JP2006243261A - 液晶パネル、画像表示装置及び投射型画像表示装置 - Google Patents

液晶パネル、画像表示装置及び投射型画像表示装置 Download PDF

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Abstract

【課題】TFT基板上の遮光パターンのコーナー部分における回折及び散乱による画質の劣化を抑制できる液晶パネル及び投射型表示装置を提供する。
【解決手段】マトリクス状に配列された画素電極39と画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と対向基板が対向し、この間隙に充填された液晶を有して構成されており、駆動基板4に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターン35と、第1平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターン37とを含む遮光膜が形成されている構成とする。
【選択図】図2

Description

本発明は、液晶パネル、画像表示装置及び投射型画像表示装置に関し、特に、透過型の液晶パネル及びそれを用いた画像表示装置及び投射型画像表示装置に関する。

液晶プロジェクタなどの投射型画像表示装置に搭載される液晶パネルは、液晶層を挟持して対向配置された一対の基板を主体として構成されており、当該一対の基板には、液晶層に電圧を印加するための電極が設けられている。

図1は、上記の液晶プロジェクタ用途の液晶パネルの構成を示す模式図である。
液晶パネルは、マトリクス状に配置された画素2と、画素2を駆動する画素駆動回路3を有するTFT基板4と、TFT基板4と対向する対向基板5と、TFT基板4と対向基板5との間隙に充填、挟持された液晶6とを備える。

TFT基板4の外側には防塵ガラス7が貼り付けられ、対向基板5の外側には防塵ガラス8が貼り付けられている。TFT基板4には、画素駆動回路3に外部から電気信号を送るためのフレキシブルコネクタ9が取り付けられている。

TFT基板4の画素2にはITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電性薄膜からなり、画素2ごとに独立した画素電極が設けられており、一方、対向基板5にはITOなどの透明導電性薄膜からなり、対向基板5の全面に形成されて所定の電圧が印加される共通電極が設けられている。
さらに、液晶パネル1の入射側及び出射側にはそれぞれ偏光板が別置きされるか、あるいは液晶パネル1の入射面及び出射面に直接貼り付けられる。

上記の構成の液晶パネルは、偏光板を経て偏光して一方の基板側からの入射光Linが、液晶層を透過するときに画素電極への電圧無印加時と電圧印加時とで液晶層内の液晶分子の配列を光学的に識別し、他方の基板側から出射光Loutとして出射し、画像を表示する構成になっている。

図8は、上記のTFT基板4上に形成された画素駆動回路の詳細について模式的に説明する斜視図である。
画素駆動回路は、ゲート線51、信号線53、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor :TFT)50a、電圧保持コンデンサー(Cs)50b、画素電極59、Vゲートドライバ51a、Hドライバ53aを有する。

TFT基板4上に、ゲート線51が垂直方向にストライプ状に配列され、さらにその上層に絶縁層を介して信号線53が水平方向にストライプ状に配列されている。
ゲート線51と信号線53とで囲まれる領域がそれぞれ画素に相当し、スイッチング素子としてTFT50aが画素ごとに設けられており、各TFT50aのゲートGはゲート線51に共通接続され、各TFT50aのソースSは信号線53に共通接続されている。
また、各ゲート線51と平行して、画素駆動電圧を一定時間保持するためのコンデンサー素子としてCs50bが設けられており、各TFT50aのドレインDに各々接続されている。
上記のようにして、ゲート線51と信号線53で囲まれる領域を覆うように画素電極59が水平方向及び垂直方向にマトリクス状に配置されている。各画素電極59はITO等の透明電極からなり、各TFT50aのドレインDに各々接続されている。

水平方向にストライプ状に配列された各信号線53は、Hドライバ53aに接続され、また、信号線53は、Hドライバ53aにより左から順次1本ずつ選択され、ビデオ信号(データ信号)が供給される。1番左の信号線53が選択されてから、1番右の信号線が選択されるまでの期間を1水平期間と呼ぶ。
また、垂直方向にストライプ状に配列された各ゲート線51は、Vゲートドライバ51aに接続されている。ゲート線51は、Vゲートドライバ51aにより上から、1水平期間が終了する度に順次1本ずつ選択され、ゲート電圧が掛けられる。

ゲート線51に所定の電圧が付加されると、そのゲート線に接続されているTFT50aのソースSとドレインDとの間に電気的な接続が生じ、さらにドレインDに接続されている画素電極59まで電気的な接続が生じる。ここで、「電気的な接続が生じる」とは、電子の流れが生じることを意味する。

このとき、Hドライバ53aにより選択された信号線53にはデータ信号が供給されているが、この結果、データ信号は、選択された1画素のTFT50aのソースS、ドレインDを経て、画素電極59にまで供給される。これにより、TFT基板4上のデータ信号の供給された画素電極59と対向基板5の共通電極との間に電位差が生じ、対応する間隙の液晶の配向方向が変化し、入射した直線偏光は液晶の配向方向によりその偏光方向が変わり、出射側の偏光板を透過、半透過するか、あるいは遮断される。
Vゲートドライバ51aとHドライバ53aにより、左上の画素から右下の画素に至るまで、順次選択された画素にデータ信号が供給され、光の透過、半透過、遮断がおこり、1フレームの画像が形成される。
Cs50bは、あるフレームから次のフレームまでの期間、各画素電極59に供給されるデータ信号を一定保存する役割を担う。

