JP4457854B2 - 偏光子、液晶パネルおよび投射型表示装置 - Google Patents

偏光子、液晶パネルおよび投射型表示装置 Download PDF

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Description

本発明は、偏光子、液晶パネルおよび投射型表示装置に関し、特に、反射型の偏光子、および当該偏光子を備える液晶パネルおよび投射型表示装置に関する。
液晶プロジェクタなどの投射型表示装置に搭載される液晶パネルは、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を主体として構成されており、当該一対の基板には、液晶層に電圧を印加するための電極が設けられている。
液晶パネルとしては、一方の基板側から入射した光が、液晶層を透過し、他方の基板側から出射した光を視認する透過型液晶パネルが知られている。透過型液晶パネルでは、一対の基板の外側に、特定の偏光のみを透過する偏光子を設けることにより、電圧無印加時、電圧印加時における液晶層内の液晶分子の配列を光学的に識別し、表示を行う構成になっている。
従来より、偏光子として、特定の偏光成分のみを透過し、それ以外の偏光成分を吸収する有機材料からなる光吸収型偏光子が広く用いられてきた。一方、例えば投射型表示装置において、スクリーン上に見やすく明るい映像を投影するためには、高輝度な光源を用いる必要がある。
光源の高輝度化とともに、偏光子での光の吸収量が増大し、偏光子の温度が高くなり、その結果、偏光子が劣化して画像表示装置の耐久性が低下するという問題があった。この問題は、ある程度偏光方向が揃っている光束が液晶パネルへ光が入射する入射側に配置された偏光子よりも、特に黒表示時には全ての光束を吸収する必要がある液晶パネルからの光の出射側の偏光子において特に顕著であった。
この問題は、偏光子として、ガラス基板の表面に構造複屈折体、すなわちアルミニウムなどの金属材料からなる光反射体を光の波長よりも短いピッチで複数ストライプ状に形成した光反射型偏光子を用いることで、改善することが知られている(例えば、特許文献1から5参照)。光反射型偏光子は、特定の偏光成分のみを透過し、それ以外の偏光成分を反射するため、光吸収型偏光子に比較して高温化および劣化が免れ、結果画像表示装置の耐久性を改善できる。
特開2003−202574号公報 特開2003−75823号公報 特開2003−5170号公報 特開2003−167246号公報 特開2003−295209号公報 特開2003−279734号公報
しかしながら、従来の光反射型偏光子では不要な光を正反射しているため、問題が生じる場合がある。例えば、反射型偏光子を液晶パネルの光出射側に配置した場合には、反射型偏光子で反射した光が液晶パネルのTFT基板上に形成された画素駆動回路パターンや、対向基板上に形成されたブラックマトリクスパターンで再び反射し、反射の際に偏光状態が乱れるため、再度出射側の光反射側偏光子に到達した際に透過する偏光成分が発生し、投射レンズを通って望ましくない光がスクリーン上に投影され、結果コントラストの低下や、画品位の低下を引き起こすという懸念があった。
この問題に対しては、特許文献6のように、構造複屈折体を形成する材料として、光吸収性の材料を使用して反射光を吸収することにより、一定の効果があることが期待できる。しかしこの方法によると、本来反射していた偏光成分を吸収するため、もともとの目的に反して温度の上昇とそれに伴う劣化がおこる可能性がある。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、反射型の偏光子であって、正反射せずに角度をつけて反射する偏光子を提供することにある。
本発明の他の目的は、不要な偏光成分を角度をつけて反射する反射型の偏光子を備えることにより、偏光子の温度上昇による劣化、および正反射による迷光の発生を防止して、長寿命化および高画質化を図ることができる液晶パネルおよび投射型表示装置を提供することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の偏光子は、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性基板と、前記光透過性基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、前記光反射体を覆う光透過性被覆層とを有し、前記光透過性被覆層の屈折率と、前記光透過性基板の屈折率とが略等しい。
上記の本発明の偏光子では、入射する光の波長よりも短いピッチでストライプ上に複数の光反射体が配列されていることから、複数の光反射体に光が到達すると、当該光反射体のストライプに垂直な偏光成分が透過し、光反射体のストライプに平行な偏光成分は反射する。
ここで、上記の光反射体は、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性基板に形成されている。したがって、光透過性基板の凸面の光反射体により反射された偏光成分と、光透過性基板の凹面の光反射体により反射された偏光成分との干渉が生じ0次光は打ち消される。この結果、反射光は1次光以上の光となる。
上記の目的を達成するため、本発明の液晶パネルは、液晶層と、前記液晶層を挟む2つの基板とを有し、前記2つの基板のうちの少なくとも1つの基板は反射型偏光子を備え、
