JPH01207994A - 電磁波シールド用基材 - Google Patents
電磁波シールド用基材Info
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- JPH01207994A JPH01207994A JP63033310A JP3331088A JPH01207994A JP H01207994 A JPH01207994 A JP H01207994A JP 63033310 A JP63033310 A JP 63033310A JP 3331088 A JP3331088 A JP 3331088A JP H01207994 A JPH01207994 A JP H01207994A
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Links
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は機器等に用いられる電磁波シールド用の基材に
関する。
関する。
本発明は電磁波を発生する機器、電磁波を外部から保護
する必要がある機器等において、前述に用いられるシー
ルド用基材は母材が樹脂材料でシールド層は金属からな
り、シールド用金属と母材の樹脂材料の間には密着性を
高めるための酸化物が配置され、前記構成により密着信
頼性を高めたものである。
する必要がある機器等において、前述に用いられるシー
ルド用基材は母材が樹脂材料でシールド層は金属からな
り、シールド用金属と母材の樹脂材料の間には密着性を
高めるための酸化物が配置され、前記構成により密着信
頼性を高めたものである。
従来のシールド用基材の方法は以下に示す様なものが考
案されていた。
案されていた。
１、金属溶射
Ｚ導電性塗料
６、真空蒸着
４、スパッタリング
５・メツキ
＆導電性プラスチック
〔発明が解決しようとする課題〕
本発明は前述した従来技術の中で最も電子機器等に適合
する方法の真空蒸着法を用いて行なうものであるが、従
来の真空蒸着法を用い樹脂上にシールド層を形成する場
合、シールド効果は優れているものの直接樹脂上にシー
ルド用金属を付着すると密着性が得られないという問題
がある。このため密着性を向上させるために蒸着時に加
熱し行なう手段もあるが、これは基板が樹脂ということ
から材質に限定があり、一般に射出成形等に用いる樹脂
材には基板加熱は出来ない。従って従来、シールド効果
が良く、シールド用金属の密着性が良い、と真空蒸着法
は言われているものの実際に使用可能な樹脂はポリイミ
ド等の高耐熱性のあるものに限定される。
する方法の真空蒸着法を用いて行なうものであるが、従
来の真空蒸着法を用い樹脂上にシールド層を形成する場
合、シールド効果は優れているものの直接樹脂上にシー
ルド用金属を付着すると密着性が得られないという問題
がある。このため密着性を向上させるために蒸着時に加
熱し行なう手段もあるが、これは基板が樹脂ということ
から材質に限定があり、一般に射出成形等に用いる樹脂
材には基板加熱は出来ない。従って従来、シールド効果
が良く、シールド用金属の密着性が良い、と真空蒸着法
は言われているものの実際に使用可能な樹脂はポリイミ
ド等の高耐熱性のあるものに限定される。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは樹脂材質を選ばず、低融点の樹脂
でも高い密着性が得られ、かつシールド特性の優れた電
磁波シールド用基材を提供するところにある。
の目的とするところは樹脂材質を選ばず、低融点の樹脂
でも高い密着性が得られ、かつシールド特性の優れた電
磁波シールド用基材を提供するところにある。
本発明の電磁波シールド用基板は、電磁波をシールドす
る金属層と母材の樹脂材の間には酸化物層が介在してな
ることを特徴とする。
る金属層と母材の樹脂材の間には酸化物層が介在してな
ることを特徴とする。
本発明の上記の構成によれば、真空蒸着で母材の樹脂材
にシールド用金属を付着する際、あらかじめ酸化物層を
設け、その後シールド用金属を付着させることで樹脂と
酸化物の界面では、樹脂の炭素成分と酸化物の酸素成分
が互いに化学結合し結合力を高め、酸化物と金属の界面
では酸化物の酸素成分がシールド用金属と化学結合し結
合力を高める。ゆえに各界面の結合力が高いため、蒸着
工程の際、特に基板加熱をしなくても良好な密着性を得
られるもので、このことにより母材の樹脂が低融点でも
容易に作製可能なものである。
にシールド用金属を付着する際、あらかじめ酸化物層を
設け、その後シールド用金属を付着させることで樹脂と
酸化物の界面では、樹脂の炭素成分と酸化物の酸素成分
が互いに化学結合し結合力を高め、酸化物と金属の界面
では酸化物の酸素成分がシールド用金属と化学結合し結
合力を高める。ゆえに各界面の結合力が高いため、蒸着
工程の際、特に基板加熱をしなくても良好な密着性を得
られるもので、このことにより母材の樹脂が低融点でも
容易に作製可能なものである。
実施例１゜
第１図は本発明の実施例における主要断面図であって、
樹脂母材４上に酸化物層６、更にその上部にシールド用
金属が堆積されている。この構成を形成する手段は、ま
ず樹脂母材４をよく洗浄し、洗浄後乾燥を行なう、その
