TWI577543B - 展現改良的光對太陽能增益熱比率的光學膜 - Google Patents

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Description

展現改良的光對太陽能增益熱比率的光學膜
本發明是關於複合膜，且更特定而言，是關於紅外線反射及光學透明複合膜。
當透射可見光譜中的輻射時反射紅外線譜中的輻射的複合物具有重要應用(例如，作為塗覆至建築物或車輛中的窗的覆蓋物)。
對於此等複合膜而言，可見光透射率必須高，且反射率及吸收率必須低。舉例而言，在美國，汽車擋風玻璃必須具有可見光的至少70%透射率。然而，在紅外線中，窗必須具有高反射率且因此紅外線中的透射率及吸收率必須低。理想上，反射率在光譜的近紅外線部分(780nm至2500nm)中必須高以防止由於太陽光而加熱且在遠紅外線(8μm至50μm)中必須高以在冬季保持汽車內部的熱度。後一種特徵亦稱為「低發射率」。此等組合特徵尤其在溫和氣候下極為重要。
已得知在複合膜中使用薄銀層來反射紅外線輻射；然而，銀層具有低穩定性、低耐久性及拙劣的耐濕性及耐候性。另外，可將另外的層添加至複合物以抗擊薄銀層的缺點，該等缺點大體負面地影響諸如可見光透射率、薄霧及泛黃的其他性質。
美國專利第7,709,095號描述一紅外線反射層化結構，其中由金金屬層及氧化鈦介電層接觸含銀層。該等層是藉由濺鍍技術而沈積。
使用氧化鈦介電層的一個缺點是來自使用旋轉陶瓷標靶的濺鍍技術的沈積速率的限制。舉例而言，供用於光學膜中的經濺鍍沈積的氧化鈦層的典型沈積速率在單一旋轉陶瓷標靶上為約1.5nm.m2.min-1.kW-1。應注意，沈積速率獨立於標靶長度及施加功率。在生產膜的過程中，氧化鈦的沈積速率顯著地使複合物的整體生產速度慢下來。
已嘗試藉由用氧化鈦代替其他材料來改良生產速度。然而，迄今尚未知如何在不負面地影響複合膜的光學性質及太陽能性質(諸如，透明度及反射率)中的一者或兩者的情況下改良生產速度。
此外，亦需要改良複合膜的光學性質及太陽能性質。然而，對改良太陽能性質(諸如，TSER)的嘗試阻礙了光學效能(諸如，可見光透射率(VLT))且反之亦然。
因此，存在對開發新材料及方法以在不犧牲效能且甚至改良光學膜的效能的情況下增加介電層的沈積速率的需求。
10‧‧‧複合膜
20‧‧‧基板層
22‧‧‧對立基板層
25‧‧‧金屬氧化物基複合層
26‧‧‧金屬氧化物基複合層
27‧‧‧金屬氧化物基複合層
30‧‧‧金屬基層
32‧‧‧金屬基層
34‧‧‧金屬基層
36‧‧‧金屬基層
40‧‧‧銀基層
42‧‧‧銀基層
101‧‧‧層
102‧‧‧金屬氧化物層
103‧‧‧層
104‧‧‧金屬氧化物層
110‧‧‧氧化鈦基層
111‧‧‧氧化鈦基層
112‧‧‧氧化鈦基層
113‧‧‧氧化鈮基層
114‧‧‧氧化鈮基層
115‧‧‧氧化鈮基層
116‧‧‧氧化鈮基層
藉由實例來說明實施例且該等實施例未在隨附諸圖中受限制。
圖1包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖2包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖3包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖4包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖5包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖6包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖7包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖8包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖9包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
圖10包括根據本發明的某些實施例的複合膜的說明。
熟習此項技術者瞭解，諸圖中的元件是出於簡單性及清晰性加以說明且未必按比例繪製。舉例而言，諸圖中的一些元件的尺寸可相對於其他元件而被誇示以有助於改良對本發明的實施例的理解。
提供結合諸圖的以下描述以幫助理解本文中所 揭示的教示。以下論述將集中於該等教示的特定實施及實施例。提供此中心點以幫助描述該等教示且不應將此中心點解釋為對該等教示的範疇或適用性的限制。然而，可基於如本申請案中所揭示的教示來使用其他實施例。
術語「包含」、「包括」、「具有」或其任何變意欲涵蓋非排他性包括。舉例而言，包含特徵清單的方法、物件或裝置未必僅限於彼等特徵而是可包括未明確列舉或為此方法、物件或裝置所固有的其他特徵。另外，除非明確陳述為相反情況，否則「或」指代包括性或而非排他性或。舉例而言，由以下各者中的任一者滿足條件A或B：A為真(或存在)且B為假(或不存在)；A為假(或不存在)且B為真(或存在)；及A與B兩者為真(或存在)。
又，使用「一」的用途來描述本文中所描述的元件及組件。這樣做是僅出於方便性及為了給出本發明的範疇的一般意義。除非此描述清楚地意謂為其他方面，否則應將其讀為包括一個、至少一個或如亦包括複數的單數，或反之亦然。舉例而言，當本文中描述單一項目時，可使用一個以上項目以代替單一項目。類似地，當本文中描述一個以上項目時，可用單一項目代替一個以上項目。
除非另有定義，否則本文中所使用的所有技術及科學術語具有與通常由一般熟習本發明所屬的技術領域的人員所理解的相同意義。材料、方法及實例僅為說明性的而非意欲為限制性的。到本文中未描述的程度，關於特定材料及處理動作的許多細節是習知的且可在光學膜技術內的課本及 其他來源中找到。
本發明是有關於改良的IR反射複合膜，該等複合膜證明(例如)太陽能性質、光學性質及生產速度方面的協同改良。舉例而言，某些實施例證明TSER及VLT的組合協同效應。此外，複合物可在不犧牲且甚至改良光學及太陽能效應的情況下展現改良的沈積速率。鑒於下文所描述的實施例來更好地理解該等概念，該等實施例說明且不限制本發明的範疇。
圖1說明根據某些實施例的複合膜10的代表性橫截面。複合膜10可包括：一基板層20；一或多個金屬基層30、32、34、36；一或多個銀基層40、42；一或多個金屬氧化物基複合層25、26、27；及一對立基板層22。應理解，圖1中所說明的複合膜10為說明性實施例。不需要所展示的所有層，且任何數目的額外層或少於所展示的層的層是在本發明的範疇內。
基板層20及/或對立基板層22可由任何數目種不同材料組成。在某些實施例中，基板層20及/或對立基板層22可為透明層。基板層20及/或對立基板層22亦可為可撓性的。合適的透明材料包括聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯(諸如，聚對苯二甲酸伸乙酯(PET))、纖維素三乙酸酯(TCA或TAC)、聚胺基甲酸酯、氟聚合物、玻璃或其組合。在特定實施例中，基板層20及/或對立基板層22可含有聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)。
