JP5425514B2 - 微細パターン形成方法 - Google Patents
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(1)レジストパターンを形成させた後、ミキシング生成用レジストを塗布し、ベークを行ってミキシング層を形成させ、微細パターン寸法に現像を行い、パターンを形成させる方法(特許文献1)、
(2)ポジ型フォトレジストのパターンを基板上に形成させ、次いで電磁放射線を一様に照射した後に、水性塗料を均一に塗布すること、およびポジ型フォトレジストをアルカリ性の水溶液によって溶解剥離(リフトオフ)することによって水性塗料の微細なパターンを形成させる方法(特許文献2)、
(3)露光により酸を発生する材料を含むレジストパターンの上を、酸の存在下で架橋する材料を含むレジストで覆い、加熱または露光によりレジストパターン中に酸を発生させ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層として形成させ、レジストパターンを太らせ、レジストパターンのホール径または分離幅の縮小が達成される方法(特許文献3)、
(4)少なくとも1個のイミノ基の水素原子がヒドロキシアルキル基で置換されたグリコールラウリルの中から選ばれた完全水溶性架橋剤、および水溶性樹脂を水系媒体に溶解して、微細パターン形成材料とすると共に、基板上に酸発生剤を含む化学増幅型レジストを用いてレジストパターンを形成させたのち、この上に前記微細パターン形成材料からなる塗膜を設け、加熱処理してレジストパターンと塗膜との界面に水不溶性の反応層を形成させ、次いで水系溶剤により塗膜の非反応部分を除去することにより、微細パターンを形成させる方法(特許文献4)、
(5)レジストパターンの表層部に酸の存在により架橋する架橋剤と膨潤促進剤とを含む薬液を浸透させて表層部を膨潤させ、レジストパターンの膨潤した表層部に架橋膜を形成させて第2のレジストパターンを形成させる方法(特許文献5)、
(6)酸成分を含む第1の上層膜でレジストパターンを覆い、さらにその上に塩基性成分を含む第2の上層膜を形成させた後、熱処理により酸成分を第1のレジストパターン中に、塩基性成分を第1の上層膜中にそれぞれ拡散させて、レジストパターン中に溶解化層を形成させながら第1の上層膜と第2の上層膜との界面近傍で酸成分を塩基性成分により中和させて、溶解化層を除去してパターン幅を縮小させる方法(特許文献6)、
(7)基板上に形成されたレジストパターンの全面又は一部に、(メタ)アクリル酸モノマーと水溶性ビニルモノマーとからなるコポリマーを含むレジストパターン微細化用被覆形成剤を塗布し、さらに加熱することによって、レジストパターンを熱収縮させてパターンを微細化させる方法(特許文献7)、
(8)界面活性剤含有液を塗布した後、樹脂および界面活性剤を含有するレジストパターン厚肉化材料を塗布するレジストパターンの形成方法(特許文献8)
などが提案されている。
基板の表面上に、凸部を有する第一の凸パターンを形成させる工程、
前記第一の凸パターン上にシラザン結合を有する繰返し単位を含んでなる樹脂と、前記樹脂を溶解し、かつ前記凸パターンを溶解しない溶剤とを含んでなる樹脂組成物を塗布する塗布工程、
前記塗布工程後の基板を加熱して、前記凸部に隣接した部分に存在する前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程、
前記硬化工程後の基板をリンス処理して未硬化の樹脂組成物を除去する工程、および
前記凸部の上側表面に形成された硬化層を除去することにより、前記凸部の側壁に前記第一の凸パターンを構成する物質とは異種の物質からなる層を形成させる工程
を含んでなることを特徴とするものである。
基板の表面上に、凸部を有する第一の凸パターンを形成させる工程、
前記第一の凸パターン上に、塩基性化合物を含んでなる前処理組成物を塗布する前処理工程、
前記第一の凸パターン上にシラザン結合を有する繰返し単位を含んでなる樹脂を含んでなる樹脂組成物を塗布する塗布工程、
前記塗布工程後の基板を加熱して、前記凸部に隣接した部分に存在する前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程、
前記硬化工程後の基板をリンス処理して未硬化の樹脂組成物を除去する工程、
前記凸部の上側表面に形成された硬化層を除去することにより、前記凸部の側壁に前記第一の凸パターンを構成する物質とは異種の物質からなる層を形成させる工程、および
前記凸部を除去することにより、前記の異種の物質からなる微細な第二の凸パターンを形成させる工程
を含んでなることを特徴とするものである。
基板の表面上に、凸部を有する第一の凸パターンを形成させる工程、
前記第一の凸パターン上に、塩基性化合物を含んでなる前処理組成物を塗布する工程
前記第一の凸パターン上にシラザン結合を有する繰返し単位を含んでなる樹脂を含んでなる樹脂組成物を塗布する塗布工程、
前記塗布工程後の基板を加熱して、前記凸部に隣接した部分に存在する前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程、
