和131G)覆盖的部分对应的导电图案层121C和121G可以是后续工艺中的共电极线和栅极线。导电图案层121WR可以由于被第一引导图案覆盖而未被图案化。根据本发明的示例性实施例，可以省略隔壁2-1(131C)和导电图案层121C。
参照图4和图5，可以去除第一引导图案的半色调区域HR。在去除第一引导图案的半色调区域HR之后，导电图案层121WR可以被部分地暴露在隔壁1(131W和131R)之间。
参照图5，可以执行修整工艺以将隔壁1(131W和131R)和隔壁2(131C和131G)的宽度减小到宽度W1′、W2′、W3′和W4′。隔壁1-1(131W)可以通过修整工艺转换成隔壁1-1′(131W′)。隔壁1-1′(131W′)的宽度W1′可以小于隔壁1-1(131W)的宽度W1。隔壁1-2(131R)可以转换成隔壁1-2′(131R′)。隔壁1-2′(131R′)的宽度W2′可以小于隔壁1-2(131R)的宽度W2。隔壁2-1(131C)可以转换成隔壁2-1′(131C′)。隔壁2-1′(131C′)的宽度W3′可以小于隔壁2-1(131C)的宽度W3。隔壁2-2(131G)可以转换成隔壁2-2′(131G′)。隔壁2-2′(131G′)的宽度W4′可以小于隔壁2-2(131G)的宽度W4。隔壁2-1′(131C′)的宽度W3′可以小于导电图案层121C的宽度，隔壁2-2′(131G′)的宽度W4′可以小于导电图案层121G的宽度。可以省略隔壁2-1′(131C′)和导电图案层121C。
随着隔壁(131W′、131R′、131C′和131G′)的宽度(即，宽度W1′、W2′、W3′和W4′)减小，偏振板的开口率或透射率可以增大。更具体地讲，宽度W1′、W2′、W3′和W4′越小，可以形成在隔壁(131W′、131R′、131C′和131G′)之间的沟槽T中的区域(domain)数量越大，偏振板的开口率越大。
可以使用等离子体刻蚀来执行修整工艺。可以使用可减小隔壁(131W、131R、131C和131G)的宽度(即，宽度W1、W2、W3和W4)的任意等离子体。根据本发明的示例性实施例，修整工艺可以使用氧(O2)等离子体。
参照图6，可以在隔壁(131W′、131R′、131C′和131G′)之间形成沟槽T，可以在每个沟槽T中形成嵌段共聚物层140。
嵌段共聚物层140可以包括第一重复单元和第二重复单元。嵌段共聚物层140可以由聚苯乙烯-嵌段-聚丁二烯(PS-b-PB)、聚苯乙烯-嵌段-聚异戊二烯(PS-b-PI)、聚苯乙烯-嵌段-聚(甲基丙烯酸甲酯)(PS-b-PMMA)、聚苯乙烯-嵌段-聚(2-乙烯基吡啶)(PS-b-P2VP)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁-二甲基硅烷)(PS-b-PFDMS)、聚苯乙烯-嵌段-聚(丙烯酸叔丁酯)(PS-b-PtBA)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁乙基甲基硅烷)(PS-b-PFEMS)、聚异戊二烯-嵌段-聚(环氧乙烷)(PI-b-PEO)、聚丁二烯-嵌段-聚(丁二烯-嵌段-乙烯基吡啶鎓)(PB-b-PVP)、聚(丙烯酸叔丁酯)-嵌段-聚(甲基丙烯酸肉桂酰乙酯)(PtBA-b-PCEMA)、聚苯乙烯-嵌段-聚乳酸(PS-b-PLA)、聚(α-甲基苯乙烯)-嵌段-聚(4-羟基苯乙烯)(PαMS-b-PHS)、十五烷基苯酚改性聚苯乙烯-嵌段-聚(4-乙烯基吡啶)(PPDPS-b-P4VP)、聚(苯乙烯-嵌段-环氧乙烷)(PS-b-PEO)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二甲基硅氧烷)(PS-b-PDMS)、聚苯乙烯-嵌段-聚乙烯(PS-b-PE)、聚苯乙烯-嵌段-聚(二茂铁二甲基硅烷)(PS-b-PFS)、聚苯乙烯-嵌段-聚(对苯)(PS-b-PPP)、PS-b-PB-b-PS、PS-b-PI-b-PS、聚(环氧丙烷)-嵌段-PEO(PEO-b-PPO)、聚(4-乙烯基-苯基二甲基-2-丙氧基硅烷)-b-PI-b-PVPDMPS(PVPDMPS)、PS-b-P2VP-b-PtBMA或它们的嵌段共聚物(BCP)形成。
第一重复单元和第二重复单元可以具有不同的化学性质。第一重复单元和第二重复单元可以通过自组装微相分离。第一重复单元和第二重复单元可以具有不同的蚀刻速率。可以选择性地去除第一重复单元自取向的第一区域141或第二重复单元自取向的第二区域142。第一重复单元或第二重复单元可以对隔壁(131W′、131R′、131C′和131G′)具有选择性的响应性。
参照图5和图7，嵌段共聚物层140可以自组装，因此形成第一区域141和第二区域142交替地排列的纳米结构的自取向嵌段共聚物层。嵌段共聚物层140的自组装可以通过例如退火工艺来执行。退火工艺可以包括热退火和溶剂退火。
