JP3783885B2 - 不揮発性半導体メモリ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体メモリ装置に関し、特に不揮発性の半導体メモリ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体メモリ装置の大容量化に集積技術が伴わなければチップサイズは増加してしまうが、近年のサブミクロンクラスまでの微細加工にも限界が見え、更なる技術開発が研究されている。そこで最近、1個のセルで読出時に複数のデータを認識するようにしてより多量の情報を記憶するマルチビットメモリ(Multi bit Memory)が活発に研究されており、特に、不揮発性メモリ装置のフラッシュメモリと組み合わせたマルチビットフラッシュメモリが大いに注目されている。
【0003】
従来のNAND形フラッシュメモリでは、プログラムしたメモリセルはポジティブしきい値電圧(+)を有し、消去したメモリセルはネガティブしきい値電圧(−)を有するように設計されるが、消去セルのしきい値電圧(=Vth)が過度に低くなることがあるため、マルチビット技術と組み合わせたときに問題が発生する。
【0004】
図2に、従来における不揮発性半導体メモリの消去及びプログラム動作のフローチャートを示しているが、同図を参照すれば、メモリセルの消去(ERASE)終了で消去検証(VERIFY ERASURE)が行われ、この消去検証でメモリセルのVthが0Vを下回っていればメインプログラム(MAIN PROGRAM)が遂行される。従って、例えば消去Vthが−3V、プログラムVthが3Vのレベルであるとすると、消去により−3Vを大きく越える程度にまで過度に消去されたセルが存在する場合、これらセルはプログラム検証又は読出動作でパストランジスタとして動作するときのターンオン抵抗が小さく、相対的に、正常セルがパストランジスタとして動作するときのターンオン抵抗が大きくなるので、選択したメモリセルのドレイン電圧がパストランジスタのターンオン抵抗により異なる事態を招き、プログラム検証動作時等のVth差が大きくなる。
【0005】
これについて図3を参照し更に説明する。まず、プログラムセルのVthは3Vにされ、プログラム検証や読出動作でパストランジスタとするセルのゲートには5Vを加えると仮定する。すると、Vthが−3Vを下回るまで過度消去された消去セルがパストランジスタとしてある場合の選択セルのVth(B)と、正常に−3Vに消去された消去セルがパストランジスタとしてある場合の選択セルのVth(A1)とでは、0.7VのVthの差が発生し得る。このようにVthに0.7Vの差がでてしまうと、プログラム検証や読出動作においてマルチビットのようにセルVthの分布を1V以下で非常に細かく調整するメモリには不向ということになる。
【0006】
また、従来のNAND形フラッシュメモリは、プログラム動作において選択セルのワードライン(W/L)に印加されるプログラム電圧(Vpgm )により、非選択ストリングのセルデータが攪乱されるのを防止するために、セルフブースティング(Self Boosting)方式を採択しており、攪乱防止の特性は比較的優れている(その詳細な内容は、例えば1993年12月22日付米国出願“不揮発性半導体メモリ装置”に記載されている)。しかし、非選択ストリングのセルVthがネガティブであると、Vpgm により非選択セルのチャネルに発生するプログラム防止電圧はやや低くなる。これについて図1を通じて説明する。図1は、NAND形ストリングの等価回路図及び断面図である。半導体基板1と、ウェル領域2と、ドレイン及びソース領域3と、半導体基板1上に絶縁膜を介し形成されたフローティングゲート4と、このフローティングゲート4上に絶縁膜を介し形成された制御ゲート5と、が示されている。
【0007】
