JP2005503640A - 二進モードでの多状態不揮発性メモリシステムの選択的動作 - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】
本発明は、不揮発性メモリとその動作とに関し、具体的には、動作できる状態の数より少ない数の状態で多状態メモリを選択的に動作する技術に関する。
【背景技術】
【0002】
本発明の原理は、現存するものおよび開発されつつある新技術を使うよう考慮されているものなどの種々の不揮発メモリに応用される。しかし、本発明の実施構成は、例として、記憶素子がフローティングゲートであるフラッシュ形の電気的に消去可能でプログラム可能なリードオンリメモリ(EEPROM)に関して記載される。
【0003】
現在の商業製品ではフラッシュEEPROMアレイの各フローティングゲート記憶素子が二進モードで動作することにより単一のビットのデータを記憶するのが普通であり、その場合、フローティングゲート・トランジスタのしきい値レベルの2つの範囲が記憶レベルとして定義される。フローティングゲート・トランジスタのしきい値レベルは、そのフローティングゲートに記憶されている充電レベルの範囲に対応する。メモリアレイのサイズを小さくすることに加えて、各フローティングゲート・トランジスタに1ビットより多いデータを記憶することによってこの様なメモリアレイのデータ記憶密度をさらに高めることが趨勢となっている。このことは、各フローティングゲート・トランジスタについて2つより多いしきい値レベルを記憶状態として定めることにより達成され、4つのこの様な状態(フローティングゲート記憶素子1個あたり2ビットのデータ)が今日では商業製品に包含されている。記憶素子1個あたり16状態などの1記憶素子あたりもっと多くの記憶状態が考慮されている。各フローティングゲート・メモリ・トランジスタは、その範囲内では実用的に動作できるというしきい値電圧の一定の総範囲(ウィンドウ)を持ち、この範囲は、それについて定められている数の状態と、それらの状態を互いに明確に区別できるようにする上記状態間のマージンとに分割される。
【0004】
各メモリセルに記憶される状態の数が多くなればなるほど、フローティングゲート記憶素子におけるプログラムされている充電レベルのシフトについての許容範囲は小さくなる。各メモリセル記憶素子に記憶される状態の数が多くなればなるほど、各記憶状態に割り当てられる充電の範囲は必然的に狭くされ、かつ、互いに近くに置かれなければならないので、プログラミングはますます精密に行われなければならず、かつ、記憶される許容可能な充電レベルにおけるプログラミング後のシフトの程度は、現実のシフトであっても見かけ上のシフトであっても、小さくなる。1つのセルに記憶されている電荷の現実のシフトは、このセルの状態、そして同じコラムまたはロウに存するセルやラインまたはノードを共有するセルなどの、このセルと或る程度電気的に結合している他のセルを読み出したりプログラムしたり消去したりするとき、妨害されることがあり得る。
【0005】
記憶されている電荷の見かけ上のシフトは、記憶素子間のフィールド結合に起因して生じる。この結合の程度は、集積回路製造技術の進歩の結果としてメモリセルアレイのサイズが小さくなりつつあるので、必然的に大きくなりつつある。問題としては、別々のときにプログラムされた2組の隣接するセルの間に最もはっきり生じることが挙げられる。1組のセルは、1組のデータに対応する電荷のレベルをそれらのフローティングゲートに加えるようにプログラムされる。第1の組のものと結合している第2の組のフローティングゲート上の電荷の効果によって、セルの第2の組が第2のデータとともにプログラムされた後、セルの第1の組のフローティングゲートから読み出される電荷レベルがプログラムされたものと異なるように思われることがよくある。このことはユーピン(Yupin)効果として知られており、米国特許第5,867,429号(特許文献1)および5,930,167号(特許文献2)に記載されている。これらの特許は、その全体が参照により本明細書で援用されている。これらの特許は、2組のフローティングゲートを互いに物理的に隔離すること、または第1の組のものを読み出すときに第2の組のフローティングゲート上の電荷の効果のいずれかを考慮することを記載している。さらに、特許第5,930,167号には、データを初めにプログラムするのに必要とする時間を短縮するために、僅か2つの状態または小さくされたマージンで多状態メモリの複数の部分をキャッシュメモリとして選択的にプログラムする方法が記載されている。このデータは後に読み出され、3つ以上の状態または大きくされたマージンで、メモリにプログラムし直される。
【0006】
この効果は、種々のフラッシュEEPROMセルアレイに存在する。NORアレイの一つの設計では、隣接するビット(コラム)ライン間に接続されるメモリセルと、ワード(ロウ)ラインに接続されるコントロールゲートとを有する。個々のセルは、直列に接続された選択トランジスタが形成されるか、または形成されない1つのフローティングゲート・トランジスタのいずれかを包含するか、或いは単一の選択トランジスタにより分離される2つのフローティングゲート・トランジスタを包含する。記憶システムにおけるこの様なアレイとその使用方法の例が次のサンディスクコーポレーションの米国特許および係属中の特許出願に記載されている。これらの特許および特許出願とは、米国特許第5,095,344号(特許文献3)、第5,172,338号(特許文献4)、第5,602,987号(特許文献5)、第5,663,901号(特許文献6)、第5,430,859号(特許文献7)、第5,657,332号(特許文献8)、第5,712,180号(特許文献9)、第5,890,192号(特許文献10)、第6,151,248号(特許文献11)、2000年2月17日出願の特許出願第09/505,555号(特許文献12)および2000年9月22日出願の特許出願第09/667,344号(特許文献13)である。これらの特許および特許出願は、その全体が参照により本明細書で援用されている。
【0007】
NANDアレイの一つの設計では、両端の選択トランジスタを通してビットラインおよび基準電位の間に直列ストリングをなして接続された複数の(8個、16個または32個もの)メモリセルを有する。ワードラインは、異なる直列ストリング内のセルのコントロールゲートと接続されている。この様なアレイおよびその動作の適切な例が、次の米国特許に記載されている。これら特許とは、米国特許第5,570,315号(特許文献14)、第5,774,397号(特許文献15)および第6,046,935号(特許文献16)である。これら特許は、その全体が参照により本明細書で援用されている。手短に言えば、到来するデータの異なる論理ページからのデータの2ビットが、個々のセルの4つの状態のうちの1つに2ステップで、即ち初めにデータの1ビットによってセルを1つの状態にプログラムするステップと、その後、もしそのデータが必要とするならば、到来するデータの第2のビットによってそのセルを他の状態にプログラムし直すステップとで、プログラムされる。
【0008】
