KR101942363B1 - 편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 - Google Patents

편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101942363B1
KR101942363B1 KR1020120081611A KR20120081611A KR101942363B1 KR 101942363 B1 KR101942363 B1 KR 101942363B1 KR 1020120081611 A KR1020120081611 A KR 1020120081611A KR 20120081611 A KR20120081611 A KR 20120081611A KR 101942363 B1 KR101942363 B1 KR 101942363B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
disposed
substrate
metal layer
antistatic layer
Prior art date
Application number
KR1020120081611A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140013654A (ko
Inventor
최상건
성우용
차태운
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120081611A priority Critical patent/KR101942363B1/ko
Priority to US13/734,607 priority patent/US9223171B2/en
Publication of KR20140013654A publication Critical patent/KR20140013654A/ko
Priority to US14/932,008 priority patent/US10162092B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101942363B1 publication Critical patent/KR101942363B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
    • G02B5/3058—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state comprising electrically conductive elements, e.g. wire grids, conductive particles
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/30—Polarising elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G02F1/133548—Wire-grid polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00—Materials and properties
    • G02F2202/22—Antistatic materials or arrangements

Abstract

편광 소자는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 대전 방지층, 및 상기 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 금속층을 포함한다. 상기 대전 방지층은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO), 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO) 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 편광 소자는 상기 대전 방지층과 상기 금속층 사이에 배치되는 절연층을 더 포함할 수 있다. 상기 편광 소자는 대전 방지층을 포함하므로, 외부로부터 발생한 정전기가 표시 패널 내부의 액정층에 유입되는 것을 방지할 수 있다.

Description

편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치{POLARIZER, METHOD OF MANUFACTURING THE POLARIZER, DISPLAY PANEL HAVING THE POLARIZER AND DISPLAY APPARATUS HAVING THE DISPLAY PANEL}
본 발명은 편광 소자, 상기 편광 소자의 제조 방법, 상기 편광 소자를 포함하는 표시 패널 및 상기 표시 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 액정 표시 장치용 와이어 그리드 편광 소자, 상기 와이어 그리드 편광 소자의 제조 방법, 상기 와이어 그리드 편광 소자를 포함하는 표시 패널 및 상기 표시 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
최근 들어, 기술의 발전에 힘입어 소형, 경량화 되면서 성능은 더욱 뛰어난 디스플레이 제품들이 생산되고 있다. 지금까지 디스플레이 장치에는 기존 브라운관 텔레비전(cathode ray tube: CRT)이 성능이나 가격 면에서 많은 장점을 가지고 널리 사용되었으나, 소형화 또는 휴대성의 측면에서 CRT의 단점을 극복하고, 소형화, 경량화 및 저전력 소비 등의 장점을 갖는 액정 표시 장치가 주목을 받고 있다.
상기 액정 표시 장치는 액정의 특정한 분자 배열에 전압을 인가하여 분자 배열을 변환시키고, 이러한 분자 배열의 변환에 의해 발광하는 액정셀의 복굴절성, 선광성, 2색성 및 광산란 특성 등의 광학적 성질의 변화를 시각 변화로 변환하여 영상을 표시하는 디스플레이 장치이다.
상기 액정 표시 장치는 상기 액정의 분자 배열을 제어하기 위한 편광판, 패널, 광학시트 및 백라이트 어셈블리를 포함한다. 최근, 상기 편광판이 상기 패널 내부에 배치되는 구조(in-cell polarizer)가 사용되는데, 상기 액정 표시 장치의 두께가 얇아짐에 따라 상기 패널과 인접하여 배치된 상기 광학시트 또는 외부로부터 정전기가 상기 패널 내부로 유입되는 문제가 있었다. 상기 정전기는 상기 패널이 영상을 표시할 때 얼룩으로 인식된다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로, 본 발명의 목적은 정전기의 유입을 차단하는 편광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 편광 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 편광 소자를 포함하는 표시 패널을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 표시 패널을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 편광 소자는 기판, 상기 기판 상에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 대전 방지층, 및 상기 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 금속층을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대전 방지층은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO), 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO) 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대전 방지층의 두께는 10Å 내지 100Å 일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 금속층은 상기 와이어 그리드 패턴이 형성되어 광을 투과시키는 편광부 및 광을 반사시키는 반사부를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 편광 소자는 상기 대전 방지층과 상기 금속층 사이에 배치되는 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 절연층의 두께는 1μm 내지 3 μm일 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법은, 기판 상에 도전성 물질을 포함하는 대전 방지층을 형성하는 단계, 상기 대전 방지층 상에 금속층을 형성하는 단계, 상기 금속층 상에 마스크층을 형성하는 단계, 상기 마스크층의 일부 위에 포토 레지스트를 형성하는 단계, 상기 마스크층의 노출된 영역 상에 자기 조립 패턴을 형성하는 단계, 상기 자기 조립 패턴을 마스크로 이용하여 상기 마스크층 및 상기 금속층을 패터닝하여 와이어 그리드 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 포토 레지스트 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제조 방법은 상기 마스크층을 형성하는 단계 전에 상기 대전 방지층 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대전 방지층을 형성하는 단계는, PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 상기 기판 상에 프린팅(printing) 또는 잉크젯 프린팅(inkjet printing)하여 상기 대전 방지층을 형성할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 자기 조립 패턴을 형성하는 단계는, 1 블록과 제2 블록을 포함하는 블록 공중합체(block copolymer)를 상기 마스크층의 상기 노출된 영역 상에 도포하는 단계, 상기 블록 공중합체를 열처리 하여 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록이 라멜라 구조를 형성하도록 하는 단계, 및 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 상기 자기 조립 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 패널은어레이 기판, 대향 기판 및 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함한다. 상기 어레이 기판은 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되고 도전성 물질을 포함하는 제1 대전 방지층, 및 상기 제1 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 제1 금속층을 포함하는 제1 편광 소자, 상기 제1 금속층을 커버하는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 상에 배치되어 상기 게이트 전극을 절연하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 배치된 채널층, 상기 채널층 상에 배치된 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극을 커버하고 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막, 및 상기 보호막 상에 배치되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대향 기판은 제2 기판, 및 상기 제2 기판 상에 배치되는 편광판을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 금속층은 상기 와이어 그리드 패턴이 형성되어 광을 투과시키는 편광부 및 광을 반사시키는 반사부를 포함할 수 있다. 상기 반사부는 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성하는 박막 트랜지스터와 중첩할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 어레이 기판은 상기 제1 대전 방지층과 상기 제1 금속층 사이에 배치된 제1 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대향 기판은 제2 기판, 상기 제2 기판 하부에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 제2 대전 방지층, 및 상기 대전 방지층 하부에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 제2 금속층을 포함하는 제2 편광 소자, 상기 제2 금속층을 커버하는 제2 절연막, 및 상기 제2 절연막 하부에 배치되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 대향 기판은 상기 제2 기판 하부에 배치되어 광을 차단하는 블랙 매트릭스를 더 포함할 수 있다. 상기 블랙 매트릭스 및 상기 제2 금속층은 동일한 층으로부터 형성될 수 있다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널, 상기 표시 패널 하부에 배치되고 상기 표시 패널과 이격되고 상기 표시 패널에 광을 공급하는 백라이트 어셈블리, 상기 표시 패널과 상기 백라이트 어셈블리 사이에 배치되는 광학 시트, 및 상기 표시 패널, 상기 백라이트 어셈블리 및 상기 광학 시트를 수납하는 수납용기를 포함한다. 상기 표시 패널은 어레이 기판, 대향 기판 및 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함한다. 상기 어레이 기판은 제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 제1 대전 방지층, 및 상기 제1 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 제1 금속층을 포함하는 제1 편광 소자, 상기 제1 금속층을 커버하는 제1 절연막, 상기 제1 절연막 상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 상에 배치되어 상기 게이트 전극을 절연하는 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막 상에 배치된 채널층, 상기 채널층 상에 배치된 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극을 커버하고 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막, 및 상기 보호막 상에 배치되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 광학 시트는 상기 표시 패널과 이격될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 표시 패널의 상기 어레이 기판은 상기 제1 대전 방지층과 상기 제1 금속층 사이에 배치된 제1 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 있어서, 상기 제1 대전 방지층은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO), 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO) 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 편광 소자에 따르면, 상기 편광 소자는 대전 방지층을 포함하므로, 외부로부터 발생한 정전기가 표시 패널 내부의 액정층에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 편광 소자를 포함하는 표시 패널은 상기 표시 패널 하부에 배치되는 광학 시트에 의해 발생한 정전기가 표시 패널 내부의 액정층에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 대전 방지층 상에 충분한 두께의 절연층이 배치되므로, 상기 대전 방지층과 표시 패널 내부의 회로 패턴 사이의 커플링(Coupling) 효과를 방지할 수 있다.