図示の構成に従えば、Vpgm によりメモリセルのチャネルBに発生する電圧増加分はVa、プログラム動作時の非選択メモリセルのゲートに加えられるパス電圧(Vpass)により発生する電圧増加分はVb、そして、消去セルのVthは−3Vで、この消去セルがプログラム動作時に非選択メモリセルとして動作するものとしてある。この場合、プログラム動作時に最初に発生する全体チャネル電圧はVcc−1Vthになり、その後Vpassによりチャネル電圧はVbだけ上昇し、そしてVpgm によりVaだけ追加上昇する。しかし、非選択メモリセルのVthが−3Vであり、すべてのセルのチャネルが接続されているのでチャネル電圧の分配現像が現われ、最終的にVpgm が加わるメモリセルのチャネル電圧は(Vcc−1Vth)+Vbになる。このため、Vpassが低くなるとプログラム攪乱防止特性が低下するという問題点がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
このような従来技術に着目して本発明の目的は、読出又はプログラム検証動作時にパストランジスタのしきい値電圧の差が小さく、ターンオン抵抗のバラツキのない不揮発性半導体メモリ装置を提供することにある。また本発明の他の目的は、プログラム時のプログラム攪乱防止特性が向上し得る不揮発性半導体メモリ装置を提供することにある。更に本発明のまた他の目的は、消去時の消去攪乱防止特性が向上し得る不揮発性半導体メモリ装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
この目的のために本発明は、消去によりネガティブのしきい値電圧とされ且つプログラムによりポジティブのしきい値電圧とされるフローティングゲートトランジスタのメモリセルを複数直列接続したNAND形のセル構造を有し、ビットラインから感知電流を流してメモリセルのしきい値電圧に応じた前記感知電流の変化を感知することでデータを読出すようにした不揮発性半導体メモリ装置において、消去後の消去検証のときに消去メモリセルを通った後の前記感知電流量を消去基準電圧に従って制御する消去検証制御回路が設けられ、前記消去基準電圧を可変調節することにより消去メモリセルのしきい値電圧検証レベルが調整されるようになっていることを特徴とする。或いは、消去によりネガティブのしきい値電圧とされ且つプログラムによりポジティブのしきい値電圧とされるフローティングゲートトランジスタのメモリセルを複数直列接続したNAND形のセル構造を有し、ビットラインから感知電流を流してメモリセルのしきい値電圧に応じた前記感知電流の変化を感知することでデータを読出すようにした不揮発性半導体メモリ装置において、プログラム後のプログラム検証のときに選択メモリセルのワードラインへプログラム基準電圧を提供すると共に非選択メモリセルのワードラインへパス電圧を提供するプログラム検証制御回路が設けられ、前記プログラム基準電圧を可変調節することによりプログラムメモリセルを通って流れる前記感知電流が制御されてプログラムメモリセルのしきい値電圧検証レベルが調整されるようになっていることを特徴とする。また、上記消去検証制御回路及びプログラム検証制御回路の両方をもつことを特徴とする。この場合、消去検証のときにプログラム検証制御回路がワードラインを0Vにするようにしておくことができ、また、プログラム検証のときに消去検証制御回路がメモリセルのソース側を接地させるようにしておくことができる。
【0010】
このメモリによれば、プログラム基準電圧をポジティブの低レベル(例えばマルチビットを読出すためのポジティブVthの最低レベル)としてプログラム検証するプリプログラムを実施してプログラムメモリセルのしきい値電圧をポジティブに揃えた後にメインプログラムを実施してプログラムメモリセルを所望のしきい値電圧にプログラムするようにすることができる。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態につき添付図面を参照して詳細に説明する。
【0012】
