CN105986244A - 一种化学气相沉积装置及其清洁方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种化学气相沉积装置及其清洁方法，包括：具有内部处理空间的反应室，以及与所述处理空间连通的进气装置和排气装置。所述排气装置包括一排气板及设置在所述排气板上的排气口，所述排气板上方设置一反应腔内衬，所述反应腔内衬可带动所述排气板在一沉积位置和一清洁位置之间上下移动；一清洁元件对应所述排气口设置于所述排气板下方，所述排气板在所述沉积位置和所述清洁位置之间移动时，所述清洁元件实现对所述排气口的清洁。

Description

一种化学气相沉积装置及其清洁方法

技术领域

本发明涉及半导体加工设备，尤其涉及对上述设备的排气装置和方法的改善。

背景技术

许多半导体器件通过在基片上进行处理而形成。基片通常为晶体材料的板，一般称为“基片”。典型地，基片通过晶体材料的沉积而形成，且为圆盘的形式。用于形成这种基片的一个常见过程为外延生长。

例如，由半导体化合物，如Ⅲ-Ⅴ族半导体形成的器件，典型地应用金属有机化学气相沉积(或称“MOCVD”)通过生长半导体化合物的连续层而形成。在这个过程中，基片暴露至基片表面上方流动的气体组合物，同时基片保持在高温下，气体组合物通常包括作为Ⅲ族金属来源的金属有机化合物，还包括Ⅴ族元素的来源。典型地，金属有机化合物和Ⅴ族来源与在反应中不明显参与的载体气体，如氮气组合。Ⅲ-Ⅴ族半导体的一个示例为氮化镓，其可通过有机镓化合物和氨在如蓝宝石基片等的具有适当晶格间距的基片上反应而形成。在氮化镓及相关化合物的沉积过程中，基片的温度典型地保持在500℃至1100℃的数量级。

复合器件可通过在稍微不同的反应条件下、在基片的表面上连续沉积许多层而制造，例如，加入其他Ⅲ族或Ⅴ族元素，以改变半导体的晶体结构和带隙。例如在氮化镓基半导体中，铟、铝或二者都可以不同比例应用，用于改变半导体的带隙。同时，可加入P型或N型的掺杂物，以控制每层的导电性。在所有的半导体层都形成后，典型地，在适当的电触点已应用后，基片可切割成单独的器件。如发光二极管(LED)、激光器、及其他电子和光学器件等的器件可采用这种方式制造。

在典型的化学气相沉积过程中，大量基片保持在通常称为基片载体的元件上，使得每个基片的顶面都在基片载体的顶面上暴露。然后把基片载体放入反应室内，并保持在所需的温度，同时气体混合物从基片载体的表面流过。在处理过程中，载体上各基片的顶面上所有点保持均一条件是重要的。反应气体成分及基片表面温度的微小变化，都可使所生成半导体器件的性能产生不期望的改变。

例如，在沉积氮化铟镓层时，基片表面温度或反应气体成分的改变，将致使沉积层的成分和带隙的改变。因为铟具有相对高的气相压力，在基片的表面温度较高的那些区域，沉积层将具有较低比例的铟和较大的带隙。如果沉积层是LED结构的活性发光层，形成的LED所发射光波的波长也将改变。因此，在本领域中，在保持均一条件方面，之前已进行了相当大的努力。

在工业中已广泛接受的一种类型的CVD装置(即，化学气相沉积装置)，应用具有大量基片承载区域的大盘形式的晶片载体，每个基片承载区域适于承载一个基片。基片载体支撑在反应室内的转轴上，使得晶片载体的顶面上具有面向上朝着气体分配元件的基片暴露表面。当转轴旋转时，气体向下引导至基片载体的顶面上，并经顶面向基片载体外周流动。

通过位于基片载体底面下方通常为电阻加热元件的加热元件，基片载体保持在所需的高温。这些加热元件保持在高于基片表面所需温度的温度，而气体分配元件通常保持在低于所需反应温度的温度，从而防止气体过早发生反应。因此，热量从加热元件传递至基片载体的底面，并穿过基片载体向上流动至各单独的基片。