前記硬化工程後の基板をリンス処理して未硬化の樹脂組成物を除去する工程、
前記凸部の上側表面に形成された硬化層を除去することにより、前記凸部の側壁に前記第一の凸パターンを構成する物質とは異種の物質からなる層を形成させる工程、
前記第一の凸パターンと同等の材質をスペース部に対して埋め込み、第一の凸パターンに対する補填パターンを形成させる工程、および
前記異種の物質からなる層を除去する事により、前記第一の凸パターンと前記第一の凸パターンに対する補填パターンとからなる、微細パターンを形成させる工程
を含んでなることを特徴とするものである。
本発明の一実施態様による微細パターン形成方法は、微細パターン形成用組成物としてシラザン結合を有する繰り返し単位を含んでなる樹脂と、前記樹脂を溶解し、かつレジストパターンを溶解しない溶剤とを含んでなる微細パターン形成用組成物を用いることを除いて、従来公知の方法が用いられる。したがって、レジストパターンを形成するために用いられるフォトレジスト、およびこれを用いてのレジストの形成方法は従来公知のフォトレジストおよび従来公知のレジスト形成法のいずれのものであってもよい。なお、レジストパターンは、一般的に用いられている任意のものを用いることができる。また、微細パターン形成用組成物によるレジストパターンへの被覆法は従来公知の方法の何れの方法も用いることができる。
−(SiH2NH)−と−(SiH2N)<とを有し、末端が水素または−SiH3であるものである。このペルヒドロポリシラザンは、繰り返し単位の配合比で種々の構造を取り得るが、例えば以下のような構造が例示できる。
以下、図2(a)〜(h)を参照しながら、前記した微細パターンの形成方法を利用した、別の実施態様によるパターン形成方法について詳細に説明すると以下の通りである。図2(a)〜(h)は、各パターンの長さ方向に垂直な方向の断面図を表すものである。
前記した、別の実施態様による微細パターン形成方法が、第一の凸パターンの凸部の側壁に形成されたスペーサーをマスクとしてパターンを形成するものであるのに対して、さらに別の実施態様による微細パターン形成方法は、スペーサーおよびスペーサーの下層を除去することによりパターンを形成するものである。このような本発明のもうひとつの実施形態について、図3(a)〜(h)を参照しながら詳細に説明すると以下の通りである。
まず、AZエレクトロニックマテリアルズ社製ポリシラザンをジブチルエーテル中に約10重量%の濃度で溶解させ、0.05ミクロンのフィルターで濾過して、ポリシラザン組成物(微細パターン形成用組成物)を調製した。
KrFレジストDX5250P(商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)を基板にスピンコーティングした後、通常の手法で露光して、ピッチ1:5のラインアンドスペースパターン(ライン幅180nm)を形成させた。次いで、表1に示す通り、パターンの表面に前処理組成物を塗布せず、または前処理組成物をそれぞれ塗布してからベーキングした。ベーキングは、表1に示した条件で行った。
ArFレジストAX3110P(商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)を基板にスピンコーティングした後、通常の手法で露光して、ピッチ1:1のトレンチパターン(トレンチ幅120nm)を形成させた(比較例4)。次に、表2に示された通りの前処理用組成物を準備した。溶媒には純水を用い、各成分を溶解させることにより前処理組成物を調製した。次いで、表2に示す通り、パターンの表面に前処理組成物を塗布せず、または前処理組成物をそれぞれ塗布した。更にその基板にポリシラザン組成物を塗布してから90℃/60秒ベークし、更にジブチルエーテルで60秒リンスした後にスピン乾燥した。
ArFレジストAX3110P(商品名、AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社製)を基板にスピンコーティングした後、通常の手法で露光して、ピッチ1:1のトレンチパターンを形成させた。次いで、パターンの表面に、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドを0.01重量%の濃度で純水に溶解させた前処理組成物を塗布した。更にその基板にポリシラザン組成物を塗布してから90℃/60秒ベークし、更にジブチルエーテルで60秒リンスした後にスピン乾燥した。
2 レジスト膜
3 微細パターン形成用組成物層
4 硬化層
5 前処理組成物層
6 吸着樹脂
100 基板
101 支持体
102 被加工膜
103 中間膜
104 第一の凸パターン
104A 埋め込み材料
105 前処理組成物層
201 被覆層
301 硬化層
401 スペーサー
501 中間膜に由来するパターン
601 微細パターン
Claims (14)
- 基板の表面上に、凸部を有する第一の凸パターンを形成させる工程、
前記第一の凸パターン上に塩基性化合物を含んでなる前処理組成物を塗布する前処理工程、
