FI123322B - Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi - Google Patents
Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi Download PDFInfo
- Publication number
- FI123322B FI123322B FI20075926A FI20075926A FI123322B FI 123322 B FI123322 B FI 123322B FI 20075926 A FI20075926 A FI 20075926A FI 20075926 A FI20075926 A FI 20075926A FI 123322 B FI123322 B FI 123322B
- Authority
- FI
- Finland
- Prior art keywords
- reaction chamber
- electrode
- source
- reaction
- plasma
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45527—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the ALD cycle, e.g. different flows or temperatures during half-reactions, unusual pulsing sequence, use of precursor mixtures or auxiliary reactants or activations
- C23C16/45536—Use of plasma, radiation or electromagnetic fields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32532—Electrodes
- H01J37/32587—Triode systems
Description
MENETELMÄ JA LAITTEISTO PLASMAN MUODOSTAMISEKSI KEKSINNÖN ALA
Esillä oleva keksintö koskee ohutkalvojen 5 kasvatus- ja prosessointitekniikkaa. Erityisesti esillä oleva keksintö koskee plasmakasvatus- ja prosessointimenetelmää ja -reaktoria.
KEKSINNÖN TAUSTA
10 Atomikerroskasvatus (Atomic Layer Deposition, ALD) on hyvin tunnettu menetelmä tasaisten ohutkalvojen kasvattamiseksi erimuotoisille substraateille, jopa monimutkaisille kolmiulotteisille rakenteille. Substraatit, joiden päälle ohutkalvo halutaan kasvattaa, 15 asetetaan ALD-reaktorin reaktiokammioon prosessointia varten. ALD-prosessissa reaktiokammioon viedään kaksi tai useampia eri lähdeaineita peräkkäin, ja lähdeai-neet adsorboituvat pinnoille, esim. substraatille, jolla on sopiva pintaenergia. Kunkin lähdeainepulssin 20 välillä on huuhtelujakso, jonka aikana inertti kaasu- virtaus, jota kutsutaan yleensä kantajakaasuksi, huuh-telee reaktiokammion esim. ylimääräisistä lähdeaineis-ta ja sivutuotteista, jotka ovat jääneet edellisen lähdeainepulssin adsorptioreaktioista. Kalvo kasvate-25 taan ALD-prosessilla toistamalla useita kertoja puls- sisarja, joka käsittää yllämainittuja lähdeainepulsse-c\j £ ja ja huuhtelujakso]a. Tämän sarjan, jota kutsutaan ^ "ALD-sykliksi", toistojen määrä riippuu halutusta kal- c\j V von paksuudesta.
o 30 ALD-prosessia ohjaavat pintareaktiot, joiden
Er seurauksena lähdeaine saturoituu kasvupinnalle, joka Q_ ^ passivoituu tälle lähdeaineelle. Tästä seuraa ohutkal- σ> von kasvun itserajoittuvuus, koska vasta seuraava m o eriainetta oleva lähdeainepulssi kykenee adsorboitu- o ^ 35 maan substraatille. ALD-prosessin kalvonkasvumekanismi mahdollistaa hyvin konformaaliset pinnoitteet, kunhan 2 kunkin lähdeainepulssin aikana substraatille syötetään riittävä lähdeaineannos pintasaturaation aikaansaamiseksi. Vaikka ALD-prosessi tuottaa ideaalitapauksessa yhden atomikerroksen (monokerroksen) konformaalista 5 kalvoa yhdessä pulssitussyklissä, ja vaikka prosessi on vähemmän herkkä virtausdynamiikan suhteen kuin monet kemialliset kaasutaasikasvatusprosessit (Chemical Vapour Deposition, CVD), on kuitenkin olemassa monia epäideaalisuuksia, jotka aiheuttavat epähomogeenista 10 kalvon kasvua, jos lähdeaineet eivät jakaudu tasaisesti substraateille. Edelleen lähdeainevirtaus reak-tiokammion läpi on edullisesti sellainen, että reaktion sivutuotteet ja ylijääneet lähdeaineet voidaan huuhdella nopeasti reaktiokammiosta lähdeainepulssin 15 jälkeen.
Myös tiettyjen termodynaamisten ehtojen on täytyttävä, jotta vältetään lähdeaineiden hajoaminen ja kondensoituminen reaktiokammiossa. Sen lisäksi, että ALD-prosessia varten valitaan oikeat prekursorit, 20 on eräänä erittäin tärkeänä seikkana oikean prosessi-lämpötilan löytäminen. Substraatin lämpötilan on oltava tarpeeksi korkea, jotta adsorptioreaktiot voivat tapahtua ja esim. ettei lähdeaineiden kondensoitumista esiintyisi, mutta samalla lämpötilan on oltava tar- 25 peeksi matala, jotta lähdeaineet eivät esim. hajoa tai desorboidu substraatin pinnasta. Sopivaa reaktiokammi-cvj on tai pinnan, jossa kalvon kasvatus tapahtuu yllä ku- £3 vattujen itserajoittuvien pintareaktioiden kautta, cnj lämpötila-aluetta kutsutaan usein "ALD-ikkunaksi", jo- 30 ka voi vaihdella prosessista riippuen, o
Useimmissa tunnetuissa termisissä ALD-x £ prosesseissa "ALD-ikkuna" on noin 200 °C - 500 °C. Tämä lämpötila-alue rajoittaa ALD-prosesseissa käytettävien <y> LO substraattimateriaalien valintaa. Substraattien on ol- ikkunan" lämpötiloja. Lisäksi substraatin ja/tai kai- o 35 tava tarpeeksi stabiileja, jotta ne kestävät "ALD- c\j 3 von prosessoinninjälkeinen käsitteleminen samassa ALD-reaktorissa kalvon kasvatuksen jälkeen on usein toivottavaa. Tämä voi edelleen lisätä substraattimateri-aalien stabiliteettivaatimuksia.
5 ALD-kasvatuksessa tarvittavien lämpötilojen laskemiseksi on kehitetty plasmaprosesseja. Näissä prosesseissa adsorptioreaktioiden aikaansaamiseksi tarvittava energia syötetään reaktiokammioon RF-teholla (radiotaajuisella teholla), joka muodostaa va-10 rautuneita radikaaleja reaktiokammioon syötetyistä molekyyleistä. RF-teho voidaan kytkeä reaktiokammioon induktiivisesti tai kapasitiivisesti. RF-tehon kytken-tätavan valinta vaikuttaa merkittävästi reaktiokammion suunnitteluun.
15 Eräs ongelma, joka liittyy tunnetun tekniikan mukaisiin ALD-reaktiokammiomalleihin kapasitiivisesti kytketyn plasman muodostamiseksi, on se, että niitä ei ole optimoitu virtausdynamiikan suhteen. US-patentissa 6820570 tuodaan esiin ALD-reaktiokammiomalli etäplas-20 man (remote plasma) muodostamiseksi kapasitiivisesti.
Tässä mallissa lähdeaineita syötetään reaktiokammioon sijoitetun elektrodin molemmilta puolilta. Tämä elektrodi toimii lisäksi virtauksen ohjaimena, joka levittää jonkin lähdeaineista virtauksen ohjaimen alapuo-25 lella olevan substraatin päälle. Eri lähdeaineet kul kevat reaktiokammiossa eri virtausteitä, mikä aiheut-^ taa ongelmia prosessin ohjauksessa kunkin lähdeaineen o levitessä substraattien päälle eri tavalla. Tämän c\j vuoksi virtausdynamiikka tulisi optimoida eri tavalla ^ 30 kullekin lähdeaineelle, joilla on eri virtaustiet, mi- o kä voi olla vaikeaa tai jopa mahdotonta. Nämä ongelmat £ voivat johtaa yllä mainittuun kasvavan kalvon epätasa saisuuteen ja epähomogeenisuuteen. Lisäksi kunkin lähin deaineen huuhteluajat voivat olla erilaiset, mikä voi § 35 aiheuttaa vaikeuksia prosessin optimoinnissa, jossa C\1 keskitytään yleensä vähentämään ALD-syklin kestoa.
4
KEKSINNÖN TARKOITUS
Esillä olevan keksinnön tarkoituksena on vähentää yllä mainittuja tunnetun tekniikan teknisiä on-5 gelmia aikaansaamalla uudenlainen menetelmä ja lait teisto plasman muodostamiseksi ALD-reaktorissa ALD-prosessointia varten.
KEKSINNÖN YHTEENVETO
10 Esillä olevan keksinnön mukaiselle laitteis tolle on tunnusomaista se, mitä on esitetty itsenäisessä patenttivaatimuksessa 1.