따라서, 상기 표시 패널을 포함하는 표시 장치는 표시하는 영상에 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 3a 내지 도 3i는 도 1의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4g는 도 2의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
이하, 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 편광 소자는 기판(100), 대전 방지층(110) 및 금속층(130)을 포함한다.
상기 기판(100)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 기판(100)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(110)은 상기 기판(100) 상에 배치된다. 상기 대전 방지층(110)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 대전 방지층(110)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 대전 방지층(110)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대전 방지층(110)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(110)의 두께가 얇을수록 상기 편광 소자의 두께가 얇아 지므로, 표시 장치 전체의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들면, 상기 대전 방지층(110)의 두께는 10 내지 100Å 일 수 있다.
상기 금속층(130)은 상기 대전 방지층(110) 상에 배치된다. 상기 금속층(130)은 제1 폭을 갖는 복수의 돌출부를 갖는다. 인접하는 상기 돌출부들은 제2 폭만큼 이격되어 있다. 상기 돌출부들는 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 구성한다. 상기 금속층(130)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 금속층(130)은 광이 투과 되어야 하는 편광부에 와이어 그리드 패턴을 형성하고, 광이 투과되지 않는 부분에는 반사부를 형성한다. 이에 대한 자세한 설명은 도 7에서 후술한다.
상기 편광 소자가 우수한 편광기능을 수행하기 위해서는 광이 통과하는 부분인 상기 제2 폭이 입사광의 파장보다 짧아야 한다. 예를 들어, 입사되는 광이 가시광선인 경우, 상기 가시광선의 파장은 약 400 내지 700nm이므로, 상기 제2 폭이 약 400nm이하여야 편광 특성을 기대할 수 있다. 따라서 우수한 편광 기능을 내기 위해서는 상기 제2 폭이 약 100nm이하여야 한다. 상기 금속층(130)이 배치되어 광이 통과하지 못하는 부분, 즉 상기 돌출부의 제1 폭도 약 100nm이하로 설계되는 것이 바람직하다. 또한, 편광투과율을 향상시키기 위해서 상기 금속층(130)의 두께는 약 100 내지 250nm일 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자의 단면도이다.
도 2를 참조하면, 상기 편광 소자는 대전 방지층(210)을 포함하는 것을 제외하고 도 1의 상기 편광 소자와 실질적으로 동일하다. 따라서 반복되는 설명은 생략하거나 간단히 한다.
상기 편광 소자는 기판(200), 상기 대전 방지층(210), 절연층(220) 및 금속층(230)을 포함한다.
상기 기판(200)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수있다. 예를 들면, 상기 기판(200)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(210)은 상기 기판(200) 상에 배치된다. 상기 대전 방지층(110)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 대전 방지층(210)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 대전 방지층(110)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대전 방지층(110)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(210)의 두께가 얇을수록 상기 편광 소자의 두께가 얇아 지므로, 표시 장치 전체의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들면, 상기 대전 방지층(210)의 두께는 약 10 내지 100Å 일 수 있다.
상기 절연층(220)은 상기 대전 방지층(210) 상에 배치된다. 상기 절연층(220)은 상기 대전 방지층(210)으로부터 상기 금속층(230) 및 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 패턴(도 7 참조)을 절연한다. 상기 절연층(220)은 일반적으로 사용되는 유기물질을 포함할 수 있다. 상기 절연층(220)은 충분한 두께를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면 상기 절연층(220)은 약 1 내지 3 μm일 수 있다.
상기 금속층(230)은 상기 절연층(220) 상에 배치된다. 상기 금속층(230)은 제1 폭을 갖는 복수의 돌출부를 갖는다. 인접하는 상기 돌출부들은 제2 폭만큼 이격되어 있다. 상기 돌출부들는 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 구성한다. 상기 금속층(230)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 편광 소자가 우수한 편광기능을 수행하기 위해서는 광이 통과하는 부분인 상기 제2 폭이 입사광의 파장보다 짧아야 한다. 예를 들어, 입사되는 광이 가시광선인 경우, 상기 가시광선의 파장은 약 400 내지 700nm이므로, 상기 제2 폭이 약 400nm이하여야 편광 특성을 기대할 수 있다. 따라서 우수한 편광 기능을 내기 위해서는 상기 제2 폭이 약 100nm이하여야 한다. 상기 금속층(230)이 배치되어 광이 통과하지 못하는 부분, 즉 상기 돌출부의 제1 폭도 약 100nm이하로 설계되는 것이 바람직하다. 또한, 편광투과율을 향상시키기 위해서 상기 금속층(230)의 두께는 약 100 내지 250nm일 수 있다.
도 3a 내지 도 3i는 도 1의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3a를 참조하면, 기판(100) 상에 대전 방지층(110)을 형성한다. 상기 기판(100)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수있다. 예를 들면, 상기 기판(100)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(110)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 대전 방지층(110)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 대전 방지층(110)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대전 방지층(110)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(110)이 도전성 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 대전 방지층(110)은 스핀코팅(spin coating)에 의해 형성될 수 있다. 상기 대전 방지층(110)이 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함하는 경우, 상기 대전 방지층(110)은 프린팅(printing) 또는 잉크젯 프린팅(inkjet printing)에 의해 형성될 수 있다. 상기 대전 방지층(110)이 산화 인듐 주석(ITO) 또는 산화 아연 주석(IZO)을 포함하는 경우, 상기 대전 방지층(110)은 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
도 3b를 참조하면, 상기 대전 방지층(110) 상에 금속층(130)을 형성한다. 상기 금속층(130)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 금속층(130)은 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층(130)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다. 상기 금속층(130)의 두께는 약 100nm 내지 200nm 일 수 있다. 상기 금속층(130)의 두께는 바람직하게 약 150nm 일 수 있다.
상기 금속층(130)의 두께는 후술할 와이어 그리드 패턴의 크기를 고려하여 결정할 수 있다. 편광에 필요한 격자의 간격과 격자 구조의 강도를 고려하여, 상기 금속층(130)의 두께는 바람직하게 상기 와이어 그리드 패턴의 돌출부 사이의 간격인 제2 폭의 3배 일 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 금속층(130) 상에 상기 마스크층(140)를 형성한다. 상기 마스크층(140)는 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이산화 규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 상기 마스크층(140)는 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 마스크층(140)는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다.
도 3d를 참조하면, 상기 마스크층(140) 상에 포토 레지스트(PR)를 형성한다. 상기 포토 레지스트(PR)는 와이어 그리드 패턴이 형성되지 않는 곳, 즉 반사부에 대응하는 부분에 형성된다. 상기 포토 레지스트(PR)는 포토 레지스트층을 상기 마스크층(140) 상에 형성하고, 포토 리소그래피(photolithography) 에 의해 패터닝하여 형성할 수 있다. 도 3e를 참조하면, 상기 포토 레지스트(PR)가 형성된 상기 마스크층(140) 상에 제1 블록과 제2 블록을 포함하는 블록 공중합체(block copolymer)(150)를 도포한다. 상기 블록 공중합체를 열처리 하여 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록이 라멜라 구조를 형성하도록 한다.
상기 블록 공중합체(150)의 자기 조립은, 상기 블록 공중합체(150)의 상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 어느 한 블록의 라멜라 도메인과 다른 한 블록의 라멜라 도메인이 서로 다른 위치에서 성장하는 과정을 포함한다.
