CN103014668B - 化学气相沉积装置 - Google Patents
化学气相沉积装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103014668B CN103014668B CN201110287512.7A CN201110287512A CN103014668B CN 103014668 B CN103014668 B CN 103014668B CN 201110287512 A CN201110287512 A CN 201110287512A CN 103014668 B CN103014668 B CN 103014668B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- diffuser
- gas
- vapor deposition
- chemical vapor
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
一种化学气相沉积装置，包括：反应腔、冷却装置、位于反应腔顶部的喷淋组件以及与喷淋组件相对设置的基座，基座具有加热单元，喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置，用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区；第一进气装置具有与冷却装置相接触的第一上表面和与第一上表面相对的第一下表面，所述第一下表面面对基座，第二进气装置具有与冷却装置相接触的第二上表面和与第二上表面相对的第二下表面，第二下表面面对基座，第一上表面与第一下表面的比率大于第二上表面与所述第二下表面的比率，加热单元在加热过程中，第一进气装置与第二进气装置具有不同的温度。本发明可以为不同进气装置提供不同的温度。
Description
技术领域
本发明涉及化学气相沉积技术领域，特别涉及一种化学气相沉积装置。
背景技术
化学气相沉积(Chemical vapor deposition，简称CVD)是反应物质在气态条件下发生化学反应，生成固态物质沉积在加热的固态基体表面，进而制得固体材料的工艺技术，其通过化学气相沉积装置得以实现。具体地，CVD装置通过进气装置将反应气体通入反应室中，并控制反应室的压强、温度等反应条件，使得反应气体发生反应，从而完成沉积工艺步骤。为了沉积所需薄膜，一般需要向反应室中通入多种不同的反应气体，且还需要向反应室中通入载气或吹扫气体等其他非反应气体，因此在CVD装置中需要设置多个进气装置。以下以金属有机化学气相沉积(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD)装置为例，介绍现有技术中包括多个进气装置的CVD装置。
MOCVD主要用于氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌等III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶功能结构材料的制备，随着上述功能结构材料的应用范围不断扩大，MOCVD装置已经成为化学气相沉积装置的重要装置之一。MOCVD一般以II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源等作为反应气体，用氢气或氮气作为载气，以热分解反应方式在基板上进行气相外延生长，从而生长各种II-VI化合物半导体、III-V族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。由于II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源的传输条件不同，因此需要通过不同的进气装置分别将II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源传输至基板上方。
现有技术中的MOCVD装置一般包括：
反应腔；
位于所述反应腔顶部的喷淋组件，所述喷淋组件包括两个进气装置，所述两个进气装置分别将II族或III族金属有机源和VI族或V族氢化物源传输至基板上方；
与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座具有加热单元，所述基座用于支撑和加热基板。
所述喷淋组件根据反应气体的气流与相对基板的流动方向不同，分为垂直式和水平式。水平式喷淋组件是指所述喷淋组件使得反应气体的气流沿平行于基板的水平方向流动；垂直式喷淋组件是指反应气体的气流沿垂直基板的树直方向流动。与水平式喷淋组件相比，垂直式喷淋组件能产生二维轴对称流动，抑制热对流涡旋，分别在基板上方形成较均匀的速度、温度和浓度边界层，从而获得更好的薄膜沉积。
参见中国专利公开号为：CN101122012A，该专利申请提供了一种喷淋组件，其可实现III族金属有机物和V族氢化物气体分别从喷淋组件整体结构两侧独立送气，并在反应腔的衬底上方均匀喷射，其实现的方法为：包括两组梳状喷淋头，第一组梳状喷淋头由装有进气接头1的气体A总管2和多根平行排列的气体A通气支管3组成，所述气体A通气支管3的一端同所述气体A总管2连通而另一端为封闭端，第二组梳状喷淋头由装有进气接头4的气体B总管5和多根平行排列的气体B通气支管6组成，所述各气体B通气支管6的一端同所述气体B总管5连通而另一端为封闭端，具体如图1所示。
参见美国专利公开号为：US2009/0098276A1，其提供了目前MOCVD装置最通用的喷淋头形式，III族金属有机源和V族氢化物源气体分别从两个进气口进入喷淋头装置的第一进气总通道和第二进气总通道，并通过第一支路通道和第二支路通道，最终进入混合通道，出气后向基板喷射。III族金属有机源气体和V族氢化物源气体分别在加热的基板上发生热分解反应，并外延生长成III-V族化合物半导体。
现有技术中，CVD装置中喷淋组件中每个进气装置与基座的距离均相等，且每个进气装置一般采用相同的材料，即每个进气装置的热传导系数相同，因此同一反应腔中的每个进气装置的温度相同，最终使得所有反应气体的温度相同。但是不同反应气体的分解温度可能不同，如III族金属有机源的分解温度远远低于V族氢化物源的分解温度。
当MOCVD装置将III族金属有机源和V族氢化物源气体同时加热到较高温度时，III族金属有机源便会先发生分解反应，并与V族氢化物源气体发生反应，从而会产生大量的固体颗粒。一方面这些固体颗粒会沉积在喷淋组件的表面，最终可能会落在正在沉积的薄膜上；因此，为防止沉积在喷淋组件的表面的颗粒落在正在沉积的薄膜上，需要经常对喷淋组件进行清洗，从而增加清洗的成本；另一方面，这些固体颗粒的生成消耗了部分反应气体，从而造成材料的浪费，而金属有机(Metal Organic，MO)源材料的价格是很昂贵的，这必然就造成了生产成本的提高。同时，也肯定降低薄膜的沉积速率。
当MOCVD装置将III族金属有机源和V族氢化物源气体同时加热到较低温度时，V族氢化物源气体就不易发生分解反应，最终就很难形成III-V族致密薄膜。即使沉积得到薄膜，这些薄膜也会有很多气孔，且很容易脱落。
