KR0149465B1 - 박막 자기 기록 헤드의 제조방법 - Google Patents

박막 자기 기록 헤드의 제조방법 Download PDF

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윌리암 티. 엘리스
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Abstract

박막 자기 기록 헤드 및 그 제조방법은 평평한 공기 베어링 표면(ABS)과 제로 스로트 레벨 사이의 폴팁 영역 및 제로 스로트 레벨로부터 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 구비한 기록 헤드를 제공하는 것이다. 또 기록 헤드는 상하부 자기폴을 포함하는 요크부를 갖는다. 각 폴은 폴팁 영역의 폴팁 구조체와 백 영역의 배면부를 구비한다. 하부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를, 상부 폴의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT2a, PT2b)를 갖는다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b)는 폴팁 소자(PT1a, PT2a) 사이에, 갭층(G)은 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 사이에 위치한다. 각각의 폴팁 소자(PT1b, PT2b)와 갭층(G)은 전방벽 및 후방벽과 제1 및 제2측벽에 의해 제한된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 제2측벽은 서로 정렬된다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 전방벽은 ABS의 일부를 형성하는 공통면에 위치한다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 후방벽은 제로 스로트 레벨을 형성하는 공통면에 위치한다. 제로 스로트 레벨의 공통면은 ABS의 공통면에 거의 평행하다.

Description

박막 자기 기록 해드의 제조방법
제1도는 본 발명에 따른 박막 기록 헤드(a thin film write head)를 포함하는, 축척이 일정하지 않은 자기 디스크 드라이브(a magnetic disk drive)의 개략도.
제2도는 자기 디스크의 트랙 상에 위치된 박막 기록 헤드의 폴팁의 주요부(the critical portion of the pole tip)를 도시하는 개략도.
제3도는 판독 헤드층의 상부에 장착되어 있는 기록 헤드층을 구비한 병합형 박막 헤드의 등각도.
제4도는 제3도의 기록 헤드의 평면도.
제5도는 ABS(Air Bearing Surface)면에 수직하게 기록 헤드를 관통하는, 축척이 일정하지 않은 개략 단면도.
제6도는 제5도의 기록 헤드를 약간 수정한 제2실시예로서 병합형 헤드의 주요 소자의 ABS 개략도.
제7a도는 제7bB도 및 제8도 내지 제29도는 박막 자기 기록 헤드의 제조 단계에 따른 일련의 개략도.
제30도는 수정된 병합형 MR 헤드를 관통하는 측단면도.
제31도는 제30도의 수정된 헤드의 ABS 도면.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
40 : 자기 디스크 드라이브 44 : 자기 디스크
46 : 모터 48 : 슬라이더
50 : 판독 헤드 52 : 기록 헤드
54 : ABS 64 : 트랙상의 비트
68,70 : 갭층 74 : 차폐층
80,81,82,83 : 자기층 96,98 : 공통면
100,102 : 축선 112 : 커버층
114,116 : 리드
[발명의 배경]
[발명의 분야]
본 발명은 양호한 폴팁 구조체(a well defined pole tip structure)를 구비한 자기 병합형 박막 기록 헤드(a thin film magnetic merged write head)의 제조방법에 관한 것이다.
[종래의 기술]
자기 디스크 드라이브(a magnetic disk drive)에 있어서, 데이타는 디스크의 고속 회전시 디스크 상에 위치되어 있는 헤드라고 하는 자기 변환기(magnetic transducers)를 통해 기록 및 판독된다. 자기 헤드는 디스크의 고속 회전으로 발생된 공기(공기 베어링 층)의 얇은 쿠션에 의해 디스크의 표면상에 지지되어 있다. 디스크의 단위면적당 데이타의 저장량(면밀도)을 증가시키기 위해서는 더 많은 데이타가 디스크 표면의 좁은 트랙내에 기록되어야 한다. 따라서, 자기 기록(magnetic recording)의 면밀도는 데이타를 기록할 수 있는 디스크 상의 트랙수를 증가시킴으로써 향상될 수 있는데, 이와 관련된 표현으로 인치당 트랙수(tracks per inch) 또는 TPI라는 것이 있다. 기록 헤드의 TPI 용량은 데이타 트랙의 폭을 결정하는 헤드의 크기를 줄임으로써 증가되는데, 통상 이 크기를 헤드의 트랙 폭이라고 한다.
자기 기록 기술에 있어서, 박막 자기 헤드가 그의 고해상도 및 고 면밀도(high resolution and high areal density)를 성취하는데 필요하다. 박막의 자기 헤드는 제작하기도 용이하다. 여러가지 박막 제작기술을 통해 박막의 자기 헤드는 세라믹 기판상에 한 묶음 단위(in batches)로 제조되고 개별 헤드로 절단 분리된다.
박막 기록 헤드는 자기 재료의 박막(층)으로 형성되는 한 쌍의 폴부(a pair of pole pieces)를 포함한다. 이들 층은 폴층(pole layers)이라고 한다. 폴층은 보통 스로트 높이(throat height)라고 하는 단위의 높이를 갖는 폴팁(a pole tip height dimension)을 구비한다. 완성된 기록 헤드의 경우에는 스로트 높이가 폴층의 팁(폴팁)을 랩핑 및 폴리싱(lapping and polishing) 함으로써 형성되는 공기 베어링 표면(ABS:Air Bearing Surface)과 제로 스로트 높이 레벨(제로 스로트 레벨) 사이에서 관측되며, 제1폴층(P1) 및 제2폴층(P2)은 제로 스로트 높이 레벨의 자기 기록 갭(the magnetic recording gap)에서 집중현상을 보인다.
박막의 자기 기록 헤드는 ABS 및 제로 스로트 레벨 사이에 위치되어 있는 폴팁 영역(a pole tip region)과 제로 스로트 레벨에서 뒤로 연장되며 백갭(a back gap)을 포함하는 백 영역(a back region)을 구비하고 있다. 기록 헤드는 상하부 폴층을 구비하는 요크부(a yoke)를 포함하며, 각 폴층은 폴팁 영역의 폴팁부 및 백 영역의 배면부(a back portion)를 구비하고 있다. 폴층은 백갭에서 서로 접속된다.
기록 헤드를 제작하는데 있어서 중요한 점은 면밀도를 최대화하도록 폴팁을 정확히 형성하는 것이다. 공지된 바와 같이, 면밀도는 밀리미터 단위의 트랙길이당 자속 반전의 수(the number of flux reversal)에 의해 부분적으로 결정되며 폴팁 사이의 갭의 길이(갭 길이)에 영향을 받는다. 트랙내의 비트 밀도는 갭 길이가 감소함에 따라 증가하게 된다. 갭 길이의 단축은 폴팁 사이의 자속 강도의 감소에 의해 제한된다. 비트 밀도 및 자속 강도를 최적화하는 갭 길이의 하한은 약 0.2 미크론이다. 따라서, 갭 길이를 0.2 미크론 이하로 줄이려는 노력 대신에 기록 헤드의 트랙 폭을 줄이려는 노력이 가해지고 있는데, 이는 ABS에서 폴팁을 형성하는 박막층의 폭에 의해 결정된다.
폴팁은 기록 헤드의 상하부 폴층(P1 과 P2 각각)의 확장부이다. 하부 폴층도 폴팁 영역의 폴팁으로, 상부 폴층도 폴팁 영역의 폴팁으로 이행한다. 이들 폴팁은 절연 재료의 박층인 갭(G)에 의해 분리된다. 상부층(P2)의 폴팁은 자기매체(a magnetic medium) 쪽으로 자속을 유도하는 최종 소자이다. 따라서, 그 폭은 하부 폴층(P1) 상의 폭팁의 폭보다 더 중요하다. 그러나, 이들 폴팁은 서로간의 자속 누석(flux leakage)을 최소화하기 위해 같은 폭을 갖는 것이 바람직하다.
종래 기술에서는 2 미크론 이하의 폭의 팁을 갖는 폴층을 제조하는 것이 어려웠다. 이는 통상적으로 코일 구조체, 하나 이상의 절연층 및 상부 폴층의 배치후에 폴팁 영역에 있는 상부 폴층의 폭이 정해지기 때문이다. 종래기술의 경우, 상부 폴층(P2)의 폴팁의 폭은 상부 폴층 위에 두꺼운 포토레지스트 마스크(a thick photoresist mask)를 형성하고 폴팁 영역에서 폭 형태를 에칭함으로써 정해진다. 이 레지스트층의 두께는 20 미크론 이상이 됨으로써 상부 폴층을 이온 충격으로부터 보호하게 된다. 레지스트 층이 두꺼우면, 상기 층은 포토레지스트 마스크에 의해 뚜렷하게 형성될 수 없다. 이는 곧 연속적인 에칭 단계가 2 미크론 이하의 폭을 갖는 폴팁을 만들 수 없음을 의미한다.
박막 기록 헤드를 제조하는데 있어서의 다른 문제점은 제로 스로트 레벨의 위치를 정확히 지정하기가 어렵다는 것이다. 제로 스로트 레벨은 기록 헤드의 폴팁 영역이 기록 헤드의 백 영역으로 이행하는 지점이다. 백 영역은 절연층 사이에 끼인 코일 구조체를 포함하는데, 이 절연층은 상하부 폴층 사이에 끼여있다. 이 제로 스로트 레벨에서 상부 폴층 및 상부 절연층을 정면 형태로 양호하게 유지하기가 어렵기 때문에, 제로 스로트 레벨은 양호하지가 않다. 제로 스로트 레벨은 ABS면에 평행한 양호한 평면에 형성하는 것이 요망된다. 폴팁 및 갭층은 ABS에 평행한 공통면에 위치한 백 표면(back surfaces)을 구비해야 한다. 이것은 상부 폴층에서 폴팁의 배면부 쪽으로 자속이 누설되는 것을 방지한다.
종래기술의 또 다른 문제점은 제조시 기록 헤드 구조체를 평탄화시키는 사항이다. 제조시, 코일 구조체를 사이에 끼우는 절연층은 폴팁 영역으로 흘러들어간다. 이 결과로 상부 폴층이 증착되기 전에 백 영역에서 높은 토포그래파(a high topography)를 갖게 된다. 평탄화는 상부 폴층의 두께 및 그 효율성을 조절하는데 중요한 사항이다.