상기 블록 공중합체(150)는PS-b-PMMA(poly(styrene-b-methylmethacrylate)), PS-b-PB(poly(styrene-b-butadiene)), PS-b-PI(poly(styrene-b-isoprene)), PS-b-PE(poly(styrene-b-ethylene)), PS-b-PEO(poly(styrene-b-ethyleneoxide)), PS-b-PFS(poly(styrene-b-ferrocenyldimethylsilane)), PS-b-P2VP(poly(styrene-b-(2-vinylpyridine))) 및 PS-b-PDMS(poly(styrene-b-dimethylsiloxane)) 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 10,000 내지300,000의 분자량을 가질 수 있다.
예를 들어PS-b-PMMA는PS 블록과 PMMA 블록이 공유 결합된 것으로서, PS 블록과 PMMA 블록 모두 52,000kg/mol의 분자량과 48nm의 주기를 가진다. 상기 블록 공중합체(150)의 종류와 분자량은 전술한 예에 한정되지 않으며, 라멜라 구조를 형성할 수 있는 것이면 모두 사용 가능하다.
자기 조립을 위한 상기 블록 공중합체(150)의 열처리 조건은, 상기 블록 공중합체(150)가 유동성을 가지게 되는 유리전이온도 이상이면서 상기 블록 공중합체(150)가 열분해되지 않는 온도 이하 범위로 설정된다. 예를 들어 PS-b-PMMA의 경우, 약 100℃ 이상에서 자기 조립이 가능하나, 저온에서는 자기 조립이 완성되는데 오랜 시간이 걸리게 된다. 따라서 산소를 배제한 약 250℃의 고진공 분위기에서 열처리를 할 수 있으며, 이 경우 분자의 유동 흐름이 원활해 짧은 시간에 규칙적인 자기 조립을 완성할 수 있다.
열처리 이전의 상기 블록 공중합체(150)의 상기 제1 블록과 상기 제2 블록은 특정 패턴을 형성하지 않고 무질서하게 분포하고 있다가, 열처리를 진행하면 분자의 유동이 생기면서 일정한 패턴을 형성하게 된다. 즉, 상기 제1 블록들이 모여 일정한 패턴을 형성하고, 상기 제2 블록들이 모여 일정한 패턴을 형성한다. 상기 블록 공중합체(150)의 상기 제1 블록과 상기 제2 블록은 라멜라 구조를 한다.
도 3f를 참조하면, 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 패턴(152)을 형성한다. 상기 제1 블록 또는 상기 제2 블록은 습식 식각(dry etching) 또는 건식 식각(wet etching)으로 제거될 수 있다. 상기 블록 공중합체(150)가 PS-b-PMMA인 경우, 자외선오존 처리(UV-ozone Treatment: UVO) 후 아세틱 에시드 용액을 이용하여 습식 식각할 수 있고, 건식 식각인 산소플라즈마 식각을 이용하여 PMMA 블록만 선택적으로 제거할 수 있다.
도 3g를 참조하면, 상기 패턴(152)이 노출시키는 상기 마스크층(140)의 일부를 제거한다. 즉, 상기 패턴(152)이 노출하는 상기 마스크층(140)의 상기 일부가 제거된다. 상기 마스크층(140)는 건식 식각될 수 있다. 상기 마스크층(140)의 상기 일부가 제거되어 상기 금속층(130)의 일부를 노출시킨다.
도 3h를 참조하면, 노출된 상기 금속층(130)의 상기 일부를 제거한다. 상기 금속층(130)의 상기 일부가 제거되어 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성한다. 상기 와이어 그리드 패턴의 크기는 상기 금속층(130)의 두께 및 상기 블록 공중합체의 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록을 적절히 조절하여 조절될 수 있다. 상기 금속층(130)의 상기 일부는 건식 식각으로 제거될 수 있다.
도 3i를 참조하면, 상기 포토 레지스트(PR), 상기 패턴(152) 및 상기 마스크층(140)를 제거한다. 상기 포토 레지스트(PR), 상기 패턴(152) 및 상기 마스크층(140)는 습식 식각(dry etching) 또는 건식 식각(wet etching)으로 제거될 수 있다. 또한, 상기 포토 레지스트(PR), 상기 패턴(152) 및 상기 마스크층(140)는 순차적으로 또는 한번에 제거될 수 있다.
도 4a 내지 도 4g는 도 2의 편광 소자의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, 기판(200) 상에 대전 방지층(210)을 형성한다. 상기 대전 방지층(210) 상에 절연층(220)을 형성한다. 상기 절연층(220) 상에 금속층(230)을 형성한다. 상기 금속층(230) 상에 마스크층(240)를 형성한다.
상기 기판(200)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수있다. 예를 들면, 상기 기판(200)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(210)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 대전 방지층(210)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 대전 방지층(210)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 대전 방지층(210)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 대전 방지층(210)이 도전성 고분자 물질을 포함하는 경우, 상기 대전 방지층(210)은 스핀코팅(spin coating)에 의해 형성될 수 있다. 상기 대전 방지층(210)이 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함하는 경우, 상기 대전 방지층(210)은 프린팅(printing) 또는 잉크젯 프린팅(inkjet printing)에 의해 형성될 수 있다. 상기 대전 방지층(210)이 산화 인듐 주석(ITO) 또는 산화 아연 주석(IZO)을 포함하는 경우, 상기 대전 방지층(110)은 스퍼터링에 의해 형성될 수 있다.
상기 절연층(220)은 상기 대전 방지층(210)으로부터 상기 금속층(230) 및 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 패턴(도 7 참조)을 절연한다. 상기 절연층(220)은 일반적으로 사용되는 유기물질을 포함할 수 있다. 상기 절연층(220)은 충분한 두께를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면 상기 절연층(220)은 약 1 내지 3 μm일 수 있다. 상기 절연층(220)은 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 절연층(220)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다.
상기 금속층(230)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 금속층(230)은 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 금속층(230)은 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다. 상기 금속층(230)의 두께는 약 100nm 내지 200nm 일 수 있다. 상기 금속층(230)의 두께는 바람직하게 약 150nm 일 수 있다.
상기 금속층(230)의 두께는 후술할 와이어 그리드 패턴의 크기를 고려하여 결정할 수 있다. 편광에 필요한 격자의 간격과 격자 구조의 강도를 고려하여, 상기 금속층(230)의 두께는 바람직하게 상기 와이어 그리드 패턴의 돌출부 사이의 간격인 제2 폭의 3배 일 수 있다.
상기 마스크층(240)는 실리콘 산화물(SiOx)을 포함할 수 있다. 예를 들면, 이산화 규소(SiO2)를 포함할 수 있다. 상기 마스크층은 증착되어 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 마스크층(240)는 화학 기상 증착(chemical vapor deposition)에 의해 형성될 수 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 마스크층(240) 상에 포토 레지스트(PR)를 형성한다. 상기 포토 레지스트(PR)는 와이어 그리드 패턴이 형성되지 않는 곳, 즉 반사부에 대응하는 부분에 형성된다. 상기 포토 레지스트(PR)는 포토 레지스트층을 상기 마스크층(240) 상에 형성하고, 포토 리소그래피(photolithography) 에 의해 패터닝하여 형성할 수 있다.
도 4c를 참조하면, 상기 포토 레지스트(PR)가 형성된 상기 마스크층(240) 상에 제1 블록과 제2 블록을 포함하는 블록 공중합체(block copolymer)(250)를 도포한다. 상기 블록 공중합체를 열처리 하여 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록이 라멜라 구조를 형성하도록 한다.
상기 블록 공중합체(250)의 자기 조립은, 상기 블록 공중합체(250)의 상기 제1 블록과 상기 제2 블록 중 어느 한 블록의 라멜라 도메인과 다른 한 블록의 라멜라 도메인이 서로 다른 위치에서 성장하는 과정을 포함한다.
상기 블록 공중합체(150)는PS-b-PMMA(poly(styrene-b-methylmethacrylate)), PS-b-PB(poly(styrene-b-butadiene)), PS-b-PI(poly(styrene-b-isoprene)), PS-b-PE(poly(styrene-b-ethylene)), PS-b-PEO(poly(styrene-b-ethyleneoxide)), PS-b-PFS(poly(styrene-b-ferrocenyldimethylsilane)), PS-b-P2VP(poly(styrene-b-(2-vinylpyridine))) 및 PS-b-PDMS(poly(styrene-b-dimethylsiloxane)) 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, 10,000 내지 300,000의 분자량을 가질 수 있다.
