JP2010169722A

JP2010169722A - 光学素子の製造方法及び光学素子

Info

Publication number: JP2010169722A
Application number: JP2009009619A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiko Kenmochi; 伸彦釼持
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2009-01-20
Filing date: 2009-01-20
Publication date: 2010-08-05
Also published as: CN101806931A; US8248697B2; US20100182692A1

Abstract

【課題】基板の回折構造部に均一なグリッド部を形成し、光学性能を向上させることができるを光学素子の製造方法及び光学素子を提供する。
【解決手段】基板２の一面にグリッド部４を形成するグリッド部形成工程と、グリッド部４が形成された基板２の一面に回折構造部３に対応した回折構造部用レジストパターンを形成する回折構造部用レジストパターン形成工程と、回折構造部用レジストパターンを介して基板２を厚さ方向に異方性エッチングすることで回折構造部３を形成する回折構造部エッチング工程と、回折構造部３を形成した基板２の一面に対して斜め方向から反射材料を堆積させてグリッド部４に細線４ａを形成する細線形成工程と、を有することを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、偏光分離機能を有する光学素子の製造方法及び光学素子に関するものである。

従来から、偏光分離機能を有する光学素子の１つとして、ワイヤーグリッド型偏光分離素子が知られている。このような光学素子は、例えば以下のような工程を経て製造される。まず、フォトリソグラフィ法、エッチング法等により光透過性基板に回折構造部として凹凸構造を形成する。次に、凹凸構造の表面を覆うアルミニウム膜を成膜する。次いで、フォトリソグラフィ法、エッチング法等により、成膜されたアルミニウム膜をパターニングして、凹凸構造の上にストライプ状の金属細線を形成する（例えば、特許文献１参照）。

特開２００６−１３３２７５号公報

上記従来の光学素子の製造方法においては、フォトリソグラフィ法、エッチング法により基板の凹凸構造を覆うアルミニウム膜をパターニングする際には、まずアルミニウム膜を覆うレジストを形成する。そしてレジストを形成したい金属細線のパターンとなる様に露光させる。

しかしながら、回折構造部の凹凸面は深さが最低１００ｎｍ前後必要であり、この様な凹凸に対して超微細加工用の低粘度レジストを薄く均一に塗布する事は不可能である。凸部(基板側から突き出ている部分)にも十分な厚さのレジストを残すためには凹部(基板側に向かって凹んでいる部分)をレジストで埋めてしまうしかない。その結果、凹部と凸部でレジストの深さが大きく異なってしまう。
すると露光の際に凹部と凸部でレジスト内での光吸収量の差異が発生し、凹部では露光量不足、凸部では露光量過剰となり、凹部に残るレジストの短手方向の幅は太く、凸部に残るレジストの短手方向の幅は細くなってしまう。
そして、これを用いてエッチングを行って形成される金属細線の短手方向の幅も同様に不均一となり、この様な金属細線では偏光素子としての透過率やコントラスト(消光比)を十分に向上できないという課題が発生する。
また、フォトリソグラフィ法に依らずにナノインプリント法により金属細線形成用のレジストを形成する事は可能ではあるが、エッチングに適した底付きしたレジスト・パターンを凹凸面に対してアライメントを取りながらインプリントする事は至難の業であり、量産性等を著しく損ねる結果となる。

そこで、本発明は、基板の回折構造部に均一な細線を形成し、光学性能を向上させることができるを光学素子の製造方法及び光学素子を提供するものである。

上記の課題を解決するために、本発明の光学素子の製造方法は、基板と、前記基板の一面に交互に形成された複数の凹部および凸部からなる回折構造部と、前記回折構造部の表面に沿って所定のピッチで形成された複数のグリッド部と、前記グリッド部に前記グリッド部の延在方向に沿って設けられた細線とを備え、入射光を偏光分離する機能を有する光学素子の製造方法であって、前記基板の一面に前記グリッド部を形成するグリッド部形成工程と、前記グリッド部が形成された前記基板の一面に前記回折構造部に対応した回折構造部用レジストパターンを形成する回折構造部用レジストパターン形成工程と、前記回折構造部用レジストパターンを介して前記基板を厚さ方向に異方性エッチングすることで前記回折構造部を形成する回折構造部エッチング工程と、前記回折構造部を形成した前記基板の一面に対して斜め方向から反射材料を堆積させて前記グリッド部に前記細線を形成する細線形成工程と、を有することを特徴とする。

