KR950704533A - 투명도전막 도전성투명기초재료 및 도전성재료 - Google Patents

투명도전막 도전성투명기초재료 및 도전성재료 Download PDF

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Abstract

1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
본발명은 투명도전막 및 도전성재료에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고하는 기술적 과제
실용상 충분한 도전성 및 광투과성을 갖고 또한 내습열성 및 에칭특성이 우수한 투명도전막 및 이 투명도전막을 이용한 도전성투명기초재료를 제공하는 것을 목적으로 한다.
3. 발명의 해결방법의 요지
주요양이온원소로서 인듐(In)및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로 이루어진 투명도전막으로서 In의 윈자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90인것을 특징으로 하는 투명도전막.
4. 발명의 중요한 용도
본발명은 투명도전막 및 이 투명도전막을 이용한 도전성기초재료 및 상기한 투명도전막을 얻기위한 재료등으로서 아주 적당한 도전성재료에 관한 것이다.

Description

투명도전막 도전성투명기초재료 및 도전성재료
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 실시예1에서 얻어진 투명도전막 I (하소온도 500℃, 본소성온도 500℃)에 대해서의 XRD (X선회절) 측정의 결과를 나타내는 그래프.

Claims (42)

  1. 주요양이온원소로서 인듐(In)및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로 이루어진 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  2. 제1항에 있어서, 투명도전막이 도포열분해법에 의해 형성된 막인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  3. 제2항에 있어서, In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.60∼0.80인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  4. 제1항에 있어서, 투명도전막이 스퍼터링법에 의해 형성된 막인 것을 특징으로 하는 투명도전막.
  5. 제4항에 있어서, In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.60∼0.90인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  6. 제4항에 있어서, In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.80∼0.90인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  7. 인듐화합물 및 아연화합물을 In의 원자비 In/(In+Zn)이 소정의 값이 되도록 용해시켜서 도포용액을 조제하여 이 도포용액을 기판에 도포해서 300-650℃로 소성한 후에 환원처리해서 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로 이루어진 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.80인 투명도전막을 얻는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 인듐화합물이 인듐의 카르복시산염, 무기인듐화합물 및 인듐알콕시도록 된 군으로부터 선택된 적어도 1종이며 아연화합물이 아연의 카르복시산염, 무기아연화합물 및 아연알콕시드로된 군으로부터 선택되는 적어도 1종인것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  9. 스퍼터링목표물로서 (A)인듐과 아연을 주성분으로 하는 산화물로 된 소결체목표물로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.45∼0.9인것, 또는 (B)산화물계디스크와 이 디스크상에 배치한 1개 이상의 산화물계타블릿으로 된 목표물을 사용하고 다이렉트스퍼터링법에 의해 주요양이온원소로서 인듐(In)및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로 이루어진 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90인 투명도전막을 얻는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  10. 제9항에 있어서, 인듐과 아연을 주성분으로하는 산화물로 된 소결체목표물로서, 산화인듐과 산화아연의 혼합물로 된 소결체, In2O3(ZnO)m(m=2∼20)로 표시되는 6방정층상화합물의 1종 이상으로된 소결체, 및 In2O3(ZnO)m(m=2∼20)로 표시되는 6방정층상화합물의 1종이상과 In2O3및/또는 ZnO로부터 실질적으로 된 소결체로부터된 군으로부터 선택된 1종인것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 산화물계 디스크가 산화인듐으로 실질적으로된 디스크, In2O3(ZnO)m(m=2∼20) 로 표시되는 6방정층상화합물의 1종이상으로 실질적으로 된 소결체디스크 및 In2O3(ZnO)m(m=2∼20)로 표시되는 6방정층상화합물의 1종이상과 In2O3및/또는 ZnO로부터 실질적으로 된 소결체디스크로부터된 군으로부터 선택된 1종이며, 산화물계타블릿이 산화아연 또는 산화인듐으로 실질적으로 된 타블릿, In2O3(ZnO)m(m=2∼20)로 표시되는 6방정층상화합물의 1종이상으로 실질적으로 된 타블릿 및 In2O3(ZnO)m(m=2∼20)로 표시되는 6방정층상화합물의 1종 이상과 In2O3및/또는 ZnO로부터 실질적으로 이루어진 타블릿으로된 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  12. 주요양이온원소로서 인듐(In)및 아연(Zn)외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로 된 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90로서 상기한 제3원소의 총량의 원자비(전체 제3원소)/(In+Zn+전체제3원소)가 0.2이하인 것을 특징으로 하는 투명도전막.