前記反射型偏光子は、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性の前記基板と、前記基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、前記光反射体を覆う光透過性被覆層とを有し、前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい。
上記の本発明の液晶パネルでは、液晶層を挟む2つの基板のうちの少なくとも1つの基板には、入射する光の波長よりも短いピッチでストライプ上に複数の光反射体が配列されていることから、複数の光反射体に光が到達すると、当該光反射体のストライプに垂直な偏光成分が透過し、光反射体のストライプに平行な偏光成分は反射する。
ここで、上記の光反射体は、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された基板に形成されている。したがって、基板の凸面の光反射体により反射された偏光成分と、基板の凹面の光反射体により反射された偏光成分との干渉が生じ0次光は打ち消される。この結果、反射光は1次光以上の光となる。
このように、不要な偏光成分については角度をつけて反射させることから、反射光は入射光の光路とは逸れる。このため、当該光路に存在する液晶パネル中の部材によって反射されたとしても、表示に影響はない。
上記の目的を達成するため、本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源から出射された光の偏光方向を規制する第1の偏光子と、前記第1の偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、前記液晶パネルにより変調された光を透過または遮断する第2の偏光子と、前記第2の偏光子を透過した光を投射する投射手段とを有し、少なくとも前記第1あるいは前記第2の偏光子のいずれかは、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性基板と、前記光透過性基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、前記光反射体を覆う光透過性被覆層とを有し、前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい。
上記の本発明の投射型表示装置では、第1の偏光子により光の偏光方向が規制された偏光が液晶パネルに入射する。液晶パネルでは偏光が変調される。液晶パネルにより変調された光は第2の偏光子により透過または遮断される。
第1あるいは第2の偏光子として、上記した本発明の偏光子を用いることにより、光反射体のストライプに垂直な偏光成分が透過し、光反射体のストライプに平行な偏光成分は所定の角度をもって反射される。
このように、不要な偏光成分については角度をつけて反射させることから、反射光は入射光の光路とは逸れる。このため、当該光路に存在する液晶パネルあるいは他の光学素子によって反射されたとしても、表示に影響はない。
上記の目的を達成するため、本発明の投射型表示装置は、光源と、前記光源からの光を変調する液晶パネルと、前記液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段とを有し、前記液晶パネルは、液晶層と、前記液晶層を挟む2つの基板とを有し、前記2つの基板のうちの少なくとも1つの基板は反射型偏光子を備え、前記反射型偏光子は、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性の前記基板と、前記基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、前記光反射体を覆う光透過性被覆層とを有し、前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい。
上記の本発明の投射型表示装置では、光源からの光は液晶パネルにより変調され、液晶パネルにより変調された光が投射手段により投射される。
ここで、液晶パネルの2つの基板のうちの一方が、上記した本発明の偏光子の構造を備えることにより、光反射体のストライプに垂直な偏光成分が透過し、光反射体のストライプに平行な偏光成分は所定の角度をもって反射される。
このように、不要な偏光成分については角度をつけて反射させることから、反射光は入射光の光路とは逸れる。このため、当該光路に存在する液晶パネル中の部材あるいは他の光学素子によって反射されたとしても、表示に影響はない。
上記の目的を達成するため、本発明の投射型表示装置は、光を照射する照明手段と、前記照明手段からの光を複数の色光に分離する複数の色分離手段と、各色分離手段により分離された各色光を変調する複数の液晶パネルと、各前記液晶パネルにより変調された各色光を合成する色合成手段と、合成した各色光の画像を拡大投射する投射手段とを有し、前記液晶パネルへの色光の入射側、あるいは前記液晶パネルからの色光の出射側に、反射型偏光子が設けられ、前記反射型偏光子は、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性基板と、前記光透過性基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、前記光反射体を覆う光透過性被覆層とを有し、前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい。