一般的に、液晶プロジェクタは、液晶パネル1により形成された画像をスクリーン上に拡大投影させることが目的であるため、拡大投影された画像が十分な明るさを所持するためには、光エネルギーの非常に大きな光源を用いる必要がある。
このとき、液晶パネル1内のTFT基板4上に形成されたTFT50aやCs50bにも非常に大きな光エネルギーが入射する。
TFT50aやCs50bに非常に大きな光エネルギーが入射すると、一般に光電効果と呼ばれる現象により、ポテンシャルの障壁以上の仕事関数を得た電子が外部へリークしてしまい、TFT50aやCs50bが本来持っている電気特性から逸脱して、画質に大きな影響を及ぼして劣化させてしまう結果となる。

上記のような非常に大きな光エネルギーによる影響を防ぐ目的で、特許文献1には、図9の模式斜視図に示すように、ゲート線51、信号線53、TFT50a及びCs50bを覆うように、マトリクス状の遮光パターン55を形成する技術が開示されている。

また、さらに遮光性を向上したり、液晶パネル1の温度上昇を防ぐ目的で、例えば特許文献2、特許文献3、特許文献4及び特許文献5には、図10の模式斜視図に示すように、例えばTFT基板4上の遮光パターン55に対応した形で、対向基板5上にも対向側遮光パターン71を形成する技術が開示されている。

一般的に、TFT基板4上の遮光パターン55や対向基板5上の対向側遮光パターン71の画素のコーナー付近は、液晶分子の配向の乱れにより直線偏光性が乱れることが知られており、この課題については既に注目され、種々の対策法が公開されている。

一方、上記の配向の乱れに加えて、TFT基板4上の遮光パターン55や対向基板5上の対向側遮光パターン71の1画素のコーナー付近では、回折や散乱の影響により直線偏光性が乱れて出射側偏光板を透過する偏光成分が発生してしまい、このため、遮光膜のコーナー部分において、黒表示時にもかかわらず、黒浮き、即ち黒照度増大の原因となっていた。

図11(a)は、矩形の開口形状に、Y方向の偏光成分Eyのみをもつ直線偏光が垂直に入射する場合のモデルを示し、図11(B)は図11(a)の場合における矩形開口通過後のX方向偏光成分Exの相対的な光強度を、FDTD法(Finite Difference Time
Domain Method)によりシミュレーションした結果である。
このように、本来Y方向の偏光成分Eyしかもたない直線偏光が、矩形の開口形状を通過した際のコーナー部分での回折や散乱の影響により、直行するX方向偏光成分Exが発生してしまっていることがわかる。
X方向の偏光成分は出射側偏光板を透過する偏光成分であるため、黒表示時においても光が漏れ、黒浮き、即ち黒照度の増大を招く恐れがある。
従って、従来は配向性のみが注目されていたが、TFT基板4上の遮光パターン55や対向基板5上の対向側遮光パターン71のコーナー部分における回折及び散乱現象に対する対策も必要である。
特に今後、画像の高精細化に伴い画素ピッチの微細化が進むことが予想され、画素ピッチの微細化とともに回折の影響は顕著になり、対策を講じる必要性がますます増加する。
特開2000−298290号公報 特開2003−172917号公報 特開2003−172918号公報 特開2003−167534号公報 特開2003−167242号公報

本発明が解決しようとする問題は、TFT基板上の遮光パターンや対向基板上の対向側遮光パターンのコーナー部分における回折及び散乱により画質の劣化を招いてしまうことである。

上記の目的を達成するため、本発明の液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、前記駆動基板に対向する対向基板と、前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、前記駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成された第1平坦化層と、前記第1平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が形成されている。

上記の本発明の液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と対向基板が対向し、この間隙に充填された液晶を有して構成されている。ここで、駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、第1平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が形成されている。

また、上記の目的を達成するため、本発明の液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、前記駆動基板に対向する対向基板と、前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、前記対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている。

上記の本発明の液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と対向基板が対向し、この間隙に充填された液晶を有して構成されている。ここで、対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、第1対向側平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が積層して形成されている。

また、上記の目的を達成するため、本発明の画像表示装置は、光源と、前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルとを有し、前記液晶パネルが、マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、前記駆動基板に対向する対向基板と、前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、前記駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成された第1平坦化層と、前記第1平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が形成されている。

上記の本発明の画像表示装置は、光源と、光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルとを有して構成されている。ここで、液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と対向基板が対向し、この間隙に充填された液晶を有して構成され、駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、第1平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が積層して形成されている。

また、上記の目的を達成するため、本発明の画像表示装置は、光源と、前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルとを有し、前記液晶パネルが、マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、前記駆動基板に対向する対向基板と、前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、前記対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている。

上記の本発明の画像表示装置は、光源と、光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルとを有して構成されている。ここで、液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と対向基板が対向し、この間隙に充填された液晶を有して構成され、対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、第1対向側平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が積層して形成されている。

また、上記の目的を達成するため、本発明の投射型画像表示装置は、光源と、前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、前記液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段とを有し、前記液晶パネルが、マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、前記駆動基板に対向する対向基板と、前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、前記駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成された第1平坦化層と、前記第1平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が形成されている。

上記の本発明の投射型画像表示装置は、光源と、光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段とを有して構成されている。ここで、液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と対向基板が対向し、この間隙に充填された液晶を有して構成され、駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、第1平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が積層して形成されている。

また、上記の目的を達成するため、本発明の投射型画像表示装置は、光源と、前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、前記液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段とを有し、前記液晶パネルが、マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、前記駆動基板に対向する対向基板と、前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、前記対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている。

上記の本発明の投射型画像表示装置は、光源と、光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段とを有して構成されている。ここで、液晶パネルは、マトリクス状に配列された画素電極と画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と対向基板が対向し、この間隙に充填された液晶を有して構成され、対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、第1対向側平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が積層して形成されている。