综上所述，现有技术中MOCVD装置将III族金属有机源和V族氢化物源气体加热到同一温度，最终反应沉积的薄膜的质量很差，且薄膜沉积速率低、生产成本高。在除MOCVD装置之外的其他CVD装置中，也存在不同反应气体所需的加热温度不同的情况，当将这些不同反应气体加热到同一温度，同样地，最终反应沉积的薄膜质量很差，且薄膜沉积速率低、生产成本高。类似地，在其他的CVD装置中，也存在不同反应气体需要不同温度的情况。
因此，如何使CVD装置为不同的反应气体提供不同的温度就成为亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种化学气相沉积装置，以为不同进气装置中的气体提供不同的温度。
为解决上述问题，本发明提供了一种化学气相沉积装置，一种化学气相沉积装置，包括：反应腔、冷却装置、位于所述反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座具有加热单元，所述喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置，用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区；其特征在于：所述第一进气装置具有与所述冷却装置相接触的第一上表面和与所述第一上表面相对的第一下表面，所述第一下表面面对所述基座，第二进气装置具有与冷却装置相接触的第二上表面和与所述第二上表面相对的第二下表面，所述第二下表面面对所述基座，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，所述加热单元在加热过程中，所述第一进气装置与所述第二进气装置具有不同的温度。
优选地，所述冷却装置与所述第一进气装置层叠设置，所述冷却装置与所述第二进气装置层叠设置，所述第一进气装置与所述第二进气装置并排设置。
优选地，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于或等于1且小于或等于5。
优选地，所述第二上表面与所述第二下表面的比率大于或等于十分之一且小于二分之一。
优选地，所述第一进气装置的热传导系数大于所述第二进气装置的热传导系数。
优选地，所述第一进气装置的材料包括石墨或碳化硅，所述第二进气装置的材料成分包括不锈钢、铝、铜、金、银中的一种或多种。
优选地，所述第一进气装置的热辐射系数小于或等于所述第二进气装置的热辐射系数。
优选地，所述第一气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。
优选地，所述第二气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。
优选地，所述第一进气装置用于传输III族金属有机源，所述第二进气装置用于传输V族氢化物源。
优选地，所述III族金属有机源包括Ga(CH3)3、In(CH3)3、Al(CH3)3、Ga(C2H5)3气体中的一种或多种。
优选地，所述V族氢化物源包括NH3、PH3、AsH3气体中的一种或多种。
优选地，所述加热单元在加热过程中，所述第一进气装置的温度小于所述第二进气装置的温度。
优选地，所述第一进气装置与所述第二进气装置之间的温度差大于或等于100℃且小于或等于600℃。
优选地，所述第一进气装置的温度大于或等于35℃且小于或等于600℃，所述第二进气装置的温度大于或等于135℃且小于或等于800℃。
优选地，所述化学气相沉积装置还包括：旋转驱动单元，所述旋转驱动单元驱动所述基座或喷淋组件在所述化学气相沉积装置的沉积过程中进行旋转。
优选地，所述第二进气装置与所述第一进气装置之间具有间隔，且第二进气装置与所述第一进气装置之间不进行热传导。
优选地，所述冷却装置具有冷却通道，用以通入冷却气体或者冷却液体。
优选地，所述第一进气装置与所述第二进气装置组合成为一个圆盘体，所述圆盘体被划分为多个扇形区，所述多个扇形区包括多个第一扇形区和第二扇形区，所述第一扇形区和第二扇形区交替间隔设置，所述第一进气装置设置在所述圆盘体的第一扇形区，所述第二进气装置设置在所述圆盘体的第二扇形区。
优选地，所述第二进气装置包括具有若干排气孔的若干气体扩散单元，所述气体扩散单元向所述反应区露出所述排气孔以使得第二气体能至所述排气孔排出。
优选地，所述第一进气装置为扩散盘，所述第一上表面为所述扩散盘紧贴所述冷却装置的所述扩散盘上表面，所述下表面为与所述上表面相对的所述扩散盘下表面，所述上表面设置有第一进气口以及气体扩散槽，所述下表面设置有若干气孔；所述第一气体依次经由所述第一进气口、气体扩散槽和所述气孔进入所述反应区。
优选地，所述气体扩散槽具有至少一第一扩散槽与多个第二扩散槽，所述第一扩散槽沿着所述扩散盘的周沿环形设置，所述第二扩散槽沿着所述扩散盘的半径方向设置，所述第二扩散槽连接所述第一扩散槽，第二气体通过所述第一扩散槽流入所述第二扩散槽，所述第二气孔连接所述第二扩散槽。
优选地，所述第一进气口设置为两个，分别设置在所述扩散盘的相对两侧。
优选地，任一所述第一进气口设置在所述第一扩散槽上，且位于相邻两所述第二扩散槽之间。
优选地，所述第二进气装置包括第二进气通道、导气盘以及若干气体扩散管；所述第二进气通道贯穿所述扩散盘的中心且与所述导气盘垂直连接；所述气体扩散管上设置有若干出气孔，所述气体扩散管的一端与所述导气盘连接；所述第二上表面为所述第二进气通道紧贴所述冷却装置的上表面，所述第二下表面为所述气体扩散管和所述导气盘面向所述基座的下表面；所述第二气体依次经由所述第二进气通道、导气盘、气体扩散管以及所述出气孔进入所述反应区。
优选地，所述各气体扩散管等长，并围绕所述导气盘呈放射状均匀排布。
优选地，所述气体扩散管的长度等于所述扩散盘半径与所述导气盘半径之差。
优选地，所述气体扩散管与所述扩散盘之间有间隔，且气体扩散管与所述扩散盘之间不进行热传导。
优选地，所述化学气相沉积装置为金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)装置、低压化学气相沉积(Low Pressure Chemical VaporDeposition，LPCVD)装置、等离子体化学气相沉积(Plasma Chemistry VaporDeposition，PCVD)装置或原子层沉积(Atomic Layer Deposition，ALD)装置。
与现有技术相比，本发明具有以下优点：
1)本发明的化学气相沉积装置中，所述第一进气装置具有与所述冷却装置相接触的第一上表面和与所述第一上表面相对的第一下表面，所述第一下表面面对所述基座，第二进气装置具有与冷却装置相接触的第二上表面和与所述第二上表面相对的第二下表面，所述第二下表面面对所述基座，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，即，所述第一进气装置和所述第二进气装置具有相同的下表面吸热面积时，所述第一进气装置具有比所述第二进气装置更大的散热面积，从而使得所述加热单元在加热过程中，所述第一进气装置与所述第二进气装置具有不同的温度，避免了分解温度低的气体在高温下先发生预分解后又与分解温度高的气体反应并产生大量气相颗粒，降低了沉积在喷淋组件上的气相颗粒脱离到薄膜上的可能性，也避免了分解温度高的气体在低温下无法进行分解，提高了薄膜沉积的速率，提高了薄膜的质量，节省了原材料，降低了清洗以及生产成本。
