JP5651486B2 - 半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 353
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 74
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 68
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 24
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 395
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 92
- 238000000034 method Methods 0.000 description 84
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 59
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 43
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 28
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 21
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000002736 metal compounds Chemical group 0.000 description 18
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 16
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 14
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 13
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 11
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 9
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 7
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 4
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- -1 for example Substances 0.000 description 4
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 208000005156 Dehydration Diseases 0.000 description 3
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 3
- 229910019092 Mg-O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910019395 Mg—O Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 3
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 3
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 3
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 2
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910020923 Sn-O Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] Chemical compound [Sn+2]=O.[O-2].[In+3] AZWHFTKIBIQKCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 229940038504 oxygen 100 % Drugs 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 238000010408 sweeping Methods 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
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- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/403—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells with charge regeneration common to a multiplicity of memory cells, i.e. external refresh
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- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0425—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a merged floating gate and select transistor
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- G—PHYSICS
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- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/04—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS
- G11C16/0408—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors
- G11C16/0433—Erasable programmable read-only memories electrically programmable using variable threshold transistors, e.g. FAMOS comprising cells containing floating gate transistors comprising cells containing a single floating gate transistor and one or more separate select transistors
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
- H01L27/1225—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer with semiconductor materials not belonging to the group IV of the periodic table, e.g. InGaZnO
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- Semiconductor Memories (AREA)
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Description
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置の回路構成およびその動作について、図1を参照して説明する。なお、回路図においては、酸化物半導体を用いたトランジスタであることを示すために、OSの符号を併せて付す場合がある。
本実施の形態では、先に実施の形態に示す半導体装置の応用例につき、図2および図3を用いて説明する。
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係る半導体装置の構成およびその作製方法について、図7乃至図9を参照して説明する。
図7は、半導体装置の構成の一例である。図7(A)には、半導体装置の断面を、図7(B)には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図7(A)は、図7(B)のA1−A2およびB1−B2における断面に相当する。図7(A)および図7(B)に示される半導体装置は、下部に酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に酸化物半導体を用いたトランジスタ162を有するものである。酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160は、酸化物半導体材料よりも更に電界効果移動度の値が大きい材料を用いることで高速動作が可能になる。一方で、酸化物半導体材料を用いたトランジスタ162は、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
次に、上記半導体装置の作製方法の一例について説明する。以下では、はじめに下部のトランジスタ160の作製方法について図8を参照して説明し、その後、上部のトランジスタ162の作製方法について図9を参照して説明する。
次に、図9を用いて、層間絶縁層128上にトランジスタ162を作製する工程について説明する。なお、図9は、層間絶縁層128上の各種電極や、トランジスタ162などの作製工程を示すものであるから、トランジスタ162の下部に存在するトランジスタ160等については省略している。
本実施の形態では、実施の形態3とは異なる、開示する発明の一態様に係る半導体装置の構成およびその作製方法について、図10及び図11を参照して説明する。
図10は、半導体装置の構成の一例である。図10(A)には、半導体装置の断面を、図10(B)には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図10(A)は、図10(B)のA1−A2およびB1−B2における断面に相当する。図10(A)および図10(B)に示される半導体装置は、下部に酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に酸化物半導体を用いたトランジスタ162を有するものである。酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160は、酸化物半導体材料よりも更に電界効果移動度の値が大きい材料を用いることで高速動作が可能になる。一方で、酸化物半導体材料を用いたトランジスタ162は、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
次に、上記半導体装置の作製方法の一例について説明する。以下では、下部のトランジスタ160を形成した後の工程、上部のトランジスタ162の作製方法について図11を参照して説明する。下部のトランジスタ160については、実施の形態3で示した方法と同様の方法で作製することができ、実施の形態3の記載を参酌することができる。
本実施の形態では、実施の形態3、実施の形態4とは異なる、開示する発明の一態様に係る半導体装置の構成およびその作製方法について、図4乃至図6を参照して説明する。
図4は、半導体装置の構成の一例である。図4(A)には、半導体装置の断面を、図4(B)には、半導体装置の平面を、それぞれ示す。ここで、図4(A)は、図4(B)のC1−C2およびD1−D2における断面に相当する。図4(B)の平面図においては、煩雑になることを避けるため、ソース電極またはドレイン電極154や、配線156など、構成要素の一部を省略している。図4(A)および図4(B)に示される半導体装置は、下部に酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160を有し、上部に酸化物半導体を用いたトランジスタ162を有するものである。酸化物半導体以外の半導体材料を用いたトランジスタ160は、酸化物半導体材料よりも更に電界効果移動度の値が大きい材料を用いることで高速動作が可能になる。一方で、酸化物半導体材料を用いたトランジスタ162は、その特性により長時間の電荷保持を可能とする。
次に、上記半導体装置の作製方法の一例について説明する。以下では、下部のトランジスタ160を形成した後の工程、上部のトランジスタ162の作製方法について図5および図6を参照して説明する。下部のトランジスタ160については、実施の形態3で示した方法と同様の方法で作製することができる。詳細については、実施の形態3の記載を参酌できる。なお、本実施の形態では、トランジスタ160を覆うように層間絶縁層125、層間絶縁層126、層間絶縁層128、の三種類の層間絶縁層が形成されるものとする(図8(G)参考)。また、本実施の形態では、トランジスタ160の作製工程において、ソース電極またはドレイン電極130a、ソース電極またはドレイン電極130bを形成しないが(図8(H)参考)、ソース電極またはドレイン電極130aおよびソース電極またはドレイン電極130bが形成されていない状態であっても、便宜上、トランジスタ160と呼ぶことにする。
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明した半導体装置を電子機器に適用する場合について、図12を用いて説明する。本実施の形態では、コンピュータ、携帯電話機(携帯電話、携帯電話装置ともいう)、携帯情報端末(携帯型ゲーム機、音響再生装置なども含む)、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、電子ペーパー、テレビジョン装置(テレビ、またはテレビジョン受信機ともいう)などの電子機器に、上述の半導体装置を適用する場合について説明する。
102 保護層
104 半導体領域
106 素子分離絶縁層
108a ゲート絶縁層
110a ゲート電極
112 絶縁層
114 不純物領域
116 チャネル形成領域
118 サイドウォール絶縁層
120 高濃度不純物領域
122 金属層
124 金属化合物領域
125 層間絶縁層
126 層間絶縁層
128 層間絶縁層
130a ソース電極またはドレイン電極
130b ソース電極またはドレイン電極
130c 電極
142a ソース電極またはドレイン電極
142b ソース電極またはドレイン電極
143a 絶縁層
