JP5043781B2 - 薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法 Download PDF

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Description

本発明は薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法に関し、さらに詳細には結晶化誘導金属(crystallization−inducing metal)を利用して、結晶化した半導体層のチャネル領域に残存する結晶化誘導金属をゲッタリングすることによって、半導体層に残存する結晶化誘導金属の量を減少させて電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法に関する。
一般的に、多結晶シリコン層は、高い電界効果移動度を有し、高速動作回路への適用や、CMOS回路の構成が可能という長所があるため、薄膜トランジスタの半導体層として広く用いられている。このような多結晶シリコン層を利用した薄膜トランジスタは主にアクティブマトリックス液晶ディスプレイ装置(AMLCD)の能動素子や、アクティブマトリックス有機電界発光表示装置(AMOLED)のスイッチング素子および駆動素子に用いられる。
非晶質シリコンを多結晶シリコンに結晶化する方法は固相結晶化法(Solid Phase Crystallization:SPC)、エキシマレーザ結晶化法(Excimer Laser Annealing:ELA)、金属誘導結晶化法(Metal Induced Crystallization:MIC)および金属誘導横方向結晶化法(Metal Induced lateral Crystallization:MILC)があるが、結晶化誘導金属を利用して非晶質シリコン層を結晶化する方法が固相結晶化(Solid Phase Crystallization)より低い温度で短時間に結晶化させることができる長所を有しているため広く研究されている。
結晶化誘導金属を利用した結晶化方法は金属誘導結晶化(MIC、Metal Induced Crystallization)方法と金属誘導横方向結晶化(MILC、Metal Induced lateral Crystallization)方法がある。しかし、結晶化誘導金属を利用した方法は、結晶化誘導金属による汚染で薄膜トランジスタの素子特性が低下するという問題がある。
したがって、結晶化誘導金属を利用して非晶質シリコン層を結晶化した後は、結晶化誘導金属を除去するためのゲッタリング(gettering)工程が行なわれる。一般的なゲッタリング工程は燐または希ガス(noble gas)といった不純物を利用したり、多結晶シリコン層上に非晶質シリコン層を形成する方法を利用して行われうる。しかし、当該方法を利用しても多結晶シリコン層内部の結晶化誘導金属の除去効果が大きく改善せず、相変らず漏れ電流が大きいという問題がある。
特開2003−100633号公報
本発明はこのような問題点を解決するためになされたものであって、結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層のチャネル領域内に残存する結晶化誘導金属をゲッタリングして半導体層のチャネル領域に残存する結晶化誘導金属の量を減少させることにより、電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置、およびこれらの製造方法を提供するものである。
本発明は、基板と、前記基板上に位置し、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む半導体層と、前記半導体層の前記チャネル領域とゲート絶縁膜を介し対向して設けられたゲート電極と、前記半導体層の前記チャネル領域以外の領域の上部または下部に前記ゲート電極と離隔されて位置した、前記ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、前記半導体層の前記ソース領域および前記ドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極およびドレイン電極と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタを提供する。
また本発明は、基板を準備する段階と、前記基板上に結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を形成する段階と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上の、前記半導体層のチャネル領域に対応する位置にゲート電極を形成する段階と、前記半導体層の前記チャネル領域以外の領域の上部に前記ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層を形成する段階と、前記半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されるソース電極およびドレイン電極を形成する段階と、を含み、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層を形成した後には前記基板を熱処理して、前記半導体層の前記チャネル領域に存在する前記結晶化誘導金属を前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層が上部に形成された前記半導体層内の領域にゲッタリングする段階と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
また本発明は、基板と、前記基板上に位置し、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域を含む半導体層と、前記半導体層のチャネル領域に対応する位置に設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記半導体層間に位置するゲート絶縁膜と、前記半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部に前記ゲート電極と離隔されて位置した、前記ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、前記半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されるソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極およびドレイン電極のいずれか一つと電気的に連結される第1電極と、前記第1電極上に位置する有機膜層と、前記有機膜層上に位置する第2電極と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置を提供する。