個々のメモリセルのプログラミング状態の数を増やすことに伴う他の潜在的に不利な効果は、メモリセルが耐えることのできる消去/プログラミングのサイクル数で表わしたメモリセルの寿命が減少することである。このことは、多数の状態を1つのセルに記憶させるために必要なプログラミングの精度が高いことに起因する。反復使用後に誘電体に電荷が捉えられるので、または他の要因により、メモリセルが多数のサイクルを経た後に所要の高精度でプログラムするためにはより長い時間がかかり、かつ、多状態で動作することがより困難になる可能性がある。
【特許文献1】
米国特許第5,867,429号
【特許文献2】
米国特許第5,930,167号
【特許文献3】
米国特許第5,095,344号
【特許文献4】
米国特許第5,172,338号
【特許文献5】
米国特許第5,602,987号
【特許文献6】
米国特許第5,663,901号
【特許文献7】
米国特許第5,430,859号
【特許文献8】
米国特許第5,657,332号
【特許文献9】
米国特許第5,712,180号
【特許文献10】
米国特許第5,890,192号
【特許文献11】
米国特許第6,151,248号
【特許文献12】
米国特許出願第09/505,555号
【特許文献13】
米国特許出願第09/667,344号
【特許文献14】
米国特許第5,570,315号
【特許文献15】
米国特許第5,774,397号
【特許文献16】
米国特許第6,046,935号
【特許文献17】
ジアン・チェン、タナカ,トモハル、フォン,ユーピンおよびクオダー,カンドカー エヌ.による“多数のデータ状態で動作される不揮発性メモリの記憶素子間の結合の効果を減少させる動作手法”という2001年6月27日出願の米国特許出願
【特許文献18】
米国特許第5,043,940号
【特許文献19】
米国特許出願第09/662,032号
【特許文献20】
米国特許第5,851,881号
【非特許文献1】
“多レベルのNAND EEPROMのための高速で精密なプログラミング方法”,VLSI技術に関する1995年のシンポジムウムの摘要,p.129〜130
【非特許文献2】
チャンら著,“真正単一トランジスタ酸化物−窒化物−酸化物EEPROMデバイス”,IEEE電子デバイス・レターズ,EDL−8巻,第3号,1987年3月,p.93〜95
【非特許文献3】
ノザキら著,“半導体ディスク・アプリケーション用のMONOSメモリセルを有する1MbのEEPROM”,IEEE固体回路ジャーナル,26巻,第4号,1991年4月,p.497〜501
【非特許文献4】
エイタンら著,“NROM:新規の局所化トラッピング、2ビット不揮発性メモリセル”,IEEE電子デバイス・レターズ,21巻,第11号,2000年11月,p.543〜545
【非特許文献5】
ディマリアら著,“Si濃厚SIO2 インジェクターと浮動多結晶珪素記憶層とを用いる電気的に変更可能なリードオンリメモリ”,J.Appl.Phys.52(7),1981年7月,p.4825〜4842
【非特許文献6】
ホリら著,“不揮発性メモリ・アプリケーション用のSi打ち込みゲート−SIO2 絶縁体を有するMOSFET”,IEDM92,1992年4月,p.469〜472
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【0009】
手短にかつ一般的に言えば、不揮発性メモリシステムおよびこれを動作する方法が提供され、この場合、個々のメモリセルの記憶素子に通常は少なくとも4つの状態がプログラムされ、このことにより1セルあたり少なくとも2ビットが記憶されるが、プログラミング性能を改善し、または耐えることのできる消去/プログラミングのサイクル数で表わしたメモリの一部の寿命を延ばし、或いは、他の何らかの利益を得ることが必要であるかまたは望ましいときに、1記憶素子あたり選択的により少ない状態を記憶させるための対策が講じられる。しきい値レベルの動作ウィンドウ全体にわたって互いに分離されている少なくとも4つのしきい値レベルの範囲のうちの1つにセルの記憶素子をプログラムすることによって通常は少なくとも4つの状態がメモリセルに設けられる。通常より少ない状態を記憶させる例として、2状態のみを記憶するように切り換えられた場合、互いに最も遠く分離されている少なくとも4つのしきい値レベル範囲のうちの2つが使用される。上述した4状態のNAND形メモリで実施されたとき、1ページのみからのビットが互いに最大量分離されている2つのしきい値レベルに一度にプログラムされる。選択されたセルについて第2のページのデータビットをプログラムするステップを単に省略させることによって、メモリセルの選択されたグループにおいてプログラミングが4状態から2状態に切り換えられる。
【0010】
本発明の付加的な態様、特徴、利点および用途が代表的な実施形態についての次の説明に含まれ、この説明は添付図面と関連して考慮されるべきである。
【発明を実施するための最良の形態】
【0011】
不揮発性メモリシステム例
図1〜7を参照して、特定の例を示す目的として、本発明の種々の態様が実施される特定の不揮発性メモリシステムについて説明する。図1は、フラッシュメモリシステムのブロック図である。マトリックスに配列された複数のメモリセルMを含むメモリセルアレイ1は、コラム制御回路2、ロウ制御回路3、cソース制御回路4およびc−pウェル制御回路5によって制御される。メモリセル(M)に記憶されているデータを読み出し、プログラム動作中にメモリセル(M)の状態を決定し、プログラミングを促進するか、或いはプログラミングを抑制するべくビットライン(BL)の電位レベルを制御するために、コラム制御回路2は、メモリセルアレイ1のビットライン(BL)に接続される。ロウ制御回路3は、ワードライン(WL)に接続され、ワードライン(WL)のうちの1つを選択し、読み出し電圧を印加し、コラム制御回路2によって制御されるビットライン電位レベルと組み合わされたプログラム電圧を印加し、メモリセル(M)が形成されるp形領域(図3において“c−pウェル”11とラベルが付けられている)の電圧と結合された消去電圧を印加する。cソース制御回路4は、メモリセル(M)に接続されている共通ソースライン(図2において“cソース”とラベルが付けられている)を制御する。c−pウェル制御回路5は、c−pウェル電圧を制御する。
【0012】
メモリセル(M)に記憶されているデータは、コラム制御回路2により読み出され、I/Oラインおよびデータ入出力バッファ6を介して外部I/Oラインに出力される。メモリセルに記憶されることになるプログラムデータは、外部I/Oラインを介してデータ入出力バッファ6に入力され、コラム制御回路2に転送される。外部I/Oラインは、コントローラ20に接続されている。
【0013】
フラッシュメモリデバイスを制御するためのコマンドデータは、コントローラ20と接続されている外部制御ラインに接続されているコマンド・インターフェースに入力される。コマンドデータは、どんな動作が要求されているかをフラッシュメモリに知らせる。入力されたコマンドは、コラム制御回路2、ロウ制御回路3、cソース制御回路4、c−pウェル制御回路5およびデータ入出力バッファ6を制御する状態マシン8に転送される。状態マシン8は、READY/BUSY(レディー/ビジー)またはPASS/FAIL(パス/フェイル)等のフラッシュメモリの状況データを出力することができる。
【0014】
コントローラ20は、パーソナルコンピュータ、デジタルカメラ、或いはパーソナルデジタルアシスタント等のホストシステムと接続されているか或いは接続可能である。メモリアレイ1にデータを記憶したり読み出したりするなどのコマンドを開始し、そのデータをそれぞれ送信したり受信したりするのはホストである。コントローラは、この様なコマンドを、コマンド回路7により解釈され実行され得るコマンド信号に変換する。コントローラは、一般に、メモリアレイに書き込まれるか、またはメモリアレイから読み出されるユーザデータのためのバッファメモリも含んでいる。代表的なメモリシステムは、コントローラ20を含む1つの集積回路チップ21と、メモリアレイおよび付随する制御回路、入出力回路および状態マシン回路を各々含む1つ以上の集積回路チップ22とを包含する。もちろん、システムのメモリアレイおよび制御回路を1つ以上の集積回路チップに統合することが趨勢となっている。メモリシステムは、ホストシステムの一部分として埋め込まれてもよく、或いは、ホストシステムの結合ソケットに取り外し可能に挿入可能なメモリカードに包含されてもよい。この様なカードは、メモリシステム全体を包含してもよいが、コントローラおよびメモリアレイを関連する周辺回路と共に別々のカードに設けてもよい。
【0015】
図2を参照して、メモリセルアレイ1の構造例を説明する。例としてNAND形フラッシュEEPROMを説明する。メモリセル(M)は、特定の例において1,024個のブロックに分割されている。各ブロックに記憶されているデータは同時に消去される。よって、ブロックは、同時に消去可能なセルの数の最小単位である。各ブロックにおいて、この例では、偶数番号のコラムと奇数番号のコラムとに分割された8,512個のコラムがある。ビットラインも偶数番号のビットライン(BLe)および奇数番号のビットライン(BLo)に分割されている。各ゲート電極においてワードライン(WL0〜WL3)に接続されている4個のメモリセルが直列に接続されてNANDセルユニットを形成する。NANDセルユニットの1つの端子は、第1の選択トランジスタ(S)を介して対応するビットライン(BL)に接続され、そのゲート電極は第1の選択ゲートライン(SGD)に結合され、もう一つの端子は、第2の選択トランジスタ(S)を介してcソースに接続され、そのゲート電極は第2の選択ゲートライン(SGS)に結合されている。簡略化するために、各セルユニットに4個のフローティングゲート・トランジスタが包含されるべく示されているが、もっと多数の(例えば、8個、16個或いは32個もの)トランジスタが使用される。
【0016】
ユーザデータの読み出しおよびプログラミング動作中に、この例では、4,256個のセル(M)が同時に選択される。選択されたセル(M)は、例えばWL2などの同じワードライン(WL)と、例えば偶数番号のビットラインBLe0〜BLe4255などの同種のビットライン(BL)とを有する。従って、532バイトのデータを同時に読み出すか、或いはプログラムすることができる。同時に読み出すか、或いはプログラムできるこの532バイトのデータは、論理的に“ページ”を形成する。従って、1ブロックは、少なくとも8ページを記憶することができる。各メモリセル(M)が2ビットのデータを記憶するとき、即ち、多レベル・セルであるとき、1ブロックは、セルあたり2ビット記憶の場合には、16ページを記憶する。この実施形態では、各メモリセルの記憶素子(この場合、各メモリセルのフローティングゲート)は、2ビットのユーザデータを記憶する。
【0017】
図3は、図2に略図示されているNAND形セルユニットのビットライン(BL)の方向の横断面図を示している。p形半導体基板9の表面にp形領域c−pウェル11が形成され、このc−pウェルは、p形基板からc−pウェルを電気的に絶縁するn形領域10により囲まれている。n形領域10は、第1の接触孔(CB)およびn形拡散層12を介して第1の金属M0から作られたc−pウェルラインに接続されている。p形領域c−pウェル11も、第1の接触孔(CB)およびp形拡散層13を介してc−pウェルラインに接続されている。c−pウェルラインは、c−pウェル制御回路5(図1)に接続されている。
【0018】
各メモリセルは、セルに記憶されるデータに対応する電荷の量を記憶するフローティングゲート(FG)を有し、ワードライン(WL)はゲート電極を形成し、ドレイン電極およびソース電極はp形拡散層12から作られる。フローティングゲート(FG)は、トンネル酸化膜(14)を介してc−pウェルの表面に形成される。ワードライン(WL)は、絶縁膜(15)を介してフローティングゲート(FG)上に積み重ねられる。ソース電極は、第2の選択トランジスタ(S)および第1の接触孔(CB)を介して第1の金属(M0)から作られた共通ソースライン(cソース)に接続されている。共通ソースラインは、cソース制御回路(4)に接続されている。ドレイン電極は、第1の選択トランジスタ(S)、第1の接触孔(CB)、第1の金属(M0)の中間配線および第2の接触孔(V1)を介して、第2の金属(M1)から作られたビットライン(BL)に接続されている。ビットラインは、コラム制御回路(2)に接続されている。
【0019】
図4および5は、ワードライン(WL2)の方向のメモリセル(図3の断面4−4)および選択トランジスタ(図3の断面5−5)の横断面図をそれぞれ示している。各コラムは、基板に形成されて絶縁材料で満たされた、浅いトレンチ絶縁(STI)として知られているトレンチによって隣りのコラムから絶縁されている。フローティングゲート(FG)は、このSTI、絶縁膜15およびワードライン(WL)によって互いに絶縁されている。近時、フローティングゲート(FG)間の間隔は0.1um未満になろうとしており、フローティングゲート間の容量結合は大きくなってきている。選択トランジスタ(S)のゲート電極(SG)は、フローティングゲート(FG)およびワードライン(WL)と同じ形成工程で形成されるので、これは積み重ねゲート構造を示している。これら2つの選択ゲートライン(SG)は、ラインの端で分路されている。
【0020】
図6の表1は、メモリセルアレイ1を動作するために印加される電圧を要約し、特定の例では、各メモリセルのフローティングゲートは2ビットを記憶し、状態“11”、“10”、“01”、“00”のうちの1つを有する。この表は、ワードライン“WL2”と、“BLe”のビットラインとが読み出しおよびプログラミングのために選択される場合を示している。c−pウェルを20Vの消去電圧にまで上げ、選択されたブロックのワードライン(WL)を接地することによって、選択されたブロックのデータが消去される。選択されないブロックのワードライン(WL)、ビットライン(BL)、選択ライン(SG)およびcソースの全ては浮動状態に置かれるので、これらもc−pウェルとの容量結合に起因して殆ど20Vにまで上げられる。従って、選択されたメモリセル(M)のトンネル酸化膜14(図4および5)にのみ強い電界が印加され、選択されたメモリセルのデータはトンネル電流がトンネル酸化膜14を横断して流れるときに消去される。この例では、消去されたセルは、4つの可能なプログラムされた状態のうちの1つ、即ち“11”である。
【0021】
プログラミング動作中に電子をフローティングゲート(FG)に記憶するために、選択されたワードラインWL2はプログラムパルスVpgmに接続され、選択されたビットラインBLeは接地される。一方、プログラミングが行われるべきではないメモリセル(M)でのプログラムを抑制するために、対応するビットラインBLeは、選択されないビットラインBLoと同じく電源のVdd(例えば、3V)に接続される。選択されなかったワードラインWL0、WL1およびWL3は10Vに接続され、第1の選択ゲート(SGD)はVddに接続され、第2の選択ゲート(SGS)は接地される。その結果として、プログラムされるメモリセル(M)のチャネル電位は0Vにセットされる。ワードライン(WL)との容量結合によりチャネル電位が引き上げられる結果として、プログラム抑制時のチャネル電位は約6ボルトにまで上げられる。上述したように、プログラミング中に強い電界がメモリセル(M)のトンネル酸化膜14のみに印加され、トンネル電流が消去と比較して逆の方向にトンネル酸化膜14を横断して流れ、その後、論理状態は“11”から他の状態“10”、“01”、または“00”のいずれか1つに変化する。
【0022】
読み出しおよび検証動作のときには、選択ゲート(SGDおよびSGS)と選択されなかったワードライン(WL0、WL1およびWL3)とが、これらをパスゲートとする4.5Vの読み出しパス電圧にまで上げられる。選択されたワードライン(WL2)は1つの電圧に接続され、この電圧のレベルは、関係するメモリセルのしきい値電圧がこのレベルに達しているかどうかを判定するために、各読み出しおよび検証動作のために特定される。例えば、読み出し10動作のときには、選択されたワードラインWL2は接地されるので、しきい値電圧が0Vより高いかどうかが検知される。この読み出しの場合、読み出しレベルが0Vであると言うことができる。検証01動作のときには、選択されたワードラインWL2は2.4Vに接続されるので、しきい値電圧が2.4Vに達しているかどうかが検証される。この検証の場合、検証レベルは2.4Vであると言うことができる。
【0023】
選択されたビットライン(BLe)は、例えば0.7Vのハイレベルにプレチャージされる。しきい値電圧が読み出しレベルまたは検証レベルより高ければ、関係するビットライン(BLe)の電位レベルは、メモリセル(M)が非導通性なので、ハイレベルを維持する。一方、しきい値電圧が読み出しレベルまたは検証レベルより低ければ、メモリセル(M)が導通性なので、関係するビットライン(BLe)の電位レベルは例えば0.5V未満のローレベルに低下する。読み出し動作および検証動作を次にさらに詳しく説明する。
【0024】
図7は、図1のコラム制御回路2の一部分を示す。ビットライン(BLeおよびBLo)の各対は、データ記憶部16に結合され、このデータ記憶部は、1ビットのデータをそれぞれ記憶することのできる2つのデータ記憶(DS1およびDS2)レジスタを含む。データ記憶部16は、読み出しまたは検証動作中に、選択されたビットライン(BL)の電位レベルを感知してデータを二進法で記憶し、プログラム動作時にビットライン電圧を制御する。データ記憶部16は、“EVENBL”および“ODDBL”の信号の一方を選択することによって、選択されたビットライン(BL)に選択的に接続される。データ記憶部16は、読み出されたデータを出力し、プログラムデータを記憶するためにI/Oラインにも結合される。このI/Oラインは、図1に関連して上述したように、データ入出力バッファ6に接続されている。
【0025】
1記憶素子あたり3つ以上の状態でのメモリシステムの動作
図8は、各フローティングゲート記憶素子が2ビットのデータを、即ち4つの状態を各メモリセル(M)に記憶するときのメモリセルアレイ1についてのしきい値電圧分布を例示している。曲線25は、負のしきい値電圧レベルである消去状態(“11”データ状態)にあるアレイ1内のセルのしきい値レベルVT の分布を表わしている。“10”および“00”ユーザデータをそれぞれ記憶しているメモリセルのしきい値電圧分布26および27が、0Vおよび1Vの間、並びに1Vおよび2Vの間にあることが示されている。曲線28は、2Vよりは高くかつ読み出しパス電圧4.5Vよりは低くセットされた最も高いしきい値電圧レベルである“01”データ状態にプログラムされたセルの分布を示している。
【0026】
この例では、単一のメモリセル(M)に記憶される2ビットの各々は、異なる論理ページからのものである。即ち、各メモリセルに記憶される2ビットの各ビットは、互いに異なる論理ページアドレスを持っている。図8に示されている右側のビットは、下位のページアドレス(=0,2,4,…,16,382)が入力されたときにアクセスされる。左側のビットは、上位のページアドレス(=1,3,5,…,16,383)が入力されたときにアクセスされる。
【0027】
信頼性を高めるために、分布が引き締まっているほど読み出しマージン(それらの間の距離)が広くなるので、それぞれの分布が引き締まっている(分布が狭い)方がよい。本発明により、プログラミング速度を顕著に低下させずに分布幅が引き締められる。
【0028】
VLSI技術に関する1995年のシンポジムウムの摘要,p.129〜130に記載されている論文“多レベルのNAND EEPROMのための高速で精密なプログラミング方法”(“Fast and Accurate Programming Method for Multi-level NAND EEPROMs", Digest of 1995 Symposium on VLSI Technology)(非特許文献1)によると、原理的には、分布を0.2V幅に制限するにはステップ間で通常の反復プログラミングパルスを0.2V増分する必要がある。この論文は、その全体が参照により本明細書で援用されている。この論文分布を0.05V幅の中に引き締めるには、0.05Vステップアップ・パルスが必要である。プログラミング電圧のこの様な小ステップの増分でセルをプログラムするためには、プログラミング時間は4倍分だけ長くされる。しかし、後述する本発明の原理的な態様によれば、しきい値電圧分布の幅を減少させるために、プログラミング時間をその様に大幅に長くする必要はない。
【0029】
図9は、現存するプログラミングパルス技術を示す。プログラミング電圧Vpgm波形が例示されている。プログラミング電圧Vpgmは多くのパルスに分割され、パルスから次のパルスへ0.2V上げられる。この特定の例では、Vpgmの開始レベルは、12Vである。
【0030】
パルス間の期間で、検証(読み出し)動作が実行される。即ち、同時にプログラムされる各セルのプログラムされたレベルが各プログラミングパルス間で読み出され、検証レベル(読み出されたレベルはこの検証レベルまでプログラミングされる)に等しいかまたは大きいかが判定される。特定のメモリセルのしきい値電圧が検証レベルを超えていると判定されたならば、この特定のセルの直列セルユニットが接続されているビットラインの電圧を0VからVddまで上げることによってVpgmが取り除かれる。同時にプログラムされるセルのうちの他のセルのプログラミングは、それらの検証レベルに達するまで、継続して実行される。セルの最後のプログラミングパルス中にしきい値電圧が検証レベルの下からその上に移った場合、しきい値電圧のシフトは、0.2VのVpgmステップサイズに等しい。従って、しきい値電圧は、0.2V幅以内に制御される。
【0031】
図10Aおよび10Bは、上述したタイプのアレイをなす4状態のNANDメモリセルをプログラムする特定の現存する手法を例示している。第1のプログラミングパスで、セルのしきい値レベルは、下位の論理ページからのビットに従ってセットされる。そのビットが“1”ならば、それは前に消去された結果としてその状態にあるから、何も行われない。しかし、そのビットが“0”ならば、セルのレベルは第1のプログラムされた状態34まで上げられる。これによって、第1プログラミングパスを締めくくる。