2)所述第一进气装置用于传输III族金属有机源，所述第二进气装置用于传输V族氢化物源，由于MOCVD生长工艺要求极高，通常需要极高的温度控制，且需要精确控制反应气体的配比，而III族金属有机源的分解温度与V族氢化物源的分解温度有较大差异，因此当控制使III族金属有机源和V族氢化物源的温度不同时，可以减少副反应的发生，提高III-V族化合物半导体薄膜质量和沉积速率，防止III族金属有机源和V族氢化物源的浪费。
3)所述第一进气装置的温度控制在大于或等于35℃且小于或等于600℃的范围内，所述第二进气装置的温度控制在大于或等于135℃且小于或等于800℃的范围内，III族金属有机源的分解温度远低于V族氢化物源的分解温度，本发明使得III族金属有机源和V族氢化物源的温度分别处于各自较佳的分解温度范围内，从而可以较快的反应速率得到较高质量的III-V族致密薄膜。
4)所述化学气相沉积装置还包括：旋转驱动单元，所述旋转驱动单元驱动所述基座或喷淋组件在所述化学气相沉积装置的沉积过程中进行旋转，使得薄膜沉积更均匀。
5)所述冷却装置具有冷却通道，用以通入冷却气体或者冷却液体，通过控制冷却装置的温度，可以使两个进气装置具有不同的温度变化值；此外，冷却装置使得喷淋组件处于较低的温度，延长了喷淋组件的使用寿命。
6)所述第二进气装置与所述第一进气装置之间具有间隔，且不进行热传导，减少了两个进气装置之间温度的相互干扰，使得对两个进气装置温度的控制更简单准确。
7)所述第一进气装置为扩散盘，所述扩散盘具有上表面以及与所述上表面相对的下表面，所述上表面设置有第一进气口以及气体扩散槽，所述下表面设置有若干第一气孔；所述第一气体依次经由所述第一进气口、气体扩散槽和所述第一气孔进入所述反应区，第一气体可以先在气体扩散槽中均匀扩散，然后再从第一气孔均匀地进入反应区，从而使得进入反应区的第一气体均匀且充分地与第一进气装置接触进而精确地控制第一气体的温度。
8)所述气体扩散槽具有至少一个第一扩散槽与多个第二扩散槽，所述第一扩散槽沿着所述扩散盘的周沿环形设置，所述第二扩散槽沿着所述扩散盘的半径方向设置，所述第一扩散槽使得进入第一扩散槽中的第一气体进行均匀扩散，从而使进入第一扩散槽的第一气体均匀地流进所述多个第二气体扩散槽，进一步增加了第一气体扩散至反应区的均匀性。
9)所述第一进气口设置为两个，分别设置在所述扩散盘的相对两侧，在保证第一气体较高流量的同时，结构简单，且提高了第一气体流动的均匀性。
10)任一所述第一进气口设置在所述第一扩散槽上，且位于所述相邻两第二扩散槽之间，如此第一气体会先在第一扩散槽内充分扩散，充分扩散后的第一气体能均匀进入第二扩散槽，而不会直接进入一特定的第二气体扩散槽，造成第二气体在第二扩散槽中分布的不均匀，从而增加了第一气体进入反应区的均匀性。
11)所述第二进气装置包括第二进气通道、导气盘以及若干气体扩散管；所述第二进气通道贯穿所述扩散盘的中心且与所述导气盘连通；所述气体扩散管上设置有若干第二气孔，所述气体扩散管的一端与所述导气盘连接；所述第二气体依次经由所述第二进气通道、导气盘、气体扩散管以及所述第二气孔进入所述反应区，由于从第二进气通道引入的第二气体先在所述气体扩散盘中缓冲后再流入到所述气体扩散管中，从而增强了第二气体在各个气体扩散管之间分配的均匀性，保证了第二气体均匀地进入所述反应区。
12)所述各气体扩散管等长，并围绕所述导气盘呈放射状均匀排布，在保证第二气体均匀扩散的同时，所述第二进气装置结构简单，节省了空间。
附图说明
图1是现有技术一种喷淋组件的结构示意图；
图2是本发明实施例一的CVD装置的结构示意图；
图3是本发明实施例一的喷淋组件的上表面结构示意图；
图4是本发明实施例一的喷淋组件的下表面结构示意图；
图5是本发明实施例二的CVD装置的结构示意图；
图6是沿图5中BB’方向得到的结构示意图；
图7是本发明实施例三的CVD装置的结构示意图；
图8是沿图7中CC’方向得到的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
正如背景技术部分所述，CVD装置中需要通入多种气体，现有的CVD装置将通入的所有气体统一加热到相同温度，但不同气体所需的温度存在差异，因此降低了薄膜沉积的速率，在薄膜中引入了缺陷，造成了原材料的浪费，提高了生产成本。
化学气相沉积装置通常包括：反应腔、冷却装置、位于反应腔顶部的喷淋组件以及与喷淋组件相对设置的基座，基座具有加热单元，所述喷淋组件包括进气装置。发明人在进行化学气相沉积装置的研发过程中发现；所述进气装置在反应腔中温度达到平衡状态后的温度值主要取决于：冷却装置的温度、加热单元的温度、受热面积、冷却面积、热传导系数(Thermal Conductivity)和热辐射系数(Emissivity)。其中，受热面积(area exposed to radiation heating)是指进气装置接受加热单元加热辐照的面积；冷却面积(area exposed tocooling surface)是指进气装置与冷却装置接触的面积；进气装置达到温度达到平衡状态指的是单位时间内进气装置吸收的热量和散失的热量相同，从而进气装置的温度稳定在一固定值。
经过模拟实验，得到了如表1所示的实验结果。表1示出了在加热装置为1050℃，冷却装置为40℃时，16种不同受热面积、冷却面积、热传导系数和热辐射系数条件下，进气装置达到平衡状态后的温度值。比较表1中的数据可知：在其他条件不变的前提下，所述进气装置的温度随着受热面积的增大而升高；随着热传导系数的增大而降低；随着冷却面积的增大而降低；随着热辐射系数的增大而升高。
表1
通常在化学气相沉积系统中，冷却装置和加热装置的温度是相对固定的，由以上发现与实验数据可知，为了使得两个进气装置达到不同的温度，可以通过设置进气装置的受热面积、冷却面积、热传导系数或热辐射系数中的部分参数或全部参数来达成。
基于上述分析，为克服现有技术中缺陷，本发明提供了一种化学气相沉积装置，包括：反应腔、冷却装置、位于反应腔顶部的喷淋组件以及与喷淋组件相对设置的基座，基座具有加热单元，喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置，用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区；第一进气装置具有与冷却装置相接触的第一上表面和与所述第一上表面相对的第一下表面，所述第一下表面面对所述基座，第二进气装置具有与冷却装置相接触的第二上表面和与所述第二上表面相对的第二下表面，所述第二下表面面对所述基座，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，加热单元在加热过程中，第一进气装置与第二进气装置具有不同的温度，本发明的化学气相沉积装置，主要通过调节第一进气装置和第二进气装置的受热面积和冷却面积，使得所述第一进气装置和第二进气装置的温度不同，避免了分解温度低的气体在高温下先发生预分解后又与分解温度高的气体反应并产生大量气相颗粒，降低了沉积在喷淋组件上的气相颗粒脱离到薄膜上的可能性，也避免了分解温度高的气体在低温下无法进行分解，提高了薄膜沉积的速率，提高了薄膜的质量，节省了原材料，降低了清洗以及生产成本。
下面结合附图进行详细说明。
实施例一
图2是本实施例CVD装置的结构示意图，图3是本实施例的喷淋组件的上表面结构示意图，图4是本实施例的喷淋组件的下表面结构示意图。如图2、图3和图4所示，本实施例所述的CVD装置包括：
反应腔600；
冷却装置200；
