JP4576466B2 - 気相成長装置及び気相成長方法 - Google Patents
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Description
シャワーヘッドにおいては、シャワーヘッド表面での生成物の付着を抑制するため、シャワーヘッドの最表面は、冷媒によって温度コントロールされており、冷媒の流れる領域は、シャワーヘッド全面に渡っている。これは、一部分のみを温度コントールした場合、シャワーヘッド面に温度分布が発生し、シャワーヘッドが熱膨張により歪が発生するためである。上述のようなシャワーヘッド面にシャワープレートを設置した場合、被処理基板側は、基板加熱ヒータからの熱により加熱され、温度が上昇するが、周辺部、特に側面排気流路においては、基板加熱ヒータからの加熱量が少なく、温度上昇は低く、シャワーヘッドと接する面からは、冷却されるため、シャワープレートの外周領域の温度は、中央部に比べ低くなってしまう。
このような温度分布を有するシャワープレートには、中央の温度の高い領域には、シャワープレート表面に強固に固着する生成物が形成され、周辺の温度の低い領域には、フレーク状の安易に剥がれる生成物が形成される。
しかし、上記発明によれば、上記基板保持部材の基板加熱ヒータによって加熱される領域より外側においては、上記基板保持部材との対向面であって、上記シャワーヘッドにシャワープレートが近接して配置されている面において、低熱伝導の領域が形成されているため、シャワーヘッドからの冷却が無くなり、基板加熱ヒータからの加熱、ならびにプレート孔設置領域からの熱伝導により、シャワープレート温度が上昇し、シャワープレート全面に渡って、強固に固着する生成物を形成することができる。よって、シャワープレート表面に形成される生成物の剥離を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供することができる。
上記空間部は、前記シャワーヘッド側に加工を施し構成することもできる。例えば、シャワーヘッド面のシャワー孔領域以外にザグリ加工を施すことで、前記シャワープレート表面は、シャワーヘッドのシャワー孔が設置された領域で接触し、ザグリ加工を施した領域では空間部有することができる。よって、シャワープレート表面に形成される生成物の剥離を抑制し、被処理基板上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得る気相成長装置及び気相成長方法を提供することができる。
また、シャワープレート30は、シャワーヘッド20のシャワーヘッド下部壁面20aにて図示しないネジ等によって密着して固定、設置されている。
図5は、従来のシャワープレートを設置した場合の、図1中のA部の領域を示す拡大図である。シャワーヘッド下部壁面20a温度は、均一に保たれているため、シャワープレート30の被処理基板3側のシャワープレート壁面30aの温度は、基板保持部材4からの加熱によって決定される。よって、シャワープレート壁面30a温度は、図5中の加熱領域では、温度が高く、非加熱領域では、温度が低くなってしまう。図6(a)に従来のシャワープレートを設置した場合の成膜後のシャワープレート壁面30aの部分拡大写真である。図6(a)からも分かるように、加熱領域では、生成物44には膜剥がれなどが見られず、綺麗な薄膜が生成している。しかし、非加熱領域では、生成物には、膜剥がれ(以後、剥離生成物45と呼ぶ)が見られる雑晶が生成していることが分かる。つまり、シャワープレート30a壁面温度が、非加熱領域では低くなっているため、図6(a)に示すような剥離生成物45が生成される。
一方、本実施の形態では、シャワーヘッド20のシャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30は、シャワープレート30のプレート孔31設置領域外において、上記シャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30の対向面に、空間部41が形成されている。
図2に示すように、シャワープレート30には、プレート孔31が設置されている領域より外側で、かつ、シャワーヘッド下部壁面20aと対向する側のシャワープレート30にザグリ42を設けることによって、シャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30間に空間部41を形成している。
上記構成によれば、非加熱領域においては、シャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30間に空間部41を有しているため、シャワーヘッド下部壁面20aの温度がシャワープレートに伝わることが無くなり、また、加熱領域からの熱伝導による熱移動もあるため、非加熱領域においても、シャワープレート壁面30a温度を高く保つことが可能となる。ここで、シャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30間に空間部41を形成したが、この空間部41に低熱伝導材料を用いてもよい。