基板的厚度可取決於所選擇的材料及所要的應 用。在某些實施例中，基板層20及/或對立基板層22可具有至少約0.1微米、至少約1微米或甚至至少約10微米的厚度。在另外的實施例中，基板層20及/或對立基板層22可具有不大於約1000微米、不大於約500微米、不大於約100微米或甚至不大於約50微米的厚度。此外，基板層20及/或對立基板層22可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中的厚度(諸如，約0.1微米至約1000微米、約1微米至約100微米，或甚至約10微米至約50微米)。在其他實施例中，當併有諸如玻璃的剛性基板時，基板層20可具有更大厚度(諸如，1毫米至50毫米，或甚至1毫米至20毫米，或甚至1至10毫米)。在極特定實施例中，基板層20的厚度可大於對立基板22的厚度。舉例而言，在極特定實施例中，基板層20的厚度對對立基板22的厚度的比率可為至少1、為至少1.5、為至少1.75或甚至為至少2。
當用作供塗覆至諸如窗的剛性表面的複合膜時，基板層20可經調適以安置成鄰近於待覆蓋有膜的表面。舉例而言，當附接至(例如)窗(未圖示)時，基板層20可比銀基層更接近窗。此外，如下文將予以更詳細論述，黏附劑層可安置成鄰近於基板層20且經調適以接觸待覆蓋有複合物的窗或其他表面。因而，上文所描述的複合膜可為自立式的且經調適以黏附至(例如)架構構件或汽車構件(諸如，窗)中的透明面板。
如上文所論述，複合膜可含有一或多個金屬基層30、32、34、36。薄金屬基層可提供含銀層的增加的穩定性 及耐久性且避免在銀基層與金屬氧化物基層的介面處混合。在某些實施例中，可僅存在一個金屬基層。在其他實施例中，複合物可含有許多金屬基層。大體而言，金屬基層可安置成直接鄰近於銀基層的一個或兩個主要表面。因此，當存在一個以上銀基層時，可將金屬基層安置於任何銀基層的每一可用主要表面上。
再次參看圖1，在本發明的特定實施例中，複合物可含有直接接觸第一銀基層40的對置的主要表面的第一金屬基層30及第二金屬基層32。如圖1中予以進一步說明，複合物可另外含有直接接觸第二銀基層42的對置的主要表面的第三金屬基層34及第四金屬基層36。
本文中所描述的一或多個金屬基層中的任一者可基本上由金屬組成。如本文中所使用，短語「基本上由金屬組成」指代至少95重量百分比的金屬。此外，在特定實施例中，本文中所描述的一或多個金屬基層中的任一者可含有基本上純金屬或在其他實施例中可含有金屬合金。如本文中所使用，「基本上純金屬」指代具有及可能有處於小於約5重量百分比的量的雜質的金屬。在其他實施例中，一或多個金屬基層中的任一者可含有金屬合金(諸如，含有以金屬基層的總重量計處於至少約70重量百分比的濃度的主要金屬及處於小於約30重量百分比的濃度的次要金屬)。
本文中所描述的一或多個金屬基層中的任一者可含有所選擇的包括以下各者的金屬：金、鈦、鋁、鉑、鈀、銅、銦、鋅或其組合。在特定實施例中，鄰近於銀基層的金 屬基層中的至少一者、一者以上或甚至全部可含有金或甚至基本上由金組成。
上文所描述的一或多個金屬基層中的任一者可具有使得該金屬基層能夠實質上為透明且向銀基層提供足夠保護的厚度。舉例而言，上文所描述的一或多個金屬基層中的任一者可具有至少約0.1奈米或甚至至少約0.3奈米的厚度。另外，上文所描述的一或多個金屬基層中的任一者可具有不大於約50奈米、不大於約5奈米、不大於約2奈米或甚至不大於約1.5奈米的厚度。此外，上文所描述的一或多個金屬基層中的任一者可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中的厚度(諸如，約0.1奈米至約5奈米，或甚至約0.3奈米至約1.5奈米)。
上文所描述的一或多個金屬基層中的任一者可具有相同厚度或可具有不同厚度。在特定實施例中，一或多個金屬層中的每一者具有實質上相同厚度。如本文中所使用，「實質上相同厚度」指代在兩個比較厚度的平均值的20%內的厚度。
可藉由真空沈積技術(例如，藉由濺鍍或蒸鍍)來形成一或多個金屬基層中的任一者。
根據本發明的複合物可含有一或多個銀基層40、42。銀基層可向複合物提供反射紅外線輻射的能力。在特定實施例中，例如，如圖1中所說明，複合物可含有第一銀基層40。如所說明，第一銀基層40可直接接觸一或多個金屬基層(諸如，第一金屬基層30及第二金屬基層50)。
另外，在某些實施例中，複合物可含有額外銀基層(諸如，第二銀基層42)。當存在時，每一額外銀基層可具有直接接觸該額外銀基層的主要表面的金屬基層。舉例而言，如圖1中所說明，第二銀基層42可直接接觸第三金屬基層34及第四金屬基層36。另外，第二銀基層42可比第一銀基層40更遠離基板。
上文所描述的一或多個銀基層中的任一者可含有銀，且在特定實施例中可基本上由銀組成。如本文中所使用，短語「基本上由銀組成」指代含有至少約95%銀的銀基層。在其他實施例中，一或多個銀基層可具有不大於約30重量百分比、不大於約20重量百分比或甚至不大於約10重量百分比的另一金屬(諸如，金、鉑、鈀、銅、鋁、銦、鋅或其組合)。
一或多個銀基層中的任一者可具有至少約0.1奈米、至少約0.5奈米或甚至至少約1奈米的厚度。此外，一或多個銀基層40中的任一者可具有不大於約100奈米、不大於約50奈米、不大於約25奈米或甚至不大於約20奈米的厚度。此外，一或多個銀基層40中的任一者可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中的厚度(諸如，約0.5奈米至約25奈米，或甚至約1奈米至約20奈米)。
在特定實施例中，第二銀基層42可具有大於第一銀基層40的厚度。舉例而言，第二銀基層42的厚度對第一銀基層40的厚度的比率可為至少約1、至少約1.5、至少約2或甚至至少約3。
在特定實施例中，複合膜10可含有不多於3的銀基層、不多於2的銀基層或甚至不多欲1的銀基層。在極特定實施例中，複合膜10可含有不多於2的銀基層。用不多於2的銀基層來達成本文中所描述的性質正是本發明的某些實施例的特定優點。
可藉由真空沈積技術(例如，藉由濺鍍或蒸鍍)來形成銀基層。在特定實施例中，可藉由磁控濺鍍技術來形成銀基層。
根據本發明的各種實施例，複合物可另外含有一或多個金屬氧化物基複合層25、26、27。金屬氧化物基複合層可安置成鄰近於或甚至直接接觸金屬基層的主要表面而與銀基層對立及/或安置成鄰近於或甚至直接接觸基板或對立基板層的主要表面。
上文所論述的一或多個金屬氧化物複合物基層中的任一者可含有各種金屬氧化物(包括氧化鋁、氧化鈦、氧化鈮、BiO2、PbO、氧化鋅、AZO、MgZnO、MgO、MoO3或其組合)的至少一個、至少兩個或甚至至少三個分離且相異的層。
亦可依據上文所列舉的各種金屬氧化物的折射率來描述該等金屬氧化物。舉例而言，主要由金紅石相組成的氧化鈦在510nm下具有約2.41的折射率，BiO2在550奈米下具有約2.45的折射率，且PbO在550奈米下具有約2.55的折射率，Nb2O5在550奈米下具有約2.4的折射率，且ZnO在550奈米下具有約2.0的折射率。因此，在極特定實施例中， 被用作一或多個金屬氧化物基複合層中的層的該等金屬氧化物中的至少一者可具有高折射率。舉例而言，金屬氧化物中的至少一者在510奈米下抑或在550奈米下可具有至少約2.3、至少約2.4、至少約2.5的折射率。此外，被用作一或多個金屬氧化物基複合層中的層的該等金屬氧化物中的至少一者可具有低折射率。舉例而言，金屬氧化物中的至少一者可具有不大於約2.4、小於約2.3(諸如，小於約2.2小於約2.1或甚至小於約2.0)的折射率。此外，金屬氧化物基複合層可具有基於高折射率材料的至少一個層及具有低折射率材料的至少一個層。舉例而言，金屬氧化物基複合層可具有基於具有至少2.4的折射率的金屬氧化物及具有小於2.4的折射率的金屬氧化物的至少一個層。
