KR970023451A - 불휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 메모리 장치 Download PDF

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Abstract

1. 청구 범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
불휘발성 반도체 메모리 장치의 소거 및 프로그램 검증을 수행하기 위한 회로.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
드레쉬홀드 전압 분포를 작게 구현할 수 있는 불휘발성 반도체 메모리 장치를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
블럭선택회로로부터 발생되는 제어신호에 응답하여 상기 소거검증모드에서는 상기 메모리 트랜지스터들의 드레인들이 접속된 비트라인에 기준전압 또는 소정의 전압을 인가하고, 상기 프로그램 검증모드에서는 상기 선택된 블럭내의 메모리 셀들의 제어게이트에 소정의 전압을 인가하고, 상기 소거검증동작과 상기 프로그램 검증 동작이 끝날때마다 상기 비트라인에 인가된 전압을 감지하여 재소거 및 재프로그램동작의 수행여부를 판단하는 수단을 구비한다.
4. 발명의 중요한 용도
불휘발성 반도체 메모리 장치에 사용되며, 특히 멀티비트 불휘발성 반도체 메모리 장치에서는 더욱 중요하게 사용된다.

Description

불휘발성 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 불휘발성 반도체 메모리의 개략적 회로도,
제4도는 본 발명에 따른 불휘발성 반도체 메모리의 소거동작 플로우 챠트.

Claims (4)

  1. 반도체 기판상에 형성된 복수개의 메모리 셀들로 구성된 복수개의 메모리 블럭들을 가지며, 상기 각 메모리 셀은 플로팅 게이트와 제어게이트를 가지는 적어도 하나의 메모리 트랜지스터로 구성되고, 소거 및 프로그램을 수행한 후 검증하는 모드에서 선택된 메모리 블럭내의 메모리 트랜지스터들의 제어게이트를 선택하고 상기 메모리 트랜지스터들을 검증하기 위하여 상기 복수개의 메모리 블럭들과 접속된 블럭선택회로를 가지는 불휘발성 반도체 메모리 장치에 있어서 : 상기 블럭선택회로로부터 발생되는 제어신호에 응답하여 상기 소거검증모드에서는 상기 메모리 트랜지스터들의 드레인들이 접속된 비트라인에 기준전압 또는 소정의 전압을 인가하고, 상기 프로그램 검증모드에서는 상기 선택된 블럭내의 메모리 셀들의 제어게이트에 소정의 전압을 인가하고, 상기 소거검증동작과 상기 프로그램 검증 동작이 끝날때마다 상기 비트라인에 인가된 전압을 감지하여 재소거 및 재프로그램동작의 수행여부를 판단하는 수단을 가짐을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 전압은 영볼트 이상의 전압임을 특징으로 하고 이에 의해 소거된 셀의 드레쉬홀드 전압이 네가티브로 유지되며 이어 수행된 상기 프로그램동작에 의해 셀의 드레쉬홀드전압이 포지티브로 유지됨을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 셀의 드레쉬홀드전압이 포지티브로 유지된 이후에 원하고자 하는 셀의 드레쉬홀드 전압으로 프로그램하도록 동작함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 원하고자 하는 셀의 드레쉬홀드전압으로 프로그램을 한뒤 상기 셀의 드레쉬홀드전압을 센싱하여 복수개의 데이타로 독출함을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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