KR960006084A - 불휘발성 반도체 기억장치와 그 소거방법 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억장치와 그 소거방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 단순한 시퀀스에 의해 단시간 내에 효율이 좋은 위크·프로그램을 행할 수 있고, 임계치전압의 분포폭을 최소화할 수 있는 불휘발성 반도체 기억장치와 그 소거방법을 제고하기 위한 것이다.
본 발명은, 메모리셀 어레이(11)에는 EEPROM으로 이루어진 메모리셀(MC)이 매트릭스상으로 배치되어 있다. 메모리셀 어레이(11)는 복수의 블럭으로 분할되고, 이 블럭에 속하는 복수의 메모리셀이 일괄해서 소거된다. 이 후, 선택된 워드선 이외의 워드선을 부전위로 하고, 과소거상태에 메모리셀을 검출한다. 과소거상태의 메모리셀을 검출한 경우, 그 셀에 통상의 기록전압보다 낮은 전압에서 위크·프로그램을 행한다. 따라서, 과소거셀의 검출이 용이하게 됨과 더불어 위크·프로그램에 요하는 시간을 단축할 수 있다.

Description

불휘발성 반도체 기억장치와 그 소거방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예를 나타낸 구성도.

Claims (8)

  1. 전기적으로 기록, 소거가 가능한 복수의 메모리셀이 행열상으로 배치된 메모리셀 어레이와, 이 메모리셀 어레이에 배치된 복수의 메모리셀에 기억된 데이터를 일괄해서 소거하는 소거수단, 상기 소거된 복수의 메모리셀을 1비트씩 선택하는 제1선택수단, 상기 제1선택수단에 의해 선택된 메모리셀로부터 소거부족의 메모리셀을 검출하는 제1검출수단, 상기 제1검출수단에 의해 소거부족의 메모리셀이 검출되지 않은 경우, 선택워드선을 정전압으로 설정함과 더불어 비선택워드선을 부전압으로 설정하여 상기 복수의 메모리셀을 1비트씩 선택하는 제2선택수단, 상기 제2선택수단에 의해 선택된 메모리셀로부터 과소거상태에 메모리셀을 검출하는 제2검출수단 및, 상기 제2검출수단에 의해 과소거상태의 메모리셀을 검출한 경우, 상기 제2선택수단에 의해 선택되고 있는 과소거상태에 메모리셀에 통상의 기록전압보다 낮은 전압을 공급하여 임계치전압을 근소하게 상승시키는 위크·프로그램수단을 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이는 복수의 메모리셀을 포함하는 복수의 블럭으로 분할되고, 상기 소거수단은 각 블럭에 속하는 메모리셀의 데이터를 소거하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1선택수단은 비선택워드선을 부전위로 설정하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1검출수단은 상기 메모리셀로 흐르는 셀전류와 기준셀로 흐르는 기준전류를 비교하는 차동증폭기와, 소거상태의 상기 메모리셀의 상한의 임계치전압보다 약간 높은 전압을 발생시켜 상기 기준셀의 게이트에 공급하는 전압발생회로를 구비하고, 상기 셀 전류가 기준전류의 1/m (m≥1)로 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1검출수단은 상기 메모리셀에 흐르는 셀전류와 기준셀에 흐르는 기준전류를 비교하는 차동증폭기와, 소거상태의 상기 메모리셀의 상한의 임계치전압보다 약간 높은 전압을 발생시켜 상기 기준셀의 게이트에 공급하는 전압발생회로를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제2검출수단은 상기 메모리셀에 흐르는 셀전류와 기준셀로 흐르는 기준전류를 비교하는 차동증폭기와, 상기 기준셀이 도통하는 레벨의 전압을 발생시켜 기준셀의 게이트에 공급하는 전압발생회로를 구비하고, 상기 메모리셀의 게이트에는 상기 전압발생회로에 의해 발생된 전압보다 약간 낮은 전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제2선택수단은 상기 제2검출수단에 의해 과소거상태의 메모리셀을 검출하고 있는 경우와, 상기 위크·프로그램수단의 동작시에서 선택워드선의 전압을 동일하게 설정하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  8. 전기적으로 기록, 소거가 가능한 복수의 메모리셀이 행열상태로 배치된 메모리셀 어레이를 갖추고, 상기 복수의 메모리셀의 기억 데이터를 일괄해서 소거하는 불휘발성 반도체 기억장치에 있어서, 상기 소거 후에 상기 메모리셀의 데이터를 1비트씩 검증하고, 모든 메모리셀이 소거상태로 되기까지 소거를 반복하는 공정과, 모든 메모리셀이 소거상태로 된 경우, 선택워드선을 정전압으로 하고, 비선택워드선을 부전압으로 해서 1비트씩 과소거상태의 메모리셀을 검출하는 공정 및, 과소거상태의 메모리셀을 검출한 경우, 선택워드선을 정전압으로 하고, 비선택워드선을 부전압으로 해서 상기 과소거상태의 메모리셀에 대해 통상의 기록전압보다 낮은 전압을 인가해서 임계치전압을 근소하게 상승시키는 공정을 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치의 소거방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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