亦可在一個旋轉陶瓷標靶的情況下依據上文所描述的各種金屬氧化物的沈積速率來描述該等金屬氧化物。舉例而言，氧化鈦可具有1.5nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率，氧化鈮可具有3nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率，且AZO可具有7nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率。因此，在極特定實施例中，被用作一或多個金屬氧化物基複合層中的層的該等金屬氧化物中的至少一者可具有高沈積速率。舉例而言，在某些實施例中，金屬氧化物中的至少一者可具有至少1nm.m2.min-1.kW-1、至少1.5nm.m2.min-1.kW-1、至少2nm.m2.min-1.kW-1、至少3nm.m2.min-1.kW-1、至少4nm.m2.min-1.kW-1、至少5nm.m2.min-1.kW-1、至少6nm.m2.min-1.kW-1或甚至至少7nm.m2.min-1.kW-1的沈積速 率。此外，金屬氧化物中的至少一者可具有不大於50nm.m2.min-1.kW-1或甚至不大於25nm.m2.min-1.kW-1、不大於8nm.m2.min-1.kW-1、不大於4nm.m2.min-1.kW-1或甚至不大於2nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率。此外，金屬氧化物中的至少一者可具有在上文所提供的最小值及最大值中的任一者的範圍中(諸如，在1nm.m2.min-1.kW-1至50nm.m2.min-1.kW-1的範圍中，或甚至在1.5nm.m2.min-1.kW-1至-25nm.m2.min-1.kW-1的範圍中)的沈積速率。在極特定實施例中，被用作一或多個金屬氧化物基複合層中的層的該等金屬氧化物中的至少兩者可具有不同沈積速率。舉例而言，被用作一或多個金屬氧化物基複合層中的層的該等金屬氧化物中的一者可具有至少約3nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率，而被用作同一金屬氧化物基複合層中的層的另一金屬氧化物可具有不大於3nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率。應理解，用於金屬氧化物基複合層中的任何兩個或甚至三個不同金屬氧化物可具有上文以任何組合所提供的沈積速率中的任一者。
本發明的某些實施例的特定優點是使用具有高沈積速率的金屬氧化物。傳統上，此等金屬氧化物層由於(例如)拙劣的光學性質、IR性質及其他性質而不被使用。然而，本發明者已驚訝地發現使用在不犧牲關鍵性光學及IR性質的情況下具有高沈積速率的金屬氧化物的能力。
現參看圖2，在某些實施例中，金屬氧化物基複合層可含有經調適以改良金屬基層及/或銀基層的品質的層101、103。舉例而言，層101、103可含有氧化物材料(諸如， 金屬氧化物材料)。在特定實施例中，金屬氧化物材料可含有氧化鋅(例如，AZO或MgZnO)。在極特定實施例中，氧化鋅可為AZO。在其他實施例中，層101、103可含有氧化物材料(諸如，MgO或MoO3)。
本發明的某些實施例的特定優點是以下發現：特定金屬氧化物基層(諸如，金屬氧化物複合物基層25、26中的層101、103)可改良金屬基層的均一性且因此改良緊接在其後所沈積的金屬基層的光學性質及作為一個整體的堆疊的光學性質。在不希望受理論約束的情況下，金屬基層的均一性的改良可至少部分地歸因於異質磊晶效應。
舉例而言，在某些實施例中，當金屬氧化物基層的晶體結構(在金屬氧化物複合物基層內)匹配於或密切匹配於一鄰近、隨後沈積的金屬基層的晶體結構時，可發生複合物的效能方面的改良。可依據材料的晶體結構(在給定類型的晶體內的原子配置)的最簡單的重複單元(稱為單位晶胞)來描述該晶體結構，該重複單元具有單位晶胞邊緣長度a、b及c(稱為晶格參數)。為量化晶體結構匹配的程度，當第一層(a 1)及第二層(a 2)的晶格參數a滿足以下公式時，第一層的晶體結構密切匹配於第二層的晶體結構：([sqrt(2)/2]* a 2)/a 1=x，其中x表示不小於0.65的值。在本文中所描述的特定實施例中，諸如在金屬氧化物基層與金屬層及/或銀層之間，x表示不小於0.70、不小於0.75、不小於0.80、不小於0.82、不小於0.84或不小於0.86的值。在另外的特定實施例中，x 表示不大於1.5、不大於1.4、不大於1.3、不大於1.2、不大於1.1或不大於1.0的值。此外，x可表示在上文所描述的以上最小值及最大值中的任一者的範圍中(諸如，在0.75至1.4、0.84至1.2或甚至0.86至1.0的範圍中)的值。
舉例而言，金的晶體結構是以面為中心的立方體(fcc)且其晶格參數a為0.408nm。因為金的晶體結構為立方體，所以其可僅具有一個晶格參數。在周圍條件下，ZnO主要在纖維鋅礦形式下結晶。呈纖維鋅礦形式的ZnO的晶格參數為a=0.325nm及c=0.520nm。當此形式被定向於所謂(002)定向中時，表面可具有類似於當金晶體被定向於所謂(111)定向中時金的原子距離的原子距離。亦即，([sqrt(2)/2]x a Au)~a ZnO，其對應於0.29nm~0.33nm。即使當將Al原子插入於網路中時，AZO(=ZnO：Al)的效應仍可為類似的。
另一方面，若Au沈積於不同金屬氧化物基層(諸如，TiOx)上，則異質磊晶效應並不有效，此是因為晶體結構之間的失配是高的。舉例而言，當在無熱處理的情況下藉由磁控濺鍍來沈積TiOx時，材料可為非晶系(在此狀況下不存在特定次序)或可具有金紅石晶體結構。金紅石晶體結構具有以主體為中心的四角形單位晶胞，其中a=b=0.458nm及c=0.295nm。在某些實施例中，自此結構，TiOx並未顯得具有密切匹配於Au單位晶胞的晶體結構的晶體結構，而不管定向如何。因此，在極特定實施例中，直接鄰近於金屬基層的金屬氧化物層可基本上不含氧化鈦。
在極特定實施例中，直接鄰近於金屬基層的金屬 氧化物基層可為AZO。在甚至另外的極特定實施例中，鄰近於金屬氧化物基層的金屬基層可為金。
應理解，當使用直接鄰近於如上文所描述的金屬基層的金屬氧化物基層時，直接在金屬基層之後所沈積的銀基層將亦改良。因此，可在金屬氧化物基層與銀基層之間存在上文所描述的晶格參數匹配的相同程度，其中一金屬基層安置於該金屬氧化物基層與該銀基層之間。
再次參看圖2，在某些實施例中，複合膜10可含有至少一個或甚至至少兩個金屬氧化物基複合層25、26，該等金屬氧化物基複合層各自含有經調適以改良金屬基層及/或銀基層的品質的層101、103。
