JP4594444B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents
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Description
この点、上記の従来技術では、ポジゴーストの低減に関して、十分なレベルに達しているわけではなかった。
該感光層が、下記式(1)で示される繰り返し構造単位と下記式(2)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体、または、下記式(1)で示される繰り返し構造単位と下記式(3)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
E4は、−W3−B4−W3−で示される2価の基、または、下記式(E41)で示される2価の基を示す。
W1〜W3は、それぞれ独立に、単結合、ウレタン結合、尿素結合、または、イミド結合を示す。
R101〜R104は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。R105およびR106は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R101〜R106のうちの2つは結合部位である。
R201〜R208は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。R209およびR210は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R201〜R210のうちの2つは結合部位である。
R301〜R308は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R309は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。R310およびR311は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R304とR305は存在しない。ただし、R301〜R308のうちの2つは結合部位である。
R401〜R406は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R407は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。ただし、R401〜R406のうちの2つは結合部位である。
R501〜R508は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R509およびR510は、それぞれ独立に、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。R511およびR512は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R501とR505は存在しない。ただし、R501〜R508のうちの2つは結合部位である。
R601〜R608は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。R610およびR611は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R604とR605は存在しない。R609は、ジシアノメチレン基を示す。ただし、R601〜R608のうちの2つは結合部位である。
R701〜R713は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。R714およびR715は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R704とR705は存在しない。ただし、R701〜R713のうちの2つは結合部位である。
R801〜R808は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R801〜R808のうちの2つは結合部位である。)
支持体としては、導電性を有するもの(導電性支持体)であればよく、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属または合金製の支持体や、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成してなるものが挙げられる。
支持体の表面は、電気的特性の改善や、半導体レーザーなどコヒーレント光照射時に問題となる干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング、ブラスト、切削などの処理が施されていてもよい。
単層型の感光層は、電荷発生物質と電荷輸送物質とを同一の層に含有させた層である。
電荷発生層は、電荷発生物質を含有し、また、必要に応じて結着樹脂、その他の成分を含有する。
測定装置:(株)マック・サイエンス製全自動X線回折装置(商品名:MXP18)
X線管球:Cu、管電圧:50kV、管電流:300mA、
スキャン方法:2θ/θスキャン、スキャン速度:2°/min、サンプリング間隔:0.020°、
スタート角度(2θ):5°、ストップ角度(2θ):40°、
ダイバージェンススリット:0.5°、スキャッタリングスリット:0.5°、レシービングスリット:0.3°、
湾曲モノクロメーター使用
これらの中でも、特にポリカーボネートおよびポリアリレートが好ましく、また、これらの分子量としては、重量平均分子量(Mw)=10,000〜300,000の範囲が好ましい。
Z1〜Z6は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、アリーレン基、または、アルキル基で置換されたアリーレン基を示す。
E4は、−W3−B4−W3−で示される2価の基、または、下記式(E41)で示される2価の基を示す。
R101〜R104は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。R105およびR106は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R101〜R106のうちの2つは結合部位である。
R201〜R208は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。R209およびR210は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R201〜R210のうちの2つは結合部位である。
R301〜R308は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R309は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。R310およびR311は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R304とR305は存在しない。ただし、R301〜R308のうちの2つは結合部位である。
R401〜R406は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R407は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。ただし、R401〜R406のうちの2つは結合部位である。
