KR970072488A - 기억 시스템 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 다치 기억의 메모리셀을 포함하면서도, 특히 재기록에 관한 내구성이 풍부한 기억 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.
n치(n은 3 이상의 자연수로, 예를 들면4)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 갖는 기억 시스템으로서 소정의 재기록 횟수까지는 메모리셀을 n치 기억의 메모리셀로서 사용하고, 소정의 재기록 횟수 이후는 메모리셀을 m치 기억(m은 n 미만의 자연수로, 예를 들면 3)의 메모리셀로서 사용한다. 이와 같이 소정의 재기록 횟수를 경계로 하여 1개의 메모리셀에 기억되는 정보(치)의 수를, 감소해 간다.

Description

기억 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제7도는 본 발명의 제3실시 형태에 관한 제1기억 시스템의 동작 흐름을 도시한 도면.

Claims (22)

  1. n치(n은 3이상이 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 갖는 기억 시스템에 있어서, 소정의 재기록 횟수까지는 상기 메모리셀을 n치 기억의 메모리셀로서 동작시키고, 상기 소정의 재기록 횟수 이후는 상기 메모리셀을 m치 기억(m은 n미만의자연수)의메모리셀로서 동작시키는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  2. n치(n은 3이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 갖는 기억 시스템에 있어서, 소정의 재기록 횟수까지는 상기 메모리셀을 n치 기억의 메모리셀로서 동작시키고, 상기 소정의 재기록 횟수 이후는 상기 메모리셀을 2치 기억의 메모리셀로서 동작시키는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  3. n치(n은 3이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 갖는 기억 시스템에 있어서, 제n재 기록 횟수까지는 상기 메모리셀을 n치 기억의 메모리셀로서 동작시키고, 제n재기록 횟수이후, 제(n-1)의 재기록 횟수까지는 상기 메모리셀을 (n-1)치 기억의 메모리셀로서 동작시키고, 제(i+1)의 재기록 횟수 이후, 제i(i는 2 이상의 자연수)의 재기록 횟수까지는 상기 메모리셀을 i치 기억의 메모리셀로서 동작시키는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  4. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀에 있어서의 n치 기억으로부터 m치 기억, 2치 기억 혹은 (n-1)치 기억으로의 변경, 또는 (i+1)치 기억으로부터 i기억으로의 변경을 상기 기억부를 포함하는 메모리칩 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  5. 제2항에 있어서, 상기 메모리셀에 있어서의 n치 기억으로부터 m치 기억, 2치 기억 또는 (n-1)치 기억으로의 변경, 또는 (i+1)치 기억으로부터 i치 기억으로의 변경을 상기 기억부를 포함하는 메모리칩 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  6. 제3항에 있어서, 상기 메모리셀에 있어서의 n치 기억으로부터 m치 기억, 2치 기억 또는 (n-1)치 기억으로의 변경, 또는 (i+1)치 기억으로부터 i치 기억으로의 변경을 상기 기억부를 포함하는 메모리칩 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  7. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기억부는 소정수의 상기 메모리셀로 구성되고, 데이터의 기록, 또는 데이터의 소거를 일괄해서 행하는 단위가 되는 메모리셀 블록을 포함하며, 상기 메모리셀에 있어서의 n치 기억으로부터 m치 기억, 2치 기억 또는 (n-1)치 기억으로의 변경, 또는 (i+1)치 기억으로부터 i치 기억으로의 변경을 상기 메모리셀 블록 단위로 행하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  8. 제1항에 있어서, 상기 모리셀이 m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 icl 기억 중 어느 하나로 변경된 후, m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억 각각에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후에는 상기 메모리셀을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  9. 제2항에 있어서, 상기 메모리셀이 m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억중 어느 하나로 변경된 후, m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후에는 상기 메모리셀을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  10. 제3항에 있어서, 상기 메모리셀이 m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억 중 어느 하나로 변경된 후, m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후에는 상기 메모리셀을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  11. 제7항에 있어서, 상기 메모리셀이 m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억 중 어느 하나로 변경된 후, m치기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후에는 상기 메모리셀을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  12. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀이 m이 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억 중 어느 하나로 변경된 후, m치기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치기억에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후는 상기 메모리셀에 데이터의 기록 및 데이타의 소거를 하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  13. 제2항에 있어서, 상기 메모리셀이 m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억 중 어느 하나로 변경된 후, m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후에는 상기 메모리셀에 데이타의 기록 및 데이타의 소거를 하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  14. 제3항에 있어서, 상기 메모리셀이 m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억 중 어느 하나로 변경된 후, m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후에는 상기 메모리셀에 데이타의 기록 및 데이타의 소거를 하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  15. 제7항에 있어서, 상기 메모리셀이 m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억 중 어느 하나로 변경된 후, m치 기억, 2치 기억, (n-1)치 기억 및 i치 기억에 있어서의 재기록 횟수가 제한 횟수에 달한 후에는 상기 메모리셀에 데이타의 기록 및 데이타의 소거를 하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  16. n치 (n은 3이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 갖는 기억 시스템에 있어서, 상기 메모리셀이 몇 치의 데이터를 보유하고 있는지를 기억하는 레벨 기억 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  17. n치 (n은 3이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 갖는 기억 시스템에 있어서, 상기 메모리셀을 n치로 동작시키는 n치 동작 모드 외에, 상기 메모리셀을 m치 (m은 n 미만의 자연수)로 동작시키는 m치 동작 모드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  18. 제1항에 있어서, n치 (n은 3 이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 가지며, 상기 메모리셀로서의 데이터의 기록 또는 소거시에 상기 메모리셀에 대한 데이터의 기록 동작 또는 소거 동작 및 상기 데이터의 메모리셀로의 기록 상태 또는 소거 상태를 검출하는 검증 판독 동작을 반복하는 기억 시스템으로서, 상기 기록 동작 또는 소거 동작과 검증 판독 동작의 반복 횟수인 검증수를 모니터하고, 상기 검증수가 소정의 횟수에 달한 후, 상기 메모리셀에서의 n치 기억으로부터 m치 기억, 2치 기억 또는 (n-1)치 기억으로의 변경, 또는 (i+1)치 기억으로부터 i치 기억으로의 변경을 행하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  19. 제2항에 있어서, n치 (n은 3 이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 가지며, 상기 메모리셀로의 데이터의 기록 또는 소거시에 상기 메모리셀에 대한 데이터의 기록 동작 또는 소거 동작 및 상기 데이터의 메모리셀로의 기록 상태 또는 소거 상태를 검출하는 검증 판독 동작을 반복하는 기억 시스템으로서, 상기 기록 동작 또는 소거 동작과 검증 판독 동작의 반복 횟수인 검증수를 모니터하고, 상기 검증수가 소정의 횟수에 달한 후, 상기 모리셀에 있어서의 n치 기억으로부터 m치 기억, 2치 기억 또는 (n-1)치 기억으로의 변경, 또는 (i+1)치 기억으로부터 i치 기억으로의 변경을 행하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  20. 제3항에 있어서, n치 (n은 3 이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 가지며, 상기 메모리셀로의 데이터의 기록 또는 소거시에 상기 메모리셀에 대한 데이터의 기록 동작 또는 소거 동작 및 상기 데이터의 메모리셀로의 기록 상태 또는 소거 상태를 검출하는 검출 판독 동작을 반복하는 기억 시스템으로서, 상기 기록 동작 또는 소거 동작과 검증 판독 동작의 반복 횟수인 검증수를 모니터하고, 상기 검증수가 소정의 횟수에 달한 후, 상기 메모리셀에 있어서의 n치 기억으로부터 m치 기억, 2치 기억 또는 (n-1)치 기억으로의 변경, 또는 (i+1)치 기억으로부터 i치 기억으로의 변경을 행하는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  21. p치(p는 2 이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 가지며, 상기 메모리셀의 데이터의 기록 또는 소거시에, 상기 메모리셀에 대한 데이터의 기록 동작 또는 소거 동작 및 상기 데이터의 메모리셀로의 기록 상태 또는 소거 상태를 검출하는 검증 판독 동작을 반복하는 기억 시스템에 있어서, 상기 기록 동작 또는 소거 동작과 검증 판독 동작의 반복 횟수인 검증수를 모니터하고, 상기 검증수가 소정의 횟수에 달한 후는 상기 메모리셀을 사용하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
  22. p치(p는 2이상의 자연수)를 기억하는 메모리셀을 포함하는 기억부를 가지며, 상기 메모리셀로의 데이터의 기록 또는 소거시에, 상기 메모리셀에 대한 데이터의 기록 동작 또는 소거 동작 및 상기 데이터의 메모리 셀로의 기록 상태 또는 소거 상태를 검출하는 검출 판독 동작을 반복하는 기억 시스템에 있어서, 상기 기록 동작 또는 소거 동작과 검증 판독 동작의 반복 횟수인 검증수를 모니터하고, 상기 검증수가 소정의 횟수에 달한 후는 상기 메모리셀에 데이터의 기록 및 데이터의 소거를 하지 않는 것을 특징으로 하는 기억 시스템.
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