예를 들어PS-b-PMMA는PS 블록과 PMMA 블록이 공유 결합된 것으로서, PS 블록과 PMMA 블록 모두 52,000kg/mol의 분자량과 48nm의 주기를 가진다. 상기 블록 공중합체(250)의 종류와 분자량은 전술한 예에 한정되지 않으며, 라멜라 구조를 형성할 수 있는 것이면 모두 사용 가능하다.
자기 조립을 위한 상기 블록 공중합체(250)의 열처리 조건은, 상기 블록 공중합체(250)가 유동성을 가지게 되는 유리전이온도 이상이면서 상기 블록 공중합체(250)가 열분해되지 않는 온도 이하 범위로 설정된다. 예를 들어 PS-b-PMMA의 경우, 약 100℃ 이상에서 자기 조립이 가능하나, 저온에서는 자기 조립이 완성되는데 오랜 시간이 걸리게 된다. 따라서 산소를 배제한 약 250℃의 고진공 분위기에서 열처리를 할 수 있으며, 이 경우 분자의 유동 흐름이 원활해 짧은 시간에 규칙적인 자기 조립을 완성할 수 있다.
열처리 이전의 상기 블록 공중합체(250)의 상기 제1 블록과 상기 제2 블록은 특정 패턴을 형성하지 않고 무질서하게 분포하고 있다가, 열처리를 진행하면 분자의 유동이 생기면서 일정한 패턴을 형성하게 된다. 즉, 상기 제1 블록들이 모여 일정한 패턴을 형성하고, 상기 제2 블록들이 모여 일정한 패턴을 형성한다. 상기 블록 공중합체(250)의 상기 제1 블록과 상기 제2 블록은 라멜라 구조를 한다.
도 4d를 참조하면, 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 패턴(252)을 형성한다. 상기 제1 블록 또는 상기 제2 블록은 습식 식각(dry etching) 또는 건식 식각(wet etching)으로 제거될 수 있다. 상기 블록 공중합체(250)가 PS-b-PMMA인 경우, 자외선오존 처리(UV-ozone Treatment: UVO) 후 아세틱 에시드 용액을 이용하여 습식 식각할 수 있고, 건식 식각인 산소플라즈마 식각을 이용하여 PMMA 블록만 선택적으로 제거할 수 있다.
도 4e를 참조하면, 상기 패턴(252)이 노출시키는 상기 마스크층(240)의 일부를 제거한다. 즉, 상기 패턴(252)이 노출하는 상기 마스크층(240)의 상기 일부가 제거된다. 상기 마스크층(240)는 건식 식각될 수 있다. 상기 마스크층(240)의 상기 일부가 제거되어 상기 금속층(230)의 일부를 노출시킨다.
도 4f를 참조하면, 노출된 상기 금속층(230)의 상기 일부를 제거한다. 상기 금속층(230)의 상기 일부가 제거되어 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성한다. 상기 와이어 그리드 패턴의 크기는 상기 금속층(230)의 두께 및 상기 블록 공중합체의 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록을 적절히 조절하여 조절될 수 있다. 상기 금속층(230)의 상기 일부는 건식 식각으로 제거될 수 있다.
도 4g를 참조하면, 상기 포토 레지스트(PR), 상기 패턴(252) 및 상기 마스크층(240)를 제거한다. 상기 포토 레지스트(PR), 상기 패턴(252) 및 상기 마스크층(240)는 습식 식각(dry etching) 또는 건식 식각(wet etching)으로 제거될 수 있다. 또한, 상기 포토 레지스트(PR), 상기 패턴(252) 및 상기 마스크층(240)는 순차적으로 또는 한번에 제거될 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
상기 표시 패널은 어레이 기판과 대향 기판 및 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치되는 액정층(LC)을 포함한다.
상기 어레이 기판은 제1 기판(300), 제1 대전 방지층(310), 제1 금속층(330), 제1 절연막(360), 게이트 절연막(370), 박막 트랜지스터(TFT), 보호막(380) 및 제1 전극(EL1)을 포함한다.
상기 제1 기판(300)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 기판(300)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 대전 방지층(310)은 상기 제1 기판(300) 상에 배치된다. 상기 제1 대전 방지층(310)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 제1 대전 방지층(310)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 대전 방지층(310)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 대전 방지층(310)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 제1 대전 방지층(310)의 두께가 얇을수록 상기 편광 소자의 두께가 얇아 지므로, 표시 장치 전체의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 대전 방지층(310)의 두께는 10 내지 100Å 일 수 있다.
상기 제1 금속층(330)은 상기 제1 대전 방지층(310) 상에 배치된다. 상기 제1 금속층(330)은 편광부(332)와 반사부(334)를 포함한다.
상기 편광부(332)는 광이 통과하는 부분이며, 상기 편광부(332)에는 제1 폭을 갖는 복수의 돌출부가 형성된다. 인접하는 상기 돌출부들은 제2 폭만큼 이격되어 있다. 상기 돌출부들는 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 구성한다.
상기 반사부(334)는 광이 통과하지 않는 부분이며, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로 패턴에 대응되는 부분에 배치된다. 상기 반사부(334)는 광원으로부터 발생한 광을 반사시켜 광효율을 높인다.
상기 제1 금속층(330)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연막(360)은 상기 제1 금속층(330) 및 상기 대전 방지막(310) 상에 배치된다. 상기 제1 절연막(360)은 실리콘 산화물(SiOx)를 포함할 수 있다.
상기 제1 절연막(360) 상에는 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(미도시)이 배치된다.
상기 게이트 전극(GE) 및 상기 게이트 라인이 배치된 상기 제1 절연막(360) 상에는 게이트 절연막(370)이 배치된다. 상기 게이트 절연막(370)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(370) 상에 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하는 채널층(CH)이 배치된다.
상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(indium: In), 아연(zinc: Zn), 갈륨(gallium: Ga), 주석(tin: Sn) 또는 하프늄(hafnium: Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 인듐(In), 아연(Zn) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 비정질 산화물, 또는 인듐(In), 아연(Zn) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 산화물 반도체에 산화인듐아연(InZnO), 산화인듐갈륨(InGaO), 산화인듐주석(InSnO), 산화아연주석(ZnSnO), 산화갈륨주석(GaSnO) 및 산화갈륨아연(GaZnO) 등의 산화물이 포함될 수 있다.
상기 채널층(CH) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 데이터 라인(미도시)와 연결되고, 상기 드레인 전극(DE)은 콘택홀(CNT)을 통해 상기 제1 전극(EL1)과 연결된다.
상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 채널층(CH)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에는 상기 보호막(380)이 배치된다. 상기 보호막(380)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수도 있고, 저유전율 유기 절연막으로 형성될 수도 있다. 또한, 무기 절연막과 유기 절연막의 이중막으로 형성될 수도 있다. 상기 보호막(380)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 상기 콘택홀(CNT)를 갖는다.
상기 제1 전극(EL1)은 상기 보호막(380) 상에 배치된다. 상기 제1 전극(EL1) 은 상기 콘택홀(CNT)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 연결된다. 상기 제1 전극(EL1)은 복수의 개구를 갖는 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(EL1)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 대향 기판은 제2 기판(400), 블랙 매트릭스(BM), 컬러필터(CF), 오버 코팅층(410), 제2 전극(EL2) 및 상부 편광 소자(420)를 포함한다.
상기 제2 기판(400)은 상기 제1 기판(300)과 대향한다. 상기 제2 기판(400)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(400)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제2 기판(400) 하부에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 영상이 표시되는 화소 영역 외의 영역에 대응되어 배치되고, 광을 차단한다. 즉, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 블랙 매트릭스(BM)가 배치된 상기 제2 기판(400) 하부에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 각 화소 영역에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF)에 의해 중첩되거나, 또는 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(410)은 상기 컬러 필터(CF) 및 상기 블랙 매트릭스(BM)의 하부에 형성된다. 상기 오버 코팅층(410)은 상기 컬러 필터(CF)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(CF)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)은 상기 화소 영역에 대응되고, 상기 오버 코팅층(410) 및 상기 액정층(LC) 사이에 배치된다. 상기 제2 전극(EL2)는 공통 라인(미도시)과 전기적으로 연결된다. 상기 제2 전극(EL2)은 복수의 개구를 갖는 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제2 전극(EL2)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 상부 편광 소자(420)은 상기 제2 기판(400) 상에 배치된다. 상기 상부 편광 소자(420)는 종래의 흡수형 편광판일 수 있다.
