TW200428482A - Exposure system and device producing method - Google Patents

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200428482 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於曝光裝置及元件製造方法，進一步詳 言之’係關於製半導體元件、液晶顯示元件等電子元件之 微影製程中所使用之曝光裝置及使用該曝光裝置之元件製 造方法。 【先前技術】 用以製造半導體元件（積體電路）、液晶顯示元件等電 子元件之微影製程，係使用將光罩或標線片（以下，通稱為 「標線片」）之圖案透過投影光學系統，轉印至塗有光阻（ 感光劑）之晶圓或玻璃板等感光性基板（以下，稱r基板」 或「晶圓」）上之各曝光照射區域的投影曝光裝置。作為此 曝光裝置’過去多使用步進重複（Step & Repeat)方式之縮 小投影曝光裝置（所謂的步進器，Stepper)，最近，將標線 片與晶圓同步掃描以進行曝光之步進掃描（Step & 幻方 式之投〜曝光衣置（所謂的掃描步進器，Scanning stepper) 亦受到注目。 投影曝光裝置所具備之投影光學系統之解像度，隨著 所使用之曝光波長越短、投影光學系統之孔徑數（NA)越大 而越高。0此，隨著積體電路之微細化，投影曝光裝置所 使用之曝光波長亦年年短波長化，且投影光學系統之孔徑 數亦日羞增大。目前，雖仍以krF準分子雷射以“㈤之曝 光波長為主*，但波長更短之ArF準分子雷射之丨亦 曰漸實用化。 200428482 又，在進行曝光日守，與解像度同樣的，焦深（d〇f)亦 非常重要。解像度R及焦深δ分別以下式定義。 R= kl · λ/ΝΑ (i) δ= 土k2 · λ/ΝΑ2 (2) 此處，λ係曝光波長、ΝΑ係投影光學系統之孔徑數、 kl，k2係製程系數。根據式（1)、式（2)可知，為提高解像度 R ’而縮短曝光波長λ、加大孔徑數NA時，焦深δ將變窄 。投影曝光裝置中，係以自動聚焦方式將晶圓表面對齊於 投影光學系統之像面來進行曝光，因此，以具有某種程产 之廣焦深δ較佳。是以，提出了移相標線片法、變形照明 法、多層光阻法等，實質上使焦深變廣的提案。 上述習知之投影曝光裝置，由於曝光用光之短波長化 及投影光學系統之大ΝΑ化，使得焦深日益變窄。此外， 為因應積體電路更進一步的高積體化，曝光波長在未來將 笔無疑問的更為短波長化，如此一來焦深將變得過窄，而 有曝光動作時限界（margin)不足之虞。 因此，作為一種實質上縮短曝光波長、且使焦深大於（ 廣）空亂中之方法，提出了一種浸沒法。此浸沒法係將投 影光學系統之了面與晶圓表面之間，以水、或有機溶媒等 液體加以充滿，利用曝光用光在液體中之波長為空氣中之 l/n倍（η係液體之折射率，一般為12〜16左右）之特性 ，來提昇解像度。又，此浸沒法，係與其解像度不使用浸 ::而能得到相同解像度之投影光學系統(假設能製造此種 投影光學系統)相較，能將焦深實質上放大至η倍，亦即與 200428482 空氣中相較將焦深放大至„倍的方法(例如，參照國際公開 第 99/ 49504 號）。 根據上述國際公開第99/495〇4號中記載之投影曝光 裝置(以下，稱「習知技術」），除了能以浸沒法進 :γ解像度且與空氣中相較焦深變大的曝光，即使投影 光學系統與晶圓相對移動，，亦能在投影光學系統與基板之 間安定的充滿、亦即保持液體。 然而，該習知技術中，欲完全回收液體是非常困難， 曝光後’在晶圓上殘留用於浸沒之液體的可能性高。此場 合，會因為殘留液體蒸發時之汽化熱使得環境氣氛中產生 ^度/刀布，或者產生環境氣氛之折射率變化，而此等現象 ，有可能成為用來測量裝載該晶圓之載台位置的雷射干井 儀產生測量誤差的主要因素。此外，，亦有可能因晶圓上： 留之液體繞至晶圓背面，使得晶圓緊貼於搬送臂而不易分 離。再者，亦有可能隨著液體之回收動作使該液體周邊二 境氣氛中之氣體（空氣）流混亂，因而導致環境氣氛產生溫 度變化及折射率變化等。 又，習知技術中，使晶圓上之邊緣照射區域曝光時等 ，投影光學系統之投影區域係在晶圓上之邊緣附近時，嗲 液體有可能漏出至晶圓外側，使用圖案之投影像無法良^ 的在晶圓上成像。此外，當晶圓不在投影光學系統之^方 時，由於該液體之保持困難，因此在晶圓之更換後，對該 更換後之晶圓開始曝光時，需在將晶圓移動至投影光學系 統之下方後，等待液體被供應至投影光學系統與晶圓之= 200428482 又，在投影光學系试 ^ - 5, # ^ . ”、、，之周圍，需配置焦點感測器、對 羊级冽态寺各種感測器 ^ Λ ^ ^ Μ ^ 〇 4态，習知技術中，由於 係在投衫先學糸統外部配 因此上述周邊機器之配置…應用…回收用管線等， ,. _置自由度文到相當的限制。 此外，習知技術Φ r t > i? ^ r ^ d, 彳疋會有氣泡混入所供應之液 體宁、或在液體中產♦奋 姑你屋生轧泡，且此等氣泡進入投影光學系 、冼與基板之間，使曝A g # 1九用先之透射率部分降低而產生曝光 虞’更有可能招致圖案投影像之成像不良。 再者#有可施因#光用光照射於投影光學系統與基 反間之液體’使得該液體產生溫度變化(折射率變化），而 ^欠圖案成像H %之降低。x，亦有可能因投影光學系統 ，基板間之液體的壓力，使得投影光學系、統或保持晶圓之 :圓載台產生振動、傾冑，而使圖案轉印至晶圓上之轉印 4化此外，在圖案之投影區域内液體相對投影光學 系、’先/氣動日守，亦有可能產生該流動方向之溫度傾斜、及壓 力傾斜，而此等即有可能成為投影光學系統之像面傾斜等 像差之主要原因，而導致圖案轉印精度局部的降低，甚至 成為圖案轉印像之線寬均一性惡化的主要原因。 如前所述，上述習知例中，有多處待改善之缺點。 【發明内容】 本發明有鑑於上述情事，第1觀點之第1曝光褒置， 係以能量束照射圖案，將該圖案透過投影光學系統轉印至 基板上’其特徵在於，具備：基板載台’係裝載該基板並 保持該基板於2維面内移動；供應機構，係將液體供應至 200428482 忒杈衫光學系統與該基板載台上之該基板之間；回收機構 ，係用以回收該液體；以及輔助回收機構，係回收該回收 機構未能完全回收之該液體。 根據本發明，係以供應機構將液體供應至投影光學系 統與基板載台上之基板之間，以回收機構回收該液體。此 衿，在投影光學系統（之前端部）與基板載台上之基板之間 ，係保持（充滿）既定量之液體。因此，在此狀態下進行曝 光（圖案往基板上之轉印），使用浸沒法，能將基板表面之 曝光用光之波長縮短至在空氣中之波長的1/11倍（11係液 體之折射率），進一步的使焦深成為空氣中之n倍。又，在 仏應祛構之液體供應與回收機構之液體回收係同時進行時 由於投景》光學系統與基板間之液體係隨時替換，因此若 基板上附著有異物時，能藉由液體之流動來除去該異物。 以此方式，進行高解像度及焦深較空氣中廣的曝光。又， 在例如產生無法以回收機構完全回收液體之情形時，以辅 助回收機構來回收該無法回收之液體。如此，基板上不致 於殘留液體，而能避免因該液體之殘留所產生之上述各種 不良狀悲。因此，根據本發明之曝光裝置的話，能以良好 之精度將圖案轉印至基板上，且防止液體殘留在基板上。 又，本叙明之曝光裝置中，供應機構之液體供應與回收機 構之液體回收並不一定須要同時進行。 此時，可進一步具備平板，其係設於該基板載台上該 基板之裝載區域周圍之至少一部分，其表面與裝載於該裝 載區域之基板表面大致同高。此時，由於在投影光學系統 10 200428482 與基板之間局部保持液體的狀態下，即使基板載台移動至 投影光學系統離開基板之位置時，亦能在投影光學系統與 平板之間保持液體，因此能防止該液體之流出。 本發明之第1曝光裝置中，該輔助回收機構可在該投 影光學系統中該基板之移動方向後方回收殘留液體，或者 ’該輔助回收機構亦可在該投影光學系統中該基板之移動 方向前方回收殘留液體。 本發明之第1曝光裝置中，該輔助回收機構包含用以 吸引流體之吸引機構。 此日寸，可進一步具備供氣機構，俾抑制因該吸引機構 之吸引所產生之該液體周圍的環境變化。 本發明第2觀點之第2曝光裝置，係以能量束照明圖 案，將該圖案透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在 於，具備··基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維 面内移動·，供應機構，係為了將該投影光學系統與該基板 載台上之該基板之間局部的充滿液體，而供應該液體；回 收機構，係回收該液體；以及 平板，係設在該基板載台上之該基板之裝冑區域周圍 之至少-料，其表面與裒載於該裝冑區域之基板表面大 致同高。 根據此發明，係以供應機構將液體供應至投影光學月 統與基板載台上之基板之間，以回收機構回收該液體。4 曝光中’供應機構之液體供應與回收機構之液體回收… —定須要同時進行，但至少在曝光中，係於投影光學系桌 200428482 人土板載σ上之基板之間，局部的保持既定量之液體。因 匕使用况/又法’進行高解像度及焦深廣於空氣中之曝光 此外，在例如使基板之周邊部曝光時、或在曝光結束後 更換基板載台上之基板時等，在投影光學系統與基板之間 :持液體的狀態下，即使基板載台移動至投影光學系統之 投影區域離開基板之位置時，亦能在投影光學系統與平板 之間保持液體，而能防止該液體之流出。此外，由於在例 如基板之交換中’能將液體保持在投影光學系統與平板之 間，因此不需經過用來供應液體之時間，即能開始該基板 之曝光。因此，若根據本發明之曝光裝置的話，能以良好 之精度將圖案轉印至基板上，且特別是在基板交換後不需 要液體之供應時間，因此能提昇生產率。 此時’可將該平板與該基板間之間隙係設定在3mm以 下。在此情形下，即使基板載台從基板位於投影光學系統 下方的狀態移動至基板離開投影光學系統之位置等，投影 光學系統像面側之浸沒部分位於基板與平板之交界處時， 亦能因該液體之表面張力，防止液體流出至基板與平板間 之間隙。 本發明之第2曝光裝置，可進一步具備：干涉儀，係 測量該基板載台之位置；以及空調機構，係進行該投影光 學系統與該基板間之該液體周邊的空調。 本發明之第2曝光裝置中，以該供應機構進行之液體 供應，可從該平板上開始。 本發明第3觀點之第3曝光裝置，係以能量束照明圖 12 200428482 案，將該圖案透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在 於，具備：基板載台，得、裝載該基板並保持該基板於2維 面内移動；干涉儀’係用來測量該基板載台之位置；供應 機構，係對該投影光學系統與該基板載台上之該基板間供 應液體，EJ收機構’係回收該液體；以及空調機構，係進 订該投影光學系統與該基板間之該液體周邊的空調。 根據此發明，係以供應機構將液體供應至投影光學系 統與基板載台上之基板之間，以回收機構回收該液體。雖 不一疋需要在曝光中進行供應機構之液體供應與回收機構 之液體回收’但至少在曝光中，係於投影光學系統與基板 載台上之基板之間，局部的保持既定量之液體。因此，使 用/又/又法，進行同解像度及焦深廣於空氣中之曝光。此外 由於係以空调機構進行液體周邊之空調，因此在以回收 機構回收液體時，&防止液體周圍之環境氣氛中氣體之流 動=亂，進而防止因該氣體流動之混亂（包含因此而產生之 氣度的波動、折射率變化等）而導致干涉儀測量誤差之 而月b以良好之精度測量基板載台之位置。因此，若 據本t明之曝光裝置的話，能以良好之精度將圖案轉印 至基板上。 此日守’ a亥空調機構包含吸引流體之吸引機構。 又此日丁’該吸引機構亦可具有回收該回收機構未能 ^ 之°亥’夜體的功能。此場合，例如當產生無法以回 、=構π王回收液體之情形時，即以該吸引機構回收該無 王回收之液體。據此，即不致於在基板上殘留液體， 13 200428482 能防止因液體殘留（殘存）所導致之前述各種不良情形之發 生。 乂久 本發明之第3曝光裝置中’該空調機構，係與收納曝 光裝置之處理室内之空調獨，局部進行該液體周叙 空調。 本發明第1〜第3曝光裝置各個中，該投影光學系統 包含複數個光學元件，該複數個光學元件中位於最靠近該 基板側之光學元件，在不使用於曝光之部分形成有2 2 % 過該孔進行《體之供應、該液體之回收、及氣泡（液體中 之氣泡）之回收的至少一種動作。

本發明第4觀點之第4曝光裝置，係以能量束照明圖 案，將該圖案透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在 於，具備：基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維 面内移動；供應機構，係對該投影光學系統與該基板載台 上之該基板間供應液體；以及回收機構，係、回收該液體； 該投影光學系統包含複數個光學元件，該複數個光學元件 二位於最靠近該基板側之光學㈣，在不使用於曝光之部 分形成有孔；透過該孔進行該液體之供應、該液體之回收 、及氣泡（液體中之氣泡）之回收的至少一種動作。 根據本發明，在構成投影光學系統中位於最靠近該基 板側之光學^件，在不使用於曝光之部分形成有孔；透過 該孔進行該液體之供應、該液體之回收、及液體中氣泡之 回收動作。因此，與將供應機構及回收機構配置在投影光 子系統外部之情形相較，能節省空間。又，在此情形下， 14 200428482 之基板 、應至投影光學系統與基板載台」 '’以回收機構回收該液體。此時，雖不一定f *光中進行供應機構之㈣供應與 " 收，楨5 + — η I丄 叹钱構之液體β 其士 — 係於投影光㈣統與基板載台上之 土反^ ’局部的保持既定量之液體1此，❹浸沒沒 使像度及焦深廣於空氣中之曝光。承上所述，老

印至Α:::之曝光裳置的話，除能以良好之精度將圖案轉 置=能提昇投影光學系統周圍之構成各部之配 士本發明第i〜第4之各曝光裝置中，可進一步具備控 I?:二：在該基板載台停止時，亦停止該供應機構之液 収的仏應動作及該回收機構之液體的回收動作。 安 弟5觀點之第5曝光裝置’係以能量束照明圖