[발명의 개요]
본 발명은 공기 베어링 표면에 폭이 좁은 폴팁 구조체를, 그리고 폴팁 구조체의 배면에 양호한 제로 스로트 레벨을 구비하는 박막 자기 헤드의 제조방법을 제공한다. 이러한 자기 헤드는 상부 폴층의 증착 이전에 폴팁 구조체를 형성함으로써 완성된다. 처음에, 하부 폴층 또는 충돌, 갭층 및 상부 폴에 대한 하단층이 형성된다. 이 시점에서 부분 완성된 헤드는 계속 평면으로 유지된다. 그리고, 5 내지 10 미크론의 두께를 갖는 포토레지스트 마스크가 형성된다. 이로 인해 포토레지스트 마스크는 폴팁에 대해 1미크론이하의 두께를 갖는 트랙 폭을 형성하게 된다. 두꺼운 레지스트 층은 상부 폴층(P2)이 아직 증착되지 않았기 때문에 필요하지 않다. 그후 폴팁 구조체는 이온 비임 밀링(ion beam milling) 같은 에칭 공정으로 형성된다. 이는 ABS로부터 제로 스로트 레벨까지 매우 좁은 트랙 폭을 갖는 상하부 폴팁을 형성하게 한다. 갭층의 대향 폴팁이 대칭적으로 제조됨으로써 아무런 누설없이 자속이 양호하게 전달될 수 있다. 또한, 이온 밀링은 평평한 제로 스로트 레벨을 형성하는데, 이는 ABS면에 거의 평행하다. 이러한 제로 스로트 레벨의 구성은 상부 폴층(P2:제조후 증착)과 폴팁 사이의 자속 누설을 최소화 한다. 게다가, ABS로부터 제로 스로트 레벨까지의 높이가 정확하게 정해질 수 있게 된다.
또한, 헤드의 배면 구조체가 이온 밀링으로 제로 스로트 레벨과 백갭 사이에 형성됨으로써, 하부 폴층(P1) 아래 또는 내부에 웰(a well)이 제공된다. 이 웰은 제로 스로트 레벨과 백갭 사이에 형성되며 제1절연층, 코일층 및 계속되는 절연층을 거의 평탄화 하도록 작용한다. 상부 절연층은 폴층(P2)에 대한 폴팁의 상부보다 약간 높게 제조되어서 평탄화를 향상시키도록 랩핑할 수 있게 한다. 그후 상부 폴층(P2)이 증착된다. ABS에서 상부 폴층(P2)의 정면은 면적을 크게 가질 수 있는데, 이는 갭으로부터 상부 폴팁 만큼 떨어져 있기 때문이다. 마찬가지로, 하부 폴층도 갭으로부터 하부 폴팁만큼 떨어진 큰 면적을 ABS에서 가질 수 있다. 실제로, 이러한 구성에서는 좁은 트랙 폭을 형성하도록 아주 좁은 폴팁을 갖는 등각의 폴팁 구조체(a conformal pole tip structure)와 아무런 누설없이 자속 전이를 최대화하기 위해 비교적 큰 폴층이 제공된다. 상하부 폴팁은 정렬되어서 자속 누설을 방지한다. 제조시 평탄화 구조체가 제공되기 때문에 피복층의 두께는 종래기술의 허용치보다 실제로 작아질 수 있다.
본 발명의 목적은 양호한 미크론 이하의 트랙 폭을 갖는 자기 기록 헤드를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 ABS에서 양호한 폴팁 소자를 구비하고, ABS면에 거의 평행한 평면에 정확하게 배치된 양호한 제로 스로트 레벨을 구비하는 자기 헤드를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 ABS의 폴팁 사이 및 제로 스로트 레벨의 상하부 폴층 사이에서 자속 누설이 거의 없는 자기 기록 헤드를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 평탄화된 상부 폴층을 구비하는 자기 기록 헤드를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 상하부 폴층의 재료와는 다른 재료로 이루어진 폴팁을 구비하는 자기 기록 헤드를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 상기 목적들중 임의의 하나 또는 그들의 조합을 만족하는 자기 판독/기록 헤드(병합형 헤드)를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 상기 목적들중 하나 이상을 만족하는 기록 및 판독/기록 헤드를 포함하는 드라이브를 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 상기 목적들중 임의의 하나 또는 그들의 조합을 만족하는 기록 및 판독/기록 헤드의 제조방법을 제공하는 것이다.
또 다른 목적은 후술되는 상세한 설명을 통해 명백하게 된다.
[양호한 실시예의 설명]
유사 도면상의 유사 부분은 동일한 참조부호를 사용한다. 제1도에는 회전 자기 디스크(44)를 포함하는 자기 디스크 드라이브(40)가 도시되어 있다. 디스크(44)는 모터(46)에 의해 회전되며 모터는 드라이브 제어 소스(a drive control source:도시되지 않음)로부터의 제어 신호에 반응한다. 자기 디스크(44)의 회전시 슬라이더(48)에 장착되어 있는 병합형 헤드(a merged head)는 공기 베어링 층에 의해 자기 디스크(44)의 표면에 떠있는 상태로 지지된다. 병합형 헤드는 판독 헤드(50) 및 기록 헤드(52)를 포함하고 있다. 슬라이더(48)와 병합형 헤드(50, 52)의 하면은 공기 베어링 표면(54; the air bearing surface(ABS))의 평면상에 존재한다. ABS(54)는 자기 디스크(44)의 회전시 자기 디스크의 표면으로부터 거리 d만큼 이격 위치된다. 슬라이더(48)는 헤드 버팀대 조립체(56; a head suspension assembly)에 접속되며, 이 조립체는 드라이브의 전자 장치(59)와 헤드 사이에서 판독/기록 신호를 전송하는 수단을 포함한다. 드라이브의 상기 구성요소들은 드라이브 하우징(58; a drive housing) 내에 설치되어 있다.
기록 헤드의 필수 구성요소는 회전 자기 디스크의 트랙(62)과의 동작관계를 나타내는 제2도에서 참조부호(60)로 개략적으로 도시되어 있다. 기록 헤드에 의해 트랙 상에 유도된 비트를 표시하는 자속반전은 참조부호(64)로 개략적으로 도시되어 있다. 트랙의 밀리미터 길이당 자속반전 횟수는 기록 헤드의 선밀도 또는 비트 밀도의 측정 단위(a measure of the linear or bit density)이다. 기록 헤드의 갭의 길이가 감소하면 비트 밀도는 증가한다. 지금까지의 최적화 비트 밀도는 약 0.1 내지 0.4 미크론의 갭 길이로 얻을 수 있었다. 갭 길이가 상기 수치 이하로 떨어지면, 폴팁 사이의 지속 밀도는 적정 기록을 행하기에 부족하게 된다. 또 하나의 중요한 측정 단위로서 기록 헤드(60)의 TPI라는 것이 있다. 기록 헤드 폴팁 소자의 폭이 좁으면 좁을수록 TPI는 증가하게 된다. 따라서, 본 발명의 주요 목적중의 하나는 1 미크론 이하의 폭을 가지면서 약 0.2 내지 0.3 미크론의 최적화 갭 길이를 유지하는 기록 헤드용 폴팁 소자를 제공하는 것이다.
제3도는 판독 헤드와 기록 헤드를 포함하는 병합형 헤드의 일부를 도시하고 있다. 참조부호 50은 판독 헤드이고 52는 기록 헤드이다. 병합형 헤드는 슬라이더(48) 상에 형성되어 있다. 제4도 및 제5도는 기록 헤드(52)에 대한 부가의 상세 사항을 도시한다. 제6도는 일부 개조된 본 발명에 따른 기록 헤드(52a)의 실시예의 ABS 게략도이다. 실시예(52a)는 또한 병합형 MR 헤드를 제공하도록 MR 판독 헤드와 결합되어 있다.
제3도 및 제6도에 도시된 바와 같이, 판독 헤드(50)는 제1 및 제2갭층(68, 70) 사이에 끼워지는 자기성 전기 저항소자(66; a magnetoresistive element)를 포함하며, 갭층은 다시 제1 및 제2 차폐층(72, 74; first and second shield layers) 사이에 끼워져 있다. 병합형 헤드 구성에서는 보다 상세히 후술되는 바와 같이 판독 헤드의 제2차폐층(74)이 기록 헤드를 위한 하부 폴층의 역할을 하는 것이 요구된다.
제5도에 도시된 바와 같이, 기록 헤드(52)는 공기 베어링 표면(ABS) 및 제로 스로트 레벨 사이에 위치하는 폴팁영역(75)과 제로 스로트 레벨로부터 뒤로 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 구비하고 있다. 요크부는 하부 폴(P1) 및 상부 폴(P2)을 포함하도록 형성되어 있다. 하부 폴은 하부 자기층(80)을, 상부 폴은 상부 자기층(81)을 포함하고 있다. 각 폴(P1, P2)은 또한 백 영역에 위치되는 배면층부를 가지며 이들 폴의 배면층부는 백갭( BG)에서 자기적으로 접속되어 있다. 하부 폴(P1)은 ABS와 제로 스로트 레벨 사이의 폴팁 영역(75)에 위치한 폴팁 구조체를 포함하고 있다. 이 폴팁 구조체는 하부 폴팁 소자(PT1a) 및 상부 폴팁 소자(PT1b)를 포함할 수 있다. 상부 폴(P2)은 ABS와 제로 스로트 레벨 사이의 폴팁 영역(75)에 위치한 폴팁 구조체를 포함하고 있다. 이 폴팁 구조체는 상부 폴팁 소자(PT2a) 및 하부 폴팁 소자(PT2b)를 포함한다. 폴팁 소자(PT2a)는 상부 폴(P2)의 자기층(81)의 정면부이고 폴팁 소자(PT2b)는 별도의 자기층(82)이다.
제5도의 경우 폴팁 소자(PT1a, PT1b)는 각각 별도의 자기층(83, 84)이다. 자기층(83)은 후술되는 성형공정 후 하부 폴(P1)의 자기층(80)의 전방 확장부이고 자기층(84)은 그 위에 증착되는 별도의 층이다.
본 발명의 다른 실시예의 기록 헤드(52a)가 제6도에 도시되어 있다. 제5도의 실시예와 유일하게 다른 점은 하부 폴(P1)의 폴팁 구조체가 단일층(85)이라는 것이다. 단일층(85)은 상세히 후술되는 공정에 의해 형성되는 하부 폴(P1)의 자기층(80)의 전방 확장부이다. 하부 폴(P1)이 단일층 만으로 이루어지면 여러 제조단계가 생략된다. 그러나, 폴팁 소자(PT1a, PT1b)는 상이한 재료로 구성되는 것이 양호하며, 이러한 경우에 폴팁 소자(PT1b)는 제5도에 도시된 바와 같이 별도의 층(84)이 된다. 두 실시예에서 하부 폴(P1)은 MR 판독 헤드의 제2차폐층(74:제3도)을 구비할 수 있다. 이러한 구성으로 병합형 MR 헤드가 제공된다. 병합형 헤드는 기록 헤드에 대한 판독 헤드의 간격 및 제조단계를 줄일 수 있는 장점을 갖는다.