143b 絶縁層
144 酸化物半導体層
146 ゲート絶縁層
148a ゲート電極
148b 電極
150 層間絶縁層
152 層間絶縁層
154 ソース電極またはドレイン電極
160 トランジスタ
162 トランジスタ
164 容量素子
701 筐体
702 筐体
703 表示部
704 キーボード
711 本体
712 スタイラス
713 表示部
714 操作ボタン
715 外部インターフェイス
720 電子書籍
721 筐体
723 筐体
725 表示部
727 表示部
731 電源
733 操作キー
735 スピーカー
737 軸部
740 筐体
741 筐体
742 表示パネル
743 スピーカー
744 マイクロフォン
746 ポインティングデバイス
747 カメラ用レンズ
748 外部接続端子
749 太陽電池セル
750 外部メモリスロット
761 本体
763 接眼部
764 操作スイッチ
765 表示部
766 バッテリー
767 表示部
770 テレビジョン装置
771 筐体
773 表示部
775 スタンド
780 リモコン操作機
802 容量素子
802a 容量素子
802b 容量素子
802c 容量素子
804 トランジスタ
805 トランジスタ
806 トランジスタ
808 トランジスタ
Claims (6)
- 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの上方の第2のトランジスタと、容量素子と、を含むメモリセルを有し、
前記第1のトランジスタは、シリコンを含み、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとの間に、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上方の第2の絶縁層とを有し、
前記第1の絶縁層は、前記第2の絶縁層よりも高い濃度で水素を有し、
前記メモリセルへの情報の書き込みは、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記容量素子の電極の一方と、前記第1のトランジスタのゲートとが電気的に接続されたノードに第1の電位を供給した後、前記第2のトランジスタをオフ状態とすることで行われ、
電力を供給することなく、前記情報を1×104秒以上保持することが可能であることを特徴とする半導体装置。 - 第1のトランジスタと、前記第1のトランジスタの上方の第2のトランジスタと、容量素子と、を含むメモリセルを有し、
前記第1のトランジスタは、シリコンを含み、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を含み、
前記第1のトランジスタと、前記第2のトランジスタとの間に、第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上方の第2の絶縁層とを有し、
前記第1の絶縁層は、前記第2の絶縁層よりも高い濃度で水素を有し、
前記メモリセルへの第1の情報の書き込みは、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と、前記容量素子の電極の一方と、前記第1のトランジスタのゲートとが電気的に接続されたノードに第1の電位を供給した後、前記第2のトランジスタをオフ状態とすることで行われ、
前記第1の情報から第2の情報への書き換えは、前記第2のトランジスタをオン状態とすることにより、前記第1の情報を保持した前記ノードに第2の電位を供給した後、前記第2のトランジスタをオフ状態とすることで行われ、
電力を供給することなく、前記第2の情報を1×104秒以上保持することが可能であることを特徴とする半導体装置。 - 前記第2のトランジスタのオフ電流は、前記第1のトランジスタのオフ電流よりも低いことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記第1のトランジスタのスイッチング速度は、前記第2のトランジスタのスイッチング速度よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第2のトランジスタは、エネルギーギャップが3eVより大きい材料を含むことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載の半導体装置。
- 前記第2のトランジスタの上方に第3の絶縁層を有し、
前記第3の絶縁層の上方に導電層を有し、
前記第1の絶縁層と、前記第2の絶縁層と、前記第3の絶縁層とは、開口を有し、
前記開口に設けられた電極を有し、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と、前記導電層とは、前記電極を介して電気的に接続されることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011005534A JP5651486B2 (ja) | 2010-01-15 | 2011-01-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010007495 | 2010-01-15 | ||
JP2010007495 | 2010-01-15 | ||
JP2011005534A JP5651486B2 (ja) | 2010-01-15 | 2011-01-14 | 半導体装置 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014232394A Division JP5889996B2 (ja) | 2010-01-15 | 2014-11-17 | 半導体装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011166132A JP2011166132A (ja) | 2011-08-25 |
JP2011166132A5 JP2011166132A5 (ja) | 2014-02-13 |
JP5651486B2 true JP5651486B2 (ja) | 2015-01-14 |
Family
ID=44277487
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011005534A Expired - Fee Related JP5651486B2 (ja) | 2010-01-15 | 2011-01-14 | 半導体装置 |
JP2014232394A Active JP5889996B2 (ja) | 2010-01-15 | 2014-11-17 | 半導体装置 |
JP2016027585A Withdrawn JP2016129237A (ja) | 2010-01-15 | 2016-02-17 | 半導体装置 |
JP2017094337A Active JP6348205B2 (ja) | 2010-01-15 | 2017-05-11 | 半導体装置 |
JP2018102968A Active JP6577629B2 (ja) | 2010-01-15 | 2018-05-30 | 半導体装置 |
JP2019151874A Withdrawn JP2020010046A (ja) | 2010-01-15 | 2019-08-22 | 半導体装置 |
JP2021104660A Active JP7185731B2 (ja) | 2010-01-15 | 2021-06-24 | 半導体装置 |
JP2022187942A Active JP7476287B2 (ja) | 2010-01-15 | 2022-11-25 | 半導体装置 |
Family Applications After (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014232394A Active JP5889996B2 (ja) | 2010-01-15 | 2014-11-17 | 半導体装置 |
JP2016027585A Withdrawn JP2016129237A (ja) | 2010-01-15 | 2016-02-17 | 半導体装置 |
JP2017094337A Active JP6348205B2 (ja) | 2010-01-15 | 2017-05-11 | 半導体装置 |
JP2018102968A Active JP6577629B2 (ja) | 2010-01-15 | 2018-05-30 | 半導体装置 |
JP2019151874A Withdrawn JP2020010046A (ja) | 2010-01-15 | 2019-08-22 | 半導体装置 |
JP2021104660A Active JP7185731B2 (ja) | 2010-01-15 | 2021-06-24 | 半導体装置 |
JP2022187942A Active JP7476287B2 (ja) | 2010-01-15 | 2022-11-25 | 半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8780629B2 (ja) |
JP (8) | JP5651486B2 (ja) |
TW (2) | TWI576844B (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011096277A1 (en) | 2010-02-05 | 2011-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of driving semiconductor device |
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KR20190124813A (ko) | 2009-11-20 | 2019-11-05 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
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WO2011065258A1 (en) | 2009-11-27 | 2011-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
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JP2011138934A (ja) | 2009-12-28 | 2011-07-14 | Sony Corp | 薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器 |
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JP2011187506A (ja) | 2010-03-04 | 2011-09-22 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置 |
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2011
- 2011-01-12 US US13/004,942 patent/US8780629B2/en active Active
- 2011-01-14 JP JP2011005534A patent/JP5651486B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-01-14 TW TW104138504A patent/TWI576844B/zh active
- 2011-01-14 TW TW100101450A patent/TWI521512B/zh active
-
2014
- 2014-07-11 US US14/328,818 patent/US9136280B2/en active Active
- 2014-11-17 JP JP2014232394A patent/JP5889996B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-17 JP JP2016027585A patent/JP2016129237A/ja not_active Withdrawn
-
2017
- 2017-05-11 JP JP2017094337A patent/JP6348205B2/ja active Active
-
2018
- 2018-05-30 JP JP2018102968A patent/JP6577629B2/ja active Active
-
2019
- 2019-08-22 JP JP2019151874A patent/JP2020010046A/ja not_active Withdrawn
-
2021
- 2021-06-24 JP JP2021104660A patent/JP7185731B2/ja active Active
-
2022
- 2022-11-25 JP JP2022187942A patent/JP7476287B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021177554A (ja) | 2021-11-11 |
JP2016129237A (ja) | 2016-07-14 |
US8780629B2 (en) | 2014-07-15 |
JP5889996B2 (ja) | 2016-03-22 |
US20110176355A1 (en) | 2011-07-21 |
US20140319518A1 (en) | 2014-10-30 |
JP2018164096A (ja) | 2018-10-18 |
JP2017152734A (ja) | 2017-08-31 |
JP6577629B2 (ja) | 2019-09-18 |
JP7476287B2 (ja) | 2024-04-30 |
JP6348205B2 (ja) | 2018-06-27 |
JP2011166132A (ja) | 2011-08-25 |
JP2023027122A (ja) | 2023-03-01 |
TW201608568A (zh) | 2016-03-01 |
JP7185731B2 (ja) | 2022-12-07 |
JP2015084423A (ja) | 2015-04-30 |
JP2020010046A (ja) | 2020-01-16 |
US9136280B2 (en) | 2015-09-15 |
TWI521512B (zh) | 2016-02-11 |
TW201137880A (en) | 2011-11-01 |
TWI576844B (zh) | 2017-04-01 |
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