また本発明は、基板を提供する段階と、前記基板上に結晶化誘導金属を利用して結晶化した半導体層を形成する段階と、前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上の、前記半導体層のチャネル領域に対応する位置にゲート電極を形成する段階と、前記半導体層の前記チャネル領域以外の領域の上部に前記ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層を形成する段階と、前記半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されるソース電極およびドレイン電極を形成する段階と、前記ソース電極およびドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結される第1電極を形成する段階と、前記第1電極上に発光層を含む有機膜層を形成する段階と、前記有機膜層上に第2電極を形成する段階と、を含み、前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層を形成した後には前記基板を熱処理して、前記半導体層の前記チャネル領域に存在する前記結晶化誘導金属を前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層が上部に形成された前記半導体層内の領域にゲッタリングする段階と、を含むことを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法を提供する。
本発明によれば、半導体層のチャネル領域に残留する結晶化誘導金属を除去することにより、電気的特性が優秀な薄膜トランジスタ、これを具備した有機電界発光表示装置を得ることができる。
以下、本発明をさらに具体的に開示するために本発明に係る望ましい実施形態を、図面を参照してさらに詳細に説明する。しかし、本発明はここで説明する実施形態に限定されず、他の実施形態においても具現化されることができる。
図1A〜図1Dは本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの製造方法の結晶化工程を示す断面図である。
まず、図1Aに示すようにガラスまたはプラスチックのような基板100上にバッファ層110を形成する。バッファ層110は化学気相蒸着(Chemical Vapor Deposition)法または物理気相蒸着(Physical Vapor Deposition)法を利用してシリコン酸化膜、シリコン窒化膜のような絶縁膜を利用して単層またはこれらの複層で形成する。この時、バッファ層110は基板100で発生する水分または不純物の拡散を防止し、結晶化時の熱の伝達速度を調節することにより、非晶質シリコン層の結晶化が十分に行われるようにする役割をする。
続いて、バッファ層110上に非晶質シリコン層120を形成する。この時、非晶質シリコン層120は化学気相蒸着法または物理気相蒸着法を利用することができる。また、非晶質シリコン層120を形成する時、または、形成した後に脱水素処理して水素の濃度を低める工程を行うことができる。
次に、非晶質シリコン層120を多結晶シリコン層に結晶化する。本発明ではMIC(Metal Induced Crystallization)法、MILC(Metal Induced lateral Crystallization)法またはSGS(Super Grained Silicon)法のように結晶化誘導金属を利用する結晶化方法を利用して非晶質シリコン層120を多結晶シリコン層に結晶化する。
MIC法はニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、アルミニウム(Al)といった結晶化誘導金属を、非晶質シリコン層と接触させ、又は非晶質シリコン層に注入して、結晶化誘導金属が、非晶質シリコン層が多結晶シリコン層へ相変化するのを誘導する現象を利用する方法である。MILC法は、結晶化誘導金属とシリコンが反応して生成されたシリサイドが横方向に広がって順次にシリコンの結晶化を誘導して非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化させる方法である。
SGS法は非晶質シリコン層に拡散する結晶化誘導金属の濃度を低濃度に調節して結晶粒の大きさを数μm〜数百μmまで調節することができる結晶化方法である。非晶質シリコン層に拡散する結晶化誘導金属の濃度を低濃度に調節するための一実施形態においては、非晶質シリコン層上にキャッピング層を形成して、キャッピング層上に結晶化誘導金属層を形成した後熱処理して結晶化誘導金属を拡散させることができ、工程によってはキャッピング層を形成せずに結晶化誘導金属層を低濃度で形成することにより非晶質シリコン層に拡散する結晶化誘導金属の濃度を低濃度に調節することができる。
本発明に係る実施形態においてキャッピング層を形成することによってMIC法やMILC法に比べて非晶質シリコン層に拡散する結晶化誘導金属の濃度を低濃度に制御することができるSGS法により結晶化することが望ましい。以下、これについて説明する。
図1Bは非晶質シリコン層上にキャッピング層と結晶化誘導金属層を形成する工程の断面図である。
図1Bを参照すると、非晶質シリコン120上にキャッピング層130を形成する。このとき、キャッピング層130は後続の工程で形成される結晶化誘導金属が熱処理工程により拡散することができるシリコン窒化膜で形成することが望ましくて、シリコン窒化膜とシリコン酸化膜の複層を用いることができる。キャッピング層130は化学気相蒸着法または物理気相蒸着法といった方法で形成する。このとき、キャッピング層130の厚さは1〜2000Åに形成する。キャッピング層130の厚さが1Å未満である場合は、キャッピング層130により非晶質シリコン120へ拡散する結晶化誘導金属の量を阻止しにくい。キャッピング層130の厚さが2000Åを超過する場合には、非晶質シリコン層120へ拡散する結晶化誘導金属の量が少なく、多結晶シリコン層へ結晶化するのが難しくなりうる。