將該圖案透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在 於’具備：基板載台’係裝載該基板並保持該基板於^維 面内移動；供應機構，係對該投影光學系統與該基板載台 上之該基板間供應液體；以及回收機構，係回收該液體； 在該基板載台停止時，亦停止該供應機構之液體的供應動 作及δ亥回收機構之液體的回收動作。 根據本發明，在基板載台停止時，亦停止供應機構之 液體的供應動作及回收機構之液體的回收動作。此場合， =使用例如投影光學系統與基板間之距離（工作距離）;的 高解像度（孔徑數大的投影光學系統）之投影光學系統時， 液體以其表面張力保持在該投影光學系統與基板之間。基 15 200428482 板載台之停止中，由於多數時液體替換之必要性低，因此 與隨時（不僅是在基板載台之移動中，且在基板載台之停止 時）、同時進行供應機構之液體供應動作及回收機構之液體 回收動作的情形相較，能減少液體之使用量。此時，至少 在曝光中’係於投影光學系統與基板載台上之基板之間， 局部的保持既定量之液體。因此，使用浸沒法，進行高解 像度及焦深廣於空氣中之曝光。承上所述，若使用本發明 之曝光裝置的話，除能以良好之精度將圖案轉印至基板上 ，且旎減少液體之使用量。此點，特別是在使用高價的液 體時非常適合。 本發明第1〜第5之各曝光裝置中，該供應機構，可 攸该基板之移動方向之前方側，對該投影光學系統與該基 反载口上之基板之間供應液體，或者，該供應機構，亦可 攸忒基板之移動方向之後方側，對該投影光學系統與該基 板载台上之基板之間供應液體。 本&月第1〜第5之各曝光裝置中，為將該圖案以掃 榀曝光方式轉印至該基板，可進一步具備相對該能量束將 该基板載台驅動於既定掃描方向的驅動系統。 此守°亥供應機構具有在與該掃描方向正交之非掃描 &向相m離之複數個供應口，視該基板上曝光對象之區劃 區域大小，從該複數個供應口中所選擇之至少一個供應口 進行該液體之供應。 〜 安本I月第6觀點之第6曝光裝置，係以能量束照明圖 木，將該圖案透過投影光學系統分別轉印至基板上之複數 16 200428482 個區劃區域，其特徵在於，具備· 侑·基板载台，係裝載該基 板並保持該基板於2維面内移動；周壁，係至少包圍構成 该投影光學系統之最靠基板側之光學元件周圍，且盘該基 板載台上之基板表面之間相隔既定間^;以及至少―個二 供應機構，係從該基板之移動方 勒万向之後方側將液體供應至 该周壁内部。 根據本發明，基板之移動時，亦即在保持基板之基板 將二：動時’係以供應機構、從基板移動方向之後方側 將液體供應至包含投影光學系 3 ^ ^ 板載台上之基板間的 周J内部，在使基板移動時 又衫先學糸、統與基板之間充 滿液體。此時，在基板上之 无疋區剎區域移動至投影光學 糸統下方時，於該區劃區域 处士 w 土 ^ ^ ^ ^ —方，此在到達投影光學系統 之下方刖確貫的供應液體。亦 j即在使基板往既定方向移 光學系統與基板之間係被液體充滿。因此，以 域作為曝光對象區域進行曝光（圖案轉印至基板上 )糟由：沒法之使用，進行高解像度及焦深廣於謝之 曝九。如此，即能以良好 艮好之精度將圖案分別轉印至基板上 之稷數個區劃區域。 此時，可進一步且偌 φ^ , 八 收機構，俾於該投影光學系統 中孩基板之移動方向前方 Μ . ^ ^ ^ ^ 收/夜體。此場合，係以供應機 構仗基板移動方向之德士 y丨 ^ 灸方側將液體供應至周壁内部，在 技衫先學糸統中於基板 该_ ,, 動方向之則方以回收機構回收該 液脰。此時，所供應之液 ^ ^ Μ ^ ^ _，係沿基板之移動方向流過投 衫光學系統與基板之間。 匕’ §基板上附著有異物時， 17 200428482 能藉由液體之流動除去該異物。 本發明之第6曝光裝置中，該供應機構可具有複數個 供應口，其係設在曝光時被透過該圖案及該投影光學系統 之能量束所照射之該基板上之照射區域周圍，並視該基板 之移動方向來切換供應該液體所使用之供應口。 本發明之第6曝光裝置中，為將該圖案以掃描曝光方 式轉印至該基板，可進-步具備相對該能量束將該基板載 台驅動於既定掃描方向的驅動系統。 此時，該供應機構可對該照射區域分別設在該掃描方 向之一側與另一側；供應該液體所使用之供應機構，係視 該基板之掃描方向切換使用。 本發明之第6曝光裝置中，該供應機構具有在與該掃 榣方向正交之非掃描方向相隔離之複數個供應口，視該基 板上曝光對象之區劃區域大小，從該複數個供應口中所選 擇之至少一個供應口進行該液體之供應。 、 本發明之第6曝光裝置中，可進一步具備平板，係設 在忒基板載台上之該基板之裝載區域周圍之至少一部分， /、表面與裝載於該裝載區域之基板表面大致同高。 I本發明第1〜第6之各曝光裝置中，可進一步具備至 夕一個氣泡回收機構，係在該投影光學系統中於該基板移 動方向之後方回收液體中之氣泡。 本發明第1〜第6之各曝光裝置中，可進一步具備調整 衣係根據該投影光學系統與該基板間之液體之溫度資訊 的貝測值及預測值的至少_方，來進行曝光條件之調整。 18 200428482 安本發明弟7觀點之第7曝光裝置，係以能量束照明圖 二將該圖案透過投影光學系統分別轉印至基板上之複數 =㈣，其特徵在於，具備：基板載台，係裝載該基 :呆持5亥基板於2維面内移動；供應機構，係對該投影 :糸統與該基板載台上之該基板間供應液體丨以及回收 2構，係时該液體；該供應機構進行线體供應及該回 機構進行之液體回收，係與對該基板上各區劃區域之曝 光動作同步進行。 根據本發明’由於供應機構進行之液體供應及回收機 構進行之液體回收，係與對基板上各區劃區域之曝光動作 同^進仃’因此在對基板上曝光對象之區劃區域以掃描曝 光方式轉印圖案時，在該區劃區域通過能量束（透過投影光 學系統)之照射區域的期間，能在投影光學系統與基板之間 充滿既定量之液體（隨時替換）’藉由浸沒法’進行高解像 度及焦深廣於空氣中之曝光。另一方面，在曝光對象之區 劃區域通過能量束之照射區域的期間、或再加上通過後之 些微的期間以外，可設定成基板上不存在液體之狀態。亦 即，在依序曝光基板上之複數個區劃區域時，由於在每一 區劃區域之曝光’皆係反覆進行投影光學系統與基板間之 液體的供應及該液體之全回收’因此能縮短基板上液體之 存在時間，抑制基板上感光劑（光阻）之成分劣化，亦能抑 制基板周圍之環境氣氛的惡化。此外，在前一區劃區域之 曝光中因曝光用光照射而被加熱之液體，亦不致於影響下 一區劃區域之曝光。 19 200428482 此時，在對各該區劃區域之每次曝光時，可以該供應 機構進行該液體之供應、及以該回收機構進行該液體之全 回收。 又，於該圖案之轉印時，係在因該基板載台往該掃描 方向之移動使付曝光對象區域之前端，進入透過該圖案及 該投影光學系統被該能量束照射之該基板上之照射區域内 的任一時間點，開始以該供應機構供應該液體。 此場合中，在對該曝光對象之區劃區域轉印圖案、與 對前一區劃區域轉印圖案之間的該基板載台之區劃區域間 移動動作結束後，開始以該供應機構供應該液體，或者， 亦可如申明專利範圍第3 6項之曝光裝置般，在該曝光對 象之區劃區域前端到達供應位置之時間點，開始以該供應 機構供應該液體。 ^本發明之第7曝光裝置，於該圖案之轉印時，可在因 。亥基板載台往該掃描方向之移動使得曝光對象區域之後端 ，從透過該圖案及該投影光學系統被該能量束照射之該基 板上之妝射區域出來的時間點，停止以該供應機構供應該 液體。 ^此％’可在對該曝光對象之區劃區域轉印圖案後、對 人區劃區域轉印圖案之前進行的該基板載台之區劃區域 間移動動作開始前，結束該回收機構進行之該液體的回收 〇 二本發明之第7曝光裝置可於該圖案之轉印時，係在因 Λ基板載台往該掃描方向之移動使得曝光對象區域之後端 20 200428482 ，從透過該圖案及該投影光學系統被該能量束照射之該基 板上之照射區域完全出來前的時間點，停止以該供應機構 供應該液體。 此時，可在該曝光對象之區劃區域後端到達供應位置 之時間點’停止以該供應機構供應該液體。此外，亦可在 對該曝光：象之區劃區域轉印圖案後、對次一區劃區域轉 :圖案之前進㈣該基板載台之區劃區域間移動動作開始 月ίι，結束该回收機構進行之該液體的回收。 本發明之第5、f 7之各曝光裝置，可進一步具備周 壁’其係至少包圍構成該投影光學系統之最靠基板側之光 學元件周目’且與該基板載台上之基板表面之間相隔既定 隙…亥供應機構，係將該液體供應至該投影光學系統之 該基板側端部所面臨之該周壁内部。 安 ^月第8觀點之第8曝光裝置，係以能量束照明圖 2使基板在既定掃描方向移動來將該圖案透過投影光學 ;:、以知描曝光方式分別轉印至該基板上之複數個區割 =其特徵在於，具備：基板載台，係裝載該基板並保 光二Γ 2維面内移動；周壁，係至少包圍構成該投影 =先之最靠基板側之光學元件周目，且與該基板載台 應5 C二表面之間相隔既定間隙；供應機構，係將液體供 ^ °壁内部；以及回收機構，係回收該液體。 φ ν &月，係以供應機構對周壁内部（包含投影光學 二二土板载台上之基板之間)供應液體，以回 5亥液體〇因此，+ η 士 ^ 在同¥進行供應機構之液體供應與回收機 21 構之液體回收時，在周壁内部(Μ 間）得你姓 〜光予系統與基板之 ，、呆持既定量之液體（隨時 $ι! (Κ ^ 兴)因此，以基板上之區 -J匚域作為曝光對象區 藉由浸沒法之制，進行高基板上）， 光。又μ, 士 仃同解像度及焦深廣於空氣尹之曝 之最靠由於具備-至少包圍構成該投影光學系統 二=隔既定間隙的周壁’因此藉由將間隙設定的極 俨夕本“丄 積5又疋的極窄，而藉由液 1表面張力防止液體透過該間隙漏出至周壁外。藉由此 H 在曝光結束後確實回收用以浸沒之液體。承 根據本發明之曝光裝置，能以良好之精度將圖案 I “P至基板上之複數個區劃區域’且避免起因於基板 上之蚊留液體所造成之各種不良影響。 此時，可將該周壁之内側設定成負壓狀態。如此，能 更為確貫的防止因液體本身之重量而漏出至外部。 △本發明之第8曝光裝置’可在保持該基板之該基板載 口之和動中’進仃該供應機構之液體供應、及該回收機構 之液體回收。 A本I月之第8曝光裂置’可在保持該基板之該基板載 之U中$進行该供應機構之液體供應、及該回收機 構之液月且回收％維持將該液體保持在該周壁内部的狀態 以下 本号又月之第8曝光裝置中，該既定間隙係設定在3mm 22 200428482 本發明第9兹目 …、之弟9曝光裝置’係以能量束照明圖 案’使基板往gf中> ^ 1 ^ 疋命彳fe方向移動來將該圖案透過投影光學 ^統、〜描曝光方式分別轉印至該基板上之複數個區劃 區域其特被在於’具備：基板載台，係、裝載該基板並保 持該基板於2纟4 A rV» A / ^ 維面内移動；供應機構，係具有在與該掃描 方向正父之非掃描方向相隔離之複數個供應口，視該基板 上曝光對象之區劃區域的位置，從該複數個供應口中所選 狀至少-個供應口，對至少包含該基板載台上之該基板 與该投影光學系統之間的既定空間區4，沿掃描方向供應 液體。 〜 例如，根據曝光對象之區劃區域在基板上之位置，在 該曝光對象之區劃區域之至少非掃描方向尺寸不同時，從 ί、應機構中’視該曝光對象之區劃區域在基板上之位置選 擇供應π-事，就結果而言，係相同於視曝光對象之區劃 區域之非掃描方向尺寸來選擇供應口。因&，根據本發明 址能選擇曝光對象之㈣區域之非掃描方向範圍所對應之 仏艾 不致使液體流至區劃區域外，一邊沿掃描方向對 基^上曝光對象之區劃區域與投影光學系統之間供應液體 ，邊進行使用浸沒法之曝光，即能將圖案以良好之精度 轉印至該曝光對象之區劃區域。&時，基板上部分區書^ 域之非掃描方向尺寸可料同於其餘區劃區域之非掃描方 向尺寸，在基板周邊部存在缺區劃區域之情形時，其他所 有的區劃區域之非掃描方向尺寸可以是相同的。 此4，該供應機構，在該曝光對象之區劃區域為基板 23 200428482 …。 ，可僅從在非掃财向相隔離之複 數個供應口中的部分供應口供應該液體。 之- 本發明第10觀點之第 圖案，使Α杨往既” 0曝先竑置’係以能量束照明 ^ Γ 土 疋▼描方向移動來將該圖案透過投影光 子系統、以掃描曝光方十、 、 盆牲 別轉印至該基板上之複數個區 n、特徵在於，具備： 保持該基板於2維面内 Μ絲板並 描方向正交之非 “、應機構，係具有在與該掃 向相隔離之複數個供應口，視該美 板上曝光對象之區劃區 ° 個供應口中所選擇之至1^田方向的尺寸，從該複數 載△上之5 卜個供應口’對至少包含該基板 二二基板與該投影光學系統之間的既定空間區域， σ知杬方向供應液體。 區域’可從供應機構中，視該曝光對象之區劃 向範圍的#庳向尺Γ ’稍對應該11 域之非掃描方 、/、k 口，而能不使液體流至區劃區域外，_ ^ % 掃描方6J Λ xr 邊沿 ^土反上曝光對象之區劃區域與投影光學系統之 2夜體，一邊進行使用浸沒法之曝光，即能將圖案以 部分印至該曝光對象之區劃區域。此時，基板上 之==:掃::?尺寸可以不同於其餘區劃區域 寸皆相5 、亦可疋所有區劃區域之非掃描方向尺 同此外，在掃描曝光基板周邊之區劃區域時亦有 該Π方向之尺寸慢慢變化的情形，此時，亦同樣的，視 人寸之變化選擇供應口即可。 本^明第9、第1〇之各曝光裝置，可進一步具備至少 24 200428482 一個氣泡回收裝置，俾在該投影光學系統中沿該掃描方。 流動之液體的上游側，回收液體中之氣泡。 本發明弟9、弟10之各曝光裝置中，該供應裝置可〜 該基板移動方向之後方側供應該液體。 本發明第11觀點之第11曝光裝置，係以能量戾昭 圖案，將該圖案透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵 在於’具備：基板載台’係裝載該基板並保持該基板於2 維面内移動；供應機構，係對至少包含該基板載台上之$ 基板與該投影光學系統之間的既定空間區域供應液體；以 及至少一個氣泡回收裝置，係在該液體相對該投影光學系 統流動的上游側，回收液體中之氣泡。 根據此發明，係在至少包含基板載台上之基板與投影 光學系統之間的既定空間區域中存在液體的狀態下，進行 曝光（圖案轉印至基板上）時，藉由浸沒法之使用，進行高 解像度及焦深廣於空氣中之曝光。此處，液體中之氣泡， 係在該液體流相對於投影光學系統之上游側以氣泡回收機 構加以回收。亦即，液體中之氣泡，不會到達投影光學系 、’、人土板間之月b i束（曝光光束）的光程，而被氣泡回收機 構回收。因此，能防止氣泡進入投影光學系統與基板之間 間而造成部分能量束（曝光光束）之透射率降低、及投影像 惡化寺情形。 此日可’該氣泡回收機構係將氣泡與該液體一起排出。 本t明之第1 1曝光裝置中，該氣泡回收機構設有複 數们回收该氣泡所使用之氣泡回收機構，係視該基板之 25 ^uu42«482 移動方向切換。如此，不論基板往任一方向移動時，皆能 防止在該移動中氣泡進人投影光學系統與基板之間。 本I月第9〜第"之曝光裝置，可進一步具備样 置，以根據該投影光學系統盥 ，、°。衣 的實測值及預測值…方 間之液體之溫度資訊 勺至v 方，來進行曝光條件之調整。 本::明第12觀點之第12曝光裝置，係以能量束照明 Z案，將該圖案透過投影光學系統轉印至基板上 2於，具備·：基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2 美面内移：：供應機構，係對至少包含該基板载台上之該 投影光學系統之間的既定空間區域供應液體；以 ;次=’係根據該投影光學系統與該基板間之液體之 μ度貝訊來進行曝光條件之調整。 又據本毛月’係以供應機構，對至少包含基板載台上 投影光學系統之間的既定空間區域供應液體。在 此狀恶下進行曝光（圖案轉印至基板上）時，藉由浸沒法之 使用’進行高解像度及焦深廣於空氣中之曝光。此時，係 使用㈣裝置，根據投影光學系統與基板間之液體之溫度 -錢來進行曝光條件之調整。因此，能適當的調整隨該浸 =用液體之溫度分布而導致曝光精度惡化之主因，例如圖 案之投影區域（能量束透過圖案及投影光學系統，照射於基 :上Γ區域）内之像差（例如散焦）分布，亦即，能在考慮像 面形狀之變化等後進行曝光條件之適當的調整。因此，根