제5도 및 제6도에 도시된 바와 같이, 폴갭층(G)은 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 사이에 끼워진다. 상기 폴갭 층의 양호한 두께(갭 길이)는 약 0.2 내지 0.3 미크론으로, 자속 강도이 손실없이 기록 헤드의 선밀도(linear density)를 최적화한다.
제5도 및 제6도에 도시된 바와 같이, 폴팁 소자(PT2b)는 상하부 막 표면(86, 87)을 갖는 층이다. 이들 막 표면은 ABS의 전방벽(88), 제로 스로트 레벨의 후방벽(90: 제5도), 그리고 제1 및 제2측벽(92, 94: 제6도)에 의해 제한되어 있다. 제5도의 실시예에서 폴팁 소자(PT1b)와 갭층(G)은 상하부 막 표면을 갖는다. 이들 막 표면은 ABS의 전방벽, 제로 스로트 레벨의 후방벽, 그리고 제1 및 제2측벽에 의해 제한되어 있다. 제5도에 도시된 바와 같이 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 전방벽은 ABS의 일부를 형성하는 공통면에 연속 위치 되어 있다.
폴팁 소자(PT2b)와 갭층(G)의 후방벽, 그리고 하부 폴(P1)의 폴팁 구조체의 후방벽의 적어도 일부는 제로 스로트 레벨을 형성하는 공통면에 연속 위치되어 있다. 제5도의 실시예에서 폴팁 소자(PT1b)의 후방벽과 선택적으로 폴팁 소자(PT1a)의 후방벽의 일부는 제로 스로트 레벨의 공통면에 위치되어 있다. 제6도의 실시예에서 폴팁 소자(PT1b)의 후방벽(도시되지 않음)은 제로 스로트 레벨의 공통면에 위치되어 있다. 제로 스로트 레벨면은 ABS면에 거의 평행하고 폴팁 소자(PT2b) 및 갭층(G)의 막 표면에 수직한다. 제로 스로트 레벨의 평면 배치는 본 발명의 특징중의 하나이다. 상부 폴(P2)의 상부 자기층(81)이 증착된 후 제로 스로트 레벨은 평면 배치를 유지하게 된다. 이러한 배치로 상부 폴(P2)의 배면층부로 부터 폴팁 소자(PT1b)의 후방벽으로, 그리고 하부 폴(P1)의 배면층부로부터 폴팁 소자(PT2b)의 후방벽으로의 자속 전이는 최소화하게 된다.
제6도에 도시된 바와 같이, 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 제1측벽은 제1공통면(96)에 위치하고 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 제2측벽은 제2공통면(98)에 위치한다. 폴팁 소자(PT1b, PT2b)의 제1 및 제2측벽은 평면(96, 98)을 따라 서로 정렬되어 있어서 소망하는 트랙 영역 밖으로의 자속 누설을 최소화하게 된다. 제1 및 제2공통면(96, 98)은 서로 평행하며, ABS에 수직이고 폴팁 소자(PT2b)와 갭층(G)의 막 표면에 수직이며, 기록 헤드의 트랙폭인 거리 w만큼 서로 이격 위치된다. 제1 및 제2공통면(96, 98) 사이의 거리 w는 0.7 내지 1 미크론의 범위에 있다. 이와 같은 좁은 트랙 폭은 후술되는 본 발명의 공정을 통해 달성된다. 트랙 폭을 좁게함으로써 트랙 밀도가 증가되고, 그 결과 기록 헤드의 면밀도도 증가하게 된다.
ABS의 종방향 축선(99)을 따르는 폴팁 소자(PT2b)의 전방벽의 소망 길이는 폴팁 갭층(G)의 두께(갭 길이)의 약 1.5배이다. 폴팁 소자(PT2b)는 폴팁의 가장 중요한 부분인데, 왜냐하면 그 아래를 이동하는 자기매체 쪽으로 자속을 유도하는 최종 소자이기 때문이다. 갭층(G)에서 폴팁 소자(PT1a)까지의 거리가 1.5를 넘으면 자속 강도가 너무 낮아져서 무의미하게 된다. 폴팁 소자(PT1b)와 폴팁 소자(PT2b)를 유사하게 배치하고 정렬해서 트랙 밖으로의 지속 누설이 발생되지 않도록 하는 것이 양호하다. 이러한 배치로 인해 폴팁 소자(PT1a, PT2a)는 더욱 폭넓게 확장될 수 있게 된다. 제6도에 도시된 바와 같이, 폴팁 소자(PT1b, PT2b)의 면적은 각각 폴팁 소자(PT1a, PT2a)의 면적보다 작다. ABS에서 보면 거의 동일한 폴팁 두께에서 폴팁 소자(PT1b, PT2b)의 폭은 서브 미크론 단위이고, 폴팁 소자(PT2a)의 폭은 7 미크론 정도이며, 폴팁 소자(PT1a)의 폭은 50 미크론 정도이다.
제6도에 도시된 바와 같이, ABS에서 폴팁 소자(PT1b, PT2b)의 각각의 전방벽은 폴팁 소자(PT2b)의 막 표면에 수직인 종방향 축선(99)을 공통으로 가지며 거의 직사각형 형태이다. 또한 폴팁(PT1a, PT2a)의 전방벽도 각각 종방향 축선(100, 102)을 가지며 거의 직사각형 형태이다. 폴팁 소자(PT1a, PT2a)의 전방벽의 종방향 축선(100, 102)은 서로 평행하나 폴팁 소자(PT1b, PT2b)의 종방향 축선(99)과는 수직 관계이다.
제5도에 도시된 바와 같이, 제1절연층(I1)은 하부 폴(P1)의 하부 자기층(80)에 있는 배면부의 상부에 위치한다. 절연층(I1)은 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면(86)보다 높은 상부 폴랫 표면(106)을 갖는다. 이것은 본 발명의 또 하나의 중요한 특징이다. 상부 폴(P2)의 자기층(81)이 연속 형성될 때 절연층(I1)의 높이는 제로 스로트 레벨에서 폴팁 구조체의 후방벽으로부터 자기층(81)의 배면부 까지이다. 이러한 배치를 가짐으로써 상부 폴(P2)의 자기층(81)의 배면부에서 폴팁 소자(PT1b)의 후방벽으로의 자속 누설은 최소화된다. 상세히 후술되는 바와 같이 절연층(I1)의 폴랫의 표면(106)은 랩핑에 의해 얻어질 수 있다. 코일형 도전층(108)은 절연층(I1)의 폴랫 표면(106)의 상부에 장착되며, 상기 도전층의 도체에 대해서는 다음에 보다 상세히 후술된다. 하나 이상의 절연층(I2)이 도전층(108)의 상부에 장착된다. 본 발명의 기록 헤드는 필수적으로 평면 구조를 취하기 때문에 단지 하나의 절연층(I2)만이 도전층(108)의 상부에 필요하므로 제조상의 여러 단계가 생략될 수 있다. 제5도에 도시되는 바와 같이, 상부 폴(P2)의 자기층(81)의 배면부는 제2절연층(I2)의 상부에 위치되어 있다.
제5도 및 제6도에 도시되는 바와 같이, 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면 (86)은 폴팁 소자(PT2a)의 하부 막 표면과 직접 막-표면 대 막-표면(direct film-surface-to-film-surface) 관계로 결합된다. 또 폴팁 갭층(G)의 상하부 막 표면은 직접 막-표면 대 막-표면 관계로 각각 폴팁 소자(PT2b)의 하부 막 표면(87) 및 폴팁 소자(PT1b)의 상부 막 표면과 결합된다.
제3도 및 제4도는 여러가지를 상세하게 보이기 위해 부분 절단된 기록 헤드의 실시예이다. 제3도에서는 커버층(112) 및 절연층(I2)의 일부가 생략되어 있다. 도체(108)는 상하부 폴(P1, P2) 사이에서 백갭(BG) 주위를 나선형으로 둘러싸고 있다. 도체(108)의 일단부는 리드(114, 116; lead)에, 타단부(도시되지 않음)는 리드(118)에 접속되어 있다. 신호 전류가 리드(114, 116)를 통해 도체(108)에 전송될 때 도체의 전류는 상하부 폴(P1, P2)에서 자속을 유도한다. 이로 인해 ABS의 폴팁 사이에서 전후로 자속이 유도된다. 설명한 대로 트랙의 폭이 매우 좁기 때문에 기록 헤드의 면밀도는 크게 향상된다. 게다가, 폴팁 소자(PT1b, PT2b)의 후방벽과 측벽이 정렬되어 있어서 제로 스로트 레벨과 ABS에서의 자속 누설은 거의 제거되고 기록 헤드의 해상도는 향상되게 된다. 지금부터, 기록 헤드의 제조 방법에 대해 설명한다.
[기록헤드의 제조 방법]
다양한 박막 제조기법이 제5도의 기록 헤드(52) 및 제6도의 기록 헤드(52a)를 제작하는 데 사용된다. 이들 기법으로는, (1) 프레임 포토(a fram photo) 실행후 도전 재료의 플레이팅(plating); (2) 에치 포토(an etch photo) 수행후 에칭(etching); (3) 밀링 포토(a milling photo) 시행후 이온 비임 밀링(ion beam milling); (4) 갭 에치 포토 시행후 에칭; (5) 백갭 에치 포토 시행후 에칭 방법 등이 있다. 여기서 프레임 포토는 레지스트층을 증착하고 소망의 구성의 마스크를 통해 이를 빛에 노출함으로써 이루어진다. 그러면, 레지스트 층의 노출부는 폴레이팅부를 노출한 포토레지스트 마스크를 남기면서 용액에 의해 현상되어 제거된다. 도전층이 비도전층 상에 플레이팅되면 시드층(a seed layer)이 프레임 포토 단계에 앞서 형성된다. 도전층의 플레이팅후, 포토레지스트 마스크는 도전층을 소망 형태로 남기면서 용액에 의해 용해된다. 에치 포토는 에칭 목적으로 사용되는 것을 제외하고는 프레임 포토와 동일하다. 이 과정에 의해 포토레지스트 마스크 주위의 노출부분이 에칭되고 에칭후 포토레지스트 마스크가 제거된다. 밀링 포토는 밀링 목적으로 사용되는 것을 제외하고는 다른 포토와 동일하다. 여기서는 밀링 작업후 포토레지스트 마스크가 제거된다. 갭 에치 포토는 에칭되어 노출된 비소망의 갭층부를 남겨놓는 것을 제외하고는 다른 포토와 동일하다. 백갭 에치 포토는 노출부분이 비소망층을 제거하는 백갭(BG)에 존재하는 것을 제외하고는 다른 포토와 동일하다. 다른 박막 기법으로는 ABS를 형성하거나 박막층을 평탄화하기 위한 그라인딩 또는 폴리싱 기법(a grinding or polishing technique)인 랩핑(lapping)이 있다.
본 발명에 따른 제6도의 실시예의 제조 단계는 제7a도 및 제8도 내지 제28도에, 그리고 제5도의 실시예의 제조 단계는 제7b도 및 제8도 내지 제28도에 도시되어 있다. 제6도의 실시예의 폴팁 소자(PT1a, PT1b)는 단일층(80)으로 구성되어 있다. 제5도의 실시예의 제조 단계는 제7b도에 도시된 바와 같이 두 층(80, 84)이 하부 폴(P1)의 폴팁 구조체를 형성하기 위해 증착된다는 점에서 제6도의 실시예와 상이하다.
제7a도에 도시된 바와 같이, 하부 폴(P1)의 자기층(80)은 폴팁 영역과 백 영역에 증착된다. 이러한 층의 형성은 프레임 포토와 두께 2 내지 3 미크론의 폴레이팅에 의해 수행된다. 이 층이 제6도의 실시예를 위한 하부 폴(P1)의 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를 형성하는데 유일하게 사용된다. 그리고, 제8도에 도시된 바와 같이 갭층(G)은 폴팁 영역과 백 영역에 있는 하부 폴(P1)의 자기층(80) 상부에 증착된다. 제5도의 실시예의 경우 하부 폴(P1)의 상부 자기층(84)은 제7b도에 도시된 바와 같이 하부 폴(P1)의 하부 자기층(80) 상부에 증착되고, 갭층은 자기층(84)의 상부에 증착된다(도시되지 않음). 여기서 설명되는 제조 단계의 나머지 부분은 제5도 및 제6도의 실시예에 동등하게 적용된다. 두 실시예에서 하부 폴(P1)의 자기층(80)은 MR 판독 헤드의 제2차폐층(제3도 참조)으로 구성될 수 있다.
절연 재료로 구성되는 갭층의 두께는 0.1 내지 0.3 미크론이다. 제9도에 도시된 바와 같이, 갭층(G)은 후술되는 접속용으로 백갭의 자기층(80)을 노출시키기 위해 백갭 영역에서 제거된다. 백갭에서의 갭층(G)의 제거는 에치 포토 및 비소망 부분의 에칭에 의해 수행된다.
제10도에 도시된 바와 같이, 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82)은 백갭(BG)에서 하부 폴(P1)의 노출된 자기층(80)의 상부 및 갭층(G)의 상부에 증착된다. 이러한 구성으로 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82) 및 하부 폴(P1)의 자기층(80) 사이에 전기 접속이 형성된다.
제11도에 도시된 바와 같이, 레지스트층(122)은 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82) 상부에 증착된다. 레지스트층의 두께는 5 내지 10 미크론의 범위에 있다. 이는 본 발명의 또 다른 특징이다. 종래기술에서는 상부 폴(P2)의 상부 자기층(81)의 증착 후, 이 층을 이온 충격으로부터 보호하기 위해 레지스트 층의 두께는 20 미크론 이상이 요구되었다. 포토 마스킹 단계에서는 빛의 산란 현상으로 인해 20 미크론 두께의 레지스트 층의 막 표면 사이의 측면(the side surface)이 양호하게 형성되지 않는다. 이 같은 양호하지 않은 측면 형성은 이어지는 이온 밀링(후술됨)이 폴팁(PT1b, PT2b)의 폭을 좁게 하는 것을 억제한다. 레지스트 층이 10 미크론 이하이면 빛의 산란 현상이 훨씬 감소되고 포토마스킹은 포토레지스트 마스크에서 양호한 측면을 형성하게 된다.
제12도 및 제13도에 도시된 바와 같이, 레지스트 층(122)은 상하부 막 표면 사이에 양호한 측면을 갖는 두개의 포토레지스터 층(124, 126)으로 구성된 포토레지스트 마스크로 현상된다. 전방 레지스트층(124)은 기록 헤드의 폴팁이 위치되는 폴팁 영역을 덮고 있다. 레지스트 층(제13도)의 폭은 기록 헤드의 트랙 폭에 요망되는 폭과 같다. 본 발명에서는 0.7 미크론의 트랙 폭을 실행할 수 있다. 제12도에 도시된 바와 같이, 전방 레지스트 층(124)의 배면은 폴팁의 제로 스로트 레벨과 일치한다. 레지스트 층(126)은 백갭(BG)을 덮는다.
다음에, 이온 밀링이 다음 층들 즉, (1) 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82), (2) 갭층(G), (3) 제14도에 도시된 바와 같은 하부 폴(P1)의 자기층(80)에서 실행된다. 레지스트 층을 보호하기 위해 이온 밀링은 자기층(82)의 전면부, 갭층(G) 및 자기층(80)이 각각 폴팁 소자(PT2b), 폴팁 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT1b)를 형성하게 한다. 제15도에 도시된 바와 같이, 이 레지스트 층은 이온 밀링후 제거된다.
이온 밀링은 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82)의 배면부와 하부 폴(P1)의 자기층(80)의 배면부가 백갭(BG)의 일부를 형성하게 한다. 제15도에 도시된 바와 같이, 이온 밀링은 웰을 형성하기 위해 제로 스로트 레벨과 백갭 사이에 있는 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82)의 배면부, 갭층(G) 및 하부 폴(P1)의 자기층(80)을 제거한다. 또한, 제15도에 도시된 바와 같이 이온 밀링은 각각의 폴팁 소자(PT2b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT1b)를 위해 후방벽을 형성한다. 폴팁 소자(PT2b), roqcmd(G) 및 폴팁 소자(PT1b)의 후방벽은 제로 스로트 레벨에서 폴팁 후방벽(122)을 형성하는 공통면에 연속 위치된다.
또한, 제16도에 도시된 바와 같이 이온 밀링은 각각의 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)을 위한 제1 및 제2측벽을 형성하는데, 소자 및 갭층의 제1측벽은 제1공통면(96)에, 제2측벽은 제2공통면(98)에 위치하고 있다. 제1 및 제2공통면(96, 98)은 기록 헤드의 트랙 폭을 형성하기 위해 서로 평행하게 거리 w만큼 이격 위치된다. 본 발명의 트랙폭은 0.7 미크론같은 서브 미크론일 수 있다. 이러한 폭이 좁은 트랙은 얇은 레지스트 전방층(124)과 이온 밀링으로 인해 달성된다. 백갭(BG)은 제17도에 도시되는데, 여기서 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82)이 하부 폴(P1)의 자기층(80)과 자기 접속을 형성한다.
폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)을 양호하게 형성하기 위한 바람직한 층 제거공정은 이온 비임 밀링에 의해 수행된다는 것을 알 수 있다. 그러나, 양호하지는 않지만 수용할 정도의 형성은 드라이 에칭 공정에 의해 얻어질 수 있다. 드라이 에칭은 반응 이온 비임 에칭뿐만 아니라 이온 비임 밀링을 포함한다.
제18도에 도시된 바와 같이, 제1절연층(I1)은 제로 스로트 레벨과 백갭(BG) 사이의 웰에 형성되어 있다. 절연층의 상부는 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면(86)보다 높다. 제19도에 도시된 바와 같이, 제1절연층(I1)은 폴팁 구조체의 상승으로 폴팁 구조체 위에 상승부를 갖는다. 백갭 영역(도시되지 않음)에서도 동일현상이 나타난다. 제20도 및 제21도에 도시된 바와 같이, 상승부는 제1절연층(I1)을 랩핑함으로써 제거된다. 이러한 처리는 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면(86)보다 높은 플랫 표면(106)을 갖는 제1절연층(I1)을 남게 한다. 백갭에서 자기층(82)의 상부 위로의 상부 플랫 표면(106)의 상승은 제22도에 도시되어 있다. 제1절연층(I1)은 쉽게 랩핑되는 산화알루미늄(Al2O3)으로 구성될수 있다.
제23도에 도시된 바와 같이, 도전층(108)은 제1절연층(I1)의 상부에 형성된다. 제1절연층이 비도체이므로 먼저 시드층(도시되지 않음)이 증착된다. 그후 포토레지스트 마스크가 적용되고 도전층(108)이 플레이트된다. 그리고 레지스트 층이 제거된다.
제24도에 도시된 바와 같이, 제2절연층(I2)은 도전층(108)과 제1절연층(I1)의 상부에 증착된다. 제25도에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2절연층(I1, I2)은 폴팁 소자(PT2b)의 상부 및 백갭(BG)에서 상부 폴(P2)의 하부 자기층(82)의 상부로부터 제거된다. 이는 소망하는 부분에서 포토 마스킹 및 에칭에 의해 수행될 수 있다.
제26도에 도시된 바와 같이, 상부 폴(P2)의 상부 자기층(81)은 (1) 폴팁 소자(PT2b), (2) 제2절연층(I2) 및 (3) 백갭(BG) 등의 상부에 형성된다. 이러한 증착은 백갭(BG)의 자기층(82)을 통해 폴(P1, P2)의 자기층(81, 80) 사이에 자기 접속을 형성하게 한다.
제26도에 도시된 바와 같이, 자기층의 증착과 이온 밀링의 결과로 ABS의 전방으로 연장되는 전방부를 갖는 폴팁 소자(PT1a, PT1b, PT2a, PT2b)가 남게 된다. 제27도에 도시된 바와 같이, 이들 전방부는 ABS를 형성하기 위해 랩핑되고 기록 헤드의 주요부를 완성시키게 된다. ABS 측면에서의 폴팁의 최종 구성 형태가 제28도에 도시된다. 백갭(BG) 측면의 구성은 제29도에 도시되는데, ABS에 평행한 면에서 관찰한 것이다.
제28도에 도시된 바와 같이, 랩핑으로 각각 직사각형의 전방벽을 구비한 폴팁 소자(PT1b, PT2b)가 형성되고, 각 직사각형의 전방벽은 폴팁 소자(PT2b)의 막 표면(86, 87)에 수직연장되는 종방향 축선(99)을 갖는다. 폴팁층(PT2b)의 두께는 종방향 축선(99)을 따라 폴팁 갭층(G) 두께의 약 1.5배가 되는 길이를 갖는 전방벽을 형성하도록 구성된다. 예컨대, 폴팁 갭층의 두께가 0.3 미크론이면 전방벽의 길이는 0.45 미크론이다.