位于所述反应腔600顶部的喷淋组件，所述喷淋组件包括第一进气装置300以及第二进气装置400，用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座100与喷淋组件之间的反应区；
所述第一进气装置300具有与冷却装置200相接触的第一上表面和与所述第一上表面相对的第一下表面，第二进气装置400具有与冷却装置200相接触的第二上表面和与所述第二上表面相对的第二下表面，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率；优选的，所述冷却装置200与所述第一进气装置300层叠设置，所述冷却装置200与所述第二进气装置400层叠设置，所述第一进气装置300与所述第二进气装置400并排设置；
与所述喷淋组件相对设置的基座100，待处理衬底500位于基座100上，所述基座100具有加热单元120，所述加热单元120在加热过程中，所述第一进气装置300与所述第二进气装置400具有不同的温度。
本实施例中，所述第一进气装置300具有与冷却装置200相接触的第一上表面和与所述第一上表面相对的第一下表面，所述第一下表面面对所述基座100，第二进气装置400具有与冷却装置200相接触的第二上表面和与所述第二上表面相对的第二下表面，所述第二下表面面对所述基座100，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，由于所述第一进气装置300具有比所述第二进气装置400大的相对冷却面积，使得所述第一进气装置300的热量更容易散失；从而使得所述加热单元120在加热过程中，所述第一进气装置300与所述第二进气装置400具有不同的温度，从而可以避免分解温度低的气体在高温下先发生预分解后又与分解温度高的气体反应并产生大量气相颗粒，降低了沉积在喷淋组件上的气相颗粒脱离到薄膜上的可能性，也避免了分解温度高的气体在低温下无法进行分解，提高了薄膜沉积的速率，提高了薄膜的质量，节省了原材料，降低了清洗以及生产成本。
所述第一气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种，所述第二气体也包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种，可以根据传输气体的不同，使所述第一进气装置300与所述第二进气装置400具有不同的温度，因此所述第一气体与所述第二气体具有不同的温度。
所述CVD装置可以为MOCVD装置、LPCVD装置、PCVD装置或ALD装置中的一种。以下以所述CVD装置为MOCVD装置为例，即所述第一进气装置300用于传输III族金属有机源，所述第二进气装置400用于传输V族氢化物源为例进行说明。由于MOCVD生长工艺要求极高，通常需要极高的温度控制，且需要精确控制反应气体的配比，而III族金属有机源的分解温度与V族氢化物源的分解温度有较大差异，因此当控制使III族金属有机源和V族氢化物源的温度不同时，可以减少副反应的发生，提高III-V族化合物半导体薄膜的质量和沉积速率，同时防止III族金属有机源和V族氢化物源的浪费。
此时所述第一进气装置300的温度小于所述第二进气装置400的温度，但不应以此限制本发明的保护范围。需要说明的是，在第一进气装置300传输III族金属有机源和第二进气装置400传输V族氢化物源的同时，第一进气装置300和第二进气装置400还可以同时传输载气，如：氢气或氮气。
所述III族金属有机源包括Ga(CH3)3、In(CH3)3、Al(CH3)3、Ga(C2H5)3、Zn(C2H5)3气体中的一种或多种，其分解温度大于或等于35℃且小于或等于600℃。所述V族氢化物源包括NH3、PH3、AsH3气体中的一种或多种，其分解温度大于或等于135℃且小于或等于800℃。为达到最佳的薄膜沉积效果，所述第一进气装置300与所述第二进气装置400之间的温度差应大于或等于100℃且小于或等于600℃。本实施例中需要使所述第一进气装置300的温度大于或等于35℃且小于或等于600℃，所述第二进气装置400的温度大于或等于135℃且小于或等于800℃。由于III族金属有机源的分解温度远低于V族氢化物源的分解温度，本实施例使得III族金属有机源和V族氢化物源的温度分别处于各自较佳的分解温度范围内，从而可以较快的反应速率得到较高质量的III-V族致密薄膜。
所述基座100包括：支撑座110，1个或多个待处理衬底500设置在所述支撑座110的上表面，所述支撑座110用于支撑所述衬底500；加热单元120，设置在所述支撑座110下方，用于对所述衬底500进行加热。
本实施例中，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，从而冷却装置200对第一进气装置300的冷却效果大于对第二进气装置400的冷却效果，第一进气装置300的温度低于第二进气装置400的温度。
需要说明的是，在保证所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率的前提下，所述第一上表面可以小于或等于第二上表面，或者，所述第一下表面可以大于或等于第二下表面，所述第一进气装置300的温度仍然可以低于第二进气装置400的温度。
所述第一上表面与所述第一下表面的比率可以大于或等于1且小于或等于5，所述第二上表面与所述第二下表面的比率可以大于或等于十分之一且小于二分之一。如：所述第一上表面的面积为4200平方厘米，所述第一下表面的面积为2100平方厘米，即所述第一上表面与所述第一下表面的比率可以为2；所述第二上表面的面积为1050平方厘米，所述第二下表面的面积为3150平方厘米，即所述第二上表面与所述第二下表面的比率可以为三分之一。
所述第一进气装置300的热传导系数可以大于所述第二进气装置400的热传导系数。此时，第一进气装置300的第一上表面与冷却装置200接触，第二进气装置400的第二上表面与冷却装置200接触，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，且第一进气装置300的热传导系数大于第二进气装置400的热传导系数，从而冷却装置200对第一进气装置300的冷却效果必然大于对第二进气装置400的冷却效果，第一进气装置300的温度小于第二进气装置400的温度。
所述第一进气装置300的热传导系数还可以等于所述第二进气装置400的热传导系数。此时，第一进气装置300的第一上表面与冷却装置200接触，第二进气装置400的第二上表面与冷却装置200接触。由于所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，即使第一进气装置300的热传导系数等于第二进气装置400的热传导系数，所述冷却装置200对第一进气装置300的冷却效果仍然大于对第二进气装置400的冷却效果，第一进气装置300的温度小于第二进气装置400的温度。