Esillä olevan keksinnön mukaiselle menetelmälle on tunnusomaista se, mitä on esitetty itsenäi-15 sessä patenttivaatimuksessa 12.
Esillä olevan keksinnön mukainen laitteisto on atomikerroskasvatusreaktorin reaktiokammio substraatin päällystämiseksi tai käsittelemiseksi altistamalla substraatti vuorotellen toistettaville kaasu-20 faasissa olevien lähdeaineiden pintareaktioille ja/tai plasmalle, missä lähdeaineet käsittävät ensimmäisen lähdeaineen ja toisen lähdeaineen, reaktiokammion ollessa järjestetty muodostamaan kapasitiivisesti kytkettyä plasmaa ja käsittäessä 25 - yläseinämän, alaseinämän, jossa on olennai sesti tasomainen sisäpinta substraatin kan- nattelemiseksi, ja vähintään yhden sivusei-o cm nämän, joka ulottuu yläseinämän ja alasei- ^ nämän välille, jotka seinämät yhdessä mää- g 30 rittävät reaktiotilan mainitun reaktiokam- x mion sisällä, x o_ ensimmäisen syöttöaukon kaasujen ohjaami-co cm seksi reaktiokammioon ja
o J
- poistoaukon kaasujen johtamiseksi ulos re-o ° 35 aktiokammiosta, 5 ja jossa ensimmäinen syöttöaukko on virtausyhteydessä reaktiokammion ulkopuolella ensimmäisen lähdeaineen lähteen kanssa ensimmäisen lähdeaineen johtamiseksi reaktiokammioon ensimmäisen syöttöaukon kautta, ja 5 jossa reaktiokammio on järjestetty johtamaan lähdeai-neet reaktiokammioon siten, että lähdeaineet voivat virrata reaktiotilan läpi substraatin yli suunnassa, joka on olennaisesti yhdensuuntainen alaseinämän sisäpinnan kanssa, ja jossa reaktiokammio käsittää toisen 10 elektrodin, joka sijaitsee reaktiokammion yläseinämän alapuolella reaktiokammion sisällä, ja toisen syöttö-aukon, joka on virtausyhteydessä kaasulähteen kanssa ja eristetty virtausyhteydestä lähdeaineiden lähteisiin reaktiokammion ulkopuolella, jolloin toinen syöt-15 töaukko on sijoitettu johtamaan kaasua tilaan, joka on toisen elektrodin ja alaseinämän välissä, vähintään yhdestä toisessa elektrodissa olevasta reiästä suunnassa, joka on olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän sisäpintaa vastaan.
20 Laitteisto voi olla ALD-reaktorin reaktiokam mio substraatin päällystämiseksi tai käsittelemiseksi altistamalla substraatti vuorotellen toistettaville kaasufaasissa olevien lähdeaineiden pintareaktioille ja/tai plasmalle, missä lähdeaineet käsittävät ensim-25 mäisen lähdeaineen ja toisen lähdeaineen. Reaktiokammio on järjestetty muodostamaan kapasitiivisesti kyt-kettyä plasmaa ja käsittää yläseinämän, alaseinämän, o jossa on olennaisesti tasomainen sisäpinta substraatin cg kannattelemiseksi, ja vähintään yhden sivuseinämän, 30 joka ulottuu yläseinämän ja alaseinämän välille, jotka o seinämät yhdessä määrittävät reaktiotilan mainitun re-£ aktiokammion sisällä. Reaktiokammio käsittää edelleen to ensimmäisen syöttöaukon kaasujen ohjaamiseksi reak- S tiokammioon ja poistoaukon kaasujen johtamiseksi ulos § 35 reaktiokammiosta. Esillä olevan keksinnön mukaisessa
C\J
reaktiokammiossa ensimmäinen syöttöaukko on virtausyh- 6 teydessä reaktiokammion ulkopuolella ensimmäisen läh-deaineen lähteen kanssa ja toisen lähdeaineen lähteen kanssa lähdeaineiden johtamiseksi reaktiokammioon ensimmäisen syöttöaukon kautta.
5 Esillä olevan keksinnön mukainen menetelmä substraatin päällystämiseksi tai käsittelemiseksi ato-mikerroskasvatusprosessilla kapasitiivisesti kytkettyä plasmaa muodostamaan järjestetyn atomikerroskasvatus-reaktorin reaktiokammiossa, käsittää vaiheen, jossa 10 substraatti altistetaan vuorotellen toistettaville kaasutaasissa olevien lähdeaineiden pintareaktioille ja/tai plasmalle, missä lähdeaineet käsittävät ensimmäisen lähdeaineen ja toisen lähdeaineen, ja menetelmä käsittää lisäksi vaiheet, joissa 15 - ensimmäinen lähdeaine syötetään reaktiokam mioon ensimmäisen syöttöaukon kautta, - lähdeaineet syötetään reaktiokammioon siten, että ne virtaavat reaktiokammiossa re-aktiotilan läpi substraatin yli suunnassa, 20 joka on olennaisesti yhdensuuntainen reak- tiotilan alaseinämän sisäpinnan kanssa, ja - reaktiokammioon syötetään kaasua toisen syöttöaukon kautta toisen elektrodin ja alaseinämän väliseen tilaan, jolloin kaasu 25 syötetään suunnassa, joka on olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän sisäpintaa vas-^ taan.
o Menetelmä substraatin päällystämiseksi tai
CM
cvj käsittelemiseksi ALD-prosessilla kapasitiivisesti kyt- ^ 30 kettyä plasmaa muodostamaan järjestetyn ALD-reaktorin ° reaktiokammiossa voi käsittää vaiheen, jossa sub- x £ straatti altistetaan vuorotellen toistettaville kaasu- co faasissa olevien lähdeaineiden pintareaktioille ja/tai
CM
S plasmalle, missä lähdeaineet käsittävät ensimmäisen i^· § 35 lähdeaineen ja toisen lähdeaineen. Menetelmä voi kä-
CM
sittää vaiheen, jossa ensimmäinen lähdeaine ja toinen 7 lähdeaine syötetään reaktiokammioon ensimmäisen elektrodin ja toisen elektrodin väliin, jolloin lähdeaineet syötetään ensimmäisen syöttöaukon kautta.
Kun lähdeaineet viedään saman syöttöaukon 5 kautta, ne kulkevat olennaisesti samaa virtaustietä reaktiokammion läpi. Tämä mahdollistaa lähdeaineiden samanlaisen levittymisen substraattien päälle, mikä helpottaa prosessin ohjausta, koska virtausdynamiikkaa ei tarvitse optimoida eri lailla eri lähdeaineille. 10 Tästä seuraa kasvavan kalvon parempi tasaisuus. Lähde-aineiden virtausdynamiikan ja virtauskuvioiden optimointi on erityisen tärkeää prosesseissa, joissa hyödynnetään plasmaa, koska radikaalien voimakas reaktiivisuus voi aiheuttaa epätasaisuutta kasvavassa kalvos-15 sa, vaikka variaatiot konsentraatiossa substraattien pinnan lähellä olisivatkin suhteellisen pieniä.
Ensimmäinen syöttöaukko on sijoitettu johtamaan lähdeaineet reaktiokammioon siten, että lähdeaineet voivat virrata reaktiotilan läpi substraatin yli 20 suunnassa, joka on olennaisesti yhdensuuntainen ala- seinämän sisäpinnan kanssa. Johtamalla lähdeaineet substraatin yli tällaisessa läpivirtausgeometriassa voidaan ALD-syklin aikaa lyhentää verrattuna suihku-pää-tyyppiseen virtausgeometriaan. Tämä johtuu läpi-25 virtauskuvion nopeammasta dynamiikasta, jossa lähdeai neet virtaavat reaktiokammion läpi etenevänä aaltona.
Reaktiokammio käsittää toisen elektrodin, jo-o ka sijaitsee reaktiokammion yläseinämän alapuolella cvj reaktiokammion sisällä, ja toisen syöttöaukon, joka on 30 virtausyhteydessä kaasulähteen kanssa ja eristetty o virtausyhteydestä lähdeaineiden lähteisiin reaktiokam- £ mion ulkopuolella. Toinen syöttöaukko on sijoitettu johtamaan kaasua tilaan, joka on toisen elektrodin ja o ιλ alaseinämän välissä, vähintään yhdestä toisessa elekt- o 35 rodissa olevasta reiästä suunnassa, joka on olennai- c\j sesti kohtisuorassa alaseinämän sisäpintaa vastaan.