上記の本発明の投射型表示装置では、照明手段により照射された光は、複数の色分離手段により複数の色光に分離され、各色光はそれぞれ別々の液晶パネルに入射する。液晶パネルでは、入射した各色光が変調される。各液晶パネルにより変調された各色光は、色合成手段により合成されて、投射手段により合成した各色光の画像が投射される。
ここで、液晶パネルへの色光の入射側、あるいは液晶パネルからの色光の出射側に、本発明の偏光子を設けることにより、光反射体のストライプに垂直な偏光成分が透過し、光反射体のストライプに平行な偏光成分は所定の角度をもって反射される。
このように、不要な偏光成分については角度をつけて反射させることから、反射光は入射光の光路とは逸れる。このため、当該光路に存在する液晶パネルあるいは他の光学素子によって反射されたとしても、表示に影響はない。
上記の目的を達成するため、本発明の投射型表示装置は、光を照射する照明手段と、前記照明手段からの光を複数の色光に分離する複数の色分離手段と、各色分離手段により分離された各色光を変調する複数の液晶パネルと、各前記液晶パネルにより変調された各色光を合成する色合成手段と、合成した各色光の画像を拡大投射する投射手段とを有し、前記液晶パネルは、液晶層と、前記液晶層を挟む2つの基板とを有し、前記2つの基板のうちの少なくとも1つの基板は反射型偏光子を備え、前記反射型偏光子は、入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性の前記基板と、前記基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、前記光反射体を覆う光透過性被覆層とを有し、前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい。
上記の本発明の投射型表示装置では、照明手段により照射された光は、複数の色分離手段により複数の色光に分離され、各色光はそれぞれ別々の液晶パネルに入射する。液晶パネルでは、入射した各色光が変調される。各液晶パネルにより変調された各色光は、色合成手段により合成されて、投射手段により合成した各色光の画像が投射される。
ここで、液晶パネルの2つの基板のうちの一方が、上記した本発明の偏光子の構造を備えることにより、光反射体のストライプに垂直な偏光成分が透過し、光反射体のストライプに平行な偏光成分は所定の角度をもって反射される。
このように、不要な偏光成分については角度をつけて反射させることから、反射光は入射光の光路とは逸れる。このため、当該光路に存在する液晶パネル中の部材あるいは他の光学素子によって反射されたとしても、表示に影響はない。
本発明の偏光子によれば、光反射体のストライプに垂直な偏光成分は透過し、光反射体のストライプに平行な偏光成分については角度をつけて反射することができる。
上記の偏光子を備えた液晶パネルおよび投射型表示装置によれば、不要な光を反射させることから偏光子の温度上昇による劣化が低減され、長寿命化を図ることができる。また、偏光子は不要な偏光成分については角度をつけて反射させることから、反射光は入射光の光路とは逸れる。このため、当該光路に存在する液晶パネルや他の光学素子によって反射されたとしても、表示に影響はない。この結果、液晶パネルおよび投射型表示装置の高画質化を図ることができる。
以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
(第1実施形態)
図1は、本実施形態に係る投射型液晶表示装置の全体構成の一例を示す図である。図1に示す投射型液晶表示装置は、透過型の液晶パネルを3枚用いてカラー画像表示を行ういわゆる3板方式のものである。
投射型液晶表示装置は、本発明の照明手段として、光を出射する光源1と、一対の第1および第2フライアイレンズ2,3と、PS分離合成素子4と、コンデンサレンズ5とを有する。
光源1は、カラー画像表示に必要とされる、赤色光、青色光、緑色光を含んだ白色光を出射する。光源1は、白色光を発する発光体と、発光体から発せられた光を反射、集光する凹面鏡を有する。発光体として、例えば、ハロゲンランプ、メタルハライドランプまたはキセノンランプなどが使用される。凹面鏡は、集光効率がよい形状であることが望ましく、例えば回転楕円面鏡や回転放物面鏡等の回転対象な面形状となっている。
第1フライアイレンズ2および第2フライアイレンズ3には、それぞれ複数のマイクロレンズが2次元的に配列されている。第1フライアイレンズ2および第2フライアイレンズ3は、光の照度分布を均一化させるためのものであり、入射した光を複数の小光束に分割する機能を有する。
PS分離合成素子4は、第2フライアイレンズ3における隣り合うマイクロレンズ間に対応する位置に、複数の1/2波長板を有する。PS分離合成素子4は、入射した光をP偏光成分とS偏光成分とに分離する。また、PS分離合成素子4は、分離された2つの偏光のうち、一方の偏光をその偏光方向(例えばP偏光)を保ったまま出射し、他方の偏光(例えば、S偏光)を1/2波長板の作用により、他の偏光成分(例えば、P偏光成分)に変換して出射する。
色分離フィルタ(色分離手段)6は、コンデンサレンズ5を介して入射した光を、例えば青色光LBとその他の色光(赤色光および緑色光)とに分離する。色分離フィルタ6は、例えば、入射した光のうち、青色光LBを反射し、他の色光(赤色光および緑色光)を透過するダイクロイックミラーにより構成される。
