JP5223869B2 - 半導体記憶装置、制御装置、制御方法 - Google Patents
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Description
まず、本実施の形態に係る情報処理装置について図面を参照しつつ説明する。図1は、本実施の形態に係る情報処理装置を示す図であり、図2は、本実施の形態に係る情報処理装置のハードウェア構成を示す図である。
実施の形態1に係るNANDフラッシュメモリは、属性情報に基づいて2値と4値を切り替えたが、本実施の形態に係るNANDフラッシュメモリは、NANDフラッシュアレイの空き容量に基づいて2値と4値を切り替える。なお、本実施の形態に係るNANDフラッシュメモリの構成は、実施の形態1に係るNANDフラッシュメモリと同様であり、動作のみが異なる。以下、実施の形態1に係るNANDフラッシュメモリと異なる動作について説明する。図25は、実施の形態2における書き込み処理の動作を示すフローチャートである。なお、本実施の形態において、NANDフラッシュメモリの容量は2値で32MBとし、2値での空き容量が16MB以下になった場合に、セルに書き込む値を4値に切り替えるものとする。
実施の形態2に係るNANDフラッシュメモリは、空き容量に基づいて2値と4値を切り替えたが、本実施の形態に係るNANDフラッシュメモリは、NANDフラッシュアレイのセルにおける書き込み回数に基づいて2値と4値とを切り替える。なお、本実施の形態に係るNANDフラッシュメモリの構成は、実施の形態1及び実施の形態2に係るNANDフラッシュメモリと同様であり、動作のみが異なる。以下、実施の形態2に係るNANDフラッシュメモリと異なる動作について説明する。図26は、実施の形態3における書き込み処理の動作を示すフローチャートである。なお、本実施の形態において、説明上、NANDフラッシュメモリの書き込み回数の限度は4000回とし、書き込み回数が2000より少なければ4値で書き込み、書き込み回数が2000以上になった場合、セルに書き込む値を2値に切り替えるものとする。
実施の形態3に係るNANDフラッシュメモリは、書き込み回数に基づいて2値と4値を切り替えたが、本実施の形態に係るNANDフラッシュメモリは、NANDフラッシュアレイのセルのエラー状況に基づいて2値と4値とを切り替える。なお、本実施の形態に係るNANDフラッシュメモリの構成は、実施の形態1、実施の形態2及び実施の形態3に係るNANDフラッシュメモリと同様であり、動作のみが異なる。以下、実施の形態3に係るNANDフラッシュメモリと異なる動作について説明する。図27は、実施の形態4における書き込み処理の動作を示すフローチャートである。なお、本実施の形態におけるエラーは、上述したデータの読み出しにおいて、センスアンプ/コンパレータ回路により返されたエラーを指し、このエラーを受けたマイクロプロセッサ206は、エラーを受けたセクタの冗長データであるスペアのEIを1に設定する。
Claims (4)
- データを記憶することができる複数のセルと、
前記データに付加された該データの属性を示す情報である属性情報を検出する検出部と、
前記検出部により検出されたデータの属性情報に基づいて、前記複数のセルの夫々に書き込む値を2値または多値に決定し、決定した前記複数のセルの夫々に書き込む値に基づいて閾値を決定する閾値決定部と、
前記閾値決定部により決定された閾値に基づいて、前記複数のセルに前記データを書き込む書き込み部と、
前記複数のセルのうち前記データが記憶されたセルの閾値と、該データの属性情報に基づいて、現在の前記閾値決定部により決定される閾値とが一致しない場合、前記複数のセルに書き込まれたデータを読み出し、該データの属性情報に基づいて前記閾値決定部により決定された閾値に基づいて、前記複数のセルに前記データを再度書き込む閾値変換部と
を備える半導体記憶装置。 - データを記憶することができる複数のセルと、
前記複数のセルの空き容量を示す情報に基づいて、前記複数のセルの夫々に書き込む値を2値または多値に決定し、決定した前記複数のセルの夫々に書き込む値に基づいて閾値を決定する閾値決定部と、
前記閾値決定部により決定された閾値に基づいて、前記複数のセルに前記データを書き込む書き込み部と
を備える半導体記憶装置。 - データを記憶することができる複数のセルにより構成される半導体記憶装置を制御する制御装置であって、
前記データに付加された該データの属性を示す情報である属性情報を検出する検出部と、
前記検出部により検出されたデータの属性情報に基づいて、前記複数のセルの夫々に書き込む値を2値または多値に決定し、決定した前記複数のセルの夫々に書き込む値に基づいて閾値を決定する閾値決定部と、
前記閾値決定部により決定された閾値に基づいて、前記複数のセルに前記データを書き込む書き込み部と、
前記複数のセルのうち前記データが記憶されたセルの閾値と、該データの属性情報に基づいて、現在の前記閾値決定部により決定される閾値とが一致しない場合、前記複数のセルに書き込まれたデータを読み出し、該データの属性情報に基づいて前記閾値決定部により決定された閾値に基づいて、前記複数のセルに前記データを再度書き込む閾値変換部と
を備える制御装置。 - データを記憶することができる複数のセルにより構成される半導体記憶装置を制御する制御方法であって、
前記データに付加された該データの属性を示す情報である属性情報を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにより検出されたデータの属性情報に基づいて、前記複数のセルの夫々に書き込む値を2値または多値に決定し、決定した前記複数のセルの夫々に書き込む値に基づいて閾値を決定する閾値決定ステップと、
前記閾値決定ステップにより決定された閾値に基づいて、前記複数のセルに前記データを書き込む書き込みステップと
前記複数のセルのうち前記データが記憶されたセルの閾値と、該データの属性情報に基づいて、現在の前記閾値決定ステップにより決定される閾値とが一致しない場合、前記複数のセルに書き込まれたデータを読み出し、該データの属性情報に基づいて前記閾値決定ステップにより決定された閾値に基づいて、前記複数のセルに前記データを再度書き込む閾値変換ステップと
を実行する制御方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2008/050394 WO2009090731A1 (ja) | 2008-01-16 | 2008-01-16 | 半導体記憶装置、制御装置、制御方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009090731A1 JPWO2009090731A1 (ja) | 2011-05-26 |
JP5223869B2 true JP5223869B2 (ja) | 2013-06-26 |
Family
ID=40885142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009549922A Expired - Fee Related JP5223869B2 (ja) | 2008-01-16 | 2008-01-16 | 半導体記憶装置、制御装置、制御方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7978513B2 (ja) |
JP (1) | JP5223869B2 (ja) |
KR (1) | KR101092823B1 (ja) |
CN (1) | CN101911207B (ja) |
WO (1) | WO2009090731A1 (ja) |
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2008
- 2008-01-16 JP JP2009549922A patent/JP5223869B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-16 CN CN200880122684.5A patent/CN101911207B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-01-16 WO PCT/JP2008/050394 patent/WO2009090731A1/ja active Application Filing
- 2008-01-16 KR KR1020107013050A patent/KR101092823B1/ko not_active IP Right Cessation
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- 2010-06-15 US US12/815,536 patent/US7978513B2/en not_active Expired - Fee Related
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WO2009090731A1 (ja) | 2009-07-23 |
US7978513B2 (en) | 2011-07-12 |
US20100265768A1 (en) | 2010-10-21 |
KR20100089100A (ko) | 2010-08-11 |
KR101092823B1 (ko) | 2011-12-12 |
CN101911207A (zh) | 2010-12-08 |
CN101911207B (zh) | 2014-05-07 |
JPWO2009090731A1 (ja) | 2011-05-26 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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