後電子ビーム真空蒸着機にセットする。真空排気は膜の
密着性に大きく左右するため充分な排気を行なう。排気
後、まず酸化物層５を付着せしめろ。酸化物層５の材質
は、二酸化珪素（Ｓ１０□ ）を用い、厚みは２０００
＾である。この後更にシールド層として銅２を２μｍ、
ニッケル１をｘｏｏｏＸ付層させた。
樹脂母材４上に酸化物層６、更にその上部にシールド用
金属が堆積されている。この構成を形成する手段は、ま
ず樹脂母材４をよく洗浄し、洗浄後乾燥を行なう、その
後電子ビーム真空蒸着機にセットする。真空排気は膜の
密着性に大きく左右するため充分な排気を行なう。排気
後、まず酸化物層５を付着せしめろ。酸化物層５の材質
は、二酸化珪素（Ｓ１０□ ）を用い、厚みは２０００
＾である。この後更にシールド層として銅２を２μｍ、
ニッケル１をｘｏｏｏＸ付層させた。
電磁波をシールドするには、一応、銅２の２μｍでほぼ
充分であるが、材質的に銅は酸化等による腐食作用が大
きいため耐食＋シールドを兼ねたニッケルを鋼上に付着
した。この構成により得られたシールド用基材の機能を
確認したところ、まず密着強度は６０℃×９０％に２０
日間放置後、ごはん目試験を行なったが何ら問題はなく
、シールド特性は第２図に示す様に良好であった。
充分であるが、材質的に銅は酸化等による腐食作用が大
きいため耐食＋シールドを兼ねたニッケルを鋼上に付着
した。この構成により得られたシールド用基材の機能を
確認したところ、まず密着強度は６０℃×９０％に２０
日間放置後、ごはん目試験を行なったが何ら問題はなく
、シールド特性は第２図に示す様に良好であった。
実施例２゜
実施例１と同様によりシールド用基材を作製した。この
時は母材の樹脂材質を変化させて行なった。用いた樹脂
は、ＡＢＳ、ナイロン、アク９ル、ポリカーボネイト、
ポリサル７オンであり、これ等の異なった樹脂について
もシールド用金属は良好な密着性を示した。
時は母材の樹脂材質を変化させて行なった。用いた樹脂
は、ＡＢＳ、ナイロン、アク９ル、ポリカーボネイト、
ポリサル７オンであり、これ等の異なった樹脂について
もシールド用金属は良好な密着性を示した。
実施例＆
実施例１，２と同様の方法によりシールド用基材を作製
した。この時は樹脂材とシールド用金属の間の酸化物を
様々な物にかえ行なった。酸化物の材質は一酸化珪素（
Ｓ１０）、酸化アルミニウム（Ａｔ２０３ ）、二酸化
チタン（Ｔｉ０２）１酸化ジルコニウム（Ｚ ｒ ０２
） 、 Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ２０３＋５ｎＯ２）であ
り、これ等に於ても密着性は良好であった。特に前記材
質の中でＳ ’１０４’！、唯一、抵抗加熱の真空蒸着
法でも可能なため一１他の材料に比べ製漬装置が安価な
ためシールド基材のコストも安くなった。
した。この時は樹脂材とシールド用金属の間の酸化物を
様々な物にかえ行なった。酸化物の材質は一酸化珪素（
Ｓ１０）、酸化アルミニウム（Ａｔ２０３ ）、二酸化
チタン（Ｔｉ０２）１酸化ジルコニウム（Ｚ ｒ ０２
） 、 Ｉ Ｔ Ｏ（Ｉｎ２０３＋５ｎＯ２）であ
り、これ等に於ても密着性は良好であった。特に前記材
質の中でＳ ’１０４’！、唯一、抵抗加熱の真空蒸着
法でも可能なため一１他の材料に比べ製漬装置が安価な
ためシールド基材のコストも安くなった。
以上述べたように発明によれば真空蒸着法によりシール
ド用基材を作製する際、母材の樹脂に酸化物を付着させ
、その後シールド用金属を堆積させることで、融点の低
い樹脂材料でも充分な密着性を有し、かつ電磁波のシー
ルド効果も優れた電磁波シールド用基材が得られるもの
である。
ド用基材を作製する際、母材の樹脂に酸化物を付着させ
、その後シールド用金属を堆積させることで、融点の低
い樹脂材料でも充分な密着性を有し、かつ電磁波のシー
ルド効果も優れた電磁波シールド用基材が得られるもの
である。
実施例において、シールド用金属及びその厚みが開示し
であるが、これらは当然套装に応じ変化可能なため限定
されるものではない。
であるが、これらは当然套装に応じ変化可能なため限定
されるものではない。
第１図は本発明の電磁波シールド基材の一実施例を示す
部分断面構造図。 第２図は本発明の電磁・波に対する特性図。 １・・・・・・・・・ニッケル ２・・・・・・・・・銅 ３・・・・・・・・・酸化物層 ４・・・・・・・・・樹脂母材 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上 務（他１名） ・、、、゛、）１ 第２図
部分断面構造図。 第２図は本発明の電磁・波に対する特性図。 １・・・・・・・・・ニッケル ２・・・・・・・・・銅 ３・・・・・・・・・酸化物層 ４・・・・・・・・・樹脂母材 以上 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士最上 務（他１名） ・、、、゛、）１ 第２図
Claims (1)
- 樹脂材料よりなる電磁波シールド用基材において、電磁
波をシールドする金属層と母材の樹脂の間には酸化物層
が介在してなることを特徴とする電磁波シールド用基材