色分離フィルタ6によって分離された青色光LBの光路に沿って、ミラー8−1が設けられている。ミラー8−1は、色分離フィルタ6によって分離された青色光LBを液晶パネル12Bに向けて反射する。
色分離フィルタ6によって分離された他の色光の光路には、色分離フィルタ(色分離手段)7が設けられている。色分離フィルタ7は、入射した光を例えば緑色光LGと赤色光LRとに分離する。色分離フィルタ7は、例えば、入射した光のうち、緑色光LGを反射し、赤色光LRを透過するダイクロイックミラーにより構成される。
色分離フィルタ7によって分離された赤色光LRの光路には、リレーレンズ9−1と、ミラー8−2と、リレーレンズ9−2と、ミラー8−3とが順に配置されている。
ミラー8−2は、リレーレンズ9−1を介して入射した赤色光LRをミラー8−3に向けて反射する。ミラー8−3は、ミラー8−2によって反射され、リレーレンズ9−2を介して入射した赤色光LRを、液晶パネル12Rへ向けて反射する。
ミラー8−1によって反射された青色光LBの光路には、フィールドレンズ10B、入射側偏光子11B、液晶パネル12B、出射側偏光子13Bが順に配置されている。
入射側偏光子11Bは、入射する青色光LBの偏光方向を一方向に規制する。
液晶パネル12Bは、マトリクス状に配置された画素と、画素を駆動する回路を有するTFT基板と、TFT基板と対向する対向基板と、TFT基板と対向基板との間に挟持された液晶とを備える。液晶パネル12Bに入射した青色光は、各々の画素への電圧の印加、または非印加によりその偏光方向が変調され、または変調されずに透過する。
出射側偏光子13Bは、液晶パネル12Bで画素ごとに変調され、または変調されずに透過した青色光LBのうち、特定の偏光成分を透過し、それ以外の偏光成分を遮光する。
色分離フィルタ7によって反射された緑色光LGの光路には、フィールドレンズ10G、入射側偏光子11G、液晶パネル12G、出射側偏光子13Gが順に配置されている。フィールドレンズ10G、入射側偏光子11G、液晶パネル12G、出射側偏光子13Gの構成については、フィールドレンズ10B、入射側偏光子11B、液晶パネル12B、出射側偏光子13Bと同様である。
ミラー8−3によって反射された赤色光LRの光路には、フィールドレンズ10R、入射側偏光子11R、液晶パネル12R、出射側偏光子13Rが順に配置されている。フィールドレンズ10R、入射側偏光子11R、液晶パネル12R、出射側偏光子13Rの構成については、フィールドレンズ10B、入射側偏光子11B、液晶パネル12B、出射側偏光子13Bと同様である。
液晶パネル12Bを透過した青色光LB、液晶パネル12Gを透過した緑色光LG、液晶パネル12Rを透過した赤色光LRの光路が交わる位置に、3つの色光LG,LB,LRを合成するダイクロイックプリズム(色合成手段)14が配置されている。
投射レンズ(投射手段)15は、ダイクロイックプリズム14により合成された光を、スクリーン16に拡大投影させる。
以上の構成により、スクリーン16上にフルカラーの拡大画像が投影される。
図2は、図1に示す入射側偏光子(第1の偏光子)11B、11G,11Rあるいは出射側偏光子(第2の偏光子)13B、13G,13Rに用いられる反射型偏光子の構成を説明するための図である。図3は、図2に示す反射型偏光子の断面図である。
偏光子は、光透過性基板20と、光反射体22と、光反射体22を覆う光透過性被覆層23とを有する。光透過性基板20の表面には、入射する光の波長よりも長いピッチで規則的な凹凸構造(段差)21が形成されている。光透過性基板20は、例えば石英基板である。光透過性基板20の凹凸構造21は、y方向に伸びる深さ94.2nmのストライプ状の溝が、例えばピッチ1000nmでx方向に等間隔で配置されたものである。
この光透過性基板20上には、入射する光の波長よりも短いピッチでストライプ状に規則的に配列された複数の光反射体22が形成されている。光反射体22は、例えば、凹凸構造21のストライプと平行なストライプ状に、ピッチ100nm、膜厚100nmで成膜されたアルミニウムパターンからなる。
光透過性基板20の凹凸構造21および光反射体22を被覆して、光透過性被覆層23が形成されている。光透過性被覆層23の表面は平坦化されている。光透過性被覆層23は、光透過性基板20の屈折率と略等しい材料により構成される。例えば、光透過性被覆層23は、酸化シリコン(SiO)からなる。
上記の反射型偏光子は、入射した光のうち、光反射体22のストライプに垂直な偏光成分を透過し、光反射体22のストライプに平行な偏光成分についてはxz面内においてz方向から角度θをもって反射させる。この原理について以下に説明する。
一般に、入射する光の波長よりも短いピッチで、ストライプ状に配置された複数の媒質M1を有し、その間隙に媒質M2が充填されているような構造、すなわち構造複屈折体においては、媒質M1の屈折率nと媒質M2の屈折率nが異なるため、構造複屈折体に入射した光の偏光方向により有効屈折率が異なる。ストライプに平行な偏光成分についての有効屈折率nと、ストライプに垂直な偏光成分の有効屈折率nは、下記式(1)および(2)のように表される。
[数1]
=sqrt((αn +βn )/(α+β))…(1)
[数2]
=sqrt((α+β)/(α/n +β/n ))…(2)
上記式(1)および(2)において、αは媒質M1のストライプの幅、βは媒質M2のストライプの幅で、α+βが周期構造のピッチとなる。また、sqrtは、平行根(square root)を示す。