8
Toinen syöttöaukko, joka johtaa kaasua reaktiokammioon toisen elektrodin yläpuolelta suihkupääkonfiguraatiossa, mahdollistaa homogeenisen plasman muodostamisen kaasusta lähdeaineista riippumatta, mikä tuo proses-5 sointiin joustavuutta. Edelleen plasman tuominen substraatille suihkupääkonfiguraatiossa parantaa kasvavan kalvon tasaisuutta, koska radikaalit jakautuvat substraattien päälle tasaisemmin läpivirtausgeometriaan verrattuna. Plasman muodostamisessa käytetty kaasu 10 riippuu kyseisen prosessin kemiasta ja voi olla esim. typpi, argon tai happi.
Reaktiokammio voi käsittää toisen elektrodin reaktiokammion yläseinämän alapuolella reaktiokammion sisällä. Ensimmäinen syöttöaukko voi olla sijoitettu 15 johtamaan toisen elektrodin yläpuolelta ensimmäinen lähdeaine ja toinen lähdeaine reaktiokammioon ja toisessa elektrodissa olevasta vähintään yhdestä reiästä tilaan, joka on toisen elektrodin ja alaseinämän välissä, suunnassa, joka on olennaisesti kohtisuorassa 20 alaseinämän sisäpintaa vastaan. Johtamalla lähdeaineet reaktiokammioon toisen elektrodin yläpuolelta suihkupääkonf iguraatiossa mahdollistetaan homogeenisen plasman muodostaminen lähdeaineista. Edelleen plasman tuominen substraatille suihkupääkonfiguraatiossa parantaa 25 kasvavan kalvon tasaisuutta, koska radikaalit jakautu vat substraattien päälle tasaisemmin läpivirtausgeo-^ metriaan verrattuna.
o Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuo- cvj dossa reaktiokammio käsittää syöttöalueen, joka käsit- ^ 30 tää kaksi tai useampia reikiä ja on virtausyhteydessä o reaktiokammion ensimmäisen syöttöaukon kanssa lähdeai- £ neiden syöttämiseksi reaktiotilaan. Syöttöalue ulottuu to osittain reaktiokammion sisäympäryksen ympäri reak- S tiokammion vähintään yhden sivuseinämän vieressä si- r".
§ 35 ten, että ympärysmitan syöttöalueen päätekohtia lähin-
C\J
nä olevat reiät ovat sellaisella etäisyydellä toisis- 9 taan, joka on noin 30 prosenttia sisäympärysmitasta sisäympärystä pitkin mitattuna. Etäisyys mitataan tässä sisäympärystä pitkin tasossa, joka on yhdensuuntainen reaktiokammion alaseinämän sisäpinnan kanssa, joka 5 on substraattia kannatteleva pinta. Päätekohdat tar koittavat tässä kohtia, joissa sijaitsee säätöväline syöttöalueen erottamiseksi poistoalueesta. Tällainen syöttöalueen muoto parantaa kalvon kasvun tasaisuutta, kun lähdeaineet virtaavat substraatin yli läpivirtaus- 10 geometriassa.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa reaktiokammio käsittää säätövälineen syöttöalueen päätekohdissa reaktiokammion vähintään yhden sivu-seinämän vieressä syöttöalueen pituuden säätämiseksi.
15 Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuo dossa reaktiokammio käsittää syöttöalueen, joka käsittää kaksi tai useampia reikiä ja on virtausyhteydessä reaktiokammion ensimmäisen syöttöaukon kanssa kaasujen syöttämiseksi reaktiotilaan. Syöttöalue ulottuu koko- 20 naan reaktiokammion sisäympäryksen ympäri reaktiokam mion vähintään yhden sivuseinämän vieressä. Tällainen syöttöalueen muoto parantaa kalvon kasvun tasaisuutta, kun lähdeaineet virtaavat substraatin yli läpivirtaus-geometriassa .
25 Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuo dossa reaktiokammio käsittää poistoalueen, joka on cvj virtausyhteydessä poistoaukon kanssa ja sijaitsee re- o aktiokammion alaseinämän keskiosassa.
c\j Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuo- 30 dossa reaktiokammio käsittää poistoalueen, joka käsit- o tää kaksi tai useampia reikiä ja on virtausyhteydessä £ reaktiokammion poistoaukon kanssa kaasujen poistami- seksi reaktiotilasta. Poistoalue ulottuu osittain rein aktiokammion sisäympäryksen ympäri reaktiokammion vä- § 35 hintään yhden sivuseinämän vieressä siten, että ympä- c\j rysmitan poistoalueen päätekohtia lähinnä olevat reiät 10 ovat sellaisella etäisyydellä toisistaan, joka on noin 65 prosenttia sisäympärysmitasta sisäympärystä pitkin mitattuna. Etäisyys mitataan tässä sisäympärystä pitkin tasossa, joka on yhdensuuntainen reaktiokammion 5 alaseinämän sisäpinnan kanssa, joka on substraattia kannatteleva pinta. Päätekohdat tarkoittavat tässä kohtia, joissa sijaitsevat säätövälineet syöttöalueen erottamiseksi poistoalueesta. Tällainen poistoalueen muoto parantaa kalvon kasvun tasaisuutta, kun lähdeai-10 neet virtaavat substraatin yli läpivirtausgeometrias- sa.
Esillä olevan keksinnön vielä eräässä suoritusmuodossa reaktiokammio käsittää säätövälineen reak-tiokammion vähintään yhden sivuseinämän vieressä pois-15 toalueen pituuden säätämiseksi.
Kun lähdeaineet syötetään ALD-prosessissa re-aktiokammioon siten, että ne virtaavat substraattien yli etenevänä aaltona läpivirtauskonfiguraatiossa, parannetaan kasvavan kalvon tasaisuutta järjestämällä 20 lähdeaineiden syöttöalue sopivasti substraattien ympä rille. Syöttöalue voi esim. ulottua osittain substraattien ympäri, missä tapauksessa poistoalue voi vastaavasti ulottua substraattien ympäri reaktiokammion vastakkaisella puolella. Siinä tapauksessa, että 25 syöttöalue ulottuu kokonaan reaktiokammion sisäympä- ryksen ympäri reaktiokammion vähintään yhden sivusei-c\j nämän vieressä, voi poistoalue sijaita reaktiokammion alaseinämän keskiosassa. Tässä koniiguraatiossa lähde-cvj aineet virtaavat säteittäisesti reaktiokammion kehältä ^ 30 kohti alaseinämän keskiosaa substraattien yli, jotka o χ voidaan sijoittaa poistoalueen ympärille.
Reaktiokammio voi käsittää poistoalueen, joka käsittää kaksi tai useampia reikiä ja on virtausyhtey- ιλ dessä reaktiokammion poistoaukon kanssa kaasujen pois- o 35 tamiseksi reaktiotilasta. Poistoalue voi ulottua koko on naan reaktiokammion sisäympäryksen ympäri reaktiokam- 11 mion vähintään yhden sivuseinämän vieressä. Tämän tyyppistä poistoaluetta voidaan käyttää esim. suihku-pääkonfiguraatiossa, kun kaasu ja/tai lähdeaineet viedään toisen elektrodin yläpuolelta reaktiokammioon ja 5 toisessa elektrodissa olevasta vähintään yhdestä reiästä tilaan, joka on toisen elektrodin ja alaseinämän välissä, suunnassa, joka on olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän sisäpintaa vastaan.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuo- 10 dossa ensimmäinen syöttöaukko ja poistoaukko sijaitsevat reaktiokammion alaseinämällä.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa reaktiokammio käsittää ensimmäisen elektrodin toisen elektrodin alapuolella, jolloin reaktiokammio 15 on järjestetty muodostamaan lähiplasmaa (direct plasma) ensimmäisen elektrodin ja toisen elektrodin välissä niin, että substraatti voidaan sijoittaa elektrodien väliin.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuo- 20 dossa reaktiokammio käsittää ensimmäisen elektrodin toisen elektrodin alapuolella, jolloin reaktiokammio on järjestetty muodostamaan etäplasmaa (remote plasma) ensimmäisen elektrodin ja toisen elektrodin välissä niin, että substraatti voidaan sijoittaa ensimmäisen 25 elektrodin alapuolelle.
Esillä olevan keksinnön vielä eräässä suorien tusmuodossa ensimmäinen elektrodi on rei'itetty käsit- o täen vähintään yhden reiän elektrodin läpi virtaavien c\j kaasujen ja/tai lähdeaineiden jakamiseksi tasaisesti.
4 30 Reiät mahdollistavat substraatin ja toisen elektrodin o .......
vallin sijoitetun ensimmäisen elektrodin toimimisen £ suihkupää-tyyppisenä virtauksen ohjaimena, joka jakaa ^ kaasut ja/tai lähdeaineet tasaisemmin ensimmäisen (J) jo elektrodin alapuolelle sijoitettujen substraattien o 35 päälle.
C\J
12 Lähdeaineet voidaan syötettää toisen elektrodin yläpuolelta ensimmäisen syöttöaukon kautta reak-tiokammioon ja toisessa elektrodissa olevasta vähintään yhdestä reiästä tilaan, joka on toisen elektrodin 5 ja alaseinämän välissä, suunnassa, joka on olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän sisäpintaa vastaan.
Lähdeaineet voidaan syöttää ensimmäisen syöttöaukon kautta siten, että ne virtaavat reaktiokammion läpi substraatin yli suunnassa, joka on olennaisesti 10 yhdensuuntainen alaseinämän sisäpinnan suhteen.
Esillä olevan keksinnön eräässä suoritusmuodossa esillä olevan keksinnön mukainen menetelmä käsittää vaiheen, jossa reaktiokammioon syötetään kaasua ensimmäisen elektrodin ja toisen elektrodin väliin. 15 Kaasu syötetään suunnassa, joka on olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän sisäpintaa vastaan.
Edellä kuvattuja keksinnön suoritusmuotoja voidaan käyttää missä tahansa yhdistelmässä toistensa kanssa. Useita suoritusmuotoja voidaan yhdistää keske-20 nään keksinnön toisen suoritusmuodon muodostamiseksi. Menetelmä tai laitteisto, jota keksintö koskee, voi käsittää vähintään yhden edellä kuvatuista keksinnön suoritusmuodoista.
25 KEKSINNÖN YKSITYISKOHTAINEN SELOSTUS
Seuraavaksi esillä olevaa keksintöä kuvataan ^ yksityiskohtaisemmin viitaten oheisiin kuviin, joissa o kuva la on kaaviokuva esillä olevan keksinnön
CM
c\j erään suoritusmuodon mukaisen reaktiokammion poikki- ^ 30 leikkauksesta, o kuva Ib esittää kaaviomaisesti kuvassa la
X
£ esitetyn reaktiokammion poikkileikkauksen, co kuva 2a on toinen kaaviokuva esillä olevan CM 1 keksinnön erään suoritusmuodon mukaisen reaktiokammion N- § 35 poikkileikkauksesta,
CM
13 kuva 2b esittää kaaviomaisesti kuvassa 2a esitetyn reaktiokammion poikkileikkauksen, kuva 3a on toinen kaaviokuva erään reak-tiokammion poikkileikkauksesta, 5 kuva 3b esittää kaaviomaisesti kuvassa 3a esitetyn reaktiokammion poikkileikkauksen, kuva 4a on toinen kaaviokuva esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisen reaktiokammion poikkileikkauksesta, 10 kuva 4b esittää kaaviomaisesti kuvassa 4a esitetyn reaktiokammion poikkileikkauksen, ja kuva 5 on vuokaavio esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesta menetelmästä plasman muodostamiseksi.
15 Kuvien la ja Ib reaktiokammio käsittää ensim mäisen syöttöaukon 1, toisen syöttöaukon 2, poistoau-kon 3, yläseinämän 4, alaseinämän 5 ja sivuseinämiä 6. Edelleen reaktiokammio käsittää reaktiotilan 14, ensimmäisen elektrodin 8, toisen elektrodin 9 ja sub-20 straatin 7, joka voi olla minkä tahansa muotoinen.
Syöttöalue 12 ja poistoalue 13 ulottuvat ympäri reaktiokammion sisäympärystä. Kuvassa Ib on esitetty poik-kileikkausnäkymä kuvan la reaktiokammiosta, josta näkyy säätövälineen 16 sijainti syöttöalueen 12 ja pois-25 toalueen 13 suhteellisen pituuden säätämiseksi sekä reikien 15 sijainti syöttöalueella 12 ja poistoalueel-cvj la 13.
o Kun ensimmäisen lähdeaineen A pulssi viedään c\j reaktiokammioon, ensimmäinen lähdeaine A virtaa ensim- ^ 30 mäisen syöttöaukon 1 läpi syöttötilaan 10 syöttöalueen o 12 alapuolella. Syöttöalue 12 ja syöttötila 10 syöttö-£ alueen 12 alapuolella ulottuvat ympäri reaktiokammion sisäympärystä sivuseinämiä 6 pitkin. Syöttöalue 12 käin sittää joukon reikiä 15, joiden läpi ensimmäisen läh- Γ""" § 35 deaineen A pulssi virtaa substraatin 7 päälle ja sen c\j yli poistoalueelle 13, joka myös ulottuu osittain re- 14 aktiokammion sisäympäryksen ympäri sivuseinämiä 6 pitkin. Poistoalueelta 13 ensimmäinen lähdeaine A virtaa edelleen poistotilaan 11 ja lopuksi ulos reaktiokammi-osta poistoaukon 3 läpi. Poistoalue 13 käsittää myös 5 joukon reikiä 15, joista ensimmäinen lähdeaine A virtaa poistoaukkoon 3. Toinen lähdeaine B syötetään myös ensimmäiseen syöttöaukkoon 1 ja se kulkee olennaisesti samaa virtaustietä kuin ensimmäinen lähdeaine A.
Syöttötila 10 syöttöalueen 12 alapuolella ja 10 poistotila 11 poistoalueen 13 alapuolella on erotettu toisistaan säätövälineellä 16, joka ulottuu syöttöalueen 12 ja poistoalueen 13 käsittävän pyöreän rei'itetyn levyn läpi. Säätöväline 16 estää lähdeai-neiden suoran virtauksen syöttötilasta 10 syöttöalueen 15 12 alapuolelta poistotilaan 11 poistoalueen 13 alapuo lelle, jotta lähdeaineiden olisi virrattava substraatin 7 päälle.
Esillä olevan keksinnön mukaisessa reak-tiokammiossa plasmaa muodostetaan ensimmäisen elektro-20 din 8 ja toisen elektrodin 9 välissä kapasitiivisella kytkennällä. Ensimmäisen elektrodin 8 ja toisen elektrodin 9 väliin kytketään RF-tehoa, joka saa aikaan näiden kahden elektrodin 8, 9 väliin tuotujen atomien ionisoitumisen. Kun sopiva kaasu ja/tai lähdeaine vir-25 taa elektrodien 8, 9 välissä olevan raon läpi, kaasu ionisoituu, ja muodostuu plasmaa.
cm Kuvien la ja Ib reaktiokammiossa plasma muo- o dostuu etäplasmana, koska substraatti 7 on sijoitettu c\j ensimmäisen elektrodin 8 ja toisen elektrodin 9 väli- 30 sen raon ulkopuolelle. Plasma muodostuu kaasusta C, o
joka viedään reaktiokammioon toisen elektrodin 9 ylä-£ puolelta toisesta syöttöaukosta 2. Kun sopiva kaasu C
£0 virtaa elektrodien 8, 9 välissä olevan raon läpi, se O) ....
in ionisoituu, ja muodostuu plasmaa. Elektrodien välistä § 35 plasma virtaa reaktiotilaan 14 ensimmäisen elektrodin c\j 8 yhdestä tai useammasta reiästä ja toisen elektrodin 15 9 yhdestä tai useammasta reiästä. Reaktiotilassa 14 substraatin 7 yläpuolella plasma osallistuu kemiallisiin reaktioihin, jotka saavat aikaan kalvon kasvun tai muun käsittelyn substraatilla 7.
5 Koska plasma on hyvin reaktiivista, on tärke ää jakaa se homogeenisesti substraatin 7 päälle. Kuvien la ja Ib reaktiokammiossa plasma viedään reak-tiotilaan olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän 5 sisäpintaa vastaan, ja plasman jakamiseksi homogeenises-10 ti substraatin 7 päälle voidaan käyttää suihkupäägeo-metriaa. Erityisesti ensimmäistä elektrodia 8 voidaan käyttää suihkupää-tyyppisenä virtauksen ohjaimena, joka käsittää useita pieniä reikiä sen koko pinnan alueella plasman jakamiseksi. Lisäksi, kun lähdeaineet A, 15 B viedään reaktiotilaan 14 ensimmäisen elektrodin 8 alapuolella niin, että ne virtaavat reaktiotilan 14 läpi substraatin 7 yli läpivirtausgeometriassa, lähde-aineiden A, B virtausdynamiikka on nopeampi kuin suih-kupäägeometriassa. Näin ollen kuvien la ja Ib reak-20 tiokammiossa yhdistyvät plasman homogeenisen jakamisen ja lähdeaineiden A, B nopean virtausdynamiikan edut mahdollistaen nopean ALD-prosessoinnin ja tasaiset kalvot.
Reaktiotilassa 14 tapahtuvat monenlaiset ke- 25 mialliset reaktiot saavat aikaan kaasuseoksen, joka voi käsittää lähdeaineen A, B, kantajakaasun, jota ^ käytetään siirtämään lähdeaine A, B reaktiotilaan 14 o ALD-reaktorin muista osista, ja reaktion sivutuottei- c\j ta. Tämä kaasuseos on merkitty symbolilla O poistoau- 30 kossa 3. o
Yksinkertaisuuden vuoksi seuraavissa esimer-x £ kinomaisissa suoritusmuodoissa edelliset viitenumerot pidetään samoina toistuvien komponenttien osalta.
S Kuvien 2a ja 2b reaktiokammio käsittää ensim- § 35 mäisen syöttöaukon 1, toisen syöttöaukon 2, poistoau- c\j kon 3, yläseinämän 4, alaseinämän 5 ja sivuseinämiä 6.
16
Edelleen reaktiokammio käsittää reaktiotilan 14, ensimmäisen elektrodin 8, toisen elektrodin 9 ja substraatteja 7. Syöttöalue 12 ulottuu kokonaan reak-tiokammion sisäympäryksen ympäri. Kuvassa 2b on esi-5 tetty poikkileikkausnäkymä kuvan 2a reaktiokammiosta, johon on merkitty reikien 15 sijainti syöttöalueella 12.
Kun ensimmäisen lähdeaineen A pulssi viedään reaktiokammioon, ensimmäinen lähdeaine A virtaa ensim-10 mäisestä syöttöaukosta 1 syöttötilaan 10 syöttöalueen 12 alapuolella. Syöttöalue 12 ja syöttötila 10 syöttö-alueen 12 alapuolella ulottuvat kokonaan reaktiokammi-on sisäympäryksen ympäri sivuseinämiä 6 pitkin. Syöttöalue 12 käsittää joukon reikiä 15, joiden läpi en-15 simmäisen lähdeaineen A pulssi virtaa säteittäisesti substraattien 7 päälle ja niiden yli poistoaukkoon 3, joka sijaitsee reaktiokammion alaseinämän 5 keskiosassa. Lopuksi lähdeaine virtaa ulos reaktiokammiosta poistoaukon 3 läpi. Toinen lähdeaine B syötetään myös 20 ensimmäiseen syöttöaukkoon 1, ja se kulkee olennaisesti samaa virtaustietä kuin ensimmäinen lähdeaine A.
Kuvien 2a ja 2b reaktiokammiossa plasma muodostuu etäplasmana, koska substraatit 7 on sijoitettu ensimmäisen elektrodin 8 ja toisen elektrodin 9 väli-25 sen raon ulkopuolelle. Plasma muodostuu kaasusta C,
joka viedään reaktiokammioon toisen elektrodin 9 ylä-cvj puolelta toisesta syöttöaukosta 2. Kun sopiva kaasu C
o virtaa elektrodien 8, 9 välisen raon läpi, se ionisoi- c\j tuu, ja muodostuu plasmaa. Elektrodien välistä plasma 4· 30 virtaa reaktiotilaan 14 ensimmäisen elektrodin 8 yh- o destä tai useammasta reiästä ja toisen elektrodin 9 x o. yhdestä tai useammasta reiästä. Reaktiotilassa 14 sub- straattien 7 yläpuolella plasma osallistuu kemialli-cn ιλ sun reaktioihin, jotka saavat aikaan kalvon kasvun o 35 tai muun käsittelyn substraateilla 7.
c\j 17
Kuvien 2a ja 2b reaktiokammiossa plasma viedään reaktiokammioon olennaisesti kohtisuorassa ala-seinämän 5 sisäpintaa vastaan, ja plasman jakamiseksi homogeenisesti substraattien 7 päälle voidaan käyttää 5 suihkupäägeometriaa. Erityisesti ensimmäistä elektrodia 8 voidaan käyttää suihkupää-tyyppisenä virtauksen ohjaimena, joka käsittää useita pieniä reikiä koko sen pinnan alueella plasman jakamiseksi. Lisäksi, kun läh-deaineet A, B viedään reaktiotilaan 14 ensimmäisen 10 elektrodin 8 alapuolella niin, että ne virtaavat reak-tiotilan 14 läpi substraatin 7 yli läpivirtausgeomet-riassa, lähdeaineiden A, B virtausdynamiikka on nopeampi kuin suihkupäägeometriassa. Näin ollen kuvien 2a ja 2b reaktiokammiossa yhdistyvät plasman homogeenisen 15 jakamisen ja lähdeaineiden A, B nopean virtausdynamiikan edut mahdollistaen nopean ALD-prosessoinnin ja tasaiset kalvot.
Kuvien 3a ja 3b reaktiokammio käsittää ensimmäisen syöttöaukon 1, poistoaukon 3, yläseinämän 4, 20 alaseinämän 5 ja sivuseinämiä 6. Edelleen reaktiokammio käsittää reaktiotilan 14, ensimmäisen elektrodin 8, toisen elektrodin 9 ja substraatteja 7. Poistoalue 13 ulottuu kokonaan reaktiokammion sisäympäryksen ympäri. Kuvassa 3b on esitetty poikkileikkausnäkymä ku-25 van 3a reaktiokammiosta, johon on merkitty reikien 15 sijainti poistoalueella 13.
cvj Kun ensimmäisen lähdeaineen A pulssi viedään ^ reaktiokammioon, ensimmäinen lähdeaine A virtaa ensim- cnj mäisen syöttöaukon 1 läpi, joka sijaitsee toisen 4- 30 elektrodin 9 yläpuolella. Toisen elektrodin 9 yläpuo- o lelta lähdeaine A virtaa reaktiotilaan 14 ensimmäisen cr elektrodin 8 yhdestä tai useammasta reiästä ja toisen elektrodin 9 yhdestä tai useammasta reiästä. Reak-cn tiotilassa 14 lähdeaine virtaa olennaisesti kotiin o 35 tisuorassa reaktiokammion alaseinämän 5 sisäpintaa
CM
vastaan poistoalueelle 13. Poistoalue 13 ja poistotila 18 11 poistoalueen 13 alapuolella ulottuvat kokonaan re-aktiokammion sisäympäryksen ympäri sivuseinämiä 6 pitkin. Poistoalue 13 käsittää joukon reikiä 15, joiden läpi ensimmäisen lähdeaineen A pulssi virtaa poistoti-5 laan 11 ja poistoaukkoon 3, joka sijaitsee reaktiokam-mion alaseinämässä 5 virtausyhteydessä poistotilan 11 kanssa. Lopuksi lähdeaine virtaa ulos reaktiokammiosta poistoaukosta 3. Toinen lähdeaine B syötetään myös ensimmäiseen syöttöaukkoon 1, ja se kulkee olennaisesti 10 samaa virtaustietä kuin ensimmäinen lähdeaine A.
Kuvien 3a ja 3b reaktiokammiossa plasma muodostuu etäplasmana, koska substraatit 7 on sijoitettu ensimmäisen elektrodin 8 ja toisen elektrodin 9 välisen raon ulkopuolelle. Plasma muodostuu kaasusta C 15 ja/tai lähdeaineista A, B, jotka kaikki viedään reak-tiokammioon toisen elektrodin 9 yläpuolelta ensimmäisestä syöttöaukosta 1. Kun sopiva kaasu C tai kaasun C ja/tai lähdeaineiden A, B yhdistelmä virtaa elektrodien 8, 9 välisen raon läpi, se ionisoituu, ja muodostuu 20 plasmaa. Myös kantajakaasu voi osallistua plasman muo dostamiseen. Elektrodien 8,9 välistä plasma virtaa re-aktiotilaan 14 ensimmäisen elektrodin 8 yhdestä tai useammasta reiästä ja toisen elektrodin 9 yhdestä tai useammasta reiästä. Reaktiotilassa 14 substraattien 7 25 yläpuolella plasma osallistuu kemiallisiin reaktioi hin, jotka saavat aikaan kalvon kasvun tai muun käsit-telyn substraateilla 7.
o Kuvien 3a ja 3b reaktiokammiossa plasma vie- c\j dään reaktiotilaan olennaisesti kohtisuorassa alasei- 30 nämän 5 sisäpintaa vastaan, ja plasman jakamiseksi ho- o mogeenisesti substraattien 7 päälle voidaan käyttää £ suihkupäägeometriaa. Erityisesti ensimmäistä elektro- dia 8 voidaan käyttää suihkupää-tyyppisenä virtauksen S ohjaimena, joka käsittää useita pieniä reikiä sen koko N- § 35 pinnan alueella plasman jakamiseksi. Myös lähdeaineet
C\J
A, B viedään reaktiotilaan 14 toisen elektrodin 9 ylä- 19 puolelta niin, että ne virtaavat reaktiotilan 14 läpi suihkupäägeometriassa olennaisesti kohtisuorassa reaktio kammion alaseinämän 5 sisäpintaa vastaan. Kuvien 3a ja 3b reaktiokammion suihkupäägeometria jakaa tasai-5 sesti kaikki lähdeaineet ja plasman, minkä seurauksena ALD-prosessissa saadaan aikaan erittäin tasaisia kalvoja ja/tai muu erittäin tasainen käsittely substraatille 7.