層101、103可安置於金屬氧化物基複合層25、26內，使得其直接鄰近於且接觸金屬基層30、34。在金屬氧化物基複合層25、26內，其他金屬氧化物層102、104(其他層101、103)可包括(例如)氧化鋁、氧化鈦、氧化鈮、BiO2、PbO或其組合。在極特定實施例中，除層101、103之外，金屬氧化物基複合層25、26還可含有氧化鈦基層102、104。在其他特定實施例中，除層101、103之外，金屬氧化物基複合層25、26還可含有氧化鈮基層102、104，如下文將予以更詳細描述。
當經調適以改良金屬基層及/或銀基層的品質的層101、103存在於金屬氧化物基複合層25、26中時，層101、103可具有低厚度。舉例而言，層101、103可具有不大於50奈米、不大於40奈米、不大於30奈米、不大於20奈米、不 大於10奈米或甚至不大於7奈米的厚度。此外，層101、103可具有為至少1奈米、為至少2奈米或甚至為至少3奈米的厚度。此外，層101、103可具有在上文所提供的最小值及最大值中的任一者的範圍中(諸如，在1至20奈米的範圍中，或甚至在2至10奈米的範圍中)的厚度。此外，在某些實施例中，當層101、103存在於金屬氧化物基複合層25、26中時，層101、103可具有小於金屬氧化物基複合層25、26的剩餘部分的厚度的厚度。舉例而言，當層101、103存在於金屬氧化物基複合層25、26中時，層101、103的厚度對金屬氧化物基複合層102、104的剩餘部分的厚度的比率可小於1，諸如不大於0.8、不大於0.7、不大於0.6、不大於0.5、不大於0.3、不大於0.2或甚至不大於約0.15。此外，當層101、103存在於金屬氧化物基複合層25、26中時，層101、103的厚度對金屬氧化物基複合層102、104的剩餘部分的厚度的比率可為至少0.01、為至少0.05或甚至為至少0.075。
本發明的某些實施例的又一特定優點是金屬氧化物複合物基層25、26、27含有經調適以改良金屬基層及/或銀基層及氧化鈮層的品質的層101、103的組合。如本文中予以更詳細論述，部分地歸因於氧化鈮的較低折射率，氧化鈮的使用尚未受偏愛而勝過氧化鈦的使用。然而，本發明者驚訝地發現，藉由結合具有高沈積速率的層(諸如，氧化鈮)來使用層101、103，複合膜10展現光學性質及太陽能性質方面的顯著及協同改良，同時亦實現生產速度或生產線速度方面的顯著改良，如在以下實例中將予以更詳細說明。
現參看圖3，本發明的某些實施例的又一特定優點是金屬氧化物複合物基層25、26、27含有氧化鈦基層110、111、112及氧化鈮基層113、114、115、116的組合。如本文中予以更詳細論述，部分地歸因於氧化鈮的較低折射率，氧化鈮的使用尚未受偏愛而勝過氧化鈦的使用。然而，本發明者驚訝地發現，藉由結合氧化鈮層來使用氧化鈦層，複合膜可展現光學性質及太陽能性質方面的顯著及協同改良，同時亦實現生產速度或生產線速度方面的顯著改良。在不希望受理論約束的情況下，咸信，藉由使氧化鈦層存在，特定而言直接鄰近於且接觸基板層可提供更好的折射率匹配及因此改良的光學性質，且氧化鈮基層的使用未顯著地阻礙由添加氧化鈦基層所實現的改良。
在併有包括氧化鈦基層110、111、112及氧化鈮基層113、114、115、116的金屬氧化物基複合層25、26、27的此等實施例中，氧化鈦基層110、111、112可具有小於金屬氧化物基複合層25、26、27內的氧化鈮基層113、114、115、116的厚度的厚度。舉例而言，氧化鈮基層113、114、115、116的厚度對氧化鈦基層110、111、112的厚度的比率可大於1，諸如不小於1.5、不小於2或甚至不小於2.5。在另外的實施例中，氧化鈮基層113、114、115、116的厚度對氧化鈦基層110、111、112的厚度的比率可不大於10、不大於6或甚至不大於5。此外，氧化鈮基層113、114、115、116的厚度對氧化鈦基層110、111、112的厚度的比率可在上文所提供的最小值及最大值中的任一者的範圍內(諸如，在1.5至10或 甚至2.5至5的範圍中)。
在甚至更特定實施例中，在包括氧化鈦基層及氧化鈮基層的金屬氧化物基複合層中，氧化鈦基層可具有為至少1奈米、為至少2奈米或甚至為至少3奈米的厚度。在其他實施例中，氧化鈦基層可具有不大於30奈米、不大於20奈米或甚至不大於10奈米的厚度。此外，氧化鈦基層可具有在上文所提供的最小厚度及最大厚度中的任一者的範圍中(諸如，在1至50奈米或甚至3至20奈米的範圍中)的厚度。此外，在包括氧化鈦基層及氧化鈮基層的金屬氧化物基複合層中，氧化鈮層可具有為至少1奈米、為至少5奈米、為至少10奈米或甚至為至少15奈米的厚度。在另外的實施例中，氧化鈮基層可具有不大於70奈米、不大於60奈米、不大於50奈米或甚至不大於40奈米的厚度。此外，氧化鈦基層可具有在上文所提供的最小厚度及最大厚度中的任一者的範圍中(諸如，在5至60奈米或甚至10至50奈米的範圍中)的厚度。
上文所論述的一或多個金屬氧化物基複合層25、26、27中的任一者總共可具有至少約1奈米、至少約2奈米或甚至至少約5奈米的厚度。另外，上文所論述的一或多個金屬氧化物基複合層25、26、27中的任一者可具有不大於約100奈米、不大於約80奈米或甚至不大於約70奈米的厚度。此外，上文所描述的一或多個金屬氧化物基複合層25、26、27中的任一者可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中的厚度(諸如，約1奈米至約100奈米， 或甚至約2奈米至約60奈米)。
在特定實施例中，一或多個金屬氧化物基複合層25、26、27可具有變化的厚度。舉例而言，在一個特定實施例中，安置成比其他金屬氧化物基複合層更接近基板層20的第一金屬氧化物基複合層25可具有小於任何其他金屬氧化物基複合層(諸如，第二金屬氧化物基複合層26或第三金屬氧化物基複合層27)的厚度。在某些實施例中，第二金屬氧化物基層26或第三金屬氧化物基層27的厚度對第一金屬氧化物基層25的厚度的比率可為至少1、為至少1.5、為至少2、為至少2.5、為至少3、為至少4、為至少5或甚至為至少6。
在另外的實施例中，複合膜10可含有至少一個金屬氧化物基複合層26，該至少一個金屬氧化物基複合層可含有多於氧化鈦基層111的氧化鈮基層114、115。
在甚至另外的特定實施例中且如圖3中所說明，氧化鈦層110、112可安置成直接鄰近於基板層20及/或對立基板層(若存在)22。在其他實施例中，氧化鈮層可安置成直接鄰近於基板層及/或對立基板層(若存在)。在又甚至另外的特定實施例中，氧化鈮層113、114、115、116可安置成直接鄰近於一或多個金屬基層30、32、34、36。在其他實施例中，氧化鈦層可安置成直接鄰近於一或多個金屬基層。
可藉由真空沈積技術(例如，藉由濺鍍或蒸鍍或原子層沈積技術)來形成本文中所論述的一或多個個別金屬氧化物基層及因此金屬氧化物基複合層。舉例而言，可使用可旋轉的陶瓷金屬氧化物標靶藉由DC磁控濺鍍來獲得金屬 氧化物基層。此等標靶可具有足夠電導率以在DC磁控濺鍍過程中用作陰極。
總體而言，複合物10(包括安置於基板層與最外層(諸如，對立基板)之間且包括基板層及最外層(諸如，對立基板)的所有層)可具有至少約25微米、至少約50微米、至少約60微米或甚至至少約70微米的總厚度。另外，整個複合物10可具有不大於約300微米、不大於約200微米、不大於約100微米或甚至不大於約85微米的總厚度。此外，整個複合物可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中的總厚度(諸如，約25微米至約300微米，或甚至約50微米至約100微米)。
現將依據複合膜的效能來描述複合膜的特定優點。參數包括可見光透射率、總太陽能濾除、光對太陽能增益比率、可見光反射比、耐磨性等級及生產線速度。
可見光透射率指代透射穿過複合物的可見光譜(380至780奈米)的百分比。可根據ISO 9050來量測可見光透射率。本發明的特定優點是獲得本文中所描述及以下實例中所說明的可見光透射率值(尤其結合本文中所描述的其他參數)的能力。在本發明的實施例中，複合物可具有至少約60%、至少約65%或甚至至少約70%的可見光透射率。另外，複合物可具有不大於100%、不大於95%或甚至不大於90%的可見光透射率。此外，複合物可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中(諸如，在約60%至約100%或甚至約70%至約100%的範圍中)的可見光透射率。
總太陽能濾除是對藉由上釉而被濾除的總能量的量測，其為太陽能直接反射比與朝外面的二級傳熱濾除因子的和，後者是由藉由入射太陽能輻射的已被複合物所吸收的彼部分的對流及長波IR輻射達成的傳熱產生。可根據標準ISO 9050來量測總太陽能濾除。本發明的特定優點是獲得本文中所描述及以下實例中所說明的總太陽能濾除值(尤其結合本文中所描述的其他參數)的能力。在本發明的實施例中，複合物可具有至少約50%、至少約52%、至少約55%或甚至至少約59%的總太陽能濾除。另外，複合物可具有不大於約90%、不大於約80%或甚至不大於約70%的總太陽能濾除。此外，複合物可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中(諸如，在約50%至約90%或甚至約59%至約90%的範圍中)的總太陽能濾除。
光對太陽能熱增益比率指代不同複合物類型在傳輸日光同時阻斷熱增益方面的相對效率的標準規格。比率愈高，則房間愈明亮且不增加過多量的熱。可藉由以下方程式來判定光對太陽能熱增益比率：LSHGR=(VLT)/(1-TSER)其中VLT為上文所判定的可見光透射率。本發明的特定優點是獲得本文中所描述且以下實例中所說明的光對太陽能熱增益比率值(尤其結合本文中所描述的其他參數)的能力。在本發明的實施例中，複合物可具有至少約1.5、至少約1.60、至少約1.70或甚至至少約1.80的光對太陽能增益比率。另外，複合物可具有不大於1.95、不大於1.92或甚至不大於1.90 的光對太陽能增益比率。此外，複合物可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中(諸如，約1.60至約1.95或甚至約1.80至約1.90)的光對太陽能熱增益比率。
可見光反射比是對由膜反射的總可見光的量測。可根據ISO 9050來量測可見光反射比。本發明的特定優點是獲得本文中所描述及以下實例中所說明的可見光反射比值(尤其結合本文中所描述的其他參數)的能力。在本發明的實施例中，複合物可具有至少約0.5%、至少約1%或甚至至少約2%的可見光反射比。另外，複合物可具有不大於約12%、不大於約10%、不大於約8%或甚至不大於約6%的可見光反射比。此外，複合物可具有在上文所描述的最大值及最小值中的任一者的範圍中(諸如，在約0.5%至約12%或甚至約2%至約6%的範圍中)的可見光反射比。
本發明表示與目前工藝水平的偏離。舉例而言，上文所描述的IR反射膜複合膜可結合TSER及VLT來證明協同改良及因此改良的選擇性(亦通稱為光對太陽能熱增益比率(LSHGR))。在本發明的某些實施例中，本發明者驚訝地發現，藉由併有結合金屬氧化物層(諸如，氧化鋅基層)的氧化鈮基介電層，膜複合物驚訝地展現TSER及VLT中的協同增加。在實踐中，使用氧化鈦介電來提供高VLT，然而，氧化鈦的使用受其沈積速率的限制且因此製造起來成本更大。另外，雖然單獨使用氧化鈮亦改良TSER，但與氧化鈦相比其使VLT變小。在不希望受理論約束的情況下，咸信，在銀層下面形成氧化鋅層誘發銀層更好地結晶，從而產生改良 的VLT。接著認識到，氧化鈮層與氧化鋅層的組合協同地改良TSER且改良或維持VLT從而產生相較於已可達成的選擇性而得到顯著改良的選擇性。仍另外，發現，可在不犧牲複合膜的光學性質及太陽能性質的情況下藉由使用高沈積速率材料(諸如，氧化鈮)來改良用以形成複合膜的整體生產線速度。
實例
樣本A含有如圖4中所概述的膜堆疊。此膜堆疊可以商標SOLMOX購得作為LX70且可自SolarGard公司獲得。
樣本B含有圖5中所概述的同一膜堆疊，其與樣本A的膜堆疊的不同之處在於用氧化鈮層代替氧化鈦層。樣本C含有圖6中所概述的同一膜堆疊，其與樣本A的膜堆疊的不同之處在於用AZO層代替氧化鈦層。
樣本D含有圖7中所概述的同一膜堆疊，其與樣本A的膜堆疊的不同之處在於用包括氧化鈮層及AZO層的金屬氧化物基複合層代替二氧化鈦層。
樣本E含有圖8中所概述的同一膜堆疊，其與樣本A的膜堆疊的不同之處在於用包括氧化鈦層及AZO層的金屬氧化物基複合層代替二氧化鈦層。
樣本F含有圖9中所概述的膜堆疊，其與樣本A的膜堆疊的不同之處在於用包括氧化鈦層及氧化鈮層的金屬氧化物基複合層代替二氧化鈦層。
樣本G含有圖10中所概述的膜堆疊，其與樣本F的膜堆疊的不同之處在於氧化鈦層及氧化鈮層的次序被交換。
對於該等膜中的每一者而言，藉由用氧化物材料的陶瓷旋轉標靶進行捲軸式(R2R)磁控沈積來沈積該等層。少量氧對調整TiOx及Nb2Ox的透明度是必要的。
接著針對在太陽能膜的上下文中的性質來測試該等樣本，且下文在表1中報導結果。
許多不同態樣及實施例是可能的。下文描述彼等態樣及實施例中的一些。在閱讀本說明書之後，熟習此項技術者將瞭解，彼等態樣及實施例僅為說明性的且不限制本發明的範疇。實施例可根據如下文所列舉的項目中的任何一或 多者。
項目1。一種包含金屬氧化物基複合層的複合膜，該金屬氧化物基複合層包含氧化鈮層及經調適以改良金屬基層的均一性的金屬氧化物層，且其中該複合膜包含銀基層，其中該複合膜具有至少65%的可見光透射率。
項目2。一種包含金屬氧化物基複合層的複合膜，其中該金屬氧化物基複合層包含不同金屬氧化物的至少兩個相異層。
項目3。一種複合膜，其包含：a.包含聚合物的透明基板層；b.一或多個金屬基層；c.一或多個銀基層；d.一或多個金屬氧化物基複合層，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含不同金屬氧化物的至少兩個相異層；且其中該複合膜具有至少65%的可見光透射率。
項目4。一種複合膜，其具有不大於二的銀基層、大於55%的總太陽能濾除(TSER)及至少70%的可見光透射率(VLT)。
項目5。一種複合膜，其具有不大於二的銀基層及至少1.6的光對太陽能熱增益比率。
項目6。一種包含金屬氧化物基層的複合膜，該金屬氧化物基層在單一旋轉陶瓷標靶上具有大於1.5nm.m2.min-1.kW-1的濺鍍沈積速率，且其中該複合膜具有至少1.6的光對太陽能熱增益比率。