続いて、キャッピング層130上に結晶化誘導金属を蒸着して結晶化誘導金属層140を形成する。このとき、結晶化誘導金属はNi、Pd、Ag、Au、Al、Sn、Sb、Cu、Tr、およびCdからなる群から選択されるいずれか一つを用いることができるが、望ましくはニッケル(Ni)を利用する。このとき、結晶化誘導金属層140はキャッピング層130上に1011〜1015atoms/cmの面密度で形成するが、結晶化誘導金属が1011atoms/cmの面密度より小さく形成された場合には結晶化の核であるシードの量が少なく形成されて非晶質シリコン層が多結晶シリコン層に結晶化しにくいことがある。結晶化誘導金属が1015atoms/cmの面密度より大きく形成された場合には非晶質シリコン層に拡散する結晶化誘導金属の量が多く、多結晶シリコン層の結晶粒が小さくなり、また、残留する結晶化誘導金属の量が多くなり、多結晶シリコン層をパターニングして形成される半導体層の特性が低下することがある。
本実施形態のようにキャッピング層を形成する場合には、結晶化誘導金属層の厚さまたは密度を精密に制御せず、厚く形成してもよい。これはキャッピング層130が拡散する結晶化誘導金属を制御して微量の結晶化誘導金属だけが非晶質シリコン層に拡散して結晶化に寄与するように制御することができるためである。
図1Cは、基板を熱処理して結晶化誘導金属をキャッピング層を介して拡散させ、非晶質シリコン層の界面に移動させる工程の断面図である。
図1Cを参照すると、バッファ層110、非晶質シリコン層120、キャッピング層130および結晶化誘導金属層140が形成された基板100を熱処理して結晶化誘導金属層140の結晶化誘導金属のうち一部を非晶質シリコン層120の表面に移動させる。すなわち、熱処理によりキャッピング層130を通過して拡散する結晶化誘導金属140a、140bのうち微量の結晶化誘導金属140bだけが非晶質シリコン層120の表面まで拡散し、大部分の結晶化誘導金属140aは非晶質シリコン層120に到達せず、キャッピング層130を通過しない。
したがって、キャッピング層130の拡散阻止能力により非晶質シリコン層120の表面に到達する結晶化誘導金属の量が決定できる。キャッピング層130の拡散阻止能力はキャッピング層130の厚さと密接な関係がある。すなわち、キャッピング層130の厚さが厚くなるほど拡散する量は少なくなり、結晶粒の大きさが大きくなる。厚さが薄くなるほど拡散する量は多くなり、結晶粒の大きさは小さくなる。
このとき、熱処理工程は200〜900℃の温度範囲で数秒〜数時間行って結晶化誘導金属を拡散させるが、上述した温度と時間で熱処理を行うと、過度な熱処理工程による基板の変形等を防止することができ、製造費用および収率の面でも望ましい。熱処理工程は炉(furnace)工程、RTA(Rapid Thermal Annealling)工程、UV工程またはレーザ(Laser)工程のうちいずれか一つの工程を利用することができる。
図1Dは拡散した結晶化誘導金属により非晶質シリコン層が多結晶シリコン層に結晶化する工程の断面図である。
図1Dを参照すると、キャッピング層130を通過して非晶質シリコン層120の表面に拡散した結晶化誘導金属140bにより非晶質シリコン層120が多結晶シリコン層150に結晶化される。すなわち、拡散した結晶化誘導金属140bが非晶質シリコン層のシリコンと結合して金属シリサイドを形成して金属シリサイドが結晶化の核であるシード(seed)を形成し、非晶質シリコン層が多結晶シリコン層に結晶化する。
したがって、結晶化の核である金属シリサイドの量、すなわち、結晶化に寄与する拡散した結晶化誘導金属140bの量を調節することによって、多結晶シリコン層150の結晶粒大きさを数μm〜数百μmに調節することができる。また、キャッピング層130により微量の結晶化誘導金属だけが多結晶シリコン層150に残留するようになるので、多結晶シリコン層150は他の結晶化法に比べて優秀な漏れ電流特性を有するようになる。
一方、図1Dにおいてはキャッピング層130と結晶化誘導金属層140を除去しないで熱処理工程を行ったが、結晶化誘導金属を非晶質シリコン層120上に拡散させて結晶化の核である金属シリサイドを形成させた後、キャッピング層130と結晶化誘導金属層140を除去して熱処理することによって多結晶シリコン層を形成してもよい。
図2A〜図2Fは本発明の第1実施形態に係るトップゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。
図2Aを参照すると、バッファ層110が形成された基板100上に図1に示すSGS結晶化法で結晶化した多結晶シリコン層(図1Dの150)をパターニングして半導体層160を形成する。多結晶シリコン層のパターニングは本実施形態と異なり、後続する工程で行ってもよい。
続いて、図2Bに示すように、半導体層160が形成された基板100上にゲート絶縁膜170を形成する。ゲート絶縁膜170はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの二重層でありうる。
次に、ゲート絶縁膜170上に半導体層160のチャネル領域に定義される領域に対応するようにフォトレジストパターン180を形成する。続いて、フォトレジストパターン180をマスクとして用いて導電性の不純物イオン190を一定量注入してソース領域161、ドレイン領域163およびチャネル領域162を形成する。このとき、不純物イオン190としてはp型不純物またはn型不純物を使用して薄膜トランジスタを形成することができるが、p型不純物はホウ素(B)、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)およびインジウム(In)からなる群から選択してもよく、n型不純物は燐(P)、砒素(As)およびアンチモン(Sb)からなる群から選択してもよい。
次に、図2Cに示すように、フォトレジストパターン180を除去して、ゲート絶縁膜170をエッチングして半導体層160のチャネル領域162以外の領域の一部を露出させる第1ホール200を形成する。
続いて、基板100全面にゲート電極物質を蒸着して、これをパターニングしてゲート電極210を形成すると同時に、第1ホール200を介して半導体層160の露出した領域と接し、ゲート電極210と離隔されて位置する金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211を形成する。このとき、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211は第1ホール200内に位置させるが、ゲート絶縁膜170の表面上に突出させる場合と突出させない場合がある。