Kuvien 4a ja 4b reaktiokammio käsittää ensim-10 mäisen syöttöaukon 1, poistoaukon 3, yläseinämän 4, alaseinämän 5 ja sivuseinämiä 6. Edelleen reaktiokammio käsittää reaktiotilan 14, toisen elektrodin 9 ja substraatin 7. Ensimmäinen elektrodi 8 sijaitsee substraatin 7 alapuolella, niin että substraatti on 15 elektrodien 8, 9 välissä. Syöttöalue 12 ja poistoalue 13 ulottuvat osittain reaktiokammion sisäympäryksen ympäri. Kuvassa 4b on esitetty poikkileikkausnäkymä kuvan 4a reaktiokammiosta, josta näkyy säätövälineen 16 sijainti syöttöalueen 12 ja poistoalueen 13 suh-20 teellisen pituuden säätämiseksi sekä reikien 15 si jainti syöttöalueella 12 ja poistoalueella 13.
Kun ensimmäisen lähdeaineen A pulssi viedään reaktiokammioon, ensimmäinen lähdeaine A virtaa ensimmäisen syöttöaukon 1 läpi syöttötilaan 10 syöttöalueen 25 12 alapuolella. Syöttöalue 12 ja syöttötila 10 syöttö- alueen 12 alapuolella ulottuvat osittain reaktiokammi-^ on sisäympäryksen ympäri sivuseinämiä 6 pitkin. Syöt- o töalue 12 käsittää joukon reikiä 15, joiden läpi en- cvj simmäisen lähdeaineen A pulssi virtaa substraatin 7 30 päälle ja sen yli poistoalueelle 13, joka myös ulottuu o osittain reaktiokammion sisäympäryksen ympäri sivusei- £ nämiä 6 pitkin. Poistoalueelta 13 ensimmäinen lähdeai- £0 ne A virtaa edelleen poistotilaan 11 ja lopuksi ulos S reaktiokammiosta poistoaukosta 3. Poistoalue 13 käsit- § 35 tää myös joukon reikiä 15, joista ensimmäinen lähdeai- c\j ne A virtaa poistoaukkoon 3. Toinen lähdeaine B syöte- 20 tään myös ensimmäiseen syöttöaukkoon 1, ja se kulkee olennaisesti samaa virtaustietä kuin ensimmäinen läh-deaine A.
Syöttötila 10 syöttöalueen 12 alapuolella ja 5 poistotila 11 poistoalueen 13 alapuolella on erotettu toisistaan säätövälineellä 16, joka ulottuu syöttöalueen 12 ja poistoalueen 13 käsittävän pyöreän reititetyn levyn läpi. Säätöväline 16 estää lähdeai-neiden suoran virtauksen syöttötilasta 10 syöttöalueen 10 12 alapuolelta poistotilaan 11 poistoalueen 13 alapuo lelle, jotta lähdeaineiden olisi virrattava substraatin 7 päälle.
Kuvien 4a ja 4b reaktiokammiossa plasma muodostuu lähiplasmana, koska substraatti 7 on sijoitettu 15 ensimmäisen elektrodin 8 ja toisen elektrodin 9 välisen raon sisäpuolelle. Plasma muodostuu lähdeaineista ja/tai kaasusta C, jotka viedään reaktiokammioon ensimmäisestä syöttöaukosta 1 ensimmäisen elektrodin 8 alapuolella. Kun lähdeaineet ja/tai kaasu C virtaa 20 elektrodien 8, 9 välisen raon läpi, se ionisoituu ja reaktiotilassa 14 substraatin 7 yläpuolella muodostuu plasmaa. Plasma osallistuu kemiallisiin reaktioihin, jotka saavat aikaan kalvon kasvun tai muun käsittelyn substraatilla 7.
25 Kuvien 4a ja 4b reaktiokammiossa lähdeaineet A, B ja mahdolliset muut kaasut viedään reaktiotilaan ^ 14 niin, että ne virtaavat reaktiotilan 14 läpi sub- o straatin 7 yli läpivirtausgeometriassa. Tällä tavoin cnj reaktiokammion virtausdynamiikka on nopeampi kuin ^ 30 suihkupäägeometriassa. Lisäksi, koska plasma muodostuu o suoraan substraatin yläpuolella, voidaan saavuttaa £ suurempi plasman tiheys kuin suihkupäägeometriassa, jossa hyödynnetään etäplasmaa. Näin ollen kuvien 4a ja ίο 4b reaktiokammiossa yhdistyvät nopeassa ALD- § 35 prosessoinnissa tarvittavan nopean virtausdynamiikan
CNJ
ja suuren plasman tiheyden edut.
21
Kuvassa 5 on esitetty vuokaavio esillä olevan keksinnön erään suoritusmuodon mukaisesta menetelmästä substraatin päällystämiseksi tai käsittelemiseksi ALD-prosessilla. Prosessin ensimmäisessä vaiheessa SI en-5 simmäisen lähdeaineen (esim. lähdeaine A) pulssi viedään reaktiokammioon ensimmäisestä syöttöaukosta 1 lä-pivirtausgeometriassa. Prosessin toisessa vaiheessa S2 voidaan muodostaa plasmaa kaasuvirtauksen jatkuvasta virrasta, joka viedään reaktiotilaan 14 toisen elekt- 10 rodin 9 yläpuolelta suihkupääkonfiguraatiossa. Prosessin kolmannessa vaiheessa S3 reaktion sivutuotteet, ylimääräinen plasma ja ylimääräiset lähdeaineet huuhdellaan reaktiokammiosta, jotta seuraava toisen lähde-aineen lähdeainepulssi voidaan viedä reaktiokammioon.
15 Vuokaavion vaiheissa neljä S4, viisi S5 ja kuusi S6 toistetaan ensimmäiset kolme vaihetta (SI, S2, ja S3) toisella lähdeaineella (esim. lähdeaine B), joka viedään myös reaktiokammioon ensimmäisestä syöttöaukosta 1 läpivirtausgeometriassa. Kuvan 5 vuokaaviossa esite- 20 tyt kuusi vaihetta muodostavat yhden ALD-syklin, ja niillä voidaan ideaalitapauksessa kasvattaa yksi mono-kerros kalvoa. Jos halutaan kasvattaa enemmän kalvoa, kuusi yllä mainittua vaihetta (S1-S6) käsittävä sykli voidaan toistaa.
25 Kunkin vaiheen ajoitus kuvan 5 ALD- prosessissa riippuu esim. prosessin kemiasta ja halu-,-vj tuista kalvon ominaisuuksista. Plasmaa voidaan muodos- o taa jatkuvatoimisesti syöttämällä jatkuvasti RF-tehoa cnj elektrodien 8, 9 väliin, tai vain pulsseina ALD-syklin 30 jossakin kohdassa ennen lähdeainepulssia, sen aikana o tai sen jälkeen. Plasman pulssittaminen voidaan myös £ toteuttaa RF-tehoa pulssittamalla ja/tai syöttämällä to molekyylejä (höyryä), joista muodostuu plasmaa, elekt- lo rodien 8, 9 väliin pulssitetulla tavalla. Edelleen r^ o 35 plasmaa voidaan muodostaa syöttämällä RF-tehoa reak-
CM
tiokammioon yhden tai useamman lähdeainepulssin aikana 22 yhdessä ALD-syklissä. Jos plasmaa käytetään esimerkiksi radikaalien tuottamiseen vain ensimmäisestä lähde-aineesta kuvan 5 prosessissa, voidaan vaihe S5 poistaa ALD-syklistä.
5 Edellisissä esimerkinomaisissa suoritusmuo doissa käytetään vain kahta eri lähdeainetta (A ja B) esillä olevan keksinnön mukaisen reaktiokammion toiminnan ja menetelmän selostamiseksi. ALD-prosessissa voidaan luonnollisesti käyttää useampaa kuin kahta eri 10 lähdeainetta tietyn koostumuksen omaavan kalvon valmistamiseksi. Esillä olevan keksinnön mukaisessa reak-tiokammiossa ja menetelmässä lähdeaineet syötetään samasta syöttöaukosta, ja ne virtaavat olennaisesti samoja virtausteitä pitkin reaktiokammion läpi.
15 Kuten alan asiantuntijalle on ilmeistä, kek sintöä ei rajata edellä kuvattuihin esimerkkeihin, vaan sen suoritusmuodot voivat vaihdella vapaasti patenttivaatimusten puitteissa.
20
C\J
δ c\j
CM
0
X
X
CL
co
CM
01 m n- o o
CM
Claims (12)
1. Atomikerroskasvatusreaktorin reaktiokammio substraatin päällystämiseksi tai käsittelemiseksi altistamalla substraatti vuorotellen toistettaville kaa-5 sufaasissa olevien lähdeaineiden pintareaktioille ja/tai plasmalle, missä lähdeaineet käsittävät ensimmäisen lähdeaineen ja toisen lähdeaineen, reaktiokam-mion ollessa järjestetty muodostamaan kapasitiivisesti kytkettyä plasmaa ja käsittäessä 10 - yläseinämän (4), alaseinämän (5), jossa on olennaisesti tasomainen sisäpinta substraatin (7) kannattelemiseksi, ja vähintään yhden sivuseinämän (6), joka ulottuu yläseinämän (4) ja alaseinämän (5) välille, jotka 15 seinämät yhdessä määrittävät reaktiotilan (14) mainitun reaktiokammion sisällä, ensimmäisen syöttöaukon (1) kaasujen ohjaamiseksi reaktiokammioon ja - poistoaukon (3) kaasujen johtamiseksi ulos 20 reaktiokammiosta, tunnettu siitä, että ensimmäinen syöttöaukko (1) on virtausyhteydessä reaktiokammion ulkopuolella ensimmäisen lähdeaineen lähteen kanssa ensimmäisen lähdeaineen johtamiseksi reaktiokammioon ensimmäisen 25 syöttöaukon (1) kautta, ja siitä, että reaktiokammio on järjestetty johtamaan lähdeaineet reaktiokammioon cg siten, että lähdeaineet voivat virrata reaktiotilan o (14) läpi substraatin (7) yli suunnassa, joka on olen- cvj naisesti yhdensuuntainen alaseinämän (5) sisäpinnan 30 kanssa, ja että reaktiokammio käsittää toisen elektro-o din (9), joka sijaitsee reaktiokammion yläseinämän (4) £ alapuolella reaktiokammion sisällä, ja toisen syöttöjä aukon (2), joka on virtausyhteydessä kaasulähteen S kanssa ja eristetty virtausyhteydestä lähdeaineiden § 35 lähteisiin reaktiokammion ulkopuolella, jolloin toinen c\j syöttöaukko (2) on sijoitettu johtamaan kaasua tilaan, joka on toisen elektrodin (9) ja alaseinämän (5) välissä, vähintään yhdestä toisessa elektrodissa (9) olevasta reiästä suunnassa, joka on olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän (5) sisäpintaa vastaan.
2. Patenttivaatimuksen 1 mukainen reaktiokam- mio, tunnettu siitä, että reaktiokammio käsittää syöttöalueen (12), joka käsittää kaksi tai useampia reikiä (15) ja joka on virtausyhteydessä reaktiokammi-on ensimmäisen syöttöaukon (1) kanssa ensimmäisen lähiö deaineen syöttämiseksi reaktiotilaan (14), jolloin mainittu syöttöalue (12) ulottuu osittain reaktiokam-mion sisäympäryksen ympäri reaktiokammion vähintään yhden sivuseinämän (6) vieressä, niin että reiät (15), jotka ovat lähinnä ympärysmitan syöttöalueen (12) pää-15 tekohtia, ovat toisistaan sellaisen etäisyyden päässä, joka on noin 30 prosenttia sisäympärysmitasta sisäym-pärystä pitkin mitattuna.
3. Patenttivaatimuksen 2 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reaktiokammio käsittää 20 säätövälineen (16) syöttöalueen (12) päätekohdissa reaktiokammion vähintään yhden sivuseinämän (6) vieressä syöttöalueen (12) pituuden säätämiseksi.
4. Patenttivaatimuksen 1 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reaktiokammio käsittää 25 syöttöalueen (12), joka käsittää kaksi tai useampia reikiä (15) ja on virtausyhteydessä reaktiokammion en-^ simmäisen syöttöaukon (1) kanssa ensimmäisen lähdeai- o neen syöttämiseksi reaktiotilaan (14), jolloin mainiten tu syöttöalue (12) ulottuu kokonaan reaktiokammion si- ^ 30 säympäryksen ympäri reaktiokammion vähintään yhden si- ° vuseinämän (6) vieressä, x
£ 5. Patenttivaatimuksen 4 mukainen reaktiokam- to mio, tunnettu siitä, että reaktiokammio käsittää S poistoalueen (13), joka on virtausyhteydessä poistoau- § 35 kon (3) kanssa ja sijaitsee reaktiokammion alaseinämän C\J (5) keskiosassa.
6. Jonkin patenttivaatimuksista 1-5 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reak-tiokammio käsittää poistoalueen (13), joka käsittää kaksi tai useampia reikiä (15) ja on virtausyhteydessä 5 reaktiokammion poistoaukon (3) kanssa kaasujen poistamiseksi reaktiotilasta (14), jolloin mainittu poisto-alue (13) ulottuu osittain reaktiokammion sisäympäryk-sen ympäri reaktiokammion vähintään yhden sivuseinämän (6) vieressä, niin että reiät (15), jotka ovat lähinnä 10 ympärysmitan poistoalueen (13) päätekohtia, ovat toisistaan sellaisen etäisyyden päässä, joka on noin 65 prosenttia sisäympärysmitasta sisäympärystä pitkin mitattuna .
7. Patenttivaatimuksen 6 mukainen reaktiokam-15 mio, tunnettu siitä, että reaktiokammio käsittää säätövälineen (16) reaktiokammion vähintään yhden sivuseinämän (6) vieressä poistoalueen (13) pituuden säätämiseksi.
8. Jonkin patenttivaatimuksista 1-7 mukai-20 nen reaktiokammio, tunnettu siitä, että ensimmäinen syöttöaukko (1) ja poistoaukko (3) sijaitsevat reaktiokammion alaseinämällä (5).
9. Jonkin patenttivaatimuksista 1-8 mukainen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reak- 25 tiokammio käsittää ensimmäisen elektrodin (8) toisen elektrodin (9) alapuolella, jolloin reaktiokammio on cvj järjestetty muodostamaan lähiplasmaa (direct plasma) o ensimmäisen elektrodin (8) ja toisen elektrodin (9) c\j välissä niin, että substraatti (7) voidaan sijoittaa 30 elektrodien (8, 9) väliin, o
10. Jonkin patenttivaatimuksista 1-8 mukai- £ nen reaktiokammio, tunnettu siitä, että reak- tiokammio käsittää ensimmäisen elektrodin (8) toisen O) jo elektrodin (9) alapuolella, jolloin reaktiokammio on o 35 järjestetty muodostamaan etäplasmaa (remote plasma) cvj ensimmäisen elektrodin (8) ja toisen elektrodin (9) välissä niin, että substraatti voidaan sijoittaa ensimmäisen elektrodin (8) alapuolelle.
11. Patenttivaatimuksen 10 mukainen reak-tiokammio, tunnettu siitä, että ensimmäinen 5 elektrodi (8) on rei'itetty, käsittäen vähintään yhden reiän elektrodin (8) läpi virtaavan kaasun jakamiseksi tasaisesti.
12. Menetelmä substraatin (7) päällystämiseksi tai käsittelemiseksi atomikerroskasvatusprosessilla 10 kapasitiivisesti kytkettyä plasmaa muodostamaan järjestetyn atomikerroskasvatusreaktorin reaktiokammios-sa, mainitun menetelmän käsittäessä vaiheen, jossa substraatti altistetaan vuorotellen toistettaville kaasufaasissa olevien lähdeaineiden pintareaktioille 15 ja/tai plasmalle, missä lähdeaineet käsittävät ensimmäisen lähdeaineen ja toisen lähdeaineen, tunnet-t u siitä, että menetelmä käsittää vaiheet, joissa - ensimmäinen lähdeaine syötetään reaktiokam-mioon ensimmäisen syöttöaukon (1) kautta, 20. lähdeaineet syötetään reaktiokammioon si ten, että ne virtaavat reaktiokammiossa re-aktiotilan (14) läpi substraatin (7) yli suunnassa, joka on olennaisesti yhdensuuntainen reaktiotilan (14) alaseinämän (5) 25 sisäpinnan kanssa, ja - reaktiokammioon syötetään kaasua toisen cvj syöttöaukon (2) kautta toisen elektrodin o (9) ja alaseinämän (5) väliseen tilaan, cvj jolloin kaasu syötetään suunnassa, joka on 4· 30 olennaisesti kohtisuorassa alaseinämän (5) o sisäpintaa vastaan. cc CL CD CVJ O) m o o CVJ
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20075926A FI123322B (fi) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi |
| PCT/FI2008/050747 WO2009077658A1 (en) | 2007-12-17 | 2008-12-16 | Method and apparatus for generating plasma |
| US12/808,530 US20110003087A1 (en) | 2007-12-17 | 2008-12-16 | Method and apparatus for generating plasma |
| EP08862806.0A EP2229465A4 (en) | 2007-12-17 | 2008-12-16 | METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING PLASMA |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20075926 | 2007-12-17 | ||
| FI20075926A FI123322B (fi) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FI20075926A0 FI20075926A0 (fi) | 2007-12-17 |
| FI20075926A FI20075926A (fi) | 2009-06-18 |
| FI123322B true FI123322B (fi) | 2013-02-28 |
Family
ID=38951621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FI20075926A FI123322B (fi) | 2007-12-17 | 2007-12-17 | Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20110003087A1 (fi) |
| EP (1) | EP2229465A4 (fi) |
| FI (1) | FI123322B (fi) |
| WO (1) | WO2009077658A1 (fi) |
Families Citing this family (219)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102011104132B3 (de) * | 2011-06-14 | 2012-11-29 | Oliver Feddersen-Clausen | Plasmaunterstütztes ALD-Verfahren sowie Vorrichtung zur Bildung einer dünnen Schicht auf einem Substrat |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| TW201408811A (zh) * | 2012-08-28 | 2014-03-01 | Univ St Johns | 多流向原子層沈積系統 |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US10316409B2 (en) * | 2012-12-21 | 2019-06-11 | Novellus Systems, Inc. | Radical source design for remote plasma atomic layer deposition |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| JP6158111B2 (ja) * | 2014-02-12 | 2017-07-05 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給方法及び半導体製造装置 |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| JP6258184B2 (ja) * | 2014-11-13 | 2018-01-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10604841B2 (en) | 2016-12-14 | 2020-03-31 | Lam Research Corporation | Integrated showerhead with thermal control for delivering radical and precursor gas to a downstream chamber to enable remote plasma film deposition |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US9972501B1 (en) | 2017-03-14 | 2018-05-15 | Nano-Master, Inc. | Techniques and systems for continuous-flow plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) |
| US20180274100A1 (en) * | 2017-03-24 | 2018-09-27 | Applied Materials, Inc. | Alternating between deposition and treatment of diamond-like carbon |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| US11639811B2 (en) | 2017-11-27 | 2023-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
| JP7214724B2 (ja) | 2017-11-27 | 2023-01-30 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置 |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| CN112292478A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
| KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| US11482533B2 (en) | 2019-02-20 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications |
| TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
| TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| US11450529B2 (en) | 2019-11-26 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN112992667A (zh) | 2019-12-17 | 2021-06-18 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构 |
| US11527403B2 (en) | 2019-12-19 | 2022-12-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures |
| US11087959B2 (en) | 2020-01-09 | 2021-08-10 | Nano-Master, Inc. | Techniques for a hybrid design for efficient and economical plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11640900B2 (en) | 2020-02-12 | 2023-05-02 | Nano-Master, Inc. | Electron cyclotron rotation (ECR)-enhanced hollow cathode plasma source (HCPS) |
| TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210132576A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| US11664214B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density, nitrogen-doped carbon films for hardmasks and other patterning applications |
| US11664226B2 (en) | 2020-06-29 | 2023-05-30 | Applied Materials, Inc. | Methods for producing high-density carbon films for hardmasks and other patterning applications |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| KR20220010438A (ko) | 2020-07-17 | 2022-01-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| US11725280B2 (en) | 2020-08-26 | 2023-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| TW202217037A (zh) | 2020-10-22 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6539891B1 (en) * | 1999-06-19 | 2003-04-01 | Genitech, Inc. | Chemical deposition reactor and method of forming a thin film using the same |
| US20020197402A1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-12-26 | Chiang Tony P. | System for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
| US6416822B1 (en) * | 2000-12-06 | 2002-07-09 | Angstrom Systems, Inc. | Continuous method for depositing a film by modulated ion-induced atomic layer deposition (MII-ALD) |
| CN1302152C (zh) * | 2001-03-19 | 2007-02-28 | 株式会社Ips | 化学气相沉积设备 |
| US6820570B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-11-23 | Nobel Biocare Services Ag | Atomic layer deposition reactor |
| US7163587B2 (en) * | 2002-02-08 | 2007-01-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Reactor assembly and processing method |
| US6967154B2 (en) * | 2002-08-26 | 2005-11-22 | Micron Technology, Inc. | Enhanced atomic layer deposition |
| WO2004102648A2 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-25 | Asm America, Inc. | Reactor surface passivation through chemical deactivation |
| CN101171365B (zh) * | 2005-05-09 | 2010-05-19 | Asm吉尼泰克韩国株式会社 | 多入口原子层沉积反应器 |
| FI121750B (fi) * | 2005-11-17 | 2011-03-31 | Beneq Oy | ALD-reaktori |
-
2007
- 2007-12-17 FI FI20075926A patent/FI123322B/fi active IP Right Grant
-
2008
- 2008-12-16 WO PCT/FI2008/050747 patent/WO2009077658A1/en active Application Filing
- 2008-12-16 US US12/808,530 patent/US20110003087A1/en not_active Abandoned
- 2008-12-16 EP EP08862806.0A patent/EP2229465A4/en not_active Withdrawn
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2229465A1 (en) | 2010-09-22 |
| FI20075926A0 (fi) | 2007-12-17 |
| EP2229465A4 (en) | 2013-04-10 |
| FI20075926A (fi) | 2009-06-18 |
| US20110003087A1 (en) | 2011-01-06 |
| WO2009077658A1 (en) | 2009-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FI123322B (fi) | Menetelmä ja laitteisto plasman muodostamiseksi | |
| USRE48994E1 (en) | Apparatus and method for providing uniform flow of gas | |
| KR102313335B1 (ko) | 가스 공급 매니폴드와 그것을 사용하여 가스들을 챔버로 공급하는 방법 | |
| FI97731C (fi) | Menetelmä ja laite ohutkalvojen valmistamiseksi | |
| US6293222B1 (en) | Remote-plasma-CVD method for coating or for treating large-surface substrates and apparatus for performing same | |
| KR101522725B1 (ko) | 고온 원자층 증착용 인렛 매니폴드 | |
| JP5734840B2 (ja) | 組合わせプラズマ励起堆積技術 | |
| KR101379016B1 (ko) | 원자층 증착 장치 및 이를 이용한 원자층 증착 방법 | |
| US20060249077A1 (en) | Multiple inlet atomic layer deposition reactor | |
| US20090324971A1 (en) | Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma | |
| US20150307989A1 (en) | Atomic layer deposition method and apparatuses | |
| US20150167165A1 (en) | Coating a substrate web by atomic layer deposition | |
| WO2009031886A2 (en) | Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma | |
| JP2004538374A (ja) | 原子層堆積反応装置 | |
| JP2014515790A (ja) | ホットワイヤ原子層堆積装置及び使用方法 | |
| WO2008016836A2 (en) | Radical-enhanced atomic layer deposition system and method | |
| JP4506557B2 (ja) | シャワーヘッドおよび表面波励起プラズマ処理装置 | |
| CN103988286A (zh) | 自给自足式加热元件 | |
| US20080110399A1 (en) | Atomic layer deposition apparatus | |
| US8955547B2 (en) | Apparatus and method for providing uniform flow of gas | |
| US20150107510A1 (en) | Coating a substrate web by atomic layer deposition | |
| US20120135609A1 (en) | Apparatus and Process for Atomic Layer Deposition | |
| US11377735B2 (en) | Apparatus for depositing chalcogenide thin films | |
| US9879342B2 (en) | Lateral flow atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method using the same | |
| KR20220019244A (ko) | 다공성 입구 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FG | Patent granted |
Ref document number: 123322 Country of ref document: FI Kind code of ref document: B |