JP7529741B2 - ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド - Google Patents

ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド Download PDF

Info

Publication number
JP7529741B2
JP7529741B2 JP2022167262A JP2022167262A JP7529741B2 JP 7529741 B2 JP7529741 B2 JP 7529741B2 JP 2022167262 A JP2022167262 A JP 2022167262A JP 2022167262 A JP2022167262 A JP 2022167262A JP 7529741 B2 JP7529741 B2 JP 7529741B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
showerhead
plenum
heat transfer
transfer fluid
secondary gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022167262A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2023002673A (ja
Inventor
バッザー・レイチェル
チュウ・フアタン
バラダラジャン・バドリ
ブレイリング・パトリック・ジラール
ゴン・ボー
シュロッサー・ウィル
グイ・ジェ
タン・タイド
ホーン・ジェフリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lam Research Corp
Original Assignee
Lam Research Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lam Research Corp filed Critical Lam Research Corp
Publication of JP2023002673A publication Critical patent/JP2023002673A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7529741B2 publication Critical patent/JP7529741B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45565—Shower nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45563—Gas nozzles
    • C23C16/45572—Cooled nozzles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/20—Means for supporting or positioning the object or the material; Means for adjusting diaphragms or lenses associated with the support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32422—Arrangement for selecting ions or species in the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel
    • H01J37/32522—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C13/00—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles
    • B05C13/02—Means for manipulating or holding work, e.g. for separate articles for particular articles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