ここで、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211は半導体層160内で拡散係数が結晶化誘導金属より小さい金属またはこれら金属の合金を含む金属層、またはこれら金属の金属シリサイド層を用いることが望ましい。金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211の金属または金属シリサイドはゲッタリング用金属または金属シリサイドであり、これら金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層が形成された領域に対応する半導体層160内の領域160aに結晶化誘導金属がゲッタリングされる。
半導体層160内で金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211の金属または金属シリサイドの拡散係数は結晶化誘導金属の拡散係数の1/100以下であることが望ましい。金属または金属シリサイドの拡散係数が結晶化誘導金属の1/100以下である場合、ゲッタリング用金属または金属シリサイドが半導体層160内で金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211が形成された領域に対応する領域160aから外れて、半導体層160内の他の領域に拡散されることを防止し、半導体層160内の他の領域に金属または金属シリサイドが位置することを防止することができる。
このとき、半導体層の結晶化に利用される結晶化誘導金属としてはニッケルが広く用いられるが、ニッケルの場合半導体層内での拡散係数は約10−5cm/s以下であるので、ニッケルを結晶化誘導金属に用いる場合には、ゲッタリング用で用いられる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211の金属または金属シリサイドの前記半導体層160内での拡散係数はニッケルの1/100倍以下の値、すなわち、10−7cm/s以下の値を有することが望ましい。さらに、半導体層内で拡散係数が500℃〜993℃で10−7cm/s以下であることがさらに望ましい。これは10−7cm/s以下である場合、金属または金属シリサイドが半導体層のチャネル領域162に移動することを防止することができる。
金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211およびゲート電極210はSc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、TiN、およびTaNからなる群から選択された一つ、これらの合金、またはこれらの金属のシリサイドを用いることが望ましい。
このとき、ゲート電極210および金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211は単一層または積層構造で形成できるが、単一層の場合にはSc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、TiN、およびTaNからなる群から選択された一つ、これらの合金、またはこれら金属のシリサイドを用いることが望ましく、積層構造である場合には下部層210a、211aとしては単一層物質を、上部層210b、211bとしてはAlまたはAl−Nd合金を用いることが望ましい。上部層210b、211bとしてAlまたはAl−Nd合金を用いた層をさらに形成する場合には、AlまたはAl−Nd合金は抵抗が低いので、ゲート電極210が低抵抗値を有するようにすることができる。
金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211は半導体層160でチャネル162が形成される領域から50μm以下離隔された位置に対応する半導体層160の上部領域に形成されることが望ましい。50μmを越えて離隔された位置に対応する領域に形成される場合、チャネル領域162に存在する結晶化誘導金属が領域160aにゲッタリングするためには移動しなければならない距離が長くなるが、この場合、距離を移動させるために加わえる熱処理時間が長くなって基板が変形することがあり、結晶化誘導金属が領域160aまで移動しにくいということがある。
また、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211は30Å〜10000Åの厚さに形成されることが望ましい。30Å未満の厚さに形成される場合には金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211が形成された領域に対応する半導体層160内の領域160aに結晶化誘導金属がゲッタリングする効率が低下する場合があり、10000Åを超えて形成される場合には金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211が厚くなり、ストレスによって層の剥離(peeling)が生じうる。
続いて、図2Dに示すように、基板100全面に下部構造を保護および絶縁させる層間絶縁膜220を形成する。層間絶縁膜220はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜またはこれらの二重層で形成することができる。
続いて、半導体層160に残留している、特に半導体層のチャネル領域162に残留している結晶化誘導金属(Ni等)を除去するために熱処理工程を行う。熱処理工程を行うと、金属層または金属シリサイド層211と接する半導体層160の表面から金属層の金属が半導体層160のシリコンと結合して金属シリサイドを形成し、金属シリサイド層の金属シリサイドが半導体層160内の領域に拡散する。これにより、半導体層160と金属層または金属シリサイド層211が接する領域では半導体層160の表面から一定深さまで結晶化誘導金属とは異なる金属の金属シリサイドが存在する領域160aが形成される。また、このとき半導体層160と接する金属層の一部が金属シリサイド層に変わることができる。