상기 액정층(LC)은 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치된다. 상기 액정층(LC)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(LC)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 6을 참조하면, 상기 표시 패널은 대향 기판을 제외하고 도 5의 표시 패널과 실질적으로 동일하므로 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
상기 대향 기판은 제2 기판(600), 제2 대전 방지층(610), 제2 금속층(630), 블랙 매트릭스(BM), 컬러필터(CF), 오버 코팅층(660) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
상기 제2 기판(600)은 제1 기판(500)과 대향한다. 상기 제2 기판(600)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(600)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 대전 방지층(610)은 상기 제2 기판(600) 하부에 배치된다. 상기 제2 대전 방지층(610)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 제2 대전 방지층(610)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 대전 방지층(610)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 대전 방지층(610)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 제2 대전 방지층(610)의 두께가 얇을수록 상기 편광 소자의 두께가 얇아 지므로, 표시 장치 전체의 두께를 얇게 할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 대전 방지층(610)의 두께는 10 내지 100Å 일 수 있다.
상기 제2 금속층(630)은 상기 제1 대전 방지층(610) 하부에 배치된다. 상기 제2 금속층(630)은 제1 폭을 갖는 복수의 돌출부들을 갖는다. 인접하는 상기 돌출부들은 제2 폭만큼 이격되어 있다. 상기 돌출부들는 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(630)은 광이 투과되는 영역에만 배치될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제2 대전 방지층(610) 하부에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 영상이 표시되는 화소 영역 외의 영역에 대응되어 배치되고, 광을 차단한다. 즉, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제2 금속층(630)과 동일한 층으로부터 형성될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 금속층(630) 하부에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 각 화소 영역에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF)에 의해 중첩되거나, 또는 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(660)은 상기 컬러 필터(CF) 및 상기 블랙 매트릭스(BM)의 하부에 형성된다. 상기 오버 코팅층(660)은 상기 컬러 필터(CF)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(CF)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)은 상기 화소 영역에 대응되고, 상기 오버 코팅층(660) 및 상기 액정층(LC) 사이에 배치된다. 상기 제2 전극(EL2)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 패널의 단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 표시 패널은 어레이 기판과 대향 기판 및 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치되는 액정층(LC)을 포함한다.
상기 어레이 기판은 제1 기판(700), 제1 대전 방지층(710), 제1 절연층(720), 제1 금속층(730), 제1 절연막(760), 게이트 절연막(770), 박막 트랜지스터(TFT), 보호막(780) 및 제1 전극(EL1)을 포함한다.
상기 제1 기판(700)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 기판(300)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 대전 방지층(710)은 상기 제1 기판(700) 상에 배치된다. 상기 제1 대전 방지층(710)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 제1 대전 방지층(310)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 대전 방지층(710)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제1 대전 방지층(710)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다. 상기 제1 대전 방지층(710)의 두께는 10 내지 100Å 일 수 있다.
상기 제1 절연층(720)은 상기 제1 대전 방지층(710) 상에 배치된다. 상기 제1 절연층(720)은 상기 제1 대전 방지층(710)으로부터 상기 제1 금속층(730) 및 박막 트랜지스터를 포함하는 회로 패턴을 절연한다. 상기 제1 절연층(720)은 일반적으로 사용되는 유기물질을 포함할 수 있다. 상기 제1 절연층(720)은 충분한 두께를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면 상기 제1 절연층(720)은 약 1 내지 3 μm일 수 있다.
상기 제1 금속층(730)은 상기 제1 절연층(720) 상에 배치된다. 상기 제1 금속층(730)은 편광부(732)와 반사부(734)를 포함한다.
상기 편광부(732)는 광이 통과하는 부분이며, 상기 편광부(732)에는 제1 폭을 갖는 복수의 돌출부가 형성된다. 인접하는 상기 돌출부들은 제2 폭만큼 이격되어 있다. 상기 돌출부들는 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 구성한다.
상기 반사부(734)는 광이 통과하지 않는 부분이며, 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 포함하는 회로 패턴에 대응되는 부분에 배치된다. 상기 반사부(734)는 광원으로부터 발생한 광을 반사시켜 광효율을 높인다.
상기 제1 금속층(730)은 알루미늄(Al), 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 크롬(Cr), 철(Fe) 및 니켈(Ni) 중 어느 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 제1 절연막(760)은 상기 제1 금속층(730) 및 상기 제1 절연층(720) 상에배치된다. 상기 제1 절연막(760)은 실리콘 산화물(SiOx)를 포함할 수 있다.
상기 제1 절연막(760) 상에는 게이트 전극(GE) 및 게이트 라인(미도시)이 배치된다.
상기 게이트 전극(GE) 및 상기 게이트 라인이 배치된 상기 제1 절연막(760) 상에는 게이트 절연막(770)이 배치된다. 상기 게이트 절연막(770)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질을 포함할 수 있다.
상기 게이트 절연층(770) 상에 상기 게이트 전극(GE)과 중첩하는 채널층(CH)이 배치된다.
상기 채널층(CH)은 비정질 실리콘(a-Si:H)으로 이루어진 반도체층 및 n+ 비정질 실리콘(n+ a-Si:H)으로 이루어진 저항성 접촉층을 포함할 수 있다. 또한, 상기 채널층(CH)은 산화물 반도체를 포함할 수 있다. 상기 산화물 반도체는 인듐(indium: In), 아연(zinc: Zn), 갈륨(gallium: Ga), 주석(tin: Sn) 또는 하프늄(hafnium: Hf) 중 적어도 하나를 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 보다 구체적으로는, 인듐(In), 아연(Zn) 및 갈륨(Ga)을 포함하는 비정질 산화물, 또는 인듐(In), 아연(Zn) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 비정질 산화물로 이루어질 수 있다. 상기 산화물 반도체에 산화인듐아연(InZnO), 산화인듐갈륨(InGaO), 산화인듐주석(InSnO), 산화아연주석(ZnSnO), 산화갈륨주석(GaSnO) 및 산화갈륨아연(GaZnO) 등의 산화물이 포함될 수 있다.
상기 채널층(CH) 상에 소스 전극(SE) 및 드레인 전극(DE)이 배치된다. 상기 소스 전극(SE)은 데이터 라인(미도시)와 연결되고, 상기 드레인 전극(DE)은 콘택홀(CNT)을 통해 상기 제1 전극(EL1)과 연결된다.
상기 게이트 전극(GE), 상기 소스 전극(SE), 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 채널층(CH)은 상기 박막 트랜지스터(TFT)를 구성한다.
상기 박막 트랜지스터(TFT) 상에는 상기 보호막(780)이 배치된다. 상기 보호막(780)은 실리콘 질화물(SiNx) 또는 실리콘 산화물(SiOx)등의 무기 물질로 형성될 수도 있고, 저유전율 유기 절연막으로 형성될 수도 있다. 또한, 무기 절연막과 유기 절연막의 이중막으로 형성될 수도 있다. 상기 보호막(780)은 상기 드레인 전극(DE)의 일부를 노출하는 상기 콘택홀(CNT)를 갖는다.
상기 제1 전극(EL1)은 상기 보호막(780) 상에 배치된다. 상기 제1 전극(EL1) 은 상기 콘택홀(CNT)을 통해 상기 드레인 전극(DE)과 연결된다. 상기 제1 전극(EL1)은 복수의 개구를 갖는 슬릿 패턴을 포함할 수 있다. 상기 제1 전극(EL1)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(EL1)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 대향 기판은 제2 기판(800), 제2 대전 방지층(810), 제2 절연층(820), 제2 금속층(830), 블랙 매트릭스(BM), 컬러필터(CF), 오버 코팅층(860) 및 제2 전극(EL2)을 포함한다.
상기 제2 기판(800)은 제1 기판(700)과 대향한다. 상기 제2 기판(800)은 투과성, 내열성, 내화학성 등이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 기판(800)은 광 투과력이 우수한 유리, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트층 및 폴리아크릴 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2 대전 방지층(810)은 상기 제2 기판(800) 하부에 배치된다. 상기 제2 대전 방지층(810)은 투과율이 높은 전도성 물질을 포함한다. 상기 제2 대전 방지층(810)은 도전성 무기물, 도전성 고분자, 투명 도전 물질 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)를 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 대전 방지층(810)은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 대전 방지층(810)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다. 상기 제2 대전 방지층(810)의 두께는 10 내지 100Å 일 수 있다.
상기 제2 절연층(820)은 상기 제2 대전 방지층(810) 하부에 배치된다. 상기 절연층(820)은 상기 제2 대전 방지층(820)으로부터 상기 표시 패널 내부를 절연한다. 상기 제2 절연층(820)은 일반적으로 사용되는 유기물질을 포함할 수 있다. 상기 제2 절연층(820)은 충분한 두께를 갖는 것이 바람직하다. 예를 들면 상기 제2 절연층(820)은 약 1 내지 3 μm일 수 있다.
상기 제2 금속층(830)은 상기 제2 절연층(820) 하부에 배치된다. 상기 제2 금속층(830)은 제1 폭을 갖는 복수의 돌출부들을 갖는다. 인접하는 상기 돌출부들은 제2 폭만큼 이격되어 있다. 상기 돌출부들는 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 구성한다. 상기 제2 금속층(830)은 광이 투과되는 영역에만 배치될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제2 절연층(820) 하부에 배치된다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 영상이 표시되는 화소 영역 외의 영역에 대응되어배치되고, 광을 차단한다. 즉, 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 데이터 라인, 상기 게이트 라인 및 상기 박막 트랜지스터(TFT)와 중첩한다. 상기 블랙 매트릭스(BM)는 상기 제2 금속층(830)과 동일한 층으로부터 형성될 수 있다.
상기 컬러 필터(CF)는 상기 제2 금속층(830) 하부에 배치된다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 액정층(LC)을 투과하는 광에 색을 제공하기 위한 것이다. 상기 컬러 필터(CF)는 적색 컬러 필터(red), 녹색 컬러 필터(green), 및 청색 컬러 필터(blue)일 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 상기 각 화소 영역에 대응하여 제공되며, 서로 인접한 화소 사이에서 서로 다른 색을 갖도록 배치될 수 있다. 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 일부가 인접한 컬러 필터(CF)에 의해 중첩되거나, 또는 상기 컬러 필터(CF)는 서로 인접한 화소 영역의 경계에서 이격될 수 있다.
상기 오버 코팅층(860)은 상기 컬러 필터(CF) 및 상기 블랙 매트릭스(BM)의 하부에 형성된다. 상기 오버 코팅층(860)은 상기 컬러 필터(CF)를 평탄화하면서, 상기 컬러 필터(CF)를 보호하는 역할과 절연하는 역할을 하며 아크릴계 에폭시 재료를 이용하여 형성될 수 있다.
상기 제2 전극(EL2)은 상기 화소 영역에 대응되고, 상기 오버 코팅층(860) 및 상기 액정층(LC) 사이에 배치된다. 상기 제2 전극(EL2)은 투명 도전 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제2 전극(EL2)은 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO) 또는 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO)를 포함할 수 있다.
상기 액정층(LC)은 상기 어레이 기판 및 상기 대향 기판 사이에 배치된다. 상기 액정층(LC)은 광학적 이방성을 갖는 액정 분자들을 포함한다. 상기 액정 분자들은 전계에 의해 구동되어 상기 액정층(LC)을 지나는 광을 투과시키거나 차단시켜 영상을 표시한다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 8을 참조하면, 상기 표시 장치는 탑 샤시(910), 바텀 샤시(920), 몰드 프레임(930), 표시 패널(940), 광학 부재(950) 및 백라이트 어셈블리(960)를 포함한다.
상기 탑 샤시(910) 및 상기 바텀 샤시(920)는 상기 몰드 프레임(930), 상기 표시 패널(940), 상기 광학 부재(950) 및 상기 백라이트 어셈블리(960)를 수납한다.
상기 표시 패널(940)은 도 5 내지 7에 설명된 표시 패널과 실질적으로 동일하다. 따라서, 자세한 설명은 생략한다.
상기 몰드 프레임(930)은 상기 표시 패널(940)과 상기 광학 부재(950) 및 상기 백라이트 어셈블리(960)를 지지하고, 상기 표시 패널(940)과 상기 광학 부재(950) 및 상기 백라이트 어셈블리(960)가 소정간격 이격되도록 한다.
상기 광학 부재(950)는 상기 표시 패널(940) 하부에 소정간격 이격되어 배치된다. 상기 광학 부재(950)는 상기 백라이트 어셈블리(960)로부터 발생한 광의 휘도를 균일하게 한다. 상기 광학 부재(950)는 하나 이상의 광학 시트를 포함할 수 있다. 예를 들어 상기 광학 부재(950)는 보호 시트, 프리즘 시트 및 확산 시트를 포함할 수 있다. 한편, 상기 광학 부재(950)는 이에 한정되지 않고, 다양한 광학 시트를 포함할 수 있다.
상기 표시 패널(940)은 제1 대전 방지층(도 5의 310 참조)을 포함하므로, 상기 광학 부재(950)에 의해 상기 표시 패널(940)의 표면에 정전기가 발생하더라도, 상기 표시 패널(940)의 액정층(도 5의 LC참조)에 상기 정전기가 유입되지 않으므로, 영상에 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있다.
또한 상기 표시 패널(940)은 제2 대전 방지층(도 6의 610 참조)을 포함하므로, 상기 표시 패널(940)의 상면으로부터 상기 표시 패널(940)의 액정층(도 6의 LC참조)에 상기 정전기가 유입되지 않으므로, 영상에 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있다.
상기 백라이트 어셈블리(960)는 상기 광학 부재(950)의 하부에 배치되며, 상기 광을 발생하여 상기 표시 패널(940)에 공급한다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 편광 소자는 대전 방지층을 포함하므로, 외부로부터 발생한 정전기가 표시 패널 내부의 액정층에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 편광 소자를 포함하는 표시 패널은 상기 표시 패널 하부에 배치되는 광학 시트에 의해 발생한 정전기가 표시 패널 내부의 액정층에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 대전 방지층 상에 충분한 두께의 절연층이 배치되므로, 상기 대전 방지층과 표시 패널 내부의 회로 패턴 사이의 커플링(Coupling) 효과를 방지할 수 있다.
따라서, 상기 표시 패널을 포함하는 표시 장치는 표시하는 영상에 얼룩이 생기는 것을 방지할 수 있다.
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
100: 기판 110: 대전 방지층
130: 금속층 220: 절연층
360: 제1 절연막 370: 게이트 절연막
380: 보호막 LC: 액정층
400: 제2 기판 410: 오버 코팅층
CF: 컬러 필터

Claims (20)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 대전 방지층; 및
    상기 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 금속층을 포함하고,
    상기 금속층은 상기 와이어 그리드 패턴이 형성되어 광을 투과시키는 편광부 및 광을 반사시키는 반사부를 포함하고, 상기 와이어 그리드 패턴은 상기 금속층이 패터닝되어 형성된 부분이고, 상기 반사부는 상기 금속층이 패터닝 되지 않은 부분이며, 평면에서 볼 때, 상기 반사부는 상기 편광부에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 편광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 대전 방지층은 PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 산화 인듐 주석(indium tin oxide: ITO), 산화 아연 주석(indium zinc oxide: IZO) 및 탄소 나노 튜브(carbon nanotube: CNT)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자.
  3. 제2항에 있어서, 상기 대전 방지층의 두께는 10Å 내지 100Å 인 것을 특징으로 하는 편광소자.
  4. 삭제
  5. 기판;
    상기 기판 상에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 대전 방지층;
    상기 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 금속층; 및
    상기 대전 방지층과 상기 금속층 사이에 배치되는 절연층을 포함하는 편광 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 절연층의 두께는 1μm 내지 3 μm인 것을 특징으로 하는 편광 소자.
  7. 기판 상에 도전성 물질을 포함하는 대전 방지층을 형성하는 단계;
    상기 대전 방지층 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 마스크층의 일부 위에 포토 레지스트를 형성하는 단계;
    상기 마스크층의 노출된 영역 상에 자기 조립 패턴을 형성하는 단계;
    상기 자기 조립 패턴을 마스크로 이용하여 상기 마스크층 및 상기 금속층을 패터닝하여 와이어 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토 레지스트 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 금속층은 상기 와이어 그리드 패턴이 형성되어 광을 투과시키는 편광부 및 광을 반사시키는 반사부를 포함하고, 상기 와이어 그리드 패턴은 상기 금속층이 패터닝되어 형성된 부분이고, 상기 반사부는 상기 금속층이 패터닝 되지 않은 부분이며, 평면에서 볼 때, 상기 반사부는 상기 편광부에 인접하여 배치되는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
  8. 기판 상에 도전성 물질을 포함하는 대전 방지층을 형성하는 단계;
    상기 대전 방지층 상에 금속층을 형성하는 단계;
    상기 금속층 상에 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 마스크층의 일부 위에 포토 레지스트를 형성하는 단계;
    상기 마스크층의 노출된 영역 상에 자기 조립 패턴을 형성하는 단계;
    상기 자기 조립 패턴을 마스크로 이용하여 상기 마스크층 및 상기 금속층을 패터닝하여 와이어 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토 레지스트 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함하고,
    상기 마스크층을 형성하는 단계 전에 상기 대전 방지층 상에 절연막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 대전 방지층을 형성하는 단계는, PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene))을 상기 기판 상에 프린팅(printing) 또는 잉크젯 프린팅(inkjet printing)하여 상기 대전 방지층을 형성하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 자기 조립 패턴을 형성하는 단계는
    제1 블록과 제2 블록을 포함하는 블록 공중합체(block copolymer)를 상기 마스크층의 상기 노출된 영역 상에 도포하는 단계;
    상기 블록 공중합체를 열처리 하여 상기 제1 블록 및 상기 제2 블록이 라멜라 구조를 형성하도록 하는 단계; 및
    상기 제1 블록 및 상기 제2 블록 중 어느 하나를 제거하여 상기 자기 조립 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
  11. 어레이 기판, 대향 기판 및 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하고, 상기 어레이 기판은
    제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 제1 대전 방지층, 및 상기 제1 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 제1 금속층을 포함하는 제1 편광 소자;
    상기 제1 금속층을 커버하는 제1 절연막;
    상기 제1 절연막 상에 배치된 게이트 전극;
    상기 게이트 상에 배치되어 상기 게이트 전극을 절연하는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 배치된 채널층;
    상기 채널층 상에 배치된 소스 및 드레인 전극;
    상기 소스 및 드레인 전극을 커버하고 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막; 및
    상기 보호막 상에 배치되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함하고,
    상기 제1 금속층은 상기 와이어 그리드 패턴이 형성되어 광을 투과시키는 편광부 및 광을 반사시키는 반사부를 포함하고,
    상기 반사부는 상기 게이트 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극이 형성하는 박막 트랜지스터와 중첩하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  12. 제11항에 있어서, 상기 대향 기판은
    제2 기판, 및 상기 제2 기판 상에 배치되는 편광판을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  13. 삭제
  14. 어레이 기판, 대향 기판 및 상기 어레이 기판과 상기 대향 기판 사이에 배치된 액정층을 포함하고, 상기 어레이 기판은
    제1 기판, 상기 제1 기판 상에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 제1 대전 방지층, 및 상기 제1 대전 방지층 상에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 제1 금속층을 포함하는 제1 편광 소자;
    상기 제1 금속층을 커버하는 제1 절연막;
    상기 제1 절연막 상에 배치된 게이트 전극;
    상기 게이트 상에 배치되어 상기 게이트 전극을 절연하는 게이트 절연막;
    상기 게이트 절연막 상에 배치된 채널층;
    상기 채널층 상에 배치된 소스 및 드레인 전극;
    상기 소스 및 드레인 전극을 커버하고 상기 드레인 전극을 노출시키는 콘택홀을 갖는 보호막; 및
    상기 보호막 상에 배치되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 제1 전극을 포함하고,
    상기 어레이 기판은 상기 제1 대전 방지층과 상기 제1 금속층 사이에 배치된 제1 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  15. 제11항에 있어서, 상기 대향 기판은
    제2 기판, 상기 제2 기판 하부에 배치되고, 도전성 물질을 포함하는 제2 대전 방지층, 및 상기 대전 방지층 하부에 배치되고 와이어 그리드(wire grid) 패턴을 형성하는 복수의 돌출부들을 갖는 제2 금속층을 포함하는 제2 편광 소자;
    상기 제2 금속층을 커버하는 제2 절연막; 및
    상기 제2 절연막 하부에 배치되는 제2 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  16. 제15항에 있어서, 상기 대향 기판은 상기 제2 기판 하부에 배치되어 광을 차단하는 블랙 매트릭스를 더 포함하고,
    상기 블랙 매트릭스 및 상기 제2 금속층은 동일한 층으로부터 형성된 것을 특징으로 하는 표시 패널.
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020120081611A 2012-07-26 2012-07-26 편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 KR101942363B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120081611A KR101942363B1 (ko) 2012-07-26 2012-07-26 편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US13/734,607 US9223171B2 (en) 2012-07-26 2013-01-04 Polarizer, method of manufacturing the polarizer, display panel having the polarizer and display apparatus having the display panel
US14/932,008 US10162092B2 (en) 2012-07-26 2015-11-04 Polarizer, method of manufacturing the polarizer, display panel having the polarizer and display apparatus having the display panel

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120081611A KR101942363B1 (ko) 2012-07-26 2012-07-26 편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140013654A KR20140013654A (ko) 2014-02-05
KR101942363B1 true KR101942363B1 (ko) 2019-04-12

Family

ID=49994569

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120081611A KR101942363B1 (ko) 2012-07-26 2012-07-26 편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9223171B2 (ko)
KR (1) KR101942363B1 (ko)

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140030382A (ko) * 2012-08-27 2014-03-12 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102062289B1 (ko) * 2013-08-02 2020-01-06 삼성디스플레이 주식회사 와이드 그리드 편광자 및 이를 구비한 액정표시장치
KR20150029817A (ko) * 2013-09-10 2015-03-19 삼성디스플레이 주식회사 편광판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법
KR102113504B1 (ko) * 2013-09-11 2020-05-22 삼성디스플레이 주식회사 액정표시패널, 그 제조방법 및 액정표시장치
KR102150077B1 (ko) * 2014-02-20 2020-09-01 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 이를 갖는 액정 표시 장치
KR102133211B1 (ko) * 2014-03-28 2020-07-15 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자의 제조방법
CN103995405B (zh) * 2014-05-09 2015-08-05 京东方科技集团股份有限公司 一种半透半反型液晶面板及其制备方法、液晶显示装置
KR102226116B1 (ko) 2014-09-12 2021-03-11 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법
KR102241758B1 (ko) * 2014-09-16 2021-04-20 삼성디스플레이 주식회사 패턴 형성 방법 및 이를 이용한 와이어 그리드 편광 소자의 제조방법
KR102254533B1 (ko) 2014-10-22 2021-05-24 삼성디스플레이 주식회사 편광 소자의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 패널
KR20160049162A (ko) * 2014-10-24 2016-05-09 삼성디스플레이 주식회사 몰드의 제조 방법 및 편광 소자의 제조 방법
KR102244652B1 (ko) * 2014-10-28 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 편광 부재의 제조 방법 및 이를 구비하는 액정 표시 장치의 제조 방법
KR20160053073A (ko) * 2014-10-30 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 편광자, 편광자의 제조 방법 및 표시 패널
EP3023820B1 (en) 2014-11-18 2023-12-27 Samsung Display Co., Ltd. Wire grid polarizing plate, display device including the same, and method of fabricating said display device
KR102410299B1 (ko) * 2014-11-18 2022-06-20 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광판, 이를 포함하는 표시장치 및 표시장치의 제조방법
KR20160067296A (ko) 2014-12-03 2016-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN104459863A (zh) 2014-12-04 2015-03-25 京东方科技集团股份有限公司 线栅偏光片及其制备方法、显示面板和显示装置
KR102386196B1 (ko) 2014-12-10 2022-04-13 삼성디스플레이 주식회사 편광판, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20160072379A (ko) 2014-12-12 2016-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판, 표시 패널 및 편광 소자의 제조 방법
KR102409845B1 (ko) * 2014-12-18 2022-06-16 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법
KR102350824B1 (ko) * 2015-01-08 2022-01-13 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자의 제조 방법
KR102292227B1 (ko) * 2015-03-02 2021-08-24 삼성디스플레이 주식회사 투명 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102389618B1 (ko) * 2015-03-10 2022-04-25 삼성디스플레이 주식회사 편광 소자, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 패널
KR102483907B1 (ko) * 2015-03-20 2023-01-02 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법
KR102413970B1 (ko) * 2015-04-08 2022-06-28 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광자 및 이의 제조방법
KR20160125694A (ko) * 2015-04-22 2016-11-01 삼성전자주식회사 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
KR102413901B1 (ko) 2015-04-24 2022-06-28 삼성디스플레이 주식회사 와이어 그리드 편광판 및 이를 포함하는 표시장치
KR102363666B1 (ko) * 2015-04-30 2022-02-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN105182594B (zh) * 2015-08-25 2018-07-31 京东方科技集团股份有限公司 显示基板
CN105549236B (zh) 2016-02-19 2020-05-12 京东方科技集团股份有限公司 可切换防窥装置及其制备方法、显示装置
KR102473084B1 (ko) * 2016-04-04 2022-12-01 티씨엘 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 표시 장치
CN105759492A (zh) * 2016-05-09 2016-07-13 深圳市华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN105866875A (zh) * 2016-06-08 2016-08-17 武汉华星光电技术有限公司 金属线栅偏光片与液晶显示装置
KR20180030289A (ko) 2016-09-12 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 편광 부재를 갖는 표시장치
KR102018704B1 (ko) * 2016-09-21 2019-09-05 주식회사 엘지화학 대전방지성이 우수한 광학 필름 및 이를 포함하는 편광판
KR20180039218A (ko) * 2016-10-07 2018-04-18 삼성디스플레이 주식회사 색변환 표시판 및 색변환 표시판의 제조 방법 및 색변환 표시판을 포함하는 표시 장치
CN106405922B (zh) * 2016-11-02 2019-08-09 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示面板的制造方法及显示装置
CN106842691A (zh) 2017-03-31 2017-06-13 成都京东方光电科技有限公司 一种液晶显示面板及制作方法、显示装置
US10556179B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-11 Performance Designed Products Llc Video game audio controller
CN107664881B (zh) * 2017-10-31 2020-07-24 武汉华星光电技术有限公司 液晶显示器及其显示模组
JP2019090879A (ja) * 2017-11-13 2019-06-13 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および表示装置の製造方法
CN108681138A (zh) * 2018-05-17 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示面板
CN108829286B (zh) * 2018-06-14 2021-07-30 业成科技（成都）有限公司 触控显示装置
TWI687743B (zh) * 2018-12-11 2020-03-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及偏光結構的製造方法
CN111487824B (zh) * 2020-05-27 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 显示组件和显示装置
CN112198705A (zh) * 2020-10-26 2021-01-08 武汉华星光电技术有限公司 彩膜基板、阵列基板及显示面板

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100290107B1 (ko) 1993-06-25 2001-05-15 박영구 액정디스플레이용 칼라액정패널 및 그 제조방법
JPH11119210A (ja) 1997-10-20 1999-04-30 Hitachi Ltd 液晶表示装置
KR20040062158A (ko) 2002-12-31 2004-07-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
JP3902186B2 (ja) * 2003-04-21 2007-04-04 日東電工株式会社 帯電防止型光学フィルム、その製造方法、及び画像表示装置
KR20070096145A (ko) * 2006-03-14 2007-10-02 광 석 서 편광 필름용 대전방지 코팅 조성물 및 이를 이용한대전방지 편광 필름
KR20070105092A (ko) * 2006-04-25 2007-10-30 삼성전자주식회사 어레이 기판 및 이를 갖는 표시패널
TWI345110B (en) * 2006-09-05 2011-07-11 Ind Tech Res Inst Color backlight device and liquid crystal display thereof
JP4778873B2 (ja) * 2006-10-20 2011-09-21 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
US20100103518A1 (en) * 2007-02-27 2010-04-29 Zeon Corporation Grid polarizer
KR20080082116A (ko) * 2007-03-07 2008-09-11 고려대학교 산학협력단 선격자 편광판 제조방법
US8027086B2 (en) * 2007-04-10 2011-09-27 The Regents Of The University Of Michigan Roll to roll nanoimprint lithography
US7722194B2 (en) * 2007-06-07 2010-05-25 Seiko Epson Corporation Optical element having a reflected light diffusing function and a polarization separation function and a projection display device
US8299455B2 (en) * 2007-10-15 2012-10-30 International Business Machines Corporation Semiconductor structures having improved contact resistance
KR20090083091A (ko) * 2008-01-29 2009-08-03 삼성전자주식회사 블록 공중합체를 이용한 미세 패턴 형성 방법
JP5459210B2 (ja) * 2008-07-10 2014-04-02 旭硝子株式会社 ワイヤグリッド型偏光子およびその製造方法
KR20100009472A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 주식회사 엘지화학 액정표시장치
KR20100035783A (ko) * 2008-09-29 2010-04-07 삼성전자주식회사 편광기, 이의 제조 방법, 이 편광기를 갖는 표시기판 및 백라이트 어셈블리
JP2010169722A (ja) * 2009-01-20 2010-08-05 Seiko Epson Corp 光学素子の製造方法及び光学素子
KR20110138002A (ko) 2010-06-18 2011-12-26 동우 화인켐 주식회사 대전방지성 점착형 편광판 및 이것이 구비된 화상표시장치
KR101781517B1 (ko) * 2010-09-30 2017-09-26 삼성디스플레이 주식회사 블록 공중합체 및 이를 이용한 패턴 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140013654A (ko) 2014-02-05
US20140028956A1 (en) 2014-01-30
US9223171B2 (en) 2015-12-29
US10162092B2 (en) 2018-12-25
US20160077265A1 (en) 2016-03-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101942363B1 (ko) 편광 소자, 이의 제조 방법, 이를 포함하는 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
US9494721B2 (en) Polarizer, a display panel having the same and a method of manufacturing the same
US9001290B2 (en) Polarizer, display panel having the same and method of manufacturing the same
KR101761180B1 (ko) 표시 기판, 표시 장치 및 이의 제조 방법
US9244320B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof
US9223069B2 (en) Polarizer and method of manufacturing the same
TWI574081B (zh) 液晶顯示裝置及其製造方法
KR102254533B1 (ko) 편광 소자의 제조 방법 및 이를 포함하는 표시 패널
KR102215134B1 (ko) 편광자 및 이를 포함하는 표시 패널
KR20180030289A (ko) 편광 부재를 갖는 표시장치
JP2014232320A (ja) 偏光板及びこれを含む液晶表示装置
KR20070003263A (ko) 편광 필름, 이를 포함하는 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20120025407A (ko) 액정 표시 장치
US8698994B2 (en) Liquid crystal display device including anti-corrosion layer
KR20160049162A (ko) 몰드의 제조 방법 및 편광 소자의 제조 방법
KR102250491B1 (ko) 표시 패널 및 편광 소자의 제조 방법
KR20110064272A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
TWI581317B (zh) 薄膜電晶體基板及具備該薄膜電晶體基板之顯示面板
KR101616368B1 (ko) 산화물 박막 트랜지스터의 제조방법
KR101875940B1 (ko) 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
KR20190055297A (ko) 반사형 표시 장치 및 반사형 표시 장치의 제조 방법
KR20180027717A (ko) 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20090053612A (ko) 액정표시소자 및 그 제조방법
WO2015103826A1 (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
CN105655344B (zh) 薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant