JP2006286118A - 閾値電圧制御機能を有する不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フラッシュEEPROM100は、メモリセルアレイ110に含まれる各消去単位領域120に対応して、トリミング値を記憶するトリミング値記憶領域130を備える。ある消去単位領域120に対して消去および書き込みを行うときには、レギュレート回路150は、昇圧回路140で昇圧された電圧を、当該消去単位領域120についてのトリミング値に応じたレベルに変換する。消去および書き換え回数が増大し、読み出し判定回路170で異常が検出されると、トリミング値はレギュレート回路150から出力される電圧が高くなる値に更新される。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成を示す図である。図1に示すフラッシュEEPROM100は、メモリセルアレイ110、昇圧回路140、レギュレート回路150、デコーダ回路160、読み出し判定回路170、および制御回路180を備えている。メモリセルアレイ110は、N個の消去単位領域121〜12Nと、N個のトリミング値記憶領域131〜13Nとを含んでいる。これらの構成要素のうち、昇圧回路140は電圧発生回路として、レギュレート回路150は電圧調整回路として、トリミング値記憶領域131〜13Nは出力調整値記憶部として機能する。
本発明の第2の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成は、第1の実施形態と同じである(図1を参照)。図3は、本実施形態に係るフラッシュEEPROMにおける書き換え処理を示すフローチャートである。このフローチャートは、図2に示すフローチャートにおいて、ステップS260をステップS360に置換したものである。
図4は、本発明の第3の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成を示す図である。図4に示すフラッシュEEPROM400は、第2の実施形態に係るフラッシュEEPROMに、トリミング値一時保持回路405を追加したものである。図5は、本実施形態に係るフラッシュEEPROMにおける書き換え処理を示すフローチャートである。このフローチャートは、図3に示すフローチャートにおいて、ステップS260およびS361を移動させてステップS560およびS561とし、ステップS260およびS361の位置にステップS551を追加したものである。
図6は、本発明の第4の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成を示す図である。図6に示すフラッシュEEPROM600は、第3の実施形態に係るフラッシュEEPROM400に、エラーフラグ回路605を追加したものである。図7は、本実施形態に係るフラッシュEEPROMにおける書き換え処理を示すフローチャートである。このフローチャートは、図5に示すフローチャートにおいて、ステップS730、S751およびS780を追加し、ステップS560をステップS781に置換したものである。
図8は、本発明の第5の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成を示す図である。図8に示すフラッシュEEPROM800は、第4の実施形態に係るフラッシュEEPROM600において、メモリセルアレイ110をメモリセルアレイ805に置換したものである。メモリセルアレイ805は、メモリセルアレイ110に対して、N個のモニタービット811〜81Nを追加したものである。図9は、本実施形態に係るフラッシュEEPROMにおける書き換えの処理を示すフローチャートである。このフローチャートは、図7に示すフローチャートにおいて、ステップS240、S241およびS250を、それぞれ、ステップS940、S941およびS950に置換したものである。
図11は、本発明の第6の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成を示す図である。図11に示すフラッシュEEPROM1100は、第5の実施形態に係るフラッシュEEPROM800において、メモリセルアレイ805をメモリセルアレイ1110に置換し、データラッチ回路1105を追加したものである。メモリセルアレイ1110は、メモリセルアレイ805と同様に、N個の消去単位領域121〜12N、N個のトリミング値記憶領域131〜13N、およびN個のモニタービット811〜81Nを含んでいる。ただし、メモリセルアレイ1110では、N個のトリミング値記憶領域131〜13Nは、同時に選択し消去できるように構成される。図12は、本実施形態に係るフラッシュEEPROMにおける書き換え処理を示すフローチャートである。このフローチャートは、図9に示すフローチャートにおいて、ステップS781およびS561をステップS1205に置換し、ステップS1215およびS1216を追加したものである。
図13は、本発明の第7の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成を示す図である。図13に示すフラッシュEEPROM1300は、第5の実施形態に係るフラッシュEEPROM800において、メモリセルアレイ805をメモリセルアレイ1310に置換したものである。メモリセルアレイ1310は、メモリセルアレイ805に固定トリミング値記憶領域1305を追加したものである。
本発明の第8の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成は、第5の実施形態と同じである(図8を参照)。図16は、本実施形態に係るフラッシュEEPROMにおける書き換え処理を示すフローチャートである。本実施形態に係るフラッシュEEPROMは、図16に示すように、各消去単位領域120に対して初めて書き換えを行うときにはステップS1605を実行し、各消去単位領域120について2回目以降に書き換えを行うときにはステップS1615を実行する。典型的には、ステップS1605は、フラッシュEEPROMの出荷前に出荷検査工程等で行われ、ステップS1615は、フラッシュEEPROMの出荷後に実使用環境下で繰り返し行われる。以下、ステップS1605における処理を出荷前書き換え処理、ステップS1615における処理を出荷後書き換え処理という。
本発明の第9の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成は、第5の実施形態と同じである(図8を参照)。図17は、本実施形態に係るフラッシュEEPROMにおける書き換え処理を示すフローチャートである。図17に示すフローチャートは、図16に示すフローチャートにおいて、ステップS1615をステップS1715に置換したものである。ステップS1715は、ステップS1615にステップS940cおよびS941cを追加したものである。本実施形態においても、ステップS1715における処理を出荷後書き換え処理という。
図18は、本発明の第10の実施形態に係るフラッシュEEPROMの構成を示す図である。図18に示すフラッシュEEPROM1800は、第7の実施形態に係るフラッシュEEPROM1300に、ビジー回路1805を追加したものである。また、フラッシュEEPROM1800は、フラッシュEEPROM1300と同様に、図9に示すフローチャートに従って書き換え処理を行う。
110、805、1110、1310…メモリセルアレイ
120、121〜12N…消去単位領域
130、131〜13N…トリミング値記憶領域
