JP2010169722A5 - - Google Patents
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Description
また、本発明の光学素子の製造方法は、前記グリッド部用レジストパターン形成工程は、前記基板の一面にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を二光束干渉露光により露光させる工程と、露光させた前記レジスト層を現像する工程と、を有することを特徴とする。
また、本発明の光学素子の製造方法は、前記回折構造部エッチング工程において、前記グリッド部が前記凹部および前記凸部の延在方向と交差するように前記凹部および前記凸部を形成することを特徴とする。
Claims (7)
- 基板と、前記基板の一面に交互に形成された複数の凹部および凸部からなる回折構造部と、前記回折構造部の表面に沿って所定のピッチで形成された複数のグリッド部と、前記グリッド部に前記グリッド部の延在方向に沿って設けられた細線とを備え、入射光を偏光分離する機能を有する光学素子の製造方法であって、
前記基板の一面に前記グリッド部を形成するグリッド部形成工程と、
前記グリッド部が形成された前記基板の一面に前記回折構造部に対応した回折構造部用レジストパターンを形成する回折構造部用レジストパターン形成工程と、
前記回折構造部用レジストパターンを介して前記基板を厚さ方向に異方性エッチングすることで前記回折構造部を形成する回折構造部エッチング工程と、
前記回折構造部を形成した前記基板の一面に対して斜め方向から反射材料を堆積させて前記グリッド部に前記細線を形成する細線形成工程と、
を有することを特徴とする光学素子の製造方法。 - 前記グリッド部形成工程は、
前記基板の一面にフォトリソグラフィ法により前記グリッド部に対応したグリッド部用レジストパターンを形成するグリッド部用レジストパターン形成工程と、
前記グリッド部用レジストパターンを介して前記基板を厚さ方向に異方性エッチングするグリッド部エッチング工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の光学素子の製造方法。 - 前記グリッド部形成工程と前記回折構造部形成工程における前記異方性エッチングは同一のエッチングガスを用いたドライエッチングであることを特徴とする請求項２記載の光学素子の製造方法。
- 前記グリッド部用レジストパターン形成工程は、
前記基板の一面にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を二光束干渉露光により露光させる工程と、
露光させた前記レジスト層を現像する工程と、
を有することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の光学素子の製造方法。 - 前記回折構造部エッチング工程において、前記グリッド部が前記凹部および前記凸部の延在方向と交差するように前記凹部および前記凸部を形成することを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の光学素子の製造方法。
- 基板と、前記基板の一面に交互に形成された複数の凹部および凸部からなる回折構造部と、前記回折構造部の表面に沿って所定のピッチで形成された複数のグリッド部と、前記グリッド部に前記グリッド部の延在方向に沿って設けられた細線とを備え、入射光を偏光分離する機能を有する光学素子であって、
前記凹部に設けられた前記グリッド部の短手方向の幅と、前記凸部に設けられた前記グリッド部の短手方向の幅とが均一であることを特徴とする光学素子。 - 前記凹部に設けられた前記細線の短手方向の幅と、前記凸部に設けられた前記細線の短手方向の幅とが均一であることを特徴とする請求項６記載の光学素子。
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