【0032】
第2のプログラミングパスで、セルのしきい値レベルは、上位の論理ページからのセルに記憶されているビットに従ってセットされる。“1”ならば、セルは下位のページビットのプログラミングに依存して状態33または34の一方にあり、その両方が“1”の上位のページビットを有することにあるので、プログラミングは行われない。しかし、上位のページビットが“0”ならば、セルに2回目のプログラミングが行われる。第1のパスにおいてセルが消去状態33にとどまるという結果が得られたならば、図10Bの上側の矢印により示されているように、セルはその状態から最も高い状態36へプログラムされる。しかし、第1のプログラミングパスの結果として、セルが状態34にプログラムされているならば、図10Bの下側の矢印により示されているように、セルは第2のパスにおいてさらにその状態から状態35へプログラムされる。第2のパスの結果は、第1パスのプログラミングの結果を変更せずに上位のページからの“0”を記憶するように指示されている状態にセルをプログラムする。
【0033】
もちろん、5つ以上の状態でメモリが動作される場合には、メモリセルの画定された電圧しきい値ウィンドウの中にその状態の数に等しい数の分布があることになる。さらに、特定のビットパターンが各分布に割り当てられているが、異なるビットパターンをその様に割り当てることができ、その場合には、その状態間でプログラミングが行われることになるという状態が、図10Aおよび10Bに示されているものとは異なっていてもよい。数個のその様なバリエーションがNANDシステムについての背景技術の欄で前に参照した特許において論じられている。さらに、多状態で動作されるNANDおよびその他のタイプのメモリアレイにおけるユーピン効果の結果を減少させる手法が、ジアン・チェン(Jian Chen) 、タナカ,トモハル (Tomoharu Tanaka)、フォン,ユーピン (Yupin Fong) およびクオダー,カンドカー エヌ.(Khandker N. Quader)による“多数のデータ状態で動作される不揮発性メモリの記憶素子間の結合の効果を減少させる動作手法”(“Operating Techniques for Reducing Effects of Coupling Between Storage Elements of a Non-Volatile Memory Operated in Multiple Data States")という2001年6月27日出願の米国特許出願第_/_,_号(特許文献17)に記載されている。この出願も、その全体が参照により本明細書に取り入れられている。
【0034】
図11は、セルが4つのしきい値状態のうちのどの状態にあるのか確かめるべく各セルを読むために使われる電圧を例示している。電圧VV10 ,VV00 およびV01 は、プログラム中にメモリセルの10,00および01の記憶状態をそれぞれ読み出してそれらの状態を検証するために使われる基準電圧である。この検証は、通常、反復するプログラミングパルス間で行われる。結果として得られるプログラムされた分布は、図示されているように、分布の下縁と一致するこれらプログラム−検証電圧のうちの1つをそれぞれ有する。
【0035】
分布33〜36のうちの隣接する分布の略中間に位置する電圧0,VR00 およびVR01 は、メモリセルアレイからデータを読み出すために使われる。これらは、読み出される各セルのしきい値電圧状態との比較が行われるしきい値電圧である。このことは、セルから測定された電流または電圧をそれぞれ基準の電流または電圧と比較することにより達成される。これらの読み出し電圧とプログラムされたしきい値電圧分布との間にはマージンが存在するので、分布が読み出し電圧0,VR00 およびVR01 のいずれとも重ならなければ、上述したように分布が外乱等から或る程度広がってもよい。しかし、記憶状態分布の数が増えるにしたがってこのマージンは小さくなるので、この様な広がりを抑止するために、より高い精度でプログラミングを実行するのが好ましい。
【0036】
1記憶素子あたり2つの状態でのメモリシステムの動作
上述した多状態メモリの2状態動作が図12に例示されている。図10および11の初めの2つの状態33および36だけがプログラムされ、図12においてそれぞれ33’および36’とラベルが付けられている。セルに記憶されることになる1つのデータビットが“1”ならば、プログラミング動作中にそのセルに関しては何らの動作も行われない。そのしきい値レベルは、消去されたしきい値レベル分布33’の中にとどまる。しかし、セルに記憶されることになるデータビットが“0”ならば、セルは図9に例示されているようにプログラムされ、そのしきい値レベルを分布36’内に移す。このことは、図10Bに例示されているように、“0”の上位のページビットが消去状態33からプログラムされた状態36へプログラムされるときと同様に行われる。多状態の場合と同様にプログラミングを検証するために基準電圧VV01 が使用される。この手法の1つの利点は、メモリの大半(バルク)を上述した手法に従って多状態にプログラムし、一部のセルを2状態にプログラムするのは極めて容易であるということである。或いは、メモリセルアレイ全体を多状態または2状態に動作するべく状態マシン8内のヒューズまたはファームウェアの設定によりセットできるメモリ集積回路チップが製造される。2状態での動作時には下位のページのプログラミングが省略されることを除いて、プログラミングは2状態で動作するときには3以上の状態で動作するときと同じままである。
【0037】
個々のセルの読み出しは、VR00 を用いてしきい値状態が消去された分布33’の中に含まれるのか或いはプログラムされた分布36’の中に含まれるのかを判定する。このことは、セルが状態33または36の一方にプログラムされているかを判定するために、0ボルトの低い方の基準および高い方の基準VR01 を使用する多状態読み出し(図11)とは異なる。2状態動作中に(図12)、多状態分布34または35(図11)には何らのデータもプログラムされていないので、2状態にプログラムされているメモリセルを読み出すために分布33’および36’の略中央に存する非ゼロ基準VR00 が使われる。このことは、これらの分布と読み出し中に使用される基準との間のマージンを多状態読み出し動作中の場合よりも著しく大きくする。従って、2状態モードにおいては、これらの分布の実際のおよび見かけ上のより大きな広がりおよび移動を許容できる。
【0038】
この手法の主な利点として、プログラミング、読み出しおよび/または消去の動作から生じるプログラムされたセルまたは消去されたセルの電荷レベルについての外乱の効果の減少が挙げられる。特に、データを読み出すためにゼロでない正の読み出ししきい値レベルVR00 を使用すれば読み出し妨害の効果に対するメモリセルの許容範囲が増す。公知のように、消去分布33’は、同じロウ内のこれらのセルおよび他のセルが読み出される結果として正の方向に移動しがちである。この効果は、メモリセルに対して多数の消去/プログラミング・サイクルが行われるにしたがってますます広がって行く。大半のアプリケーションにおいて、消去された状態もプログラムされた状態の一つである。図11に関連して記載したように、しきい値のブレークポイントレベルとして0ボルトを用いて負のしきい値分布33’内のセルを読むときには、時間経過に伴うこの分布の正のシフトは、0ボルトに達して正にもなるという望ましくない効果を有することがあり得る。このことは、メモリセルがプログラムされる2つのしきい値レベルの間のブレークポイントとして読み出し中に0ボルトを用いる現存する2状態(二進)メモリシステムにおいても起こり得ることである。しかし、図12の第2のプログラムされた状態分布36’は、VR01 検証レベルでのプログラミングの結果として消去された分布33’からかなりのマージンにより分離されているので、高い方の読み出ししきい値のブレークポイントVR00 は、分布33’の記憶状態が読み違えられる前に、分布33’がより顕著に正の方向にシフトすることを許容する。このことは、多状態動作と同じしきい値ウィンドウを2状態動作のために維持することの顕著な利点である。
【0039】
図12の大きくされたマージンを使用することの別の利点は、データが保持される時間の長さが増すことである。分布33’および36’は、これらの分布のデータレベルがしきい値VR00 により読み違えられる前に、より大きな量をシフトすることができる。この様なシフトが生じる率は、メモリセルに対して行われる消去/プログラミング・サイクルの数が大きくなるにしたがって増大する。従って、読み出し妨害が減少しかつ/またはデータ保持が長くなることもメモリの寿命を長くするという結果をもたらす。
【0040】
それぞれのプログラムされたセルの結果としてのしきい値レベルがその様な狭い分布に治まっていなくてもよいので、広いマージンは、2状態の場合には多ビット・プログラミングの場合よりも1ビットあたり遥かに高速にプログラミングが行われることを可能にする。より大きなΔVpgm(図9)またはより大きな絶対電圧を用いて、セルをプログラムするのに必要な時間を短縮することができ、このことは、より大きなマージンで許容できる分布36’が広がるという結果をもたらすであろう。
【0041】
上述したような二進動作にも対処できる多状態メモリ・アーキテクチャには多くの使用方法がある。メモリシステムのブロック1のうちの少数のブロック(図2)を2状態記憶に当て、残りのブロックを多状態記憶で動作させることができる。このことは、状態マシン8内でセットされ、ここでプログラミングおよび読み出し中の記憶状態の数は、データがプログラムされまたは読み出されるブロックの物理アドレス、または物理アドレスに関連付けられているアドレスに依存する。
【0042】
ある特定のアプリケーションでは、非常に頻繁にデータの書き込みが行われるメモリセルブロックは2状態で動作され、それほど書き直しされない残りのブロックは多状態で動作される。頻繁に書き直されるデータの例は、システムファイル配分テーブル(FAT)、ブロックサイクルカウントおよびフラッシュEEPROMシステムの動作の一部として記憶されるその他のオーバーヘッドデータなどのユーザデータが記憶されるメモリのブロックのテーブルを含む。このFATテーブルに関連して、FATテーブルを更新するときにはユーザデータを記憶するときよりも少ない量のデータを書き込むように指定するホストシステムにおいてFATテーブルの頻繁な更新を容易に識別することができる。その様な識別されたFATテーブル・データは、コントローラ20(図1)により、2状態で動作するブロックに向けられる。メモリセルブロックの経験カウントおよびその種の他のオーバーヘッドデータに関連して、コントローラ20はこのようなデータが書き込まれるブロックを知っているので、これらのブロックの動作は2状態にセットされる。耐久限度に達しているブロックを時期尚早に交換する必要は、完全には除去されないとしても、少なくとも幾分は制御される。
【0043】
本発明の別のアプリケーションは、メモリの寿命の全体にわたってメモリアレイの少なくとも一部のブロックを、そうすることが有利となったときに多状態動作から2状態動作に切り換えることである。このことは、例えば、他のブロックより遥かに多くのデータ書き直しを受け取っているブロックについて動的に実行できる。別の例は、多状態で動作しているときにそれらの消去/プログラミング・サイクルの耐久限度数に近づいている選択されたブロックについて動作を2状態に切り換えることである。メモリセルの状態によっては多状態動作の継続が妨げられることがあるけれども、その後は図12に関連して記載した手法に従ってメモリセルを2状態で動作させることができる。もちろん、2状態のときに4状態のときと同じ量のデータを記憶するためには2倍の数のブロックを使用する必要がある。ブロックを1つの動作形式から他方へ何時切り換えるか決定できるようにするデータを状態マシン8に送信するために、個々のブロックまたはブロックのグループの消去/プログラミングのサイクル数の総計を維持するべきである。この様な総計を数えられている個々のブロックで維持することは、米国特許第5,043,940号(特許文献18)に記載されている。その代わりとして、2000年2月17日出願の米国特許出願第09/505,555号に記載されているように、数えられているブロックとは別のブロックでサイクル総計をまとめて維持してもよい。サイクル総計を発生させる特別な手法が、2000年9月14日出願の米国特許出願第09/662,032号(特許文献19)に記載されている。上記特許および特許出願は、その全体が参照により本明細書で援用されている。
【0044】
本発明の特定の例についての上記記載では、多状態動作は4つの状態を含んでいる。もちろん、多状態動作は、4つより多い状態(8または16など)を含むことができ、それらの場合には、しきい値電圧分布は、4状態について図10および11に示されているものより遥かに狭く保たれ、それらの間のマージンは遥かに小さくされる。さらに、より大きなマージンを提供し、寿命を延ばし、かつ、プログラミングの効率を高める代替策として2状態モードについて記載したけれども、代替策は、通常動作に使用される状態の数よりは少ない3以上の記憶状態を利用することができる。例えば、通常の多状態動作が16状態をプログラムし読み出すならば、代替策は、これらの記憶状態のうちの最大量分離されている4つ、即ち最低および最高並びにそれらの間で等間隔を置く他の2つに制限されてもよい。
【0045】
代わりとしての誘電体記憶素子の使用
フラッシュEEPROMメモリセルの上記例は、電荷記憶素子として導通性フローティングゲートを利用するタイプのセルに関連して記載されている。しかし、個々のメモリセルにおいてフローティングゲートの代わりに電荷捕捉誘電体を記憶素子として用いるシステムで本発明を実施することもできる。誘電体記憶素子は、導通性コントロールゲートとセルのチャネル領域内の基板との間に挟まれる。誘電体をフローティングゲートと同じサイズおよび位置を有する個々の素子に分離することができるが、電荷はこの誘電体により局所的に捕捉されるので、普通はその様に分離しなくてもよい。電荷捕捉誘電体は、選択トランジスタ等が占める領域を除いてアレイ全体に広がっていてよい。
【0046】
誘電体記憶素子メモリセルについては、次の技術論文および特許に一般的に記載されている。これらの論文および特許とは、チャンら著,“真正単一トランジスタ酸化物−窒化物−酸化物EEPROMデバイス”,IEEE電子デバイス・レターズ,EDL−8巻,第3号,1987年3月,p.93〜95 (Chan et al., “A True Single-Transistor Oxide-Nitride-Oxide EEPROM Device", IEEE Electron Device Letters, Vol. EDL-8, No. 3, March 1987, pp. 93-95)(非特許文献2)、ノザキら著,“半導体ディスク・アプリケーション用のMONOSメモリセルを有する1MbのEEPROM”,IEEE固体回路ジャーナル,26巻,第4号,1991年4月,p.497〜501 (Nozaki et al., A 1-Mb EEPROM with MONOS Memory Cell for Semiconductor Disk Application", IEEE Journal of Solid State Circuits, Vol. 26, No.4, April 1991, pp.497-501) (非特許文献3)、エイタンら著,“NROM:新規の局所化トラッピング、2ビット不揮発性メモリセル”,IEEE電子デバイス・レターズ,21巻,第11号,2000年11月,p.543〜545 (Eitan et al., NROM:A Novel Localized Trapping, 2-Bit Nonvolatile Memory Cell", IEEE Electron Device Letters, Vol. 21, No. 11, Novemebr 2000, pp. 543-545) (非特許文献4)および米国特許第5,851,881号(特許文献20)である。これらの論文および特許は、その全体が参照により本明細書で援用されている。
【0047】
実用的な特定の電荷捕捉誘電材料および構成が2つある。1つは3層誘電体であり、この誘電体は、基板上に初めに成長させた二酸化珪素と、その上に堆積させた窒化珪素層と、この窒化珪素層の上に成長および/または堆積させた酸化珪素のもう一つの層とを有する(“ONO”)。第2の選択肢は、ゲートと半導体基板表面との間に挟まれたシリコン濃厚二酸化珪素の単一の層である。この後者の材料は、次の2つの論文に記載されている。これらの論文とは、ディマリアら著,“Si濃厚SIO2 インジェクターと浮動多結晶珪素記憶層とを用いる電気的に変更可能なリードオンリメモリ”,J.Appl.Phys.52(7),1981年7月,p.4825〜4842 (DiMaria et al., “Electrically-alterable read-only-memory using Si-rich SIO2 injectors and a floating polycrystalline silicon storage layer", J. Appl. Phys. 52(7), July 1981, pp. 4825-4842)(非特許文献5)、ホリら著,“不揮発性メモリ・アプリケーション用のSi打ち込みゲート−SIO2 絶縁体を有するMOSFET”,IEDM92,1992年4月,p.469〜472 (Hori et al., “A MOSFET with Si-implanted Gate-SIO2 Insulator for Nonvolatile Memory Applications", IEDM 92, April 1992, pp. 469-472)(非特許文献6)である。これらの論文は、その全体が参照により本明細書で援用されている。
【0048】
結論
さらに、特定の例とその変形例とに関連して本発明を説明してきたが、添付されている請求項の最大の範囲内において本発明の権利が保護されるべきであることが理解されよう。
【図面の簡単な説明】
【0049】
【図1】本発明の種々の態様が実施されるべく記載されている不揮発性メモリシステムのブロック図である。
【図2】NAND形であるときの図1のメモリアレイの現存する回路および構成を例示する。
【図3】半導体基板上に形成されたNAND形のメモリアレイのコラムに沿う断面図である。
【図4】図3のメモリアレイの断面4−4における断面図である。
【図5】図3のメモリアレイの断面5−5における断面図である。
【図6】図2〜5のNANDメモリセルアレイの動作電圧の例の表1を示す。
【図7】図2〜5のNANDメモリセルアレイの他の特徴を例示する。
【図8】4状態で動作されるときの図2〜5のNANDメモリセルアレイのしきい値電圧の現存する分布の例を示す。
【図9】図2〜5のメモリセルアレイに使用できるプログラミング電圧信号の例を示す。
【図10A】図2〜5のメモリセルアレイをプログラムするための多状態技術を例示する電圧しきい値レベル分布である。
【図10B】図2〜5のメモリセルアレイをプログラムするための多状態技術を例示する電圧しきい値レベル分布である。
【図11】読み出し基準電圧および検証基準電圧が追加されている図10Aおよび図10Bの多状態電圧しきい値レベル分布を再現している。
【図12】2状態でプログラムされるときの図2〜5のアレイのメモリセルの電圧しきい値レベル分布を示す。
Claims (12)
- 不揮発性メモリセルの複数のブロックを少なくとも4つのしきい値レベル状態または正確に2つのしきい値レベル状態に制御可能に動作する方法であって、前記少なくとも4つのしきい値レベル状態はメモリセル動作しきい値ウィンドウ全体の中で離れ、前記正確に2つのしきい値レベル状態は、この4つのしきい値レベル状態のうちの前記動作しきい値ウィンドウの中で互いに最も離れているしきい値レベル状態であることを特徴とする方法。
- 前記複数のブロックのうちの少なくとも1つの中のメモリセルは前記正確に2つのしきい値レベル状態に動作され、前記複数のブロックのうちの他の少なくとも1つの中のメモリセルは前記少なくとも4つのしきい値レベル状態に動作されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- ユーザデータが記憶されているメモリのブロックのテーブルが前記正確に2つのしきい値レベルに動作される前記複数のブロックのうちの前記少なくとも1つのメモリセルに書き込まれ、前記ユーザデータは前記少なくとも4つのしきい値レベル状態に動作される前記複数のブロックのうちの前記他の少なくとも1つのメモリセルに記憶されることを特徴とする請求項2記載の方法。
- メモリセルの前記複数のブロックのうちの少なくとも1つは、前記少なくとも1つのブロックの消去/プログラミング・サイクルの数が所定量に達するまで、前記少なくとも4つのしきい値レベル状態に初めに動作され、前記所定量に達したならば前記少なくとも1つのブロックは、その後前記少なくとも2つのしきい値レベル状態に動作されることを特徴とする請求項1記載の方法。
- 動作しきい値ウィンドウ全体の中で離散している少なくとも4つのしきい値レベル状態のうちの1つで1ビットより多いデータをそれぞれ記憶する不揮発性メモリセルの複数のブロックを有するメモリシステムにおいて、メモリシステムを動作する方法であって、前記動作しきい値ウィンドウの中で互いに最も離れている前記少なくとも4つのしきい値レベル状態のうちの2つの状態だけで前記ブロックのうちの少なくとも1つのメモリセルに1ビットのデータを記憶することを特徴とする方法。
- 互いに最も離れている前記2つだけのしきい値レベル状態ではなくて前記少なくと4つのしきい値レベル状態のうちの他方のしきい値レベル状態の中間の値を有するしきい値基準を用いることにより、前記ブロックのうちの前記少なくとも複数個のブロックの個々のセルから前記4つのしきい値レベル状態のうちの前記2つの状態だけで記憶されているデータを読み出すことをさらに含むことを特徴とする請求項5記載の方法。
- 互いに最も離れている前記2つだけのしきい値レベル状態のうちの1つは、前記動作しきい値ウィンドウの負の領域の中の消去状態であり、前記読み出ししきい値基準はゼロでない正の電圧であることを特徴とする請求項6記載の方法。
- 前記メモリシステムは、NANDシステムであることを特徴とする請求項5記載の方法。
- データの少なくとも2つの異なるページからメモリセルのそれぞれの1つに通常少なくとも2ビットがプログラムされるようになっているNAND構成に接続されたメモリセルを有するフラッシュ不揮発性メモリシステムにおいて、1ビットだけを前記システムのメモリセルのうちの複数個にプログラムする方法であって、前記少なくとも2ページのうちの1つからの1ビットを2ビットのうちの1つとして通常プログラムされるときと同様に、前記システムのメモリセルのうちの前記複数個のそれぞれの1つにプログラムするが、前記少なくとも2ページのうちの他方からの第2ビットをプログラムしないことを特徴とする方法。
- 前記少なくとも2ビットは、前記メモリセルの動作しきい値ウィンドウ全体の中の少なくとも4つのしきい値レベル状態に通常プログラムされ、1ビットだけを前記メモリセルのうちの前記複数個のそれぞれの1つにプログラムする方法は、個々のメモリセルの前記動作しきい値ウィンドウの中で互いに最も離れている前記4つのしきい値レベル状態のうちの2つの状態だけを利用することをさらに含むことを特徴とする請求項9記載のメモリシステム。
- 前記少なくとも2ビットは、前記動作しきい値ウィンドウ全体に延在する検証レベルと関連して前記少なくとも4つのしきい値レベル状態のうちの少なくとも複数個に通常プログラムされ、前記メモリセルのうちの前記複数個のそれぞれの1つに1ビットだけをプログラムする方法は、前記検証レベルのうちの最も高いものを使用してプログラムすることをさらに含むことを特徴とする請求項10記載のメモリシステム。
- 個々のブロックのメモリセルは、動作しきい値ウィンドウ全体の中の前記しきい値レベル状態のうちの1つの極値に消去され、その後、消去されたメモリセルのうちの少なくとも複数個は、少なくとも4つのしきい値レベル状態で動作するときには、前記動作しきい値ウィンドウ全体に延在する検証レベルを用いて前記1つの極値のしきい値レベル状態から前記少なくとも4つのしきい値レベル状態のうちの他のしきい値レベル状態にプログラムされ、正確に2つのしきい値レベル状態で動作するときには前記検証レベルのうちの前記1つの極値のしきい値レベル状態から最も離れている1つを用いることにより、消去されたメモリセルのうちの少なくとも複数個は、前記1つの極値のしきい値レベル状態から前記少なくとも4つのしきい値レベル状態のうちの他の1つのしきい値レベル状態にプログラムされることを特徴とする請求項1記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/956,340 US6456528B1 (en) | 2001-09-17 | 2001-09-17 | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
US10/229,258 US6717847B2 (en) | 2001-09-17 | 2002-08-26 | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
PCT/US2002/029177 WO2003025949A1 (en) | 2001-09-17 | 2002-09-13 | Selective operation of a multi-state non-volatile memory system in a binary mode |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005503640A true JP2005503640A (ja) | 2005-02-03 |
Family
ID=26923119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003529480A Pending JP2005503640A (ja) | 2001-09-17 | 2002-09-13 | 二進モードでの多状態不揮発性メモリシステムの選択的動作 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6717847B2 (ja) |
EP (1) | EP1433182B1 (ja) |
JP (1) | JP2005503640A (ja) |
KR (1) | KR100918591B1 (ja) |
CN (1) | CN1555559B (ja) |
AT (1) | ATE336788T1 (ja) |
DE (1) | DE60214023T2 (ja) |
TW (1) | TW574696B (ja) |
WO (1) | WO2003025949A1 (ja) |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1433182A4 (en) | 2004-12-29 |
TW574696B (en) | 2004-02-01 |
ATE336788T1 (de) | 2006-09-15 |
EP1433182A1 (en) | 2004-06-30 |
US20040190337A1 (en) | 2004-09-30 |
US7385854B2 (en) | 2008-06-10 |
DE60214023D1 (de) | 2006-09-28 |
CN1555559A (zh) | 2004-12-15 |
US7177184B2 (en) | 2007-02-13 |
DE60214023T2 (de) | 2007-03-29 |
KR100918591B1 (ko) | 2009-09-24 |
KR20040047835A (ko) | 2004-06-05 |
US6717847B2 (en) | 2004-04-06 |
US20070109864A1 (en) | 2007-05-17 |
WO2003025949A1 (en) | 2003-03-27 |
CN1555559B (zh) | 2012-05-30 |
EP1433182B1 (en) | 2006-08-16 |
US20030053334A1 (en) | 2003-03-20 |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A601 | Written request for extension of time |
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A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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