項目7。一種複合膜，其包含：a.基板層；b.金屬氧化物基複合層，其包含至少第一金屬氧化物基層及第二金屬氧化物基層；及c.鄰近於該第二金屬氧化物基層的金屬基層；及d.鄰近於該金屬基層的銀基層，其中該第二金屬氧化物基層包含具有晶格參數a 1的金屬氧化物，且其中該金屬基層包含具有晶格參數a 2的金屬，或其中該銀基層包含具有晶格參數a 2的銀基化合物，且其中a 1及a 2滿足以下公式：([sqrt(2)/2]* a 2)/a 1=x，其中x表示不小於0.65的值。
項目8。一種形成複合膜的方法，其包含：a.提供包含聚合物的透明基板層；b.藉由濺鍍來形成一或多個金屬氧化物基層；c.形成一或多個金屬基層；d.形成一或多個銀基層；e.其中，藉由濺鍍來形成該一或多個金屬氧化物基層在單一旋轉陶瓷標靶上具有大於1.5nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率。
項目9。如前述項目中任一項的複合物或方法，其包含一包含聚合物的透明基板層。
項目10。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該透明基板層包含聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯、纖維 素三乙酸酯(TCA或TAC)、聚胺基甲酸酯或其組合。
項目11。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該透明基板層包含聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)。
項目12。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該透明基板層具有至少約0.1微米、至少約1微米或甚至至少約10微米的厚度；具有不大於約1000微米、不大於約500微米、不大於約100微米或甚至不大於約50微米的厚度；或具有在約0.1微米至約1000微米的範圍中或甚至在約10微米至約50微米的範圍中的厚度。
項目13。如前述項目中任一項的複合物或方法，其進一步包含一透明對立基板。
項目14。如前述項目中任一項的複合物或方法，其進一步包含作為該複合物的最外層的對立基板，使得至少該一或多個銀基層、該一或多個金屬氧化物基層及該一或多個銀基層被包夾於該基板層與該對立基板層之間。
項目15。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該透明對立基板層包含聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯、纖維素三乙酸酯(TCA或TAC)、聚胺基甲酸酯或其組合。
項目16。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該透明對立基板層包含聚對苯二甲酸伸乙酯(PET)。
項目17。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該透明基板層具有至少約0.1微米、至少約1微米或甚至至少約10微米的厚度；具有不大於約1000微米、不大於約500微米、不大於約100微米或甚至不大於約50微米的厚度；或 具有在約0.1微米至約1000微米的範圍中或甚至在約10微米至約50微米的範圍中的厚度。
項目18。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一或多個金屬基層。
項目19。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含第一金屬基層及第二金屬基層，且其中該第一金屬基層及該第二金屬基層直接接觸該一或多個銀基層中的一者。
項目20。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含第一銀基層、第二銀基層、第三金屬基層及第四金屬基層，且其中該第三金屬基層及該第四金屬基層直接接觸該第二銀基層。
項目21。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬基層基本上由金屬組成。
項目22。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬基層包含基本上純金屬或金屬合金。
項目23。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬基層包含選自由以下各者組成的群的金屬：金、鈦、鋁、鉑、鈀、銅、銦、鋅及其組合。
項目24。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬基層具有至少約0.1奈米的厚度，其中包含金屬的層具有不大於約50奈米、不大於約5奈米、不大於約2奈米或甚至不大於約1奈米的厚度，或其中包含金屬的層具有在約0.1奈米至約50奈米的範圍中或甚至在約0.1奈 米至約2奈米的範圍中的厚度。
項目25。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一或多個銀基層。
項目26。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個銀基層包含第一銀基層及第二銀基層。
項目27。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個銀基層由第一銀基層及第二銀基層組成。
項目28。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個銀基層由兩個分離且相異的銀基層組成。
項目29。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個銀基層基本上由銀組成。
項目30。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個銀基層具有至少約0.5奈米或甚至至少約1奈米的厚度；具有不大於約100奈米、不大於約50奈米、不大於約25奈米或甚至不大於約20奈米的厚度；或具有在約0.5奈米至約100奈米的範圍中或甚至在約1奈米至約20奈米的範圍中的厚度。
項目31。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中所有該一或多個銀基層的組合厚度為至少約0.1奈米、至少約1奈米或甚至至少約2奈米；不大於約200奈米、不大於約100奈米、不大於約50奈米或甚至不大於約40奈米、不大於約30奈米或甚至不大於約25奈米的厚度；或在約0.1奈米至約100奈米的範圍中或甚至在約2奈米至約25奈米的範圍中的厚度。
項目32。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一或多個金屬氧化物基複合層。
項目33。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該金屬氧化物基複合層包含不同金屬氧化物的至少兩個相異層。
項目34。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該金屬氧化物基複合層包含不同金屬氧化物的至少三個相異層。