通过设置所述第一进气装置300和所述第二进气装置400热传导系数与控制所述第一进气装置300的第一上表面与所述第一下表面的比率大于或等于所述第二进气装置400的第二上表面与所述第二下表面的比率，进一步保证所述第一进气装置300的温度低于所述第二进气装置400的温度。所述第一进气装置300的热辐射系数可以大于所述第二进气装置400的热辐射系数。例如：所述第一进气装置300的材料可以为石墨或碳化硅，或石墨与碳化硅的复合材料或叠层材料，所述第二进气装置400的材料成分可以包括钢、铝、铜、金、银中的一种或多种。优选地，所述第一进气装置300的材料为石墨，所述第二进气装置400的材料为不锈钢。尽管石墨的热辐射系数要大于不锈钢的热辐射系数，使得所述第一进气装置300吸附热量的速度大于所述第二进气装置400吸附热量的速度，然而石墨的热传导系数大于不锈钢的热传导系数，因此所述第一进气装置300吸收的热量容易通过与所述冷却装置200进行热交换，从而所述冷却装置200对第一进气装置300的冷却效果大于对第二进气装置400的冷却效果；再者，通过控制所述第一进气装置300的第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二进气装置400的第二上表面与所述第二下表面的比率，就可以保证所述第一进气装置300的温度低于所述第二进气装置400的温度；而且由于石墨的价格比较低且热传导性能比较好，不锈钢物理化学性能稳定，从而可以降低了第一进气装置300和第二进气装置400的生产成本。
所述第一进气装置300的热辐射系数优选地还可以等于所述第二进气装置400的热辐射系数。进一步地，所述第一进气装置300的热辐射系数还可以小于所述第二进气装置400的热辐射系数。此时，由于第一进气装置300比第二进气装置400从加热单元120接收到的辐射热能少，因此经加热单元120一段时间加热，第一进气装置300的温度就会小于第二进气装置400的温度。
此外，所述第二进气装置400和所述第一进气装置300之间可以具有间隔，也可以不具有间隔。优选地，所述第二进气装置400与所述第一进气装置300之间具有间隔，且不进行热传导，优选地，所述间隔中填充有隔热物质，从而减少了两个进气装置之间温度的相互干扰，使得对两个进气装置温度的控制更简单准确。
所述CVD装置还可以包括：由温度传感器和气压传感器组成的检测装置(图中未示出)；控制装置(图中未示出)，其分别连接各温度传感器、气压传感器、冷却装置200和加热单元120。
所述气压传感器可以为1个，设置在所述反应区，将检测到的反应区的当前气压发送给控制装置，控制装置分析得到反应区的当前气压和薄膜沉积反应所需的气压之差，进而实现控制装置对反应腔600的气压调整，直至使反应区的当前气压等于薄膜沉积反应所需的气压。
所述温度传感器可以为多个，可以在第一进气装置300、第二进气装置400、冷却装置200和加热单元120上分别设置一个温度传感器，分别用于检测第一进气装置300的当前温度、第二进气装置400的当前温度、冷却装置200的当前温度和加热单元120的当前温度，并将检测得到的上述温度发送给控制装置，控制装置通过分析第一进气装置300的当前温度与第一进气装置300所需温度之间的温度之差、第二进气装置400的当前温度与第二进气装置400所需温度之间的温度之差来调节冷却装置200的温度或加热单元120的温度，直至使第一进气装置300的当前温度大于或等于35℃且小于或等于600℃，第二进气装置400的当前温度大于或等于135℃且小于或等于800℃，从而可以更精确地控制薄膜沉积的过程。
在MOCVD装置中，所述反应腔600的材料一般为不锈钢。
所述支撑座110的材料可以为石墨，优选的，所述支撑座110还可以在石墨的表面设置一层碳化硅(SiC)层，从而使得支撑座110具有耐高温、抗氧化、纯度高和耐酸碱盐及有机试剂等特性，物理化学性能更稳定。
所述加热单元120具体可以为射频加热器、红外辐射加热器或电阻加热器等，可以根据反应腔600的尺寸和材料进行不同的选择。在射频加热方式中，石墨的支撑座110被射频线圈通过诱导耦合加热，这种加热形式在大型的反应腔600中经常采用，但是通常系统过于复杂。为了避免系统的复杂性，在稍小的反应腔600中，通常采用红外辐射加热方式，卤钨灯产生的热能被转化为红外辐射能，石墨的支撑座110吸收这种辐射能并将其转化回热能。在电阻加热方式中，通过电阻丝的发热，进而实现对支撑座110的加热。
所述加热单元120还可以集成于所述支撑座110内，其对于本领域的技术人员是熟知的，故在此不再赘述。
所述冷却装置200具有冷却通道，用以通入冷却气体或者冷却液体。具体地，所述冷却装置200可以采用水冷冷却，也可以采用风冷冷却，其对应的具体结构对于本领域的技术人员是熟知的，故在此不再赘述。本实施例中通过控制冷却装置200的温度，可以使两个进气装置具有不同的温度变化值，以适应不同的喷淋组件温度需求；此外，冷却装置200还会使得喷淋组件处于较低的温度，延长了喷淋组件的使用寿命。
所述CVD装置还可以包括：旋转驱动单元(图中未示出)，所述旋转驱动单元驱动所述基座100或喷淋组件在所述化学气相沉积装置的沉积过程中进行旋转，从而使得薄膜沉积更均匀；优选地，所述旋转驱动单元驱动所述基座100旋转。
所述第一进气装置300为圆形扩散盘，所述扩散盘具有上表面以及与所述上表面相对的下表面，其中，所述上表面为所述第一进气装置300的第一上表面，所述下表面为所述第一进气装置300的第一下表面。所述上表面紧贴所述冷却装置200，所述上表面设置有第一进气口310以及气体扩散槽320，所述下表面设置有若干第一气孔(图中未示出)；所述第一气体依次经由所述第一进气口310、气体扩散槽320和所述第一气孔进入所述反应区；所述第二进气装置400包括第二进气通道440、导气盘450以及若干气体扩散管430；所述第二进气通道440贯穿所述扩散盘的中心且与所述导气盘450连通，所述第二进气通道440接触所述冷却装置200，所述第二进气装置400的第二上表面为所述第二进气通道440与所述冷却装置接触的表面；所述气体扩散管430上设置有若干第二气孔(图中未示出)，所述气体扩散管430的一端与所述导气盘450连通；所述第二气体依次经由所述第二进气通道440、导气盘450、气体扩散管430以及所述第二气孔进入所述反应区；其中，所述导气盘450和所述气体扩散管430面向所述基座100的表面为所述第二进气装置400的第二下表面。所述加热单元120在加热过程中，所述第一进气装置300与所述第二进气装置400具有不同的温度。
具体地，所述气体扩散槽320具有至少一第一扩散槽321与多个第二扩散槽322，所述第一扩散槽321沿着所述扩散盘的周沿环形设置，所述第二扩散槽322沿着所述扩散盘的半径方向设置，所述第一扩散槽321和所述第二扩散槽322连通。所述第一气体通过所述第一扩散槽321流进所述第二扩散槽322。优选地，本实施例中所述第一气孔均匀设置在所述第二扩散槽322上，以使所述第一气体均匀分配到所述反应区。
为了简单起见，本实施例中所述第二扩散槽322为6个。所述第二扩散槽322的数目还可以大于或等于3且小于或等于100，优选地，所述第二扩散槽322的数目大于或等于10且小于或等于50。
所述第一进气口310可以为1个或多个。优选地，参见图2和图3所示，所述第一进气口310设置为两个，分别设置在所述扩散盘的相对两侧，此时既使得第一进气装置300的结构比较简单，而且能够使得第一气体均匀地进入所述气体扩散槽320中。
进一步地，所述第一进气口310设置在所述第一扩散槽321上，且位于所述相邻两所述第二扩散槽322之间，从而使得第一气体在各个第二气体扩散槽322中分配均匀。
优选地，所述气体扩散管430的形状为扇形，第二气孔均匀设置在所述气体扩散管430上，以使所述第二气体均匀排至所述反应区。