熱処理工程により半導体層160のチャネル領域162に残留する結晶化誘導金属(Ni等)が金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211が形成された領域に対応する半導体層160内の領域160aに拡散したとき、結晶化誘導金属は領域160aに沈殿してこれ以上拡散しない。これは、結晶化誘導金属(Ni等)はシリコン内部にある場合より他の金属シリサイドが存在する領域160aにある場合の方が熱力学的に安定するためである。したがって、このような原理で半導体層160のチャネル領域162に残留する結晶化誘導金属を除去できる。
このとき、熱処理は500〜993℃の温度範囲で、10秒以上10時間以下の間加熱することにより行う。熱処理温度を500℃未満とすると、半導体層160内で結晶化誘導金属(Ni等)の拡散が生じず、結晶化誘導金属が半導体層160内の領域160aまで移動しにくいということがある。熱処理温度が993℃を超えると、結晶化誘導金属に用いられるニッケルの共融点(eutectic point)が993℃であるので、ニッケルが固相となり、また、高温により基板の変形が生じうる。
また、熱処理時間を10秒未満とすると、半導体層160のチャネル領域162に残留する結晶化誘導金属(Ni等)が十分に除去されにくい場合があり、熱処理時間が10時間を超過する場合には長時間の熱処理により基板が変形する問題と薄膜トランジスタの生産費用および歩留で問題が生じることがある。一方、高温で実施する場合には短時間の加熱により結晶化誘導金属を除去しうる。
一方、熱処理工程は、本実施形態と異なり、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211が形成された後であれば、どの段階でも可能である。このとき、ゲート電極210上に絶縁膜が形成された後に熱処理が行なわれる場合にはゲート電極210が熱処理によって受けうる熱損傷を防止することができる。またゲート電極210を保護するために熱処理工程を不活性雰囲気で行なうことができる。
続いて、図2Eに示したように、ゲート絶縁膜170および層間絶縁膜220をエッチングして半導体層160のソース/ドレイン領域161、163を露出させるコンタクトホール230を形成する。
次に、基板100全面にソース/ドレイン電極物質を蒸着してこれをパターニングしてソース/ドレイン電極240a、240bを形成する。ソース/ドレイン電極240a、240bはコンタクトホール230を介して半導体層160のソース/ドレイン領域161、163に電気的に連結される。ここで、ソース/ドレイン電極240a、240bはモリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タングステン(W)、モリブデン−タングステン(MoW)、アルミニウム(Al)、アルミニウム−ネオジム(Al−Nd)、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)、銅(Cu)、モリブデン合金、アルミニウム合金、および銅合金からなる群から選択されたいずれか一つで形成することができる。
一方、図2Fに示したように、層間絶縁膜220をエッチングして金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211を露出させるようにコンタクトホール230aを形成することもできる。この場合、ソース/ドレイン電極240a、240bは第1ホール200を介して半導体層のソース/ドレイン領域161、163に電気的に連結されている金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層211とコンタクトホール230aを介して電気的に連結されることによって、半導体層のソース/ドレイン領域161、163と電気的に連結されうる。
以上より、本発明の第1実施形態に係るトップゲート薄膜トランジスタが完成する。
図3A〜図3Cは本発明の第2実施形態に係るボトムゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。特に言及する場合を除き、第1実施形態で言及した内容を参照する。
図3Aを参照すると、基板300上にバッファ層310を形成する。バッファ層310上にゲート電極物質を蒸着して、これをパターニングしてゲート電極320を形成すると同時に、ゲート電極320と互いに離隔されるように金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321を形成する。このとき、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321は後に形成される半導体層(図3Bの340)のチャネル領域以外の領域に対応する下部領域に位置するように形成する。
ここで、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321は、後に形成される半導体層(図3Bの340)内で拡散係数が結晶化誘導金属より小さい金属またはこれら金属の合金を含む金属層やまたはこれら金属の金属シリサイド層を用いることが望ましい。金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321の金属または金属シリサイドは、ゲッタリング用金属または金属シリサイドであり、これら金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321が形成された領域に対応する半導体層内の領域(図3Bの340a)に結晶化誘導金属がゲッタリングされる。
金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321およびゲート電極320はSc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、TiN、およびTaNからなる群から選択された一つ、これらの合金、またはこれら金属のシリサイドを用いることが望ましい。
このとき、ゲート電極320および金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321は単一層または積層構造で形成できるが、単一層の場合にはSc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、TiN、およびTaNからなる群から選択された一つ、これらの合金、またはこれら金属のシリサイドを用いることが望ましく、積層構造である場合には下部層320a、321aとしてはAlまたはAl−Nd合金を用い、上部層320b、321bとしては単一層物質を用いることが望ましい。上述したようにAlまたはAl−Nd合金を用いた層をさらに形成する場合には、AlまたはAl−Nd合金は抵抗が低いので、ゲート電極320が低抵抗値を有するようにすることができる。