関連出願への相互参照
本願は、開示全体が、参照によって本明細書に組み込まれる、２０１６年１２月１４日出願の米国特許出願第１５／３７８，８５４号に基づく優先権を主張する。
本開示は、基板処理システムに関し、特に、ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給するシャワーヘッドを備えた基板処理システムに関する。
本明細書で提供されている背景技術の記載は、本開示の背景を概略的に提示することを目的とする。ここに名を挙げられている発明者の業績は、この背景技術に記載された範囲において、出願時に従来技術として通常見なされえない記載の態様と共に、明示的にも黙示的にも本開示に対する従来技術として認められない。
半導体ウエハなどの基板上に膜を蒸着するために、基板処理システムが利用されうる。基板処理システムは、通常、処理チャンバおよび基板支持体を備える。膜蒸着中、ラジカルおよび前駆体ガスが、処理チャンバに供給されうる。
例えば、処理チャンバは、上側チャンバ、下側チャンバ、および、基板支持体を備えうる。シャワーヘッドが、上側チャンバと下側チャンバとの間に配置されうる。基板が、下側チャンバ内の基板支持体上に配置される。プラズマ混合ガスが上側チャンバに供給され、プラズマが上側チャンバ内で点火される。プラズマによって生成されたラジカルの一部が、シャワーヘッドを通して下側チャンバに流れる。シャワーヘッドは、イオンをフィルタリングし、下側チャンバに到達しないようにＵＶ光を遮断する。前駆体混合ガスが、シャワーヘッドを通して下側チャンバに供給され、ラジカルと反応することで基板上に膜を蒸着する。
一般的に、シャワーヘッドは、温度制御システムを備えない。しかしながら、一部の処理システムでは、シャワーヘッドの外縁（アクセス可能であり、真空下にはない）の温度を制御するために、基本的な温度制御システムが用いられる。基本的な温度制御システムは、プラズマからの熱のために、シャワーヘッドの全体の温度を均一に制御しない。換言すると、シャワーヘッドの中心の温度が上昇する。温度変化は、プラズマのオン／オフ、圧力、流量、および／または、ペデスタル温度など、プロセスの変化に伴って生じる。シャワーヘッドの温度のばらつきは、蒸着処理の均一性および欠陥性能に悪影響を及ぼす。
基板処理システムは、基板支持体を備える第１チャンバを備える。シャワーヘッドが、第１チャンバの上方に配置されており、イオンをフィルタリングし、プラズマ源から第１チャンバにラジカルを供給するように構成されている。シャワーヘッドは、熱伝導流体を受け入れるための流入口と、シャワーヘッドの中央部分を通じて流出口まで熱伝導流体を導いてシャワーヘッドの温度を制御するための複数の流路とを備える熱伝導流体プレナムと、二次ガスを受け入れるための流入口と、二次ガスを第１チャンバに注入するための複数の二次ガスインジェクタとを備える二次ガスプレナムと、シャワーヘッドを貫通する複数の貫通孔と、を備える。貫通孔は、熱伝導流体プレナムとも二次ガスプレナムとも流体連通していない。
別の特徴において、熱伝導流体プレナムは、流入口と流体連通する第１プレナムを備える。流路の第１端が、第１プレナムと流体連通している。第２プレナムは、流路の反対端と流体連通している。
別の特徴において、熱伝導流体プレナムは、流入口と流体連通する第１プレナムと、流路の第１端と流体連通する第２プレナムと、第１プレナムと第２プレナムとの間に配置され、それらの間の流体の流れを制限する第１複数の制限部と、流路の反対端と流体連通する第３プレナムと、流出口と流体連通する第４プレナムと、第３プレナムと第４プレナムとの間に配置され、それらの間の流体の流れを制限する第２複数の制限部と、を備える。
別の特徴において、複数の流路は、シャワーヘッドの片側からシャワーヘッドの反対側へ半径方向に流れる。複数の流路は、直線経路を規定する。複数の流路は、曲線経路を規定する。複数の流路は、正弦曲線形状の経路を規定する。
別の特徴において、二次ガスプレナムは、第１プレナムと、第２プレナムと、第１プレナムと第２プレナムとの間に配置されている流量制限部と、を備える。
別の特徴において、流量制限部は、第１複数の壁と、第１複数の壁の間に規定されている複数のスロットと、を備える。第１複数の壁は、弓形である。第２複数の壁が、第２プレナムの貫通孔の周りに配置されている。第２複数の壁は、円筒形である。
別の特徴において、二次ガスインジェクタは、第２プレナムと流体連通している。複数の制限部が、第２プレナムと二次ガスインジェクタとの間に配置される。
別の特徴において、複数の流路は、流入口および流出口を備える。複数の流路の流入口は、シャワーヘッドの片側に配置され、複数の流路の流出口は、その片側で流入口の間に配置され、複数の流路は、流入口に接続し、シャワーヘッドを横切り、折り返してシャワーヘッドを横切って流出口に戻る。
別の特徴において、第２チャンバは、第１チャンバの上方に配置される。シャワーヘッドは、第１チャンバと第２チャンバとの間に配置される。コイルが、第２チャンバの周りに配置される。第２チャンバ内でプラズマを生成するために、ＲＦ発生器がコイルに接続されている。
別の特徴において、流路の内の少なくとも１つは、流量制限部を備える。熱伝導流体は、液体を含む。熱伝導流体は、気体を含む。熱伝導流体は、第１チャンバには流れ込まない。
別の特徴において、二次ガスインジェクタは、シャワーヘッドの底面から所定の距離だけ伸びており、所定の距離は、０．１インチ（２．５４ｍｍ）～１．５インチ（３８．１ｍｍ）の範囲内である。貫通孔は、０．０５インチ（１．２７ｍｍ）～０．３インチ（７．６２ｍｍ）の範囲の直径を有する。
別の特徴において、シャワーヘッドは、円筒壁を備えており、円筒壁は、シャワーヘッドの底面から伸びて、複数の貫通孔および複数の二次ガスインジェクタの半径方向外側に配置されている。シャワーヘッドは、円筒壁を備えており、円筒壁は、シャワーヘッドの上面から上向きに伸びて、複数の貫通孔および複数の二次ガスインジェクタの半径方向外側に配置されている。
別の特徴において、第１Ｏ－リングが、シャワーヘッドの上面と上側チャンバとの間に配置され、第２Ｏ－リングが、シャワーヘッドの底面と下側チャンバとの間に配置される。
詳細な説明、特許請求の範囲、および、図面から、本開示を適用可能なさらなる領域が明らかになる。詳細な説明および具体的な例は、単に例示を目的としており、本開示の範囲を限定するものではない。
本開示は、詳細な説明および以下に説明する添付図面から、より十分に理解できる。
本開示に従って、シャワーヘッドを備える基板処理チャンバの一例を示す機能ブロック図。
本開示に従って、シャワーヘッドの一例を示す底面斜視図。
本開示に従って、Ｏ－リングを受けるための溝を示す側断面図。
本開示に従って、シャワーヘッドの一例を示す上面斜視図。
本開示に従って、シャワーヘッドの一例の底面を示す平面図。
本開示に従って、二次ガスインジェクタの周りに配置されている複数の貫通孔の一例を示す平面図。
本開示に従って、二次ガスインジェクタの周りに配置されている複数の貫通孔の別の例を示す平面図。
本開示に従って、シャワーヘッドの一例を示す側断面図。
複数の隣接する層によって形成されたシャワーヘッドを示す一例の側断面図。
本開示に従って、シャワーヘッドの別の例を示す拡大側断面図。
本開示に従って、図６のシャワーヘッドを示す側断面図。
本開示に従って、下向きに突出する壁を備えるシャワーヘッドの別の例を示す拡大側断面図。
本開示に従って、上向きに突出する壁を備えるシャワーヘッドの別の例を示す拡大側断面図。
本開示に従って、シャワーヘッドの中間層の上面の一例を示す平面図。
本開示に従って、流路を通る流体の流れを制御するための制限部を備える流路の一例を示す図。
本開示に従って、シャワーヘッドの中間層の底面の一例を示す平面図。
本開示に従って、一方の縁部に沿って配置されている交互の熱伝導流体の流入口および流出口のペアを備えるシャワーヘッドの中間層の上面の別の例を示す平面図。
本開示に従って、図１２のシャワーヘッドの中間層の底面を示す平面図。
図１２および図１３のシャワーヘッドの側断面図。
図面において、同様および／または同一の要素を特定するために、同じ符号を用いる場合がある。
本開示は、均一なラジカルを供給すると共に遠隔プラズマ源からのイオンをフィルタリングする統合された埋め込み型シャワーヘッドを備えた基板処理システムに関する。シャワーヘッドは、均一で制御された温度を維持するために、シャワーヘッドの中央部分を通して流路に熱伝導流体を供給することによって、均一な温度制御を提供する。また、シャワーヘッドは、基板を含むチャンバへの均一な前駆体ガス流供給を提供する。いくつかの例において、基板処理システムは、共形炭化物膜を蒸着するために利用できるが、その他のタイプの膜が蒸着されてもよい。
ここで、図１を参照すると、基板処理システム１０は、上側チャンバ２０および下側チャンバ３０を備える。特定のタイプの基板処理システムが図示および記載されているが、その他のタイプが用いられてもよい。誘導結合プラズマが図示されているが、容量結合プラズマ、遠隔プラズマ源、または、その他の適切なプラズマ発生器など、他のタイプのプラズマ生成が用いられてもよい。
いくつかの例において、上側チャンバ２０は、ドーム形チャンバを含みうるが、その他のチャンバ形状が用いられてもよい。基板支持体３４が、下側チャンバ３０内に配置されている。基板３６が、基板処理中、基板支持体３４上に配置される。シャワーヘッド４０が、上側チャンバ２０と下側チャンバ３０との間に配置される。誘導コイル４２が、上側チャンバ２０の周りに配置されてよい。
ガス供給システム５０－１が、プラズマガスを含む処理ガス混合物を上側チャンバ２０に供給するために用いられてよい。ガス供給システム５０－１は、１または複数のガス源５２－１、５２－２、．．．、および、５２－Ｎと、バルブ５４－１、．．．、および、５４－Ｎと、マスフローコントローラ（ＭＦＣ）５６－１、．．．、および、５６－Ｎと、マニホルド５８と、を備えるが、その他のタイプのガス供給システムが用いられてもよい（ここで、Ｎは整数）。ガス供給システム５０－２が、前駆体ガスを含む処理ガス混合物をシャワーヘッド４０に供給する。
ＲＦプラズマ発生器６６は、ＲＦ源７０および整合回路網７２を備える。ＲＦプラズマ発生器６６は、（プラズマガスが供給されている間に）誘電コイル４２にＲＦ電力を選択的に供給して、上側チャンバ２０内でプラズマ６２を生成する。
シャワーヘッド４０の温度を制御するために、気体または液体の冷却材などの熱伝導流体をシャワーヘッド４０に供給する温度制御システム８６が用いられてよい。バルブ８８およびポンプ９０が、反応物質を排出するために用いられてよい。
コントローラ９４は、上側チャンバ２０およびシャワーヘッド４０へ必要に応じて処理ガスを選択的に供給するために、ガス供給システム５０－１および５０－２と通信する。コントローラ９４は、上側チャンバ２０内でプラズマを生成および消火するために、ＲＦプラズマ発生器６６と通信する。
コントローラ９４は、シャワーヘッド４０の温度を制御するために用いられる熱伝導流体の流量および温度を制御するために、温度制御システム８６と通信する。一部の例において、熱伝導流体は、水、エチレングリコールと混合した水、フッ化ペルフルオロポリエーテル流体またはその他の流体、ならびに／もしくは、１または複数のガスを含みうる。一部の例において、温度制御システム８６は、閉ループ制御を用いて、熱伝導流体の流量および温度を制御する。他の例において、温度制御システム８６は、比例積分微分（ＰＩＤ）制御を用いて、流量および温度を制御する。熱伝導流体は、建物の水循環システムから開ループシステムで提供されてもよい。一部の例において、熱伝導流体は、真空チャンバから密閉される。