所述各气体扩散管430的长度可以相等，也可以不相等。优选地，参见图4所示，所述各气体扩散管430等长，并围绕所述导气盘450呈放射状均匀排布，这样可以充分利用空间，且使得所述第二气体均匀排向所述反应区。
进一步地，参见图4所示，所述气体扩散管430的长度等于所述扩散盘的半径与所述导气盘450半径之差；所述气体扩散管430与所述扩散盘之间有间隔，且不进行热传导，可以避免所述第一气体和所述第二气体之间温度的相互影响，使得对所述第一气体温度和所述第二气体温度控制更准确。
实施例二
图5是本发明实施例二CVD装置的结构示意图，图6是沿图5中BB’方向得到的结构示意图。参见图5和图6所示，本实施例与实施例一的区别在于：所述冷却装置200与所述第一进气装置300层叠设置，所述冷却装置200与所述第二进气装置400层叠设置，所述第一进气装置300与所述第二进气装置400并排设置。优选的，所述第一下表面与所述基座100的第一垂直距离等于所述第二下表面与所述基座100的第二垂直距离；所述第一进气装置300包括多个平行设置的气体扩散单元310，所述气体扩散单元310可以呈管状，板状等；所述第二进气装置400包括多个平行设置的气体扩散单元410，所述气体扩散单元410可以呈管状，板状等，所述多个平行设置的气体扩散单元310和所述多个平行设置的气体扩散单元410并排且相互间隔设置。其中，所述第一进气装置的气体扩散单元310的截面呈倒梯形，所述第二进气装置的气体扩散单元410的截面呈梯形，从而使得所述第一进气装置300的第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二进气装置400的第二上表面与所述第二下表面的比率。
所述喷淋组件还可以包括1个或多个第一进气管(图中未示出)，所述第一进气管贯穿所述冷却装置200，所述第一气体从第一进气管进入第一进气装置300的多个气体扩散单元310，并从第一进气装置300的多个气体扩散单元310上的第一气孔进入反应区。
所述喷淋组件还可以包括贯穿冷却装置200的第二进气管，每个气体扩散单元410分别与第二进气管相连，所述多个第二进气管可以连接在同一个储存第二气体的装置上，所述第二气体从第二进气管进入气体扩散单元410，并从气体扩散单元410上的第二气孔进入反应区。每个所述气体扩散单元410的形状和尺寸可以相同，也可以不同。
优选地，所述第一气孔和第二气孔分别均匀地设置在第一进气装置300的气体扩散单元310和第二进气装置400气体扩散单元410上，从而使得第一气体和第二气体均匀分布到反应区，且进行均匀混合，保证了薄膜沉积的均匀性。所述第一气孔和第二气孔的具体数目和尺寸由第一气体的流量速率、第二气体的流量速率以及反应所需的第一气体和第二气体的总量决定。
所述第一进气装置300和所述第二进气装置400还可以设置成嵌套间隔设置的圆环形气体扩散单元；所述第一进气装置300和所述第二进气装置400也可以均为多边形等，其不应在此限制本发明的保护范围。
实施例三
图7是本发明实施例CVD装置的结构示意图，图8是沿图7中CC’方向得到的结构示意图。参见图7和图8所示，本实施例与实施例二的区别在于：所述第一进气装置300与所述第二进气装置400组合成为一个圆盘体，所述圆盘体被划分为多个扇形区，所述多个扇形区包括多个第一扇形区和第二扇形区，所述第一扇形区和第二扇形区交替间隔设置，所述第一进气装置300设置在所述圆盘体的第一扇形区，所述第二进气装置400设置在所述圆盘体的第二扇形区。
所述第一进气装置300包括具有若干第一气孔的若干气体扩散单元310和第一进气管(图中未示出)；每一所述气体扩散单元310呈扇形，并对应设置在一第一扇形区中；所述第一进气管贯穿所述冷却装置200并和气体扩散单元310连通，所述第一气体从第一进气管进入气体扩散单元310，并从气孔扩散管310的第一气孔进入反应区。
所述第二进气装置400包括具有若干第二气孔的若干气体扩散单元410和第二进气管(图中未示出)；每一所述气体扩散单元410也呈扇形，并对应设置在一第二扇形区中；所述第二进气管贯穿所述冷却装置200并和气体扩散单元410连通，所述第二气体从第二进气管进入气体扩散单元410，并从气体扩散单元410的第二气孔进入反应区。
优选地，所述第一气孔和第二气孔分别均匀地设置在气体扩散单元310和气体扩散单元410上，从而使得第一气体和第二气体均匀地发生反应，保证了薄膜沉积的均匀性。所述第一气孔和第二气孔的具体数目和尺寸由第一气体的流量速率、第二气体的流量速率以及反应所需的第一气体和第二气体的总量决定。
所述气体扩散单元310和气体扩散单元410还可以分别为圆环形，且气体扩散单元310和气体扩散单元410交替嵌套；所述气体扩散单元310和气体扩散单元410还可以分别为多边形等，其不应在此限制本发明的保护范围。
所述第一进气装置300的第一下表面与基座100面向所述喷淋组件的支撑面之间的第一垂直距离还可以大于所述第二进气装置400的第一下表面与基座100面向所述喷淋组件的支撑面之间的第二垂直距离。
以上实施例中的喷淋组件均包括两个进气装置，所述第一进气装置300的第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二进气装置400的第二上表面与所述第二下表面的比率，而使得两个进气装置的温度不同。需要说明的是，喷淋组件还可以包括三个及三个以上的进气装置，类似地，通过将冷却装置分别与部分或全部进气装置层叠设置，部分或全部进气装置并排设置，部分或全部进气装置与冷却装置相接触的上表面大小不同，同样可以使得部分或全部进气装置的温度不同。
虽然本发明已以较佳实施例披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
Claims (28)
1.一种化学气相沉积装置，包括：反应腔、冷却装置、位于所述反应腔顶部的喷淋组件以及与所述喷淋组件相对设置的基座，所述基座具有加热单元，所述喷淋组件包括第一进气装置以及第二进气装置，用于分别将第一气体以及第二气体传输至基座与喷淋组件之间的反应区；其特征在于：所述第一进气装置具有与所述冷却装置相接触的第一上表面和与所述第一上表面相对的第一下表面，所述第一下表面面对所述基座，第二进气装置具有与冷却装置相接触的第二上表面和与所述第二上表面相对的第二下表面，所述第二下表面面对所述基座，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于所述第二上表面与所述第二下表面的比率，所述加热单元在加热过程中，所述第一进气装置与所述第二进气装置具有不同的温度 ，其中，所述冷却装置与所述第一进气装置层叠设置，所述冷却装置与所述第二进气装置层叠设置，所述第一进气装置与所述第二进气装置并排设置。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一上表面与所述第一下表面的比率大于或等于1且小于或等于5。
3.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二上表面与所述第二下表面的比率大于或等于十分之一且小于二分之一。
4.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置的热传导系数大于所述第二进气装置的热传导系数。