図4は、本発明による不揮発性半導体メモリ装置の概略回路図である。各NANDセルユニットNUは、第1選択トランジスタST1及び第2選択トランジスタST2と、第1選択トランジスタST1のソースと第2選択トランジスタST2のドレインとの間にドレイン・ソース通路を直列接続したメモリセル(メモリトランジスタ)M1〜M4と、から構成される。メモリセルM1〜M4のそれぞれは、チャネルを間に挟んでドレイン及びソースを有し、そのチャネル上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲートと、このフローティングゲート上に中間絶縁膜を介して形成された制御ゲートと、を有する。第1選択トランジスタST1のドレインはビットラインBLと接続され、第2選択トランジスタST2のソースは共通ソースラインCSL60と接続される。また、メモリセルM1〜M4の制御ゲートと第1選択トランジスタST1及び第2選択タランジスタST2のゲートが接続される第1選択ラインSSL1、第2選択ラインGSL2、及び各ワードラインW/Lは、それそれ選択トランジスタPG1〜PG6を介し電圧を受け制御される。
【0013】
このようなNANDセルユニットNUを多数含むメモリセルブロック50と、このメモリセルブロック50を選択するためのブロック選択制御回路40と、各ビットラインB/Lと接続されたセンスアンプ30と、メモリセルM1〜M4のプログラム検証電圧を印加するプログラム検証制御回路20と、共通ソースライン(CSL)60に接続された消去検証制御回路10と、が本例の不揮発性半導体メモリ装置には備えられている。尚、4個のメモリセルM1〜M4を便宜上図示してあるが、8個ないし16個、若しくはそれ以上も可能であるのは勿論である。
【0014】
図4及びそのタイミング図である図7を通じて動作を説明する。センスアンプ(S/A)30は、消去検証動作時にはビットラインB/Lの論理“ハイ”レベルから論理“ロウ”レベルへの遷移を感知してその次の消去動作を終了し、プログラム検証動作時には、ビットラインB/Lの論理“ロウ”レベルから論理“ハイ”レベルへの遷移を感知してプログラム動作を終了すると仮定する。そして、図7に示すW/L(S1)は選択のW/Lに印加される電圧、W/L(S2)は非選択のW/Lに印加される電圧を表す。
【0015】
まず、消去検証動作の場合は消去後消去検証モードT1に進入し、ブロック選択制御回路40により、選択トランジスタPG1〜PG6のゲート(CG)70にはVcc+ΔVの電圧が印加され、そしてストリング選択の第1選択ラインSSL1及び接地選択の第2選択ラインGSL1にはVccの電圧VPASSが印加される。これにより選択されたブロック50内のすべてのW/L1〜W/L4は、消去検証活性化信号バーERAvfが論理“ロウ”レベルへ遷移することですべて接地レベルになる。その後にビットラインB/Lと接続されたS/A30から選択されたストリングNUへ電流Isが流れ、この電流Isは、メモリセルのVthと共通ソースライン(CSL)60を制御する消去検証制御回路部10のEVref 値とにより制限される。
【0016】
この消去検証制御回路部10の動作を詳述すれば、消去検証モードT1へ進入すると消去電圧バーERAsが論理“ロウ”レベルになってNMOSトランジスタM12はオフとなり、また消去検証活性化信号バーERAvfが論理“ロウ”レベルになることでNMOSトランジスタM11のゲート論理が“ハイ”レベルになる。従って、消去検証動作の検証レベルを調整する消去基準電圧EVref がNMOSトランジスタM11を通じてNMOSトランジスタM13のゲートに伝達され、CSL60は、NMOSトランジスタM13のゲート電圧により左右される。この結果、Vthの感知電流Isは、消去メモリセルのVthと消去基準電圧EVref により複合的に調整される。
【0017】
消去メモリセルの最大Vthを−1Vで感知する場合についてメモリセルのVthに従い説明する。まず消去が不十分でVthがポジティブの場合、感知電流Isは十分にメモリセルを通じて流れることができないので、消去基準電圧EVref に関係なくS/A30は論理“ハイ”を感知し、再び消去動作を遂行することになる。これにより当該メモリセルのVthが0Vになると、メモリセルを通じる感知電流IsはVthがポジティブの場合に比べて多く流れるが、消去基準電圧EVref でNMOSトランジスタM13のゲートを調整しているので、やはり感知電流Isは接地へ流れることができない。従ってS/A30は論理“ハイ”状態を感知する。このS/A30の論理“ハイ”レベルにより再び消去動作を遂行し、当該メモリセルのVthがネガティブになれば、感知電流Isを十分に流すだけVthが低くなるので、S/A30が論理“ハイ”状態で感知されるかどうかは消去基準電圧EVref によってのみ左右される。従って、この消去基準電圧EVref を調整することによりS/A30の論理“ハイ”又は“ロウ”感知を決定できるので、消去動作の完了可否を決定できる。つまり、この動作を応用すれば、消去セルの最大Vthを自在に調節可能である。