このように製造することで、基板の一面が平坦な状態でグリッド部を形成することができるので、短手方向の幅が均一なグリッド部を形成することができる。そして、均一な幅のグリッド部が形成された基板の一面のうち、レジストに覆われていない部分が基板の厚さ方向に異方性エッチングされる。これにより、グリッド部の短手方向の幅は変化せず、レジストに覆われていない部分が回折構造部の凹部となり、レジストに覆われた部分が回折構造部の凸部となる。したがって、本発明の製造方法によれば、凹部に形成されたグリッド部の短手方向の幅と、凸部に形成されたグリッド部の短手方向の幅と、を等しくすることができる。すなわち、回折構造部の凹部と凸部に短手方向の幅が均一なグリッド部を形成することができ、光学素子の光学性能を向上させることができる。

また、本発明の光学素子の製造方法は、前記グリッド部形成工程は、前記基板の一面にフォトリソグラフィ法により前記グリッド部に対応したグリッド部用レジストパターンを形成するグリッド部用レジストパターン形成工程と、前記グリッド部用レジストパターンを介して前記基板を厚さ方向に異方性エッチングするグリッド部エッチング工程と、を有することを特徴とする。

このように製造することで、基板の一面が平坦な状態でグリッド部用レジストパターン形成することができる。したがって、グリッド部用レジストパターンを形成する際の露光条件を均一にして、グリッド部のパターンに対応した短手方向の幅が均一なストライプ状のレジストパターンを形成することができる。

また、本発明の光学素子の製造方法は、前記グリッド部形成工程と前記回折構造部形成工程における前記異方性エッチングは同一のエッチングガスを用いたドライエッチングであることを特徴とする。

このように製造することで、異なる種類のエッチングガスを用いる場合と比較して製造工程及び製造装置を簡略化し、生産性を向上させ、製造コストを低減することができる。

また、本発明の光学素子の製造方法は、前記グリッド部用レジストパターン形成工程は、前記基板の一面にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を二束干渉露光により露光させる工程と、露光させた前記レジスト層を現像する工程と、を有することを特徴とする。

このように製造することで、平坦な基板上に形成された平坦なレジスト層を光の干渉により発生した干渉縞により露光させ、短手方向の幅が均一なストライプ状のレジストパターンを得ることができる。

また、本発明の光学素子の製造方法は、前記グリッド部を形成する工程において、前記グリッド部を前記凹部および前記凸部の延在方向と交差するように形成することを特徴とする。

このように製造することで、グリッド部の延在方向と、回折構造部の凹部及び凸部の延在方向と、を異ならせることができる。

また、本発明の光学素子は、基板と、前記基板の一面に交互に形成された複数の凹部および凸部からなる回折構造部と、前記回折構造部の表面に沿って所定のピッチで形成された複数のグリッド部と、前記グリッド部に前記グリッド部の延在方向に沿って設けられた細線とを備え、入射光を偏光分離する機能を有する光学素子であって、前記凹部に設けられた前記グリッド部の短手方向の幅と、前記凸部に設けられた前記グリッド部の短手方向の幅とが均一であることを特徴とする。

このように構成することで、凹部に設けられたグリッド部の短手方向の幅と、凸部に設けられグリッド部の短手方向の幅とが不均一である場合と比較して、光学素子の光学性能を向上させることができる。

また、本発明の光学素子は、前記凹部に設けられた前記細線の短手方向の幅と、前記凸部に設けられた前記細線の短手方向の幅とが均一であることを特徴とする。

このように構成することで、凹部に設けられた細線の短手方向の幅と、凸部に設けられ細線の短手方向の幅とが不均一である場合と比較して、光学素子の光学性能を向上させることができる。

本発明の実施の形態における光学素子の断面構造を示す模式図である。本発明の実施の形態における光学素子の製造方法の一例を示す模式工程図である。本発明の実施の形態における光学素子の製造方法の一例を示す模式工程図である。本発明の実施の形態における光学素子の製造方法の一例を示す模式工程図である。

以下、本発明の第一実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の各図面では、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を適宜変更している。
図１（ａ）は、本実施形態の光学素子の断面構造を示す模式図である。図１（ｂ）及び図１（ｃ）は図１（ａ）の拡大図である。