  13. 제12항에 있어서, 도포열분해법에 의해 형성된 막인 것을 특징으로 하는 투명도전막.
  14. 제13항에 있어서, In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.60∼0.80인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  15. 제12항에 있어서, 스퍼터링법에 의해 형성된 막인 것을 특징으로 하는 투명도전막.
  16. 제15항에 있어서, In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.60∼0.90인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  17. 제15항에 있어서, In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.80∼0.90인것을 특징으로 하는 투명도전막.
  18. 인듐화합물 및 아연화합물외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소의 화합물을 소정량 용해시켜서 In의 원자비, In/(In+Zn), 및 제3원소의 총량의 원자비(전체 제3원소)(In+Zn+전체 제3원소)가 각각 소정의 값이 되도록 도포용액을 조제하여 이 도포용액을 기판에 도포해서 300-650℃로 소성한후에 환원처리해서 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn) 외에 주석(Sn), 알루미늄(Al), 안티온(Sb), 갈륨(Ga), 게르마늄(Ge)으로된 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)01 0.50∼0.80, 상기한 제3원소의 총량이 원자비 (전체 제3원소)/(In+Zn+전체 제3원소)가 0.2이하인 투명도 전막을 얻는 것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  19. 제18항에 있어서, 인듐화합물이 인듐의 카르복시산염, 무기인듐화합물, 인듐알콕시드등으로 부터된 군으로부터 선택된 적어도 1종이며 아연화합물이 아연의 카르복시산염, 무기아연화합물, 및 아연알콕시드로된 군으로부터 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로하는 투명도전막의 제조방법.
  20. 스퍼터링목표물로서 (A) 산화인듐과 산화아연외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 산화물로된 소결체목표물로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.45∼0.9인 것으로서, 제3원소의 총량의 원자비(전체 제3원소)/(In+Zn+전체제3원소)가 0.2이하인 것, 또는 (B)산화물계디스크와 이 디스크상에 배치한 1개이상의 산화물계타블릿으로 된 목표물을 사용하고 다이렉트스퍼터링법에의해 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)외에 가수가 정3가 이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명전도막으로서 IN의 원자비 IN/(IN+ZN)이 0.50∼090로서, 상기한 제3원소의 총량의 원자비 (전체제3원소)/(IN+ZN+전체제3원소)가 0.2 이하인 투명도전막을 얻는것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  21. 제20항에 있어서, 소체결목표물은 인듐과 아연과 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소의 산화물로 실질적으로된 소결체, In2O3(ZnO)m(m=2∼20)으로 표시되는 6방정층상화합물에 적어도 1종의 상기한 제3원소를 함유시켜서된 화합물의 1종 이상으로 실질적으로된 소결체, 및 In2O3(ZnO)m(m=2∼20)으로 표시되는 6방정층상화합물에 적어도 1종의 상기한 제3원소를 함유시켜서된 화합물의 1종 이상과 In2O3및/또는 ZnO로 실질적으로된 소결체로된 군으로부터 선택된 1종인것을 특징으로 하는 투명도전막의 제조방법.
  22. 필름상 또는 시이트상의 투명고분자기초재료상에 직접 또는 적어도 가교성수지층을 거쳐서 주요양이온 원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로 이루어진 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90인 투명도전막이 형성된것을 특징으로하는 도전성 투명필름.
  23. 제22항에 있어서, 투명고분자기초재료가 폴리카르보네이트수지, 폴리아릴레이드수지, 폴리에스테르수지, 폴리에테르술폰계수지, 무정형폴리올레핀수지, 폴리스티렌수지 및 아크릴수지로 된 군으로부터 선택된 1종으로된 두께 15μm∼3mm의 것이며, 광투과율이 70%이상인 것을 특징으로 하는 도전성투명필름.
  24. 제22항에 있어서, 투명도전막이 스퍼터링법에 의해 형성된 막인것을 특징으로 하는 도전성투명필름.
  25. 제22항에 있어서, 투명고분자기초재료에 있어서 투명도전막이 형성되는 면과는 반대측의 면에 가스장벽층이나 하드코팅층 및 반사방지층으로된 군으로부터 선택된 적어도 1종의 층을 갖는것을 특징으로하는 도전성 투명필름.
  26. 제22항에 있어서, 투명고분자기초재료와 투명도전막과의 사이에 에폭시수지, 페녹시에테르수지, 및 아크릴수지로된 군으로부터 선택된 적어도 1중의 가교성수지층을 갖는 것을 특징으로하는 도전성투명필름.
  27. 제26항에 있어서, 투명고분자기초재료와 투명도전막과의 사이에 에폭시계, 아크릴우레탄계 및 페녹시에테르계로된 군으로부터 선택된 하나의 계의 물질로된 접착층을 갖는것을 특징으로하는 도전성투명필름.