據本發明之曝光裝晉 A 在置此將圖案以良好之精度轉印至基板 上0 26 200428482 此時，可進一 + 掃描曝光方式轉印至該基板：動系統：：：了將該圖案以 台往既定掃描方向驅動目對该能量束將該基板載 該投影光學系統之二=少二個溫度感測器，係在 一個。 y祂方向之—側與另一側各至少配置 V具備預測裝置，以根據分別配置在 側與另一側之 該液體通溫度感測器的檢測結果，來預測 之該 ” ^案及錢影光學系統被該能量束照射 人 之π射區域期間，所產生之溫度變化。 本發明之第1 2 以在進行該圖幸” 一步具備驅動系統， A # Α 印的掃描曝光時，相對該能量束將該 i光掃描方向驅動；該調整裝置，係考慮該投 統與該基板間之液體於掃描方向之溫 凋整曝光條件。 1 此時’該調整裝置可考慮因該掃描方向之溫度分布所 生的！面傾斜’來調整像面與基板表面間的位置關係。 此時’該調整褒置，可配合因該掃描方向之溫度分布 生的知描方向之像面傾斜使該基板傾斜，且於該傾斜 方向掃描該基板。 、、“本發明第11、第12之各曝光裝置中，該供應機構可 /σ D玄基板之移動方向放出該液體。 此時，供應機構可沿從該基板移動方向之後方放出該 液體。 Λ 之弟12曝光裝置中，該溫度資訊，可包含實測 27 200428482 值及預測值的至少一方。 本發明之第12曝光裝置，可進一步具備能檢測出該 投影光學系統與該基板間之液體之溫度的溫度感測器，根 據該溫度感測器之檢測結果進行該曝光條件之調整。 本發明之第12曝光裝置，可根據該溫度資訊，來進 行用以調整以該投影光學系統所形成之像面、與該基板表 面間之位置關係的焦點控制。 本發明帛13觀點之帛13曝光裳置，係在投影光學系 統與基板之間充滿液體的狀態下，將既定圖案透過該投影 光學系統轉印至該基板上，其特徵在於：於進行多重曝光 時，係在將第丨圖案轉印至該基板上之區劃區域後，在該 投影光學系統與該基板之間保持該液體的狀態下，將第2 圖案轉印至該基板上之該區劃區域。 根據本發明，在進行多重曝光時，係在投影光學系統 與基板之間充滿液體的狀態下，將第丨圖案轉印至基板上 之區劃區域後，在投影光學系統與基板之間仍保持液體的 狀L下，將第2圖案轉印至基板上之該區劃區域。因此， 能適用採浸沒法之多重曝光，進行高解像度且實質上加大 焦珠之高精度的曝光。此場合，在開始第2圖案之轉印的 %間點，由於在投影光學系統與基板之間保持有液體，因 此不需要等待液體之供應即能開始該第2圖案之轉印。 本發明第14觀點之第14曝光裝置，係透過投影光學 系統將圖案轉印至基板上來使該基板曝光，其特徵在於， 具備··基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内 28 200428482 移動；供應機構，係對至少包含該基板載台上之該基板與 忒杈〜光子系統之間的空間區域供應液體；以及調整裝置 ，係根據該投$光學系統與該基板間之壓力資訊來進行曝 光條件之調整。 〜mβ!锻執H上之暴扳盥投 影光學系統之間供應液體。於此狀態下，進行基板之曝光（ 圖㈣印至基板上)時’藉由浸沒法之使用，進行高解像度 及焦冰廣於空氣中之曝光。此時，使用調整裝置，根據投 影光學系統與基板間之壓力資訊來進行曝光條件之調整。 ’能適當的調整隨該浸沒用液體之溫度分布而導致曝 =惡化之主因，例如圖案之投影區域(能量束透過圖案 才又衫光學系統，照射於基板 "" 隹 土板上之區域）内之像差（例如散 ::置二:、即，能在考慮像面形狀之變化、基板表面之面 =誤差等後進行曝光條件之適當的調整。此處，投 間之壓力分布，可以是使用-力編 訊的推測值。盔論何去 出之貝 將四索、U 根據本發明之曝光裝置的話，能 將圖案以良好之精度轉印至基板上。 此日t，基板可一邊往既定播P古A # 4 投影光學系統板心M w多動一邊曝光；該 動；該調整/置= 與該掃描方向平行的流 光條件之調整^方向之壓力分布來進行曝 本务明弟14曝光梦晉由 體流動方向之相门方6^ ，〜土板，可一邊往與該液 之相冋方向移動、一邊曝光。 29 200428482 本發明f 14曝光裝置巾，該調整裝置，可根據該基 板之掃彳田速度所對應之曝光條件的調整資訊，來進行曝光 條件之調整。 又，本發明之第14曝光裝置中，該調整裝置，可根 據该供應機構之液體供應量所對應之曝光條件的調整資訊 ’來進行曝光條件之調整。 本發明第15觀點之第15曝光裝置，係以能量束照明 圖案，將該圖案透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵 在於，具備：基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2 維面内移動；供應機構，係將液體供應至該投影光學系統 與該基板載台上之該基板之間；回收機構，係用以回收該 液版，以及液體除去機構，係用以除去該回收機構未能回 收之該基板上之液體。 根據本發明，係以供應機構將液體供應至投影光學系 先’、基板載台上之基板之間，以回收機構回收該液體。此 時i在投影光學系統（之前端部）與基板載台上之基板之間 /係保持（充滿）既定量之液體。因此，藉由在此狀態下進 仃曝光（圖案轉印至基板上），使用浸沒法，使基板表面之 曝光用光波長成為空氣中波長之1/n(n係液體之折射率） ’進而使焦深放大成空氣中之約η倍。又，在同時進行供 應機構之液體供應與回收機構之液體回收時，投影光學系 統與基板間之液體，係隨時替換。此外，在例如發生無法 以回收機構完全回收液體之情形時，則以液體除去機構除 去該未能回收之液體。 30 200428482 本發明第16觀點之第16曝光裝置，係於投影光學系 先之像面側局部的保持液體，且以能量束照明圖案，將該 回求透過。亥杈衫光學系統與該液體轉印至基板上，其特徵 '八備基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2 隹面内移㉟’供應機構，係將液體供應至該投影光學系統 之像面側；第丨回收機構，係在該投影光學系統之投影區 域外側回㈣液體；以及第2回收機構，係對該投影區域 在較該帛1回收機構之更外側回收該液體。 ^此处，所謂投影光學系統之投影區域，係指以投影光 學系統形成之投影對象、例如圖案像之投影區域。 根據本n，係以供應機構將液體供應至投影光學系 i克之像面側，以第1回收機構回收該液體。此時，係在投 影光學系統之像面側局部保持液體的狀態下，以能量束照 射圖案，4圖案透過投影光學系統與液體被轉印至基板上 、。亦即、，進行浸沒曝S。因&，能使基板表面之曝光用光 '長成為工氣中波長之i / n倍（n係液體之折射率），進而 使焦深放大成空翁中> & ^ '、之、力n七。此外，在例如發生無法以 第1回收機構完全回收液體之情形時，則使用相對投影區 域較第i回收機構更位於外側之第2回收機構，來回收該 未能回收之液體。 本發明第1 7觀點之第 統之像面側局部的保持液體 圖案透過該投影光學系統與 在於’具備：基板載台，係 1 7曝光裝置，係於投影光學系 ’且以能量束照明圖案，將該 该液體轉印至基板上，其特徵 裝載該基板並保持該基板於 2 31 200428482 、隹面内移動，該基板載台，在該基板載台所保持之該基板 周圍’具備與該基板表面大致同高的平坦部。 根據本發明，係在投影光學系統之像面側局部的保持 ㈣的狀1下’以能量束照射®帛’將該圖案透過投影光 學系統與液體轉印至基板上。亦gp，進行浸沒曝光。又， 2如在使基板周邊部曝光時、或在曝光結束後更換基板載 口上之基板等時，在投影光學系統與其像面側之基板間保 ^夜體的狀態下，即使基板載台移動至投影光學系統之投 影區域脫離基板之位置時，亦能將液體保持在投影光學系 統與基板載台所保持之基板周圍所設之平坦部之間，而能 防止該液體流出。 本發明第18觀點之第18曝光裝置，係於投影光學系 ’先之像面側局αρ的保持液體，且以能量束照明圖案，將該 圖案透過該㈣光學系統與該㈣㈣至基板上，其特徵 在於.具備基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2维 面内移動；該基板截A，Α1札 口 在5亥基板載台所保持之該基板周 圍，具備與該基板表面 败衣面大致冋咼的平坦部；在不進行該基 板之曝光動作時，伤佶辞#旦，&谢^ ’、^ ^又衫光予系統與該平坦部對向， 以在該投影光❹統之像面㈣續保持液體。 根據本發明，係在将旦;^ jt：與么., 办干糸統之像面側局部的保持 /夜體的狀怨下，以能晋垂昭 束…、射圖案，將該圖案透過投 學系統與液體轉印至基板上。 仅〜先 亦即，進行浸沒曝光。而在 不進灯基板之曝光動作卩主 , 九動作日”由於係使投影光學系統與設於 基板載台之平坦部對向，將 將液體持績保持在投影光學系統 32 200428482 之像面側，因此，例如在使複數片基板連續曝光時，能在 基板更換中將液體持續保持在投影光學系統之像面側，不 而經過用來供應液體之時間，即能開始對更換後之基板進 订曝光。此外，由於投影光學系統之像面側前端部係呈乾 燥狀態，因此亦能防止在該前端部產生水痕（⑽⑽贿幻等 〇 本發明第19觀點之第19曝光裝置，係於投影光學系 統之像面側局冑的保持液體，且以能4束照明圖案，將該 圖案透過該投影光學系統與該液體轉印至基板上，其特徵 在方；·具備基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維 面内移動；該基板載台，具有與該基板載台所保持之該基 板表面大致同高的平坦部；該基板載台所保持之基板之曝 光結束後’將該基板載台移動至既定位置，以回收該投影 光學系統|面側之液冑；該液體之回收結束後，將該曝光 、、’σ束後之基板從該基板載台卸下。 根據本發明，係在投影光學系統之像面側局部的保持 液體的狀態下，以能量束照明圖案，將該圖案透過投影光 學系統與液體轉印至基板上。亦即，進行浸沒曝光。在基 ，載台所保持之基板之曝光結束後，將基板載台移動至既 6位置以回收投影光學系統像面側之液體。此處，將基 =載台移動至既定位置之際，即使基板載台移動至投影光 予系、先之技衫區域脫離基板之位I時，，亦能將液體保持在 投影光學系統與設於基板載台上之平坦部之間。又，亦可 將該既定位置設定為投影光學系統與設於基板載台上之平 33 無論何種方式，皆係在移動 ’該液體之回收結束後，將 卸下。 坦部對向以保持液體之位置。 至既定位置後進行液體之回收 曝光結束後之基缺基板載台 t月弟20規點之第2G曝光裝置，係於投影光學系 、、克之像面側局部的保持、^ '、 圖…… 以能量束照明圖案，將該 :，“又衫先學系統與該液體轉印至基板上，其特徵 傻;、備·供應系統’係將液體供應至該投影光學系統 ::面側：以及排氣機構，係排出該投影光學系統像面側 内之孔體，來自該供應機構之液體供應，係與該排氣 機構進行之氣體的排出同時開始。 根據本發明，係在投影光學系統之像面側局部的保持 液體的狀態下，以能量束照明圖帛，將該圖案透過投影光 學系統與液體轉印至基板上。亦即，進行浸沒曝光。此外 ’由於供應機構將液體供應至投影光學系統之像面側的動 作係與排氣機構排出投影光學系統像面側空間内之氣體 的動作同呀開始，因此不僅能將液體迅速的充滿於該空間 内亦旎防止在投影光學系統之像面側不當的殘留氣泡或 塊狀氣體。 本务明第2 1觀點之第2 1曝光裝置，係透過投影光學 系統與液體對基板上照射能量束，以使該基板曝光，其特 ‘文在方；’具備··基板載台’係保持該基板能於2維面内移 動’以及控制裝置’係根據該液體之溫度資訊與該液體之 塵力資訊之至少一者，來控制該基板載台之移動。 根據本發明，係透過投影光學系統與液體對基板上照 34 200428482 射此里束’以使該基板曝光。亦即，進行浸沒曝光。此外 ’由於係使用控制褒置，根據該液體之溫度資訊與該液體 之塵力t訊之至少一者，來控制基板载台之移動，因此能 有效的抑制因投影光學系統與基板間之水的溫度變化或水 的壓力，致在曝光中產生散焦等之情形，防止轉印精 度之惡化。 ^ 此外’於微影製程中’使用本發明第i〜第21曝光裝 置之任-者，將元件圖案轉印至基板上，即能在基板u 良好之精度形成圖帛，據而以高良率製造具有更高積體卢 之微元件。因此，本發明之另一觀點，係使用本發明第1 〜第21曝光裝置之任一者的元件製造方法。 【實施方式】 《第1實施形態》 以下，參照圖i〜圖10B，說明本發明之第i實施形 態。 圖1，係顯示第！實施形態之曝光裝置_的概略構 成。此曝光裝置100，係步進掃描（step & scan)方式之投影 曝光裝置（所謂的掃描步進器）。此曝光裝置100，具備T 照明系統10、用以保持作為光罩之標線片R的標線片載台 RST、投衫早το PU、載台裝置5〇(包含用以搭載作為基板 之晶圓W的Z傾斜載台30、以及此等之控制系統。 前述照明系、統10，例如，如日本專利特開平6 — 3497〇1號公報及對應之美國專利第5,534,97〇號等之揭示 ’係包含光源、含光學積分器等之照度均勻化系統、分束 35 200428482 器、中繼透鏡、可變ND濾光片、標線片遮簾等（皆未圖示 )而構成。此照明系統1 〇，係將描繪有電路圖案之標線片 R上以標線片遮簾所規定之狹縫狀照明區域部分，藉由作 為能量束之照明用光（曝光用光）IL以大致均勻之照度來加 以照明。此處，作為照明用光IL，例如係使用ArF準分子 雷射光（波長193mn)。此外，亦可使用KrF準分子雷射光（ 波長248nm)等之遠紫外光、或發自超高壓水銀燈之紫外線 帶之亮線（g線、i線）來作為照明用光IL。又，作為光學積 分器，可使用複眼透鏡、棒狀積分器（内面反射型積分器） 或繞射光學元件等。本案在申請國法令允許範圍内，援用 上述美國專利之揭示作為本說明書之一部分。 又，在照明系統10内之照明用光IL的光程上，設置 透射率高反射率極低之分束器，在此分束器所反射之反射 光程上配置有由於光電轉換元件所構成之積分感測器（光感 測器）14(圖1中未圖示，參照圖6)。此積分感測器14之光 屯轉換訊號，被供應至主控制裝置2〇(參照圖6)。 别述4示線片載台P S T上’例如，以真空吸附方式固定 有標線片R。標線片載台RST，例如係以包含線性馬達等 之標線片載台驅動部11(圖1中未圖示，參照圖6)，而能 在與照明系統10之光軸（與後述投影光學系統PL之光軸 AX —致）垂直的XY平面内微小驅動，且能往既定掃描方 向以指定之掃描速度驅動。 標線片載台PST在載台移動面内之位置，係以標線片 雷射干涉儀（以下，稱『標線片干涉儀』）16，透過移動鏡 36 200428482 1 5，例如以 〇 5〜。 — 程度之分解能力隨時加以檢測出。 此處，貫際上，在禅 知線片戴台pst上設有一具有與γ軸方 向正父之反射面的移 移動鏡、與一具有與X軸方向正交之反 射面的移動鏡，對座 ~ 汉 '此寻移動鏡而設有標線片γ干涉儀與 可示線月X干〉步儀，m "中係代表性的顯示移動鏡15、標線 月干涉儀1 6。又，l 、 入例如，亦可將標線片戴台PST之端面予 以鏡面加工來开彡此f έ 卞 休，介 采士成反射面（相對於移動鏡15之反射面）。此 亦可取代延伸於χ 載台PST於掃描…軸方向之反射面(用於進行標線片 貫施形態中為γ抽方向）之位置檢 ，貝使用至少！個的角隅型反射鏡（例如倒反射鏡， 此處，標線片Υ干涉儀與標線片X干涉儀 例如軚線片Υ干涉儀係具有2測長軸之2軸干涉儀 ’根據此標線片γ干涉儀之 V ^ Λ. 彳里徂除铩線片載台PST之 位置外’亦能測量0 Ζ方向^ 。 里 万匀（、、堯ζ軸之旋轉方向）之旋轉 末自才示線片干涉儀1 6之才#綠y并△ ，择徂處 y儀之^線片載台PST之位置資訊 ，、i、應至载台控制裝置丨9並 2〇。載”…里 工透過此供應至主控制裝置 載。控制裝置19,回應主控制裝 標狳Η并△ ^ 且ZU之心不’根據 、 口 ST之位置資訊，透過標線片載台驅動部u 來驅動控制標線片載台PST。 片载動。"i =㈣單元PU’係配置在標線片載台psT之圖丨 勺下方。投影單元pu，具備 PL > .l ,, ^ ^ , 口 40、與投影光學系統 才又衫光學系統PL係由在該镑衿 保持之藉皇1 隹讀靖内以既定位置關係 幵之複數個光學元件，具體而言， 由具有Ζ軸方向共通 37 200428482 與光軸ΑΧ白勺複數個透鏡（透鏡元件）所構成。作為投影光 干系、先PL，例如係使用兩側遠心之既定投影倍率（例如i (4倍、或1/5倍)的折射光學系統。因此，以來自照明 二’先1 0之a明用光IL照射標線片r上之照明區域時，藉 由通過此&線片R之照明用光IL ’透過投影單元印(投影 光學系統PL)將該照明區域内之標線# R之電路圖案縮小 像（電路圖案之部分縮小像），形成在表面塗有光阻（感光劑） 此外’雖省略圖示，構成投影光學系pL《複數個透 :特定之複數個透鏡’係根據來自主控制裝置2〇之 指，’以成像特性修正控制器81(參照圖6)加以控制，而 月^周整技影光學系統pL之光學特性（含成像特性），例如能 調整倍率：畸變、慧形像差、及像面彎曲(含像面傾斜卜 又，成像特性修正控制器8卜可藉由移動標線片卜 或進行照明用光IL之微調整，透過投影光學系統pL來碉 =投影像之特性，，亦可將此等方式適當組合使用以進㈣ 又’本實施形態之曝光裝置i⑽’為進行採後述浸沒 ^之曝光，在構成投影光學系統PL之最靠近像面側（B曰曰圓 W側）之光學元件的透鏡42(參照圖3等）附近，以包圍保持 該透鏡之鏡筒40前端之狀態，安裝有液體供排單元、 關於此液體供排…2及與此連接之管 : 留待後敘。 风寺 38 200428482 前述載台裝置50’具備··作為基板載台之晶圓載a WST，設於該晶圓載台WST上之晶圓料具7q，鱼用^ 驅動該等晶圓載台WST及晶圓保持具7G的裁台驅"Μ 等。該晶圓载台WST,具備：χγ载台31與Ζ傾 30。該ΧΥ載台31係在圖！，之投影光學系統吒之下： ，配置在未圖示之基座上’藉由構成晶圓载台驅動部Μ 之未圖示的線性馬達等驅動於灯方向；該2傾斜载么刊 ，係謝ΧΥ載台31上’藉由構成晶圓載台驅動；24 之未圖不的Ζ傾斜驅動機構，微驅動於ζ軸方向、及 χυ面之傾斜方向(繞X軸方向(ΘΧ方向)、以及繞γ軸之 方向(ΘΥ)方向。此ζ傾斜載台上，裝載有用來保持晶圓之 前述晶圓保持具70。 此晶圓保持具70,如圖2之立體圖所示，具備特— 形狀之本體部70Α、與4片輔助板22a〜22d。該本體〇 70Α，係晶圓W之裝載區域（中央的圓形區域）之周圍部八 中，位於正方形Ζ傾斜载台3〇之一對角線上的2個二 部分分別突出’位於另—對角線上的2個角落部分為大前 述圓形區域之大圓白圓弧形；該4片輔助板“a〜 22d’係配置在晶®1 W之裝載區域周圍、與該突出部7〇A 大致重疊的板。此等4輔助板22a〜22d之表面（平坦部）， 係設定為與晶圓W表面大致相同（兩者高度之差，在丨爪爪 左右或低於1 mm)高度。 此處，如圖25所示，各輔助板22a〜22d與晶圓w之 間，存在一間隙D，間隙D之尺寸係設定在3mm以下。 39 200428482 ，在曰曰W W上之一部分，存在切口（v字形缺口），但由 方、此切口之尺寸係較間隙D更小的丨mm左右，因此省略 其圖示。 又，於辅助板22a之一部分形成有圓形開口，該開口 内，以無間隙之方式嵌有基準標記板FM。基準標記板FM 之表面係被設定為與辅助板22a相同高度。於基準標記板 FM表面，形成有後述標線片對準、及對準檢測系統之基 準線測量等所使用之各種基準標記（皆未圖示）。又，輔助 板22a〜22d，並不一定要是板狀，可使z傾斜載台3〇之 上面與晶圓w相同高度即可。簡言之，只要在晶圓w周 圍形成有與晶圓w表面大致相同高度之平坦部即可。 回到圖1，前述XY載台31，不僅能移動於掃描方向 (Y軸方向），且為了使曝光照射區域（作為晶圓w上之複數 個區劃區域）能位於與前述照明區域共軛之曝光區域，而亦 能在與掃描方向正交之非掃描方向（Χ軸方向）移動，而反 覆進行對晶圓w上之各曝光照射區域進行掃描（scan)曝光 動作、與為進行下一曝光照射區域之曝光而移動至加速開 始位置（掃描開始位置）動作（區劃區域間之移動動作）的步進 掃描（step & scan)動作。 晶圓載台WST在χγ平面内之位置（含繞2軸旋轉⑺ z旋））’係透過設在Z傾斜載台30上面之移動鏡1 7，以晶 圓雷射干儀（以下，稱「晶圓干涉儀」）丨8，例如以〇· 5〜 1 nm程度之分解能力隨時加檢測。此處，實際上，在z傾 斜載台30上，例如圖2所示，設有γ移動鏡17γ(具有與 200428482 掃描方向（γ軸方向）正交之反射面）、與x移動鏡丨7χ(具 有與非掃描方向（X軸方向）正交之反射面），並與此對應的 ’晶圓干涉儀亦設有X干涉儀（對X移動鏡17Χ垂直照射 干涉儀光束）、與Υ干涉儀（對γ移動鏡i 7Υ垂直照射干涉 儀光束）於圖1中’係代表性的顯示成移動鏡17、與晶 圓干涉儀18。又，晶圓干涉儀18之x干涉儀與γ干涉儀 ’皆係具有複數個測長軸之多軸干涉儀，藉由此等干涉儀 ，除能測量晶圓載台WST(正確來說，係Ζ傾斜載台3〇)之 ΧΥ位置外’亦能測量旋轉（偏搖（yawing、繞ζ軸旋轉之0 z)、俯仰（pitching、繞X軸旋轉之0 x)、滾動（r〇ning、繞 Y軸旋轉之0 y))。此外，例如對Z傾斜載台3〇之端面施 以鏡面加工來形成反射面（相當於移動鏡17χ，17γ之反射 面）亦可。再者，將多轴干涉儀傾斜45度，透過設於晶圓 台18之反射面，對裝載投影光學系統pL之架台（未圖示） 所叹之反射面照射雷射光束，來檢測投影光學系統PL於 光軸方向（Ζ軸方向）之相對位置資訊亦可。 晶圓載台WST之位置資訊（或速度資訊）係供應載台控 制叙置1 9、以及透過此載台控制裝置19供應至主控制裝 置20。載台控制系統19，根據主控制系統20之指示，依 據晶圓載台WST之上述位置資訊（或速度資訊），透過晶圓 載台驅動部24控制晶圓載台WST。 接著’根據圖3及圖4，說明液體供排單元32。圖3 中’液體供排單元32，係與鏡筒40之下端部及管線系統 一併以截面圖方式顯示。又，圖4係顯示圖3之B — B線 41 200428482 截面圖。液體供排單元32 j文扃於鏡绮40亦可從鏡筒 卸下’當生液體供排單元32 以更換。 故障或知壞寻之情形時，加 如圖3所示，在投影單元PU鏡筒 下端部）形成有其直徑小於1 像面^部（ -4Λ _ 八他口p刀的小徑部40a，此小和 : '之_越往下方其直徑越小的漸細部偈。此日： ^ °卩他㈣保持構成投影光學线pi之最靠近^ 面側的透鏡42。此透鏡42甘丁/ 取*近像 XY面平行。 ，’ 2’其下面係與光軸AX正交之 :述’從前方(及側面)視之係具有 其中央部，於上下士 A… W Η〜狀， ^ 、 向形成有能從上方插入鏡筒40 < f 徑部40a、截面為圓 门U之小 m門 形之開口 32a。此開口 32a之開口徑 ^ 之外側環狀側壁仏之内周面直徑），係—從上 立而邛至下端部附近為 上 的漸細狀。其結果，由 乃越小 側壁32c之内面， :之漸細部4〇b外面與環狀 呈前端細)的-種嘴部二T之呈末端廣(由下方視之 部」）。 為方便起見，稱「前端細嘴 在液體供排單元+ ，形成有由下方視之。=端面，於前述開口…之外側 之壬裱狀的凹部32b。此時，在m都 32b與開口 32a之間，彤 ^ 。此環狀側壁32e之下^有既定厚度之前述環狀側壁仏 筒4〇之最下端面）為=面’係與前述透鏡42之下面（鏡 ，係從上端部至下端二—面：環狀㈣32c之外周面直徑 付近為固定、其下之部分則係越往 42 200428482 下方越小的漸細狀。 前述環狀側壁32C與鏡筒4〇之小徑部他之間，由圖 3/W 4 # ’形Μ俯視（或仰視）呈環狀之間隙。此間 隙内，於其全周以大致等間隔、 收管52之一端。 於上下方向插入複數支回 在液體供排單元32之前述凹部奶内部之 矿=狀側壁3WX轴方向兩側及γ轴方向兩側處分別 下方向之貫通孔34’於各貫通孔34中分別插入 排…4之-端(圖3中’未圖示χ軸方向之一側盘另一 側之排氣管Μ，請參照圖4)。又，在液體供排單元^之 底面(上面)’於複數處(例如2處)形成有圓 透匕各圓孔插入全回收用嘴56之下端部。 進…，在液體供排單元32下端：於前述凹部Μ 二二成有從下方視之呈環狀之凹槽咖。此場合，凹 。曰此r^奶之間，形成有既定厚度之環狀側壁仏 ”，讀之下端面，係與前述透鏡-之下面(鏡 ^之取下端面）為同一面（同高）。環狀側壁A内周面 從ίΓ邻雖然從上端至下端皆固定，但外周面之直徑，則 方越小的漸細狀。 I、下之部分則係越往下 7 32d之深度，與凹部32b相較略（既定 ==單元32之㈣叫内部之底面（上面），以既定 = :?:具?差的貫通孔，於各貫通孔内從上* 4 58之_&，各貫通孔下端之小徑部則為供應 43 200428482 口 36。 液體供排單元32之前述凹禅 槽32d之外側壁，亦即， 周壁32f係其内周側之一部分 丨刀車父其餘部分向下方突出既定 距離Δϋ的突出部32 此突 既疋 透Θ 42下&工/ 此大出部32g之下端面，與前述 還鏡42下面平行，與晶阊w主 表面之間的間隙△h，係在 3mm以下，例如i〜2 力 mm左右。又，此場合，突出部3 之前端面，係位在透鏡42表面下方大致ΔΗ處。 周壁32f之内周面下端部（突出冑32§附近部分）之直 徑，係越往下方越大的漸粗狀。其結果，藉由形成環狀凹 槽32d之兩側壁（32e，32f(32g))，構成為由上方視之呈末端 廣（由下方視之呈前端細）的一種嘴部（以下，為方便起見， 稱「末端廣嘴部」）。 在周壁32f之突出部32g外側之環狀區域，於χ轴方 向之一側與另γ轴方向之-側與另-側，形成 有二對既定深度之圓弧狀狹縫32hi，3叫、以及叫，叫 。/狹縫之寬度’實際上，與凹们2d之寬度尺寸相較相4 當的小，其内部可產生毛細管現象。由分別連通於該等狹 、逢3 2hl5 32h2, 32h3, 32h4、其直徑稍大於各該狹縫寬度之圓 孔所構成的吸氣孔，係對應各狹縫而在液體供排單元32 面幵y成至 >、各一個，於各吸氣孔中分別插入輔助回收管 之女而(但圖3中，僅顯示與Y轴方向一側與另一側 之狹縫32h3, 32h4連通的輔助回收管6〇3, 6〇4，並未顯示與 X軸方向一側與另一側之狹縫32h】，32h2連通的辅助回收 管6015 602(參照圖4》。 200428482 别述各供應管58之另一端，係分別透過閥62a，分別 連接於供應管線64(一端連接於液體供應裝置72)之另一端 。液體供應裝置72，係由液體容器、加壓泵、溫度控制裝 置等構成，以主控制裝置2〇來加以控制。此時，若對應 之閥62a為開狀態的話，當液體供應裝置72動作時，即將 浸沒用之既定液體（已使用溫度控制裝置加以調溫至例如與 收納曝光裝置1〇0(之本體）之處理室（省略圓示）内溫度相同 私度之溫度）透過供應口 36，供應至被液體供排單元Μ與 晶圓W表面區劃之大致封閉的空間内。以下，將設於各供 應官58之閥62a，亦統稱為閥群62a(參照圖6)。 作為上述液體，此處，係使用ArF準分子雷射 長193.3nm之光）能穿透之超純水（以下，除必要場合外， 僅稱為「水」）。使用超純水之優點在於，在半導體製造工 廠能容易的大量取得，且對晶圓貿上之光阻及光學透鏡等 沒有不良影響。此外，超純水不至於對環境造成不良影響 ，且由於雜質之含量極低，因此亦可期待對晶圓之表面、 及對透鏡42表面的洗淨作用。 又，水之折射率η被認、為在⑽〜⑷左右，在此水 中，照明用光IL之波長即成為丨93nmx丨/ η =約^ 3 ^〜 1 3 4 n rn左右之短波長。 前述各52之另―端’分別透過闕62b連接於 其一端連接於液體回收裝置74之回收管路66之另一端。 液體回收裝置74,包含液體之容器及吸引料，以主控制 裝置20加以控制。此場合，當對應之閥 62b為開放狀態 45 200428482 時，w述大致封閉空間内之水即透過各回收管52而被液 體回收裝置74回收。以下，將設於各供應管52之閥62b ’亦統稱為閥群62b(參照圖6)。 幻述各全回收用嘴5 6之上端，係透過中繼用回收管 路68及共通的閥62c而連接於前述回收管路之另一分 歧端。此時，各全回收用嘴56，係藉由被主控制裝置 才工制之驅動機構63(圖3中未示，參照圖6)而能上下動作 各王回收用鳴5 6，能移動至晶圓w表面下方既定距離 匕^閥6 2 c為開放狀態時，將所有的全回收用嘴$ $ 降至與晶圓表面大致相同高度之位置，即能透過該等全回 為56以液體回收裝置74從晶圓（或前述輔助板22a 〜22d)上將水完全回收。 别述各排氣管之另一端，係分別透過閥62d連接於真 空管線系統69之一端（此真空管線系統69之另一端，係連 接於内裝有真空泵 '作為吸引機構之真空排氣裝置？6)。 真空排氣裝置76，係以主控制系統20加以控制。以下， 將β又於各排氣管54之閥62d，亦統稱為閥群62a(參照圖6) 〇 又於此真空管線糸統6 9 ’透過共通的閥6 2 5 e分別 連接有前述輔助回收管6〇1〜6〇4。此時，若所有的閥62d 皆為開放狀態、且真空排氣裝置76為動作狀態，當在晶 圓W(或釗述輔助板22a〜22d)上水滿至透鏡42下端面之 上方位置（參照圖8)時，凹部32b内之上部空間即成為負 壓’該水即被吸上去。 46 右閥62e為開放狀態、真空排氣裝置76為動作狀 ^ ，在水漏至（流出至）前述周壁32f外部之情形 、广將會因狹縫(23hi〜32h4之任一者)内之毛細管 象而被吸起，且被直* 姑姚山 板具二排虱衮置％之真空吸引力吸起而 被排出至外部。 乍為上述各閥，除使用能開關者外，亦使用其開 關度可°周整的調整閥（例如流量控制閥）。該等閥，係以主 控制裝置20加以控制（參照圖6)。 又，液體供排單元32，係透過孔（係在液體供排單元 上面之複數位置、朝向凹部32b内部底面（上面）於上下 方向分別形成者）藉由螺栓固定於鏡筒4〇之底部（參照圖4) 又，在鏡筒40之漸細部4〇b之γ軸方向的一側與另 一側，分別固定有一對溫度感測器38Α，38Β。此等溫度感 測為之輸出，係供應至主控制裝置2〇(參照圖6)。 又’如圖3所示，於前述狹縫32h3，η、附近，分別 設有供氣嘴85s，854。此外，雖省略圖示，但於前述狹縫 321^，32h2附近，亦分別各設有一個供氣嘴。此等供氣嘴， 係分別連接於以種控制20加以控制之空調機構86(圖3中 未圖示，參照圖6)。 本實施形態之曝光裝置1 〇〇，進一步的，為進行晶圓 W之所謂的自動對焦、調平，而設有焦點位置檢測系統。 以下，根據圖5來說明此焦點位置檢測系統。 圖5中’透鏡42與鏡筒40之漸細部40b之間，設有 47 zOmzmisi 一對由與透鏡42相同好所姐』 44a，44b。 才貝構成、緊固於該透鏡42的稜鏡 此外，於鏡筒4〇夕^ , y 山、 之除小徑部40a外之大徑部40c的下 夕而附近，形成有一對脾