項目35。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層中的至少一者直接接觸金屬基層。
項目36。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基層中的至少一者直接接觸基板層。
項目37。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含第一金屬氧化物基複合層及第二金屬氧化物基複合層。
項目38。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含第一金屬氧化物基複合層、第二金屬氧化物基複合層及第三金屬氧化物基複合層。
項目39。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含金屬氧化物基層，該金屬氧化物基層包含氧化鋁、氧化鈦、BiO2、PbO、氧化鈮、氧化鋅、氧化錳、氧化鉬或其組合。
項目40。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含一包含氧化鈮的金屬氧化物層。
項目41。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含一包含氧化鋅的金屬氧化物層。
項目42。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一或多個氧化鋅基層，該一或多個氧化鋅基層包含AZO。
項目43。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含在該同一金屬氧化物基複合層中的包含氧化鈮的金屬氧化物層及包含氧化鋅的金屬氧化物層。
項目44。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含在該同一金屬氧化物基複合層中的包含氧化鈦的金屬氧化物層及包含氧化鋅的金屬氧化物層。
項目45。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含在該同一金屬氧化物基複合層中的包含氧化鈮的金屬氧化物層及包含氧化鈦的金屬氧化物層。
項目46。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含在該同一金屬氧化物基複合層中的包含氧化鈮的金屬氧化物層及包含氧化鈦的 金屬氧化物層，且其中在該同一金屬氧化物基複合層中該氧化鈦層的厚度小於該氧化鈮層的厚度。
項目47。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含在該同一金屬氧化物基複合層中的包含氧化鋅的金屬氧化物層及包含氧化鈦或氧化鈮的金屬氧化物層，且其中在該同一金屬氧化物基複合層中該氧化鋅層的厚度小於該氧化鈮或氧化鈦層的厚度。
項目48。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層具有至少約0.5奈米、至少約1奈米、至少約2奈米或甚至至少約20奈米的厚度；具有不大於約100奈米、不大於約50奈米、不大於約20奈米或甚至不大於約10奈米的厚度；或具有在約0.5奈米至約100奈米的範圍中、在約2奈米至50奈米的範圍中或甚至在約20奈米至100奈米的範圍中的厚度。
項目49。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含用於每一銀基層的氧化鋅基層。
項目50。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含不多於二的氧化鋅基層。
項目51。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含安置成鄰近於金屬基層的一或多個氧化鋅基層。
項目52。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含安置成鄰近於基板層的氧化鈦基層。
項目53。如前述項目中任一項的複合物或方法， 其中該複合物包含安置成鄰近於金屬基層的氧化鈦基層。
項目54。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一或多個氧化鋅基層，該一或多個氧化鋅基層具有至少0.1nm、至少0.5nm或至少1nm的厚度；具有不大於100nm、不大於50nm、不大於20nm或甚至不大於10nm的厚度；或具有在0.1nm至100nm、0.5nm至50nm或甚至1nm至10nm的範圍中的厚度。
項目55。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物具有至少約60%、至少約65%或甚至至少約70%的可見光透射率。
項目56。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物具有不大於100%、不大於95%或甚至不大於90%的可見光透射率。
項目57。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物的總太陽能濾除為至少50%、至少約52%、至少約55%、大於約55%、至少約56%、至少約57%、至少約58%、至少約59%或甚至至少約60%。
項目58。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物的總太陽能濾除為不大於90%、不大於80%或甚至不大於70%。
項目59。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物具有至少約1.60、大於約1.60、至少約1.61、至少約1.62、至少約1.63、至少約1.64、至少約1.65、至少約1.66、至少約1.67、至少約1.68、至少約1.69或甚至至少 約1.70的光對太陽能增益比率。
項目60。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物具有不大於1.95、不大於1.92或甚至不大於1.90的光對太陽能增益比率。
項目61。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物具有至少0.5%、至少1%或甚至至少2%的可見光反射比。
項目62。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物具有不大於12%、不大於10%、不大於8%或甚至不大於6%的可見光反射比。
項目63。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一包含至少第一金屬氧化物基層及第二金屬氧化物基層的金屬氧化物基複合層，且其中該複合物進一步包含鄰近於該第二金屬氧化物基層的金屬層，且其中該第二金屬氧化物基層包含具有晶格參數a 1的金屬氧化物；且其中該金屬基層包含具有晶格參數a 2的金屬，或其中該銀基層包含具有晶格參數a 2的銀基化合物；且其中a 1及a 2滿足以下公式：([sqrt(2)/2]* a 2)/a 1=x，其中x表示不小於0.70、不小於0.75、不小於0.80、不小於0.82、不小於0.84或不小於0.86的值。