一部の例において、コントローラ９４は、シャワーヘッド４０の１または複数の温度を検知するために、シャワーヘッド４０に配置された１または複数の温度センサ（図示せず）に接続される。一部の例において、コントローラ９４は、処理チャンバ内の１または複数の圧力を検知するために、シャワーヘッド４０に配置された１または複数の圧力センサ（図示せず）に接続される。コントローラ９４は、上側および下側チャンバ２０、３０内の圧力を制御するため、および、そこから選択的に反応物質を排出するために、バルブ８８およびポンプ９０と通信する。
ここで、図２Ａ～図３を参照すると、シャワーヘッド４０の上面１０２、底面１０４、および、側面１０８が示されている。図２Ａにおいて、シャワーヘッド４０は、シャワーヘッドの軸の中央部分または中央に、シャワーヘッド４０の上面１０２からシャワーヘッド４０の底面１０４へ通る複数の離間した貫通孔１１０を備える。一部の例では、Ｏ－リング１１１が、図２Ｂに示すように、シャワーヘッド４０の底面１０４と下側チャンバ３０との間に配置されてもよい。溝１１３が、Ｏ－リング１１１を位置決めするために、シャワーヘッド４０および下側チャンバ３０の一方または両方に配置されてよい。
複数の二次ガスインジェクタ１１２が、シャワーヘッド４０から二次ガス（前駆体ガスなど）を供給する。一部の例において、二次ガスインジェクタ１１２は、シャワーヘッド４０の中央部分において、シャワーヘッド４０の底面１０４から下方に伸びる。一部の例において、二次ガスインジェクタ１１２は、逆拡散を防ぐため、および、二次ガスインジェクタごとのガス流を均一にするために、底面１０４上に制限部（図示せず）を備える。制限部は、チョーク流れ条件を引き起こしうる。
図３において、シャワーヘッド４０は、流入口および流出口として機能する対になった熱流体ポート１２０、１２２を備える。シャワーヘッド４０は、より多くの対になったポートを備えた２以上の熱流体プレナムを含んでもよい。漏れ回収トレイ１２８が、熱流体ポート１２０、１２２の一方または両方の周りに配置されてよい。漏れ回収トレイ１２８は、上側および下側チャンバの外側に配置されてよい。漏れ回収トレイ１２８は、漏れ検出を可能にする。一部の例では、Ｏ－リング１１５が、シャワーヘッド４０の上面１０２と上側チャンバ２０との間に配置されてもよい。図２Ｂに示すのと同様に、溝がＯ－リング１１１を位置決めするために、シャワーヘッド４０および上側チャンバ２０の一方または両方に配置されてよい。
ここで、図４Ａを参照すると、シャワーヘッド４０の貫通孔１１０および二次ガスインジェクタ１１２は、様々なパターンで配列されてよい。例えば、図４Ａに示すシャワーヘッド４０の貫通孔１１０および二次ガスインジェクタ１１２は、オフセットされた三角形パターンＴを有してよい。別のパターンは、長方形、放射状、六角形、または、らせんパターンを含むが、その他のパターンが用いられてもよい。一部の例において、二次ガスインジェクタ１１２の間隔は、０．２５インチ～２インチ（５０．８ｍｍ）の範囲である。一部の例において、貫通孔１１０は、二次ガスインジェクタと同じ間隔を有してよいが、図４Ｂおよび図４Ｃに示すように、異なる間隔が用いられてもよい。
一部の例において、貫通孔１１０は、図４Ｂおよび図４Ｃの例に示すように、各二次ガスインジェクタ１１２の周りに集まる複数のより小さい貫通孔を含んでもよい。二次ガスインジェクタ１１２の周りの貫通孔１１０の配列は、図４Ｂに示すように均一であってもよいし、図４Ｃに示すように不均一であってもよい。一部の例では、貫通孔１１０－Ｒが、二次ガスインジェクタのシャワーヘッド４０の中心に近い側でシャワーヘッド４０の放射線上に配置される。
ここで、図５Ａ～図８Ｂを参照すると、シャワーヘッド４０の側断面図が示されている。図５Ａにおいて、貫通孔１１０は、シャワーヘッド４０の上面１０２からその底面１０４まで貫通している。貫通孔１１０と直交し、シャワーヘッド４０の上面１０２と平行であるが上面１０２からオフセットされた１または複数の平面内に、１または複数の熱伝導流体プレナム１４０が配置されている。貫通孔１１０と直交し、シャワーヘッド４０の底面１０４ならびに熱伝導流体プレナム１４０を含む１または複数の平面と平行であるがそれらの面からオフセットされた１または複数の平面内に、１または複数の二次ガスプレナム１５０が配置されている。図の構成では、二次ガス供給部の上方に熱伝導流体プレナムがある。プレナムは、二次ガスプレナムが熱伝導流体プレナムの上方になるように逆転されてもよい。
１または複数の熱伝導流体プレナム１４０は、熱流体ポート１２０、１２２に接続されている。１または複数の二次ガスプレナム１５０は、二次ガス流入口（図２Ａ）からガスを受け入れ、二次ガスインジェクタ１１２の流路１５２に二次ガス流を供給する。
一部の例において、二次ガスインジェクタ１１２は、シャワーヘッド４０への膜の蒸着を低減するために、シャワーヘッド４０の底面から離れる向きに所定の距離だけ伸びている。一部の例において、所定の距離は、０．１インチ～１．５インチの範囲であるが、その他の距離が用いられてもよい。一部の例において、二次ガスインジェクタ１１２は、逆拡散を防いで二次ガスインジェクタごとの流れの均一性を保証するために、制限部を備える。一部の例において、貫通孔１１０は、０．０５インチ～０．３インチの範囲の直径を有する。
図５Ｂにおいて、シャワーヘッド４０は、互いに接続された最上層１６３、中間層１６５、および、最下層１６７を含む複数の層で形成されうる。より多くの層が、さらなるプレナムを形成するために追加されてもよい。一部の例において、シャワーヘッド４０は、複雑かつ独特な形状を合理的なコストで可能にするために、真空ろう付け、タングステン不活性ガス（ＴＩＧ）溶接、または、電子ビーム溶接を用いて製造されてよい。真空ろう付け接合は、プレートに溝を切って各プレートの間にろう付け層を設けた平坦なプレートとして、シャワーヘッドを機械加工することを可能にする。溶接技術は、シーリングを必要とするすべての領域に溶接がアクセスするために、より複雑なサブ構成要素を必要とする。溶接がアクセス可能である部分の表面までシーリング領域を持ち上げるために、ポストおよび対応する穴が機械加工されてもよい。
一部の例において、中間層１６５の上面が、１または複数の熱伝導流体プレナム１４０を規定し、中間層１６５の底面が、１または複数の二次ガスプレナム１５０を規定する。ただし、最上層１６３の底面が、１または複数の熱伝導流体プレナム１４０を部分的または完全に規定するために用いられてもよく、最下層１６７の上面が、１または複数の二次ガスプレナムを完全または部分的に規定するために用いられてもよい。
一部の例において、プレナムおよびそれらの上下にある材料の厚さは、０．０５インチ～０．２５インチ（６．３５ｍｍ）であるが、他の厚さが用いられてもよい。プレナムの間および上／下の材料の厚さは、製造に必要とされる流体圧力および材料厚さをサポートするのに必要な強度によって決定される。熱流体プレナム１４０の厚さは、流体の圧力降下を低減するようなサイズであってよい。二次ガスプレナム１５０のサイズは、各インジェクタ１１２への均一なガス分散を可能にするのに十分な大きさに選択されてよい。各層の厚さは、全体の厚さを削減することで貫通孔１１０内でのラジカルの損失を低減するために最小化されることが好ましい。
一部の例において、最上層１６３および最下層１６７の厚さは、０．０７５インチ（１．９０５ｍｍ）～０．１２５インチ（３．１７５ｍｍ）の範囲であるが、他の厚さが用いられてもよい。一部の例において、最上層１６３および最下層１６７の厚さは、０．１インチであるが、他の厚さが用いられてもよい。一部の例において、中間層１６５の厚さは、０．４インチ（１０．１６ｍｍ）～０．６インチ（１５．２４ｍｍ）の範囲であるが、他の厚さが用いられてもよい。一部の例において、中間層１６５の厚さは、０．５インチ（１２．７ｍｍ）であるが、他の厚さが用いられてもよい。一部の例において、シャワーヘッドの厚さは、１インチ（２５．４ｍｍ）以下である。一部の例において、シャワーヘッドの厚さは、０．７インチ（１７．７８ｍｍ）以下である。
図６および図７に、漏れ回収トレイ１２８が示されている。漏れ回収トレイ１２８は、熱流体ポート１２０、１２２の少なくとも一方の周りに配置された凹部を含む。一部の例において、凹部は円筒形であるが、他の形状が用いられてもよい。
図８Ａにおいて、一部の例は、シャワーヘッド４０の半径方向外側縁部２０８から（近くでまたは半径方向内側に離間されて）基板３６に向かって（かつ、貫通孔１１０および二次ガスインジェクタ１１２の半径方向外側で）下方に伸びる円筒壁２１０を備える。円筒壁２１０は、シャワーヘッド４０と一体化されてもよいし、シャワーヘッド４０に取り付けられてもよい。円筒壁２１０は、基板から見たシャワーヘッド４０とチャンバ壁との間の熱均一性を改善する。円筒壁２１０は、壁と基板支持体３４との間に流量制限を設けることによって、排出ポートのポンピングの非均一性を抑制するために用いられてもよい。一部の例において、円筒壁２１０は、基板支持体３４の上面を含む平面の下方に伸びる。
図８Ｂにおいて、一部の例は、シャワーヘッド４０の半径方向外側縁部２０８から（近くでまたは半径方向内側に離間されて）（かつ、貫通孔１１０および二次ガスインジェクタ１１２の半径方向外側で）下向きに伸びる円筒壁２１１を備える。円筒壁２１１は、シャワーヘッド４０の上面と一体化されてもよいし、シャワーヘッド４０の上面に取り付けられてもよい。円筒壁２１１は、ラジカル源を取り付けるための取り付け面を提供する。
ここで、図９～図１０を参照すると、１または複数の熱伝導流体プレナム１４０の構成例が示されている。図９には、中間層１６５の上面が示されている。１または複数の熱伝導流体プレナム１４０は、第１プレナム１５６－１を含む。一部の例において、第１プレナム１５６－１は、弓形であるが、その他の形状が用いられてもよい。一部の例では、複数の制限部１５８－１が、第１プレナム１５６－１の片側で互いに隣接して配置されている。複数の制限部１５８－１の各々の間の間隔は、第１プレナム１５６－１から第２プレナム１５６－２への流れを制限して分散させるように選択される。一部の例において、複数の制限部１５８－１の各々は、円形、楕円形、または、長円形の形状を有するポストを含むが、その他の形状が用いられてもよい。複数の制限部１５８－１は、流路１６０の間の流体流をより均一にするため、および、噴出効果を排除するために用いられてよい。あるいは、流路１６０の内の１または複数が、図１０に示すように、流れを制御するために制限部１６４を備えてもよい。流路１６０が制限部１６４を備える場合、複数の制限部１５８－１を省略することができるため、第１および第２プレナム１５６－１および１５６－２を単一のプレナムとすることができる。
第２プレナム１５６－２は、流路１６０の第１端に向かって開いている。一部の例において、流路１６０は、表面積を増大させるために、三角形、方形波、曲線、または、略正弦曲線の形状を有する。流路１６０の第２端はシャワーヘッド４０の反対側に配置された第３プレナム１５６－３に接続されている。複数の制限部１５８－２が、第３プレナム１５６－３の片側に配置されている。複数の制限部１５８－２の各々は、第４プレナム１５６－４への流れを制限するために配置される。第４プレナム１５６－４は、流出口に接続されている。流路１６０が制限部１６４を備える場合、複数の制限部１５８－２を省略することができるため、第３および第４プレナム１５６－３および１５６－４を単一のプレナムとすることができる。
一部の例において、熱流体流路１６０は、流量の１０％以下のチャネル間不均一性を有する。一部の例において、熱流体の流量は、毎分１０ガロンであり、シャワーヘッド表面全体を±１℃までに制御する。一部の例において、二次ガスインジェクタ１１２は、質量流量の１％以下の流量不均一性を有する。一部の例において、二次ガスインジェクタ１１２は、質量流量の０．１％以下の不均一性を有する。