、、、兄涛4〇之内部與外部加以連通、 k伸於水平方向的I 貝k孔40d，40e。於此等貫通孔4〇d， 4〇e各個之内側（前 二隙側”而部，分別配置有直角稜鏡 46A，46B，並固定於鏡筒4〇。 於鏡筒40外部，；_

Qn L L 面對一貝通孔4〇d，配置有照射系統 9 0 a。此外，於籍铃 1 _ . / 、’ 5 外部，面對另一貫通孔40e，配置 有人如射系統90a —起播#盔卷 t構成為焦點位置檢測系統之受光系 統90b。照射系統9〇a， ,、 /、有以圖1之主控制系統2〇來進 打開關doff)控制的光源，朝投影光學系統PL之成像 ;欠平方向射出用來形成多數之針孔（pinhole)或狹縫 (slit)像的成像光束。 射出之成像光束，被直角稜鏡46A反 射向垂直下方，获ώ # 曰由别述棱鏡44Α相對光軸Αχ從斜方向 照射於晶圓W表面。另一古品.、木Ω ^ ^ 曲另方面，被晶圓W表面反射之該 寺成像光束之反射光束，被前述棱鏡44Β反射向垂直上方 再被直角#夂鏡46Β反射向水平方向，而被受光系統幾 接收。以此方式，本實施形態中，係以照射系統9〇”受 光系、先90b、稜鏡44A，44B及直角稜鏡46A，46B，來構成 如日本專利特開平6_ 2834()3號公報及對應之美國專 J第5,448,332 ?虎等所揭示者相同、由斜入射方式之多焦 點位置檢測系統所構成的焦點位置檢測系統。以下，以焦 點位置檢測系統(9〇a，9〇b)來稱呼此焦點位置檢測系統。本 48 200428482 案在申請國法律許可範圍内，援用上述公報及美國專利之 揭示内容作為本說明書之部分記載。 此焦點位置檢測系統（90a，9〇b)之受光系統90b之輸出 、即失焦訊號（散焦訊號）係供應至主控制系統20。

主控制裝置20，係在後述掃描曝光時等，根據來自受 光糸統60b之散焦訊號、例如根據s彎曲訊號，透過載台 I制I置19及晶圓載台驅動部24來控制Z傾斜載台3〇 及晶圓保持具70往Z軸方之移動、及2維方向（即Θ χ，0 y方向之旋轉）之傾斜，以使散焦為零。亦即，主控制裝置 20使用焦點位置檢測系統（90a，90b)來控制Z傾斜載台 3〇及晶圓保持具7〇之移動，據以進行在照明用光IL 4 \\\ 射區域（與前述照明區域光學上供軛之區域）内使投影光學 糸、’先PL之成像面與晶圓w表面實質上一致的自動對焦 (autofocus)及自動調平。關於此點，另行後述。 圖6中，顯示了曝光裝置1〇〇之控制系統之構成的部 刀省略方塊圖。此控制系統，係由工作站台（或微電腦）等 所構成之主控制裝置20及其下之載台控制裝置1 9等為中 心而構成。 主控制裝置20，連接了以上說明之各部分外，亦連接 有汜憶體21。此記憶體21内，儲存有在後述掃描曝光時 ’根據溫度感測器38A，3 8B之測量結果所得之溫度差與透 鏡42下方之水流資訊（流速及流量），來運算與前述標線片 R之照明區域（被照明用光IL照射者）光學上共軛之晶圓w 上之圖案投影區域，亦即，曝光時透過圖案及投影光學系 49 200428482 統PL，照明用光IL所照射之晶圓上照射區域内水之溫度 分布的資訊（例如運算式、或列表資料（table data))，及根 據此溫度分布用以算出被投影該照射區域内之圖案的像差（ 例=最佳焦點位置、像面弯曲（含像面傾斜）、球面像差等） 的變化、對應因該溫度分布所產生之焦點位置檢測系統 (，）'則畺°吳差等之溫度變化係數的資訊（例如運算式 列表資料），以及其他資訊。又，此等資訊，係預先根 據模擬結果等加以求出。 1處，根據圖7A及圖7B，就藉由照明用光江之照 射而投影至晶圓W上之照射區域之圖案像產生像差變化的 理由，以播把士人 σ之像面傾斜為例，簡單的加以說明。 Φ :在曰曰15 W上有纟’但在投影光學系統PL與水之 二：為零，亦即晶圓W為靜止、且水亦未流動 被加熱時，Si於晶圓W上之照射區域使晶圓W m ηκ 上水之溫度分布（溫度之等高線圖）即如 則係代表高溫邻固：㈠，符號C係代表低溫部、編 水的溫度分心 圖所示，因照明用光IL之照射而使 内之圖宰像^生變化時，會使投影至晶圓w上照射區域 非點像差、略㈣· 產生變化，或引起球面像差、 分布為左右對^寺變化。此時，由於照射區域附近之溫度 端之點Ρ盥冉因此知描方向（圖7Α之紙面左右方向）一 1 ✓、另_端夕ψμ 竹 於掃描方向 _ ”、 的最佳焦點位置為同一位置， 於圖7A ^ j產生像面傾斜。又，水之溫度分布並不限 ^月形，亦古7 有了此因照明用光IL被水吸收導致水 50 200428482 溫產生變化，使投影光學系統PL前端附近之水的溫度高 於晶圓W表面附近之水的溫度。 相對於此，投影光學系統PL與水之相對速度非為零 ，例如在水往圖7B中以箭頭F所示方向以既定速度流動 的狀態下，將照明用光IL照射於晶圓w上之照射區域而 使晶圓W被加熱時，在晶圓w上水之溫度分布將如該圖 所示。此圖7B中，同樣的符號C係代表低溫部、符號H 係代表问部。此場合，照射區域附近之水的溫度顯然並 非左右對稱。因此，若忽視此溫度分布之非對稱性的話， 相對方、掃彳田方向（圖7A之紙面左右方向）一端之點I的最 佳焦點位置與晶圓W表面一致，另一端之點P2的最佳焦 點位置則係從晶圓W表面向上側偏離△ z的位置。此處， 點匕之最佳焦點位置之所以不與p2的最佳焦點位置一致 、原口在方；，被來自晶圓之熱加熱的水從點P】往點p2移 動之故。此時，越往上流側（接近點P】之位置），從上流流 過來的冷水越具有決定性，越往下流側（接近點I之位置） 被加熱的水越具有決定性。此外，如圖7B所示之溫度 刀布的U形，點p丨與點P2產生最佳焦點位置之差異的原 在、/JHL度’交化（溫度分布）係對應水之折射率變化（分布） 之故口此，就此意義而言，其他像差、球面像差、非點 像差對交等，亦會因應溫度分布而變化。又，如前所述 由於亦有可能因照明用光1L被水吸收導致水溫產生變化 使技知光學系統PL前端附近之水的溫度高於晶圓w表 面附近之水的溫度，因此，水在流動時之水的溫度分布亦 51 200428482 不限於圖7B之情形。 由以上之說明可知，因照明區域内水之溫度分布所產 生之像差分布（焦點分布等），係依存於水流方向。 又，若前述透鏡42與晶圓W之間有水流動的話，上 流側與下流側之間會產生壓力差。亦即，與上流側相較， 下流側為負壓。亦即，投影光學系統pL與晶圓w間之水 的壓力產生變化，由於此壓力，使透鏡42與晶圓w之位 置變動，導致對應照明區域内位置之像差、例如最佳焦點 位置的變化，或導致自動對焦、自動調平的控制誤差。此 外，掃描方向之壓力分布，與上述水之速度有密切的關係 ，會隨著晶圓W之掃描速度及水（液體）的供應量等而變化。 承上所述，於記憶體2丨内，收納了包含晶圓掃描速 度、水的供應量等資料（或參數），用以算出對應照射區域 内之像差（例如最佳焦點位置、像面彎曲（含像面傾斜）、球 面像差等）變化之壓力變化係數的列表資料（或算出式）。此 等列表資料（或算出式），係根據預先進行之模擬結果等來 加以求出。又，該壓力變化係數中，亦包含相當於晶圓w 之面位置控制誤差的像差變化份。 於記憶體21内，進一步收納有包含作為參數之前述 溫度變化係數與壓力變化係數’用以算出上述各像差的式 子等。 接著，一邊參照圖8A〜圖10B，一邊說明以上述方式 構成之本實施形態之曝光裝置100之曝光處理製程的一連 串動作。 52 200428482 作為前提，係假設標線片載台RST上，裝载有標線片 R此外，曰曰圓載台wst係位於晶圓更換位置，晶圓保持 具70上裝載有晶圓w。 然後’與一般的掃描步進器同樣的，使用未圖示之標 線片對準系統、對準檢測系統及前述基準標記板FM等， 進订標線片對準、未圖示之對準系統之基準線測量，以及 EGA(加強全晶圓對準）等之晶圓對準等既定之準備作業。 在結束晶圓對準後，主控制裝置2〇，即對載台裝置 1 9作出指不’將晶圓載台WST移動至既定的供水位置。 圖8 A中顯不了晶圓載台WST移動至此供水位置時之狀態 此圖8A中’符號PU係代表投影單元pu之鏡筒4〇之 月翊部位置。本實施形態中，係將供水位置設定在投影單 元PU位於基準標記板fm之正上方的位置。 接著’主控制裝置20，開始液體供應裝置72之動作 ，且以既定開度打開閥群62a，開始從所有的供應口 34進 行供水。緊接著，主控制裝置2〇，開始真空排氣裝置％ 之動作，且使閥群62d、閥群62e全開，以開始透過各排 氣管54、輔助回收管6〇ι〜6〇4之真空排氣。又，此時，主 才工制衣置20控制空調機構86，以開始液體供排單元32附 近之局部空調。以此方式，不僅能一邊進行投影光學系統 PL像面側空間之氣體的排氣、一邊將水供應至該空間以迅 速的將該空間充滿水，亦能防止投影光學系統pL像面側 殘留不應有的氣泡及氣體塊。 在經過既定時間後，以液體供排單元32與基準標記 53 200428482 板fm表面所區劃之空間内即大致充滿既定量的水。此處 ’在開始供應時，係將水的供應量設定的較低，以避免水 因其流勢而從周壁32f之突出部32g與基準標記板FM間 之門隙漏出至外部，當水積至△h之高度，液體供排單元 32内部成為完全封閉的階段時，則將水的供應量設定得較 咼。此種水供量之設定，可藉由調整閥群02a之各閥的開 度來進行，亦可控制液體供應裝置7 2之水的供應量。此 外在開始供應時，可慢增加水的供應量，亦可階段性的 增加水的供應量。 無論採取何種方式，當水供應至Ah之高度時，以液 體供排單元32與水面區劃之空間内，因真空排氣裝置％ 之真空吸引力使其相對液體供排單元32之外部成為負壓 ，而能支撐水本身的重量，亦即將水拉起。因此，之後， 即使增加水的供應量，水亦不易從周壁32f之突出部3以 下之間隙漏出。此外，此時，由於間隙為程度， 因此水避會因其表面張力而保持在周壁32f(突出部“幻内 部。 當投影光學系統PL與基準標記板FM間之既定空間 被液體充滿時，主控制裝置2〇，即對載台裝置19作:指 示，移動晶圓載台WST以使投影單元pu之前端部位於曰^ 圓w上之既定位置。又，從圖8A所示之供水開始位置J 動晶圓載台WST時，投影單元.印下之浸沒區域雖合通過 輔助板22a與晶圓W之交界，但由於辅助板22a與晶圓E 之間隙亦為1mm程度’因此能將水持保持在透鏡42之下。 54 200428482 二、’透過前述狹縫32hl〜32h4進行真空吸引而使周 圍空氣被吸入各狹縫内的話，在未採取任何對策時，有可 此會產生空氣之亂流，且各狹縫下方有成為負塵之虞，當 產生此負壓時，水從賤以之突出部32g下之間隙漏: 的可能性變高。然❿，本實施形態中，係使用前述空調機 構86來透過供應嘴853, 854等而有效的抑制了在各狹縫附 近產生上述空氣之亂流及負壓。 圖9 ’係顯示晶圓w上、水在液體供應單元内部 積至期望深度的狀態，在晶圓wjl(含投影光學系統吒之 投影區域的-部分形成浸沒區域。然後，如下述般進行步 進掃描（step & scan)方式之曝光動作。 乂 亦即，載台控制裝置19，在主控制裝置2〇之指示下 ，根據晶圓對準結果，透過晶圓載台驅動部24將晶圓載 台WST移動至用以使晶圓保持具7G所保持之晶圓％上作 為第1個區劃區域之第i曝光照射區域（fim shGt)曝光的 加速開始位置。在晶圓載台WST從供水位置（液體供應位 置）移動至上述加速開始位置時，主控制裴置2〇，係使閥 群62b之至少1個閥62開放至既定開度，透過回收管μ 來回收液體供排單元32内部之水。此時，係進行用於回 收水之閥62b之選擇及各閥62b開度之調整，以使液體供 排單元32内部，能隨時保持水面高度高於透鏡42下面之 一定量的水。 此場合，主控制裝置20,亦可對於投影單元pu使對 應供應口 36(位於晶圓載台WST(晶圓EW)移動方向之後方 55 200428482 以外位置）之M 62a為全閉狀態，對… 應回收管52(位於前述移方…PU僅使對 定開度打開。如此—來::曰位置)之閥62— 末於5亥日日圓載台WST之蒋動φ 在與晶圓載台WST之移動古， 方產生;η # | - P °纟相同方向，在透鏡42下 υ後側往前側移動之水流。此時，主 “a置20,亦最好是能設定水的供應量 =供排單元32内部，能隨時保持水面高度高於透鏡2 下面之一定量的水(-邊隨時替換-邊隨時充滿)。 當晶B WU圓載台WST)結束移動至上述加速開 置日，，即使用載台控制裝置19根據主控制襄置2〇之指示 ’透過標線片載台驅部11及晶圓載台驅動部24,開始進 行標線片載台RST與晶圓載台WST之γ軸方向相輯描 。當兩載台RST，WST分別達到各自之目標掃描速度、達 到等速同步狀態時，即使用來自照明系統1〇之照明用光 IL(紫外脈衝光）來開始照射標線片R之圖案區域，開始掃 祂曝光。上述相對掃描，係根據主控制裝置2〇之指示， 載台控制裝4 19 一邊監測前述晶圓干涉$ 18及標線片干 涉儀16之測量值，一邊控制標線片載台驅部丨丨及晶圓載 台驅動部24來進行。 載台控制叙置19，特別是在上述掃描曝光時，係進行 同步控制，以使標線片載台RST之γ軸方向移動速度％ 與晶圓載台WST之Y軸方向移動速度Vw，能維持對應投 影光學系統PL之投影倍率的速度比。 又 然後’在標線片R之圖案區域的不同區域被照明用光 56 200428482 IL逐次照射，並結束對所 W上之第！曝光照射區域=:之:：’：完成晶圓

八W谉鈿曝先。據此，標線片R 圖案即透過投影光學系統PL而被縮小轉印至第ι曝光照 在上述對阳圓w上之第丨曝光照射區域進行 曝光時，主控制裝置20，亦係與從上述供水位置至 速開始位置時同樣的’進行構成間群心，咖之各間的開 度调整（含全開及全閉），以於掃描方向、亦即於晶圓W之 移動方向，在透鐘+ , 前側，往與晶圓w之移影單元Ρυ後側朝向 水流。 之移動方向相同方向（+υ方向）移動之_ 圖1中，簡略顯示了此時液體供排單元 狀態。此時，水流動的方向，係與晶圓w之掃 近的 二方:)為同…’且水之流速大於晶…掃描速（ 又，，水係在晶圓從圖中左側往右側流動，照明 用先IL在晶圓面上之照明區域（標線片r 、 :㈣…投影區域)，在掃描曝光中隨時 時替換）充滿既定量之水。 &係紋 此時，雖會因水的流速、流量等，而使水有從周辟 3匕大出部A之掃描方向前方漏出至外部的情形:但 ::之水’會在狹縫32h3内因毛細管現象而被吸起 過輔助回收管603以真空排氣裝置76加以真空 = 排出至外部。亦即，於晶圓W之掃描方向，無法以設： 應官58相反側的回收管52加以完全回收，而流出至周:： 叫外側的液體，係藉由輔助回收管％來從晶圓〜上: 57 200428482 以回收（去除）。 此外，如圖10A所示，亦有可能產生所供應之水中混 有氣泡、或在供應後立刻在水中產生氣泡的情形，由於在 ，鏡42之上流側存在前述空間(負壓空間)，因此在水相對 晶0 W之速度在某一值以下的狀態(一般的使用狀態。時， 乳泡將會被回收至該空間内，而不至於到達透_ 42之下 。亦即，由於係設定在供應管58與透鏡42之間，回收水 中之氣泡，因此該氣泡不會到達透鏡42與晶圓W之間， /、不έ因5玄軋泡使投影至晶圓w上之圖案像劣化。