热退火可以包括通过将嵌段共聚物加热到比它的玻璃化转变温度高的温度的嵌段共聚物的微相分离，溶剂退火可以包括通过使含有嵌段共聚物的薄膜聚合物暴露于溶剂蒸气以赋予聚合物链移动性的微相分离。
当使用溶剂退火时，修整工艺后的隔壁(131W′、131R′、131C′和131G′)的高度可以是嵌段共聚物层140的高度的至少2.5倍大。更具体地讲，在溶剂退火过程中，蒸发的溶剂可以渗透到嵌段共聚物层140中，从而使嵌段共聚物层140膨胀。因此，为了防止嵌段共聚物层140溢出沟槽T，隔壁(131W、131R、131C和131G)的高度可以是嵌段共聚物层140的高度的至少2.5倍大。自组装嵌段共聚物层140可以包括第一区域141和第二区域142。第一区域141可以包括第一重复单元，第二区域142可以包括第二重复单元。第一区域141可以通过自取向第一重复单元来形成，第二区域142可以通过自取向第二重复单元来形成。
参照图8，可以选择性地去除第二区域142。根据本发明的示例性实施例，为了选择性地去除第二区域142，可以使用对第二区域142具有高亲和性的溶剂来去除第二区域142。可选择地，可以通过干法蚀刻工艺来选择性地去除第二区域142。可以在干法蚀刻工艺中使用氧气、碳氟化合物气体或氟化氢(HF)中的至少一种气体。
图9是根据本发明的示例性实施例的偏振板的剖视图。
参照图8和图9，可以使用第一引导图案和第一区域141作为掩模通过将导电图案层121WR图案化来形成第一图案和第三图案。更具体地讲，导电图案层121WR的被隔壁1-1′(131W′)和第二区域142覆盖的部分(即，导电图案层121W和导电图案层121R)可以保留在基板110上以形成第一图案。
第一图案可以包括具有线形结构的导电图案层121W，所述线形结构以具有比入射光的波长短的周期的间隔布置。第一图案可以透射穿过其的入射光的第一偏振光，并反射入射光的垂直于第一偏振光的第二偏振光。第一图案可以设置在由栅极布线和数据布线所围绕的像素区中。
与导电图案层121WR的被隔壁1-2′(131R′)覆盖的部分对应的导电图案层121R可以保留在基板110上以形成第三图案。第三图案可以用作反射部分，并且可以使被第一图案反射的第二偏振光再循环。包括导电图案层121R的第三图案可以反射第一偏振光和第二偏振光。第三图案可以设置在由栅极线和数据线所围绕的像素区中。
与将要形成为布线的部分对应的导电图案层121C和121G可以形成第二图案并且可以分别用作共电极线和栅极线。可以省略导电图案层121C。第二图案可以设置在围绕像素区的非像素区中。在非像素区中，可以设置光阻挡层，例如，黑色矩阵。
参照图9，根据本发明的示例性实施例的偏振板可以包括基板110和设置在基板110上的导电图案层(121C、121G、121W和121R)。可以通过去除形成在导电图案层(121C、121G、121W和121R)上的隔壁(131W′、131R′、131C′和131G′)以及形成在基板110和导电图案层(121C、121G、121W和121R)上的第二区域142来得到偏振板。
图10是示出了根据图4的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
参照图10，隔壁1-1(131W)和隔壁1-2(131R)可以沿第二方向D2周期性地布置。隔壁2-1(131C)可以包括沿第二方向D2延伸的主干CL和沿第一方向D1从主干CL突出的分支CP。隔壁2-2(131G)可以包括沿第二方向D2延伸的主干GL和沿第一方向D1从主干GL突出的分支GE。隔壁1(131W和131R)和隔壁2(131C和131G)可以相互隔离并彼此绝缘。分支CP和GE可以分别朝向隔壁1-1(131W)和隔壁1-2(131R)突出。
隔壁1-1(131W)的宽度W1可以小于隔壁1-2(131R)的宽度W2。隔壁2-1(131C)的主干CL的宽度W3可以小于隔壁2-2(131G)的主干GL的宽度W4，隔壁2-1(131C)的分支CP的宽度W3-1可以小于隔壁2-2(131G)的分支GE的宽度W4-1。
图11是示出了根据图5的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
参照图10和图11，隔壁1′(131W′和131R′)的宽度(即，宽度W1′和W2′)可以小于隔壁1(131W和131R)的宽度(即，宽度W1和W2)。隔壁2′(131C′和131G′)的宽度(即，宽度W3′和W4′)可以小于隔壁2(131C和131G)的宽度(即，宽度W3和W4)。
更具体地讲，隔壁1-1(131W)可以转换成隔壁1-1′(131W′)。隔壁1-1′(131W′)的宽度W1′可以小于隔壁1-1(131W)的宽度W1。隔壁1-2(131R)可以转换成隔壁1-2′(131R＇)。隔壁1-2′(131R′)的宽度W2′可以小于隔壁1-2(131R)的宽度W2。隔壁2-1(131C)可以转换成隔壁2-1′(131C′)。隔壁2-1′(131C′)的宽度W3′和宽度W3-1′可以分别小于隔壁2-1(131C)的宽度W3和宽度W3-1。隔壁2-2(131G)可以转换成隔壁2-2′(131G′)。隔壁2-2′(131G′)的宽度W4′和宽度W4-1′可以分别小于隔壁2-2(131G)的宽度W4和宽度W4-1。