図１１では、中間層１６５の底面が示されている。１または複数の二次ガスプレナム１５０は、ガス流入口１７２と、第１プレナム１７６－１および第２プレナム１７６－２と流体連通する流路１７４と、を備える。第１複数の壁１８０が、第１プレナム１７６－１と第２プレナム１７６－２との間に配置されている。複数のスロット１８４が、第１プレナム１７６－１と第２プレナム１７６－２との間の流れを制限するために、複数の壁１８０の端部の間に配置されている。一部の例において、第１プレナム１７６－１はリング形状であり、第２プレナム１７６－２は円形であり、第１複数の壁１８０は弓形であるが、その他の形状が用いられてもよい。
第２複数の壁１９０が、貫通孔１１０の周りに配置されている。一部の例において、第２複数の壁１９０は円筒形であるが、その他の形状が用いられてもよい。一部の例において、第２複数の壁１９０の上縁は、二次プレナム１７６－２と貫通孔１１０との間に真空シールを形成するために、結合領域を提供する。一部の例では、複数の制限部１８６が、第２プレナム１７６－２から下側チャンバ３０への二次ガスの流れを制御するために、第２ガスインジェクタ１１２の流入口に提供される。
一部の例において、スロット１８４は、スロット１８４での圧力降下ΔＰスロットが圧力降下ΔＰ第１プレナムよりも大幅に大きくなるように、制限部１８６に対してサイズを決められる。一部の例において、ΔＰスロットは、ΔＰ第１プレナムの２０倍の大きさである。一部の例において、ΔＰスロットは、ΔＰ第１プレナムの５倍の大きさである。
ここで、図１２～図１４を参照すると、別のシャワーヘッド４０の中間部分３００が、その片側に沿って配置された熱伝導流体流入口および流出口を備えることが図示されている。換言すると、流路は、流入口からシャワーヘッドを横切り、折り返してシャワーヘッドを横切って流出口へ至る。
図１２には、中間部分３００の上面が示されている。流体流入口３１０が、流体流入プレナム３２０に接続されている。一部の例において、流体流入プレナム３２０は、弓形である。複数の流路３３０への流入口３２４が、流体流入プレナム３２０に接続されている。複数の流路３３０は、シャワーヘッド４０全体を横切って、折り返した後に流入口３２４の内の隣接する流入口の間に配置された流出口３３４に戻る。流路３３０は、直線部分として図示されているが、直線ではない流路（上で示したようなものなど）が、表面積および熱伝導を増大させるために用いられてもよい（もしくは、直線および曲線の組みあわせが用いられてもよい）。
流出口３３４は、中間部分３００におけるガス導管３３８を通して、図１３における中間部分３００の底面側に配置された流出プレナム３５０へ至る。流出プレナム３５０は、流体流出口３５８に接続されている。理解できるとおり、中間部分３００の底面は、図１１に示したものと同様の二次ガスプレナムも備えてよい。導管３３８のサイズは、流路ごとの不均一な流量を補償してポスト１５８を用いるのと同じ均一性を達成するために変更されてよい。
本明細書に記載の統合シャワーヘッドは、十分かつ均一なラジカルを供給し、遠隔プラズマ源からのイオンをフィルタリングし、均一な温度制御を提供し、均一な前駆体を供給する。一部の例において、上述の熱伝導流体流路を備えたシャワーヘッドによって提供される温度制御は、基板にわたる温度の不均一性を５℃未満まで抑制する。また、熱伝導流体流路は、上側チャンバ２０の空間に含まれるプラズマから生成される熱を抑制することができる。シャワーヘッドは、さらに、下側チャンバに均一な前駆体供給を提供する内部二次ガスプレナムを備える。一部の例において、二次ガスプレナムからのガス流出口は、シャワーヘッド上への蒸着を最小限に抑えて洗浄の合間の時間を延ばすために、シャワーヘッドの底面からの所定の距離だけオフセットされる。
上述の記載は、本質的に例示に過ぎず、本開示、応用例、または、利用法を限定する意図はない。本開示の広範な教示は、様々な形態で実施されうる。したがって、本開示には特定の例が含まれるが、図面、明細書、および、以下の特許請求の範囲を研究すれば他の変形例が明らかになるため、本開示の真の範囲は、それらの例には限定されない。方法に含まれる１または複数の工程が、本開示の原理を改変することなく、異なる順序で（または同時に）実行されてもよいことを理解されたい。さらに、実施形態の各々は、特定の特徴を有するものとして記載されているが、本開示の任意の実施形態に関して記載された特徴の内の任意の１または複数の特徴を、他の実施形態のいずれかに実装することができる、および／または、組み合わせが明確に記載されていないとしても、他の実施形態のいずれかの特徴と組み合わせることができる。換言すると、上述の実施形態は互いに排他的ではなく、１または複数の実施形態を互いに置き換えることは本開示の範囲内にある。
要素の間（例えば、モジュールの間、回路要素の間、半導体層の間）の空間的関係および機能的関係性が、「接続される」、「係合される」、「結合される」、「隣接する」、「近接する」、「の上部に」、「上方に」、「下方に」、および、「配置される」など、様々な用語を用いて記載されている。第１および第２要素の間の関係性を本開示で記載する時に、「直接」であると明確に記載されていない限り、その関係性は、他に介在する要素が第１および第２の要素の間に存在しない直接的な関係性でありうるが、１または複数の介在する要素が第１および第２の要素の間に（空間的または機能的に）存在する間接的な関係性でもありうる。本明細書で用いられているように、「Ａ、Ｂ、および、Ｃの少なくとも１つ」という表現は、非排他的な論理和ＯＲを用いて、論理（ＡまたはＢまたはＣ）を意味すると解釈されるべきであり、「Ａの少なくとも１つ、Ｂの少なくとも１つ、および、Ｃの少なくとも１つ」という意味であると解釈されるべきではない。
いくつかの実施例において、コントローラは、システムの一部であり、システムは、上述の例の一部であってよい。かかるシステムは、１または複数の処理ツール、１または複数のチャンバ、処理のための１または複数のプラットフォーム、および／または、特定の処理構成要素（基板ペデスタル、ガスフローシステムなど）など、半導体処理装置を備えうる。これらのシステムは、半導体基板または基板の処理前、処理中、および、処理後に、システムの動作を制御するための電子機器と一体化されてよい。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれてもよく、システムの様々な構成要素または副部品を制御しうる。コントローラは、処理要件および／またはシステムのタイプに応じて、処理ガスの供給、温度設定（例えば、加熱および／または冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、高周波（ＲＦ）発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体供給設定、位置および動作設定、ならびに、ツールおよび他の移動ツールおよび／または特定のシステムと接続または結合されたロードロックの内外への基板移動など、本明細書に開示の処理のいずれを制御するようプログラムされてもよい。
概して、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすることなどを行う様々な集積回路、ロジック、メモリ、および／または、ソフトウェアを有する電子機器として定義されてよい。集積回路は、プログラム命令を格納するファームウェアの形態のチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）として定義されるチップ、および／または、プログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行する１または複数のマイクロプロセッサまたはマイクロコントローラを含みうる。プログラム命令は、様々な個々の設定（またはプログラムファイル）の形態でコントローラに伝えられて、半導体基板に対するまたは半導体基板のための特定の処理を実行するための動作パラメータ、もしくは、システムへの動作パラメータを定義する。動作パラメータは、いくつかの実施形態において、基板の１または複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、および／または、ダイの加工中に１または複数の処理工程を達成するために処理エンジニアによって定義されるレシピの一部であってよい。
コントローラは、いくつかの実施例において、システムと一体化されるか、システムに接続されるか、その他の方法でシステムとネットワーク化されるか、もしくは、それらの組み合わせでシステムに結合されたコンピュータの一部であってもよいし、かかるコンピュータに接続されてもよい。例えば、コントローラは、「クラウド」内にあってもよいし、基板処理のリモートアクセスを可能にできるファブホストコンピュータシステムの全部または一部であってもよい。コンピュータは、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に従って処理工程を設定する、または、新たな処理を開始するために、システムへのリモートアクセスを可能にして、製造動作の現在の進捗を監視する、過去の製造動作の履歴を調べる、もしくは、複数の製造動作からの傾向または性能指標を調べうる。いくつかの例では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）が、ネットワーク（ローカルネットワークまたはインターネットを含みうる）を介してシステムに処理レシピを提供してよい。リモートコンピュータは、パラメータおよび／または設定の入力またはプログラミングを可能にするユーザインターフェースを備えてよく、パラメータおよび／または設定は、リモートコンピュータからシステムに通信される。いくつかの例において、コントローラは、データの形式で命令を受信し、命令は、１または複数の動作中に実行される処理工程の各々のためのパラメータを指定する。パラメータは、実行される処理のタイプならびにコントローラがインターフェース接続するまたは制御するよう構成されたツールのタイプに固有であってよいことを理解されたい。したがって、上述のように、コントローラは、ネットワーク化されて共通の目的（本明細書に記載の処理および制御など）に向けて動作する１または複数の別個のコントローラを備えることなどによって分散されてよい。かかる目的のための分散コントローラの一例は、チャンバでの処理を制御するために協働するリモートに配置された（プラットフォームレベルにある、または、リモートコンピュータの一部として配置されるなど）１または複数の集積回路と通信するチャンバ上の１または複数の集積回路である。
限定はしないが、システムの例は、プラズマエッチングチャンバまたはモジュール、蒸着チャンバまたはモジュール、スピンリンスチャンバまたはモジュール、金属メッキチャンバまたはモジュール、洗浄チャンバまたはモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバまたはモジュール、物理蒸着（ＰＶＤ）チャンバまたはモジュール、化学蒸着（ＣＶＤ）チャンバまたはモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバまたはモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバまたはモジュール、イオン注入チャンバまたはモジュール、トラックチャンバまたはモジュール、ならびに、半導体基板の加工および／または製造に関連するかまたは利用されうる任意のその他の半導体処理システムを含みうる。
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこから基板のコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。