…又，亦可在透鏡42下面不使用部分、亦即在曝光用 通過的部分設置槽亦可。此時，萬一氣泡到達透鏡U 每日日圓W之間時，亦能以該槽來抓住氣泡，因此能更為確 貫的防止氣泡到達曝光用光之光程中。 此處，於上述掃描曝光中，由於必須在晶圓w上之照 明區域與投影光學系統pL之成像面實質上一致的狀態下 進行曝光，因此根據前述焦點位置檢測系統（90a，90b)之輸 出的自動對焦、自動調平，係以主控制裝置20，以下述a 〜f之方式實施。 a、主控制裝置20，在掃描曝光中擷取前述溫度感測 σσ 8Α，38Β之測量值，算出前述晶圓上照射區域之掃描方 向上流側端部與下流側端部的溫度差△Τ。此外，主控制 壯晉 ^ 20 ’使用記憶體21儲存之用來運算前述晶圓上照射 區域内之水溫分布的資訊（例如，運算式或列表資料），根 據所异出之溫度差△ Τ與流過透鏡42下方之水流量，來計 58 200428482 算求出上述之水溫分布。 b、又’主控制裝置20,使用記憶體21儲存之前述資 訊(例如運算式或列表資料），根據所求出之水溫度分布， 來運算照射區域内對應例如掃描方向一側與另一側點之最 佳焦點位置變化的溫度變化係數。 二、又：主控制裝置20,使用記憶體21儲存之前述列 表貧料或算出式’根據晶圓w之掃描速度、水供應量，來 運算照射區域内對應例如掃描方向—側與另一側點之最佳 焦點位置變化的壓力變化係數。 d、又’主控制裝置20’將前述b及c中分別算出之 溫度變化係數與壓力變化係數，代入記㈣Η健存之前 ，像差、例如用來算出最佳焦點位置算出式，來算出照射 區域内例如掃描方向—側與另—側點之最佳焦點位置。 公又，主控制裝置20,根據前述d所算出之結果， :出f時點之投影光學系統的像面形狀(像面之傾斜），根 豕此异出結果，進行焦點位置檢測系統在各檢測點(成像光 =照:點）之目標位置的設定（檢測偏置設定），根據該目 -，進仃晶圓W之對焦控制及調平控制。 =載^及晶圓保持具7G之移動，以使晶圓^工表面 與像面大致一致。 進/主控制裝置20，在掃描曝光中，以既定間隔反覆 夂丁 e之處理。其結果’能有效抑制晶圓W上之 :::二生沿著投影光學系統PL之像面驅動，因透鏡42 間之水的溫度變化及水之流動所引起之壓力變化 59 200428482 ，而產生曝光中的散焦。 以上述方式結束對晶圓w上之第丨曝光照射區域之掃 描曝光後，根據來自主控制裝置20之指示，使用載台控 制裝置1 9，透過晶圓載台驅動部24使晶圓載台WST例如 於X軸方向進行步進移動，而移動至用以使晶圓w上第2 曝光照射區域（second shot)曝光的加速開始位置。在此第j 曝光照射區域與第2曝光照射區域間之晶圓載台WST的 曝光照射間步進動作（區劃區域間移動動作）之時，主控制 裝置20,亦進行與前述將晶圓載台WST從供水位置移動 至為進行第1曝光照射區域之曝光的加速開始位置時，同 樣的閥之開閉動作。據此，在曝光照射間之步進移動時， 亦=對於投影單元PU，從晶圓載台WST之移動方向後方 往前方將水供應至透鏡42之下，該水量並隨時維持一定 接者，在主控制裝置20之管理下，對晶圓w上之第 2曝光照射區域進行與前述相同之掃描曝光。本實施形態 係&用所謂的交互掃財式，因此在此第2曝光照射 ^域之曝光時，標線片載台RST及晶圓載台wst之掃描 方向（移動方向），择盘筮Ί « )係與弟1曝光照射區域的情形相反。對 弟2曝光照射區诚旙p nm 土 „士 ”u 19 ^^ 控難置2G及載台 制裝 理，基本上與前述相同。此場合，主控 的 ？尤〜第1曝光照射區域曝光時相反之晶圓w 整(夕含二向及入亦係進行構成間君“2a，㈣之各闕的開度調 (3王開及全閉），以使透鏡42之下產生從投影單元pu 60 200428482 之後方往前方移動之水流。圖1〇B中， 一 Μ Μ μ⑽-0 4略‘貝不了此時液 胜么、排早凡32附近的狀態，晶圓w係往—邊往— 移動-邊進行第2曝光照射區域之掃描曝光 與晶圓W之間水係往與晶圓W相同方向卜Y方向^。 迷方式’反覆進行晶^ W上曝照射區域之掃描曝 先人曝先照射區域間之步進動作，將標線片r 依序轉印至晶圓W上之複數個作 f為51 ^ £域的曝光照射區 i或0 圖8B中，顯示了對晶圓w之步進移動方式之曝光處 理中、，晶圓載台WST與投影單元pu間之位置關係例。 以上述方式結束對晶圓w上複數個曝光照射區域之掃 指曝光時，主控制裝置2〇，即對載台控制裝置Η作出指 不’將晶圓載台WST移動至既定排水位置。圖8C中，符 號PU係代表投影單元扣之鏡筒4〇的前端部位置。此時 ’鏡筒40前端位於輔助板22c正上方的位置係被設定為排 水位置。 接著it制裝置22，使閥群62a之所有間成為全閉 狀態，且使閥群62b之所有閥成為全開狀態。同時，主控 制裝置20,亦透過驅動機構63使全回收用嘴％，％下降 至其前端抵接於辅助板22b之位置，並打開閥。 據此，經既定時間後，透鏡42下之水即被液體回收 裝置74加以完全回收。 之後，晶圓載台WST移動至前述晶圓更換位置，進 行晶圓之更換。 61 200428482 由以上之說明可知，本實施形態之曝光裝置1 ’係 以液體供應裝置72，連接於該液體供應裝置72之供應管 路64，分別透過閥62a連接於該供應管路64之複數個供 應管58，分別連接複數個供應管58之液體供排單元32的 各供應口 3 6，以及連通於各供應口 3 6之前述末端廣嘴部 ，來構成將液體（水）供應至投影光學系統PL與晶圓載台 WST上之晶圓W之間的供應機構。 又，曝光裝置100，係以液體回收裝置74，連接於該 液體回收裝置74之回收管路66，分別透過閥62b連接於 該回收管路66之複數個回收管52，以及連通於各回收管 52前端之前述前端細嘴部等，來構成回收液體（水）的回收 機構。 又，曝光裝置100，係以真空排氣裝置 真空排氣裝置74之真空管線系統69 ,透過閥62e連接於 該真空管線系統69之輔助回收管6〇1〜6〇4，以及分別連接 該各輔助回收管之液體供排單元32之縫32hl〜32h4等， 來構成輔回收機構。藉由此輔助回收機構，能除去（回收） 液體回收機構未能完全回收之晶^ w上的液體。此外，本 實施形態中，辅助回收機構係藉由吸引殘留在晶圓W上之 液體來進彳于除去（回收）彳曰會 1收）但亦可使用吹風機等加以吹乾、 或將之吹走亦可。 86及供氣嘴853, 76之吸引而產生 又’曝光裝置100，係以空調機構 854等，來構成用以抑制因真空排氣裝置 之水（液體）周圍環境變化的供氣機構。 62 200428482 又，曝光裝置1 〇〇，係以標線片載台驅動部1 i、晶圓 載台驅動部24及載台控制裝置19，來構成用以將標線片 圖案以抑描曝光方式轉印至晶圓W上，相對照明光IL使 標線片載台RST與晶圓載台WST同步驅動於掃描方向之 驅動系統。 此外，在没置用以區劃液體供排單元32中央開口 32a(於此開口 32a之中央配置投影光學系統pL像面側之透 4 2)之環狀側壁3 2 c，且在此環狀側壁3 2 c之外側設置環狀 凹部32b，此環狀凹部32b之頂部高度高於其他部分，而 將水（液體）供應至液體供排單元32内部之情形時，亦於環 狀凹部32b内部殘留一空間。如此，曝光裝置1〇〇，係以 環狀側壁32c、環狀側壁32e、以及連接於以此兩者所形成 之環狀凹請之上部空間的排氣管54等，來構成氣泡 回收機構。又，此時，由於環狀側壁32c與環狀凹部32b 係形成在投影單元pu周圍之全周，因此，實質上，係與 在全方位設置多數個氣泡回收機構的情形相同。 曝光裳置100中，用來根據投影光學系統pL(正 而。係透鏡42)與晶圓w間之水溫度資訊的實測值（以溫 :感測為38A，38B測量）、以及投影光學系統孔(正確而 且二i ^ 42)與晶81 W間之水廢力資訊’調整曝光條件， 版而。係關於調整焦位置檢測系統（90a，90b)之偏置、 及晶圓W之對隹、二 壯 ^ 了焦调平控制的條件（成像條件等）等的調整 衣置’係由主允涂丨丨姑κ ^ ^ 制哀置2〇構成。此外，根據分別配置在 娜細方向一側盘兑 ”另一側之2個溫度感測器38A，38b的檢測 63 200428482 結果’用來預測水通過晶圓上照明用光江之照射區域期間 所產生之/皿度變化的預測裝置’係由主控制裝置構成。 又，溫度感測器、並不—定需要設置2個，只要能知道 水的溫度變化的話1個也可’當然，亦可設置3個以上的 溫度感測器以求出更為詳細的温度分布。 如以上之詳細說明，根據本實施形態之曝光裝置100 "子曰θ圓W上之各曝光照射區域以掃描曝光方式進行標 、、、片圖木之轉印日可，以上述供應機構進行之將水供應至投 影單元pu(頂光學系統PL)與晶圓載台職上之晶圓鲁 的動作，與使用上述回收機構進行之水的回收動作係同時 進仃。亦即’係在構成投影光學系統pL之前端的透鏡42 與晶圓載台WST上之晶圓w間，隨時充滿（保持）既定量 之此水隨時替換）的狀態下，進行曝光（標線片目案轉印 ^晶圓上h其結果，即能以浸沒法，將晶^ |表面之照 明用光IL的波長縮短（短波長化）至空氣中的倍0係 水的折射率L4)，據此來提昇投影光學系統pL之解像度 此外，所供應之水係隨時替換，因此在晶圓w上附著有· 異物時，該異物即會被水流除去。 又，由於投影光學系、统PL之焦深與空氣中相較被放 大至約η倍，因此在使用焦點位置檢測系統（9〇a，9〇b)進行 晶圓W之對焦、調平動作時，具有不易發生散焦之優點。 :者’僅需確保與在空氣中使用時相同程度之焦深即可之 b形時，能更進一步的增加投影光學系統ρ£之孔徑數 (NA) ’就此點而言亦能提昇解像度。 64 200428482 y引述仏應機供應之水（液體）中混入氣泡時，或 在供應後立刻在水中吝斗尸 座生氣泡時，該氣泡會在該水流相對 投影單元PU(投影光學 糸、、先PL)上流側被前述氣泡回收機 構加以回收。亦即，k击 _ 一 T之氣泡，不會到達透鏡42之下 方，而會被氣泡回收機媸 械構回收。因此，能防止因氣泡進入 透鏡42與晶圓W之間所、皮Λ、 Ί所w成之照明用光IL之局部的透射 率降低、及圖案投影掀之劣化等。

又，圖10A、圖1〇R 可知’用於氣泡回收之氣泡回收 機構之位置，係視晶圓w 4 # 曰111 W之移動方向（在圖1〇A、圖ι〇Β 中例如係掃描方向）而切拖 m , J向切換。因此，無論晶圓W往任何方 向移動，皆能在該移動Φ P女L A ^

勡中防止氟泡進入透鏡42與晶圓W 之間。 此外纟依序進彳了晶圓w上複數個曝光照射區域之曝 光中’例如發生以上述回收機構無法完全回收水的事態時 ’例如水漏出至液體供挑罝4 版1，、徘早兀32之外部時，即以上述輔 助回收機構從晶圓W上除丰^、兮么、+ l 丄丨示舌（回收）忒無法回收、亦即漏出 之水0如此’晶圓"W上即尤合古p从成Μ 上即不會有水的殘留，而能避免因水 之殘留所產生之各種不良愔來。介Ρ ^ 艮It形亦即，此抑制殘留水份蒸 發時的汽化熱使環境氣氛中產生溫度分布、或環境氣氛之 折射率變化，有效抑制用以測量晶圓載台WST位置L晶 圓干涉儀18的測量誤差。料，，亦能防止晶目w上殘曰留曰 之水繞到晶圓背面，而防止晶圓緊貼於辦 J儿日日圓矛、貼於搬达臂而不易脫離 〇 又，根據曝光裝置100，豆且備至少囹分此^ …1有主夕圍住構成投影光 65 200428482 學系統PL之最靠近晶圓側之透鏡42(光學元件）周圍、且 在與晶圓載台WST上之晶圓W表面間隔出一既定間隙的 周J 32f(犬出部32g)，且該間隙係被設定為非常小的△ ^ =1〜2mm程度。因此，周壁32f内之水與外氣之接觸面 積極小’月b防止因水的表面張力透過該間隙而漏出至周壁 32f外。因此，例如在曝光結束後，能確實回收用於浸沒 曝光之水（液體）。 又’根據本貫施形態之曝光裝置100，在進行晶圓W 周邊部之曝光照射區域之曝光時、或在曝光結束後更換晶 圓載台WST上之晶圓時等，在投影光學系統pL(透鏡42) 與晶圓W之間保持水的狀態，即使晶圓載台WST移動至 技衫單元PU(投影光學系統pl之投影區域）離開晶圓w位 置日守寺’亦此在投影光學系統與輔助板（22a〜22d之任一 者）之間保持水，防止該水之流出。據此，能避免因水流出 所產生之各種不良情形。此外，由於輔助板22a〜22d與晶 圓w之間隙被設定在3mm以下，因此在晶圓w位於投影 單元PU(投景》光學系統PL)下方的狀態到晶圓載台wst移 動至晶圓W離開投影單元PU之位置等時，能因水的表面 張力防止在移動途中水流出至晶圓w與辅助板間之間隙。 又，發明人亦確認了即使晶圓表面與輔板表面之間有lmm 左右之段差，亦能藉由水的表面張力而幾乎不會產生漏水。 又，例如在晶圓W之更換後開始進行曝光時，在此之 七先於投影單元PU(投影光學系統pl之透鏡42)與辅助 板間保持水，因此不需要經過水的供應時間即能開始曝光 66 200428482 此部分亦能提昇生產率。 又’由於係在曝光開始前在辅助板22a上 r j始對液供 排單元32内部供應水，因此不會有在晶圓w /、 ^ ^ 閉始水之 /、應％，因水壓等而使光阻的—部分被去除之虞。 此外，由於係以空調機構86(含供氣嘴）來進行保持水 之液體供排單元32周邊的空調，因此在以前述回收機 或辅助回收機構進行水之回收時，能防止液體供排單元U 内部所保持之水的周圍環境氣氛中氣體(例如收容曝：裝置 本體之處理室内的空氣）流動的紊亂，如: m ^ ^ 丨此防止該氣 體：動之紊亂(包含因此而產生之氣體溫度波動、折射率變 化專)導致晶圓干涉儀18之測量誤差的產生，以良 度測量晶圓載台WST之位置。 1 艰上所述，根據本實施形態之曝光裝置100，由於肩 =上述各種效果，因此能將標線片R之圖案以極為良好之 /、月度分別轉印至晶圓w上之複數個曝光照射區域。此从， 相較於空氣中亦能以較廣之焦深進行曝光。 士又’上述第1實施形態所說明之各部構成僅為-例’ 壯I月田然並不限於此。例如，上述實施形態中，主控制 2 20 ’雖係進行構成閥群62a，62b之各閥的開度調整| 閉及全開）’以在晶圓載台WST之移動中，於該移動 …在透鏡42之下方形成從投影單元pu之後方往前方 ::之水流，但亦可與此相反的，進行構成閥群62a肩 ::的開度調整(含全閉及全開)，以在晶圓載台而之 夕，於該移動方向，在透鏡42之下方形成從投影單 67 200428482 元PU之前方往後方移動之水流。此時，前述輔助回 構，對投影單元PU(投影光學系統PL)，係在㈣w i 方向之前方回收殘留液體。亦即，透過位於晶圓之移 向前方之狹縫32H1、及與此連通之辅助回收管㈣係i 〜4之任一者）來回收殘留液體。 又，上述第1實施形態令，雖係以形成在液體供排單 兀32之-部分的狹縫32hi〜32h4、連通於各狹縫之輔助回 收管〜叽、及真空排氣裝置76等來構成輔助回 ’但❹將空㈣構86構成為包含用以吸引流體（液體及 氣體)之吸引機構亦可。亦即，於空機構86中内藏真空栗 ’將連接於此真空果之吸氣嘴配置在前述各供氣嘴之:近 亦可。對以此方式構成之作為吸引機構的真空泵，賦予回 收使用前述回收機構未能完全回收之水（漏出至液體供排單 兀32外）的功能亦可。此時，不需在液體供排單元^形成 圍車1 32114，且視吸乳嘴之配置，即使漏水之擴散範 圍較廣％亦能加以因應。此外，上述實施形態，在晶圓％ 本光中亦進仃水之供應及回收，但在能以表面張力保持 水的情形時，不進行曝光中之供應回收亦可。 又，以空調機構86供應乾燥空氣或熱風，來吹乾回 :機構未能完全回收而流出至周壁％外側、殘存在晶圓 上之水，以從晶圓W上去除該水亦可。 . 上述Λ施形態中，雖係在輔助板之一部分配置基 二•己：FM ’但取代此配置、或與其一起，在輔助板之 Ρ刀配置焦點位置檢測系統（9〇a，9〇b)之校準 68 200428482 (Cahbration)用的基準反 射板金美iM… T J次者，亦可兼用上述反 板。此外，輔助板雖係設在晶圓w之全周 圍’但亦可僅設在需要的部分，或每隔一既定間隔設置。 又二上述實施形態中，主控物2〇,在前述曝光照 射^步進動作時及掃描曝光時等以外之晶圓載台術 動作％ ’亦可停止前述供應機構所進行之水（液體）的供應 動作、及前述时機料行之水的回㈣作。即使如此， =供排單元32㈣之水，亦能藉由前述負壓之作用及 :的表面張力而加以保持。晶圓載台WST之停止中，由 & jc n'm & 射間之步進動作時及掃描曝 先=，因此與隨時（不僅是晶圓載台術之移動中，亦 T止中）使用供應機構之液體供應動作及回收機構之液 體：收動作同時進行之情形相較，能減少液體之使用量。 疋在日日圓載台WST之停止中持續供水及排水，來防 止透鏡42下面之污染亦可。 ,又，上述實施形態中，分別顯示於圖8A及圖8C之供 水位置、排水位置，係與晶圓更換位置（卸載位置、裝載位 置）無關係之位置為來作為前提作了說明，但本發明並不限 於此’例如將供水位置設為晶圓之裝載位置，將排水位置 设為—晶圓之卸载位置亦可。此設^，可藉由調整投影單元 PUIT端與晶圓载台WST(正確而言，係辅助板）之面積的關 久在曰曰圓哀載蚪、卸載時，使投影單元PU不妨礙晶圓 之搬送來加以實現。此時，在晶圓之卸載位置、裝載位置 持’只進仃供水及排水、或停止供水及排水皆可。此場合 69 200428482 ’使晶圓之裝載位置與卸載位 罟、，肢甘 p戰位置-致，在此位置(稱待機位 置）將基準標記板FM置於投与留_ 置％奴衫早tl PU之正下方，且在 晶圓對準中，使投影單元pu 之月P而一疋位於辅助板22a〜 22d之任一者上方的方式， 曰 飞0又疋日日囫載台WST(正確而言， 係辅助板）之面積亦可。 此時，由於能在透鏡42下方隨時保持水，因此在步 進掃描方式之曝光動作心時，亦可持續騎前述供水、 排水。此場合’在透鏡42 <下方進行__次供水、且不進 =透鏡42下方之水的全排水，即能實現對複數片晶圓之 連曝光動作。 又，上述實施形態中，為了將水保持在投影單元PU 之透鏡42下方，而使用具有周壁似之㈣供排單元w ，但本發明並不限於此。料，例如可不使用液體供排單 兀32。此係由於即使在此情形下’投影光學系統pL之透 =42與曰曰曰w 之距離（工作距離）為3麵左右因此水 能以其表面張力保持在該透鏡42與晶圓w間之故。此時 ’例如’亦可設置與前述專利讀丨所❹之液體供應機 構、液體回收機構相同之機構。即使如此，由於具有前述 輔助板，因此在晶圓邊緣部之曝光時等，投影單元pu從 晶圓W上方離開時，不同於上專利文獻丨，能防止水從透 鏡42之下漏出。此時，在晶圓載台WST之停止中，停止 供水、排水亦可。此場合，係使用浸沒法，來進行高解像 度之曝光（或使用較空氣中廣之焦深進行曝光）。因此，能 以良好之精度將圖案轉印至晶圓。 70 200428482 不過，若使用上述實施形態之液體供排單元32般、 料與透鏡42之周圍（周壁32f)作成—體之單元的話，該 寺之更換即此一次完成，而簡化維修保養。 又，上述實施形態中，供水用、排水用之間與液體供 料元32《嘴部係透過管線直接連$，而作為該等管線 最好是使用彈性管’並進一步的將閥及連接於工廠管線之 管透過彈簧與曝光裝置本體及投影單& pu機械性的分離 ’以避免傳遞振動。如Λ，即能防止傳遞閥之關閉所產生 之振動或水的沖擊，避免對投影單元PU及曝光裝置本體 造成影響而成為各種誤差的原因。 又’上述實施形態之曝光裝置100,在進行多重曝光 例如進行雙重曝光時，在投影單元pu(投影光學系統PL 、透、見42)與日日圓w之間充滿液體的狀態下以步進掃描方 式將第1圖案轉印至晶圓w上之複數個區劃區域（曝光照 射區域）後，在透鏡42與晶圓W之間保持液體的狀態下， 將第2圖案轉印至晶圓w上之前述複數個曝光照射區域亦 可。此時，作為標線片RST，最好是能使用例如曰本專利 特開平2 — 1 6671 7號公報等所揭示之能保持2片標線片之 斤口月的雙才示線片保持（Double Reticle Holder)方式的載台。 匕由於在第1圖案與第2圖案之間，不需要進行標線 片對準及晶圓對準，因此在第丨圖案之曝光與第2圖案之 曝光之間’在投影單元PU(投影光學系統pL之透鏡4 曰圓 w 》八 曰曰 W之間充滿液體的狀態下，能毫無妨礙的進行雙重曝 光。此時，係使用採浸沒法之多重曝光，進行高解像度且 71 200428482

貝貝上加大焦深之高精度的曝光。此場合，由於在透鏡C 與晶圓W之間保持有液體，因此不需等待液體之供應即能 開始該第2圖案之轉印。 此外，上述實施形態中，在投影單元Pu(投影光學系 統PL之透鏡42)與基準標記板FM之間充滿水的狀態下， 進行標線片對準亦可。 又’上述實施形態中，作為調整裝置之主控制裝置2〇 ，係根據溫度感測器38A，38B之測量結果（投影光學系統 PL(透鏡42)與晶圓w間之水溫資訊的實測值），來求出對 應曰曰圓W上照明用光IL照射區域内之像差、例如對應最 佳焦點位置變化的溫度變化係數，但亦可取代此方式，由