R501〜R508は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R509およびR510は、それぞれ独立に、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。R511およびR512は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R501とR505は存在しない。ただし、R501〜R508のうちの2つは結合部位である。
R601〜R608は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。R610およびR611は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R604とR605は存在しない。R609は、ジシアノメチレン基を示す。ただし、R601〜R608のうちの2つは結合部位である。
R701〜R713は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。R714およびR715は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R704とR705は存在しない。ただし、R701〜R713のうちの2つは結合部位である。
B1およびB4は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基、アルカリーレン基(アリーレン部分とアルキレン部分の両方を含む二価の基)、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアリーレン基、ハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアルカリーレン基、エーテルもしくはスルホニルで中断されているアリーレン基、エーテルもしくはスルホニルで中断されているアルキレン基、を示す。
質量分析による確認を行った。質量分析計(MALDI−TOF MS:ブルカー・ダルトニクス(株)製 ultraflex)を用い、加速電圧:20kV、モード:Reflector、分子量標準品:フラーレンC60の条件で、分子量を測定した。得られたピークトップ値で確認した。
構造の確認はNMRによって行った。1,1,2,2−テトラクロロエタン(d2)もしくは、ジメチルスルホキシド(d6)中、120℃にて1H−NMR、13C−NMR分析(FT−NMR:日本電子(株)製JNM−EX400型)により構造を確認した。また、カルボキシル基の定量はFT−IRを用い、KBr−tab法を用いKBr紛に対して安息香酸添加量を変化させたサンプルでカルボキシル基の吸収に基づいた検量線を作成して共重合体中のカルボキシル基量を定量した。
なお、合成後の共重合体の分子量測定はGPCで行った(東ソー(株)製ゲルパーミエーションクロマトグラフィー「HLC−8120」で測定し、ポリスチレン換算で計算。)
ジメチルアセトアミド200質量部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.4質量部、1,4−フェニレンジアミン2.1質量部、3,5−ジアミノ安息香酸0.15質量部を加え、室温で1時間撹拌した。原料が溶解した後、8時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる共重合体(化合物例101)を6.2質量部得た。得られたものは粒子状であった。
ジメチルアセトアミド200質量部に、窒素雰囲気下で、Chemistry of materials, Vol.19, No.11, 2703-2705 (2007)に記載の合成方法によって合成したジブロモナフタレンテトラカルボン酸二無水物質量部8.2質量部、1,4−フェニレンジアミン2.1質量部および3,5−ジアミノ安息香酸0.15質量部を加え、室温で1時間撹拌した。原料が溶解した後、8時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる共重合体(化合物例102)を7.5質量部得た。得られたものは粒子状であった。
ジメチルアセトアミド200質量部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物5.4質量部および4ヒドロキシアニリン4.4質量部を加え、室温で1時間撹拌した。原料が溶解した後、8時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、下記構造式で示される化合物を5.0質量部得た。
有機合成化学協会誌,vol.15,29−32(1957)および有機合成化学協会誌,vol.15,32−34(1957)に記載の合成方法で合成したジアミノフェナントレンキノン20質量部に、ジシアノメチレンマロノニトリル8重量部を加え、テトラヒドロフラン中12時間還流を行った。放冷後析出した紫色の結晶を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、下記構造式で示される化合物を4.8質量部得た。
トルエン100質量部およびエタノール50質量部の混合溶媒へ、3−ヒドロキシフェニルボロン酸2.8質量部および窒素雰囲気下でChem. Educator No.6, 227-234 (2001)に記載の合成方法で合成した3,6−ジブロモ−9,10−フェナントレンジオン7.4質量部を加え、20%炭酸ナトリウム水溶液100質量部を滴下した後、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を0.55質量部添加した後、2時間還流させた。反応後有機相をクロロホルムで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥を行った。溶媒を減圧下で除去した後、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製を行い、下記構造式で示される化合物を5.2質量部得た。
長さ260.5mmおよび直径30mmのアルミニウムシリンダー(JIS−A3003、アルミニウム合金)を支持体(導電性支持体)とした。
次に、導電性粒子としての酸素欠損型SnO2を被覆したTiO2粒子(粉体抵抗率120Ω・cm、SnO2の被覆率(質量比率)は40%)50質量部、結着樹脂としてのフェノール樹脂(プライオーフェンJ−325、大日本インキ化学工業(株)製、樹脂固形分60%)40質量部、溶剤(分散媒)としてのメトキシプロパノール40質量部を、直径1mmのガラスビーズを用いたサンドミルで3時間分散処理して、導電層用塗布液(分散液)を調製した。
この導電層用塗布液における酸素欠損型SnO2を被覆したTiO2粒子の平均粒径は0.33μmであった((株)堀場製作所製の粒度分布計CAPA700(商品名)を用いてテトラヒドロフランを分散媒とし、回転数5000rpmにて遠心沈降法で測定)。
この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、これを30分間145℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が16μmの導電層を形成した。