使用过的气体通过位于基片载体下方的排气孔从反应室内排出，排气孔围绕转轴的轴线分布，通常靠近反应室的外周。排气孔可具有限制进入每个孔的气体流动的特征，促进气体均匀流动至孔内。在常规的CVD反应器中，会在排气孔上形成反应物生成物的寄生沉积。这种寄生沉积可周期性地去除，使得反应物的流动可尽可能地保持均匀，从而提高基片表面上处理过程的均匀性。但是，这种去除通常需要拆解反应器，因此损失了生产时间。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种化学气相沉积装置，包括：

具有内部处理空间的反应室；

与所述处理空间连通的进气装置；

与所述处理空间连通的排气装置，所述排气装置包括一排气板及一排气通道，所述排气通道在所述排气板上设置排气口，所述排气板可在一沉积位置和一清洁位置之间移动；

清洁元件，位于所述排气通道内，对应所述排气口设置，所述排气板在所述沉积位置和所述清洁位置之间移动时，所述清洁元件实现对所述排气口的清洁。

优选的，所述反应室包括一底壁和一侧壁，所述反应室内部，所述排气装置的上方设置一沿所述侧壁方向移动的反应腔内衬。

优选的，所述排气板下方设置若干弹性部件，当所述反应腔内衬向下移动时压迫所述弹性部件，所述排气板降至所述清洁位置，当所述反应腔内衬向上移动时所述弹性部件支撑并抬升所述排气板至所述沉积位置。

优选的，所述弹性部件固定在所述底壁或所述侧壁上，所述弹性部件设置在所述清洁元件两侧或环绕设置在所述清洁元件外围。

优选的，所述弹性部件为耐高温的弹簧部件。

优选的，所述反应腔内衬和所述排气板间设置一联动部件，所述反应腔内衬通过所述联动部件控制所述排气板在所述沉积位置和所述清洁位置之间移动。

优选的，所述联动部件为耐高温的连接杆。

优选的，所述清洁元件包括一清洁杆和设置在所述清洁杆上的至少一个刮擦结构。

优选的，所述刮擦结构与所述排气口的形状相匹配，以实现当所述排气板上下移动时，所述刮擦结构对所述排气口的清洁。

优选的，所述排气口为圆状、正方形或椭圆型等孔状，所述孔状排气口均匀分布在所述排气板上。

优选的，所述排气口为连续或不连续的槽形结构。

优选的，所述排气口为圆环形。

优选的，所述清洁元件固定在所述底壁或侧壁上，所述清洁元件与所述底壁或侧壁的固定方式为焊接固定或可拆卸固定。

优选的，所述底壁或侧壁内部设置冷却通道，所述冷却通道内设置有冷却媒介。

优选的，所述排气板上方设置一密封件，所述密封件与所述侧壁无缝隙连接，当所述排气板上升至所述沉积位置时与所述密封件相互抵靠。

优选的，当所述排气板移动到所述沉积位置时，所述清洁元件至少部分地插入所述排气口内。

进一步的，本发明还公开了一种化学气相沉积装置的清洁方法，所述装置包括一具有内部处理空间的反应室，所述反应室内设置向反应室内提供反应气体的进气装置和排出反应副产物的排气装置；所述排气装置包括一排气板和一排气通道，所述排气通道在所述排气板上设置排气口，所述方法包括下列步骤：在所述排气通道内对应所述排气口设置清洁元件；

使所述排气板在一清洁位置和一沉积位置之间上下移动；

所述排气板在移动到所述清洁位置时，使所述清洁元件至少部分地穿过所述排气口，以清洁所述排气口。

优选的，所述反应室内部，所述排气板上方设置一可上下移动的反应腔内衬。

优选的，所述排气板下方设置弹性部件，所述反应腔内衬向下移动时，压迫所述排气板下方的弹性部件使所述弹性部件处于压缩状态，使得所述排气板移动到所述清洁位置，所述反应腔内衬上升时所述弹性部件处于伸展状态，支撑所述排气装置至所述沉积位置。

