JPS6365326A - 光量検出回路 - Google Patents
光量検出回路Info
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- JPS6365326A JPS6365326A JP61210051A JP21005186A JPS6365326A JP S6365326 A JPS6365326 A JP S6365326A JP 61210051 A JP61210051 A JP 61210051A JP 21005186 A JP21005186 A JP 21005186A JP S6365326 A JPS6365326 A JP S6365326A
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- JP
- Japan
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- photodiodes
- photodiode
- detection circuit
- amount detection
- spectral sensitivity
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- Pending
Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はホトダイオードと差動アンプよりなる光量検出
回路に関し、特に人間の比視感度に近い分光感度が要求
されるカメラ等の測光用として使用される光量検出回路
に関するものである。
回路に関し、特に人間の比視感度に近い分光感度が要求
されるカメラ等の測光用として使用される光量検出回路
に関するものである。
〈従来の技術〉
第5図は光量検出回路の従来例を示す。この光量検出回
路は、分光感度のピークが近赤外領域にあるホトダイオ
ード11と、ホトダイオード11を入力端子間に接続し
た差動アンプ12により構成される。
路は、分光感度のピークが近赤外領域にあるホトダイオ
ード11と、ホトダイオード11を入力端子間に接続し
た差動アンプ12により構成される。
第6図はホトダイオード11の構造を示し、光の入射面
に赤外光カットフィルター13を形成することにより、
分光感度を人間の比視感度に近づける補正を行なう。
に赤外光カットフィルター13を形成することにより、
分光感度を人間の比視感度に近づける補正を行なう。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上述のような構成の光量検出回路では、人間の比視感度
に較べて分光感度の幅が広くなり、また、赤外光カット
フィルターが高価であるためコスト高になるとともに、
フィルターを形成したことにより形状が大きくなる等の
欠点を有していた。
に較べて分光感度の幅が広くなり、また、赤外光カット
フィルターが高価であるためコスト高になるとともに、
フィルターを形成したことにより形状が大きくなる等の
欠点を有していた。
〈問題点を解決するための手段〉
本発明は、ホトダイオードと差動アンプよりなる光量検
出回路において、共通の基板上に一体的に形成され且つ
表面からの深さが異なるPN接合を有する少なくとも2
個のホトダイオードを有し、この少なくとも2個のホト
ダイオードが差動アンプの入力端子間に逆並列接続され
てなることを特徴とする。
出回路において、共通の基板上に一体的に形成され且つ
表面からの深さが異なるPN接合を有する少なくとも2
個のホトダイオードを有し、この少なくとも2個のホト
ダイオードが差動アンプの入力端子間に逆並列接続され
てなることを特徴とする。
〈作用〉
本発明の光量検出回路は、少なくとも2個のホトダイオ
ードの受光面積比を変えることにより、分光感度を変更
可能とする。
ードの受光面積比を変えることにより、分光感度を変更
可能とする。
〈実施例〉
第1図は本実施例の光量検出回路の構成を示す。
1は差動アンプ、2,3はホトダイオード、4はログダ
イオード、5は基準電圧端子、6は出力端子である。
イオード、5は基準電圧端子、6は出力端子である。
2個のホトダイオード2.3は、互いに分光感度が異な
る。このホトダイオード2,3は、差動アンプ1の2個
の入力端子1a、lb間に逆並列接続されている。ログ
ダイオード4は、差動アンプ1の出力端子1cと入力端
子1aの間に接続されている。
る。このホトダイオード2,3は、差動アンプ1の2個
の入力端子1a、lb間に逆並列接続されている。ログ
ダイオード4は、差動アンプ1の出力端子1cと入力端
子1aの間に接続されている。
第2図はホトダイオード2の構造を示し、第3図はホト
ダイオード3の構造を示す。ホトダイオード2は短波長
検出用であり、ホトダイオード3は長波長検出用である
。ホトダイオード2は、シリコン基板上に多層構造に積
層されたPN接合のうち、表面から1〜2μm程度の深
さに形成された620nm程度を分光感度のピークとす
るPN接合を採用する。また、ホトダイオード3は、表
面から3〜5μm程度の深さに形成された750nm程
度を分光感度のピークとするPN接合を採用する。すな
わち、それぞれの他のPN接合は短絡しておく。
ダイオード3の構造を示す。ホトダイオード2は短波長
検出用であり、ホトダイオード3は長波長検出用である
。ホトダイオード2は、シリコン基板上に多層構造に積
層されたPN接合のうち、表面から1〜2μm程度の深
さに形成された620nm程度を分光感度のピークとす
るPN接合を採用する。また、ホトダイオード3は、表
面から3〜5μm程度の深さに形成された750nm程
度を分光感度のピークとするPN接合を採用する。すな
わち、それぞれの他のPN接合は短絡しておく。
以下、この光量検出回路の動作について説明する。
2個のホトダイオード2.3に光が当ると、ホトダイオ
ード2から光電流I2が発生し、ホトダイオード3から
光電流I3が発生する。そして、差動アンプ1の出力端
子1cと点Pの間のログダイオード4には電流(It
13)が流れる。このとき、ログダイオード4の順
方向電圧降下Vゎは、 と表わされる。ただし、kはボルツマン定数、Tは絶対
温度、qは電子の電荷、I satは飽和電流である。
ード2から光電流I2が発生し、ホトダイオード3から
光電流I3が発生する。そして、差動アンプ1の出力端
子1cと点Pの間のログダイオード4には電流(It
13)が流れる。このとき、ログダイオード4の順
方向電圧降下Vゎは、 と表わされる。ただし、kはボルツマン定数、Tは絶対
温度、qは電子の電荷、I satは飽和電流である。
したがって、この光量検出回路の出力Voは、と表わさ
れる。この場合、出力Voは、温度を一定とすると、電
流(12Is)のみの関数となっている。すなわち、こ
の光量検出回路では、2個のホトダイオード2,3の光
電流の差を検出することになる。
れる。この場合、出力Voは、温度を一定とすると、電
流(12Is)のみの関数となっている。すなわち、こ
の光量検出回路では、2個のホトダイオード2,3の光
電流の差を検出することになる。
ホトダイオード2,3が出力する光電流I2゜I3は、
ホトダイオード2,3の各々の受光面積に比例する。し
たがって、ホトダイオード2.3の構成を前述のように
定めたとき、ホトダイオード2.3の受光面積比をあら
かじめ人間の比視感度に対応する様な光電流すなわち人
間の比視感度のピークと同一波長域でピークをもつ光電
流N。
ホトダイオード2,3の各々の受光面積に比例する。し
たがって、ホトダイオード2.3の構成を前述のように
定めたとき、ホトダイオード2.3の受光面積比をあら
かじめ人間の比視感度に対応する様な光電流すなわち人
間の比視感度のピークと同一波長域でピークをもつ光電
流N。
−I3)を得る様に定めることができ、この場合、人間
の比視感度に近い分光感度をもった光量検出回路が得ら
れる。
の比視感度に近い分光感度をもった光量検出回路が得ら
れる。
2個のホトダイオードを逆並列接続した場合、2個のホ
トダイオードに光が均等に入射する必要がある。しかる
に、各々のホトダイオードを別個に配置すると、入射光
の偏りが生じる。このため、第4図に示すように、一方
のホトダイオード3を多数に分割して均等に配置し、ホ
トダイオード3の夫々を基板(この例ではP−r、、、
b)領域を隔てて囲むようにもう一方のホトダイオード
2を配置する。この構成により、ホトダイオード2.3
を夫々独立して配置する場合に較べて、2個のホトダイ
オード2.3の受光面積比のバラツキを少なくすること
ができ、分光感度の安定化が図れる。
トダイオードに光が均等に入射する必要がある。しかる
に、各々のホトダイオードを別個に配置すると、入射光
の偏りが生じる。このため、第4図に示すように、一方
のホトダイオード3を多数に分割して均等に配置し、ホ
トダイオード3の夫々を基板(この例ではP−r、、、
b)領域を隔てて囲むようにもう一方のホトダイオード
2を配置する。この構成により、ホトダイオード2.3
を夫々独立して配置する場合に較べて、2個のホトダイ
オード2.3の受光面積比のバラツキを少なくすること
ができ、分光感度の安定化が図れる。
なお、この実施例では分光感度の異なる2個のホトダイ
オードを逆並列接続した場合について説明したが、分光
感度の異なるホトダイオードを2個以上の任意の複数個
用いることもできる。
オードを逆並列接続した場合について説明したが、分光
感度の異なるホトダイオードを2個以上の任意の複数個
用いることもできる。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明においては、分光感度の異
なる少なくとも2個のホトダイオードを共通の基板上に
一体的に形成しかつその受光面積比を設定し、この少な
くとも2個のホトダイオードを差動アンプの入力端子間
に逆並列接続したことにより、フィルターを必要とせず
に人間の比視感度に近い分光感度が得られ、しかも、コ
ストダウンと小型化が実現できる。
なる少なくとも2個のホトダイオードを共通の基板上に
一体的に形成しかつその受光面積比を設定し、この少な
くとも2個のホトダイオードを差動アンプの入力端子間
に逆並列接続したことにより、フィルターを必要とせず
に人間の比視感度に近い分光感度が得られ、しかも、コ
ストダウンと小型化が実現できる。
第1図は本発明実施例の回路構成を示す図、第2図と第
3図は本発明実施例のホトダイオードの断面構造を示す
図、 第4図は本発明実施例のホトダイオードの平面構造を示
す図、 第5図は従来例の回路構成を示す図、 第6図は従来例のホトダイオードの断面構造を示す図で
ある。 1−差動アンプ la、lb−入力端子2.3−
−−ホトダイオード 特許出願人 シャープ株式会社 代 理 人 弁理士 西1)新 第1図
3図は本発明実施例のホトダイオードの断面構造を示す
図、 第4図は本発明実施例のホトダイオードの平面構造を示
す図、 第5図は従来例の回路構成を示す図、 第6図は従来例のホトダイオードの断面構造を示す図で
ある。 1−差動アンプ la、lb−入力端子2.3−
−−ホトダイオード 特許出願人 シャープ株式会社 代 理 人 弁理士 西1)新 第1図
Claims (1)
- ホトダイオードと差動アンプよりなる光量検出回路にお
いて、共通の基板上に一体的に形成され且つ表面からの
深さが異なるPN接合を有する少なくとも2個のホトダ
イオードを有し、この少なくとも2個のホトダイオード
が差動アンプの入力端子間に逆並列接続され、上記少な
くとも2個のホトダイオードの受光面積比を分光感度に
対応して設定したことを特徴とする光量検出回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61210051A JPS6365326A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 光量検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61210051A JPS6365326A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 光量検出回路 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6365326A true JPS6365326A (ja) | 1988-03-23 |
Family
ID=16582993
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61210051A Pending JPS6365326A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | 光量検出回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6365326A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291182A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-11-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61210051A patent/JPS6365326A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02291182A (ja) * | 1989-05-01 | 1990-11-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 光検出装置 |
WO2004053955A1 (ja) * | 2002-12-10 | 2004-06-24 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
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