また、この塗布液調製前後での共重合体の粒径測定は(株)堀場製作所製の粒度分布計CAPA700(商品名)を用いてメタノールを分散媒とし、回転数7000rpmにて遠心沈降法で行った。結果を表17に示す。
この電子輸送層用塗布液を上記導電層上に浸漬塗布し、これを10分間120℃で加熱し、分散媒を蒸発させると共に、共重合体の粒子を融解若しくは凝集させる(乾燥させる)ことによって、膜厚が1.0μmの電子輸送層を形成した。
この電荷発生層用塗布液を、上記電子輸送層上に浸漬塗布し、これを10分間95℃で乾燥させることによって、膜厚が0.18μmの電荷発生層を形成した。
このようにして、正孔輸送層が表面層である電子写真感光体を作製した。
上記レーザービームプリンターのLBP−2510のシアン色用のプロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ(model6000B−8:トレック・ジャパン(株)製)を装着し、電子写真感光体(感光ドラム)中央部の電位を表面電位計(model344:トレック・ジャパン(株)製)を使用して表面電位評価を行い、暗部電位が−500V、明部電位が−100Vになるよう、光量を設定した。なお、その他の実施例で明部電位を評価する際の光量は、この実施例1で明部電位が−100Vになる光量を用いている。
上記レーザービームプリンターのLBP−2510のシアン色用のプロセスカートリッジに、作製した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。その際には、暗部電位が−500V、明部電位が−100Vになるよう、光量を設定した。
まず、A4サイズの普通紙で、3000枚のフルカラー画像(各色印字率1%の文字画像)の出力を行った。
その後、ベタ白画像(1枚)、ゴースト画像(5枚)、ベタ黒画像(1枚)、ゴースト画像(5枚)の順に連続して画像出力を行った。
ゴースト画像は図2に示すように、画像の先頭部にベタで四角の画像を出した後、図3に示す1ドット桂馬パターンのハーフトーン画像を作成したものである。
ゴースト画像の評価は、1ドット桂馬パターンの画像濃度とゴースト部の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計(商品名:X−Rite504/508、X−Rite(株)製)で、1枚のゴースト画像中で濃度差を10点測定した。この操作をゴースト画像10枚すべてで行い、合計100点の平均を算出した。結果を表17に示す。ゴースト部の濃度の方が高い画像が、ポジゴースト画像である。この濃度差(マクベス濃度差)は、値が小さいほど、ポジゴースト画像が低減されたことを意味する。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更し、電子輸送層用塗布液の調製の際にポリアミド樹脂(トレジンEF30T:ナガセケムテックス(株)製)を10質量部追加した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更し、電子輸送層用塗布液の調製の際にポリアミド樹脂(トレジンEF30T:ナガセケムテックス(株)製)を10質量部追加した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更し、電子輸送層用塗布液の調製の際に、実施例28、29および30においてポリアミド樹脂(トレジンEF30T:ナガセケムテックス(株)製)をそれぞれ10質量部、13.3質量部および40質量部追加した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更し、電子輸送層用塗布液の調製の際にフェノール樹脂(プライオーフェンJ−325、大日本インキ化学工業(株)製)を10質量部追加した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更し、電子輸送層用塗布液の調製の際に、実施例52、53および54においてポリアミド樹脂(トレジンEF30T:ナガセケムテックス(株)製)をそれぞれ10質量部、13.3質量部および40質量部追加した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層に用いた共重合体を表17中に示す共重合体に変更した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表17に示す。
電子輸送層の替わりにポリアミド樹脂(トレジンEF30T:ナガセケムテックス(株)製)40質量部、n−ブタノール300質量部、メタノール500質量部からなる塗布液を調製し、これを塗布した後、これを10分間120℃で乾燥させ、厚さ0.8μmの中間層を形成した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表18に示す。
本発明に用いられる共重合体の替わりに、下記構造式(I−1)で示されるブロック共重合体(特開2001−83726号公報)を用いて電子輸送層を形成した以外は本発明の実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表18に示す。
本発明に用いられる共重合体の替わりに、下記構造式で示される化合物(特開2003−345044号公報)を用いて電子輸送層を形成した以外は実施例1と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表18に示す。
Claims (11)
- 支持体および該支持体上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該感光層が、下記式(1)で示される繰り返し構造単位と下記式(2)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体、または、下記式(1)で示される繰り返し構造単位と下記式(3)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有することを特徴とする電子写真感光体。
Z1〜Z6は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、アリーレン基、または、アルキル基で置換されたアリーレン基を示す。
E1は、−W1−B1−W1−で示される2価の基、または、下記式(E11)で示される2価の基を示す。
E4は、−W3−B4−W3−で示される2価の基、または、下記式(E41)で示される2価の基を示す。
W1〜W3は、それぞれ独立に、単結合、ウレタン結合、尿素結合、または、イミド結合を示す。
Aは、下記式(A−1)〜(A−8)のいずれかで示される2価の基である。
R101〜R104は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。R105およびR106は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R101〜R106のうちの2つは結合部位である。
R201〜R208は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。R209およびR210は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R201〜R210のうちの2つは結合部位である。