【0018】
次の動作であるプログラム検証動作について説明する。
【0019】
プログラム動作後にプログラム検証モードT2へ進入すると、外部アドレスデコーディングにより特定のブロック50が選択され、ブロック選択制御回路40により、選択トランジスタPG1〜PG6ゲート(CG)70には、出力ライン80,90及びプログラム検証制御回路20の各電圧を選択トランジスタPG1〜PG6を通じて減衰なく十分に伝達するためにVccより高い電圧Vcc+ΔVが印加される。そして出力ライン80,90には、選択されたビットラインB/Lの電圧をセルへ十分に伝達するためにVcc以上の電圧VPASSが印加される。またプログラム検証制御回路20により、選択W/L(S1)にはプログラム基準電圧PVref が印加され、非選択W/L(S2)には電圧VPASSが印加される。
【0020】
このプログラム検証制御回路20の動作を詳述する。アドレスデーコディングに従い選択のW/Lに接続したプログラム検証制御回路20へ提供される制御信号バーTiは論理“ロウ”レベルになり、プログラム検証活性化信号バーPGMvfも論理“ロウ”レベルになる。これに従って、選択W/L(S1)のNMOSトランジスタM23のみオンとなる。このNMOSトランジスタM23を通じて供給されるプログラム基準電圧PVref は、NMOSトランジスタM22のゲートが論理“ハイ”レベルなので、選択W/L(S1)へ送られる。一方、非選択W/L(S2)のプログラム検証制御回路20の出力電圧は、制御信号バーTi論理“ハイ”レベル、プログラム検証活性化信号バーPGMvfが論理“ロウ”レベルにあり、従ってPMOSトランジスタM21がオンとなるので、Vpassの電圧となる。
【0021】
以下の検証動作は、プログラムセルのVthが0.5V以上になるように検証する場合を説明する。プログラム検証モードT2に進入すれば、選択W/L(S1)にはプログラム基準電圧PVref が印加され、非選択W/L(S2)にはVPASSが印加される。また共通ソースラインCSLは、消去電圧バーERAsの論理“ハイ”レベルにより接地レベルになる。そして、消去検証と同様にS/A30を通じて感知電流Isが供給され、VPASSがVccレベル以上、プログラム基準電圧PVref がポジティブレベルで調整するようにしてあると、まず、プログラムが不十分でセルのVthが−0.5Vの場合、感知電流Isは、プログラム基準電圧PVref に関係なくセルを通じて共通ソースラインCSLへすべて流れ、このためビットラインB/Lの電圧はほぼ接地レベルになる。従って、S/A30が論理“ロウ”レベル感知となり再プログラム動作を行うことになる。
【0022】
再プログラムによりセルのVthが0V以上になった場合には、感知電流Isがプログラム基準電圧PVref により制御されてビットラインB/Lの電圧レベルが調節されることになる。即ち、セルのVthが0Vとなったときに、プログラム基準電圧PVref が0Vであればセルを通じて感知電流Isが十分に流れることができないのでビットラインB/Lの電圧レベルは上昇するが、プログラム基準電圧PVref が十分にポジティブであれば、感知電流Isはセルを通じて共通ソースラインCSLへすべて流入するので、ビットラインB/Lの電圧レベルはほぼ0Vになる。従って、例えばプログラム基準電圧PVref を0.5Vに固定した状態でプログラム検証動作を遂行すれば、セルのVthが0.5Vに達していない場合にはS/A(30)が論理“ロウ”感知になって再プログラム動作が継続して遂行され、このプログラム遂行によりセルのVthが0.5Vになれば、当該セルの感知電流Is制限でS/A(30)が論理“ハイ”感知となってプログラム動作終了となる。
【0023】
以上ような消去検証及びプログラム検証を通じてプログラムセルのVthを例えば上記のように低レベルのポジティブレベルに揃えるプリプログラムをまず実行するようにし、この後に更に異なる状態へのプログラムを実行すれば、従来技術よりも改善されたマルチビットメモリを実現可能である。即ち、しきい値電圧の分布を細かく微調整可能であり、またプログラム攪乱防止特性を向上させ得るという長所がある。
【0024】
図5は、この例における消去及びプログラム動作遂行のフローチャートである。同図を参照すれば、メモリセルに対する消去(ERASE) を遂行した後に上記のような消去検証(VERIFY ERASURE)を遂行する。これにより、メモリセルのVthが0Vを下回れば(MAXIMUM ERASURE Vth < 0V)、プリプログラム動作の遂行となる(PREPROGRAM OPERATION)。このプリプログラムに続いて上記のようなプログラム検証(VERIFY PROGRAM)を遂行し、対象メモリセルのVthについて0Vを上回る(MINIMUM PROGRAM Vth > 0V)ように揃えた後、所望のセルのVthだけ更にプログラムするメインプログラム動作(MAIN PROGRAM)を遂行する。
【0025】
図6は、本発明と従来技術とにおける消去及びプログラム動作後のしきい値電圧の違いを示す。本発明によれば、消去メモリセルとプログラムメモリセルとのしきい値電圧差を明確に区分することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】メモリセル(NAND形ストリング)の等価回路図とその断面図。
【図2】従来における消去及びプログラム動作のフローチャート。
【図3】従来技術におけるプログラム検証及び読出動作時の感知しきい値電圧のバラツキを示した波形図。
【図4】本発明による不揮発性メモリの概略を示した回路図。
【図5】本発明による消去及びプログラム動作のフローチャート。
【図6】本発明と従来技術とで比較して示すメモリセルのしきい値電圧分布図。
【図7】本発明による消去検証及びプログラム検証のタイミング図。
【符号の説明】
10 消去検証制御回路
20 プログラム検証制御回路
Claims (4)
- 消去によりネガティブのしきい値電圧とされ且つプログラムによりポジティブのしきい値電圧とされるフローティングゲートトランジスタのメモリセルを複数直列接続したNAND形のセル構造を有し、センスアンプによりビットラインから感知電流を流してメモリセルのしきい値電圧に応じた前記感知電流の変化を前記センスアンプにより感知することでデータを読出すようにした不揮発性半導体メモリ装置において、
消去後の消去検証のときに消去メモリセルを通った後の感知電流値を消去基準電圧に従って制御する消去検証制御回路と、
プログラム後のプログラム検証のときに選択メモリセルのワードラインへのプログラム基準電圧を提供すると共に非選択メモリセルのワードラインへパス電圧を提供するプログラム検証制御回路とを有し、
前記プログラム基準電圧をポジティブの範囲内で変更することによりプログラムメモリセルのしきい値電圧検証レベルが変更され、前記消去基準電圧を可変調整することにより消去メモリセルのしきい値電圧検証レベルを負に、前記プログラムメモリセルのしきい値電圧検証レベルを正に調整することを特徴とする不揮発性半導体メモリ装置。 - 前記消去検証のときに前記プログラム検証制御回路がワードラインを0Vにすることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記プログラム検証のときに前記消去検証制御回路がメモリセルのソース側を接地させることを特徴とする請求項1又は2に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
- 前記プログラムは、前記プログラム基準電圧をポジティブの低レベルとしてプログラム検証するプリプログラムを実施して前記プログラムメモリセルのしきい値電圧をポジティブに揃えた後、当該プログラムメモリセルを所望のしきい値電圧にプログラムすることにより実施されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の不揮発性半導体メモリ装置。
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