第一图案可以利用隔壁1-1′(131W′)来形成，第三图案可以通过隔壁1-2′(131R′)来形成，第二图案可以通过隔壁2-1′(131C′)和隔壁2-2′(131G′)来形成。
隔壁2-1′(131C′)的分支CP′和隔壁2-2′(131G′)的分支GE′可以朝向隔壁1-1′(131W′)突出。如图9和图11中所示，导电图案层121C和121G的被隔壁2-1′(131C′)的主干CL′、隔壁2-2′(131G′)的主干GL′、隔壁2-1′(131C′)的分支CP′和隔壁2-2′(131G′)的分支GE′覆盖的部分可以保持不被蚀刻工艺中去除。导电图案层121C和121G的被隔壁2-1′(131C′)的分支CP′和隔壁2-2′(131G′)的分支GE′覆盖的部分可以形成为朝向导电图案层121W突出。导电图案层121C和121G的被隔壁2-1′(131C′)的主干CL′、隔壁2-2′(131G′)的主干GLV覆盖的部分可以沿第二方向D2取向。隔壁2-1′(131C′)的主干CL′可以形成共电极线，隔壁2-2′(131G＇)的主干GL′可以形成栅极线。隔壁2-1′(131C′)的分支CP′可以形成朝向第一图案突起的共电极，隔壁2-2′(131G′)的分支GE′可以形成朝向第一图案的突起的栅电极。
图12至图14是示出了根据图5的工艺的本发明的示例性实施例的偏振板的平面图。
根据图12中示出的本发明的示例性实施例，没有设置隔壁1-1′(131W′)之中的隔壁1-2′(131R′)。参照图9和图12，在偏振板上不形成导电图案层121R。更具体地讲，在偏振板中省略了第三图案和反射部分。
根据图13中示出的本发明的示例性实施例，隔壁1-1′(131W′)可以沿第一方向D1布置，而不是沿第二方向D2布置，并且可以连接到隔壁1-2＇(131R′)。参照图13，隔壁2-1′(131C′)和隔壁2-2′(131G′)可以与隔壁1-1′(131W′)和隔壁1-2′(131R′)隔离。
根据图14中示出的本发明的示例性实施例，隔壁1-1′(131W′)可以沿垂直于第三方向D3的方向布置，而不是沿第二方向D2布置，并且可以连接到隔壁1-2′(131R′)。参照图14，隔壁2-1′(131C′)和隔壁2-2′(131G′)可以与隔壁1-1′(131W′)和隔壁1-2′(131R′)隔离。
图15是根据本发明的示例性实施例的薄膜晶体管(TFT)基板的剖视图。
以下将参照图15描述根据本示例性实施例的TFT基板的结构。参照图15，栅电极G设置在基板110上，栅极绝缘层GI设置在栅电极G上。半导体层ACT在与栅电极G至少部分地叠置的区域中设置在栅绝缘层GI上，源电极S和漏电极D在半导体层ACT上设置成相互隔离。钝化层PL设置在栅极绝缘层GI、源电极S、半导体层ACT和漏电极D上。像素电极PE设置在钝化层PL上，并可以通过经其暴露漏电极D的至少一部分的接触孔电连接到漏电极D。
导电图案层121W可以在基板110上设置成与栅电极G设置在同一表面上。导电图案层121W可以形成第一图案。第一图案可以用作偏振器。偏振板可以包括诸如栅电极G的布线以及偏振器。
传统上，为了将栅电极G和线栅偏振器相互隔离，可以在栅电极G和线栅偏振器之间设置绝缘层，这会增加TFT制造的复杂性、增加TFT基板的制造成本并降低TFT基板的开口率或透射率。根据本发明的示例性实施例的TFT基板可以包括诸如栅电极G的布线与偏振器，并因此可以减少制造TFT基板的工艺数目、降低TFT基板的制造成本并改善TFT基板的开口率或透射率。
为了实现高分辨率显示装置，会需要减小像素的尺寸。然而，由当前曝光技术来减小布线的尺寸会受到限制。包括根据本发明的示例性实施例的偏振板的TFT基板或显示装置可以在偏振器的制造中减小布线宽度的情况下形成，结果，可以改善TFT基板的开口率或透射率。
根据本发明的示例性实施例的TFT基板还可以包括使用隔壁1-2′(131R′)形成的第三图案或者一个或更多个反射部分。更具体地讲，图9的导电图案层121R可以在基板110上与第一图案设置在同一表面上。导电图案层121可以形成第三图案，第三图案可以通过使从第一图案反射的第二偏振光再循环来改善显示装置的亮度。
根据本发明的示例性实施例的偏振板将在下文被称为下偏振板，下文将描述包括下偏振板的显示装置。
显示装置可以另外包括发射光的背光单元(未示出)、TFT基板(未示出)、面对TFT基板的上基板(未示出)、设置在TFT基板和上基板之间的液晶层(未示出)以及设置在上基板上的上偏振板(未示出)。
上偏振板和下偏振板的透射轴可以相互正交或相互平行。上偏振板和下偏振板可以是线栅偏振器或典型的聚乙烯醇(PVA)系偏振膜。可以省略上偏振板。
背光单元可以包括导光板(LGP)(未示出)、一个或更多个光源单元(未示出)、反射构件(未示出)以及一个或更多个光学片(未示出)。