図１（ａ）に示すように、本実施形態の光学素子１は、基板２と、回折構造部３と、グリッド部４と、光吸収部５と、を備える。この光学素子１は、グリッド部４の作用により入射光を偏光分離する機能を有する。

基板２は、入射光の波長に対して透明な基板である。基板２としては、例えばガラス基板（石英基板）などの無機材料からなる基板が用いられる。基板２の厚さは、例えば０．７ｍｍ程度である。この基板２の一面側に回折構造部３が設けられている。また、基板２の他面は図示のように平面である。

回折構造部３は、基板２の一面側に設けられている。この回折構造部３は、交互に配列された複数の凹部３ａ及び凸部３ｂを有している。回折構造部３の凹部３ａと凸部３ａの周期及び深さは、基板２の構成材料の屈折率や入射光の波長に応じて所定の値に決定されている。例として緑の波長用には周期５００ｎｍ前後、深さ１００ｎｍ程度である。なお、図中では便宜上、各１つずつの凹部３ａおよび凸部３ｂについて符号を付している。

これらの凹部３ａおよび凸部３ｂからなる回折構造部３は、図示のようにその断面形状が矩形である。なお、多少のテーパを有する形状であってもよい。本実施形態では、回折構造部３は、基板２の一面側を加工することによって形成されている。すなわち、基板２と回折構造部３とは一体に構成されている。

グリッド部４は、基板２の一面側であって回折構造部３の上面に沿って設けられている。各々のグリッド部４上には、グリッド部４の延在方向に沿って一方向に延在する細線４ａが設けられている。なお、図中では便宜上、１つの細線４ａについてのみ符号を付している。本実施形態では、各グリッド部４は、基板２の一面側を加工することによって形成されている。ここで、基板２上にＳｉＯ_２等の薄膜を一旦形成して、これをグリッド部４に加工しても良い。また、各細線４ａは、例えばアルミニウム等の金属膜であるが、所望の反射率が得られれば、材料Ａｌに限定されない。

図１（ａ）においてはグリッド部４の断面形状は矩形状に表しているが、実際の光学素子１においては、グリッド部４の断面形状は図１（ｂ）に示す三角形状、あるいは図１（ｃ）に示す台形状であっても構わない。

グリッド部４の断面形状を図１（ｂ）に示す三角形状とする場合のグリッド部４の寸法は、例えば次の通りである。ピッチｄ：約１４４ｎｍ、幅（短手方向）Ｗ：約６０ｎｍ〜約８０ｎｍ、高さＨ：約１４０ｎｍ、細線４ａの幅ｗ：約１０ｎｍ〜約３０ｎｍ、細線４ａの高さｈ：約１０ｎｍ〜約３０ｎｍ、である。

また、グリッド部４の断面形状を図１（ｃ）に示す台形状とする場合のグリッド部４の寸法は、例えば次の通りである。ピッチｄ：約１４４ｎｍ、幅（短手方向）Ｗ：約６０ｎｍ〜約８０ｎｍ、高さＨ：約１５０ｎｍ、細線４ａの幅ｗ：約２０ｎｍ〜約５０ｎｍ、細線４ａの高さｈ：約１０ｎｍ〜約３０ｎｍ、である。

ここで、本実施形態の光学素子１においては、回折構造部３の凹部３ａに形成されたグリッド部４の短手方向の幅Ｗと、回折構造部３の凸部３ａに形成されたグリッド部４の短手方向の幅Ｗと、が略等しくなっている。また、回折構造部３の凹部３ａに形成された細線４ａの短手方向の幅ｗと、回折構造部３の凸部３ａに形成された細線４ａの短手方向の幅ｗと、が略等しくなっている。すなわち、凹部３ａと凸部３ａにおいて、グリッド部４の幅Ｗ及び細線４ａの幅ｗが均一に形成されている。

光吸収部５は、基板２の各端部に設けられている。この光吸収部５は、例えば暗色の樹脂膜である。この光吸収部５には、回折構造部３において生じ、基板２の他面と空気との界面において全反射された回折光が入射する。光吸収部５は、この入射した回折光を吸収し、あるいはその強度を減衰させる。なお、光吸収部５は、基板２の各端部に接して配置される場合のほか、基板２の各端部と離間した位置に設けられてもよい。