媒質M1が金属で媒質M2が誘電体の場合、媒質M1の屈折率は複素数で表され、式(1)で表されるnと式(2)で表されるnはともに複素数となるが、nの虚数部はnの虚数部よりも遥かに大きくなる。
その結果ストライプに平行な偏光成分は反射し、ストライプに垂直な偏光成分は透過するため、光反射型偏光子としての機能を有することになる。上記式(1)、(2)より、α+βつまり光反射体22のストライプのピッチが短いほど、nの虚数部がより大きく、nの虚数部がより小さくなるため、より良好な反射および透過特性が得られるが、ピッチが小さくなるほど製造が困難になるという課題がある。したがって、十分な反射および透過特性が得られ、かつ製作が可能なピッチとして50nm〜200nm程度が好ましい。
図3に図解したように、光透過性基板20側から入射した波長400〜700nmの光Lは、ストライプ状の光反射体22によるミクロな周期構造によって、光反射体22のストライプに平行な偏光成分LR1は反射し、ストライプに垂直な偏光成分LTは透過する。
ここで、光反射体22のストライプにより反射される偏光成分LR1の方向について考える。光透過性基板20には、光反射体22による規則的な構造の他、光透過性基板20の表面に例えばピッチ1000nm、深さ94.2nmのストライプ状の凹凸によるマクロな凹凸構造21が形成されている。
したがって、この凹凸構造21の凸面の光反射体22により反射された光と、凹凸構造21の凹面の光反射体22により反射された光とで干渉が生じる。ここで、本実施形態ではこの干渉により0次光を打ち消すことにより、1次光以上の光を反射させる。これについて説明する。
一般に、波長よりも長いピッチを有する周期構造に光が垂直に入射した場合、入射光は、下記式(3)を満たす角度θの方向に反射回折する。
[数3]
d・sinθ=Nλ …(3)
上記式(3)において、dはマクロな凹凸構造21のピッチ、Nは種々の回折次数のうちのN次の回折、λは光の波長とする。N=0のときθ=0となるが、これは0次回折光つまり正反射光である。通常、種々の回折光のうちこの0次回折光の光量が一番大きい。
ところが、凹凸構造21の深さhを適切に設定すると、0次回折光を発生させないことが可能であることが知られている。その条件は、基板の屈折率をnとして、下記式(4)で示される。
[数4]
nh=λ/4 …(4)
一方、凹凸構造21の上面で反射した0次光と、凹凸構造21の底面で反射した0次光との位相差φに注目すると、往復の光路を考慮して、位相差φは下記式(5)で示される。
[数5]
φ=2nh・2π/λ …(5)
上記式(5)に式(4)を代入するとφ=πとなる。したがって、上記式(4)を満足するようにhを設定すると、凹凸構造21の凸面の光反射体22により反射された0次光と、凹凸構造21の凹面の光反射体22により反射された0次光との位相差がπとなり、互いに振幅を打ち消し合い、結果0次光は完全に消滅する。このとき、回折1次光が、種々の回折光のうち最大の光量となる。
したがって、凹凸構造21の深さh=94.2nmは、入射光の波長λ=550nm、光透過性基板20(石英基板)の屈折率n=1.46のとき上記式(4)を満たしており、入射したλ=550nm(緑色光LG)の光束は上記式(5)よりφ=πとなって、0次光は発生せず、1次以上の回折光として反射する。このとき、1次光の回折角は上記式(3)よりθ=33.4°となる。
一般的な画像投影装置の投射レンズ15のF値は最小でも1.5であり、これは角度にして20°以下である。したがって、反射型偏光子で反射回折した光は、例え迷光となって予期せぬ方向に進んだとしても、投射レンズ15で取り込むことができないためスクリーン16に到達することができず、画像のコントラストや画品位の低下をおこすことがない。
なお、上記では、緑色光LGの波長λ=550nmに適した構造の例を示したが、λ=470nm(青色光LB)やλ=630nm(赤色光LR)においても、上記式(4)を満たすようにhを設定すれば、それぞれの波長において0次光を消滅することができる。したがって、投射型表示装置の出射側偏光子13R,13G,13Bとしてそれぞれ入射光の波長に適したhをもつ反射型偏光子を採用することが好ましい。入射側偏光子11R、11G,11Bに上記した反射型偏光子を採用する場合についても同様である。
また光線の入射角を0°(垂直)として説明したが、一般的な画像投影装置で想定される入射角12〜13°程度以内であれば、完全でなくとも、十分に0次光の光量を低減することが可能である。
一方、光反射体22のストライプに垂直な偏光成分は、そのまま透過する。光反射体22および凹凸構造21は、光透過性被覆層23で被覆されており、光透過性被覆層23の屈折率は光透過性基板20の屈折率とほぼ等しい。したがって境界面が存在しない。このとき、透過する光束に対しては凹凸構造21は存在しておらず、光束は回折等を起こさずにそのまま直進し、本来必要な光束がスクリーン16に到達することができる。
次に、上記の本実施形態に係る反射型偏光子の製造方法について説明する。以下では、フォトリソグラフィー技術を用いたドライエッチング法により反射型偏光子を製造する例について説明するが、これに限定されるものではない。
まず、光透過性基板20上にレジストを塗布し、1000nmピッチのストライプパターンを紫外線露光により転写、現像することにより、光透過性基板20上にレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをエッチングマスクとして、光透過性基板20が露出した部分をドライまたはウェットエッチングすることにより、例えば、ピッチ1000nm、深さ94.2nmのストライプ状の凹凸構造21を形成する。