R301〜R308は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R309は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。R310およびR311は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R304とR305は存在しない。ただし、R301〜R308のうちの2つは結合部位である。
R401〜R406は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R407は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。ただし、R401〜R406のうちの2つは結合部位である。
R501〜R508は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。R509およびR510は、それぞれ独立に、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。R511およびR512は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R501とR505は存在しない。ただし、R501〜R508のうちの2つは結合部位である。
R601〜R608は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。R610およびR611は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R604とR605は存在しない。R609は、ジシアノメチレン基を示す。ただし、R601〜R608のうちの2つは結合部位である。
R701〜R713は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。R714およびR715は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、窒素原子の場合、R704とR705は存在しない。ただし、R701〜R713のうちの2つは結合部位である。
R801〜R808は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。ただし、R801〜R808のうちの2つは結合部位である。)
B1およびB4は、それぞれ独立に、アリーレン基、アルキレン基、アルカリーレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアリーレン基、ハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアルカリーレン基、エーテルもしくはスルホニルで中断されているアリーレン基、エーテルで中断されているアルキレン基、を示す。
B2およびB3は、それぞれ独立に、カルボキシル基のみで置換されたアリーレン基、カルボキシル基とアルキル基のみで置換されたアリーレン基、または、カルボキシル基のみで置換されたアルキレン基を示す。) - 前記感光層が、前記支持体側から電子輸送層、電荷発生層および正孔輸送層を積層してなる感光層であり、該電子輸送層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(2)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体、または、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(3)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有する請求項1に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が、前記支持体側から電子輸送層、電荷発生層および正孔輸送層を積層してなる感光層であり、該電子輸送層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(2)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体、または、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(3)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を、該電子輸送層の全質量に対して80〜100質量%含有する請求項1または2に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(2)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有し、該共重合体における前記式(1)で示される繰り返し構造単位の割合が、該共重合体中の全繰り返し構造単位に対して50〜99mol%である請求項1、2および3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(2)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有し、該共重合体における前記式(1)で示される繰り返し構造単位の割合が、該共重合体中の全繰り返し構造単位に対して70〜99mol%である請求項1、2および3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(2)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有し、該共重合体における前記式(2)で示される繰り返し構造単位の割合が、該共重合体中の全繰り返し構造単位に対して1〜30mol%である請求項1、2、3、4および5のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(3)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有し、該共重合体における前記式(1)で示される繰り返し構造単位の割合が、該共重合体中の全繰り返し構造単位に対して50〜99mol%である請求項1、2および3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(3)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有し、該共重合体における前記式(1)で示される繰り返し構造単位の割合が、該共重合体中の全繰り返し構造単位に対して70〜99mol%である請求項1、2および3のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 前記感光層が、前記式(1)で示される繰り返し構造単位と前記式(3)で示される繰り返し構造単位とを有する共重合体を含有し、該共重合体における前記式(3)で示される繰り返し構造単位の割合が、該共重合体中の全繰り返し構造単位に対して1〜30mol%である請求項1、2、3、7および8のいずれか1項に記載の電子写真感光体。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも1つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
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