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033310A JPH01207994A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 電磁波シールド用基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63033310A JPH01207994A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 電磁波シールド用基材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01207994A true JPH01207994A (ja) | 1989-08-21 |
Family
ID=12382986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63033310A Pending JPH01207994A (ja) | 1988-02-16 | 1988-02-16 | 電磁波シールド用基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01207994A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994013851A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
| EP0802709A1 (en) * | 1993-09-06 | 1997-10-22 | Vladimir Ivanovich Kapitonov | Material providing protection from radiation |
| WO2001084899A1 (en) * | 2000-05-01 | 2001-11-08 | Hantech Co., Ltd. | Electro-magnetic interference shielding structure with thin film comprising buffer layer and preparing process therefor |
| KR20030037965A (ko) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | 이영하 | 전자파의 중화장치 및 그 방법 |
| CN107432102A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-12-01 | 捷客斯金属株式会社 | 电磁波屏蔽材料 |
-
1988
- 1988-02-16 JP JP63033310A patent/JPH01207994A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994013851A1 (en) * | 1992-12-15 | 1994-06-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent conductive film, transparent conductive base material, and conductive material |
| US5972527A (en) * | 1992-12-15 | 1999-10-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Transparent electrically conductive layer, electrically conductive transparent substrate and electrically conductive material |
| EP0802709A1 (en) * | 1993-09-06 | 1997-10-22 | Vladimir Ivanovich Kapitonov | Material providing protection from radiation |
| EP0802709A4 (ja) * | 1993-09-06 | 1997-10-22 | ||
| WO2001084899A1 (en) * | 2000-05-01 | 2001-11-08 | Hantech Co., Ltd. | Electro-magnetic interference shielding structure with thin film comprising buffer layer and preparing process therefor |
| KR20030037965A (ko) * | 2001-11-07 | 2003-05-16 | 이영하 | 전자파의 중화장치 및 그 방법 |
| CN107432102A (zh) * | 2015-03-31 | 2017-12-01 | 捷客斯金属株式会社 | 电磁波屏蔽材料 |
| CN107432102B (zh) * | 2015-03-31 | 2019-07-30 | 捷客斯金属株式会社 | 电磁波屏蔽材料 |
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