优选的，所述反应腔内衬和所述排气板之间设置一联动部件，所述反应腔内衬下降时，所述联动部件压迫所述排气板移动到所述清洁位置，所述反应腔内衬上升时，所述联动部件带动所述排气板移动至所述沉积位置。

优选的，在所述沉积位置，所述清洁元件远离所述排气口或至少部分地位于所述排气口内。

本发明的优点在于：通过在排气装置的排气通道内对应所述排气口设置清洁元件，并设置排气装置的排气板可以上下移动，使得排气板上下移动时，清洁元件可以实现对排气口的清洁，特别的，设置排气板跟随遮挡基片进出口的反应腔内衬上下移动，每次进行基片的替换时，反应腔内衬下移，带动排气板下移，清洁元件自动对排气口进行清洁，保证了排气的均匀性。

附图说明

通过阅读参照以下附图对非限制性实施方式所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1示出现有技术中化学气相沉积装置的剖面图；

图2A示出一种实施例的排气装置位于沉积位置时化学气相沉积装置的剖面图；

图2B示出一种实施例的排气装置位于清洁位置时化学气相沉积装置的剖面图；

图3a示出一种实施例的清洁元件结构示意图；

图3b示出另一种实施例的清洁元件结构示意图；

图4示出一种实施例的排气装置位于沉积位置时化学气相沉积装置的剖面图；

图5A示出一种实施例的排气装置位于沉积位置时化学气相沉积装置的剖面图；

图5B示出一种实施例的排气装置位于清洁位置时化学气相沉积装置的剖面图。

具体实施方式

以下结合附图，对本发明化学气相沉积装置及其清洁方法进行说明。需强调的是，这里仅是示例性的阐述，不排除有其它利用本发明思想的实施方式。

图1是现有技术中化学气相沉积装置的结构示意图。如图1所示，化学气相沉积装置包括具有进气装置40、排气装置30的反应室100，其中，进气装置40可设置在反应室100的顶部，排气装置30可设置在反应室100的底部。

反应室100具有位于顶端的顶壁101、位于底端的底壁103以及在顶壁101与底壁103之间延伸的圆筒形侧壁102。顶壁101、底壁103与侧壁102共同围成气密性的内部空间，可容纳从进气装置40射出的气体。尽管所示的反应室100为圆筒形的，其他实施例也可包括具有其他形状的反应室，例如包括圆锥形或其他回转面，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

由于沉积过程需要至少两组不同的处理气体，处理气体在进入反应室100内之前需保持互相隔离，因此两个处理气体源41和处理气体源42分别通过独立的输气管路43和输气管路44与进气装置40相连接。处理气体如载体气体和反应气体，反应气体如金属有机化合物及V族金属元素的来源物质。在典型的化学气相沉积过程中，载体气体可为氮气、氢气或氮气和氢气的混合物，因此在基片载体顶面的处理气体可主要由氮气和/或氢气组成，并带有一些量的反应气体成分。进气装置40设置为接收各种气体并引导处理气体大致以向下的方向流动。

进气装置40内部还设置填充有冷却液的冷却通道51，以使操作过程中元件的温度保持在所需的温度。另外，为了使化学气相沉积装置的整体温度不至过高，也可以在反应室内部靠近侧壁102处设置类似的冷却装置(未示出)。

反应室100还设置有可转动的转轴24、安装在转轴24顶端并可随转轴24转动的基片载体14、装载机构(未示出)以及加热元件12等。其中，转轴24与如电机驱动器等的旋转驱动机构(未示出)连接，设置为使转轴24绕其中心轴旋转。

基片载体14大体上呈圆盘状，可由不污染CVD过程且能承受该过程所经历温度的材料(如石墨、碳化硅或其他耐热材料)制成。基片载体14的上表面内设置有复数个大致为圆形的基片保持容纳部(未示出)，每个基片保持容纳部适于保持一个基片15。在一个示例中，基片载体14可具有约500毫米至约1000毫米的直径。