金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321は後に形成される半導体層でチャネルが形成される領域から50μm以下に離隔された位置に対応する半導体層の下部領域に形成されることが望ましい。50μmを超えて離隔された位置に対応する領域に形成されると、チャネル領域に存在する結晶化誘導金属が金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321が形成された領域に対応する半導体層内の領域にゲッタリングするために移動しなければならない距離が長くなる。このとき、当該距離を移動させるための熱処理時間が長くなるため基板が変形する可能性があり、結晶化誘導金属が領域まで移動しにくいということがある。
また金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321は30Åないし10000Åの厚さに形成されることが望ましい。30Å未満の厚さに形成される場合は、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321が形成された領域に対応する半導体層内の領域に結晶化誘導金属がゲッタリングする効率が低下することがあり、10000Åを超えて形成される場合には金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321が厚くなりストレスによって当該層の剥離(peeling)が生じることがある。
続いて、図3Bを参照すると、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321およびゲート電極320が形成された基板300上にゲート絶縁膜330を形成する。金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321と、後に形成される多結晶シリコン層を直接接触させるために、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321上部に対応する位置に形成されたゲート絶縁膜物質は除去して、ゲート絶縁膜330を形成する。
続いて、ゲート絶縁膜330上に非晶質シリコン層を形成した後、図1に示す実施形態のようにSGS結晶化法で結晶化して多結晶シリコン層に形成する。多結晶シリコン層をパターニングして半導体層340を形成する。多結晶シリコン層をパターニングすることは本実施形態と異なり、後続する工程ですることもできる。一方、結晶化のための熱処理時においては、結晶化が起こると同時に金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321が形成された領域に対応する半導体層340内の領域340aに結晶化誘導金属が移動するゲッタリングが起こることもある。
次に、バッファ層310、ゲート電極320、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321、ゲート絶縁膜330、および半導体層340が形成された基板300を熱処理する。熱処理は、半導体層340内に存在する、特に半導体層340のチャネル領域341に残留する結晶化誘導金属を金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321が形成された領域に対応する半導体層340内の領域340aに移動させてゲッタリングするために行う。熱処理は本実施形態と異なり、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層321が形成された後であればどの段階でも可能である。
次に、図3Cを参照すると、半導体層340上にオーミックコンタクト物質膜およびソース/ドレイン導電膜を順に積層して、積層されたソース/ドレイン導電膜およびオーミックコンタクト物質膜を順にパターニングしてオーミックコンタクト層(ohmic contact layer:350)およびソース/ドレイン電極360a、360bを形成する。オーミックコンタクト層350は不純物がドーピングされた非晶質シリコン膜でありうる。
マスク数を減少させるためにソース/ドレイン導電膜およびオーミックコンタクト物質膜のパターニングを一つのマスクを用いて行うことができる。これによれば、オーミックコンタクト層350はソース/ドレイン電極360a、360bの下部全体に位置しうる。オーミックコンタクト層350は半導体層340とソース/ドレイン電極360a、360b間に介在されてソース/ドレイン電極360a、360bと半導体層340がオーミックコンタクトされるようにする。一方、オーミックコンタクト層350は省略することができる。この場合、ソース/ドレイン導電膜を積層する前に半導体層340に導電領域を形成してソース/ドレイン電極360a、360bとオーミックコンタクトを形成することができる。これにより、ゲート電極320、半導体層340、およびソース/ドレイン電極360a、360bを含むボトムゲート薄膜トランジスタが完成する。
図4は、従来の燐(P)ドーピングによるゲッタリング方法を利用して形成された薄膜トランジスタの半導体層の単位幅当たりのオフ電流値と本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの半導体層の単位幅当たりのオフ電流値を比較したグラフである。
ここで、横軸のA領域は従来の燐(P)ドーピングによるゲッタリング方法を利用した場合の薄膜トランジスタ、B及びC領域はそれぞれ本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの場合で、B領域はチタン(Ti)を利用した場合であって、C領域はモリブデン(Mo)を利用した場合である。縦軸は薄膜トランジスタの半導体層の単位幅当たりのオフ電流値(A/μm)を示す。
まず、燐(P)ドーピングによるゲッタリング方法は結晶化誘導金属としてNiを用いて結晶化した半導体層のチャネル領域以外の領域に2*e14/cmのドーズ量の燐(P)を半導体層のチャネル領域になる領域以外の領域にドーピングして、550℃で1時間熱処理をすることによって行った。本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタでは、半導体層のチャネル領域になる領域以外の領域の上部にゲート電極と離隔されて位置するようにTiとMoをそれぞれ別途に100Å厚に蒸着し、ゲッタリングのための熱処理条件は記燐(P)ドーピングによるゲッタリング方法と同じ条件で行った。熱処理後にそれぞれの薄膜トランジスタのオフ電流を測定した。