140…昇圧回路
150…レギュレート回路
160…デコーダ回路
170…読み出し判定回路
180…制御回路
405…トリミング値一時保持回路
605…エラーフラグ回路
810、811〜81N…モニタービット
1105…データラッチ回路
1305…固定トリミング値記憶領域
1805…ビジー回路
Claims (23)
- 電気的にデータの消去および書き込みが可能な不揮発性記憶装置であって、
消去時に同時に選択される複数の不揮発性メモリセルトランジスタによって構成される複数の消去単位領域と、
前記消去単位領域のそれぞれに対応して設けられ、各前記消去単位領域についての出力調整値を不揮発的に記憶する複数の出力調整値記憶部と、
前記消去単位領域に対する消去時および書き込み時に必要とされるレベルの電圧を発生させられる電圧発生回路と、
与えられた出力調整値に基づき、前記電圧発生回路で発生した電圧のレベルを調整する電圧調整回路と、
前記消去単位領域に対する消去後および書き込み後のデータについて判定を行う読み出し判定回路と、
前記消去単位領域に対する消去時および書き込み時に動作する制御回路とを備えた、不揮発性記憶装置。 - 前記読み出し判定回路は、読み出し動作時よりも厳しい判定基準に従って前記判定処理を行うことを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記読み出し判定回路は、前記判定処理を行う場合には、電流検知型のセンスアンプ回路に対して、読み出し動作時よりも厳しい条件となる判定基準電流を与えることを特徴とする、請求項2に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記読み出し判定回路は、前記判定処理を行う場合には、前記メモリセルトランジスタに対して、読み出し動作時よりも厳しい条件となるゲート電圧を印加することを特徴とする、請求項2に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記電圧調整回路は、出力電圧を前記メモリセルトランジスタの耐圧規格以内に制限するリミッタ回路を含むことを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、
前記消去単位領域の中から一の消去単位領域を選択する工程と、
選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を前記電圧調整回路に与える工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが行われた後で、前記読み出し判定回路が前記判定処理により異常を検出した場合には、選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を出力電圧が従前よりも高くなる値に更新した上で、選択された消去単位領域に対して再び消去および書き込みが行われるように制御する工程とを実行することを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記制御回路は、前記出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を更新する場合には、毎回、前記出力調整値記憶部に対して消去を行った上で書き込みを行うことを特徴とする、請求項6に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、前記出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を初めて更新する場合には、前記出力調整値記憶部に対して消去を行った上で書き込みを行い、前記出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を2回目以降に更新する場合には、前記出力調整値記憶部に対して消去を行うことなく書き込みを行うことを特徴とする、請求項6に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記電圧調整回路は、与えられた出力調整値に含まれる所定値を取るビットの数に応じて、0.1〜0.4Vの範囲内で選択された値だけ互いに異なる電圧を出力することを特徴とする、請求項8に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記電圧調整回路に与えられる出力調整値を一時的に記憶する出力調整値一時保持回路をさらに備えた、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、
前記消去単位領域の中から一の消去単位領域を選択する工程と、
選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を前記電圧調整回路に与える工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが行われた後で、前記読み出し判定回路が前記判定処理により異常を検出した場合には、出力電圧が従前よりも高くなる出力調整値を前記出力調整値一時保持回路に設定し、設定した出力調整値を前記電圧調整回路に与えた上で、選択された消去単位領域に対して再び消去および書き込みが行われるように制御する工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが正常に行われた後に、前記出力調整値一時保持回路に記憶された出力調整値を、選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に設定する工程とを実行することを特徴とする、請求項10に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記読み出し判定回路による前記判定処理の結果を一時的に記憶するエラーフラグ回路をさらに備えた、請求項10に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、
前記消去単位領域の中から一の消去単位領域を選択する工程と、
選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を前記電圧調整回路に与える工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが行われた後で、前記読み出し判定回路が前記判定処理により異常を検出した場合には、出力電圧が従前よりも高くなる出力調整値を前記出力調整値一時保持回路に設定し、設定した出力調整値を前記電圧調整回路に与えた上で、選択された消去単位領域に対して再び消去および書き込みが行われるように制御する工程とを実行し、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが正常に行われた後に、前記エラーフラグ回路に異常が記憶されている場合に限り、前記出力調整値一時保持回路に記憶された出力調整値を、選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に設定する工程を実行することを特徴とする、請求項12に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記消去単位領域のそれぞれに対応して設けられ、前記消去単位領域と同種のメモリセルトランジスタによって構成される複数のモニタービットをさらに備え、
前記モニタービットに対しては、対応する消去単位領域に対して消去が行われるときに消去が行われ、対応する消去単位領域に含まれる全部または一部のメモリセルトランジスタに対して書き込みが行われるときに書き込みが行われることを特徴とする、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記制御回路は、
前記消去単位領域の中から一の消去単位領域を選択する工程と、
選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を前記電圧調整回路に与える工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが行われた後で、前記読み出し判定回路が前記判定処理により異常を検出した場合には、出力電圧が従前よりも高くなる出力調整値を前記電圧調整回路に与えた上で、選択された消去単位領域に対して再び消去および書き込みが行われるように制御する工程とを実行し、
前記読み出し判定回路は、選択された消去単位領域に対応したモニタービットについて前記判定処理を行うことを特徴とする、請求項14に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記出力調整値記憶部に設定される複数の出力調整値を一時的に記憶するデータラッチ回路をさらに備えた、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、
前記消去単位領域の中から一の消去単位領域を選択する工程と、
選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を前記電圧調整回路に与える工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが行われた後で、前記読み出し判定回路が前記判定処理により異常を検出した場合には、出力電圧が従前よりも高くなる出力調整値を前記電圧調整回路に与えた上で、選択された消去単位領域に対して再び消去および書き込みが行われるように制御する工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが正常に行われたときに前記電圧調整回路に与えられていた出力調整値を、前記データラッチ回路に設定する工程と、
全ての消去単位領域について消去および書き込みが正常に行われた後に、前記データラッチ回路に記憶された複数の出力調整値を前記出力調整値記憶部に設定する工程とを実行することを特徴とする、請求項16に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記電圧調整回路に与えられる固定の出力調整値を記憶する固定出力調整値記憶部をさらに備えた、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、
前記消去単位領域の中から一の消去単位領域を選択する工程と、
選択された消去単位領域に対応した出力調整値記憶部に記憶された出力調整値を前記電圧調整回路に与える工程と、
選択された消去単位領域について消去および書き込みが行われた後で、前記読み出し判定回路が前記判定処理により異常を検出した場合には、出力電圧が従前よりも高くなる出力調整値を前記電圧調整回路に与えた上で、選択された消去単位領域に対して再び消去および書き込みが行われるように制御する工程とを実行し、
前記消去単位領域に対する消去および書き込みの一方は、前記固定出力調整値記憶部に記憶された出力調整値が前記電圧調整回路に与えられた状態で行われることを特徴とする、請求項18に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記消去単位領域に対する消去および書き込みのうち、前記メモリセルトランジスタの特性変動に与える影響が小さいほうの処理が、前記固定出力調整値記憶部に記憶された出力調整値が前記電圧調整回路に与えられた状態で行われることを特徴とする、請求項19に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、選択された消去単位領域に対して初めて消去および書き込みを行う場合には、当該消去単位領域に含まれる全てのデータについての前記判定処理の結果に応じて、前記電圧調整回路に与える出力調整値を更新し、選択された消去単位領域に対して2回目以降に消去および書き込みを行う場合には、当該消去単位領域に対応したモニタービットについての前記判定処理の結果に応じて、前記電圧調整回路に与える出力調整値を更新することを特徴とする、請求項15に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記制御回路は、選択された消去単位領域に対して2回目以降に消去および書き込みを行う場合には、消去および書き込みが正常に行われたときの出力調整値を前記電圧調整回路に与えた上で、選択された消去単位領域に対して再び消去および書き込みが行われるように制御することを特徴とする、請求項21に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記消去単位領域および前記出力調整値記憶部のいずれかに対して、消去または書き込みが行われていることを示すビジー信号を出力するビジー回路をさらに備えた、請求項1に記載の不揮発性記憶装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005106446A JP2006286118A (ja) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | 閾値電圧制御機能を有する不揮発性記憶装置 |
US11/377,433 US7280409B2 (en) | 2005-04-01 | 2006-03-17 | Non-volatile memory device with threshold voltage control function |
CNB2006100716680A CN100472655C (zh) | 2005-04-01 | 2006-03-30 | 具有阈值电压控制功能的非易失性存储器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005106446A JP2006286118A (ja) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | 閾値電圧制御機能を有する不揮発性記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006286118A true JP2006286118A (ja) | 2006-10-19 |
JP2006286118A5 JP2006286118A5 (ja) | 2008-04-10 |
Family
ID=37030529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005106446A Ceased JP2006286118A (ja) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | 閾値電圧制御機能を有する不揮発性記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7280409B2 (ja) |
JP (1) | JP2006286118A (ja) |
CN (1) | CN100472655C (ja) |
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