LGP可以改变从光源单元发射的光的路径，使得光朝向液晶层传输。LGP可以包括光入射于其上的光入射表面和光经其朝向液晶层发射的光发射表面。LGP可以由具有一定折射率的光透射材料形成，例如，由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚碳酸酯(PC)形成。
入射到LGP的一个或两个侧面的光可以具有比LGP的临界角小的入射角，因此可以进入LGP。另一方面，入射到LGP的顶表面或底表面上的光具有比LGP的临界角大的入射角，光可以均匀地分布在整个LGP中，而不是从LGP向外发射。
漫射图案(未示出)可以形成在LGP的顶表面和底表面中的一个表面上。例如，LGP的与LGP的光发射表面相对的底表面可以引导光向上发射。更具体地讲，为了使LGP内传输的光向上发射，漫射图案可以用墨水印刷在LGP的一个表面上。即，精细槽或突起的阵列可以作为漫射图案形成在LGP上，或者在不脱离发明的范围的情况下，可以对漫射图案做出各种其它修改。
反射构件(未示出)可以另外设置在LGP和下接收构件(未示出)之间。反射构件可以对从LGP的与LGP的光发射表面相对且面对的底表面发射的光进行反射，并因此可以将光施加回LGP。反射构件可以形成为膜。
光源单元可以设置成面对LGP的光入射表面。设置的光源单元的数量可以改变。例如，可以在LGP的一个侧面上设置单个光源单元。可选择地，可以对应于LGP的三个或更多个侧面来设置三个或更多个光源单元。可选择地，可以对应于LGP的仅一个侧面来设置光源单元。背光单元可以是可在LGP的一个或更多个侧面上设置一个或更多个光源单元的侧光型背光单元。根据本发明的示例性实施例，背光单元可以是直下型背光单元或另一种光源装置，例如，表面型光源装置。
每个光源单元可以包括发射白光的白色发光二极管(LED)，或者发射红(R)光、绿(G)光和蓝(B)光的LED。包括发射R光、G光和B光的LED的光源单元可以通过一起发射R光、G光和B光来实现白光。
上基板可以是滤色器(CF)基板。上基板可以包括设置在由诸如玻璃或塑料的透明绝缘材料形成的构件的底部上的黑色矩阵(未示出)，以防止光从其泄漏。上基板还可以包括R、G和B滤色器(未示出)与共电极(未示出)，共电极由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电氧化物来形成并且可以产生电场。
被构造成使入射光的偏振轴旋转的液晶层可以沿预定方向取向，并且可以设置在上基板和下基板之间。液晶层可以是扭转向列(TN)模式、垂直取向(VA)模式或水平取向模式(例如，面内切换(IPS)模式或边缘场切换(FFS)模式)并且具有正介电各向异性。
虽然在此已经描述了某些示例性实施例及其实施方式，但是其它实施例和修改通过该描述将是清楚的。因此，本发明构思并不仅限于这样的示例性实施例，而是限于所提出的权利要求以及各种显而易见的修改和等价布置的较宽范围。

Claims (13)

1.一种偏振板，所述偏振板包括基板和导电图案层，所述导电图案层包括：
第一图案，包括以具有比入射光的波长短的周期的间隔布置成相互隔离的线形结构，所述第一图案被构造成使所述入射光的第一偏振光透射通过并对所述入射光的垂直于所述第一偏振光的第二偏振光进行反射；以及
第二图案，设置在所述第一图案的外边界上，所述第二图案与所述第一图案隔离且绝缘，所述第二图案包括主干和从所述主干朝向所述第一图案突出的至少一个分支。
2.根据权利要求1所述的偏振板，其中：
所述导电图案层还包括被构造成反射所述第一偏振光和所述第二偏振光的第三图案；以及
所述第三图案与所述第二图案隔离且绝缘。
3.一种薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括：
偏振板，包括偏振器和设置在所述偏振器的外边界上的栅极布线，所述偏振器被构造成使入射光的第一偏振光透射通过并且对所述入射光的垂直于所述第一偏振光的第二偏振光进行反射，所述栅极布线与所述偏振器设置在同一层中；以及
数据布线，设置在所述偏振板上，
其中，所述偏振器包括第一图案，所述第一图案包括以具有比入射光的波长短的周期的间隔设置成相互隔离的线形结构，
其中，所述栅极布线包括栅极线和从所述栅极线朝向所述第一图案突出的至少一个栅电极。
4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述偏振器设置在被所述栅极布线和所述数据布线围绕的像素区中。
5.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述偏振板还包括设置在所述栅极布线的外边界上的共电极布线。
6.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述偏振板还包括被构造成反射所述第一偏振光和所述第二偏振光的至少一个反射部分，所述至少一个反射部分设置在所述栅极线之间并与所述栅极线绝缘。
7.根据权利要求3所述的薄膜晶体管基板，其中，所述偏振板还包括被构造成反射所述第一偏振光和所述第二偏振光的至少一个反射部分，所述至少一个反射部分设置在围绕像素区的非像素区中。
8.一种制造偏振板的方法，所述方法包括下述步骤：
在基板上形成导电层；
在所述导电层上形成引导图案层，所述引导图案层包括：第一引导图案，包括第一隔壁和连接到所述第一隔壁的半色调区域，所述半色调区域覆盖所述导电层；第二引导图案，包括暴露所述导电层的第二隔壁，所述导电层位于所述第二隔壁之间；
利用所述第二引导图案通过图案化所述导电层来形成第二图案；
通过去除所述半色调区域来形成第三引导图案；
在形成在所述第二图案和所述第三引导图案中的沟槽中形成纳米结构的自取向嵌段共聚物；以及
利用所述自取向嵌段共聚物的第一区域或第二区域通过图案化所述导电层来形成第一图案，
其中，
所述第一图案被构造成使入射光的第一偏振光透射通过并对所述入射光的垂直于所述第一偏振光的第二偏振光进行反射；
所述第二图案设置在所述第一图案的外边界上，并与所述第一图案隔离且绝缘；以及
所述第二图案包括主干和从所述主干朝向所述第一图案突出的至少一个分支。
9.根据权利要求8所述的方法，所述方法还包括下述步骤：
对所述第一隔壁和所述第二隔壁的宽度进行修整。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述对所述第一隔壁和所述第二隔壁的宽度进行修整的步骤包括使用O2等离子体蚀刻工艺。
11.根据权利要求8所述的方法，其中，所述形成纳米结构的自取向嵌段共聚物的步骤包括下述步骤：
形成包括交替地设置在所述沟槽中的第一重复单元和第二重复单元的嵌段共聚物层；以及
对所述嵌段共聚物层进行退火，
其中，所述第一重复单元和所述第二重复单元具有互不相同的蚀刻速率。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述对所述嵌段共聚物层进行退火的步骤包括热退火或溶剂退火。
13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述形成第一图案的步骤包括：
去除设置在所述自取向嵌段共聚物上的所述第一区域和所述第二区域中的一个，第一区域是通过使所述嵌段共聚物层的所述第一重复单元自取向获得的，第二区域是通过使所述嵌段共聚物层的所述第二重复单元自取向获得的；以及
利用剩余的第一区域和第二区域中的一个将所述导电层图案化。
CN201510894576.1A 2014-12-10 2015-12-08 偏振板、包括该偏振板的tft基板及制造该偏振板的方法 Active CN105700056B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140177458A KR102386196B1 (ko) 2014-12-10 2014-12-10 편광판, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR10-2014-0177458 2014-12-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105700056A CN105700056A (zh) 2016-06-22
CN105700056B true CN105700056B (zh) 2019-12-13

Family

ID=56110985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510894576.1A Active CN105700056B (zh) 2014-12-10 2015-12-08 偏振板、包括该偏振板的tft基板及制造该偏振板的方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9470829B2 (zh)
KR (1) KR102386196B1 (zh)
CN (1) CN105700056B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102389618B1 (ko) * 2015-03-10 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 편광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 패널
KR20180023102A (ko) 2016-08-23 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 패턴 및 이의 제조방법
US10598838B2 (en) * 2018-06-29 2020-03-24 Intel Corporation Pixel level polarizer for flexible display panels