本発明の液晶パネルによれば、駆動基板上の遮光膜及び/または対向基板上の対向側遮光膜として、互いに直行するストライプ形状の第1及び第2遮光パターン及び/または第1及び第2対向側遮光パターンが平坦化膜を介して積層した構成が採用されており、各遮光パターンにはコーナー部が存在しておらず、これによって遮光パターンのコーナー部分による回折現象を抑制し、画質の劣化を抑制できる。

また、本発明の画像表示装置によれば、偏光子を透過した偏光を液晶パネルで変調して画像を表示する画像表示装置を構成する液晶パネルにおいて、駆動基板上の遮光膜及び/または対向基板上の対向側遮光膜として、互いに直行するストライプ形状の第1及び第2遮光パターン及び/または第1及び第2対向側遮光パターンが平坦化膜を介して積層した構成が採用されており、各遮光パターンにはコーナー部が存在しておらず、これによって遮光パターンのコーナー部分による回折現象を抑制し、画質の劣化を抑制できる。

また、本発明の投射型画像表示装置によれば、偏光子を透過した偏光を液晶パネルで変調し、投射して画像を表示する投射型画像表示装置を構成する液晶パネルにおいて、駆動基板上の遮光膜及び/または対向基板上の対向側遮光膜として、互いに直行するストライプ形状の第1及び第2遮光パターン及び/または第1及び第2対向側遮光パターンが平坦化膜を介して積層した構成が採用されており、各遮光パターンにはコーナー部が存在しておらず、これによって遮光パターンのコーナー部分による回折現象を抑制し、画質の劣化を抑制できる。

以下に、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。

第1実施形態
図1は、本実施形態に係る液晶プロジェクタ用途の液晶パネルの構成を示す模式図である。
液晶パネルは、マトリクス状に配置された画素2と、画素2を駆動する画素駆動回路3を有するTFT基板(駆動基板)4と、TFT基板4と対向する対向基板5と、TFT基板4と対向基板5との間隙に充填、挟持された液晶6とを備える。

TFT基板4の外側には防塵ガラス7が貼り付けられ、対向基板5の外側には防塵ガラス8が貼り付けられている。TFT基板4には、画素駆動回路3に外部から電気信号を送るためのフレキシブルコネクタ9が取り付けられている。

TFT基板4の画素2にはITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電性薄膜からなり、画素2ごとに独立した画素電極が設けられており、一方、対向基板5にはITOなどの透明導電性薄膜からなり、対向基板5の全面に形成されて所定の電圧が印加される共通電極が設けられている。
さらに、液晶パネル1の入射側及び出射側にはそれぞれ偏光板が別置きされるか、あるいは液晶パネル1の入射面及び出射面に直接貼り付けられる。

上記の構成の液晶パネルは、偏光板を経て偏光して一方の基板側からの入射光Linが、液晶層を透過するときに画素電極への電圧無印加時と電圧印加時とで液晶層内の液晶分子の配列を光学的に識別し、他方の基板側から出射光Loutとして出射し、画像を表示する構成になっている。

図2は、上記のTFT基板4上に形成された画素駆動回路の詳細について模式的に説明する斜視図である。
画素駆動回路は、ゲート線31、信号線33、薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor :TFT)30a、電圧保持コンデンサー(Cs)30b、画素電極39、Vゲートドライバ31a、Hドライバ33aを有する。

TFT基板4上に、ゲート線31が垂直方向にストライプ状に配列され、さらにその上層に絶縁層を介して信号線33が水平方向にストライプ状に配列されている。
ゲート線31と信号線33とで囲まれる領域がそれぞれ画素に相当し、スイッチング素子としてTFT30aが画素ごとに設けられており、各TFT30aのゲートGはゲート線31に共通接続され、各TFT30aのソースSは信号線33に共通接続されている。
また、各ゲート線31と平行して、画素駆動電圧を一定時間保持するためのコンデンサー素子としてCs30bが設けられており、各TFT30aのドレインDに各々接続されている。
上記のようにして、ゲート線31と信号線33で囲まれる領域を覆うように画素電極39が水平方向及び垂直方向にマトリクス状に配置されている。各画素電極39はITO等の透明電極からなり、各TFT30aのドレインDに各々接続されている。

水平方向にストライプ状に配列された各信号線33は、Hドライバ33aに接続され、また、信号線33は、Hドライバ33aにより左から順次1本ずつ選択され、ビデオ信号(データ信号)が供給される。
また、垂直方向にストライプ状に配列された各ゲート線31は、Vゲートドライバ31aに接続されている。Hドライバ33aにより1番左の信号線33が選択されてから1番右の信号線が選択されるまでの1水平期間が終了する度に、ゲート線31はVゲートドライバ31aにより上から順次1本ずつ選択され、ゲート電圧が掛けられる。

ゲート線31に所定の電圧が付加されると、そのゲート線に接続されているTFT30aのソースSとドレインDとの間に電気的な接続が生じ、さらにドレインDに接続されている画素電極59まで電気的な接続が生じる。

このとき、Hドライバ33aにより選択された信号線33にはデータ信号が供給されているが、この結果、データ信号は、選択された1画素のTFT30aのソースS、ドレインDを経て、画素電極39にまで供給される。これにより、TFT基板4上のデータ信号の供給された画素電極39と対向基板5の共通電極との間に電位差が生じ、対応する間隙に充填された液晶の配向方向が変化し、入射した直線偏光は液晶の配向方向によりその偏光方向が変わり、出射側の偏光板を透過、半透過するか、あるいは遮断される。
Vゲートドライバ31aとHドライバ33aにより、左上の画素から右下の画素に至るまで、順次選択された画素にデータ信号が供給され、光の透過、半透過、遮断がおこり、1フレームの画像が形成される。
Cs30bは、あるフレームから次のフレームまでの期間、各画素電極39に供給されるデータ信号を一定保存する役割を担う。

ここで、本実施形態に係る液晶パネルにおいては、駆動基板4に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターン35と、第1平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターン37とを含む遮光膜が形成されている。
例えば、上記のような構成の駆動回路が形成されたTFT基板に対して、第1遮光パターン35が各ゲート線31に対応するように形成され、第2遮光パターン37が各信号線33に対応するように形成されている。

図3は図2中のA−A’における断面図である。
上記のTFTやCsが画素ごとに形成されたTFT基板4において、垂直方向である第1の方向に延伸するようにゲート線31が形成されており、この上層に第1絶縁膜32を介して水平方向である第2の方向に延伸するように信号線33が形成されており、この上層に第2絶縁膜34が形成されている。
また、第2絶縁膜34の上層に、ゲート線31に対応するように、第1の方向(垂直方向)に延伸するストライプ形状の第1遮光パターン35が形成されており、その上層に第1平坦化層36が形成されている。さらにその上層に、信号線33に対応するように、第2の方向(水平方向)に延伸するストライプ形状の第2遮光パターン37が形成されており、その上層に第2平坦化層38が形成されている。さらにその上層に、TFTのドレインとCsに接続するコンタクトに接続して画素電極39が形成されており、画素電極39を被覆して図示しない配向膜が一面に塗布されている。

第1遮光パターン35及び第2遮光パターン37は、それぞれ、例えばAl,Ti,WSi、Crなどの金属からなり、単層或いはこれら複数の金属を用いた多層構造となっている。
また、第1平坦化層36及び第2平坦化層38は、酸化シリコンなどの単一の誘電体膜または複数の誘電体を用いた多層膜からなる。

第1遮光パターン35は、十分な遮光性を確保するという観点から、その膜厚hは大きいほど好ましく、例えば100nm以上の膜厚であることが好ましい。一方、TFTのドレインとCsに接続するためのコンタクトホールの形成を容易にするという観点からは、TFTと画素電極39との距離は小さいほど好ましく、従ってTFTと画素電極39との間に存在する膜の膜厚は小さいほど好ましいので、400nm以下の膜厚であることが好ましい。
従って、第1遮光パターン35の総膜厚hは、100nm≦h≦1000nmであることが好ましい。
第2遮光パターン37の総膜厚hについても同様に、100nm≦h≦1000nmであることが好ましい。
例えば、第1遮光パターン35及び第2遮光パターン37は、500nmとする。

また、第1平坦化層36は、平坦性の確保及びその上層に形成される第2遮光パターン37との距離を十分に確保するという観点から膜厚が大きいほど好ましく、例えば第1遮光パターン35の総膜厚h+50nm以上の膜厚であることが好ましい。一方、TFTのドレインとCsに接続するためのコンタクトホールの形成を容易にするという観点から、例えばh+300nm以下の膜厚であることが好ましい。
従って、第1平坦化層36の総膜厚tは、h+50nm≦t≦h+300nmであることが好ましい。
例えば、第1平坦化層36は酸化シリコン単層であり、膜厚tは700nmとする。

また、第2平坦化層38は、平坦性の確保及び第2遮光パターン37が液晶内の電解分布を乱すことを防止する観点から膜厚が大きいほど好ましく、例えば第2遮光パターン37の総膜厚h+400nm以上の膜厚であることが好ましい。一方、TFTのドレインとCsに接続するためのコンタクトホールの形成を容易にするという観点から、例えばh+1200nm以下の膜厚であることが好ましい。
従って、第2平坦化層38の総膜厚tは、h+400nm≦t≦h+1200nmであることが好ましい。
例えば、第2平坦化層38は酸化シリコン単層であり、膜厚tは1300nmとする。

また、電界の乱れに対して最大限の配慮をおこなうという観点から、第1遮光パターン35と第2遮光パターン37とは、有効画素外において電気的に接続するなどの方法を用いて、同電位にしておくことが好ましい。

第1遮光パターン35及び第2遮光パターン37は、好ましくはフォトリソグラフィー技術を用いて形成される。
即ち、金属膜の成膜、レジスト塗布、マスク露光(原版パターンの転写)、現像、ドライまたはウェットエッチングによるレジスト及び不要金属膜の除去という工程を経て、所望のパターンが形成される。
また、第1平坦化層36、第2平坦化層38は、各平坦化膜の成膜後、好ましくは化学機械研磨(CMP : Chemical Mechanical Polishing)法により、平坦化処理が施される。

図4は、上記の対向基板5の詳細について模式的に説明する斜視図である。
本実施形態に係る液晶パネルにおいては、TFT基板4と同様に、対向基板5に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターン41と、第1対向側平坦化層と、第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターン43とを含む対向側遮光膜が形成されている。
例えば、対向基板5に対して、第1対向側遮光パターン41がTFT基板4の各ゲート線31に対応するように形成され、第2対向側遮光パターン43がTFT基板4の各信号線33に対応するように形成されている。

図5は図4中のA−A’における断面図である。
対向基板5上に、TFT基板4のゲート線31に対応するように、第1の方向(垂直方向)に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターン41が形成されており、その上層に第1対向側平坦化層42が形成されている。さらにその上層に、TFT基板4の信号線33に対応するように、第2の方向(水平方向)に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターン43が形成されており、その上層に第2対向側平坦化層44が形成されている。さらにその上層に、対向基板5の全面に、ITOなどの透明電極からなり所定の電圧が印加される共通電極45が設けられており、共通電極45を被覆して図示しない配向膜が一面に塗布されている。