次に、本実施の形態の光学素子１の作用について説明する。
基板２のグリッド部４が形成された一面と反対側の他面から入射した入射光は、基板２を透過してグリッド部４へ入射する。グリッド部４への入射光は、各細線４ａの延在方向（長軸方向）と平行な偏光軸を有する成分（ＴＥ偏光成分）が反射され、各細線４ａの延在方向と直交する偏光軸を有する成分ｓ（ＴＭ偏光成分）がグリッド部４を透過する。すなわち、グリッド部４は入射光を互いに偏光状態の異なる反射光と透過光とに分離する機能（偏光分離機能）を有する。

グリッド部４によって反射されたＴＥ偏光成分は回折構造部３の作用により大きな角度で回折される。この回折されたＴＥ偏光成分は、空気と基板２との界面で全反射を生じることにより、基板２の内部を伝搬して基板２の端部へ進行する。上記のように基板２に光吸収部５が設けられている場合には、この基板２内部を伝搬したＴＥ偏光成分は光吸収部５によって吸収される。したがって、基板２に入射した入射光が光源側に戻ることを防止できる。

なお、各凹部３ａおよび凸部３ｂはグリッド部４の延在方向と交差するように設けられていてもよい。また、各凹部３ａおよび凸部３ｂは図１（ａ）に示したような一次元状の配列に限定されず、各凹部３ａおよび凸部３ｂが二次元状に配列されていてもよい。

次にこの光学素子１の製造方法の一例について説明する。
図３および図４は、光学素子１の製造方法の一例を示す模式工程図であり、光学素子１の断面の一部が拡大して示されている。

（グリッド部形成工程）
まず、図２（ａ）に示すように、例えばガラス基板（石英基板）などの無機材料からなる基板２を用意し、基板２の一面にグリッド部４を形成する。本工程は、例えば周知のフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて実現できる。
具体的には、まず、図２（ｂ）に示すように、基板２の一面上に感光膜（レジスト層）９を形成する。

次に、図２（ｃ）に示すように、基板２の一面上に形成された感光膜９に対して、レーザー干渉露光（二光束干渉露光）が行われる。レーザー干渉露光に用いられる光源としては、例えば波長２６６ｎｍの連続発振ＤＵＶ（Deep Ultra Violet）レーザーが挙げられる。このレーザーから出力されるレーザー光を適宜２本のレーザー光に分岐し、図示のように所定の角度θ_Ｌで交叉させる。それにより、周期的な明暗からなる干渉縞を含む光（干渉光）が発生する。

干渉縞のピッチ（明暗の周期）は上記の交叉角度θ_Ｌによって決まる。例えば、交叉角度θ_Ｌを約７２°に設定することにより、干渉縞のピッチを約１４４ｎｍとすることができる。このような干渉光を感光膜９に照射することにより、感光膜９には干渉縞のピッチに対応した潜像パターンが形成される。このとき、感光膜９の下側に反射防止膜が設けられていてもよい。

次に、図３（ａ）に示すように、干渉光を用いて潜像パターンが形成された感光膜９が現像される。それにより、図示のように干渉縞のピッチに対応した周期を有する感光膜パターン（グリッド部用レジストパターン）９ａが形成される。例えば、干渉縞のピッチを約１４４ｎｍとした場合には、この感光膜パターン９ａの周期も概ね１４４ｎｍとなる（グリッド部用レジストパターン形成工程）。

次に、感光膜パターン９ａをマスクとして基板２を厚さ方向にエッチング（例えば、異方性ドライエッチング）する。これにより、感光膜パターン９ａのパターンが基板２に転写される。その後、感光膜パターン９ａが除去される。これにより、図３（ｂ）に示すように、基板２の一面上に、グリッド部４が形成される（グリッド部エッチング工程）。このとき、エッチング条件を調整することで、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すような断面形状を有するグリッド部４を形成することができる。なお、グリッド部４は、凹部３ａおよび凸部３ｂの延在方向と交差するように形成してもよい。