図6(b)は、図2に示す実施の形態の場合の成膜後のシャワープレート壁面30aの部分拡大写真である。シャワープレート30には、空間部41が設けられている。その効果は、図6(b)からも分かるように、加熱領域、非加熱領域に関わらず、生成物44には膜剥がれなどが見られず、綺麗な薄膜が生成している。よって、シャワープレート30表面に形成される生成物の剥離を抑制し、被処理基板3上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得ることができる。
図3、4に示すように、シャワープレート30には、プレート孔31が設置されている領域より外側で、かつ、シャワーヘッド下部壁面20aと対向する側のシャワープレート30にザグリ42が設けられ、シャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30間に空間部41を形成しており、さらに、ザグリ42面には、貫通孔43が形成されている。反応炉2内は、反応室隔壁7によって、反応室1と反応外部空間8に分離されており、反応外部空間8には、パージガス供給管25によって、パージガス(N2ガスもしくはH2ガス)が導入され、反応室1と反応外部空間8の圧力は、反応室1側が低くなるようパージガス流量が調整される。以上の構成により、反応外部空間8内のパージガスは、貫通孔43を通じて、反応室1内へ導入することができる。
シャワーヘッド20には、シャワープレート30のプレート孔31が設置されている領域より外側にザグリ42を設けることによって、シャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30間に空間部41を形成している。
上記構成によっても、非加熱領域においては、シャワーヘッド下部壁面20aとシャワープレート30間に空間部41を有しているため、シャワーヘッド下部壁面20aの温度がシャワープレートに伝わることが無くなり、また、加熱領域からの熱伝導による熱移動もあるため、非加熱領域においても、シャワープレート壁面30a温度を高く保つことが可能となる。また、パージガスの導入も、シャワープレート30へ貫通孔43を設けておくことで可能となる。よって、シャワープレート30表面に形成される生成物の剥離を抑制し、被処理基板3上での膜均一性及び膜の再現性を確保し得ることができる。
1a ガス排出口
2 反応炉
3 被処理基板
4 基板保持部材
5 回転伝達部材
6 基板加熱ヒータ
7 反応室隔壁
8 反応外部空間
10 MOCVD装置(気相成長装置)
20 シャワーヘッド
20a シャワーヘッド下部壁面
22 冷媒空間
23 第一ガス分配空間
23a 第一ガス導入口
23b 第一ガス供給管
24 第二ガス分配空間
24a 第二ガス導入口
24b 第二ガス供給管
25 パージガス供給管
30 シャワープレート
31、32 プレート孔
31a、32a ヘッド側表面孔
32b 基板側表面孔
41 空間部
42 ザグリ
43 貫通孔
44 生成物
45 剥離生成物
H3、H5 ガス吐出孔
Claims (6)
- 反応炉内に、被処理基板を載置する基板保持部材と、被処理基板加熱する基板加熱ヒータと、複数のガス吐出孔を配設したシャワーヘッドと、前記シャワーヘッドに載置され、かつ複数のプレート孔を配設したシャワープレートとを備え、前記シャワーヘッドから、該シャワーヘッドのガス吐出孔及びシャワープレートのプレート孔を通して被処理基板を収容する成長室内にガスを供給して被処理基板に成膜する気相成長装置において、
前記シャワーヘッドの全面に渡って冷却する冷却機構を更に備えており、
前記基板保持部材との対向面であって、前記シャワーヘッドにシャワープレートが近接して配置されている面において、前記基板保持部材の基板加熱ヒータによって加熱される領域より外側の領域全体に、シャワープレートよりも低熱伝導の領域を設けていることを特徴とする気相成長装置。 - 前記低熱伝導領域は、空間部を設けることによって形成されることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 前記低熱伝導領域は、シャワープレート側に空間部を設けることによって形成されることを特徴とする請求項1記載の気相成長装置。
- 前記低熱伝導領域の一部に隣接したシャワープレートに、複数の貫通孔を設けると共に、前記空間部を通じて前記成長室内と連通することを特徴とする請求項2または3記載の気相成長装置。
- 前記シャワープレートにおけるシャワープレートへ流入するガスの上流側面でかつ、シャワープレート外周部に、前記低熱伝導領域としてのザグリ部が設けられていることを特徴とする請求項1から4までの何れか1項に記載の気相成長装置。
- 請求項1から5までの何れか1項に記載の気相成長装置を用いて、前記シャワーヘッドから、該シャワーヘッドのガス吐出孔及びシャワープレートのプレート孔を通して被処理基板を収容する成長室内にガスを供給して被処理基板に成膜する気相成長方法。
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