Claims (20)

  1. 基板の処理に用いるための装置であって、
    連続構造を形成するように結合されている複数の層によって形成されているシャワーヘッドを備え、
    前記複数の層は、最上層、中間層、および最下層を含み、
    前記シャワーヘッドは、前記シャワーヘッドの上面から前記上面に対向する前記シャワーヘッドの底面に伸びる複数の貫通孔を含み、
    前記シャワーヘッドは、前記シャワーヘッドの前記上面と前記シャワーヘッドの前記底面との間に配置されている二次ガスプレナムおよび熱伝導流体プレナムを含み、
    前記中間層に面する前記最上層の表面は、前記熱伝導流体プレナムを部分的または完全に規定し、
    複数の二次ガスインジェクタが、前記二次ガスプレナムから前記シャワーヘッドの前記底面に通じ、
    円筒壁が、前記複数の貫通孔および前記複数の二次ガスインジェクタを取り囲み、前記シャワーヘッドの前記底面から第１距離だけ伸びる、装置。
  2. 請求項１に記載の装置であって、
    前記円筒壁および前記複数の層は、連続構造を形成する、装置。
  3. 請求項１に記載の装置であって、
    前記二次ガスインジェクタは、前記シャワーヘッドの前記底面から、前記第１距離よりも短い第２距離だけ外向きに突出している、装置。
  4. 請求項１に記載の装置であって、
    前記円筒壁は、前記シャワーヘッドの外縁から半径方向内側にオフセットされている、装置。
  5. 請求項１に記載の装置であって、
    前記円筒壁の半径方向外側にある前記シャワーヘッドの部分は、前記円筒壁の半径方向内側にある前記シャワーヘッドの部分よりも厚い、装置。
  6. 請求項１に記載の装置であって、
    各貫通孔は、前記シャワーヘッド内の前記熱伝導流体プレナムから封止されている、装置。
  7. 請求項６に記載の装置であって、
    前記シャワーヘッドは、さらに、熱伝導流体流入口および熱伝導流体流出口を含み、
    前記熱伝導流体流入口および前記熱伝導流体流出口は、いずれも前記熱伝導流体プレナムと接続されている、装置。
  8. 請求項１に記載の装置であって、
    前記最上層の前記表面は、前記熱伝導流体プレナムを少なくとも部分的に規定する一または複数のリセスを有する前記中間層に面している、装置。
  9. 請求項８に記載の装置であって、
    前記最下層の上面は、前記二次ガスプレナムを部分的または完全に規定する、装置。
  10. 請求項１に記載の装置であって、
    前記最下層の上面は、前記二次ガスプレナムを部分的または完全に規定する、装置。
  11. 請求項６に記載の装置であって、
    前記熱伝導流体プレナムは、第１弓形プレナムおよび第２弓形プレナムを含み、
    複数の流路は、前記第１弓形プレナムと前記第２弓形プレナムとの間に伸び、
    前記複数の流路は、隣り合わせに配置され、平行方向に沿って伸びる、装置。
  12. 請求項１１に記載の装置であって、
    各流路は、曲線または方形波の経路をたどる、装置。
  13. 請求項１１に記載の装置であって、さらに、
    前記第１弓形プレナム内で第１弓形経路に沿って分散されている複数の第１ポストと、
    前記第２弓形プレナム内で第２弓形経路に沿って分散されている複数の第２ポストと、
    を備える、装置。
  14. 請求項６に記載の装置であって、
    前記熱伝導流体プレナムは、流体流入プレナムおよび複数の流路を含み、
    前記複数の流路は各々、前記流体流入プレナムと接続する第１端から対応する導管で終端する第２端に通じる、対応する経路をたどり、
    前記複数の経路の少なくともいくつかの経路は、前記シャワーヘッドを横切る第１方向と逆の第２方向に沿って延びるように逆戻りする前に、前記第１方向に沿って伸び、
    前記複数の導管は、前記流体流入プレナムとは異なる高度に配置されている流体流出プレナムと接続する、装置。
  15. 請求項１４に記載の装置であって、
    前記流体流入プレナムおよび前記流体流出プレナムは、いずれも弓形である、装置。
  16. 請求項１４に記載の装置であって、
    前記複数の導管の少なくともいくつかの導管は、異なる断面積を有する、装置。
  17. 請求項１５に記載の装置であって、
    前記複数の経路の少なくともいくつかの経路は、曲線または方形波である、装置。
  18. 請求項１５に記載の装置であって、
    前記流体流入プレナムおよび前記流体流出プレナムは、前記シャワーヘッドの前記底面に垂直な方向に沿って見たときに、互いに位置合わせされている、装置。
  19. 請求項１から１８のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、
    処理チャンバと、
    基板支持体であって、前記シャワーヘッドは前記基板支持体の上方に位置する、基板支持体と、
    を備える、装置。
  20. 請求項１９に記載の装置であって、
    前記装置は、前記装置における基板処理の間に、前記基板支持体の上面が前記円筒壁の底面の上方に位置するように構成されている、装置。
JP2022167262A 2016-12-14 2022-10-19 ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド Active JP7529741B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/378,854 2016-12-14
US15/378,854 US10604841B2 (en) 2016-12-14 2016-12-14 Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
PCT/US2017/066411 WO2018112197A1 (en) 2016-12-14 2017-12-14 Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
JP2019531737A JP7163289B2 (ja) 2016-12-14 2017-12-14 ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019531737A Division JP7163289B2 (ja) 2016-12-14 2017-12-14 ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2024119178A Division JP2024150670A (ja) 2016-12-14 2024-07-25 ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2023002673A JP2023002673A (ja) 2023-01-10
JP7529741B2 true JP7529741B2 (ja) 2024-08-06

Family

ID=62488447

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019531737A Active JP7163289B2 (ja) 2016-12-14 2017-12-14 ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド
JP2022167262A Active JP7529741B2 (ja) 2016-12-14 2022-10-19 ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019531737A Active JP7163289B2 (ja) 2016-12-14 2017-12-14 ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド

Country Status (6)

Country Link
US (5) US10604841B2 (ja)
JP (2) JP7163289B2 (ja)
KR (3) KR20220158875A (ja)
CN (2) CN110088885B (ja)
TW (1) TW201836440A (ja)
WO (1) WO2018112197A1 (ja)

Families Citing this family (296)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
CN110050333B (zh) * 2016-12-08 2023-06-09 应用材料公司 时间性原子层沉积处理腔室
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10604841B2 (en) * 2016-12-14 2020-03-31 Lam Research Corporation Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
USD876504S1 (en) 2017-04-03 2020-02-25 Asm Ip Holding B.V. Exhaust flow control ring for semiconductor deposition apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US20190088451A1 (en) * 2017-05-12 2019-03-21 Ontos Equipment Systems, Inc. Integrated Thermal Management for Surface Treatment with Atmospheric Plasma
US20180340257A1 (en) * 2017-05-25 2018-11-29 Applied Materials, Inc. Diffuser for uniformity improvement in display pecvd applications
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
WO2019113478A1 (en) 2017-12-08 2019-06-13 Lam Research Corporation Integrated showerhead with improved hole pattern for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) * 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10510553B1 (en) * 2018-05-30 2019-12-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Dry ashing by secondary excitation
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20210044303A (ko) * 2018-09-10 2021-04-22 램 리써치 코포레이션 준안정 (metastable) 활성화된 라디칼 종을 사용한 원자 층 처리 프로세스
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
KR102641752B1 (ko) * 2018-11-21 2024-03-04 삼성전자주식회사 가스 주입 모듈, 기판 처리 장치, 및 그를 이용한 반도체 소자의 제조방법
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
JP7477515B2 (ja) * 2019-01-08 2024-05-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 基板処理チャンバ用のポンピング装置及び方法
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200109620A (ko) * 2019-03-13 2020-09-23 (주)포인트엔지니어링 접합부품
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
CN118098919A (zh) * 2019-06-07 2024-05-28 朗姆研究公司 多站半导体处理中的可独立调整流路传导性
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
DE102019131794A1 (de) 2019-11-25 2021-05-27 Aixtron Se Wandgekühltes Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
JP6809745B1 (ja) * 2020-08-03 2021-01-06 株式会社ニッシン プラズマ処理装置
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
WO2022046519A1 (en) * 2020-08-31 2022-03-03 Tokyo Electron Limited Gas cluster assisted plasma processing
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
US20220350251A1 (en) * 2021-05-03 2022-11-03 Applied Materials, Inc. Chamber and methods of treating a substrate after exposure to radiation
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
TW202336801A (zh) * 2021-10-29 2023-09-16 美商蘭姆研究公司 具有用於自由基物種輸送的孔尺寸之噴淋頭

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227829A (ja) 2006-02-27 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
JP2010192513A (ja) 2009-02-16 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびその運転方法
JP2013174023A (ja) 2006-09-16 2013-09-05 Piezonics Co Ltd 反応気体の噴射速度を積極的に調節するシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置およびその方法
JP2014220231A (ja) 2013-02-15 2014-11-20 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 温度制御機能を備えるマルチプレナムシャワーヘッド

Family Cites Families (206)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3156326B2 (ja) 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
GB9411911D0 (en) 1994-06-14 1994-08-03 Swan Thomas & Co Ltd Improvements in or relating to chemical vapour deposition
US5597439A (en) 1994-10-26 1997-01-28 Applied Materials, Inc. Process gas inlet and distribution passages
US5919382A (en) 1994-10-31 1999-07-06 Applied Materials, Inc. Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor
DE69510427T2 (de) 1994-10-31 1999-12-30 Applied Materials, Inc. Plasmareaktoren zur Halbleiterscheibenbehandlung
US6036878A (en) 1996-02-02 2000-03-14 Applied Materials, Inc. Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna
US6054013A (en) 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
US6200412B1 (en) 1996-02-16 2001-03-13 Novellus Systems, Inc. Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection
US5614026A (en) 1996-03-29 1997-03-25 Lam Research Corporation Showerhead for uniform distribution of process gas
US6367410B1 (en) * 1996-12-16 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Closed-loop dome thermal control apparatus for a semiconductor wafer processing system
EP0854210B1 (en) 1996-12-19 2002-03-27 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Vapor deposition apparatus for forming thin film
US6616767B2 (en) 1997-02-12 2003-09-09 Applied Materials, Inc. High temperature ceramic heater assembly with RF capability
JP3341619B2 (ja) 1997-03-04 2002-11-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US5994662A (en) 1997-05-29 1999-11-30 Applied Materials, Inc. Unique baffle to deflect remote plasma clean gases
GB9712400D0 (en) 1997-06-16 1997-08-13 Trikon Equip Ltd Shower head
US6148761A (en) 1998-06-16 2000-11-21 Applied Materials, Inc. Dual channel gas distribution plate
JP4149051B2 (ja) 1998-11-09 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
TW582050B (en) 1999-03-03 2004-04-01 Ebara Corp Apparatus and method for processing substrate
US6565661B1 (en) 1999-06-04 2003-05-20 Simplus Systems Corporation High flow conductance and high thermal conductance showerhead system and method
US6205869B1 (en) 1999-08-12 2001-03-27 Sentry Equipment Corporation Apparatus and method for sampling fluid from reactor vessel
US6364949B1 (en) 1999-10-19 2002-04-02 Applied Materials, Inc. 300 mm CVD chamber design for metal-organic thin film deposition
WO2001029282A2 (en) * 1999-10-20 2001-04-26 Cvd Systems, Inc. Fluid processing system
TW514996B (en) 1999-12-10 2002-12-21 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film
JP3953247B2 (ja) 2000-01-11 2007-08-08 株式会社日立国際電気 プラズマ処理装置
DE10007059A1 (de) 2000-02-16 2001-08-23 Aixtron Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von beschichteten Substraten mittels Kondensationsbeschichtung
US6444039B1 (en) 2000-03-07 2002-09-03 Simplus Systems Corporation Three-dimensional showerhead apparatus
JP2003529926A (ja) 2000-03-30 2003-10-07 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理システム内への調整可能なガス注入のための方法及び装置
US6306247B1 (en) 2000-04-19 2001-10-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Apparatus and method for preventing etch chamber contamination
US6635117B1 (en) 2000-04-26 2003-10-21 Axcelis Technologies, Inc. Actively-cooled distribution plate for reducing reactive gas temperature in a plasma processing system
US6502530B1 (en) 2000-04-26 2003-01-07 Unaxis Balzers Aktiengesellschaft Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor
US6537419B1 (en) 2000-04-26 2003-03-25 David W. Kinnard Gas distribution plate assembly for providing laminar gas flow across the surface of a substrate
US6387207B1 (en) 2000-04-28 2002-05-14 Applied Materials, Inc. Integration of remote plasma generator with semiconductor processing chamber
DE10024883A1 (de) 2000-05-19 2001-11-29 Bosch Gmbh Robert Plasmaätzanlage
KR100406174B1 (ko) 2000-06-15 2003-11-19 주식회사 하이닉스반도체 화학적 강화 화학 기상 증착 장비에 사용되는 샤워 헤드
JP4371543B2 (ja) 2000-06-29 2009-11-25 日本電気株式会社 リモートプラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
EP1361604B1 (en) 2001-01-22 2009-03-18 Tokyo Electron Limited Device and method for treatment
US6878206B2 (en) 2001-07-16 2005-04-12 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
ATE365702T1 (de) 2001-04-10 2007-07-15 Basf Ag Eisenoxide mit höherem veredelungsgrad
JP4250375B2 (ja) 2001-05-15 2009-04-08 キヤノン株式会社 成膜装置及び電子源の製造装置並びにそれらを用いた成膜方法及び電子源の製造方法
US20060191637A1 (en) 2001-06-21 2006-08-31 John Zajac Etching Apparatus and Process with Thickness and Uniformity Control
US6820570B2 (en) 2001-08-15 2004-11-23 Nobel Biocare Services Ag Atomic layer deposition reactor
JP4387190B2 (ja) 2001-10-18 2009-12-16 ビュン，チュル，スー 汚染防止と膜成長速度増進機能を備える化学気相蒸着方法及び装置
KR100421223B1 (ko) 2001-12-13 2004-03-02 삼성전자주식회사 화학 기상 반응기용 샤워헤드
US6617679B2 (en) 2002-02-08 2003-09-09 Advanced Energy Industries, Inc. Semiconductor package for multiple high power transistors
JP4067858B2 (ja) * 2002-04-16 2008-03-26 東京エレクトロン株式会社 Ａｌｄ成膜装置およびａｌｄ成膜方法
US7186385B2 (en) 2002-07-17 2007-03-06 Applied Materials, Inc. Apparatus for providing gas to a processing chamber
US20040031565A1 (en) 2002-08-13 2004-02-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas distribution plate for processing chamber
US20040050326A1 (en) * 2002-09-12 2004-03-18 Thilderkvist Karin Anna Lena Apparatus and method for automatically controlling gas flow in a substrate processing system
US6837966B2 (en) 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US20040082251A1 (en) * 2002-10-29 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Apparatus for adjustable gas distribution for semiconductor substrate processing
KR100520979B1 (ko) 2003-03-07 2005-10-12 위순임 원격 플라즈마 발생기를 이용한 진공 프로세스 챔버
KR100520980B1 (ko) 2003-04-19 2005-10-13 위순임 고밀도 플라즈마 화학적 기상 증착 챔버 및 이를 위한가스 노즐
US7335396B2 (en) 2003-04-24 2008-02-26 Micron Technology, Inc. Methods for controlling mass flow rates and pressures in passageways coupled to reaction chambers and systems for depositing material onto microfeature workpieces in reaction chambers
US7537662B2 (en) 2003-04-29 2009-05-26 Asm International N.V. Method and apparatus for depositing thin films on a surface
US7296534B2 (en) 2003-04-30 2007-11-20 Tokyo Electron Limited Hybrid ball-lock attachment apparatus
US6830624B2 (en) 2003-05-02 2004-12-14 Applied Materials, Inc. Blocker plate by-pass for remote plasma clean
KR100965758B1 (ko) 2003-05-22 2010-06-24 주성엔지니어링(주) 액정표시장치용 플라즈마 강화 화학기상증착 장치의샤워헤드 어셈블리
JP2007525822A (ja) 2003-05-30 2007-09-06 アヴィザ テクノロジー インコーポレイテッド ガス分配システム
US7198653B2 (en) 2003-07-31 2007-04-03 Delavau Llc Calcium carbonate granulation
JP4306403B2 (ja) 2003-10-23 2009-08-05 東京エレクトロン株式会社 シャワーヘッド構造及びこれを用いた成膜装置
KR100513920B1 (ko) 2003-10-31 2005-09-08 주식회사 시스넥스 화학기상증착 반응기
US20050230350A1 (en) 2004-02-26 2005-10-20 Applied Materials, Inc. In-situ dry clean chamber for front end of line fabrication
US7298534B2 (en) 2004-04-13 2007-11-20 Philip Morris Usa Inc. Off-axis holographic light concentrator and method of use thereof
US7273526B2 (en) 2004-04-15 2007-09-25 Asm Japan K.K. Thin-film deposition apparatus
US8083853B2 (en) 2004-05-12 2011-12-27 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser hole design
US7712434B2 (en) 2004-04-30 2010-05-11 Lam Research Corporation Apparatus including showerhead electrode and heater for plasma processing
US7708859B2 (en) * 2004-04-30 2010-05-04 Lam Research Corporation Gas distribution system having fast gas switching capabilities
US20050241767A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Ferris David S Multi-piece baffle plate assembly for a plasma processing system
US20050241579A1 (en) 2004-04-30 2005-11-03 Russell Kidd Face shield to improve uniformity of blanket CVD processes
US8074599B2 (en) 2004-05-12 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Plasma uniformity control by gas diffuser curvature
US8328939B2 (en) 2004-05-12 2012-12-11 Applied Materials, Inc. Diffuser plate with slit valve compensation
US20060021703A1 (en) 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
KR101309334B1 (ko) 2004-08-02 2013-09-16 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 화학적 기상 증착 반응기용 멀티 가스 분배 인젝터
KR20060059305A (ko) 2004-11-26 2006-06-01 삼성전자주식회사 반도체 공정 장비
US20060124169A1 (en) 2004-12-09 2006-06-15 Tokyo Electron Limited Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method
US7601242B2 (en) 2005-01-11 2009-10-13 Tokyo Electron Limited Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system
KR100636038B1 (ko) * 2005-02-01 2006-10-18 삼성전자주식회사 가스 공급 장치 및 이를 갖는 막 형성 장치
JP2006261217A (ja) 2005-03-15 2006-09-28 Canon Anelva Corp 薄膜形成方法
US7674393B2 (en) 2005-03-25 2010-03-09 Tokyo Electron Limited Etching method and apparatus
KR100747735B1 (ko) 2005-05-13 2007-08-09 주식회사 테스 반도체 제조 장치
JP4506557B2 (ja) * 2005-05-18 2010-07-21 株式会社島津製作所 シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置
KR100731164B1 (ko) 2005-05-19 2007-06-20 주식회사 피에조닉스 샤워헤드를 구비한 화학기상 증착 방법 및 장치
US7895970B2 (en) 2005-09-29 2011-03-01 Tokyo Electron Limited Structure for plasma processing chamber, plasma processing chamber, plasma processing apparatus, and plasma processing chamber component
JP4997842B2 (ja) 2005-10-18 2012-08-08 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US7850779B2 (en) 2005-11-04 2010-12-14 Applied Materisals, Inc. Apparatus and process for plasma-enhanced atomic layer deposition
DE102005055468A1 (de) 2005-11-22 2007-05-24 Aixtron Ag Verfahren zum Abscheiden von Schichten in einem CVD-Reaktor sowie Gaseinlassorgan für einen CVD-Reaktor
US20070264427A1 (en) 2005-12-21 2007-11-15 Asm Japan K.K. Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition
CN101003895B (zh) 2006-01-16 2011-10-19 中微半导体设备(上海)有限公司 一种传送反应物到基片的装置及其处理方法
JP2007191792A (ja) 2006-01-19 2007-08-02 Atto Co Ltd ガス分離型シャワーヘッド
KR100752622B1 (ko) 2006-02-17 2007-08-30 한양대학교 산학협력단 원거리 플라즈마 발생장치
JP4844167B2 (ja) 2006-02-24 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 冷却ブロック及びプラズマ処理装置
US20070202701A1 (en) 2006-02-27 2007-08-30 Tokyo Electron Limited Plasma etching apparatus and method
US8268078B2 (en) 2006-03-16 2012-09-18 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system
US8231799B2 (en) 2006-04-28 2012-07-31 Applied Materials, Inc. Plasma reactor apparatus with multiple gas injection zones having time-changing separate configurable gas compositions for each zone
KR101140502B1 (ko) * 2006-06-13 2012-04-30 주식회사 케이씨텍 중성화빔을 이용한 표면처리장치
JP2008027796A (ja) 2006-07-24 2008-02-07 Canon Inc プラズマ処理装置
WO2008016836A2 (en) 2006-07-29 2008-02-07 Lotus Applied Technology, Llc Radical-enhanced atomic layer deposition system and method
JP2008066413A (ja) 2006-09-05 2008-03-21 Tokyo Electron Ltd シャワーヘッド構造及びこれを用いた処理装置
JP2008088228A (ja) 2006-09-29 2008-04-17 Fujifilm Corp インクジェット用インク組成物、及び、これを用いた画像形成方法並びに記録物
US20080081114A1 (en) 2006-10-03 2008-04-03 Novellus Systems, Inc. Apparatus and method for delivering uniform fluid flow in a chemical deposition system
CN100451163C (zh) 2006-10-18 2009-01-14 中微半导体设备(上海)有限公司 用于半导体工艺件处理反应器的气体分布装置及其反应器
US7674352B2 (en) * 2006-11-28 2010-03-09 Applied Materials, Inc. System and method for depositing a gaseous mixture onto a substrate surface using a showerhead apparatus
US20080156631A1 (en) 2006-12-27 2008-07-03 Novellus Systems, Inc. Methods of Producing Plasma in a Container
US20080156264A1 (en) 2006-12-27 2008-07-03 Novellus Systems, Inc. Plasma Generator Apparatus
KR101281188B1 (ko) 2007-01-25 2013-07-02 최대규 유도 결합 플라즈마 반응기
US7846497B2 (en) * 2007-02-26 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
ES2331489T3 (es) 2007-03-05 2010-01-05 Applied Materials, Inc. Instalacion de revestimiento y sistema de conduccion de gas.
US7978631B1 (en) 2007-05-31 2011-07-12 Oracle America, Inc. Method and apparatus for encoding and mapping of virtual addresses for clusters
US20090136652A1 (en) 2007-06-24 2009-05-28 Applied Materials, Inc. Showerhead design with precursor source
JP2009016453A (ja) 2007-07-02 2009-01-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
JP5444599B2 (ja) 2007-09-28 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置及び成膜装置
US20090095222A1 (en) 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas spiral channel showerhead
US20090095221A1 (en) 2007-10-16 2009-04-16 Alexander Tam Multi-gas concentric injection showerhead
US7976631B2 (en) 2007-10-16 2011-07-12 Applied Materials, Inc. Multi-gas straight channel showerhead
FI123322B (fi) 2007-12-17 2013-02-28 Beneq Oy Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi
US8512509B2 (en) 2007-12-19 2013-08-20 Applied Materials, Inc. Plasma reactor gas distribution plate with radially distributed path splitting manifold
KR20090078538A (ko) 2008-01-15 2009-07-20 삼성전기주식회사 샤워 헤드와 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
JP5230225B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-10 東京エレクトロン株式会社 蓋部品、処理ガス拡散供給装置、及び基板処理装置
US8110068B2 (en) 2008-03-20 2012-02-07 Novellus Systems, Inc. Gas flow distribution receptacles, plasma generator systems, and methods for performing plasma stripping processes
KR101004927B1 (ko) 2008-04-24 2010-12-29 삼성엘이디 주식회사 Ｃｖｄ용 샤워 헤드 및 이를 구비하는 화학 기상 증착 장치
JP5222040B2 (ja) 2008-06-25 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
US8291857B2 (en) 2008-07-03 2012-10-23 Applied Materials, Inc. Apparatuses and methods for atomic layer deposition
US8147648B2 (en) 2008-08-15 2012-04-03 Lam Research Corporation Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus
US9222172B2 (en) 2008-08-20 2015-12-29 Applied Materials, Inc. Surface treated aluminum nitride baffle
JP5026373B2 (ja) 2008-09-04 2012-09-12 シャープ株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
JP2010084190A (ja) 2008-09-30 2010-04-15 Sharp Corp 気相成長装置および気相成長方法
ATE538337T1 (de) * 2008-11-18 2012-01-15 Sauer Danfoss Aps Flüssigkeitsverteilungsventil
WO2010095720A1 (ja) 2009-02-20 2010-08-26 日本碍子株式会社 セラミックス－金属接合体及びその製法
US20110048325A1 (en) 2009-03-03 2011-03-03 Sun Hong Choi Gas Distribution Apparatus and Substrate Processing Apparatus Having the Same
JP4576466B2 (ja) 2009-03-27 2010-11-10 シャープ株式会社 気相成長装置及び気相成長方法
US8183132B2 (en) * 2009-04-10 2012-05-22 Applied Materials, Inc. Methods for fabricating group III nitride structures with a cluster tool
US20100263588A1 (en) 2009-04-15 2010-10-21 Gan Zhiyin Methods and apparatus for epitaxial growth of semiconductor materials
KR101064210B1 (ko) 2009-06-01 2011-09-14 한국생산기술연구원 막증착 진공장비용 샤워헤드
CN105088191B (zh) 2009-07-15 2018-07-13 应用材料公司 Cvd 腔室的流体控制特征结构
CN102576667A (zh) 2009-07-22 2012-07-11 应用材料公司 中空阴极喷头
KR101062462B1 (ko) 2009-07-28 2011-09-05 엘아이지에이디피 주식회사 샤워헤드 및 이를 포함하는 화학기상증착장치
US8258025B2 (en) 2009-08-07 2012-09-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing microcrystalline semiconductor film and thin film transistor
KR20120090996A (ko) 2009-08-27 2012-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법
US20110065276A1 (en) 2009-09-11 2011-03-17 Applied Materials, Inc. Apparatus and Methods for Cyclical Oxidation and Etching
US8419959B2 (en) 2009-09-18 2013-04-16 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
TWI385272B (zh) 2009-09-25 2013-02-11 Ind Tech Res Inst 氣體分佈板及其裝置
KR101097386B1 (ko) 2009-10-01 2011-12-23 주식회사 뉴파워 프라즈마 원격 플라즈마 발생기를 지지하는 거치대
US9449859B2 (en) 2009-10-09 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Multi-gas centrally cooled showerhead design
TWI430714B (zh) 2009-10-15 2014-03-11 Orbotech Lt Solar Llc 電漿處理腔之噴撒頭組件及電漿處理腔之噴撒頭組件之氣體電離板之製備方法
US20110097492A1 (en) * 2009-10-27 2011-04-28 Kerr Roger S Fluid distribution manifold operating state management system
WO2011088024A1 (en) 2010-01-12 2011-07-21 Sundew Technologies, Llc Methods and apparatus for atomic layer deposition on large area substrates
US8381275B2 (en) 2010-01-27 2013-02-19 International Business Machines Corporation Staged user deletion
ATE551439T1 (de) 2010-02-08 2012-04-15 Roth & Rau Ag PARALLELER PLATTENREAKTOR ZUR GLEICHMÄßIGEN DÜNNFILMABLAGERUNG MIT REDUZIERTER WERKZEUGAUFSTELLFLÄCHE
JP5445252B2 (ja) 2010-03-16 2014-03-19 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20110256692A1 (en) 2010-04-14 2011-10-20 Applied Materials, Inc. Multiple precursor concentric delivery showerhead
JP4840832B2 (ja) 2010-04-28 2011-12-21 シャープ株式会社 気相成長装置、気相成長方法、および半導体素子の製造方法
US8608852B2 (en) * 2010-06-11 2013-12-17 Applied Materials, Inc. Temperature controlled plasma processing chamber component with zone dependent thermal efficiencies
US8910644B2 (en) 2010-06-18 2014-12-16 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for inducing turbulent flow of a processing chamber cleaning gas
DE112011102327T5 (de) 2010-07-12 2013-06-06 Ulvac, Inc. Schichtbildungsvorrichtung
US8721791B2 (en) 2010-07-28 2014-05-13 Applied Materials, Inc. Showerhead support structure for improved gas flow
US8869742B2 (en) 2010-08-04 2014-10-28 Lam Research Corporation Plasma processing chamber with dual axial gas injection and exhaust
US9184028B2 (en) * 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
US20120052216A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Applied Materials, Inc. Gas distribution showerhead with high emissivity surface
JP5689294B2 (ja) * 2010-11-25 2015-03-25 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US20120135609A1 (en) 2010-11-30 2012-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition
US9719169B2 (en) 2010-12-20 2017-08-01 Novellus Systems, Inc. System and apparatus for flowable deposition in semiconductor fabrication
KR101937115B1 (ko) 2011-03-04 2019-01-09 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 하이브리드 세라믹 샤워헤드
TWI534291B (zh) 2011-03-18 2016-05-21 應用材料股份有限公司 噴淋頭組件
US9695510B2 (en) 2011-04-21 2017-07-04 Kurt J. Lesker Company Atomic layer deposition apparatus and process
US9245717B2 (en) 2011-05-31 2016-01-26 Lam Research Corporation Gas distribution system for ceramic showerhead of plasma etch reactor
US8562785B2 (en) 2011-05-31 2013-10-22 Lam Research Corporation Gas distribution showerhead for inductively coupled plasma etch reactor
DE102011056589A1 (de) 2011-07-12 2013-01-17 Aixtron Se Gaseinlassorgan eines CVD-Reaktors
JP5792563B2 (ja) 2011-08-31 2015-10-14 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置
US8960235B2 (en) 2011-10-28 2015-02-24 Applied Materials, Inc. Gas dispersion apparatus
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN102424956B (zh) 2011-12-02 2013-07-10 彭继忠 用于金属有机化合物化学气相沉积设备的喷淋装置
US20130288485A1 (en) 2012-04-30 2013-10-31 Applied Materials, Inc. Densification for flowable films
US9447499B2 (en) 2012-06-22 2016-09-20 Novellus Systems, Inc. Dual plenum, axi-symmetric showerhead with edge-to-center gas delivery
US9121097B2 (en) 2012-08-31 2015-09-01 Novellus Systems, Inc. Variable showerhead flow by varying internal baffle conductance
US9132436B2 (en) * 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
KR101477602B1 (ko) 2012-10-30 2014-12-30 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치
US20140127911A1 (en) 2012-11-07 2014-05-08 Lam Research Corporation Palladium plated aluminum component of a plasma processing chamber and method of manufacture thereof
US10316409B2 (en) 2012-12-21 2019-06-11 Novellus Systems, Inc. Radical source design for remote plasma atomic layer deposition
CN108546932A (zh) * 2013-02-15 2018-09-18 诺发系统公司 带温度控制的多室喷头
US9255326B2 (en) 2013-03-12 2016-02-09 Novellus Systems, Inc. Systems and methods for remote plasma atomic layer deposition
US9353439B2 (en) 2013-04-05 2016-05-31 Lam Research Corporation Cascade design showerhead for transient uniformity
US10808317B2 (en) * 2013-07-03 2020-10-20 Lam Research Corporation Deposition apparatus including an isothermal processing zone
US9677176B2 (en) 2013-07-03 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Multi-plenum, dual-temperature showerhead
CN104342632B (zh) * 2013-08-07 2017-06-06 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 预清洗腔室及等离子体加工设备
CN103521956A (zh) 2013-10-10 2014-01-22 光达光电设备科技（嘉兴）有限公司 分离式喷淋头结构
US10077497B2 (en) 2014-05-30 2018-09-18 Lam Research Corporation Hollow cathode discharge (HCD) suppressing capacitively coupled plasma electrode and gas distribution faceplate
US20150380221A1 (en) 2014-06-30 2015-12-31 Applied Materials, Inc. Hole Pattern For Uniform Illumination Of Workpiece Below A Capacitively Coupled Plasma Source
US10107490B2 (en) 2014-06-30 2018-10-23 Lam Research Corporation Configurable liquid precursor vaporizer
US9970108B2 (en) * 2014-08-01 2018-05-15 Lam Research Corporation Systems and methods for vapor delivery in a substrate processing system
US9951421B2 (en) * 2014-12-10 2018-04-24 Lam Research Corporation Inlet for effective mixing and purging
JP5963893B2 (ja) 2015-01-09 2016-08-03 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガス分散ユニット、半導体装置の製造方法およびプログラム
US9738975B2 (en) * 2015-05-12 2017-08-22 Lam Research Corporation Substrate pedestal module including backside gas delivery tube and method of making
US10378107B2 (en) 2015-05-22 2019-08-13 Lam Research Corporation Low volume showerhead with faceplate holes for improved flow uniformity
US10023959B2 (en) 2015-05-26 2018-07-17 Lam Research Corporation Anti-transient showerhead
US10358722B2 (en) 2015-12-14 2019-07-23 Lam Research Corporation Showerhead assembly
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10604841B2 (en) 2016-12-14 2020-03-31 Lam Research Corporation Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
US20190119815A1 (en) 2017-10-24 2019-04-25 Applied Materials, Inc. Systems and processes for plasma filtering
WO2019113478A1 (en) 2017-12-08 2019-06-13 Lam Research Corporation Integrated showerhead with improved hole pattern for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition
US10472716B1 (en) 2018-05-17 2019-11-12 Lam Research Corporation Showerhead with air-gapped plenums and overhead isolation gas distributor
TWI848974B (zh) 2018-09-14 2024-07-21 美商應用材料股份有限公司 用於多流前驅物配分劑量的裝置
US11420217B2 (en) 2019-12-19 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Showerhead for ALD precursor delivery
KR20220049926A (ko) 2020-10-15 2022-04-22 주식회사 원익아이피에스 기판처리장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007227829A (ja) 2006-02-27 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd プラズマエッチング装置およびプラズマエッチング方法
JP2013174023A (ja) 2006-09-16 2013-09-05 Piezonics Co Ltd 反応気体の噴射速度を積極的に調節するシャワーヘッドを備えた化学気相蒸着装置およびその方法
JP2010192513A (ja) 2009-02-16 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびその運転方法
JP2014220231A (ja) 2013-02-15 2014-11-20 ノベラス・システムズ・インコーポレーテッドＮｏｖｅｌｌｕｓ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 温度制御機能を備えるマルチプレナムシャワーヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018112197A1 (en) 2018-06-21
CN110088885B (zh) 2023-10-13
US20240318312A1 (en) 2024-09-26
US11101164B2 (en) 2021-08-24
CN117497451A (zh) 2024-02-02
US20210371982A1 (en) 2021-12-02
US11608559B2 (en) 2023-03-21
JP2023002673A (ja) 2023-01-10
KR20220158875A (ko) 2022-12-01
US10604841B2 (en) 2020-03-31
KR20240118202A (ko) 2024-08-02
KR102470174B1 (ko) 2022-11-22
US20180163305A1 (en) 2018-06-14
CN110088885A (zh) 2019-08-02
US20200219757A1 (en) 2020-07-09
JP7163289B2 (ja) 2022-10-31
US20230175134A1 (en) 2023-06-08
TW201836440A (zh) 2018-10-01
JP2020502793A (ja) 2020-01-23
KR20190087608A (ko) 2019-07-24
US12000047B2 (en) 2024-06-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7529741B2 (ja) ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド
JP7546483B2 (ja) 遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするためにラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給するための改良された孔パターンを備える統合シャワーヘッド
TWI676706B (zh) 具有主動冷卻的柵條之氣體分配裝置
US10622243B2 (en) Planar substrate edge contact with open volume equalization pathways and side containment
US10157755B2 (en) Purge and pumping structures arranged beneath substrate plane to reduce defects
TWI838387B (zh) 功率供應系統、基板處理系統、及供應功率的方法
JP2024150670A (ja) ラジカルおよび前駆体ガスを下流チャンバに供給して遠隔プラズマ膜蒸着を可能にするための温度制御を備えた統合シャワーヘッド
US20230332291A1 (en) Remote plasma architecture for true radical processing
US20230009859A1 (en) Asymmetric purged block beneath wafer plane to manage non-uniformity
WO2024191600A1 (en) Flow-over-vapor ampoule
KR20240093865A (ko) 라디칼 종 전달을 위한 구멍 크기를 갖는 샤워헤드
WO2024158762A1 (en) Showerhead for supplying metastable activated radicals

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221117

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221117

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20231121

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20240215

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20240514

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20240625

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240725

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7529741

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150