主控制裳置20，根據投影光學系統PL(透鏡42)與晶圓W 間之水’凰貝訊的預測值，來求出上述溫度變化係數。此時 ，於記憶體21内，儲存預先測量之標線片R的透射率、 曰曰圓W之反射率資訊等，於曝光時，使用積分感測器14 之輸出、標線片R之透射率與晶圓w之反射率進行既定 運算 9 求屮曰间 曰曰圓之熱吸收量，根據此求出之熱吸收量、供 $水及知描動作所造成之透鏡42下之水流資訊（流量及 机速）來預測照射區域之水的溫度上昇（溫度分布）。然後 ，主控f彳f 署 、罝2〇，可根據該預測結果以和上述實施形態同 樣之方式，、卡山， y 水出上述溫度變化係數。當然，在求溫度變化 係數時，亦《ότρ η 冋時使用投影光學系統PL(透鏡42)與晶圓W 間之水溫資却认 、°的預測值、與根據上述積分感測器14之輸 出等的預测值。 72 200428482 又，上述實施形態中，主控制裝置2〇，係求 化係數與壓力變化係數，根據以該等係數皆為參數之；式 ，來求出照射區域内之最佳焦點位置。但並不限於此，亦 可僅求出溫度變化係數與壓力變化係數之其中之一，嗖另 -變化係數為零Μ吏用前述算式來求出照射區域内二佳 焦點位置。此時Μ吏用不包含溫度變化係數、壓力變化係 數等作為參數，例如使用從前述照射區域之水的溫度分布 或壓力分布直接求出最佳焦點位置之算式亦可。 又，上述實施形態中，雖係就主控制裝置2〇根據以 上返方式求出之照射區域内掃描方向之一端點、另一端點 的最佳焦點位置，作為曝光條件，調整焦點位置檢測系統 之偏置來進打晶圓w之對焦、調平的情形作了說明，但並 不限於此，亦可根據所求出之照射區域内掃描方向之一端 點、另-端點的最佳焦點位置，來調整標線月r之圖案面 ’或者’透過成像特性修正控制器81將投影光學系统孔 之像面傾斜本身作為曝光條件來加以調整亦可。若無去— 全修正面傾斜時，根據該修正後像面之狀態，來進；:前= ^施形態中所說明之焦點位置檢測系統之偏置調整及經圓 w之對焦、调平控制亦可。 若預測水的溫度變卜卩、、w gr、A ,, 化（/孤度分布）會對焦點檢測系統 (90a，90b)之測量造成影塑拄 ..n r u時’考慮因水的溫度變化（溫度 为布)而產生的測量誤差’來進行對焦、調平控制亦可，或 者，根據溫度感測器38A，38B <輸出修正焦點檢測季统 州，之檢職果，根據修正後之檢測結果來進行對隹 73 200428482 、調平控制亦可。 再者，上述實施形態中，係預先以模擬或實驗求出水 的壓力變化（壓力分布），根據其結果，來控制z傾斜載台 3〇之移動，但例如在液體供排單元安裝壓力感測器，測量 水的壓力後，根據其結果來控制z傾斜載台3 〇之移動亦 可0 又，上述實施形態中，係著眼於因水流動所產生之水 的壓力變化，但考慮水未流動時（例如未以液體供排單元進 行水之供應及回收等情形）的水壓，來進行晶圓載台WST 之移動控制及成像動作之修正等亦可。 又’上述實施形態中，係作成不會因水的溫度變化及 壓力變化而產生對焦、調平控制誤差，但如前所述的，因 水的溫度變化及壓力變化，使得投影至晶圓w上照射區域 内之圖案像產生各種像差（球面像差、非點像差、畸變、倍 率等）之變動等時，根據水的溫度變化（溫度資訊）及壓力變 化（壓力資訊），來調整投影光學系統PL及調整照明用光 IL之波長，或移動標線片r以進行修正即可。 惟’有可能因晶圓上之光阻種類，使得光阻成分溶解 至水中，而對像形成造成影響。此時，必須降低前一曝光 照射區域在曝光時之光阻溶解物質對下一個曝光照射區域 之圖案像之形成造成影響。考慮此點所作的設計，即本發 明之下一第2實施形態。 《第2實施形態》 接者，根據圖11A〜圖11F，來說明本發明之第2實 200428482 施形態。此處，與前述帛i實施形態相同或同等的構成部 =，係賦予相同符號並簡化或省略其說明。此第2實施形 態之曝光裝置，僅有使用主控制裝置2G透過液體供排單 元進行供排水之方法，與前述第1實施形態不同，曝光裝 置之構成等皆相同。因A，以下，為避免重複說明，係以 相異處為中心進行說明。 本第2實施形態之曝光裝置，除步進掃描方式（step & scan)之曝光動作以外的動作，具體而言，在進行既定準備 作業（標線片對準、對準檢測系統之基準線測量、晶圓對準 )時’除了完全不進行對晶B] 供應水及水的回收（排水） 外，係以和前述第i實施形態同樣的，進行晶圓交換、既 定準備作業。 因此，以下，就使用步進掃描方式對晶圓上複數個曝 光照射區域轉印標線片圖案之動作，特別是對曝光照射區 域之掃描曝光時的動作，以及曝光照射間步進之動作進行 說明。 又’作為前提，係設圖6中之液體供應裝置72、液體 回收裝置74、真空排氣裝置76已開始動作，間群仏、閥 群02b之闊為全閉狀態’闊群62c為全閉狀態，閥群62d 之各閥、62e係以既定開度呈開放狀態。 圖11A〜圖11F中，顯示了第2實施形態之曝光 中’用以對i個曝光照射區域進行曝光之際，晶圓載台 WST在掃描時之供排水動作的流程。以下，根據該等圖式 ，說明第2實施形態之供排水方法。 75 200428482 圖UA，係顯示為進行晶圓w上曝光照射區域sa之 曝光’在主控制裝^ 2〇之指示下，使用載台控制裝置B 驅動wst(此時，標線片载纟RST係以對應投影倍率之速 度 '被驅動往反方向）’來使曝光對象之曝光照射區域SA 接近投影單元PU之投影區域（照明用光IL透過標線片R 及，影光學系、統PL所照射之晶圓w上的照射區域）IA的 狀態。主控制裝置20，在晶圓載台WST之移動中，調整 構成供水侧之閥群62a之各閥的開度，以在該移動方向(掃 描方向）透過投影單元Pu後側之供應管對晶圓貿上供應水 1此圖11A中，灰色區域（WTR)係表示晶圓w表面被水覆 盍之區域。又，此狀態中，如前所述，構成排水側（回收側 )閥群62b之各閥係設定為全閉狀態。 接著’持續晶圓載台WST往掃描方向之移動、與水 之供應，如圖11B所示，被水覆蓋之區域（Wtr)隨著 wst(晶圓w)之移動而擴張。此圖nB之狀態，係對曝光 對象之曝光照射區域SA開始曝光之前一刻的狀態。 然後’在曝光照射區域SA到達曝光區域之時間點， 以和前述相同之方式進行曝光。 在此曝光之期間，如圖丨丨C所示，曝光照射區域s a 通過投影區域IA的部分，係恆被水所覆蓋。 主控制裝置20,在圖lie之時間點（或從該時間點之 前），進行構成排水用閥群62b之各閥的開度調整，以回收 覆盍曝光結束部分之水。此場合，構成閥群62a(為進行供 水而被設定為開狀態）之各閥，與關於投影單元PU構成設 76 200428482 置在大致對稱位置之閥群62b之閥被開放。 然後，如圖11D所示，對通過投影區域认之曝光日召 射區域SA進行曝光，且—邊时覆蓋曝光結束部分之水 ，一邊以載台控制裝置19驅動晶圓載台WST，如圖11E 所示’結束對曝光照射區域SA之曝光。 在以上述方式結束曝光之同時，以主控制裝置Μ，使 構成供水用閥群62a之各閥成為全閉狀態。然後，如圖 11F所示，在將晶圓W上水全部排出的階段，以主控制裝 置20,使構成供水用閥群62b之各閥成為全閉狀態。 以上述方式，結束對一個曝光照射區域sA之曝光動 作、及與此同步進行之水的供應、回收動作，亦即結束供 排水動作。 接著，在主控制裝置20之指示下，使用載台控制裝 置19,與前述第i實施形態同樣的，進行晶圓載台 之曝光照射間步進動作。不過，在此曝光照射間之步進動 作時，完全不進行對晶圓W上之供水。 然後，對下一曝光照射區域，進行與上述相同之掃描 曝光（標線片圖案之轉印）、及與此同步之晶圓w上之供排 水動作。此時，晶圓w之移動方向及供應至晶圓w上之 水的流動方向，係由主控制裝置20控制各部，以使其與 圖11A〜圖iif之情形相反。 藉由此方式，反覆進行晶圓W上之曝光照射區域之掃 描曝光、與曝光照射區域間之步進動作，將標線片R之電 路圖案依序轉印至晶圓w上之複數個作為區劃區域的曝光 77 200428482 照射區域。 士以上之„兒明，根據本第2實施形態之曝光裝置，前 述供應機構對投影單元PU(投影光學系統pL之透鏡42)與 包含晶圓載台WST上之晶ffl W間之周壁32f内部之水的 供應、以及使用前述回收機構之水的回收，係與對晶圓w 上各曝光照射區域之曝光動作同步進行。因此，對晶圓w 上曝光對象之曝光照射區域以掃描曝光方式轉印圖案時， 該曝光照射區域通過照明用光IL(透過投影光學系統PL)之 照射區域IA之期間，能在透鏡42與晶圓w之間充滿既定 量之水（此水隨時替換），藉由浸沒法，進行高解像度且焦 冰較空乳中廣的曝光。另一方面，在曝光對象之曝光照射 區通過照射區@ IA之期間，或者再加上通過後之些微的 期間以外，可形成-在晶圓w上不存在水的狀態。亦即， 由，將晶圓W上之複數個曝光照射區域依序加以曝光時， 在每一曝光照射區域之曝光B夺’即反覆進行才交影光學系統 PL之透鏡42與晶圓W間之水的供應與該水的全回收，因 此能抑制因晶圓W上之感光劑（光阻）之成分溶入水中所造 成之照明用光IL之透射率降低、及對像形成所造成的不過 影響等。 又，本第2實施形態之曝光裝置中，供應機構在照射 區域IA之周圍具有複數個供應口，根據晶圓w之掃描方 向（移動方向）來切換用於供水之供應口 36。具體而言，於 每一曝光照射區域之曝光時，使用晶圓w之掃描方向後方 側之供應機構進行供水，與此對應的，使用晶圓w之掃描 78 200428482 因此’不受限於 ’皆能適用浸沒 T向前方側之回收機構進行水的全回收。 知^方向’在任一曝光照射區域之曝光時 法0 人 破别述回收機構所回收。此時，所供應之水U 之择描方向流過透鏡42與晶圓= 上附著有異物時，即能藉由水流除去該異物。日日回w 又’本第2實施形態中’混人所供應之水中的， :、：:：！第1實施形態同樣的，使用前述氣泡回收機構 "衫早70 Pu巾於晶圓之掃描方向的後方加以回收。 ，右日日圓W之掃描方向能切換的話，即對應此切換， 來切換用於氣泡回收之氣泡回收機構。 、 又’本第2實形態之曝光裝置，在圖案之轉印時 因晶圓載台於掃描方向之移動，而使曝光對象之曝光昭 射區域後端從照射區域IA出來的時間點，停止以供岸機 構進行之供水。因此，能有效的抑制因閥之驅動、或伴隨 之欠的冲擊而產生振動’該振動傳至投影單元而導致 才又影光學系統PL之成像性能惡化。此外，能極力的減少 水的供應’縮短水的回收時間。 又，本第2實施形態之曝光裝置，在對曝光對象之曝 光照射區域進行圖案之轉印冑，對下一曝光照射區域進行 圖轉印前進行之晶圓載自WST之曝光照射間步進動作的 開始前，已完成回收機構進行之水的回收。因&，並益晶 79 200428482 圓w上之感光劑（光阻）之成分溶入水中，而對下一曝光照 射區域之曝光造成不良影響之虞。此外，能省去步進方向 之供水、回收機構。 又，上述第2實施形態中，係在圖j ia所示之曝光對 象區域之曝光照射區域之掃描方向的前端到達供應位置之 時間點（或前一刻），開始以供應機構進行供水，但並不限 於此，在對曝光對象區域之曝光照射區域進行圖案轉印、 與對前一曝光照射區域進行圖案轉印之間的晶圓載台wst 之曝光照射間步進動作結束後，或用以對下一曝光照射區 域進行曝光之晶圓載台WST之移動開始後，曝光對象區 域之曝光照射區域之掃描方向前端到達供應位置為止的任 一時間點，開始以供應機構進行供水亦可。此場合，係以 供應機構，對包含投影單元pu(投影光學系統pL之透鏡 42)與晶圓載台WST上之晶圓W間的周壁32f内部，從晶 圓W移動方向（掃描方向）之後方側供應水，在使晶圓w移 動時於透鏡42與W之間充滿水。此場合，在晶圓w上之 曝光對象區域之曝光照射區域SA移動至透鏡42下方時， 在到達透鏡42下方前，於該曝光照射區域sa上方確實的 供應水。亦即，在使晶圓w往掃描方向移動時，透鏡 與晶圓W表面之間係被水充滿。因此，以該曝光照射區域 SA為曝光對象區域進行曝光（標線片R之圖案轉印至晶圓 W上）’適用前述浸沒法，進行高解像度且焦深較空氣中廣 的曝光。 〃 又’上述第2實施形態中’例如圖12所示，在液體 200428482 仏排早％ 32 了端部，於非掃描方向分離之複數個供應口 36(對，圖案投影區域（照射區域）ΙΑ<非掃財向範圍内者 )之非掃描方向的兩側位置，設置沿掃描方向平行延伸之複 數個區隔件87a，87b亦可。此時，在配置各_個供應口 ^ 、以區隔件87a，87“σ以區隔之各區域内，對應供應口 ％ 各配置-支回收管52。主控制裝置2〇,可根據曝光對象 ,曝光照射區域在晶圓W上之位置，來切換用於前述供應 械構之供水的供應σ 36 ’並對應於此，切換用於水之回收 的回收官52。此時，供應口 36及回收管52之切換，係選 擇性的開閉前述閥群62a、62b之各閥來加以實現。 一般而言，於晶圓W上之周緣部，存在複數個其一部 刀不王之所谓的欠缺曝光照射區域，此種欠缺曝光照射區 域中’有如® 12中之曝光照射區域％般’其非掃描方 向尺寸較其他曝光照射區域（晶圓w上内部之曝光照射區 域）為短者。此欠缺曝光照射區域SAn在晶圓E上之位置及 曝光照射形狀（含尺寸）皆為已知，因此在使該欠缺曝光照 射區域SAn曝光時，主控制裝置2〇，例如進行閥群 62b之各閥的開閉控制，以從圖12中以籲所示之供應口 36Q進行供水，以#所示之回收管52Q進行水之回收即可 。如此，在欠缺曝光照射區域SAn之欠缺部分不進行供排 水。因此，將晶圓W上曝光對象之曝光照射區域以外部分 之水在曝光前加以全部排除，其結果，即使無法加大晶圓 保持具70之輔助板22a〜22d時，在對欠缺曝光照射區域 之曝光時，亦能極力的抑制漏水的發生。 81 200428482 此場合，用於供水之供應口 36、回收管U，當然是 根據晶圓w之掃描方向加以切換。 又，主控制裝置20,亦可不根據曝對象之曝光照射區 域在晶圓W上之位置’而根據曝光照射區域之非掃描方向 尺寸’來切換用於前述供應機構之供水的供應〇 %，並對 應於此，來切換用於水之回收的回收管52。此時，即使是 在同-或不同晶圓W上，轉印不同尺寸之圖案時，亦能： 以因應。 又，上述第2實施形態中，係就對晶圓w上之曝光照 射區域之曝光結束的同時，停止供水的情形作了說明（參照 圖11)。然m，本發明並不限於此，例如，採用如圖13八 〜圖13F所示之順序亦是可能的。 此時，從圖13A〜圖13C，係進行與前述圖UA〜圖 lie相同之處理。但在曝光對象之曝光照射區域sa之掃 描方向後端從照射區域IA完全出來前的時間點，具體而 言，如圖13D所示，在曝光照射區域SA後端到達供應位 置（供水位置（供水管58之位置）），主控制裝置2〇，係將閥 群62a加以全閉，之後至曝光結束為止完全不進行供水。 藉由此方式，由於供水範圍較前述圖u A〜圖nF之情形 為窄，因此能縮短至排水結束為止的時間（參照圖13E、圖 13F)。因此，在供排水開始時之振動對曝光精度之影響小 時，能有效的謀求生產率的提昇。此時，同樣的，在對曝 光照射區域SA進行圖案之轉印後，對下一曝光照射區域 進行圖轉印前進行之晶圓載台WST之曝光照射間步進動 82 200428482 作的開始前’已完成回收機構進行之水的回收（參照圖 13F) 〇 又’作為液體供排單元，並不限於上述各實施形態所 說明之構成，而能採用各種的構成。 例如，如圖14所示之液體供排單元32，般，可不設置 亂泡回收機構、及全回收用嘴，而僅設置構成供應機構（用 以供水）之末端廣嘴部、供應口 36及供應管58、構成回收 機構（用以回收水）之前端細嘴部、回收管52、以及構成輔 此日f，以透鏡42為中 助回收機構之狹縫32h3，32h4等 ，於其周圍設置前端細嘴部、回收管52，於其外側配置末 端廣嘴部、供應口 36及供應管58。採用此圖14所示之液 體供排單元32,時，例如在從左往右掃描晶圓來進行曝光 時，從左側的供水管58透過供應口 36及末端廣嘴部進行 供應水，該被供應之水的一部分藉由透鏡42左方之前端 細觜部及回收f 52排出，混入的氣泡與水一起被排出， 而憶起了氣泡通過透鏡42《下方。另—方面，通過透鏡 42下方之水，則被透鏡42右侧之前端細嘴部及回收管52 加以回收。 卩 个丨而贗I邵、 口 36及供應管58等’並不—定須以透鏡42為中心 於其周圍全體，例如，在掃描方向之一側與另一側分別