폴팁 영역의 얇은 포토레지스트층과 그 영역에 대한 이온 밀링으로 인해 제로 스로트 레벨 면은 제27도에 도시되는 랩핑 절차후 ABS면에 평행한 평면에 형성된다.
제28도에 도시된 바와 같은 제조 단계를 거치면 종방향 축선(100)이 있는 측면 연장 세장형 표면을 갖는 폴팁 소자(PT1a)의 전방벽과 종방향 축선(102)이 있는 측면 연장 전방벽을 갖는 폴팁 소자(PT2a)의 전방벽이 형성되게 된다. 종방향 축선(100, 102)은 서로 평행하나 축선(99)과는 수직관계이다. 또 폴팁 소자(PT1a)의 전방벽은 폴팁 소자(PT1b)보다 훨씬 넓고, 폴팁 소자(PT2a)는 폴팁 소자(PT2b)보다 훨씬 넓다. 일례로 각 폴팁 소자(PT1b, PT2b)의 옆폭(lateral width)은 0.7 내지 1 미크론 정도이고, 폴팁 소자(PT1a)의 옆폭은 50 미크론 정도이며 폴팁 소자(PT2a)의 옆폭은 7 미크론 정도이다. 모든 폴팁은 거의 같은 두께이다.
병합형 MR 헤드의 또 다른 실시예가 제30도 및 제31도의 참조부호(150)로 도시되어 있다. 제30도의 헤드(150)는 몇가지 수정된 점을 제외하고는 제5도의 헤드(52)와 유사하다. 제30도에서 하부 폴(P1)의 폴팁 구조체(PT1)는 제로 스로트 레벨에서 후방벽을 갖지 않으나, 제5도에서 하부 폴(P1)의 폴팁 구조체(PT1a, PT1b)는 제로 스로트 레벨에서 후방벽을 갖는다. 제30도의 헤드(150)의 제로 스로트 레벨에서 후방벽을 갖는 유일한 폴팁 구조체는 폴팁 소자(PT2b)이다. 폴팁 소자(PT2b)는 ABS면에 거의 평행하며 평면인 후방벽(90)을 갖는다. 제5도의 실시예와 유사하게 상부 폴(P2)의 폴팁 소자(PT2a, PT2b)는 각각 전방벽(152, 154)을 가지는데, 이들 벽은 ABS면에 연속 위치된다. 폴팁 소자(PT2b)의 후방벽(90)의 평면 형태는 제5도에 도시된 실시예에서 제공하는 이점의 일부를 여전히 제공하고 있다. 후방벽(90)은 제로 스로트 레벨을 형성하기 위해 정확하게 배치될 수 있다. 참조부호(86)에서 폴팁 소자(PT2b)에 연결되며 자속 누설 또는 포화 문제를 최소화하는 상부 폴(P2)의 전이는 완만하다. 제30도에 도시된 실시예의 헤드(150)의 또 다른 점은 갭층(G)이 ABS로부터 백갭(82)으로 연장되는 것이다. 필요한 경우에는 코일 구조체(108)를 갭층의 상부 또는 더 얇은 제1절연층(I1)의 상부에 바로 형성할 수 있어서 코일 구조체(108)가 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면(86) 아래에 적어도 부분적으로는 존재하게 된다.
제30도의 수정된 병합형 MR헤드(150)의 제조방법은 제5도에 도시되어 있는 헤드(52)의 제조방법과 유사하다. 그 차이점은 하부 폴(P1)이 폴팁 영역에서 그 위에 형성되는 여분의 층을 갖지 않으며 이온 비임 밀링에 의해 노치(notch) 되지 않는 것이다. 다른 차이점은 갭층(G)이 폴팁 영역에서 임의의 공정 단계에 의해 형성되지 않는 것이다. 그러나, 갭층(G)은 백갭 영역(BG)에서 제거된다. 백갭에서 폴팁 소자(PT2b)와 그 대응부(82)는 단일층 상에 배치되고 그 사이에 웰을 형성하도록 이온 비임 밀링에 의해 구성될 수 있다. 그 대안으로는 소자(PT2b)와 백갭부(82) 사이에 웰을 형성하도록 프레임 플레이팅이 이용될 수 있다.
본 기술 분야의 기술자들은 본 발명의 다른 실시예와 변형예를 용이하게 구성할 수 있다. 따라서, 본 발명은 상술한 상세한 설명 및 첨부도면에 관련하여 모든 실시예와 변형예를 포함하는 후술되는 특허청구의 범위에 의해서만 제한된다.

Claims (29)

  1. 평평한 공기 베어링 표면(ABS)으로부터 제로 스로트 레벨(a zero throat level)로 연장되는 폴팁 영역(a pol tip region) 및 제로 스로트 레벨로부터 연장되며 백갭(a back gap)을 포함하는 백 영역(a back region)을 구비한 박막 자기 기록 헤드(a thin filn magnetic write head)에 있어서, 폴팁 영역에서의 폴팁 구조체(a pole tip structure)와 백 영역에서의 배면층부(a back layer portion)를 각각 구비하는 하부 폴(P1) 및 상부 폴(P2); 상하부 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를 각각 포함하는 하부 폴(P1)의 폴팁 구조체와, 상하부 폴팁 소자(PT2a, PT2b)를 각각 포함하는 상부 폴(P2)의 폴팁 구조체 및; 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 사이에 끼여있는 갭층(G)을 포함하며, 상기 폴팁 소자(PT1b, PT2b) 및 갭층(G)의 각각은 제로 스로트 레벨에서의 평평한 후방벽을 갖고, 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 후방벽은 ABS에 대해 평행한 제로 스로트 레벨에서의 평평한 폴팁 후방벽을 공동 형성하고 있는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  2. 제1항의 기록 헤드를 포함하는 디스트 드라이브(a disk drive)에 있어서, 하우징과; 상기 하우징내에 장착되어 자기 디스크를 회전시키는 회전 수단과; 자기 디스크가 회전 수단에 의해 회전할 때 자기 디스크에 대해 변환기 역할을 하는 기록 헤드를 지지하는 하우징내에 장착된 슬라이더(a slider)를 포함하는 지지부를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 디스크 드라이브.
  3. 제1항에 있어서, 일체형의 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  4. 제1항에 있어서, 별도의 층으로 구성되는 폴팁 소자(PT1a, PT1b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  5. 제1항의 기록 헤드를 포함하는 병합형 MR 헤드(a merged MR head)에 있어서, 제1 및 제2차폐층(shield layers)과; 제1 및 제2차폐층 사이에 위치한 제1 및 제2갭층과; 제1 및 제2갭층 사이에 위치한 자기성 전기저항 센서층(a magnetoresistive sensor layer)과; 제2차폐층으로 구성되는 하부 폴(P1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 병합형 MR 헤드.
  6. 제1항에 있어서, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)는 각각의 후방벽과 인접하는 거의 평평한 제1 및 제2측벽을 각각 구비하고, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 제1측벽은 공동으로 평평한 제1폴팁 측벽을 형성하며, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 제2측벽은 공동으로 평평한 제2폴팁 측벽을 공동으로 형성하며, 상기 제1 및 제2폴팁 측벽은 자기 헤드의 트랙폭을 설정하기 위해 ABS에서 거리 w만큼 서로 이격 위치되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  7. 제6항에 있어서, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 폴팁 소자(PT2b)는 각각 거의 평평한 상하부 막표면을 구비하고, 이들 막 표면들은 서로 평행하며, 제1 및 제2폴팁 측벽의 각각은 상기 막 표면에 수직이며, 제1 및 제2폴팁 측벽은 서로 평행한 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  8. 제7항에 있어서, 폴팁 소자(PT1b)는 전방벽과 상부 막 표면을 구비하고 상기 소자(PT1b)의 상부 막 표면은 그 전방벽 및 후방벽과 그 제1 및 제2측벽에 의해 경계 형성되며, 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)는 각각 전방벽과 상하부 막 표면을 구비하고 상기 각각의 상하부 막 표면은 그 전방벽, 후방벽, 제1 및 제2 측벽에 의해 경계 형성되며, 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 전방벽은 ABS의 일부를 형성하며, 폴팁 소자(PT1b) 및 폴팁 소자(PT2b)의 각각의 전방벽은 늘어진 직사각 형태이며 상기 상하부 막 표면에 거의 수직인 공통의 종방향 축선을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  9. 제8항에 있어서, 폴팁 소자(PT1a, PT2a)는 각각 ABS에서 전방벽을 가지고, 폴팁 소자(PTa)의 전방벽은 폴팁 소자(PT1b)의 전방벽보다 상당히 넓으며, 폴팁 소자(PT1a)의 전방벽은 폴팁 소자(PT2b)의 전방벽보다 상당히 넓은 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  10. 제1항에 있어서, 상부 막 표면을 구비하는 폴팁 소자(PT2b)와, 하부 자기폴(P1)의 배면층부의 상부에 형성되어 있으며 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면보다 더 높은 상부 플랫 표면을 갖는 제1절연층(I1)과, 제1절연층(I1)의 상부에 장착되어 있는 코일층(a coil layer)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  11. 제10항에 있어서, 상기 코일층의 상부에 장착되어 있는 제2절연층(I2)과, 제2절연층(I2)의 상부에 위치되며 백갭에서 하부 폴(P1)의 배면층부에 자기적으로 접속되는 상부 폴(P2)의 배면층부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  12. 제11항의 기록 헤드를 포함하는 디스크 드라이브에 있어서, 하우징과, 상기 하우징내에 장착되어 자기 디스크를 회전시키는 회전 수단과, 슬라이더를 포함하며 상기 하우징내에 장착되어 자기 디스크가 상기 회전 수단에 의해 회전될 때 자기 디스크에 대해 변환기 역할을 하도록 기록 헤드를 지지하는 지지부를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 디스크 드라이브.
  13. 제11항에 있어서, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)는 각각의 후방벽과 인접하는 거의 평평한 제1 및 제2측벽을 각각 구비하고, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 제1측벽은 공동으로 평평한 제1폴팁 측벽을 형성하며, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 제2측벽은 공동으로 평평한 제2폴팁 측벽을 공동으로 형성하며, 상기 제1 및 제2폴팁 측벽은 자기 헤드의 트랙폭을 설정하기 위해 ABS에서 거리 w만큼 서로 이격 위치되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  14. 제13항에 있어서, 상기 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 폴팁 소자(PT2b)는 각각 거의 평평한 상하부 막표면을 구비하고, 이들 막 표면들은 서로 평행하며, 제1 및 제2폴팁 측벽의 각각은 상기 막 표면에 수직이며, 제1 및 제2폴팁 측벽은 서로 평행한 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  15. 제14항에 있어서, 폴팁 소자(PT1b)는 전방벽과 상부 막 표면을 구비하고 상기 소자(PT1b)의 상부 막 표면은 그 전방벽 및 후방벽과 그 제1 및 제2측벽에 의해 경계 형성되며, 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)는 각각 전방벽과 상하부 막 표면을 구비하고 상기 각각의 상하부 막 표면은 그 전방벽, 후방벽, 제1 및 제2측벽에 의해 경계 형성되며, 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT2b)의 전방벽은 ABS의 일부를 형성하며, 폴팁 소자(PT1b) 및 폴팁 소자(PT2b)의 각각의 전방벽은 늘어진 직사각 형태이며 상기 상하부 막 표면에 거의 수직인 공통의 종방향 축선을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  16. 제15항에 있어서, 폴팁 소자(PT1a, PT2a)는 각각 ABS에서 전방벽을 가지고, 폴팁 소자(PT1a)의 전방벽은 폴팁 소자(PT1b)의 전방벽보다 상당히 넓으며, 폴팁 소자(PT1a)의 전방벽은 폴팁 소자(PT2b)의 전방벽보다 상당히 넓은 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  17. 평평한 공기 베어링 표면(ABS)으로부터 제로 스로트 레벨로 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 갖는 박막 자기 기록 헤드용 폴팁 형성방법에 있어서, 폴팁 및 백 영역에서 하부 폴(P1)의 하나 이상의 자기층을 증착하는 증착 단계와, 폴팁 및 백 영역에서 갭층(G)을 하부 폴(P1)의 자기층상에 증착하는 증착 단계와, 폴팁 및 백 영역에서 상부 폴(P2)의 하부 자기층을 갭층(G)상에 증착하는 증착 단계와, 제로 스로트 레벨에서 각각의 후방벽을 갖는 층들의 각각을 형성하기 위해 폴(P2)의 하부 자기층, 갭층(G) 및 폴(P1)의 자기층의 각각의 부분을 제거하는 제거 단계를 포함하며, 상기 층들의 후방벽은 연속적이고 제로 스로트 레벨에서 평평한 폴팁 후방벽을 선택적으로 형성하며 상기 폴팁 후방벽은 ABS에 평행하게 된 것을 특징으로 하는 폴팁 형성방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 제거 단계는 제로 스로트 레벨과 백갭 사이의 폴(P2)의 하부 자기층, 갭층 및 폴(P1)의 자기층에서 웰을 형성하며, 상부 폴(P2)의 하부 자기층의 일부를 제거하는 제거 단계는 폴팁 영역에서 폴팁층(PT2b)을 형성하며, 상부 폴(P2)의 하부 자기층을 증착하는 증착 단계는 상부 막 표면을 갖는 폴팁층(PT2b)을 형성하며, 제1절연층(I1)은 제로 스로트 레벨과 백갭 사이의 웰에 증착되고 상기 절연층(I1)의 상부는 폴팁층(PT2b)의 상부 막 표면보다 더 높으며, 상기 제1절연층(I1)의 상부를 랩핑하는 것은 그 높이를 폴팁층(pt2B)의 상부 막 표면보다 높게 하며, 도전 코일층은 상기 제1절연층(I1)의 상부에 증착되는 것을 특징으로 하는 폴팁 형성방법.
  19. 제18항에 있어서, 제2절연층(I2)을 상기 코일층의 상부에 증착하는 증착 단계와, 상부 폴의 상부 자기층을 폴팁층(PT2b), 제2절연층(I2) 및 백갭의 상부에 증착하는 증착 단계를 포함하며, 상부 폴의 상부 자기층은 백갭에서 하부 폴(P1)의 자기층과 자기 접속을 이루는 것을 특징으로 하는 폴팁 형성방법.
  20. 제17항의 기록 헤드의 제조 단계를 포함하는 병합형 MR 헤드 제조방법에 있어서, MR 판독 헤드의 제2차폐층을 증착하는 증착 단계를 포함하며, 제2차폐층의 상기 증착 단계는 하부 폴(P1)의 자기층을 증착하는 단계와 동일한 단계임을 특징으로 하는 병합형 MR 헤드 제조방법.
  21. 평평한 공기 베어링 표면(ABS)과 제로 스로트 레벨 사이로 연장하는 폴팁 영역과, 제로 스로트 레벨로부터 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역과, 폴(P1, P2)의 배면부는 백갭에서 접속되며 폴팁 영역의 전방 폴팁 구조체 및 백 영역의 배면부를 각각 갖는 상하부 자기 폴(P1, P2)로 구성되는 요크부를 포함하는 박막 자기 기록 헤드 제조 방법에 있어서, 폴팁 및 백 영역에서 하부 폴(P1)의 하나 이상의 자기층을 증착하는 단계와, 폴팁 및 백 영역에서 폴(P1)의 자기층의 상부에 갭층(G)을 증착하는 단계와, 백갭에서 폴(P1)의 자기층을 노출하기 위해 갭층(G)을 제거하는 단계와, 백갭에서 폴(P2)의 하부 자기층을 갭층(G)의 상부 및 폴(P1)의 자기층의 상부에 증착하는 단계와, 폴팁 영역 및 백갭에서 레지스트층을 폴(P2)의 하부 자기층상에 증착하는 단계와, 폴팁층(PT2b), 갭층(G) 및 폴팁 소자(PT1b)를 각각 형성하기 위해 이들 층의 전면부 영역을 남게 하고, 백갭의 일부를 형성하기 위해 폴(P2)의 하부 자기층의 배면부 및 폴(P1)의 자기층의 배면부를 남게 하도록, 폭(P2)의 하부 자기층, 갭층(G) 및 (P1)의 자기층을 이온 비임 밀링하는 단계와, 상기 이온 비임 밀링 단계를 통해 웰을 형성하기 위해 폴팁부와 백갭 사이에 있는 폴(P2)의 하부 자기층, 갭층(G) 및 폴(P1)의 자기층의 배면부를 제거하는 단계와, 상기 이온 비임 밀링 단계를 통해 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁층(PT2b)의 각각에 대한 평평한 후방벽을 형성하는 형성 단계를 포함하며, 백갭에서 폴팁(P1)의 자기층의 상부에 폴팁(P2)의 하부층의 증착은 그들 사이에 자기 접속을 이루게 하며, 폴팁 소자(PT1b), 갭층(G) 및 폴팁층(PT2b)의 후방벽들은 제로 스로트 레벨을 형성하는 공통면에 인접 위치되는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드 제조방법.
  22. 제20항의 기록 헤드 제조단계를 포함하는 병합형 MR 헤드 제조방법에 있어서, MR 헤드 제조방법에 있어서, MR 판독 헤드의 제2차폐층을 증착하는 증착 단계를 포함하며, 제2차폐층의 상기 증착 단계는 폴(P1)의 자기층을 증착하는 것과 동일한 단계임을 특징으로 하는 병합형 MR 헤드 제조방법.
  23. 평평한 공기 베어링 표면(ABS)으로부터 제로 스로트 레벨로 연장하는 폴팁 영역과 제로 스로트 레벨로부터 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 구비하는 박막 자기 기록 헤드에 있어서, 각각의 상하부 폴(P2, P1)은 폴팁 영역의 폴팁 구조체 및 백 영역의 배면부를 구비하며, 각각의 폴팁 소자(PT2a, PT2b)는 전방벽을 가지고 이 전방벽은 ABS를 형성하는 공통면에 인접 위치되며, 상부 폴(P2)의 폴팁 구조체는 상하부 폴팁 소자(PT2a, PT2b)를 각각 포함하며, 갭층(G)은 하부 폴(P1)의 폴팁 구조체(PT1b)와 상부 폴(P2)의 폴팁 구조체(PT2b) 사이에 끼이며, 폴팁 소자(PT2b)는 ABS에 평행한 제로 스로트 레벨에 평평한 후방벽을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  24. 제23항에 있어서, 상부 막 표면을 갖는 폴팁 소자(PT2b)와, 하부 폴(P1)의 배면층부의 상부에 형성되며 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면보다 더 높은 상부 플랫 표면을 갖는 제1절연층(I1)과, 제1절연층(I1)의 상부에 장착된 코일층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  25. 제24항에 있어서, 상기 코일층의 상부에 장착되어 있는 제2절연층(I2)과, 상기 제2절연층(I2)의 상부에 위치되며 백갭에서 하부폴(P1)의 배면층부와 자기 접속되는 상부 폴(P2)의 배면층부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  26. 제25항의 기록 헤드를 포함하는 병합형 MR 헤드에 있어서, 제1 및 제2차폐층과, 상기 제1 및 제2차폐층 사이에 위치되는 제1 및 제2갭층과, 상기 제1 및 제2갭층 사이에 위치되는 자기성 전기저항 센서층과, 상기 제2차폐층으로 구성되는 하부 폴(P1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 병합형 MR 헤드.
  27. 제26항의 병합형 MR 헤드를 포함하는 디스크 드라이브에 있어서, 하우징과, 상기 하우징내에 장착되어 자기 디스크를 회전시키는 회전 수단과, 슬라이더를 포함하며 상기 하우징내에 장착되어 자기 디스크가 상기 회전 수단에 의해 회전될 때 자기 디스크에 대해 변환기 역할을 하도록 기록 헤드를 지지하는 지지부를 부가로 포함하는 것을 특징으로 하는 디스크 드라이브.
  28. 평평한 공기 베어링 표면(ABS)으로부터 제로 스로트 레벨로 연장되는 폴팁 영역과 제로 스로트 레벨로부터 연장되며 백갭을 포함하는 백 영역을 구비한 박막 자기 기록 헤드에 있어서, 폴팁 영역의 폴팁 구조체와 백 영역의 배면층부를 각각 구비하는 상하부 폴(P1, P2)과, 상하부 폴팁 소자(PT2, PT2b)를 각각 포함하는 상부 폴(P2)의 폴팁 구조체와, 상부 막 표면을 갖는 폴팁 소자(PT2b)와, 하부 폴(P1)의 배면층부의 상부에 형성되며 폴팁 소자(PT2b)의 상부 막 표면보다 더 높은 상부 플랫 표면을 갖는 제1절연층(I1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
  29. 제28항에 있어서, 상기 코일층의 상부에 장착되어 있는 제2절연층(I2)과, 상기 제2절연층(I2)의 상부에 위치되며 백갭에서 하부 폴(P2)의 배면층부에 자기 접속되는 상부 폴(P2)의 배면층부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기 기록 헤드.
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Families Citing this family (151)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2721783B2 (ja) * 1992-08-19 1998-03-04 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 薄膜磁気ヘッド変換器／懸架部の組合せシステム並びにその製造方法
US5633771A (en) * 1993-09-29 1997-05-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Magnetoresistance effect type head and separate recording-reproducing type magnetic head
US5435053A (en) * 1994-03-02 1995-07-25 International Business Machines Corporation Simplified method of making merged MR head
JP2784431B2 (ja) * 1994-04-19 1998-08-06 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 薄膜磁気書込みヘッド、読取り／書込み磁気ヘッド、ディスク駆動装置及び薄膜磁気書込みヘッドの製造方法
JPH08115507A (ja) * 1994-08-22 1996-05-07 Sony Corp 磁気ヘッド
US5684659A (en) * 1994-11-11 1997-11-04 Canon Kabushiki Kaisha Magnetic head with coil formed by thin film
JP2725618B2 (ja) * 1994-11-14 1998-03-11 ヤマハ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US5606478A (en) * 1994-12-08 1997-02-25 International Business Machines Corporation Ni45 Fe55 metal-in-gap thin film magnetic head
SG34292A1 (en) * 1994-12-30 1996-12-06 Ibm Read/write magnetoresistive (MR) head with sunken components
US5901431A (en) * 1995-06-07 1999-05-11 International Business Machines Corporation Method of fabricating a thin film inductive head having a second pole piece having a mushroom yoke portion
US5734531A (en) * 1995-10-31 1998-03-31 Quantum Peripherals Colorado, Inc. Magneto-resistive read/write head having a combination pole/shield
US5719730A (en) * 1996-07-17 1998-02-17 Headway Technologies, Inc. Low fringe-field and narrow write-track magneto-resistive (MR) magnetic read-write head
JP3349925B2 (ja) * 1996-09-10 2002-11-25 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2953401B2 (ja) * 1996-10-04 1999-09-27 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法
US5864450A (en) * 1996-10-09 1999-01-26 International Business Machines Corporation NI45FE55 metal-in-gap thin film magnetic head
US5831801A (en) * 1997-01-21 1998-11-03 Yamaha Corporation Thin film magnetic head with special pole configuration
JPH10283611A (ja) * 1997-04-03 1998-10-23 Hitachi Metals Ltd 薄膜磁気ヘッド
JP2914343B2 (ja) * 1997-04-07 1999-06-28 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッド及びその製造方法並びに磁気記憶装置
US5916423A (en) * 1997-05-06 1999-06-29 International Business Machines Corporation P1 notched write head with minimum overmilled p1 and p2
US5768070A (en) * 1997-05-14 1998-06-16 International Business Machines Corporation Horizontal thin film write, MR read head
US6032353A (en) * 1997-05-15 2000-03-07 Read-Rite Corporation Magnetic head with low stack height and self-aligned pole tips
JPH10334409A (ja) * 1997-05-27 1998-12-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
JPH10334410A (ja) 1997-05-29 1998-12-18 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6178065B1 (en) 1997-05-29 2001-01-23 Tdk Corporation Thin film magnetic head and manufacturing method of the head
US6201670B1 (en) 1997-06-16 2001-03-13 International Business Machines Corporation Merged magnetic head that includes a write head with single-sided notched first pole piece
US6119331A (en) * 1997-07-08 2000-09-19 International Business Machines Corporation Notching the first pole piece of a write head with a notching layer in a combined magnetic head
US5966800A (en) * 1997-07-28 1999-10-19 Read-Rite Corporation Method of making a magnetic head with aligned pole tips and pole layers formed of high magnetic moment material
US6031695A (en) * 1997-09-05 2000-02-29 International Business Machines Corporation Combined read head and write head with non-magnetic electrically conductive layer on upper pole tip thereof
JP3369444B2 (ja) * 1997-09-12 2003-01-20 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッド
US5905608A (en) * 1997-09-19 1999-05-18 International Business Machines Corporation Dynamically tuned outer arms for improved rotary actuator performance
JPH1196608A (ja) * 1997-09-26 1999-04-09 Sharp Corp 熱磁気記録再生ヘッド、および熱磁気記録再生装置、ならびに熱磁気記録媒体
JP3795236B2 (ja) 1997-10-01 2006-07-12 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド
US20040168302A1 (en) * 1997-10-15 2004-09-02 Tdk Corporation Method for manufacturing thin-film magnetic head
JP3341652B2 (ja) 1997-10-15 2002-11-05 ティーディーケイ株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3484332B2 (ja) * 1997-11-11 2004-01-06 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6810578B1 (en) * 1997-11-19 2004-11-02 Tdk Corporation Method of manufacturing thin film magnetic head with improved performance
JP3790347B2 (ja) 1997-11-26 2006-06-28 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6105238A (en) * 1997-12-04 2000-08-22 Matsushita-Kotobukie Electronics Industries, Ltd. Method and structure for defining track width on a recording head
US6024886A (en) * 1997-12-05 2000-02-15 Headway Technologies, Inc. Planarizing method for fabricating an inductive magnetic write head for high density magnetic recording
US20020067570A1 (en) * 1997-12-12 2002-06-06 Yoshitaka Sasaki Thin film magnetic head recessed partially into substrate and including plantarization layersi
JPH11232610A (ja) 1997-12-12 1999-08-27 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
US5867890A (en) * 1997-12-17 1999-02-09 International Business Machines Corporation Method for making a thin film merged magnetoresistive read/inductive write head having a pedestal pole tip
US6069775A (en) * 1997-12-22 2000-05-30 International Business Machines Corporation Inverted merged MR head with precise track width
JP3421259B2 (ja) * 1997-12-25 2003-06-30 ティーディーケイ株式会社 エッチングマスク、その作製方法およびエッチング方法、並びに磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3576783B2 (ja) * 1997-12-26 2004-10-13 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JPH11203627A (ja) * 1998-01-12 1999-07-30 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド
JP3782228B2 (ja) * 1998-02-27 2006-06-07 Ｔｄｋ株式会社 複合型薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6024884A (en) * 1998-03-12 2000-02-15 Storage Technology Corporation Method for creating microstructures
US6301076B1 (en) 1998-03-20 2001-10-09 Seagate Technology Llc Narrow track inductive write head having a two-piece pole
US6016242A (en) 1998-03-20 2000-01-18 Seagate Technology, Inc. Narrow top poles for inductive magnetic heads, masks and processes for making the same
JPH11288503A (ja) 1998-04-02 1999-10-19 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6158107A (en) * 1998-04-02 2000-12-12 International Business Machines Corporation Inverted merged MR head with plated notched first pole tip and self-aligned second pole tip
US6104576A (en) * 1998-04-10 2000-08-15 International Business Machines Corporation Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer
US6111724A (en) * 1998-04-10 2000-08-29 International Business Machines Corporation Method of making a magnetic write head with plated self-aligned zero throat height defining layer without reflective notching of a second pole tip
US6130809A (en) * 1998-04-10 2000-10-10 International Business Machines Corporation Write head before read head constructed merged magnetic head with track width and zero throat height defined by first pole tip
US6172848B1 (en) 1998-04-10 2001-01-09 International Business Machines Corporation Write head with self aligned pedestal shaped pole tips that are separated by a zero throat height defining layer
US6034848A (en) 1998-04-22 2000-03-07 International Business Machines Corporation Low profile multi-layer coil merged thin film magnetic head
US6055138A (en) * 1998-05-06 2000-04-25 Read-Rite Corporation Thin film pedestal pole tips write head having narrower lower pedestal pole tip
US6178066B1 (en) 1998-05-27 2001-01-23 Read-Rite Corporation Method of fabricating an improved thin film device having a small element with well defined corners
JPH11353614A (ja) * 1998-06-08 1999-12-24 Nec Corp 薄膜磁気ヘッド及びこれを用いた磁気記憶装置
JP3366256B2 (ja) * 1998-07-02 2003-01-14 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3474447B2 (ja) * 1998-07-10 2003-12-08 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッド用素材およびその製造方法
JP3503874B2 (ja) 1998-09-29 2004-03-08 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000113437A (ja) * 1998-10-08 2000-04-21 Read Rite Smi Kk 磁気ヘッド装置の製造方法、磁気ヘッド装置、並びに、磁気ヘッド装置の中間製造物
JP3180906B2 (ja) * 1998-11-12 2001-07-03 日本電気株式会社 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法
JP2000149219A (ja) * 1998-11-12 2000-05-30 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6178070B1 (en) 1999-02-11 2001-01-23 Read-Rite Corporation Magnetic write head and method for making same
JP2000242911A (ja) * 1999-02-22 2000-09-08 Tdk Corp 複合型薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6765756B1 (en) 1999-03-12 2004-07-20 Western Digital (Fremont), Inc. Ultra-short yoke and ultra-low stack height writer and method of fabrication
US6417998B1 (en) 1999-03-23 2002-07-09 Read-Rite Corporation Ultra small advanced write transducer and method for making same
JP2000276706A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000276705A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP2000285411A (ja) 1999-03-31 2000-10-13 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6490125B1 (en) 1999-04-09 2002-12-03 Read-Rite Corporation Thin film write head with improved yoke to pole stitch
US6944938B1 (en) 1999-05-03 2005-09-20 Western Digital (Fremont), Inc. Method of forming a magnetoresistive device
US6829819B1 (en) 1999-05-03 2004-12-14 Western Digital (Fremont), Inc. Method of forming a magnetoresistive device
JP3843194B2 (ja) 1999-05-19 2006-11-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよび薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6301084B1 (en) * 1999-05-21 2001-10-09 International Business Machines Corporation Protection of second pole tip during fabrication of write head
US6515824B1 (en) 1999-05-26 2003-02-04 Alps Electric Co., Ltd. Thin film magnetic head adaptable to track narrowing of magnetic recording medium and the method of manufacturing the same
WO2000077777A1 (fr) 1999-06-14 2000-12-21 Fujitsu Limited Tete d'enregistrement magnetique utilisant un film mince et son procede de fabrication
US6466402B1 (en) * 1999-06-18 2002-10-15 Read-Rite Corporation Compact MR write structure
JP3363841B2 (ja) 1999-06-28 2003-01-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3363842B2 (ja) 1999-07-06 2003-01-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3363850B2 (ja) 1999-07-06 2003-01-08 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2001028107A (ja) 1999-07-14 2001-01-30 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気ディスク装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3599235B2 (ja) * 1999-07-19 2004-12-08 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
JP2001052309A (ja) 1999-08-06 2001-02-23 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3854035B2 (ja) 1999-08-06 2006-12-06 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3747135B2 (ja) 1999-08-06 2006-02-22 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2001067614A (ja) 1999-08-27 2001-03-16 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドの製造方法
JP3880780B2 (ja) 1999-08-30 2007-02-14 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6317290B1 (en) 1999-08-31 2001-11-13 Read-Rite Corporation Advance pole trim writer with moment P1 and low apex angle
US6452742B1 (en) 1999-09-02 2002-09-17 Read-Rite Corporation Thin film write having reduced resistance conductor coil partially recessed within middle coat insulation
JP3842490B2 (ja) 1999-09-02 2006-11-08 アルプス電気株式会社 記録用薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP2001167409A (ja) 1999-09-30 2001-06-22 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘッドおよび磁気記録媒体駆動装置
US6460243B1 (en) * 1999-11-22 2002-10-08 International Business Machines Corporation Method of making low stress and low resistance rhodium (RH) leads
US6473960B1 (en) 2000-01-07 2002-11-05 Storage Technology Corporation Method of making nitrided active elements
US6477007B1 (en) 2000-01-11 2002-11-05 Seagate Technology Llc Planar writer for merged GMR recording head
US6594122B1 (en) 2000-01-11 2003-07-15 Seagate Technology Llc GMR head with reduced topology for high speed recording with submicron track width
JP3522620B2 (ja) * 2000-01-24 2004-04-26 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6404601B1 (en) 2000-01-25 2002-06-11 Read-Rite Corporation Merged write head with magnetically isolated poletip
US6510022B1 (en) * 2000-02-15 2003-01-21 International Business Machines Corporation Method for shaping pole pieces of magnetic heads by chemical mechanical polishing
JP3565492B2 (ja) 2000-02-17 2004-09-15 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気ディスク装置
SG100629A1 (en) * 2000-03-06 2003-12-26 Ibm Magnetic head having t-head with improved bilayer p1 design
JP2001256610A (ja) 2000-03-09 2001-09-21 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
JP3854031B2 (ja) 2000-03-09 2006-12-06 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6751053B2 (en) 2000-04-03 2004-06-15 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head reliably producing fringing flux at gap layer and method for fabricating the same
JP2001291210A (ja) 2000-04-03 2001-10-19 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッド
US6591480B1 (en) 2000-05-12 2003-07-15 Headway Technologies, Inc. Process for fabricating a flux concentrating stitched head
US7037421B2 (en) 2000-05-19 2006-05-02 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head having magnetic gap formed of NiP
JP3756778B2 (ja) * 2000-06-01 2006-03-15 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US6416677B1 (en) 2000-06-05 2002-07-09 Headway Technologies, Inc. Narrow track stitched GMR head
US6674610B1 (en) 2000-06-16 2004-01-06 Western Digital (Fremont), Inc. Thin film write head with universal coil design
US6430806B1 (en) 2000-06-23 2002-08-13 Read-Rite Corporation Method for manufacturing an inductive write element employing bi-layer photoresist to define a thin high moment pole pedestal
US6542343B1 (en) * 2000-08-09 2003-04-01 International Business Machines Corporation Tunnel valve head design to lower resistance
US6747841B1 (en) 2000-09-06 2004-06-08 Seagate Technology Llc Optimization of temperature dependent variations in shield and pole recession/protrusion through use of a composite overcoat layer
US6859997B1 (en) 2000-09-19 2005-03-01 Western Digital (Fremont), Inc. Method for manufacturing a magnetic write element
JP3593312B2 (ja) * 2000-12-26 2004-11-24 アルプス電気株式会社 垂直磁気記録ヘッドおよびその製造方法
JP3527947B2 (ja) * 2001-03-02 2004-05-17 北海道大学長 プローブ及びその製造方法並びにプローブを有する顕微鏡及びテスタ
US6785953B2 (en) 2001-06-18 2004-09-07 International Business Machines Corporation Process of fabricating a write head with protection of a second pole tip thickness
US6678117B2 (en) 2001-06-18 2004-01-13 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic transducer with bilayer pole piece structure with improved milling endpoint detection
JP2003132506A (ja) 2001-10-23 2003-05-09 Alps Electric Co Ltd 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7301727B2 (en) * 2001-12-20 2007-11-27 Seagate Technology Llc Return pole of a transducer having low thermal induced protrusion
US6813118B2 (en) 2002-01-04 2004-11-02 Seagate Technology Llc Transducing head having improved studs and bond pads to reduce thermal deformation
US6947255B2 (en) * 2002-03-22 2005-09-20 International Business Machines Corporation Magnetic head having a notched pole piece structure and method of making the same
US6848166B2 (en) * 2002-05-28 2005-02-01 Hitachi Global Storage Technologies Method of protecting the pole piece of a magnetic head during the ion mill patterning of the yoke
US6876526B2 (en) * 2002-06-12 2005-04-05 Seagate Technology Llc Bilayer shared pole extension for reduced thermal pole tip protrusion
US6989963B2 (en) * 2002-09-13 2006-01-24 Seagate Technology Llc Writer core structures having improved thermal dissipation properties
JP2004127404A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
JP3865308B2 (ja) * 2002-10-02 2007-01-10 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
JP2004178664A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Hitachi Ltd 記録再生分離型磁気ヘッド
US6989964B2 (en) 2003-06-16 2006-01-24 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic head having a pole piece with a double pedestal structure
US7133255B2 (en) * 2003-08-27 2006-11-07 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. Magnetic head having magnetic pole with lengthened neck pole tip and coplanar yoke, and method of fabrication thereof
US7132221B2 (en) * 2003-09-12 2006-11-07 Headway Technologies, Inc. Method to print photoresist lines with negative sidewalls
US7199973B2 (en) * 2003-09-26 2007-04-03 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Perpendicular magnetic recording head with trailing shield throat height less than shaping layer distance from ABS
US7215511B2 (en) * 2004-03-31 2007-05-08 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Magnetic write head with gap termination less than half distance between pedestal and back gap
US7672079B2 (en) * 2004-07-07 2010-03-02 Headway Technologies, Inc. Pole width control on plated bevel main pole design of a perpendicular magnetic recording head
JP2006079729A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気記録媒体及び磁気記録装置
US7516538B2 (en) * 2004-09-20 2009-04-14 Headway Technologies, Inc. Method of manufacturing a magnetic head for perpendicular magnetic recording
US7363698B2 (en) * 2004-09-30 2008-04-29 Hitachi Gobal Storage Technologies Inc. Process for creating a write head by forming a bump after the top pole is formed
US7411264B2 (en) * 2004-11-18 2008-08-12 Seagate Technology Llc Etch-stop layers for patterning block structures for reducing thermal protrusion
JP2007257815A (ja) * 2006-02-22 2007-10-04 Tdk Corp 磁気デバイス、垂直磁気記録ヘッド、磁気記録装置、磁性層パターンの形成方法および垂直磁気記録ヘッドの製造方法
JP2008034004A (ja) * 2006-07-27 2008-02-14 Tdk Corp 渦電流を用いた熱アシスト磁気記録方法及び熱アシスト磁気記録用ヘッド
US8080167B2 (en) * 2009-02-20 2011-12-20 Tdk Corporation Shaping method of thin film and manufacturing method of perpendicular recording magnetic head using the same
US9081004B2 (en) * 2009-09-28 2015-07-14 International Business Machines Corporation Circuit for detecting analytes via nanoparticle-labeled substances with electromagnetic read-write heads
US9304130B2 (en) 2010-12-16 2016-04-05 International Business Machines Corporation Trenched sample assembly for detection of analytes with electromagnetic read-write heads
US9040311B2 (en) 2011-05-03 2015-05-26 International Business Machines Corporation Calibration assembly for aide in detection of analytes with electromagnetic read-write heads
US8855957B2 (en) 2011-05-03 2014-10-07 International Business Machines Corporation Method for calibrating read sensors of electromagnetic read-write heads
US9229071B2 (en) 2011-06-01 2016-01-05 International Business Machines Corporation Identification of molecules based on frequency responses using electromagnetic write-heads and magneto-resistive sensors
US8837085B2 (en) * 2012-04-02 2014-09-16 Seagate Technology Llc Write yoke with stabilizing layer
US9435800B2 (en) 2012-09-14 2016-09-06 International Business Machines Corporation Sample assembly with an electromagnetic field to accelerate the bonding of target antigens and nanoparticles

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4190872A (en) * 1978-12-21 1980-02-26 International Business Machines Corporation Thin film inductive transducer
JPS59104717A (ja) * 1982-12-08 1984-06-16 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
US4589042A (en) * 1983-06-27 1986-05-13 International Business Machines Corporation Composite thin film transducer head
JPS6010409A (ja) * 1983-06-29 1985-01-19 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
US4652954A (en) * 1985-10-24 1987-03-24 International Business Machines Method for making a thin film magnetic head
JPS63173213A (ja) * 1987-01-13 1988-07-16 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
JPS63247903A (ja) * 1987-04-03 1988-10-14 Citizen Watch Co Ltd 磁気ヘツドの作動ギヤツプの形成方法
US4899434A (en) * 1987-07-28 1990-02-13 Applied Magnetics Corporation Method of making a thin film magnetic head with a leveler layer and superstrate
US4839197A (en) * 1988-04-13 1989-06-13 Storage Technology Corporation Process for fabricating thin film magnetic recording heads having precision control of the width tolerance of the upper pole tip
JP2728487B2 (ja) * 1989-02-08 1998-03-18 株式会社日立製作所 録再分離複合型磁気ヘッド
JPH0358308A (ja) * 1989-07-26 1991-03-13 Victor Co Of Japan Ltd 薄膜磁気ヘッド
JP2754804B2 (ja) * 1989-11-20 1998-05-20 松下電器産業株式会社 薄膜磁気ヘッドの製造方法
US5141623A (en) * 1990-02-15 1992-08-25 Seagate Technology, Inc. Method for aligning pole tips in a thin film head
US5116719A (en) * 1990-02-15 1992-05-26 Seagate Technology, Inc. Top pole profile for pole tip trimming
JPH03296907A (ja) * 1990-04-16 1991-12-27 Hitachi Ltd 磁気ヘッドおよびその製造方法
US5285340A (en) * 1992-02-28 1994-02-08 International Business Machines Corporation Thin film magnetic head with conformable pole tips
US5331493A (en) * 1992-08-21 1994-07-19 Minnesota Mining And Manufacturing Company Bidirectional thin-film magnetoresistive tape head assembly
JPH0765320A (ja) * 1993-08-20 1995-03-10 Minebea Co Ltd 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US5438747A (en) * 1994-03-09 1995-08-08 International Business Machines Corporation Method of making a thin film merged MR head with aligned pole tips

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