5.如权利要求4所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置的材料包括石墨或碳化硅，所述第二进气装置的材料成分包括不锈钢、铝、铜、金、银中的一种或多种。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置的热辐射系数小于或等于所述第二进气装置的热辐射系数。
7.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。
8.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二气体包括反应前体、载气、吹扫气体中的一种或多种。
9.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置用于传输III族金属有机源，所述第二进气装置用于传输V族氢化物源。
10.如权利要求9所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述III族金属有机源包括Ga(CH3)3、In(CH3)3、Al(CH3)3、Ga(C2H5)3气体中的一种或多种。
11.如权利要求9所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述V族氢化物源包括NH3、PH3、AsH3气体中的一种或多种。
12.如权利要求9所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述加热单元在加热过程中，所述第一进气装置的温度小于所述第二进气装置的温度。
13.如权利要求12所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置与所述第二进气装置之间的温度差大于或等于100℃且小于或等于600℃。
14.如权利要求13所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置的温度大于或等于35℃且小于或等于600℃，所述第二进气装置的温度大于或等于135℃且小于或等于800℃。
15.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，还包括：旋转驱动单元，所述旋转驱动单元驱动所述基座或喷淋组件在所述化学气相沉积装置的沉积过程中进行旋转。
16.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二进气装置与所述第一进气装置之间具有间隔，且第二进气装置与所述第一进气装置之间不进行热传导。
17.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述冷却装置具有冷却通道，用以通入冷却气体或者冷却液体。
18.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置 与所述第二进气装置组合成为一个圆盘体，所述圆盘体被划分为多个扇形区，所述多个扇形区包括多个第一扇形区和第二扇形区，所述第一扇形区和第二扇形区交替间隔设置，所述第一进气装置设置在所述圆盘体的第一扇形区，所述第二进气装置设置在所述圆盘体的第二扇形区。
19.如权利要求18所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二进气装置包括具有若干排气孔的若干气体扩散单元，所述气体扩散单元向所述反应区露出所述排气孔以使得第二气体能至所述排气孔排出。
20.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气装置为扩散盘，所述第一上表面为所述扩散盘紧贴所述冷却装置的所述扩散盘上表面，所述下表面为与所述上表面相对的所述扩散盘下表面，所述上表面设置有第一进气口以及气体扩散槽，所述下表面设置有若干气孔；所述第一气体依次经由所述第一进气口、气体扩散槽和所述气孔进入所述反应区。
21.如权利要求20所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述气体扩散槽具有至少一第一扩散槽与多个第二扩散槽，所述第一扩散槽沿着所述扩散盘的周沿环形设置，所述第二扩散槽沿着所述扩散盘的半径方向设置，所述第二扩散槽连接所述第一扩散槽，第二气体通过所述第一扩散槽流入所述第二扩散槽，所述第二气孔连接所述第二扩散槽。
22.如权利要求20所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一进气口设置为两个，分别设置在所述扩散盘的相对两侧。
23.如权利要求22所述的化学气相沉积装置，其特征在于，任一所述第一进气口设置在所述第一扩散槽上，且位于相邻两所述第二扩散槽之间。
24.如权利要求20所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第二进气装置包括第二进气通道、导气盘以及若干气体扩散管；所述第二进气通道贯穿所述扩散盘的中心且与所述导气盘垂直连接；所述气体扩散管上设置有 若干出气孔，所述气体扩散管的一端与所述导气盘连接；所述第二上表面为所述第二进气通道紧贴所述冷却装置的上表面，所述第二下表面为所述气体扩散管和所述导气盘面向所述基座的下表面；所述第二气体依次经由所述第二进气通道、导气盘、气体扩散管以及所述出气孔进入所述反应区。
25.如权利要求24所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述各气体扩散管等长，并围绕所述导气盘呈放射状均匀排布。
26.如权利要求25所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述气体扩散管的长度等于所述扩散盘半径与所述导气盘半径之差。
27.如权利要求24所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述气体扩散管与所述扩散盘之间有间隔，且气体扩散管与所述扩散盘之间不进行热传导。
28.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积装置为金属有机化合物化学气相沉积装置、低压化学气相沉积装置、等离子体化学气相沉积装置或原子层沉积装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110287512.7A CN103014668B (zh) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | 化学气相沉积装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201110287512.7A CN103014668B (zh) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | 化学气相沉积装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103014668A CN103014668A (zh) | 2013-04-03 |
| CN103014668B true CN103014668B (zh) | 2014-12-24 |