設置一個亦可《關於此點，對前述液體供排單元U 相同的。 ’N 又，上述各實施形態中 以液體供排單元進行之供水 83 200428482 及回收係使用不同的嘴部來進行，但本發明並不限於此， 1如’如圖4B所示之液體供排單元32”般，透過供排水用 ^ 52’來進行供水及回收亦可。此時，在晶圓載台WST被 t描時，從該掃描方向後方之供排水嘴進行供水，從位於 掃描方向前方之供排水嘴來回收水即可。此場合，關於混 =水中之氣泡，會集中在液體供排單元32，，内部之透鏡^ 掃杬方向刖側之頂部附近，在掃描方向成為反向、供水與 排水之嘴部切換時，從排水側之供排水嘴排出。 、 再者，上述各實施形態之曝光裝置中’在構成投影光 予系統PL之最靠近晶圓w側之透鏡42，例如，如圖b 所示，在不用於曝光之部分形成孔，透過該孔，來進行供 應機構之液體供應、喊機構之液體时或液體中氣泡的 :收：作亦可…15所示之情形中’液體之回收係透 W成於透鏡42之孔來進行。如此，相較於供應機構愈 回收機構皆配置在投影光學系統外部之情形 間化。 咬N噌工 此夕卜’上述各實施形態中，係使用超純水（水）來作為 攻虹，#明當然不限於此。作為液體，可使用化學上 定：且照明用光江透射率高之安全的液體，例如可使用氣 糸*Μ·生液體。此氟系惰性液體 3Μ八^1 * t J便用鼠羅鹿娜（杲國 △司之商品名）。此敗系惰性液體在冷卻效果上亦優異 。又’作為液體，亦可使用具有照明用光折 射率盡可能的高，並且對θ牙❸生且折 光阻安定者（例如杉木油、cedaroil)。 土之 84 200428482 又’上述各實施形態中，可再利用回收後之液體，此 時，最好是能在液體回收裝置、或回收管等設置用來從回 收液體中除去雜質的過濾器。 又’上述各實施形態中，位於投影光學系統PL之最 罪近像面側之光學元件雖係透鏡42，但該光學元件並不限 於透鏡，但亦可是用來調整投影光學系統PL之光學特性 ，例如調整像差（球面像差、慧形像差等）所使用之光學板（ 平行平面板），亦可是單純的玻璃蓋板。投影光學系統吒 之最靠近像面側之光學元件（上述實施形態中為透鏡42)， 有時會因照明用光IL之照射而從光阻產生之飛散粒子、或 液體中雜質等之附著等，與液體（上述各實施形態中為水） 接觸而污染其表面。因此，該光學元件，係裝拆（更換）自 如的固定在鏡筒40之最下部，而能定期加以更換。、 此時，若與液體接觸之光學元件是透鏡42的話，更 換零件的成本昂貴，且更換所需時間&，將招致維修保養 成本（運轉成本）的上昇及生產率之降低。因此，例如可使 用較透氣42冑宜的平行平面板來作為與液體接觸之光學 Μ °此時，即使在曝光裝置之搬運、組裝、調整時等: 於”亥平仃平面板附著會使投影光學系統PL之透射率、照 明用光IL在晶圓w上之照度、及照度分布之均一性降低 之物質（例如石夕系有機物），亦僅需在供應液體之前一刻更 換該平行平面板，與接觸液體之光學元件為透鏡竹2情 开/相較’具有更換成本較低之優點。 又，上各實施形態、中，注人液體（水）之範圍只要是設 85 200428482 疋成此覆蓋標線片之圖案像投影區域（照明用光iL)之全區 域即可，其大小雖然任意皆可，但最好是能在控制流速、 "丨L里荨之下，使其略大於照射區域，而盡可能的縮小其範 圍。 再者，上述實施形態中，在晶圓保持具7()裝載晶圓 w之區域周圍係設有輔助板22a〜22d，但本發明之曝光裝 置中輔助板或具有與其相同功能之平行平面板，並不一定 需要設在基板載台上。不過，此種情形下，為避免所供應 之液體溢至基板載台上，最好是能在該基板載台上進一步 口又置用以回收液體之管線。又，上述實施形態中，雖係採 用在投影光學系統PL與基板p之間局部的充滿液體之曝 光裴置，但本發明亦能適用如曰本專利特開平6_ 124873 號公報中所揭示之將保持有曝光對象基板之載台在液槽中 移動之浸沒曝光裝置，或特開平1〇— 3〇3114號公報^所 揭不之在載台上形成既定深度之液體槽、於其中保持基板 之浸沒曝光裝置。 又，上述實施形態中，雖係使用AF準分子雷射來作 為光源，但不限於此，亦可使用KrF準分子雷射（輸出波長 248nm)等之紫外光源。此外，作為紫外光並不限於從上^ 各光源輸出之雷射光，亦可使用將從DFB半導體雷射或光 纖雷射振靈之紅外區域或可視區域之單一波長雷射，以例 如摻雜铒（或铒與釔兩者）之光纖放大器加以放大，且使用 非線性光學結晶波長轉換為紫外光之高次諧波。 又’投影光學系統PL ’並不限於折射系統，亦可以是 86 200428482 折反射系統。此外，其投影倍率亦不限於丨/4、丨/5倍 寺’亦可以是1/10倍。 又，上述各貫施形態中，雖係就本發明適用於步進掃 描方式等之掃描型曝光裝置的情形作了說明，但本發明之 適用範圍當然不限於此。亦即，本發亦非常適合使用於步 進重複方式之縮小投影曝光裝置。此時，除了係在光罩（標 線片）與基板（晶圓）大致靜止的狀態下進行曝光外，基本上 可使用與前述第1實施形態同等之構成，而獲得同等的效 果。再者，本發明亦能適用於具備二個晶圓載台之雙載台 型的曝光裝置。 又，將由複數個透鏡構成之照明光學系統、投影單元 PU裝入曝光裝置本體，再將液體供排單元安装於投影單元 PU。之後，進行光學調整，且將由多數機械零件組成之標 線片載台、晶圓載台組裝於曝光装置本體並進行線路與管 線之連接後，進一步進行綜合調整（電氣調整、動作確認） ，即能製造上述各實施形態之曝光裝置i 〇〇等本發明之曝 光裝置。又，曝光裝置之製造，最好是在溫度及潔淨度受 到管理的無塵室内進行。 又，上述各貫施形態中，雖係就本發明適用於半導體 製造用之曝光裝置的情形作了說明，但不限於此，例如， 亦能廣泛適用於將液晶顯示元件圖案轉印至方型玻璃板之 液晶用的曝光裝置’或用以製造薄膜磁頭、攝影元件、微 機器、有機el、DNA晶片等各種元件之曝光裝置。 又，不僅是半導體元件等之微元件，本發明亦能適用 87 200428482 於為製造光曝光裝置、Euv曝光裝置、χ光曝裝置、及電 子線曝光裝置等所使用之標線片或光罩，而將電路圖案轉 印至破璃基板或矽晶圓等之曝光裝置。此處，使用DUV 光（遠紫外光）或νυν(真空紫外）光等之曝光裝置，一般係 使用牙透型標線片’作為標線片基板係使用石英玻璃、摻 雜氟之石英玻璃、螢石、氟化鎂、或水晶等。 《元件製造方法》 接著’說明在微影製程使用上述各實施形態之曝光裝 置之元件之製造方法之實施形態。 圖16，係顯示元件（IC：或LSI等的半導體晶片、液晶 面板、CCD、薄膜磁頭、微機器等）之製造例之流程圖。如 圖16所示，首先，於步驟2〇1(設計步驟）中，進行元件之 功此、性能設計（例如半導體元件之電路設計等），並進行 用以實現該功能之圖案設計。接著，於步驟202(光罩製造 步驟）中，製作形成有所設計之電路圖案之光罩。另一方面 ，於步驟203(晶圓製造步驟），使用矽等材料製造晶圓。 接著，於步驟204(基板處理步驟）中，使用在步驟2〇ι 〜步驟203所準備的光罩與晶圓，如後述般地，藉由微影 技術等將實際電路形成於晶圓上。然後，於步冑卿元: 組裝步驟）中’使用在步驟204所處理之晶圓進行元件組裝 。此步驟205巾，視需要包含有切割製程、結 、、: 封裝製程（晶片封裝）等製程。 口表枉、及 驟205所作 。經過如此 最後’於步驟206(檢查步驟）中，進行在步 成的το件之動作確認測試、耐久測試等的檢查 之製程後即完成元件而可出貨。 88 200428482 圖η，係顯示半導體元件時，上述步驟2〇4之詳細流 ，之一例。圖17 +，於步驟211(氧化步驟）係使晶圓表面 氧化於步驟212(CVD步驟）中，係於晶圓表面形成絕緣 膜。、於步㉟213(電極形成步驟）中，係藉由蒸艘於晶圓上 形成電極於步驟214(離子植入步驟），係將離子植入晶 □ ^上之各步驟211〜步驟2 14，構成晶圓處理之各階段 的月』處理’於各階段中視所需之處理來選擇實施。 於晶圓製程的各階段中，當結束上述前處理製程，即 以下述方式實施後處理製程。該後處理製程，首先，於步 驟215(光阻形成步驟）中，將感光劑塗佈於晶圓。接著， 於步驟216(曝光步驟）中，藉由以上說明之微影系統（曝光 裝置）及曝光方法將光罩之電路圖案轉印於晶圓上。其次， 方、步驟21 7(顯像步驟）中，將己曝光之晶圓加以顯影，於 步驟218(蝕刻步驟）中，藉由蝕刻來除去殘留有光阻部份 之以外部份的露出構件。接著，於步驟2丨9(光阻除去步驟 )中5除言己钱刻完成不須之光阻。 藉由重覆此等前處理製程與後處理製程，於晶圓上形 成多重電路圖案。 若使用以上說明之本實施形態之元件製造方法的話， 由於係在曝光製程（步驟216)中使用上述各實施形態之曝 光裝置，因此能長期間、以良好之精度將標線片之圖案轉 印至晶圓上。其結果，能提昇高積體度元件之生產性（含良 率）。 如以上之說明，本發明之曝光裝置，適合於將圖案轉 印至板上。此外’本發明之元件製造方法，適合於微原件 89 200428482 之生產。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第 1 圖’係顯示本發明第1實施形態之曝光裝置的概 略構成圖。 第 2 圖’係顯示Z傾斜載台及晶圓保持具的立體圖。 回’係將液體供排單元、與鏡筒下端部及管線糸 統一併加]^ 1 ’、 汁加从顯示的截面圖。 固係第3圖之B ~ B線截面圖。 第5圖，係用以說明焦點位置檢測系統的圖。 第6圖，係第〗實施形態之曝光裝置控制系統之 的部分省略方塊圖。 再成 第7A、7B圖，係用以說明因照明光之照射而在晶圓 上之照射區域產生像差變化之理由的圖。 第8A 8C圖，8A係顯示晶圓載台移動至供水位置時 之狀怨的圖’ 8B係顯示以步進掃描方式對晶圓進行曝光處 理中之曰曰圓載台與投影單元間之位置關係例的圖，8。係顯 示晶圓載台移動至排水位置時之狀態的圖。 第9圖，係顯示水在液體供排單元内部積至既定深度 時之狀態的圖。 第10A、10B圖，ι〇Α係顯示對第】曝光照射區域進 行曝光時㈣供排單元附近之狀態的概略圖，ι〇β係顯示 與反向掃描晶圓時液體供排單元附近之狀態的概略圖 200428482 第1 1A〜1 IF圖，係顯示第2實施形態之曝光裝置中 ’用以對1個曝光照射區域進行曝光之際，晶圓載台在掃 描時之供排水動作的流程圖。 第12圖，係用以說明在第2實施形態之曝光裝置中 ’採用在掃描方向平行延設複數個間隔部之變形例的液體 供排單元，對晶圓上之邊緣曝光照射區域進行曝光時的圖 〇 第13A〜13F圖，係用以說明第2實施形態之變形例 的圖’係顯不對1個曝光照射區域進行曝光之際，晶圓載 台在掃描時之供排水動作的流程圖。 第14A、14B圖，係分別顯示液體供排單元之變形例 的圖。 第15圖，係顯示在投影透鏡之—部分開設孔，透過 該孔進行液體回收之變形例的圖。 第16 ffi，係顯示用以說明本發明之元件製造方法的 流程圖。 篦17圖，係顯示第 16圖中舟_、 弟1 口 牙 口 T步騍204之具體例的流程 圖。 (二）元件代表符號 10 照明系統 11 標線片載台驅動部 14 積分感測器 15, 17 移動鏡 16 標線片雷射干涉儀 91 200428482 18 晶圓干涉儀 19 載台控制裝置 20 主控制裝置 22a〜22d 輔助板 24 晶圓載台驅動部 30 Z傾斜載台 31 XY載台 32, 32”，32 ” 液體供排單元 32a 開口 32b 環狀凹部 32c，32e 環狀側壁 32d 凹槽 32f 周壁 32g 突出部 321^321^ k 狹縫 34 貫通孔 36, 36Q 供應口 38A， 38B 溫度感測器 40 鏡筒 40a 鏡筒之小徑部 40b 鏡筒之漸細部 42 透鏡 50 載台裝置 52, 52Q 回收管 92 200428482 54 排氣管 56 全回收用嘴 58 供應管 60】〜604 輔助回收管 62a〜62e 閥 64 供應管路 66 回收管路 68 中繼用回收管路 69 真空管線系統 70 晶圓保持具 70A 晶圓保持具之特定形 72 液體供應裝置 74 液體回收裝置 76 真空排氣裝置 81 成像特性修正控制器 87a， 87b 區隔件 100 曝光裝置 AX 光軸 IL 照明用光 PL 投影光學系統 PU 投影單元 R 標線片 RST 標線片載台 SA 曝光照射區域 t 93 200428482

SAn W WST 欠缺曝光照射區域 晶圓 晶圓載台

94

Claims (1)

1. 200428482 拾、申請專利範圍： 1 · 一種曝光裝置，係以能量束照射圖案，將該圖案 透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備·· 基板載台’係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構，係將液體供應至該投影光學系統與該基板 載台上之該基板之間； 回收機構，係用以回收該液體；以及 輔助回收機構，係回收該回收機構未能完全回收之該 液體。 ^ 2·如申請專利範圍第〗項之曝光装置，其進一步具 備平板，係設於該基板载台上該基板之装載區域周圍之至 少一部分，其表面與裝載於該裝載區域之基板表面大致 高。 3 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該辅 助回收機構係於該投影光學系統中該基板之移動方向後方 ，回收殘留液體。 4 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該輔 助回收機構係於該投影光學系統中該基板之移動方向前方 ，回收殘留液體。 5 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該輔 助回收機構包含用以吸引流體之吸引機構。 6·如申請專利範圍第5項之曝光裝置，其進一步具 備供氣機構’俾抑制因該吸引機構之吸引所產生之㈣體 95 200428482 周圍的環境變化。 7 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該投 影光學系統包含附複數個光學元件，於該複數個光學元件 中最靠近該基板側之光學元件，在不使用於曝光之部分形 成有孔； 透過該孔來進行該液體之供應、該液體之回收、及氣 泡之回收中至少一種動作。 8 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其進一步具 備控制裝置，以在該基板載台停止時，亦停止該供應機構 之液體的供應動作及該回收機構之液體的回收動作。 9 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該供 應機構’係從該基板之移動方向之前方側，對該投影光學 系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 10 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，該供 應機構，係從該基板之移動方向之後方側，對該投影光學 系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 11 ·如申請專利範圍第1項之曝光裝置，其中，為將 該圖案以掃描曝光方式轉印至該基板，進一步具備相對該 能篁束將該基板載台驅動於既定掃描方向的驅動系統。 12 ·如申請專利範圍第u項之曝光裝置，其中，該 供應機構具有在與該掃描方向正交之非掃描方向相隔離之 複數個供應口，視該基板上曝光對象之區劃區域大小，從 該複數個供應口中所選擇之至少一個供應口進行該液體之 供應。 96 200428482 如申凊專利範圍第1項之曝光裝置，发一 備至小—^ 退一步具 夕一個氣泡回收機構，俾在該投影光學系 板移動方向之後方回收液體中之氣泡。、、，中於该基 14 ·如申請專利範圍第丨項之曝光裝置，其進一步具 ^周整裝置’以根據該投影光學系統與該基板間之液體之 溫度資訊的實測值及預測值的至少一方，來進行曝光：件 之调整。 15 · 一種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該圖案 透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備： 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構，係為了將該投影光學系統與該基板載台上 之該基板之間局部的充滿液體，而供應該液體； 回收機構，係回收該液體；以及 平板，係設在該基板載台上之該基板之裝載區域周圍 之至少一部分，其表面與裝載於該裝載區域之基板表面大 致同高。 16·如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，該 平板與該基板間之間隙係設定在3mm以下。 17·如中請專利範圍帛15 $之曝光裝置，其進一步 具備·· 干涉儀，係測量該基板載台之位置；以及 空調機構’係進行該投影光學系統與該基板間之該液 體周邊的空調。 97 200428482 1 8 ·如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中， 該供應機構進行之液體供應，係從該平板上開始。 19 ·如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中， 、，该 投影光學系統包含複數個光學元件，該複數個光學元件中 位於最靠近該基板側之光學元件，在不使用於曝光之部八 形成有孔； 77 远過該孔進行該液體 之回收的至少一種動作。 2〇·如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其進一步 具備控制裝置，以在該基板載台停止時，亦停止該供應機 構之液體的供應動作及該回收機構之液體的回收動作。 21 ·如申請專利範圍第j 5項之曝光裝置，其中，嗲 供應機構，係從該基板之移自方向《前方冑，對該投影2 學系統與該基板载台上之基板之間供應液體。 22 ·如申請專利範圍第15項之曝光裝置，其中，該 供應機構，係從該基板之移動方向之後方側，對該投影光二 學系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 23 ·如申請專利範圍帛15 j貝之曝光裝置， 將該圖案以掃描曝光方式轉 八 為 料旦W丨主絲板，進-步具備相對 以月匕里：4基板載台驅動於既定掃描方向的驅動系統。 M·如申請專利範圍第23項之曝光裝置，其中，該 供應機構具有在血贫播 複數個Μ 交之非掃描方向相隔離之 複數個供應口，視該基板上曝光對象之區 該複數個供應口中所# I 或大/J 仗 中所選擇之至少—個供應σ進行該液體之 98 200428482 供應。 2 5 · 如由上 甲請專利範圍第15項之曝光裝置，苴 且備至少一如々 /、延一步 ^ 個氣泡回收機構，俾在該投影光學系祐* + 基板移動方向之後方回收液體中之氣泡。…4中於該 26如申睛專利範圍第15項之曝光裝置，其推一 具備調整裝置’係根據該投影光學系統與該基板 二 訊的實測值及賴值的至少-方，來進行曝光: 27 · 一種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該 透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備:θ、 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 干涉儀’係用來測量該基板載台之位置； 供應機構，係對該投影光學系統與該基板載台上之該 基板間供應液體； 回收機構，係回收該液體；以及 空調機構，係it行該投影光學系統與該基板間之該液 體周邊的空調。 28 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該 空調機構包含吸引流體之吸引機構。 29 ·如申請專利範圍第28項之曝光裝置，其中，該 吸引機構亦具有回收該回收機構未能完全回收之該液體的 功能。 3〇 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該 99 200428482 二”周機構係局部的進行該液體周邊之空調。 31 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該 才又衫光學系統包含複數個光學元件，該複數個光學元件中 位於取罪近該基板側之光學元件，在不使用於曝光之部分 形成有孔； 77 透過該孔進行該液體之供應、該液體之回收、及氣泡 之回收的至少一種動作。 32 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其進_步 具備控制裝詈，LV + _ # > # > ^ , + ^ 置以在该基板載台停止時，亦停止該供應機 構之液體的供應動作及該回收機構之液體的回收動作。 33 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，該 供應機構，係從該基板之移動方向之前方伯i，對該投影光 學系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 〜 34 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其中，嗲 供應機構，係從該基板之移動方向之後方側，對該投影： 學系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 ·如甲請專利

   將该圖案以掃描曝光方式轉印至該基板，進一步具備束 该能置束將該基板載台驅動於既定掃描方向的驅動系統 36 ·如申請專利範圍第35項之曝光裝置，其 '中， 供應機構具有在與該掃描方向正交之非掃描方向相隔離 複數個供應口，視該基板上曝光對象之區劃區域大小， 該複數個供應口中所選擇之至少一個供應口進行該液- 供應。 / / ^ 100 200428482 37 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其進一步 具備至少-個氣泡回收機構，係在該投影光學系統中於該 基板移動方向之後方回收液體中之氣泡。 38 ·如申請專利範圍第27項之曝光裝置，其進一步 具備調整裝置，係根據該投影光學系統與該基板間之液體 之溫度資訊的實測值及預測值的至少—方，來進行曝光條 件之調整。 39· —種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該圖案 透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備： 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構，係對該投影光學系統與該基板载台上之該 基板間供應液體；以及 回收機構，係回收該液體； 該投影光學系統包含複數個光學元件，該複數個光學 兀件中位於最靠近該基板側之光學元件，在不使用於曝光 之部分形成有孔； 透過该孔進行該液體之供應、該液體之回收、及氣泡 之回收的至少一種動作。 40 ·如申請專利範圍第39項之曝光裝置，其進一步 具備控制裝置，以在該基板載台停止時，亦停止該供應機 構之液體的供應動作及該回收機構之液體的回收動作。 41 ·如申請專利範圍第39項之曝光裝置，其中，該 供應機構，係從該基板之移動方向之前方側，對該投影光 101 200428482 學系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 42 ·如申請專利範圍第39項之曝光裝置，其中，該 供應機構，係從該基板之移動方向之後方㈣，對該投影光 學系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 43·如申請專利範圍第39項之曝光裝置，其中，為 將，以掃描曝光方式轉印至該基板，進一步具備相對 該能量束將該基板载台驅動於既定掃描方向的驅動系統。 44 ·如申請專利範圍第43項之曝光裝置，其中，該 供應機構具有在與該掃描方向正交之非掃描方向相隔離之 複數個供應口，視該基板上曝光對象之區劃區域大小，從 該複數個供應口中所選擇之至少一個供應口進行該液體之 供應。 45 ·如申請專利範圍第39項之曝光裝置，其進一步 具備至少一個氣泡回收機構，係在該投影光學系統令於= 基板移動方向之後方回收液體中之氣泡。 46·如申請專利範圍第39項之曝光裝置，其進一步 具備調整裝置，係根據該投影光學系統與該基板間之液體 之溫度資訊的實測值及預測值的至少一方，來進行曝光條 件之調整。 / 41 一種曝光裝置’係以能量束照明圖f ’將該圖案 透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備： 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構，係對該投影光學系統與該基板載台上之該 102 200428482 基板間供應液體；以及 回收機構，係回收該液體； 在該基板載台停止時，亦僖Iw ^ M 了 J彳τ止叇供應機構之液體的供 應動作及該回收機構之液體的回收動作。 、 48·如申請專利範圍帛47項之曝光裝置，其中，該 供應機構’係從該基板之移動方向之前方側，對該投Μ 學系統與該基板載台上之基板之間供應液體。

   49 ·如申明專利範圍第47項之曝光裝置，其中，該 供應機構’係從該基板之移動方向之後方側，對該投影： 學系統與該基板載台上之基板之間供應液體。 50.如申請專利範圍第47項之曝光裝置，其中，為 將該圖案以掃描曝光方式轉印至該基板，$ _步具備相對 該能量束將該基板冑台驅動於既定掃描方向的驅動系統。 51·如申請專利範圍第50項之曝光裝置，其中，該 供應機構具有纟與該掃描方向正交之非掃描方向相隔離^ 複數個供應口，視該基板上曝光對象之區劃區域大小，從

   該複數個供應口中所選擇之至少一個供應口進行該液體之 供應。 52 ·如申請專利範圍第47項之曝光裝置，其進一步 具備至少一個氣泡回收機構，係在該投影光學系統中於該 基板移動方向之後方回收液體中之氣泡。 53 ·如申請專利範圍第47項之曝光裝置，其進一步 具備調整裝置，係根據該投影光學系統與該基板間之液體 之溫度資訊的實測值及預測值的至少一方，來進行曝光條 103 200428482 件之調整。 如申晴專利範圍第47項之曝光裝置，其進一步 具備周壁，甘$, /、 夕匕圍構成該投影光學系統之最靠基板側 之光學元件周α . 圍’且與該基板載台上之基板表面之間相隔 既定間隙； 4仏應機構，係將該液體供應至該投影光學系統之該 基板側端部所面臨之該周壁内部。 55 一種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該圖案 透過投影光學系統分別轉印至基板上之複數個區劃區域， 其特徵在於，具備： 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 、周i係至少包圍構成該投影光學系統之最靠基板側 之光學元件周目’且與該基板載台上之基板表面之間相隔 既定間隙；以及 至/個之供應機構，係從該基板之移動方向之後方 側將液體供應至該周壁内部。 Μ·如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其進一步 =備回收機構’俾於該投影光學系統中該基板之移動方向 前方回收液體。 57·如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其中，該 供應機構具有複數個供應口，其係設在曝光時被透過該圖 案及該投影光㈣, 统之能量束所照射之該基板上之照射區 域周圍，並視該基板之移動方向來切換供應該液體所使用 104 200428482 之供應口。 如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其中，為 將該圖案以掃摇曝光方式轉印至該基板，進一步具備相對 該能量束將該基板載台驅動於既定掃描方向的驅動系統。 59·如申請專利範圍第58項之曝光裝置，其中，該 供應機構係對該照&區域分別言免在該掃描方向4 一側與另 一側； ^ 供應該液體所使用之供應機構，係視該基板之掃描方 向切換使用。 6〇 ·如申請專利範圍第58項之曝光裝置，其中，該t 供應機構具有在與該掃描方向正交之非掃描方向相隔離2 複數個供應口，視該基板上曝光對象之區劃區域大小，從 該複數個供應口中所選擇之至少一個供應口進行該液體之 供應。 61·如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其進一步 具備平板，係設在該基板載台上之該基板之裝載區域周圍 之至少一部分，其表面與裝載於該裝載區域之基板表面大g 致同高。 62 ·如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其進一步 具備至少一個氣泡回收機構，係在該投影光學系統中於該 基板移動方向之後方回收液體中之氣泡。 63·如申請專利範圍第55項之曝光裝置，其進一步 具備調整裝置，係根據該投影光學系統與該基板間之液體 之溫度資訊的實測值及預測值的至少一方，來進行曝光條 105 200428482 件之調整。 64 · —種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該圖案 透過投影光學系統分別轉印至基板上之複數個區劃區域， 其特徵在於，具備： 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構，係對該投影光學系統與該基板載台上之該 基板間供應液體；以及 回收機構，係回收該液體； 該供應機構進行之液體供應及該回收機構進行之液體 回收，係與對該基板上各區劃區域之曝光動作同步進行。 65 ·如申請專利範圍第64項之曝光裝置，其中，係 在對各該區劃區域之每次曝光時，以該供應機構進行該液 體之供應、及以該回收機構進行該液體之全回收。 66 ·如申请專利範圍第65項之曝光裝置，其中，於 該圖案之轉印時，係在因該基板載台往該掃描方向之移動 使得曝光對象區域之前端，進入透過該圖案及該投影光學 系統被該能量束照射之該基板上之照射區域内的任_時間 點，開始以該供應機構供應該液體。 67 ·如申請專利範圍第66項之曝光裝置，其中，係 在對該曝光對象之區劃區域轉印圖案、與對前一區書彳區域 轉印圖案之間的該基板載台之區劃區域間移動動作結束後 ’開始以該供應機構供應該液體。 68 ·如申請專利範圍第66項之曝光裝置，其中，係 106 200428482 在該曝光對象之區劃區域前端到達供應位置之時間點，尸 始以該供應機構供應該液體。 開 Μ ·如申請專利範圍第65項之曝光裝置，其中，於 該圖案之轉印日夺，係在因該基板載台往該掃描方向之移^ 使得曝光對象區域之後端，從透過該圖案及該投影光學系 統被該能量束照射之該基板上之照射區域出來的時間=系 停止以該供應機構供應該液體。 7〇 ·如申請專利範圍第69項之曝光裝置，其中，係 在對该曝光對象之區劃區域轉印圖案後、對次一區劃區域 轉印圖案之前進行的該基板載台之區劃區域間移動動作開 始前，結束該回收機構進行之該液體的回收。 汗 71 ·如申請專利範圍第65項之曝光裝置，其中，於 該圖案之轉印時，係在因該基板載台往該掃描方向之移動 使得曝光對象區域之後端，從透過該圖案及該投影光學系 統被該能量束照射之該基板上之照射區域完全出來前的時 間點，停止以該供應機構供應該液體。 72 ·如申請專利範圍第71項之曝光裝置，其中，係 在該曝光對象之區劃區域後端到達供應位置之時間點，化 止以該供應機構供應該液體。 73 ·如申請專利範圍第71項之曝光裝置，其中，係 在對該曝光對象之區劃區域轉印圖案後、對次一區劃區域 轉印圖案之前進行的該基板載台之區劃區域間移動動作開 始前，結束該回收機構進行之該液體的回收。 74 ·如申請專利範圍第64項之曝光裝置，其進一步 107 200428482 具備2壁’係至少包圍構成該投影光學系統之最靠基板側 、，干元件周圍，且與該基板載台上之基板表面之間相隔 既定間隙； °亥么、應機構，係將該液體供應至該投影光學系統之該 基板側端部所面臨之該周壁内部。 種曝光裝置，係以能量束照明圖案，使基板往 …帚描方向移動來將該圖案透過投影光學系統、以掃描 ’』、光方式刀別轉印至該基板上之複數個區劃區域，其特徵 在於，具備： 土板載σ，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； ，周壁，係至少包圍構成該投影光學系統之最靠基板側 之光干70件周U ’且與該基板載台上之基板表面之間相隔 既定間隙； 供應機構，係將液體供應至該周壁内部·，以及 回收機構，係回收該液體。 76·如申請專利範圍第75項之曝光裝置，其中，該 周壁之内側係被設定成負壓狀態。 77·如申請專利範圍第75項之曝光裳置，其在保持 呑亥基板之該基板載台之移勤φ，後、社一 秒動中係進行該供應機構之液體 供應、及該回收機構之液體回收。 78·如申請專利範圍第75項之曝光裝置，其在保持 該基板之該基板載台之停止中’不進行該供應機構之液體 供應、及該回收機構之液體回收，而維持將該液體保持在 108 200428482 該周壁内部的狀態。 既定:二如申請專利範圍第75 J員之曝光裝置，其中，該 既疋間隙係設定在3mm以下。 既^1—種曝光裝置，係以能量束照明圖案，使基板往 =田方向移動來將該圖案透過投影光學系統、以掃描 :、式分別轉印至該基板上之複數個區劃區域，其特徵 在於，具備： 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内 動； 3供應機構’係具有在與該掃描方向正交之非掃描方向 、離之枚數個供應口，視該基板上曝光對象之區劃區域 的位置，從該複數個供應口中所選擇之至少一個供應口， 對至夕包含該基板載台上之該基板與該投影光學系統之間 的既定空間區域，沿掃描方向供應液體。 8 1 ·如申請專利範圍第8〇項之曝光裝置，其中，該 t應機構，在該曝光對象之區劃區域為基板上周邊部之區 區域時’係僅從在非掃描方向相隔離之複數個供應口中 的部分供應口供應該液體。 82 ·如申請專利範圍第80項之曝光裝置，其進一步 具備至少一個氣泡回收裝置，俾在該投影光學系統甲沿該 知描方向流動之液體的上游側，回收液體中之氣泡。 83 ·如申請專利範圍第80項之曝光裝置，其中，該 供應裝置係從該基板移動方向之後方側供應該液體。 84 ·如申請專利範圍第80項之曝光裝置，其進一步 109 200428482 具備調整裝置，係根據該投 之、、w声次π从^ 尤予系統與該基板間之液體 之皿度貝吼的貫測值及預測 件之調整。 〇至"一方，來進行曝光條 種曝光裝置，係以能量束照 既定掃描方向移動來將兮w 口系使基板在 mu案相投景彡光學w、以奸 +光方式分別轉印至該基板上之 田 在於，具備： 數域，其特徵 動；基板載台’係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 鲁 ^應機構’係具有在與該掃財向正交之非掃描方向 相隔離之複數個供應口，視該基板上曝光對象之區刻區域 之6玄知描方向的尺寸’從該複數個供應口中所選擇之至少 :個供應口，對至少包含該基板載台上之該基板與該投影 光學系統之間的既定空間區域，沿掃描方向供應液體。/ %·如申請專利範圍第85項之曝光裝置，其進一步 ^備至少-個氣泡回收裝置，俾在該投影光學系統中沿該 掃描方向流動之液體的上游側，回收液體中之氣泡。 87 ·如申請專利範圍第85項之曝光裝置，其中，該 仏應袁置係從該基板移動方向之後方側供應該液體。 88 ·如申請專利範圍第85項之曝光裝置，其進一步 具備調整裝置，係根據該投影光學系統與該基板間之液體 之溫度資訊的實測值及預測值的至少一方，來進行曝光條 件之調整。 89 · —種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該圖案 110 200428482 透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備： 基板載σ ’係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構，係對至少包含該基板載台上之該基板與該 投影光學系統之間的既定空間區域供應液體；以及 至少一個氣泡回收裝置，係在該液體相對該投影光學 系統流動的上游側，回收液體中之氣泡。 9〇 ·如申請專利範圍第89項之曝光襞置，其中，該 氣泡回收機構係將氣泡與該液體一起排出。 g 91 ·如申清專利範圍第89項之曝光裝置，其中，該 氣泡回收機構設有複數個，回收該氣泡所使用之氣泡回收 機構’係視該基板之移動方向切換。 92 ·如申請專利範圍第89項之曝光裝置，其進一步 具備調整裝置，係根據該投影光學系統與該基板間之液體 之溫度資訊的實測值及預測值的至少一方，來進行曝光條 件之調整。 93 ·如申請專利範圍第89項之曝光裝置，其中，該胃I 仏應機構係沿該基板之移動方向放出該液體。 94 ·如申請專利範圍第93項之曝光裝置，其中，該 么、應機構係沿從該基板移動方向之後方放出該液體。 95 ·—種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該圖案 透過杈衫光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備： 基板栽台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 111 200428482 供應機構，係對至少包含該基板載台上之該基板與該 投影光學系統之間的既定空間區域供應液體；以及 調整裝置，係根據該投影光學系統與該基板間之液體 之溫度資訊來進行曝光條件之調整。 96 *如申請專利範圍第95項之曝光裝置，其進一步 具備： 乂 驅動系統，係為了將該圖案以掃描曝光方式轉印至該 基板上’相對該能#束將該基板載台往既定掃描方向驅動 ;以及 至少二個溫度感測H，係在該投影光學系、統之該掃描 方向之一側與另一側各至少配置一個。 97·如申請專利範圍第96項之曝光裝置其進一步 具備預測裝置，係根據分別配置在該一側與另一側之至少 二個該溫度感測器的檢測結果，來預測該液體通過透過該 圖案及該投影光學系統被該能量束照射之該基板上之照射 區域期間，所產生之溫度變化。 。如申凊專利範圍第95項之曝光裝置，其進一步 具備2系統，係在進行該圖案之轉印的掃描曝料，相 對”亥此里束將該基板载台往既定掃描方向驅動； 6亥凋整裝置，係考慮該投影光學系統與該基板間之液 體於掃描方向之溫度分布，來調整曝光條件。 ^如申δ月專利範圍第98項之曝光裝置，其中，該 周正#置仏考慮因該掃描方向之溫度分布所產生的像面傾 斜’來調整像面與基板表面間的位置關係。 112 200428482 100 ·如申請專利範圍第99項之曝光裝置，其中，該 兩Μ裝置’係配合因該掃描方向之溫度分布所產生的掃描 方向之像面傾斜使該基板傾斜，且於該傾斜方向掃描該基 板〇 101 *如申請專利範圍第95項之曝光裝置，其中，該 供機構係沿該基板之移動方向放出該液體。 102 ·如申請專利範圍第1 〇丨項之曝光裝置，其中， ”亥t、應機構係沿從該基板移動方向之後方放出該液體。 103 ·如申請專利範圍第95項之曝光裝置，其中，該參 溫度資訊，包含實測值及預測值的至少一方。 104 ·如申請專利範圍第95項之曝光裝置，其進一步 /、ί靖l k測出5玄投影光學系統與該基板間之液體之溫度的 風度^感測器，根據該溫度感測器之檢測結果進行該曝光條 件之調整。 105 ·如申請專利範圍第項之曝光裝置，其中，係 才艮ί康該溫度資訊，來進行用以調整以該投影光學系統所形 成Κ㈣、與該基板表面間之位置關係的焦點控制。 鲁 106 · —種曝光裝置，係在投影光學系統與基板之間 乞滿液體的狀態下，將既定圖案透過該投影光學系統轉印 至^該基板上，其特徵在於·· 於進行多重曝光時，係在將第1圖案轉印至該基板上 t區劃區域後，在該投影光學系統與該基板之間保持該液 體的狀態下’將第2圖案轉印至該基板上之該區劃區域。 107 · 一種曝光裝置，係透過投影光學系統將圖案轉 113 200428482 印至基板上來使該基板曝光，其特徵在於，具備·· 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； …供應機構’係對至少包含該基板載台上之該基板與該 投影光學系統之間的空間區域供應液體；以及 周正虞置，係根據該投影光學系統與該基板間之壓力 資訊來進行曝光條件之調整。 108如申凊專利範圍第1 〇7項之曝光裝置，其中， 該基板係一邊往既定掃描方向移動一邊曝光； /才又〜光孚系統與該基板間之液體係與該掃描方向平 行的流動； 5亥凋整裝置，係根據該掃描方向之壓力分布來進行曝 光條件之調整。 ' 109 ·如申睛專利範圍第丨〇7項之曝光裝置，其中， 該基板，係一邊往與該液體流動方向之相同方向移動、一 邊曝光。 110·如申請專利範圍第107項之曝光裝置，其中， 该调整裝置，係根據該基板之掃描速度所對應之曝光條件 的調整資訊，來進行曝光條件之調整。 11 1 ·如申請專利範圍第丨〇7項之曝光装置，其中， 該調整裝置，係根據該供應機構之液體供應量所對應之曝 光條件的調整資訊，來進行曝光條件之調整。 1· —種曝光裝置，係以能量束照明圖案，將該圖 案透過投影光學系統轉印至基板上，其特徵在於，具備·· 114 200428482 基板載台’係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構，係將液體供應至該投影光學系統與該基板 載台上之該基板之間； 回收機構，係用以回收該液體；以及 液體除去機構，係用以除去該回收機構未能回收之該 基板上之液體。 113 ·如申請專利範圍第112項之曝光裝置，其中， 該液體除去機構係回該基板上之液體。 114 ·如申請專利範圍第112項之曝光裝置，其中， 係在該投影光學系統與該基板之間局部的保持液體； 。亥基板載台’在該基板載台所保持之該基板周圍，具 備與该基板表面大致同高的平坦部。 115 ·如申請專利範圍第114項之曝光裝置，其進一 步具備排氣機構，以排出該投影光學系統像面側之氣體； 來自該供應機構之液體供應，係與該排氣機構進行之 氣體的排出同時開始。 116 ·如申請專利範圍第112項之曝光裝置，其進一 步具備控制裝置，以根據該液體之溫度資訊與該液體之壓 資Λ中的至少一者，控制該基板載台之移動。 11 7 ·如申請專利範圍第116項之曝光裝置，其中， 5亥控制裂4 ’係根據該溫度資訊與該壓力t訊之至少一者 來控制該基板載台之移動，以使該投影光學系統所形成之 像面與該基板表面大致對齊。 115 200428482 118 · —種曝光裝置，係於投影光學系統之像面側局 部的保持液體’且以能量束照明圖案，將該圖案透過該投 影光學系統與該液體轉印至基板上，其特徵在於，具備： 基板載台’係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 供應機構’係將液體供應至該投影光學系統之像面側 第1回收機構，係在該投影光學系統之投影區域外側 回收該液體；以及 第2回收機構，係對該投影區域在較該第丨回收機構 之更外側回收該液體。 119 ·如申請專利範圍第11 8項之曝光裝置，其中， °亥基板載台，在該基板載台所保持之該基板周圍，具備與 該基板表面大致同高的平坦部。 一 ^ 12〇·如申請專利範圍第118項之曝光裝置，其中， 係在該投影區域與該第2回收機構之間，配置該供應機構

   121 ·如申請專利範圍第i 18項之曝光裝置，其進一 步具：排氣機構，以排出該投影光學系統像面側之氣體； 片來自該供應機構之液體供應，係與該排氣機構進彳-氣體的排出同時開始。 丁 122·如申請專利範圍第118項之曝光裝置，其進_ v二備抆制放置，以根據該液體之溫度資訊與該液體 力資汛中的至少一者，控制該基板載台之移動。— 116 200428482 123 ·如申請專利範圍第122項之曝光裝置，其中， 該控制裝置，係根據該溫度資訊與該壓力資訊之至少一者 來控制該基板載台之移動，以使該投影光學系統所形成之 像面與遠基板表面大致對齊。 124 ·如申請專利範圍第118項之曝光裝置，其中， 该第2回機構，係配置成包圍該投影區域。 125 · —種曝光裝置，係於投影光學系統之像面側局 部的保持液體，且以能量束照明圖案，將該圖案透過該投 影光學系統與該液體轉印至基板上，其特徵在於，具備·· · 基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面内移 動； 该基板載台’在該基板載台所保持之該基板周圍，具 備與該基板表面大致同高的平坦部。 126 ·如申請專利範圍第125項之曝光裝置，其中， 该平坦部係由複數個構件構成。 ^ 127·如申請專利範圍第125項之曝光裝置，其中， 違基板載台具有形成有基準標記之基準構件，該基準構件鲁 之上面與平坦部大致同高。 128 ·如申請專利範圍第125項之曝光裝置，其中， 在不進行該基板之曝光動作時，係使該投影光學系統與該 平t。卩對向，以在該投影光學系統之像面側持續保持液體 〇 129 ·如申請專利範圍第125項之曝光裝置，其進一 步具備回收機構’以回收保持在該投影光學系統之像面側 117 200428482 的液體； 、在忒基板載台所保持之基板之曝光結束後，將該基板 載移動至既疋位置，以使該投景多光學系統與該平坦部對 向於4位置進行該回收機構之液體回收，在該液體之回 收結束後5將該曝光結束後之基板從該基板載台卸下。 130 *如申請專利範圍第125項之曝光裝置，其進一 步具備： 供應機構’係將液體供應至該投影光學系統之像面側 ;以及 排氣機構’係排出該投影光學系統之像面側之氣體； 來自該供應機構之液體供應，係與該排氣機構進行之 氣體的排出同時開始。 131 ·如申請專利範圍第125項之曝光裝置，來自該 供應機構之液體供應，係在該投影光學系統與平坦部對向 的狀態下開始。 132 ·如申請專利範圍第125項之曝光裝置，其進一 步具備控制裝置，以根據該液體之溫度資訊與該液體之壓 g 力資訊中的至少一者，控制該基板載台之移動。 133 *如申請專利範圍第132項之曝光裝置，其中， 该控制裝置，係根據該溫度資訊與該壓力資訊之至少一者 來控制該基板載台之移動，以使該投影光學系統所形成之 像面與该基板表面大致對齊。 1 34 · —種曝光裝置，係於投影光學系統之像面側局 部的保持液體，且以能量束照明圖案，將該圖案透過該投 118 200428482 影光學系統與該液體轉印至基板上，其特徵在於·· 具備基板載台，係裝載該基板並保持該基板於2維面 内移動； 該基板載台，在該基板載台所保持之該基板周圍，具 備與该基板表面大致同高的平坦部； 在不進仃该基板之曝光動作時，係使該投影光學系統 與該平坦部對向，以在該投影光學系統之像面側持續保 液體。 135 ·如申請專利範圍第134項之曝光裝置，其中， 在將基板裝載於該基板載台日夺，於該投影光學系統與該平 坦部之間保持有液體。 136·如申請專利範圍第134項之曝光裝置，其中， 在從該基板載台卸下該基板時，於該投影光學系統與該平 坦部之間保持有液體。 Λ 137 ·、—種曝光裝i，係於投影光學系統之像面側局 勺保持液版’且以能量束照明圖案，將該圖案透過該投 影光^統與料體轉印至基板上，㈣徵在於： 八觜土板載Ό，係裝載該基板並保持該基板於2維面 内移動； 具有與該基板載台所保持 大致同而的平坦部· 該基板載台所位4士 /、持之基板之曝光結束後，將該基板 台移動至既定位置， • 以回收該投影光學系統像面側之液 119 200428482 该液體之回收結束後，將該曝光結束後之基板從該基 板載台卸下。 1 138 ·如申請專利範圍第137項之曝光裝置，其中， 於該既定位置，該投影光學系統與該平坦部係對向。 1 Ο Ο β β 一種曝光裝置，係於投影光學系統之像面侧局 部的保持液體，且以能量束照明圖案，將該圖案透過該投 影光學系統與該液體轉印至基板上，其特徵在於，具備： 供應系統，係將液體供應至該投影光學系統之像面側 ;以及 排氣機構’係排出該投影光學系統像面側空間内之氣 體； 來自該供應機構之液體供應，係與該排氣機構進行之 氣體的排出同時開始。 140 ·如申請專利範圍第139項之曝光裝置，其進一 步具備控制裝置，以根據該液體之溫度資訊與該液體之壓 力資訊中的至少一者，控制該基板載台之移動。 141 ·如申請專利範圍第14〇項之曝光裝置，其中，| 該控制裝置，係根據該溫度資訊與該壓力資訊之至少一者 來控制該基板載台之移動，以使該投影光學系統所形成之 像面與該基板表面大致對齊。 142 · —種曝光裝置，係透過投影光學系統與液體對 基板上照射能量束，以使該基板曝光，其特徵在於，具備 基板載台，係保持該基板能於2維面内移動；以及 120 200428482 控制裝置，係根據該液體之溫度資訊與該液體之壓力 資訊之至少一者，來控制該基板載台之移動。 143 ·如申請專利範圍第142項之曝光裝置，其中， 該控制裝置，係根據該溫度資訊與該壓力資訊之至少一者 來控制該基板載台之移動，以使該投影光學系統所形成之 像面與該基板表面大致對齊。 144 · 一種元件製造方法，係包含微影製程，其特徵 在於： 該微影製程，係使用請求項1〜143項中任一項之曝 光裝置，將元件圖案轉印至基板上。 拾壹、囷式： 如次頁。 121