反应室100还设置有用于基片移入移出的基片进出口104，以及紧邻侧壁102设置并可沿侧壁102上下移动的反应腔内衬62。基片处理完成后，可向下移动反应腔内衬62，将基片进出口104暴露，进而可将基片载体14自基片进出口104移出。下批次的放置待处理基片的基片载体14也可自基片进出口104移入。基片移入后，向上移动反应腔内衬62，将基片进出口104遮盖，反应腔内衬62可以为反应室100提供一个对称的工作环境，使得基片15在反应室100内被均匀处理。用于控制和驱动反应腔内衬62上下移动的驱动机构(未示出)可以是任意类型的驱动器，例如机械的、机电的、液压的或气动的驱动器。示例性的，其通过控制一伸缩杆64的伸缩控制反应腔内衬62的上下移动。

尽管所示的反应腔内衬62为圆筒形的，其他实施例可包括具有其他形状的反应腔内衬，例如包括，方形、六角形、八角形或任意其他适当的形状。

为了保证反应室内达到工艺所需的高温环境，需要在基片载体14下方安装加热元件12，加热元件12主要通过辐射传递热量至基片载体14的底面。施加至基片载体14底面的热量可向上流动穿过基片载体14传递至每个基片15的底面，并向上穿过基片15至其顶面。热量可从基片载体14的顶面与基片15的顶面辐射至反应室100的较冷元件，例如反应室100的侧壁102及进气装置40。热量还可从基片载体14的顶面与基片15的顶面传递至在这些表面上方流过的处理气体。反应室100还包括外衬套16，以减少处理气体向反应室内容纳加热元件12的区域的渗入。在示例性的实施例中，可在加热元件12下方设置隔热罩(未示出)，例如，设置为与基片载体14平行，以帮助引导热量从加热元件12向上朝基片载体14传递，而不是向下朝反应室100底端的底壁103传递。

排气装置30设置为从反应室100的内部空间排放用过的气体(既包括反应生成的废气，也包括未来得及参加反应的部分气体)。排气装置30包括设置在反应室100底部或邻近底部的排气通道32，以及设置在反应室100外、与排气通道32连通用于提供气体流动动力的泵50或其它真空源。排气装置30包括排气板33，所述排气通道包括设置在排气板上的排气口31，通过所述排气口与所述反应腔的工艺处理空间相连通。排气板33可为圆环形的薄板片，排气通道32与反应室100的内部空间20之间通过排气口31相连通。排气口31提供了一种低流体传导元件，其在反应室100的内部空间与排气装置30的排气通道32之间制造流速限制，从而使反应室100内部反应物流动的均匀性增加。因为排气通道32内的流阻较小，通过所有排气口31的气流大致是相等的。这样提供了进入沿反应室100外周的排气通道32的基本均匀的废气流。保证了反应室100反应空间的气流均匀性。

在化学气相沉积装置工作期间，使用排气装置30来提供流速限制可导致在排气口31内及排气口31侧壁形成固体颗粒(如反应物的生成物)的寄生沉积，或者反应室内产生的较大的片状沉积物，会覆盖排气口，造成排气不均匀，使得工艺处理结果的不均匀，这种固体颗粒沉积物或片状沉积物可使一些或所有排气口31的尺寸减小或完全堵塞，引起各排气口31之间非均匀的流速，导致气流的不期望的改变，因此影响通过该化学气相沉积装置形成的基片15的性能。一个或多个排气口31的部分堵塞也可引起基片15的不均匀的生长速度。