Family
ID=47963775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201110287512.7A Active CN103014668B (zh) | 2011-09-23 | 2011-09-23 | 化学气相沉积装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN103014668B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114686855B (zh) * | 2022-04-13 | 2023-11-14 | 无锡先为科技有限公司 | 喷嘴装置及成膜设备 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1910739A (zh) * | 2004-01-16 | 2007-02-07 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置 |
| CN101365823A (zh) * | 2006-06-20 | 2009-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7976631B2 (en) * | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
| JP4576466B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2010-11-10 | シャープ株式会社 | 気相成長装置及び気相成長方法 |
-
2011
- 2011-09-23 CN CN201110287512.7A patent/CN103014668B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1910739A (zh) * | 2004-01-16 | 2007-02-07 | 东京毅力科创株式会社 | 处理装置 |
| CN101365823A (zh) * | 2006-06-20 | 2009-02-11 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和成膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN103014668A (zh) | 2013-04-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103014667B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| CN100482857C (zh) | 用于在半导体衬底上外延淀积膜的系统和方法 | |
| CN102421934B (zh) | 高产量多晶片外延反应器 | |
| CN105441904B (zh) | 气体喷淋装置、化学气相沉积装置和方法 | |
| CN102485953A (zh) | 托盘装置及结晶膜生长设备 | |
| CN102272892B (zh) | 具有升温气体注入的化学气相沉积 | |
| CN102597307B (zh) | Cvd方法和cvd反应器 | |
| CN204809192U (zh) | 用于移除排放气体的设备 | |
| CN103014669B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| CN106498368B (zh) | 一种用于mocvd设备的喷淋头 | |
| CN103569998B (zh) | 碳纳米管制备装置及方法 | |
| CN102312199A (zh) | 一种扫描镀膜装置及扫描镀膜组件 | |
| CN106811736A (zh) | 一种化学气相沉积装置 | |
| CN102560429B (zh) | 金属有机气相沉积装置 | |
| CN105648425B (zh) | 一种化学气相沉积装置及其温控方法 | |
| CN103014668B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| CN103014666B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| CN103361624B (zh) | 金属有机化合物化学气相沉积方法及其装置 | |
| CN105986244A (zh) | 一种化学气相沉积装置及其清洁方法 | |
| CN103774115B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| CN103014664B (zh) | 化学气相沉积装置 | |
| CN103014665B (zh) | 金属有机化合物化学气相沉积装置及其气体输送方法 | |
| CN203159707U (zh) | 具有多个子反应器结构的金属有机化学气相沉积设备 | |
| CN205907398U (zh) | 一种金属有机化学气相沉积装置 | |
| CN100357487C (zh) | 金属有机物化学气相淀积设备的多层流反应室结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20170609 Address after: 201614 Shanghai city Songjiang District Sixian Road No. 3255, building 3, room 402 Patentee after: Ideal semiconductor equipment (Shanghai) Co., Ltd. Address before: 201203 Pudong New Area Zhangjiang Road, Shanghai, No. 1 Curie Patentee before: Ideal Energy Equipment (Shanghai) Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: Room 402, building 3, 3255 Sixian Road, Songjiang District, Shanghai, 201602 Patentee after: Ideal semiconductor equipment (Shanghai) Co., Ltd Address before: 201614 Shanghai city Songjiang District Sixian Road No. 3255, building 3, room 402 Patentee before: LIXIANG JINGYAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT (SHANGHAI) Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |