JP4315767B2 - 不揮発性半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施の形態1の不揮発性半導体記憶装置の構成を示す概略ブロック図である。
実施の形態1では、第2回目の消去パルスの印加時に、ワード線を限定して選択して消去パルスを印加した。実施の形態2では、ワード線を選択する代わりにビット線を用いて消去パルスを印加する領域を限定する。
信号IAX0,AX1を受けるAND回路104と、信号AX0,AX1を受けるAND回路106とを含む。
実施の形態1ではワード線を選択する数を限定し、実施の形態2ではビット線を選択する数を限定して消去パルスを印加する場合について説明した。実施の形態3では、これらを組合せて、ビット線およびワード線の選択数を限定して消去パルスを与える。
実施の形態4では、実施の形態1の図4で示した制御フローを変更してさらにブロック消去の時間を短縮する。
実施の形態5では、実施の形態2のようにビット線を分割して消去パルスを与える場合に、さらに、追加消去パルスを印加した後ベリファイをパスしたビットのビット線にはそれ以上パルスを印加しないようにする不揮発性メモリを提供する。
実施の形態6では、ソフト一括書込時の書込パルス印加についてワード線の選択する数を限定し、パルス印加を行なう領域を限定する。実施の形態1と同様、Xデコーダ18を用いるが、制御フローが実施の形態1とは異なる。
実施の形態7では、実施の形態6の図17、図18で示した制御フローを変更してさらにブロック消去の時間を短縮する。
Claims (2)
- 行列状に配列され制御ゲートと浮遊ゲートとを有する複数のメモリトランジスタと、前記複数のメモリトランジスタの行に対応して設けられる複数のワード線と、前記複数のメモリトランジスタの列に対応して設けられる複数のビット線とを含むメモリブロックと、
前記メモリブロック内における消去パルスの印加対象を選択する選択回路と、
前記メモリブロックが保持する情報を一括消去する際に、前記メモリブロックのデータ消去の制御を行なう書込消去制御部とを備え、
前記一括消去の過程には、
一括消去の途中の消去状態である第1の消去状態と、
前記第1の消去状態よりも後の消去状態である第2の消去状態とを含み、
前記第1、第2の消去状態は、前記複数のメモリトランジスタのしきい値電圧の分布が予め定められた第1、第2のしきい値電圧よりもそれぞれ低くなった状態であり、
前記書込消去制御部は、前記選択回路に、
前記メモリブロックが前記第1の消去状態になるまで、第1の消去パルスを繰り返し与えるよう前記メモリブロック内のメモリトランジスタを一括して選択させる指示をし、
前記メモリブロックが前記第1の消去状態になった後に、前記メモリブロック内のメモリトランジスタに対し通常の書込よりも弱い書込パルスを与えるよう選択させる指示をし、
さらに、前記メモリブロックが前記第2の消去状態になるまで、前記メモリブロックを複数の領域に分割し、各領域ごとに一括して第2の消去パルスを与えるよう前記各領域ごとに順次選択させる指示をし、
前記選択回路は、
前記書込消去制御部の指示に応じて、前記第1の消去パルス印加時は、前記複数のワード線を一括して選択し、前記第2の消去パルス印加時は、前記第2の消去パルスの印加回数が所定数未満であるときは前記複数のワード線を一括して選択し、前記第2の消去パルスの印加回数が所定数以上であるときは前記複数のワード線のうちの一部分のワード線を一括して選択する、不揮発性半導体記憶装置。 - 前記書込消去制御部は、行アドレスおよび列アドレスを順次変更しながら前記メモリブロックからデータを読出して前記メモリブロックが前記第2の消去状態になったか否かを確認するベリファイ動作を行ない、前記ベリファイ動作の結果が不良である毎に前記選択回路により選択されたワード線に接続されたメモリトランジスタに前記第2の消去パルスを印加するよう前記選択回路に指示し、また
前記ベリファイ動作の結果が不良となった時点に指定されていた行アドレスに対応するワード線を前記一部分のワード線に少なくとも含むよう前記選択回路に指示する、請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。
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