  28. 제26항에 있어서, 투명고분자기초재료와 투명도전막과의 사이에 에틸렌-비닐알코올혼성중합체, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴니트릴, 폴리염화비닐리덴, 폴리불화비닐리덴등으로 된 군으로부터 선택된 1종으로 된 가스장벽층을 갖는 것을 특징으로하는 도전성투명필름.
  29. 스퍼터링목표물로서 (A) 인듐과 아연을 주성분으로 하는 산화물로된 소결체목표물로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.45∼0.9인것, (B) 산화물계디스크와 이 디스크상에 배치한 1개이상의 산화물계타블릿으로된 목표물을 사용하고 다이렉트스퍼터링법에 의해 필름상 또는 시이트상의 투명고분자 기초재료상에 직접 또는 적어도 가교성수지층을 거쳐서 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90인 투명도전막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성투명필름의 제조방법.
  30. 투명고분자기초재료상에 직접 또는 적어도 가교성수지층을 거쳐서 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명전도막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90로서, 상기 한 제3원소의 총량의 원자비(전체제3원소)/In+Zn+전체제3원소)가 0.2이하인 투명도전막이 형성되어있는 것을 특징으로 한는 도전성투명필름.
  31. 제30항에 있어서, 투명도전막이 스퍼터링법에 의해 형성된 막인것을 특징으로하는 도전성투명필름.
  32. 스퍼터링목표물로서 (A) 산화인듐과 산화아연외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 산화물로된 소결체목표물로서 In의 원자비 In/(In+Zn) 및 제3원소의 총량의 원자비(전체제3원소)/(In+Zn+전체제3원소)가 각각 소정의 값인것, 또는 (B) 산화물계디스크와 이디스크상에 배치한 1개이상의 산화물계 타블릿으로된 목표물을 사용하고 필름상 또는 시이트상의 투명고분자기초재료상에 직접 또는 적어도 가교성수지층을 거쳐서 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90로서, 상기한 제3원소의 총량의 원자비(전체 제3원소)/(In+Zn+전체제3원소)가 0.2이하인 투명도전막을 형성하는 것을 특징으로하는 도전성투명필름의 제조방법.
  33. 투명유리기초재료상에 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명도전막으로서 In의 원자비In/(In+Zn)이 0.50∼0.90인 투명도전막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성투명유리.
  34. 제33항에 있어서, 투명도전막이 스퍼터링법에 의해 형성된 막인것을 특징으로하는 도전성투명유리.
  35. 스퍼터링목표물로서 (A) 인듐과 아연을 주성분으로 히는 산화물로된 소결체목표물로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.45∼0.9인것, 또는 (B) 산화물계디스크와 이 디스크상에 배치한 1개이상의 산화물계타블릿으로 된 목표물을 사용하고 다이렉트스퍼터링법에 의해 투명유리기초재료상에 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명도전막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90인 투명도전막이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 도전성투명유리의 제조방법.
  36. 투명유리기초재료상에 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물로된 투명전도막으로서 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.50∼0.90로서, 상기 한 제3원소의 총량의 원자비(전체제3원소)/(In+Zn+전체제3원소)가 0.2이하인 투명도전막이 형성되어있는것을 특징으로 하는 도전성투명유리.
  37. 제36항에 있어서, 투명도전막이 스퍼터링법에의해 형성된 막인것을 특징으로하는 도전성투명유리.
  38. 주요양이온원소로서 인듐과 아연과를 함유하는 산화물로된 분말 또는 소결체로서 일반식 In2O3(ZnO)m(m=2∼20)으로 표시되는 6방정층상화합물을 함유함과 동시에 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.10∼0.90인 것을 특징으로한는 도전성재료.
  39. 주요양이온원소로서 인듐(In)과 아연(Zn)외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하는 산화물로된 분말 또는 소결체로서 일반식체, In2O3(ZnO)m(m=2∼20)으로 표시되는 6방정증상화합물에 상기한 제3원소의 적어도 1종을 함유시켜서된 화합물을 함유함과 동시에 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.10∼0.90으로 상기한 제3원소의 총량의 원자비(전체제3원소)/(In+Zn+전체제3원소)가 0.2이하인것을 특징으로 하는 도전성재료.
  40. 주요양이온원소로서 인듐(In) 및 아연(Zn)을 함유하는 실질적으로 비결정질의 산화물의 분말로 되고 In의 원자비 In/(In+Zn)이 0.10∼0.90인것을 특징으로하는 도전성재료.
  41. 제40항에 있어서, 주요양이온원소가 실질적으로 인듐(In) 및 아연(Zn)만인 것을 특징으로 하는 도전성재료.
  42. 제40항에 있어서, 주요양이온원소로서 인듐(In)과 아연(Zn)외에 가수가 정3가이상인 적어도 1종의 제3원소를 함유하고, 상기한 제3원소의 총량의 원자비(전체 제3원소)/(In+Zn+전체 제3원소)가 0.2이하인것을 특징으로 하는 도전성재료.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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