为了解决上述问题，图2A-2B提供一种化学气相沉积装置的剖面图。在本发明所述的实施例中，排气装置130包括设置在反应室100底部或邻近底部的排气通道132，及设置在排气通道上方的环形排气板133，排气通道132在排气板133上设有排气口131。排气通道132通过排气口与反应室内部空间相连。位于排气通道132内部，排气板133的下方设置若干弹性部件135，弹性部件135可带动排气板133沿侧壁102方向在两个位置间移动，图2A示出当排气板133位于第一位置时的反应室结构剖面图，在此位置下，反应室100内对基片15进行化学气相沉积工艺，反应腔内衬62将基片进出口104遮挡，为反应室内提供一对称的工艺环境。弹性部件处于135自由伸展状态，将排气板133支撑于第一位置，可将该第一位置称为沉积位置；排气通道132内部，对应排气口131位置设置清洁单元120，当排气板133位于沉积位置时，排气板133的高度大于清洁单元120的高度，清洁单元120位于排气板133的下方。图2B示出当排气板133位于第二位置时的反应室结构剖面图，当沉积工艺结束后，反应腔内衬62向下移动，露出基片进出口104，处理完成的基片15随基片载体14经基片进出口104移出反应室100内，并移入置有新的待处理基片的基片载体14。当反应腔内衬62向下移动时，其压迫排气板133向下移动，弹性部件135受到压迫收缩，清洁元件120至少部分地穿过排气板的排气口131，将覆盖在排气口131表面或沉积在排气口131周围的沉积物进行清洁，因此该第二位置可称为清洁位置。当置有新的待处理基片的基片载体14重新经基片进出口104移入反应室内时，反应腔内衬62上移，弹性部件135伸展，将排气板133向上抬升，使其恢复到所述沉积位置。每次基片载体14自基片进出口104移出时清洁元件可以实现对排气通道进行清洁，保证在基片15上沉积工艺的均匀性。弹性部件135位于排气通道内部，设置在清洁元件120两侧，以实现排气板133平稳的升降。

由于排气板133需要在沉积位置和清洁位置之间移动，为了避免排气板133与侧壁102及外衬套16之间相互摩擦产生新的污染物，排气板133可与侧壁102和外衬套16之间设置一定间隙。这产生了一个新的问题，排气板133与侧壁102和外衬套16之间也可能形成固体颗粒(如反应物的生成物)的寄生沉积，或反应腔内掉落的片状沉积物，这些沉积物不仅难以清洁，还会由于在堵塞不同位置的间隙，导致的不均匀的排气，影响沉积工艺的均匀性。为避免出现该问题，本发明在排气板133上方设置两个密封件141和142，密封件141固定设置在侧壁102内侧，密封件142固定设置在外衬套16外侧，当排气板133位于沉积位置时，排气板133与密封件141和142相互抵靠，保证沉积工艺过程中，不会在排气板133与侧壁102和外衬套16之间的间隙内沉积固体颗粒物。由于密封件141和142靠近高温环境，通常密封件采用耐高温的材料，如不锈钢材料等。

为了保证排气装置130提供一个对称的排气环境，要求排气口131在排气板133上对称设置，排气口131的形状可选择大致为圆形的孔状结构，在其他实施例中，排气装置的孔可限定任意形状，例如包括，椭圆形、正方形、长方形、三角形、六角形、八角形、新月形等孔型或抛物线形、S型等槽型，槽型排气口可以为连续或断续设置，可选的，槽型排气口可以设置为开设在排气板上的圆环状。排气口131具有相对小的直径，例如约0.5"(英寸)至约0.75"(英寸)。因为排气通道132内的流阻较小，通过所有排气口131的气流大致是相等的。这样提供了进入沿反应室100外周的排气通道32的基本均匀的废气流。

示例性地，排气装置130可包括大约十个排气口131，每个排气口131的位置大约为彼此间隔36°。在其他实施例中，排气装置可包括任意数量的孔，每个孔的位置可彼此间隔任意距离。例如，可为6个、8个、12个、16个、20个、24个或32个孔，每个排气口131在排气板133上等距地间隔开。

图3a示出一种实施例的清洁元件120的示意图，清洁元件120包括一清洁杆121和设置在清洁杆121上的刮擦架构122，由于沉积在排气口131上的固体颗粒沉积物厚度或覆盖在排气口131表面的片状沉积物可能具有较大的厚度或粘附的较为牢固，为了使得清洁元件穿过排气口131时尽量将沉积物清洁干净，可以在清洁杆121上设置至少一个刮擦结构122，当排气板133下降到清洁位置时，至少一个刮擦架构122实现对排气口131的清洁，提高了清洁效率，此外，清洁杆121和刮擦结构122需要具有一定硬度，同时，由于反应腔内的温度较高，清洁杆121和刮擦结构122可以选择不锈钢材料。优选的，可以将清洁杆121靠近排气口131的一端或将靠近排气口的刮擦结构122设置为具有尖角的形状，以确保排气板在向下移动时，清洁元件能容易的穿过覆盖有片状沉积物或环绕颗粒沉积物的排气口。图3b示出另一种实施例的清洁元件的示意图，该实施例中，刮擦结构122a为自清洁杆121a向外延伸的若干突出部。根据上文描述，排气口131的形状可以为圆形、椭圆形、正方形、长方形、三角形、六角形、八角形、新月形等孔型或抛物线形、S型等槽型，槽型排气口可以为连续或断续设置，优选的，槽型排气口可以设置为开设在排气板上的圆环状。为了保证清洁效果，刮擦结构122和122a可以设置与排气口131的形状相匹配的形状，在此不再一一赘述。为了保证弹性部件135的正常工作，同时为了使得底壁103的温度不至于过高，可以在底壁103内部设置水冷系统(图中未示出)。

图4示出另一种实施例的排气装置位于沉积位置时化学气相沉积装置的剖面图。本实施例中，弹性部件135环绕设置在清洁元件120外围，在本实施例和上述实施例中，弹性部件135可以固定在所述底壁103或反应腔侧壁102，优选的，所述弹性部件135可以选择为耐高温的弹簧。当排气板向下移动时，弹簧处于压缩状态，当施加在排气板上方的反应腔内衬的压力消失时，弹簧处于伸展状态，支撑排气板133恢复到沉积位置。

图5A-5B示出另一种实施例的反应室结构剖面图，本实施例中大部分结构同上述实施例相同，区别在于，本实施例中，在反应腔内衬62和排气板133之间设置一联动部件235，联动部件235与反应腔内衬62的下端及排气板133的上表面相连接，反应腔内衬62向下移动时，联动部件235压迫排气板133向下移动到清洁位置，清洁元件220实现对排气口131的清洁，反应腔内衬62向上移动时，联动部件235带动排气板133恢复到沉积位置。优选的，联动部件235可以选择耐高温的连接杆，所述连接杆具有一定的刚性，在反应腔内衬上下移动时，压迫或带动排气板133上下移动。

本发明列举的若干实施例中，清洁元件可以设置在底壁103上，也可以在设置清洁元件120底部包括一大致水平方向的延伸部225，延伸部与侧壁102固定实现清洁元件的固定安装。上述固定方式可以为焊接固定，也可以采用可拆卸固定方式，便于后续替换。

在沉积工艺过程中部分排气口131有可能被片状沉积物遮挡，造成排气气流的不均匀，此时，由于沉积反应正在进行，不能立即对排气装置进行清洁，为避免该问题，可以设置当排气板133移动到沉积位置时，清洁元件至少部分地位于或插入排气口内或贯穿排气口，这样，即便有片状沉积物跌落在排气口131上方，也由于清洁元件的存在而不会直接覆盖住排气口131。优选地，清洁元件的顶端具有尖角形状，因此即便有片状沉积物跌落在排气口131上方，也会被尖锐的清洁元件击破，不会造成排气口的堵塞，此时需要保证插入排气口部分的清洁元件自身不会堵塞排气口。

如前文所述，本发明提供了一种清洁化学气相沉积装置的方法，所述方法包括下列步骤：在所述排气通道内对应所述排气口设置清洁元件；使所述排气板在一清洁位置和一沉积位置之间上下移动；所述排气板在移动到所述清洁位置时，使所述清洁元件至少部分地穿过所述排气口，以清洁所述排气口。

本发明虽然以较佳实施方式公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims (21)

1.一种化学气相沉积装置，包括：

具有内部处理空间的反应室；

与所述处理空间连通的进气装置；

与所述处理空间连通的排气装置，所述排气装置包括一排气板及一排气通道，所述排气板上设置排气口，所述排气板可在一沉积位置和一清洁位置之间移动；

清洁元件，其位于所述排气通道内并且对应所述排气口设置，当所述排气板在所述沉积位置和所述清洁位置之间移动时，所述清洁元件实现对所述排气口的清洁。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述反应室包括一底壁和一侧壁，在所述反应室内部，所述排气装置的上方设置一沿所述侧壁方向移动的反应腔内衬。

3.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述排气板下方设置若干弹性部件，当所述反应腔内衬向下移动时压迫所述弹性部件，所述排气板降至所述清洁位置，当所述反应腔内衬向上移动时所述弹性部件支撑并抬升所述排气板至所述沉积位置。

4.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述弹性部件固定在所述底壁或所述侧壁上。

5.根据权利要求3所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述弹性部件设置在所述清洁元件两侧或环绕设置在所述清洁元件外围；所述弹性部件为耐高温的弹簧。

6.根据权利要求2所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述反应腔内衬和所述排气板间设置一联动部件，所述反应腔内衬通过所述联动部件控制所述排气板在所述沉积位置和所述清洁位置之间移动。

7.根据权利要求6所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述联动部件为连接杆。

8.根据权利要求2-7任一项所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述清洁元件包括一清洁杆和设置在所述清洁杆上的至少一个刮擦结构。

9.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述刮擦结构与所述排气口的形状相匹配，以实现当所述排气板上下移动时，所述刮擦结构对所述排气口的清洁。

10.根据权利要求9所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述排气口为圆形、正方形或椭圆形的孔，所述孔均匀分布在所述排气板上。

11.根据权利要求9所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述排气口为连续或不连续的槽形结构。

12.根据权利要求11所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述排气口为圆环形。

13.根据权利要求8所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述清洁元件固定在所述底壁或侧壁上，所述清洁元件与所述底壁或侧壁的固定方式为焊接固定或可拆卸固定。

14.根据权利要求13所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述底壁或侧壁内部设置冷却通道，所述冷却通道内设置有冷却媒介。

15.根据权利要求14所述的化学气相沉积装置，其特征在于：所述排气板上方设置一密封件，所述密封件与所述侧壁无缝隙连接，当所述排气板上升至所述沉积位置时与所述密封件相互抵靠。

16.根据权利要求1或15所述的化学气相沉积装置，其特征在于：在所述沉积位置时，所述清洁元件至少部分地插入所述排气口内。

17.一种化学气相沉积装置的清洁方法，所述装置包括一具有内部处理空间的反应室，所述反应室内设置向反应室内提供反应气体的进气装置和排出反应副产物的排气装置；所述排气装置包括一排气板和一排气通道，所述排气板上设置排气口，其特征在于：所述方法包括下列步骤：

在所述排气通道内对应所述排气口设置清洁元件；

使所述排气板在一清洁位置和一沉积位置之间上下移动；

所述排气板在移动到所述清洁位置时，使所述清洁元件至少部分地穿过所述排气口，以清洁所述排气口。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：所述反应室内部，所述排气板上方设置一可上下移动的反应腔内衬。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于：所述排气板下方设置弹性部件，当所述反应腔内衬向下移动时，压迫所述排气板下方的弹性部件使所述弹性部件处于压缩状态，使得所述排气板移动到所述清洁位置，当所述反应腔内衬上升时所述弹性部件处于伸展状态，支撑所述排气装置至所述沉积位置。

20.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：在所述反应腔内衬和所述排气板之间设置一联动部件，当所述反应腔内衬下降时，所述联动部件压迫所述排气板使其移动到所述清洁位置；当所述反应腔内衬上升时，所述联动部件带动所述排气板移动至所述沉积位置。

21.根据权利要求17所述的方法，其特征在于：在所述沉积位置，所述清洁元件远离所述排气口或至少部分地位于所述排气口内。