第1対向側遮光パターン41及び第2対向側遮光パターン43は、それぞれ、例えばAl,Ti,WSi、Crなどの金属からなり、単層或いはこれら複数の金属を用いた多層構造となっている。
また、第1対向側平坦化層42及び第2対向側平坦化層44は、酸化シリコンなどの単一の誘電体膜または複数の誘電体を用いた多層膜からなる。

第1対向側遮光パターン41は、十分な遮光性を確保するという観点から、その膜厚hは大きいほど好ましいが、上記のTFT基板4の第1遮光パターン35の遮光性を補う場合では、第1対向側遮光パターン41の総膜厚hは、20nm≦h≦300nmであることが好ましい。
第2対向側遮光パターン43の総膜厚hについても同様に、20nm≦h≦300nmであることが好ましい。
例えば、第1対向側遮光パターン41及び第2対向側遮光パターン43は、50nmとする。

また、第1対向側平坦化層42は、平坦性の確保及びその上層に形成される第2対向側遮光パターン43との距離を十分に確保するという観点から膜厚が大きいほど好ましく、例えば第1対向側遮光パターン41の総膜厚h+50nm以上の膜厚であることが好ましい。一方、第1対向側遮光パターン41と第2対向側遮光パターン43とを電気的に接続するための有効画素外でのコンタクトホールの形成を容易にするという観点から、例えばh+300nm以下の膜厚であることが好ましい。
従って、第1対向側平坦化層42の総膜厚tは、h+50nm≦t≦h+300nmであることが好ましい。
例えば、第1対向側平坦化層42は酸化シリコン単層であり、膜厚tは250nmとする。

また、第2対向側平坦化層44は、平坦性の確保及び第2対向側遮光パターン43が液晶内の電解分布を乱すことを防止する観点から膜厚が大きいほど好ましく、例えば第2対向側遮光パターン43の総膜厚h+400nm以上の膜厚であることが好ましい。一方、コンタクトホールの形成を容易にするという観点から、例えばh+1200nm以下の膜厚であることが好ましい。
従って、第2対向側平坦化層44の総膜厚tは、h+400nm≦t≦h+1200nmであることが好ましい。
例えば、第2対向側平坦化層44は酸化シリコン単層であり、膜厚tは800nmとする。

また、電界の乱れに対して最大限の配慮をおこなうという観点から、第1対向側遮光パターン41と第2対向側遮光パターン43とは、有効画素外において電気的に接続するなどの方法を用いて、同電位にしておくことが好ましい。

第1対向側遮光パターン41及び第2対向側遮光パターン43は、好ましくはフォトリソグラフィー技術を用いて形成される。
即ち、金属膜の成膜、レジスト塗布、マスク露光(原版パターンの転写)、現像、ドライまたはウェットエッチングによるレジスト及び不要金属膜の除去という工程を経て、所望のパターンが形成される。
また、第1対向側平坦化層42、第2対向側平坦化層44は、各平坦化膜の成膜後、好ましくはCMP法により、平坦化処理が施される。

上記の本実施形態に係る液晶パネルにおいては、駆動基板上の遮光膜及び対向基板上の対向側遮光膜として、互いに直行するストライプ形状の第1及び第2遮光パターン及び第1及び第2対向側遮光パターンが平坦化膜を介して積層した構成が採用されており、各遮光パターンにはコーナー部が存在しておらず、これによって遮光パターンのコーナー部分による回折現象を抑制し、黒浮きの発生を抑制するなど、画質の劣化を抑制できる。
本実施形態においてはTFT基板と対向基板のどちらの遮光パターンも互いに直行するストライプ形状の遮光パターンが平坦化膜を介して積層した構成としているが、生産性や製造コスト等を考慮して、いずれか一方の基板の遮光パターンについて上記の構成とすることでも、一定の効果を享受することができる。

本実施形態では、第1遮光パターン35を第2遮光パターン37より下層になるように配置した構成として示したが、第2遮光パターン37を第1遮光パターン35より下層になるように配置しても、同様の効果が得られる。
ただし一般的には、ゲート線31上にTFT30aやCs30bが形成される場合が多いため、TFT30aやCs30bに対する遮光性を確保するために、本実施形態のように第1遮光パターン35とゲート線31とを近付けた構成がより好ましい。

対向側遮光膜についても同様に、本実施形態では第1対向側遮光パターン41を第2対向側遮光パターン43よりも下層となるように配置した例を示したが、第2対向側遮光パターン43を第1対向側遮光パターン41よりも下層となるように配置しても、同様の効果が得られる。
ただし前述のとおり、本実施形態のように第2対向側遮光パターン43をゲート線31に近付けた構成がより好ましい。

本実施例では対向基板5が平坦な場合を示したが、一般的には対向基板5上に、各画素開口に対応したマイクロレンズが搭載されることがある。
対向基板5上にマイクロレンズが搭載されている場合、マイクロレンズ層の上層に平坦化層を設け、その上層に本実施形態に示す対向側遮光膜の構成を形成することができる。

図6(a)は、上記の本実施形態に係る2重のストライプ構造を有する遮光膜の矩形の開口形状に、Y方向の偏光成分Eyのみをもつ直線偏光が垂直に入射する場合のモデルを示し、図6(B)は図6(a)の場合における矩形開口通過後のX方向偏光成分Exの相対的な光強度を、FDTD法によりシミュレーションした結果である。
本実施形態に係る2重のストライプ構造では、各ストライプ形状の遮光パターンにコーナーが存在せず、回折や散乱現象が起こらないため、矩形開口通過後のX方向偏光成分Exの相対的な光強度はほとんど強度も持たず、画質の劣化を抑制できる。

第2実施形態
図7は、上記の液晶パネルを用いて構成された投射型画像表示装置の構成図である。
図7に示す投射型画像表示装置は、透過型の液晶パネルを3枚用いてカラー画像表示を行ういわゆる3板方式のものである。

投射型画像表示装置は、本発明の照明手段として、光を出射する光源11と、一対の第1及び第2フライアイレンズ(12,13)と、PS分離合成素子14と、コンデンサレンズ15とを有する。

光源11は、カラー画像表示に必要とされる、赤色光、青色光、緑色光を含んだ白色光を出射する。光源11は、白色光を発する発光体と、発光体から発せられた光を反射、集光する凹面鏡を有する。発光体として、例えば、水銀ランプ、ハロゲンランプ、メタルハライドランプまたはキセノンランプなどが使用される。凹面鏡は、集光効率がよい形状であることが望ましく、例えば回転楕円面鏡や回転放物面鏡等の回転対象な面形状となっている。

第1フライアイレンズ12及び第2フライアイレンズ13には、それぞれ複数のマイクロレンズが2次元的に配列されている。第1フライアイレンズ12及び第2フライアイレンズ13は、光の照度分布を均一化させるためのものであり、入射した光を複数の小光束に分割する機能を有する。

PS分離合成素子14は、第2フライアイレンズ13における隣り合うマイクロレンズ間に対応する位置に、複数の1/2波長板を有する。PS分離合成素子14は、入射した光をP偏光成分とS偏光成分とに分離する。また、PS分離合成素子14は、分離された2つの偏光のうち、一方の偏光をその偏光方向(例えばP偏光)を保ったまま出射し、他方の偏光(例えば、S偏光)を1/2波長板の作用により、他の偏光成分(例えば、P偏光成分)に変換して出射する。

色分離フィルタ(色分離手段)16は、コンデンサレンズ15を介して入射した光を、例えば青色光LBとその他の色光(赤色光及び緑色光)とに分離する。色分離フィルタ16は、例えばダイクロイックミラーにより構成され、入射した光のうち、青色光LBを反射し、他の色光(赤色光及び緑色光)を透過する。

色分離フィルタ16によって分離された青色光LBの光路に沿って、ミラー18aが設けられている。ミラー18aは、色分離フィルタ16によって分離された青色光LBを液晶パネル22Bに向けて反射する。

色分離フィルタ16によって分離された他の色光の光路には、色分離フィルタ(色分離手段)17が設けられている。色分離フィルタ17は、入射した光を例えば緑色光LGと赤色光LRとに分離する。色分離フィルタ17は、例えばダイクロイックミラーにより構成され、入射した光のうち、緑色光LGを液晶パネル22Gへ向けて反射し、赤色光LRを透過する。

色分離フィルタ17によって分離された赤色光LRの光路には、リレーレンズ19aと、ミラー18bと、リレーレンズ19bと、ミラー18cとが順に配置されている。

ミラー18bは、リレーレンズ19aを介して入射した赤色光LRをミラー18cに向けて反射する。ミラー18cは、ミラー18bによって反射され、リレーレンズ19bを介して入射した赤色光LRを、液晶パネル22Rへ向けて反射する。

ミラー18aによって反射された青色光LBの光路には、フィールドレンズ20B、入射側偏光子21B、液晶パネル22B、出射側偏光子23Bが順に配置されている。

入射側偏光子21Bは、入射する青色光LBの偏光方向を一方向に規制する。

液晶パネル22Bは、上述の本実施形態に係る構成を有する。液晶パネル22Bに入射した青色光は、各々の画素への電圧の印加、または非印加によりその偏光方向が変調され、または変調されずに透過する。

出射側偏光子23Bは、液晶パネル22Bで画素ごとに変調され、または変調されずに透過した青色光LBのうち、特定の偏光成分を透過し、それ以外の偏光成分を遮光する。

色分離フィルタ17によって反射された緑色光LGの光路には、フィールドレンズ20G、入射側偏光子21G、液晶パネル22G、出射側偏光子23Gが順に配置されている。フィールドレンズ20G、入射側偏光子21G、液晶パネル22G、出射側偏光子23Gの構成については、フィールドレンズ20B、入射側偏光子21B、液晶パネル22B、出射側偏光子23Bと同様であり、液晶パネル22Gは、上述の本実施形態に係る構成を有する。

ミラー(18b,18c)によって反射された赤色光LRの光路には、フィールドレンズ20R、入射側偏光子21R、液晶パネル22R、出射側偏光子23Rが順に配置されている。フィールドレンズ20R、入射側偏光子21R、液晶パネル22R、出射側偏光子23Rの構成については、フィールドレンズ20B、入射側偏光子21B、液晶パネル22B、出射側偏光子23Bと同様であり、液晶パネル22Rは、上述の本実施形態に係る構成を有する。

液晶パネル22Bを透過した青色光LB、液晶パネル22Gを透過した緑色光LG、液晶パネル22Rを透過した赤色光LRの光路が交わる位置に、3つの色光LG,LB,LRを合成するダイクロイックプリズム(色合成手段)24が配置されている。

投射レンズ(投射手段)25は、ダイクロイックプリズム24により合成された光を、スクリーン26に拡大投影させる。

以上の構成により、スクリーン26上にフルカラーの拡大画像が投影される。

上記の本実施形態に係る投射型液晶画像表示装置によれば、偏光子を透過した偏光を液晶パネルで変調し、投射して画像を表示する投射型画像表示装置を構成する液晶パネルにおいて、TFT基板上の遮光膜及び/または対向基板上の対向側遮光膜として、互いに直行するストライプ形状の第1及び第2遮光パターン及び/または第1及び第2対向側遮光パターンが平坦化膜を介して積層した構成が採用され、各遮光パターンにはコーナー部が存在しておらず、これによって遮光パターンのコーナー部分による回折現象を抑制し、画質の劣化を抑制できる。

本発明は、上記の実施形態の説明に限定されない。
上記の実施形態では透過型の液晶パネルと画像表示装置について説明しているが、反射型の液晶パネル及びそれを用いた画像表示装置にも適用可能である。
上記の実施形態では投射型の画像表示装置について説明したが、それ以外のタイプの画像表示装置としても適用可能である。
駆動(TFT)基板上の遮光膜と対向基板上の対向側遮光膜は、それぞれ2層以上の遮光パターンからなる構成としてもよい。
上記の実施形態においてはVゲートドライバの選択順を上からとしたが、一般的には下から行ってもよく、またHドライバの選択順を左からとしたが、一般的には右から行ってもよい。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。

図1は本発明の第1実施形態に係る液晶パネルの構成を示す模式図である。 図2は本発明の第1実施形態のTFT基板上に形成された画素駆動回路の詳細について模式的に説明する斜視図である。 図3は図2中のA−A’における断面図である。 図4は本発明の第1実施形態に係る対向基板の詳細について模式的に説明する斜視図である。 図5は図4中のA−A’における断面図である。 図6(a)は本発明の第1実施形態に係るモデルを示し、図6(b)は図6(a)の場合におけるFDTD法によりシミュレーションした結果である。 図7は本発明の第2実施形態に係る投射型画像表示装置の構成図である。 図8は第1従来例に係るTFT基板上に形成された画素駆動回路の詳細について模式的に説明する斜視図である。 図9は第2従来例に係るTFT基板上に形成された画素駆動回路の詳細について模式的に説明する斜視図である。 図10は第2従来例に係る対向基板上の詳細について模式的に説明する斜視図である。 図11(a)は従来例に係るモデルを示し、図11(b)は図11(a)の場合におけるFDTD法によりシミュレーションした結果である。

符号の説明

1…液晶パネル、2…画素、3…駆動回路、4…TFT基板、5…対向基板、6…液晶、7,8…防塵ガラス、9…フレキシブルコネクタ、11…光源、12…第1フライアイレンズ、13…第2フライアイレンズ、14…PS分離合成素子、15…コンデンサレンズ、16…色分離フィルタ(色分離手段)、17…色分離フィルタ(色分離手段)、18a,18b,18c…ミラー、19a,19b…リレーレンズ、20R,20G,20B…フィールドレンズ、21R,21G,21B…入射側偏光子、22R,22G,22B…液晶パネル、23R,23G,23B…出射側偏光子、24…ダイクロイックプリズム、25…投射レンズ、26…スクリーン、30a…薄膜トランジスタ、30b…電圧保持コンデンサー、31…ゲート線、31a…Vゲートドライバ、32…第1絶縁膜、33…信号線、33a…Hドライバ、34…第2絶縁膜、35…第1遮光パターン、36…第1平坦化膜、37…第2遮光パターン、38…第2平坦化膜、39…画素電極、41…第1対向側遮光パターン、42…第1対向側平坦化膜、43…第2対向側遮光パターン、44…第2対向側平坦化膜、45…共通電極、50a…薄膜トランジスタ、50b…電圧保持コンデンサー、51…ゲート線、51a…Vゲートドライバ、53…信号線、53a…Hドライバ、55…遮光パターン、59…画素電極、71…対向側遮光パターン、LB…青色光、LG…緑色光、LR…赤色光

Claims (19)

  1. マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、
    前記駆動基板に対向する対向基板と、
    前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、
    前記駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成された第1平坦化層と、前記第1平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が形成されている
    液晶パネル。
  2. 前記駆動回路として、
    水平方向にストライプ状に配列された信号線と、
    垂直方向にストライプ状に配列されたゲート線と、
    前記各画素電極と前記各信号線と前記各ゲート線にそれぞれ接続されたスイッチング素子と、
    前記各スイッチング素子にそれぞれ接続されたコンデンサー素子と
    が形成されており、
    前記第1遮光パターンが前記各ゲート線に対応するように形成され、
    前記第2遮光パターンが前記各信号線に対応するように形成されている
    請求項1に記載の液晶パネル。
  3. 前記第1遮光パターン及び前記第2遮光パターンは、単一の金属からなる単層膜または複数の金属を用いた多層膜からなり、
    前記第1遮光パターンの総膜厚h及び前記第2遮光パターンの総膜厚hは、それぞれ100nm≦h≦1000nm、100nm≦h≦1000nmを満たす
    請求項1に記載の液晶パネル。
  4. 前記第1平坦化層は単一の誘電体膜または複数の誘電体を用いた多層膜からなり、
    前記第1平坦化層の総膜厚tはh+50nm≦t≦h+300nmを満たす
    請求項3に記載の液晶パネル。
  5. 前記第2遮光パターンを被覆して、単一の誘電体膜または複数の誘電体を用いた多層膜からなる第2平坦化層が形成されており、
    前記第2平坦化層の総膜厚tはh+400nm≦t≦h+1200nmを満たす
    請求項3に記載の液晶パネル。
  6. 前記第1遮光パターンと前記第2遮光パターンは同電位となるよう電気的に接続されている
    請求項1に記載の液晶パネル。
  7. 前記対向基板に、前記第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第2の方向に延伸する第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている
    請求項1に記載の液晶パネル。
  8. マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、
    前記駆動基板に対向する対向基板と、
    前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、
    前記対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている
    液晶パネル。
  9. 前記駆動回路として、
    水平方向にストライプ状に配列された信号線と、
    垂直方向にストライプ状に配列されたゲート線と、
    前記各画素電極と前記各信号線と前記各ゲート線にそれぞれ接続されたスイッチング素子と、
    前記各スイッチング素子にそれぞれ接続されたコンデンサー素子と
    が形成されており、
    前記第1対向側遮光パターンが前記各ゲート線に対応するように形成され、
    前記第2対向側遮光パターンが前記各信号線に対応するように形成されている
    請求項8に記載の液晶パネル。
  10. 前記第1対向側遮光パターン及び前記第2対向側遮光パターンは、単一の金属からなる単層膜または複数の金属を用いた多層膜からなり、
    前記第1対向側遮光パターンの総膜厚h及び前記第2対向側遮光パターンの総膜厚hは、それぞれ20nm≦h≦300nm、20nm≦h≦300nmを満たす
    請求項8に記載の液晶パネル。
  11. 前記第1対向側平坦化層は単一の誘電体膜または複数の誘電体を用いた多層膜からなり、
    前記第1対向側平坦化層の総膜厚tはh+50nm≦t≦h+300nmを満たす
    請求項10に記載の液晶パネル。
  12. 前記第2対向側遮光パターンを被覆して、単一の誘電体膜または複数の誘電体を用いた多層膜からなる第2対向側平坦化層が形成されており、
    前記第2対向側平坦化層の総膜厚tはh+400nm≦t≦h+1200nmを満たす
    請求項10に記載の液晶パネル。
  13. 前記第1対向側遮光パターンと前記第2対向側遮光パターンは同電位となるよう電気的に接続されている
    請求項8に記載の液晶パネル。
  14. 光源と、
    前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、
    前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと
    を有し、
    前記液晶パネルが、
    マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、
    前記駆動基板に対向する対向基板と、
    前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、
    前記駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成された第1平坦化層と、前記第1平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が形成されている
    画像表示装置。
  15. 前記液晶パネルの前記対向基板に、前記第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第2の方向に延伸する第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている
    請求項14に記載の画像表示装置。
  16. 光源と、
    前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、
    前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと
    を有し、
    前記液晶パネルが、
    マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、
    前記駆動基板に対向する対向基板と、
    前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、
    前記対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている
    画像表示装置。
  17. 光源と、
    前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、
    前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、
    前記液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段と
    を有し、
    前記液晶パネルが、
    マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、
    前記駆動基板に対向する対向基板と、
    前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、
    前記駆動基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1遮光パターンと、前記第1遮光パターン上に形成された第1平坦化層と、前記第1平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2遮光パターンとを含む遮光膜が形成されている
    投射型画像表示装置。
  18. 前記液晶パネルの前記対向基板に、前記第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第2の方向に延伸する第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている
    請求項17に記載の投射型画像表示装置。
  19. 光源と、
    前記光源から出射された光の偏光方向を規制する偏光子と、
    前記偏光子を透過した偏光を変調する液晶パネルと、
    前記液晶パネルにより変調された光を投射する投射手段と
    を有し、
    前記液晶パネルが、
    マトリクス状に配列された画素電極と前記画素電極を駆動する駆動回路が形成された駆動基板と、
    前記駆動基板に対向する対向基板と、
    前記駆動基板と前記対向基板との間隙に充填された液晶とを有し、
    前記対向基板に、第1の方向に延伸するストライプ形状の第1対向側遮光パターンと、前記第1対向側遮光パターン上に形成された第1対向側平坦化層と、前記第1対向側平坦化層上に形成され、前記第1の方向と直交する第2の方向に延伸するストライプ形状の第2対向側遮光パターンとを含む対向側遮光膜が形成されている
    投射型画像表示装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007102231A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Samsung Electronics Co Ltd 表示板及びその製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037911A (en) * 1989-03-15 1991-01-16 Toshiba Corp Manufacture of liquid crystal display device
JPH0694912A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Fujitsu Ltd カラーフィルタの製造方法
JPH0850286A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
JPH08234187A (ja) * 1994-12-27 1996-09-13 Canon Inc カラー液晶パネル
JPH1031235A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2000047258A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び投射型表示装置
JP2005234524A (ja) * 2004-01-23 2005-09-02 Seiko Epson Corp 液晶装置および投射型表示装置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH037911A (en) * 1989-03-15 1991-01-16 Toshiba Corp Manufacture of liquid crystal display device
JPH0694912A (ja) * 1992-09-14 1994-04-08 Fujitsu Ltd カラーフィルタの製造方法
JPH0850286A (ja) * 1994-08-05 1996-02-20 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子およびその製造方法
JPH08234187A (ja) * 1994-12-27 1996-09-13 Canon Inc カラー液晶パネル
JPH1031235A (ja) * 1996-07-15 1998-02-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置
JP2000047258A (ja) * 1998-07-28 2000-02-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び投射型表示装置
JP2005234524A (ja) * 2004-01-23 2005-09-02 Seiko Epson Corp 液晶装置および投射型表示装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007102231A (ja) * 2005-10-07 2007-04-19 Samsung Electronics Co Ltd 表示板及びその製造方法

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