本発明のようにTiまたはMoを蒸着してゲッタリングのための熱処理をすれば、TiまたはMoが半導体層のSiと反応してTiシリサイドまたはMoシリサイドが形成される。半導体層でTiまたはMo層と接する半導体層の下部領域には半導体層の界面からTiシリサイドまたはMoシリサイドが形成された領域が存在するようになり、当該領域に結晶化誘導金属がゲッタリングされる。
図4のA領域を参照すると、従来の燐(P)ドーピングによるゲッタリング方法を利用した場合の薄膜トランジスタの半導体層の単位幅当たりのオフ電流値を測定した結果、約4.5E−12〜7.0E−12(A/μm)の値が測定された。しかし、図4のBおよびC領域を参照すると、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの半導体層の単位幅当たりのオフ電流値を測定した結果はTiを利用した場合5.0E−13(A/μm)以下の値が測定され、Moを利用した場合には6.0E−13(A/μm)以下の値が測定されており、従来より単位幅当たりのオフ電流値が減少されたことが顕著に分かる。
上述した結果から、本発明の実施形態に係る薄膜トランジスタの場合は、オフ電流値に反映される半導体層のチャネル領域に残留する結晶化誘導金属の量が大幅に減少されており、これにより漏れ電流が顕著に減少し、電気的特性が優秀な薄膜トランジスタを提供できる。
図5は本発明の一実施形態に係る薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置の断面図である。
図5を参照すると、本発明の実施形態に係る図2Fの薄膜トランジスタを含む基板100全面に絶縁膜250を形成する。絶縁膜250は無機膜であるシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコンオンガラス(silicon on glass)からなる群から選択されたいずれか一つ、または有機膜であるポリイミド(polyimide)、ベンゾシクロブテン系樹脂(benzocyclobuteneseriesresin)、アクリレート(acrylate)からなる群から選択されたいずれか一つで形成することができる。または、当該無機膜と当該有機膜の積層構造で形成されることもできる。
絶縁膜250をエッチングしてソースまたはドレイン電極240a、240bを露出させるビアホールを形成する。ビアホールを介してソースまたはドレイン電極240a、240bのうちいずれか一つと連結される第1電極260を形成する。第1電極260はアノードまたはカソードとして形成することができる。第1電極260がアノードである場合、アノードはITO、IZOまたはITZOのうちのいずれか一つで構成された透明導電膜で形成することができ、カソードである場合、カソードはMg、Ca、Al、Ag、Baまたはこれらの合金を用いて形成することができる。
続いて、第1電極260上に第1電極260の表面一部を露出させる開口部を有する画素定義膜270を形成して、露出した第1電極260上に発光層を含む有機膜層280を形成する。有機膜層280には正孔注入層、正孔輸送層、正孔抑制層、電子抑制層、電子注入層および電子輸送層からなる群から選択される一つまたは複数の層をさらに含むことができる。続いて、有機膜層280上に第2電極290を形成する。これにより、本発明の一実施形態に係る有機電界発光表示装置が完成する。
前述したように、結晶化誘導金属を利用して結晶化した多結晶シリコン層で形成された半導体層において、半導体層のチャネル領域以外の領域に対応する半導体層の上部または下部の一定領域に、半導体層内で結晶化誘導金属より拡散係数が小さな金属またはこれらの合金を含む金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層を形成して熱処理することによって、半導体層のチャネル領域に残っている結晶化誘導金属を除去することができ、薄膜トランジスタのオフ電流を顕著に減少することができる。
また、金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層をゲート電極物質と同じ物質で同時に形成することによって、工程を単純化させることができる。
以上、本発明について望ましい実施形態を示して説明したが、本発明は前述した実施形態に限られるものではない。すなわち、本発明は、本発明の思想および精神の範囲内で当該発明が属する技術分野における通常の知識を有する者により多様な変更と修正がされうる。
本発明の実施形態による結晶化工程の断面図である。 本発明の実施形態による結晶化工程の断面図である。 本発明の実施形態による結晶化工程の断面図である。 本発明の実施形態による結晶化工程の断面図である。 本発明の第1実施形態によるトップゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第1実施形態によるトップゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第1実施形態によるトップゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第1実施形態によるトップゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第1実施形態によるトップゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第1実施形態によるトップゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第2実施形態によるボトムゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第2実施形態によるボトムゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の第2実施形態によるボトムゲート薄膜トランジスタを製造する工程の断面図である。 本発明の一実施形態による薄膜トランジスタの半導体層の単位幅当たりのオフ電流値と従来燐(P)ドーピングによるゲッタリング方法を利用して形成された薄膜トランジスタの半導体層の単位幅当たりのオフ電流値を比較したグラフである。 本発明の第1実施形態による薄膜トランジスタを含む有機電界発光表示装置の断面図である。
符号の説明
100、300 基板、
110、310 バッファ層、
170、340 半導体層、
170、330 ゲート絶縁膜、
200 第1ホール、
210、320 ゲート電極、
211、321 金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層、
220 層間絶縁膜、
230、230a コンタクトホール、
240a、240b、360a、360b ソース/ドレイン電極、
250 絶縁膜、
260 第1電極、
270 画素定義膜、
280 有機膜層、
290 第2電極。

Claims (7)

  1. 基板と、
    前記基板上に位置し、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域を含み、結晶化誘導金属を有し前記結晶化誘導金属を利用することにより結晶化された半導体層と、
    前記半導体層の前記チャネル領域とゲート絶縁膜を介し対向して設けられたゲート電極と、
    前記半導体層の前記チャネル領域以外の領域の上部または下部に前記ゲート電極と離隔されて位置した、前記ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、
    前記半導体層の前記ソース領域および前記ドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されたソース電極およびドレイン電極と、を含み、
    前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、前記ゲート電極と、は前記半導体層内における拡散係数が結晶化誘導金属より小さい金属または前記金属の合金を含む金属層、または前記金属のシリサイドを含む金属シリサイド層を含み、
    前記金属層または前記金属シリサイド層の拡散係数は前記結晶化誘導金属の拡散係数の1/100以下であり、
    前記結晶化誘導金属はニッケルであり、前記金属層または前記金属シリサイド層の拡散係数は10 −7 cm /s以下であり、
    熱処理により、前記半導体層の前記チャネル領域に存在する前記結晶化誘導金属を前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層が上部または下部に形成された前記半導体層内の領域に金属シリサイドが形成されるとともに、その領域に前記半導体層の前記結晶化誘導金属がゲッタリングされていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
  2. 前記金属層または前記金属シリサイド層は、Sc、Zr、Hf、V、Nb、Ta、W、Mn、Re、Os、Ir、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、TiN、およびTaNからなる群から選択された一つの金属、前記金属の合金、前記金属のシリサイド、の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
  3. 前記金属層金属シリサイド層、またはこれらの二重層は前記半導体層のチャネル領域から50μm以下離隔されて位置することを特徴とする請求項1または2に記載の薄膜トランジスタ。
  4. 前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層の厚さは30Å〜10000Åであることを特徴とする請求項1〜のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
  5. 前記金属層金属シリサイド層、またはこれらの二重層、および前記ゲート電極はSc、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Pt、Y、La、Ce、Pr、Nd、Dy、Ho、TiN、およびTaNからなる群から選択された一つの金属、前記金属の合金、前記金属のシリサイド、の少なくともいずれかを含む層と、Al層またはAl−Nd合金層と、が積層されてなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
  6. 前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層は前記ソース電極および前記ドレイン電極とそれぞれ電気的に連結されることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の薄膜トランジスタ。
  7. 基板と、
    前記基板上に位置し、チャネル領域、ソース領域、およびドレイン領域を含み、結晶化誘導金属を有し前記結晶化誘導金属を利用することにより結晶化された半導体層と、
    前記半導体層の前記チャネル領域とゲート絶縁膜を介し対向して設けられたゲート電極と、
    前記半導体層のチャネル領域以外の領域の上部または下部に前記ゲート電極と離隔されて位置した、前記ゲート電極と同一物質からなる金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、
    前記半導体層のソース領域およびドレイン領域にそれぞれ電気的に連結されるソース電極およびドレイン電極と、
    前記ソース電極およびドレイン電極のいずれか一つと電気的に連結される第1電極と、
    前記第1電極上に位置する有機膜層と、
    前記有機膜層上に位置する第2電極と、を含み、
    前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層と、前記ゲート電極と、は前記半導体層内における拡散係数が結晶化誘導金属より小さい金属または前記金属の合金を含む金属層、または前記金属のシリサイドを含む金属シリサイド層を含み、
    前記金属層または前記金属シリサイド層の拡散係数は前記結晶化誘導金属の拡散係数の1/100以下であり、
    前記結晶化誘導金属はニッケルであり、前記金属層または前記金属シリサイド層の拡散係数は10 −7 cm /s以下であり、
    熱処理により、前記半導体層の前記チャネル領域に存在する前記結晶化誘導金属を前記金属層、金属シリサイド層、またはこれらの二重層が上部または下部に形成された前記半導体層内の領域に金属シリサイドが形成されるとともに、その領域に前記半導体層の前記結晶化誘導金属がゲッタリングされていることを特徴とする有機電界発光表示装置
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