項目64。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一包含至少第一金屬氧化物基層及第二金屬氧化物基層的金屬氧化物基複合層，且其中該複合物進一 步包含鄰近於該第二金屬氧化物基層的金屬層，且其中該第二金屬氧化物基層包含具有晶格參數a 1的金屬氧化物；且其中該金屬基層包含具有晶格參數a 2的金屬，或其中該銀基層包含具有晶格參數a 2的銀基化合物；且其中a 1及a 2滿足以下公式：([sqrt(2)/2]* a 2)/a 1=x，其中x表示不大於1.5、不大於1.4、不大於1.3、不大於1.2、不大於1.1或不大於1.0的值。
項目65。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一包含至少第一金屬氧化物基層及第二金屬氧化物基層的金屬氧化物基複合層，且其中該複合物進一步包含鄰近於該第二金屬氧化物基層的金屬層，且其中該第二金屬氧化物基層包含具有晶格參數a 1的金屬氧化物；且其中該金屬基層包含具有晶格參數a 2的金屬，或其中該銀基層包含具有晶格參數a 2的銀基化合物；且其中a 1及a 2滿足以下公式：([sqrt(2)/2]* a 2)/a 1=x，其中x表示在0.75至1.4、0.84至1.2或0.86至1.0的範圍中的值。
項目66。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物包含一包含至少第一金屬氧化物基層及第二金屬氧化物基層的金屬氧化物基複合層，且其中該複合物進一步包含鄰近於該第二金屬氧化物基層的金屬層，且其中該第二金屬氧化物基層基本上不含氧化鈦。
項目67。如前述項目中任一項的方法，其中形成該一或多個金屬基層、該一或多個銀基層及/或該一或多個金屬氧化物基層包含濺鍍過程。
項目68。如前述項目中任一項的方法，其中形成該一或多個金屬氧化物基層包含濺鍍過程，且其中至少一個金屬氧化物基層是以在單一旋轉陶瓷標靶上大於1.5nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率而形成。
項目69。如前述項目中任一項的方法，其中形成該一或多個金屬氧化物基層包含濺鍍過程，且其中至少一個金屬氧化物基層是以在單一旋轉陶瓷標靶上大於3nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率而形成。
項目70。如前述項目中任一項的方法，其中形成該一或多個金屬氧化物基層包含濺鍍過程，且其中至少一個金屬氧化物基層是以在1.5nm.m2.min-1.kW-1至10nm.m2.min-1.kW-1的範圍中的沈積速率而形成。
項目71。如前述項目中任一項的複合物或方法，其中該複合物為自立式的，且其中該複合物經調適以黏附至透明材料。
項目72。一種窗，其包含透明面板及黏附至該透明面板的如前述項目中任一項的複合物。
項目73。一種架構構件或汽車構件，其包含透明面板及黏附至該透明面板的如前述項目中任一項的複合物。
應注意，不需要上文在一般描述或實例中所描述的所有活動，可不需要特定活動的一部分，及可執行除所描 述的彼等活動之外的一或多個另外活動。仍另外，列舉活動的次序未必為執行活動的次序。
上文已關於特定實施例描述了益處、其他優點及問題的解決方法。然而，益處、優點、問題的解決方法及可致使任何益處、優點或解決方法發生或變得更顯著的任何特徵將不解釋為任何或所有申請專利範圍的關鍵、所需或基本特徵。
本文中所描述的實施例的規範及說明意欲提供對各種實施例的結構的一般理解。規範及說明並不意欲充當使用本文中所描述的結構或方法的裝置及系統的所有元件及特徵的詳盡及全面描述。亦可在單一實施例中組合地提供分離的實施例，且相反地，亦可分開地或以任何子組合來提供出於簡潔性而在單一實施例的上下文中所描述的各種特徵。另外，對範圍中所陳述的值的參考包括在彼範圍內的每一值。僅在閱讀此說明書之後，許多其他實施例才可為熟習此項技術者所顯而易見。可使用其他實施例且其他實施例可得自本發明，使得在不脫離本發明的範疇的情況下可作出結構代替、邏輯代替或另一改變。因此，本發明將被視為說明性的而非限制性的。
10‧‧‧複合膜
20‧‧‧基板層
22‧‧‧對立基板層
25‧‧‧金屬氧化物基複合層
26‧‧‧金屬氧化物基複合層
27‧‧‧金屬氧化物基複合層
30‧‧‧金屬基層
32‧‧‧金屬基層
34‧‧‧金屬基層
36‧‧‧金屬基層
40‧‧‧銀基層
42‧‧‧銀基層

Claims (11)

  1. 一種複合膜，其包含金屬氧化物基複合層、銀基層及安置於該金屬氧化物基複合層及該銀基層之間的金屬基層，其中該金屬氧化物基複合層包含氧化鈮層及金屬氧化物層，且其中該複合膜具有至少65%的可見光透射率。
  2. 一種複合膜，其包含：a. 包含聚合物的透明基板層；b. 一或多個金屬基層；c. 一或多個銀基層；及d. 一或多個金屬氧化物基複合層，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含不同金屬氧化物的至少兩個相異層；其中該複合膜具有至少65%的可見光透射率。
  3. 如申請專利範圍第1項的複合膜，其中該複合膜包含第一金屬基層及第二金屬基層，且其中該第一金屬基層及該第二金屬基層直接接觸該一或多個銀基層中的一者。
  4. 如申請專利範圍第1項的複合膜，其中該複合膜包含第一銀基層、第二銀基層、第三金屬基層及第四金屬基層，且其中該第三金屬基層及該第四金屬基層直接接觸該第二銀基層。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項的複合膜，其中該複合膜包含一或多個氧化鋅基層，該一或多個氧化鋅基層包含AZO。
  6. 如申請專利範圍第1項或第2項的複合膜，其中該複合膜包含用於每一銀基層的氧化鋅基層。
  7. 一種形成複合膜的方法，其包含： a. 提供包含聚合物的透明基板層；b. 藉由濺鍍來形成一或多個金屬氧化物基複合層；c. 形成一或多個金屬基層；d. 形成一或多個銀基層；e. 其中，藉由濺鍍來形成該一或多個金屬氧化物基複合層，該一或多個金屬氧化物基複合層在單一旋轉陶瓷標靶上具有大於1.5nm.m2.min-1.kW-1的沈積速率。
  8. 如申請專利範圍第7項的方法，其中該複合膜包含一或多個氧化鋅基層，該一或多個氧化鋅基層包含AZO。
  9. 如申請專利範圍第7項的方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含在該同一金屬氧化物基複合層中的包含氧化鈮的金屬氧化物層及包含氧化鋅的金屬氧化物層。
  10. 如申請專利範圍第7項的方法，其中該一或多個金屬氧化物基複合層包含在該同一金屬氧化物基複合層中的包含氧化鈦的金屬氧化物層及包含氧化鋅的金屬氧化物層。
  11. 如申請專利範圍第7項的方法，其中該複合膜包含用於每一銀基層的氧化鋅基層。
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