前処理組成物を塗布した後、その上にシラザン結合を有する繰返し単位を含んでなる樹脂と、前記樹脂を溶解し、かつ前記凸パターンを溶解しない溶剤とを含んでなる樹脂組成物を塗布する塗布工程、
前記塗布工程後の基板を加熱して、前記凸部に隣接した部分に存在する前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程、
前記硬化工程後の基板をリンス処理して未硬化の樹脂組成物を除去する工程、および
前記凸部の上側表面に形成された硬化層を除去することにより、前記凸部の側壁に前記第一の凸パターンを構成する物質とは異種の物質からなる層を形成させる工程
を含むことを特徴とする微細パターン形成方法。 - 前記塩基性化合物が窒素含有塩基性化合物からなる群から選択される、請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記窒素含有塩基性化合物が、1級アミンまたは2級アミンである、請求項2または3に記載の微細パターン形成方法。
- 前記窒素含有塩基性化合物が、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、ピペリジン、ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン、エタノールアミン、イソプロパノールアミン、ジエタノールアミン、N−メチルエタノールアミン、N−エチルエタノールアミン、N,N−ジメチルエタノールアミン、N,N−ジエチルエタノールアミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、モルホリン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、およびテトラエチルアンモニウムハイドロオキサイドからなる群から選択される、請求項2〜4のいずれか1項に記載の微細パターン形成方法。
- 前記塩基性化合物が、塩基性ポリマーである、請求項1に記載の微細パターン形成方法。
- 前記塩基性ポリマーが、ビニルイミダゾール、エチレンイミン、ビニルアミン、アリルアミン、またはそれらの混合物を重合単位として含むものである、請求項6に記載の微細パターン形成方法。
- 前記レジストパターンが、フォトレジストから形成されたものであるか、またはフォトレジストから形成されたパターンをマスクとしたエッチング処理により作製されたものである、請求項1〜8のいずれか1項に記載の微細パターン形成方法。
- 基板の表面上に、凸部を有する第一の凸パターンを形成させる工程、
前記第一の凸パターン上に、塩基性化合物を含んでなる前処理組成物を塗布する前処理工程、
前記第一の凸パターン上にシラザン結合を有する繰返し単位を含んでなる樹脂を含んでなる樹脂組成物を塗布する塗布工程、
前記塗布工程後の基板を加熱して、前記凸部に隣接した部分に存在する前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程、
前記硬化工程後の基板をリンス処理して未硬化の樹脂組成物を除去する工程、
前記凸部の上側表面に形成された硬化層を除去することにより、前記凸部の側壁に前記第一の凸パターンを構成する物質とは異種の物質からなる層を形成させる工程、および
前記凸部を除去することにより、前記の異種の物質からなる微細な第二の凸パターンを形成させる工程
を含んでなることを特徴とする微細パターンの形成方法。 - 基板の表面上に、凸部を有する第一の凸パターンを形成させる工程、
前記第一の凸パターン上に、塩基性化合物を含んでなる前処理組成物を塗布する工程
前記第一の凸パターン上にシラザン結合を有する繰返し単位を含んでなる樹脂を含んでなる樹脂組成物を塗布する塗布工程、
前記塗布工程後の基板を加熱して、前記凸部に隣接した部分に存在する前記樹脂組成物を硬化させる硬化工程、
前記硬化工程後の基板をリンス処理して未硬化の樹脂組成物を除去する工程、
前記凸部の上側表面に形成された硬化層を除去することにより、前記凸部の側壁に前記第一の凸パターンを構成する物質とは異種の物質からなる層を形成させる工程、
前記第一の凸パターンと同等の材質をスペース部に対して埋め込み、第一の凸パターンに対する補填パターンを形成させる工程、および
前記異種の物質からなる層を除去する事により、前記第一の凸パターンと前記第一の凸パターンに対する補填パターンとからなる、微細パターンを形成させる工程
を含んでなることを特徴とする微細パターンの形成方法。 - 請求項10または11に記載の方法により形成された微細パターンをマスクとして、基板の表面を加工し、さらなる微細パターンを形成させることを含んでなることを特徴とする、微細パターンの形成方法。
- 前記基板が、支持体上に被加工膜が形成されたものであり、前記表面が前記被加工膜である、請求項12に記載の微細パターンの形成方法。
- 前記基板が、支持体上に被加工膜および加工補助用中間膜が形成されたものであり、前記表面が前記加工補助用中間膜である、請求項12に記載の微細パターンの形成方法。
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