CN109613734B (zh) * 2019-01-29 2021-08-13 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
JP7296245B2 (ja) * 2019-05-08 2023-06-22 デクセリアルズ株式会社 偏光板および光学機器、並びに偏光板の製造方法
CN111403458B (zh) * 2020-03-27 2023-04-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 色转换层及其制造方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101354458A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 精工爱普生株式会社 线栅型偏振光元件及其制法、液晶装置及投射型显示装置
CN102914917A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 三星电子株式会社 显示面板和具有显示面板的显示装置
CN203338274U (zh) * 2013-03-30 2013-12-11 南昌欧菲光显示技术有限公司 偏光滤光模块和触摸显示屏

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100590056B1 (ko) * 2004-05-14 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널
KR100612356B1 (ko) * 2004-05-31 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 배기효율이 개선된 플라즈마 디스플레이 패널
EP1816508A1 (en) * 2006-02-02 2007-08-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR20070105092A (ko) * 2006-04-25 2007-10-30 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
KR20080024316A (ko) 2006-09-13 2008-03-18 엘지전자 주식회사 선 격자 편광자의 제조 방법
KR101346687B1 (ko) 2007-06-29 2014-01-15 한국과학기술원 블록공중합체의 나노패터닝 방법 및 이를 이용한 편광자제조방법
JP4640446B2 (ja) * 2008-05-26 2011-03-02 ソニー株式会社 液晶装置、カラーフィルタ基板及びアレイ基板
KR101572109B1 (ko) 2008-12-30 2015-11-27 삼성디스플레이 주식회사 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴의 제조 방법
US8248696B2 (en) * 2009-06-25 2012-08-21 Moxtek, Inc. Nano fractal diffuser
CN102472935A (zh) * 2009-07-15 2012-05-23 夏普株式会社 液晶显示装置
KR20110101893A (ko) 2010-03-10 2011-09-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
KR101800285B1 (ko) * 2010-10-04 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20130008166A (ko) * 2011-07-12 2013-01-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
JP2013025111A (ja) * 2011-07-21 2013-02-04 Sony Corp 表示装置
KR20130015471A (ko) * 2011-08-03 2013-02-14 삼성전자주식회사 디스플레이패널 및 이를 채용한 디스플레이장치
KR20130015829A (ko) * 2011-08-05 2013-02-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 기판의 제조 방법 및 표시 기판을 포함하는 액정 표시 장치