次に、例えばアルミニウム膜を100nm成膜する。次に、再び同様の方法で、アルミニウム膜上に、ピッチ100nmのストライプ状のレジストパターンを形成する。次に、レジストパターンをエッチングマスクとして、アルミニウム膜が露出した部分をドライエッチングすることにより、例えば、ピッチ100nm厚さ100nmの光反射体22のパターンを形成する。
最後に、SiOを成膜して、光反射体22および光透過性基板20を被覆する光透過性被覆層23を形成した後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)により、光透過性被覆層23の平坦化をおこなう。
以上のようにして、反射型偏光子が製造される。
本実施形態に係る偏光子によれば、光反射体22のストライプに垂直な偏光成分を透過し、光反射体22のストライプに平行な偏光成分については角度θをもって反射させる反射型偏光子を実現することができる。
このように、光を吸収するのではなく、反射させるため、偏光子の温度の上昇、劣化を防ぐことができる。当該偏光子を投射型表示装置に用いることにより、偏光子の劣化に起因する投射型表示装置の寿命の低下を防止することができる。
また、投射型表示装置の出射側偏光子13R,13G,13Gに上記の偏光子を適用することにより、偏光子で反射した不要光は、正反射せずに、投射レンズ15のF値相当の角度よりも大きい角度で回折するため、たとえ迷光となってもスクリーン16に到達しない。このため、投射型表示装置のコントラストや画品位の低下を防止することができる。特に、出射側偏光子13R,13G,13Gに適用する反射型偏光子の凹凸構造21の深さhを、入射する光の波長に応じて適切に規定すると上記の効果が顕著となる。
さらに、光透過性被覆層23により光透過性基板20の凹凸構造21および光反射体22のパターンが保護されているため、繊細な構造体の劣化損傷を防止することができる。
(第2実施形態)
本実施形態では、凹凸構造21のストライプと光反射体22のストライプとが平行ではなく、直交している例である。図4は、反射型偏光子の構成の他の例を説明するための図である。
光透過性基板20の表面には、入射する光の波長よりも長いピッチで規則的な凹凸構造(段差)21が形成されている。光透過性基板20は、例えば石英基板である。光透過性基板20の凹凸構造21は、x方向に伸びる深さ94.2nmのストライプ状の溝が、例えばピッチ1000nmでy方向に等間隔で配置されたものである。
この光透過性基板20上には、入射する光の波長よりも短いピッチでストライプ状に規則的に配列された複数の光反射体22が形成されている。光反射体22は、例えば、凹凸構造21のストライプと垂直なストライプ状に、ピッチ100nm、膜厚100nmで成膜されたアルミニウムパターンからなる。
光透過性基板20の凹凸構造21および光反射体22を被覆して、光透過性被覆層23が形成されている。光透過性被覆層23の表面は平坦化されている。光透過性被覆層23は、光透過性基板20の屈折率と略等しい材料により構成される。例えば、光透過性被覆層23は、酸化シリコン(SiO)からなる。
上記の反射型偏光子は、入射した光のうち、光反射体22のストライプに垂直な偏光成分を透過し、光反射体22のストライプに平行な偏光成分についてはyz面内においてz方向から角度θをもって反射させる。この原理については、第1実施形態と同様である。
本実施形態に係る偏光子によっても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
(第3実施形態)
本実施形態では、マトリクス状の凹凸構造21を採用する例である。図5は、反射型偏光子の構成の他の例を説明するための図である。
光透過性基板20の表面には、入射する光の波長よりも長いピッチで規則的な凹凸構造(段差)21が形成されている。光透過性基板20は、例えば石英基板である。光透過性基板20の凹凸構造21は、深さ94.2nmの矩形状の溝が、例えばピッチ1000nmでxy方向にマトリクス状に配置されたものである。
この光透過性基板20上には、入射する光の波長よりも短いピッチでストライプ状に規則的に配列された複数の光反射体22が形成されている。光反射体22は、例えば、y方向に伸びるストライプ状に加工されており、ピッチ100nm、膜厚100nmで成膜されたアルミニウムパターンからなる。
光透過性基板20の凹凸構造21および光反射体22を被覆して、光透過性被覆層23が形成されている。光透過性被覆層23の表面は平坦化されている。光透過性被覆層23は、光透過性基板20の屈折率と略等しい材料により構成される。例えば、光透過性被覆層23は、酸化シリコン(SiO)からなる。
上記の反射型偏光子は、入射した光のうち、光反射体22のストライプに垂直な偏光成分を透過し、光反射体22のストライプに平行な偏光成分については角度θをもって反射させる。ここで、本実施形態では、第1および第2実施形態と異なり、xy方向に2次元的に段差が生じていることから、特定の面内において角度θをもつ光ではなく、z方向から2次元的に角度θをもつ光として反射される。
このため、特定の面内において角度θをもつように光を反射させることが好ましくないような場合に、特に有益となる。この他、本実施形態に係る偏光子によっても、第1実施形態と同様の効果を奏することができる。
(第4実施形態)
第1から第3実施形態では、独立して偏光子が構成されている例について説明したが、本実施形態では、上記した反射型偏光子の構造を液晶パネル内に設ける例について説明する。図6は、本実施形態に係る液晶パネルの構成を示す図である。
液晶パネルは、マトリクス状に配置された画素31aと、画素31aを駆動する回路を有するTFT基板31と、TFT基板31と対向する対向基板32と、TFT基板31と対向基板32との間に挟持された液晶33とを備える。
TFT基板31の外側には防塵ガラス35が貼り付けられ、対向基板32の外側には防塵ガラス34が貼り付けられている。TFT基板31には、画素駆動回路に外部から電気信号を送るためのフレキシブルコネクタ36が取り付けられている。
本実施形態では、第1から第3実施形態で説明した反射型偏光子の構造を、例えば、TFT基板104の出射側表面(画素駆動回路パターンが形成されていない面)に形成する。すなわち、石英を材料としたTFT基板の出射側の構造を、図2、図4、図5に示すような構造とする。図2、図4、図5の構造については、既に説明しているため、重複説明は省略する。
あるいは、対向基板32の光入射側表面や、防塵ガラス34,35のいずれか一方の表面に形成してもよい。
このような反射型偏光子を備える液晶パネルによっても、第1から第3実施形態と同様の効果を奏することができる。本実施形態に係る液晶パネルは、投射型表示装置に使用される場合に限定されず、透過型液晶表示装置に適用することができる。
本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
本実施形態では、基板として石英基板、平坦化層の材料としてSiOを用いた例を示したが、基板材料としてサファイア(n=1.76)、平坦化層の材料としてITO(n=1.8〜1.9)を用いることも可能である。この場合、サファイア基板の熱伝導率は40W/mK程度であり、石英基板の1.2W/mKに比較して大きいため、さらなる温度低減および寿命改善効果が期待できる。
光反射体22としてアルミニウムを用いる例について説明したが、光反射体22は光を反射できる材料であれば特に限定はない。また、反射型偏光子は、液晶パネルの光入射側に配置することもできる。さらに、反射型偏光子の光透過性基板20の凹凸構造、光反射体22のパターンの形成方法として、原版を直接転写するフォトポリマ(2p)法やnano−printing法を用いてもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
本実施形態に係る投射型液晶表示装置の全体構成の一例を示す図である。 本実施形態に係る反射型偏光子の構成を説明するための図である。 図2に示す反射型偏光子の断面図である。 第2実施形態に係る反射型偏光子の構成を説明するための図である。 第3実施形態に係る反射型偏光子の構成を説明するための図である。 第4実施形態に係る液晶パネルの構成を示す図である。
符号の説明
1…光源、2…第1フライアイレンズ、3…第2フライアイレンズ、4…PS分離合成素子、5…コンデンサレンズ、6…色分離フィルタ(色分離手段)、7…色分離フィルタ(色分離手段)、8−1,8−2,8−3…ミラー、9−1,9−2…リレーレンズ、10R,10G,10B…フィールドレンズ、11R,11G,11B…入射側偏光子(第1の偏光子)、12R,12G,12B…液晶パネル、13R,13G,13B…出射側偏光子(第2の偏光子)、14…ダイクロイックプリズム(色合成手段)、15…投射レンズ(投射手段)、16…スクリーン、20…光透過性基板、21…凹凸構造、22…光反射体、23…光透過性被覆層、31…TFT基板、32…対向基板、33…液晶、34…防塵ガラス、35…防塵ガラス、36…フレキシブルコネクタ、LB…青色光、LG…緑色光、LR…赤色光

Claims (13)

  1. 入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性基板と、
    前記光透過性基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、
    前記光反射体を覆う光透過性被覆層と
    を有し、
    前記光透過性被覆層の屈折率と、前記光透過性基板の屈折率とが略等しい
    偏光子。
  2. 前記光透過性基板の表面に形成された段差は、その深さhが、入射光の波長をλ、前記光透過性基板の屈折率をnとして、n・h=λ/4の関係式を満たすように規定されて、形成されている
    請求項1記載の偏光子。
  3. 液晶層と、
    前記液晶層を挟む2つの基板とを有し、
    前記2つの基板のうちの少なくとも1つの基板は反射型偏光子を備え、
    前記反射型偏光子は、
    入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性の前記基板と、
    前記基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、
    前記光反射体を覆う光透過性被覆層と
    を有し、
    前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい
    液晶パネル。
  4. 前記基板の表面に形成された段差は、その深さhが、入射光の波長をλ、前記基板の屈折率をnとして、n・h=λ/4の関係式を満たすように規定されて、形成されている
    請求項3記載の液晶パネル。
  5. 前記反射型偏光子は、前記液晶層を通過して出射する側の前記基板に備えられている
    請求項3記載の液晶パネル。
  6. 光源と、
    前記光源から出射された光の偏光方向を規制する第1の偏光子と、
    前記第1の偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、
    前記液晶パネルにより変調された光を透過または遮断する第2の偏光子と、
    前記第2の偏光子を透過した光を投射する投射手段とを有し、
    少なくとも前記第1あるいは前記第2の偏光子のいずれかは、
    入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性基板と、
    前記光透過性基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、
    前記光反射体を覆う光透過性被覆層と
    を有し、
    前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい
    投射型表示装置。
  7. 前記光透過性基板の表面に形成された段差は、その深さhが、入射光の波長をλ、前記光透過性基板の屈折率をnとして、n・h=λ/4の関係式を満たすように規定されて、形成されている
    請求項6記載の投射型表示装置。
  8. 光源と、
    前記光源からの光を変調する液晶パネルと、
    前記液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段とを有し、
    前記液晶パネルは、
    液晶層と、
    前記液晶層を挟む2つの基板とを有し、
    前記2つの基板のうちの少なくとも1つの基板は反射型偏光子を備え、
    前記反射型偏光子は、
    入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性の前記基板と、
    前記基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、
    前記光反射体を覆う光透過性被覆層と
    を有し
    前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい
    する投射型表示装置。
  9. 前記基板の表面に形成された段差は、その深さhが、入射光の波長をλ、前記基板の屈折率をnとして、n・h=λ/4の関係式を満たすように規定されて、形成されている
    請求項8記載の投射型表示装置。
  10. 光を照射する照明手段と、
    前記照明手段からの光を複数の色光に分離する複数の色分離手段と、
    各色分離手段により分離された各色光を変調する複数の液晶パネルと、
    各前記液晶パネルにより変調された各色光を合成する色合成手段と、
    合成した各色光の画像を拡大投射する投射手段と
    を有し、
    前記液晶パネルへの色光の入射側、あるいは前記液晶パネルからの色光の出射側に、反射型偏光子が設けられ、
    前記反射型偏光子は、
    入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性基板と、
    前記光透過性基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、
    前記光反射体を覆う光透過性被覆層と
    を有し
    前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい
    投射型表示装置。
  11. 各反射型偏光子における前記光透過性基板の段差は、その深さが、各色光の波長に応じて異なり、段差の深さをh、入射光の波長をλ、前記光透過性基板の屈折率をnとして、n・h=λ/4の関係式を満たすようにそれぞれ規定されて、形成されている
    請求項10記載の投射型表示装置。
  12. 光を照射する照明手段と、
    前記照明手段からの光を複数の色光に分離する複数の色分離手段と、
    各色分離手段により分離された各色光を変調する複数の液晶パネルと、
    各前記液晶パネルにより変調された各色光を合成する色合成手段と、
    合成した各色光の画像を拡大投射する投射手段と
    を有し、
    前記液晶パネルは、
    液晶層と、
    前記液晶層を挟む2つの基板とを有し、
    前記2つの基板のうちの少なくとも1つの基板は反射型偏光子を備え、
    前記反射型偏光子は、
    入射する光の波長よりも長いピッチで段差が表面に形成された光透過性の前記基板と、
    前記基板の表面に、入射する前記光の波長よりも短いピッチで周期的に配列された複数の光反射体と、
    前記光反射体を覆う光透過性被覆層と
    を有し
    前記光透過性被覆層の屈折率と、前記基板の屈折率とが略等しい
    投射型表示装置。
  13. 各反射型偏光子における前記基板の段差は、その深さが各色光の波長に応じて異なり、前記段差の深さをh、入射光の波長をλ、前記基板の屈折率をnとして、n・h=λ/4の関係式を満たすようにそれぞれ規定されて、形成されている
    請求項12記載の投射型表示装置。
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