（回折構造部用レジストパターン形成工程）
次に、基板２の一面に凹部３ａおよび凸部３ｂからなる回折構造部３を形成する。具体的には、グリッド部４が形成された基板２の一面上に感光膜（レジスト膜等）を形成しておき、各凹部３ａおよび凸部３ｂに対応した露光パターンを有する露光マスクを用いてこの感光膜を露光し、現像する。これにより、図３（ｃ）に示すように、感光膜パターン（回折構造部用レジストパターン）１０ａが形成される。

（回折構造部エッチング工程）
次に、図３（ｃ）に示す感光膜パターン１０ａをエッチングマスクとして用い、グリッド部を形成する際に用いたエッチングガスと同一のエッチングガスにより、基板２を厚さ方向に異方性ドライエッチングする。そして、感光膜パターン１０ａを除去する。これにより、図４（ａ）に示すように、露光マスクのパターンが基板２の一面に転写され、所定の凹凸形状を有する回折構造部３が形成される。

このとき、感光膜パターン１０ａから露出したグリッド部４は、幅Ｗ方向には殆どエッチングされず、基板２の厚さ方向に基板２と同様にエッチングされる。そのため、回折構造部３の凹部３ａにおけるグリッド部４の幅Ｗ及び高さＨは、凸部３ｂにおけるグリッド部４の幅Ｗ及び高さＨと略等しくなる。
実験的には回折構造部３の凹部３ａの深さが約１００ｎｍ程度取れるまでエッチングした場合に凹部３ａのグリッド部４の幅Ｗはほとんど変わらず、高さＨは１０ｎｍ程度低くなる事が確認されている。この場合には、本実施形態の光学素子１としては申し分のないグリッド形状が維持できる事が判っている。

（細線形成工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、回折構造部３を形成した基板２の一面に対して斜め方向からＡｌ等の反射材料を堆積させてグリッド部４に細線４ａを形成する。細線４ａの形成は、例えば公知の斜方スパッタ法や、斜方蒸着法により行うことができる。これにより、回折構造部３の凹部３ａ及び凸部３ｂにおける各々のグリッド部４上に均一な幅の細線４ａを形成することができる。最後に、図１（ａ）に示すように、基板２の端部に光吸収部５を形成する。これにより、光学素子１が完成する。

本実施形態の光学装置１の製造方法によれば、グリッド部４を形成する際に、図２（ｃ）に示すように、基板２の一面が平坦な状態で二光束干渉露光により感光膜９を露光させることができる。これにより、基板２の一面における感光膜９の露光条件を均一にすることができる。したがって、図３（ａ）に示すように、グリッド部４のパターンに対応した短手方向の幅が均一なストライプ状の感光膜パターン９ａを形成することができる。これにより、図３（ｂ）に示すように、短手方向の幅Ｗが均一なグリッド部４を形成することができる。

そして、均一な幅Ｗのグリッド部４が形成された基板２の一面のうち、図３（ｃ）に示す感光膜パターン１０ａから露出された部分が基板２の厚さ方向に異方性エッチングされる。これにより、グリッド部４の短手方向の幅Ｗは変化せず、感光膜パターン１０ａから露出された部分が、図４（ａ）に示す回折構造部３の凹部３ａとなる。また、図３（ｃ）に示す感光膜パターン１０ａに覆われた部分が、図４（ａ）に示す回折構造部３の凸部３ａとなる。

したがって、本実施形態の偏光素子１の製造方法によれば、回折構造部３の凹部３ａに形成されたグリッド部４の短手方向の幅Ｗと、凸部３ｂに形成されたグリッド部４の短手方向の幅Ｗと、を等しくすることができる。すなわち、回折構造部３の凹部３ａと凸部３ｂに短手方向の幅Ｗが均一なグリッド部４を形成することができ、光学素子１の光学性能を向上させることができる。

また、従来の技術ではグリッド部を反射率の高いＡｌにより形成する場合はレジストを塗布する前に反射防止膜を形成する必要がある。また、Ａｌのエッチングのために塩素ガスに対して高い選択比を得るためのハードマスクを形成する必要がある。
しかし、本実施形態によれば、反射率の低い透明基板上にレジストを形成できるために反射防止膜が不要となる。また、ＳｉＯ_２系の透明基板のエッチングは容易であるためにハードマスクが不要となる。また、グリッド部４の異方性エッチングと回折構造部３の異方性エッチングとを同一のエッチングガス(フッ素系)により行う事ができる。
したがって、従来の技術に対して製造工程及び製造装置を簡略化し、生産性を向上させ、製造コストを低減する事ができると言う長所も有する。

また、本実施形態の光学素子１は、回折構造部３の凹部３ａに形成されたグリッド部４の短手方向の幅Ｗと、回折構造部３の凸部３ａに形成されたグリッド部４の短手方向の幅Ｗと、が略等しくなっている。したがって、凹部３ａに設けられたグリッド部４の短手方向の幅Ｗと、凸部３ｂに設けられグリッド部４の短手方向の幅Ｗとが不均一である場合と比較して、光学素子１の光学性能を向上させることができる。

また、回折構造部３の凹部３ａに形成された細線４ａの短手方向の幅ｗと、回折構造部３の凸部３ａに形成された細線４ａの短手方向の幅ｗと、が略等しくなっている。すなわち、凹部３ａと凸部３ａにおいて、グリッド部４の幅Ｗ及び細線４ａの幅ｗが均一に形成されている。したがって、凹部３ａに設けられた細線４ａの短手方向の幅と、凸部３ｂに設けられた細線４ａの短手方向の幅Ｗとが不均一である場合と比較して、光学素子１の光学性能を向上させることができる。

尚、この発明は上述した実施の形態に限られるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、グリッド部の断面形状は上述の実施形態において説明した形状に限られない。また、グリッド部の寸法は上述の実施形態に限定されない。また、細線の形成に用いられる材料は金属でなくてもよい。

１：光学素子、２：基板、３：回折構造部、３ａ：凹部、３ｂ：凸部、４：グリッド部、４ａ：細線、５：光吸収部、６：反射防止膜、９：感光膜、９ａ：感光膜パターン（グリッド部用レジストパターン）、１０ａ：感光膜パターン（回折構造部用レジストパターン）

Claims

基板と、前記基板の一面に交互に形成された複数の凹部および凸部からなる回折構造部と、前記回折構造部の表面に沿って所定のピッチで形成された複数のグリッド部と、前記グリッド部に前記グリッド部の延在方向に沿って設けられた細線とを備え、入射光を偏光分離する機能を有する光学素子の製造方法であって、
前記基板の一面に前記グリッド部を形成するグリッド部形成工程と、
前記グリッド部が形成された前記基板の一面に前記回折構造部に対応した回折構造部用レジストパターンを形成する回折構造部用レジストパターン形成工程と、
前記回折構造部用レジストパターンを介して前記基板を厚さ方向に異方性エッチングすることで前記回折構造部を形成する回折構造部エッチング工程と、
前記回折構造部を形成した前記基板の一面に対して斜め方向から反射材料を堆積させて前記グリッド部に前記細線を形成する細線形成工程と、
を有することを特徴とする光学素子の製造方法。
前記グリッド部形成工程は、
前記基板の一面にフォトリソグラフィ法により前記グリッド部に対応したグリッド部用レジストパターンを形成するグリッド部用レジストパターン形成工程と、
前記グリッド部用レジストパターンを介して前記基板を厚さ方向に異方性エッチングするグリッド部エッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子の製造方法。
前記グリッド部形成工程と前記回折構造部形成工程における前記異方性エッチングは同一のエッチングガスを用いたドライエッチングであることを特徴とする請求項２記載の光学素子の製造方法。
前記グリッド部用レジストパターン形成工程は、
前記基板の一面にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を二束干渉露光により露光させる工程と、
露光させた前記レジスト層を現像する工程と、
を有することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の光学素子の製造方法。
前記グリッド部形成工程において、前記グリッド部を前記凹部および前記凸部の延在方向と交差するように形成することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法。
基板と、前記基板の一面に交互に形成された複数の凹部および凸部からなる回折構造部と、前記回折構造部の表面に沿って所定のピッチで形成された複数のグリッド部と、前記グリッド部に前記グリッド部の延在方向に沿って設けられた細線とを備え、入射光を偏光分離する機能を有する光学素子であって、
前記凹部に設けられた前記グリッド部の短手方向の幅と、前記凸部に設けられた前記グリッド部の短手方向の幅とが均一であることを特徴とする光学素子。
前記凹部に設けられた前記細線の短手方向の幅と、前記凸部に設けられた前記細線の短手方向の幅とが均一であることを特徴とする請求項６記載の光学素子。