JP5732348B2 (ja) * 2011-08-12 2015-06-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101942363B1 (ko) * 2012-07-26 2019-04-12 삼성디스플레이 주식회사 편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20140030382A (ko) * 2012-08-27 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102017205B1 (ko) 2012-12-07 2019-09-03 삼성디스플레이 주식회사 나노 구조체의 제조 방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR20140137734A (ko) * 2013-05-23 2014-12-03 삼성디스플레이 주식회사 반사형 편광판 제조방법 및 인셀 반사형 편광판 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101354458A (zh) * 2007-07-25 2009-01-28 精工爱普生株式会社 线栅型偏振光元件及其制法、液晶装置及投射型显示装置
CN102914917A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 三星电子株式会社 显示面板和具有显示面板的显示装置
CN203338274U (zh) * 2013-03-30 2013-12-11 南昌欧菲光显示技术有限公司 偏光滤光模块和触摸显示屏

Also Published As

Publication number Publication date
KR102386196B1 (ko) 2022-04-13
US9470829B2 (en) 2016-10-18
KR20160070886A (ko) 2016-06-21
CN105700056A (zh) 2016-06-22
US20160170116A1 (en) 2016-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105700056B (zh) 偏振板、包括该偏振板的tft基板及制造该偏振板的方法
US10295717B2 (en) Wire grid polarizing plate, display device including the same, and method of fabricating said display device
US10509151B2 (en) Wire grid polarizer, display device including the same, and method of fabricating the same
US10509150B2 (en) Wire grid polarizer and method of fabricating the same
EP3023821A1 (en) Wire grid polarizer, display device including the same and method for fabricating the same
US9612379B2 (en) Wire grid polarizer and method of fabricating the same
KR20160014835A (ko) 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법
US9581745B2 (en) Wire grid polarizer and method for fabricating the same
KR102079163B1 (ko) 와이어 그리드 편광자, 이를 포함하는 표시 장치 및 이의 제조방법
KR20160070883A (ko) 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조 방법
US20160077377A1 (en) Wire grid polarizer, display device including the same and method for fabricating the same
KR102241418B1 (ko) 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법
CN106066504B (zh) 线栅偏振板和包括该线栅偏振板的显示装置
KR20150113438A (ko) 와이어 그리드 편광자의 제조방법
KR102410299B1 (ko) 와이어 그리드 편광판, 이를 포함하는 표시장치 및 표시장치의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant