KR940022578A - 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents

비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

비휘발성 메모리 셀(C11,C12…C44)을 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서, 선정된 수의 메모리 셀이 동시에소거된다. 그 다음, 검증 어드레스 VADD가 발생되고, 검증 어드레스에 따라 메모리 셀들 중 하나가 선택되고 판독된다. 선택된 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정된 값과 일치하는 지의 여부가 결정된다. 그 결과로서, 이 데이터가 선정된 갑솨 일치하면, 검증 어드레스는 갱신되어, 즉, 증가되거나 감소되어, 검증 동작을 반복한다, 그렇지 않은 경우에 선정된 수의 메모리 셀이 다시 동시에 소거되지만, 검증 동작은 동일한 검증 어드레스를 사용하여 수행된다.

Description

비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 제1실시예가 적용되는 비휘발성 반도체 메모리 장치를 예시하는 블록 회로도.

Claims (12)

  1. 비휘발성 메모리 셀(C11,C12,…C44)를 포함하는 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법에 있어서, 선정된 수의 상기 비휘발성 메모리 셀을 동시에 소거하는 단계, 검증 어드레스(VADD)를 발생시키는 단계, 검증 어드레스에 따라 상기 비휘발성 메모리 셀 중 하나을 선택하고 판독하는 단계, 선택된 비휘발성 메모리 셀이 선정된 값과 일치하는지의 여부를 검증하는 단계, 상기 선택된 비휘발성 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정된 값과 일치할 때 검증 어드레스를 갱신함으로써, 상기 검증 어드레스 발생 단계를 반복하는 단계 및 상기 선택된 비휘발성 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정된 값과 일치하지 않을 때 선정된 수의 상기 비휘발성 셀을 동시에 소거함으러써, 상기 검증 단계를 반복하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 검증 어드레스 갱신 단계가 검증 어드레스를 1만큼 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징을 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 검증 어드레스 갱신 단계가 검증 어드레스를 1만큼 감소시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 선택된 비휘발성 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정도니 값과 일치하지 않을 때 검증 어드레스를 저장하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법.
  5. 비휘발성 메모리 셀(C11,C12…,C44), 선정된 수의 상기 비휘발성 메모리 셀을 동시에 소거하기 위한 수단, 검증 어드레스(VADD)를 발생시키기 위한 수단, 검증 어드레스에 따라 상기 비휘발성 메모리 셀 중 하나를 선택하고 판독하기 위한 수단, 선택된 비휘발성 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정된 값과 일치 하는지의 여부를 검증하기 위한 수단, 상기 검증 어드레스 발생 수단을 동작시키기 위해, 상기 선택된 비휘발성 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정된 값과 일치할 때 검증 어드레스를 갱신하기 위한 수단, 및 상기 검증 수단을 동작시키기 위해, 상기 선택된 비휘발성 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정된 값과 일치하지 않을 때 선정된 수의 상기 비휘발성 메모리 셀을 동시에 소거하기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 검증 어드레스 갱신 수단이 검증 어드레스를 1만큼 감소시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 검증 어드레스 갱신 수단이 검증 어드레스를 1만큼 감소시키기 위한 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 선택된 비휘발성 메모리 셀로부터 판독된 데이터가 선정된 값과 일치하지 않을 때 검증 어드레스를 저장하기 위한 수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  9. 다수의 비휘발성 메모리 셀(C11,C12,…,C44), 검증 어드레스(VADD)를 발생시키기 위한 제어 수단(13), 상기 검증 어드레스 발생 수단에 접속되는 것으로서, 검증 어드레스를 저장하기 위한 수단(15,16), 상기 검증 어드레스 저장 수단, 및 상기 비휘발성 메모리 셀에 접속되는 것으로서, 선택된 비휘발성 메모리 셀을 검증하기 위해 상기 검증 어드레스 저장 수단으로부터 나온 검증 어드레스에 따라 상기 비휘발성 메모리 셀들 중 하나를 선택하기 위한 수단(3,4,5,6,7), 및 상기 비휘발성 메모리 셀 및 상기 제어 수단에 접속되는 것으로서, 선택도니 비휘발성 메모리 셀의 데이터(IV)가 선정된 값과 일치하는 지의 여부를 검증하기 위한 수단(12)를 포함하고, 상기 제어수단(13)은 선택된 비휘발성 메모리 셀의 데이터가 선정된 값과 일치할 때 상기 검증 어드레스 저장 수단을 통해 검증 어드레스를 상기 선택 수단으로 통과시키고, 상기 제어 수단을 선택된 비휘발성 메모리 셀이 선정된 값과 일치하지 않을 때 상기 검증 어드레스 저장 수단 내에 검증 어드레스를 저장하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 제어 수단은 선택된 비휘발성 메모리 셀이 선정된 값과 일치할 때만 검증 어드레스를 증가 또는 감소시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  11. 다수의 비휘발성 메모리 셀(C11,C12,…C44), 검증 어드레스(VA1,VA2,VB1,VB2)를 발생시키기 위한 제어 회로(13), 상기 제어 회로에 접속된 것으로, 상기 제어 회로로부터 발생된 검증 어드레스를 제1상태로 상기 검증 어드레스 저장 회로를 통과시키고, 상기 제어 회로로부터 발생된 검증 어드레스를 제2상태로 저장하기 위한 검증 어드레스 저장 회로(15,16), 상기 검증 어드레스 저장 회로 및 상기 제어 회로에 접속되는 것으로, 상기 제어 회로로부터의 제어 신호(C1)에 따라 검정 어드레스 및 외부 어드레스 중 하나를 선택적으로 전달하기 위해 상기 검증 어드레스 저장 회로로부터의 검증 어드레스(VA1′,VA2′,VB1′,VB2′) 및 외부로부터의 외부 어드레스(A1′,B2′,B1′,B2′)를 수신하기 위한 어드레스 스위칭 회로(8,9), 상기 어드레스 스위칭 회로, 상기 비휘발성 메모리 셀 및 상기 제어 회로에 접속된 것으로, 상기 제어 회로의 제어 신호에 따라 상기 비휘발성 메모리 셀들중 하나를 선택하고 이를 검증하기 위한 후단(3,4,5,6,7), 및 상기 비휘발성 메모리 셀 및 상기 제어 수단에 접속되고, 선택된 비휘발성 메모리 셀의 데이터가 선정된 값과 일치하는 지의 여부를 검증하기 위한 수단(12)를 포함하고, 상기 제어 수단은 선택된 비휘발성 메모리 셀의 데이터가 선정된 값과 일치할 때 상기 검증 어드레스 저장 회로를 제1상태로 인에이블시키고, 상기 제어회로는 선택도니 비휘발성 메모리 셀이 선정된 값과 일치하지 않을 때 상기 검증 어드레스 저장 회로는 제2상태로 인에이블시키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제어 회로가 선택된 비휘발성 메모리 셀이 선정된 값과 일치할 때만 검증 어드레스를 증가시키거나 감소기키는 것을 특징으로 하는 비휘발성 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940004062A 1993-03-03 1994-03-03 비휘발성 반도체 메모리 장치를 소거하고 검증하기 위한 방법 및 장치 KR960005370B1 (ko)

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