JP6408887B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。

電子写真感光体の中でも、有機光導電性物質を用いた電子写真感光体は、成膜性が良く、塗工によって生産できるため、生産性が高いという利点を有している。

電子写真感光体は、一般的に、支持体および支持体上に形成された感光層を有し、感光層には、電荷発生物質および正孔輸送物質が用いられる。また、支持体から感光層側への電荷注入を抑制し、黒点などの画像欠陥の発生を抑えることを目的として、支持体と感光層との間に下引き層が設けられることが多い。

近年、電荷発生物質は、より高い感度を有するものが用いられている。しかしながら、電荷発生物質が高感度化するのに伴い、電荷の発生量が多くなることで電荷が感光層中に滞留しやすく、ポジゴーストが発生しやすい。ポジゴーストとは、１枚の画像を形成する中で、前回転時に光が照射された部分のみの濃度が濃くなる現象である。

このようなポジゴーストを抑制する技術として、特許文献１〜４には、下引き層に電子輸送物質を含有させる技術が記載されている。また、下引き層に電子輸送物質を含有させるときに、下引き層の上層である感光層形成時に電子輸送物質が感光層用塗布液中の溶剤に溶出しないように、下引き層を硬化させる技術が記載されている。

特開２００７−１４８２９４号公報 特開２００８−２５００８２号公報 特表２００９−５０５１５６号公報 特開２００８−６５１７３号公報

近年、電子写真画像の品質に対する要求は高まる一方であり、上述のポジゴーストに対する許容範囲が格段に厳しくなってきている。
本発明者らの検討の結果、特許文献１〜４に記載された技術では、ポジゴーストの抑制（低減）、特に連続画像出力前後でのポジゴーストレベルの変動分に関して、まだ改良の余地があるものであった。

本発明の目的は、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、ならびに、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。

本発明は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、および該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
該下引き層が、下記（ｉ）または（ｉｉ）を含有することを特徴とする電子写真感光体である：
（ｉ）下記式（１）で示される化合物、および下記式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物の重合物（硬化物）、
（ｉｉ）下記式（１）で示される化合物、および下記式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む組成物の重合物（硬化物）

（式（１）及び（２）中、
Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のＣＨ_２の１つを酸素原子に置き換えて導かれる主鎖の炭素数が１〜６の２価の基、または、置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のＣＨ_２の１つを硫黄原子に置き換えて導かれる主鎖の炭素数が１〜６の２価の基を示す。
該置換のアルキレン基の置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基を示す。
Ｒ_１とＲ_２は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_２を有さない。
Ｒ_８とＲ_９は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_１５を有さない。
Ｒ_１０とＲ_１１は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_１２を有さない。
Ｒ_４〜Ｒ_７、およびＲ_１２〜Ｒ_１５は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、または置換若しくは無置換のアリール基を示す。
Ｒ_１が水素原子の場合、Ｐ_１は有さない。Ｒ_２が水素原子の場合、Ｐ_２は有さない。Ｒ_３が水素原子の場合、Ｐ_３は有さない。Ｒ_８が水素原子の場合、Ｐ_１４は有さない。Ｒ_９が水素原子の場合、Ｐ_１５は有さない。Ｒ_１０が水素原子の場合、Ｐ_１１は有さない。Ｒ_１１が水素原子の場合、Ｐ_１２は有さない。
式（１）中、Ｐ_１〜Ｐ_３は、それぞれ独立に、水素原子または重合性官能基を示し、Ｐ_１乃至Ｐ_３の少なくとも一つは重合性官能基である。
式（２）中、Ｐ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１４、Ｐ_１５は、それぞれ独立に、水素原子または重合性官能基を示し、Ｐ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１４、Ｐ_１５の少なくとも一つは重合性官能基である。）である。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。

また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。

本発明によれば、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。

本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図である。 ゴースト評価用画像（ゴースト評価用印字）を説明する図である。 １ドット桂馬パターン画像を説明する図である。

本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、ならびに、該下引き層上に形成された電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層を有し、該下引き層が、下記（ｉ）または（ｉｉ）を含有する。
（ｉ）下記式（１）で示される化合物、および下記式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物の重合物（硬化物）。
（ｉｉ）下記式（１）で示される化合物、および下記式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む組成物の重合物（硬化物）。

式（１）及び（２）中、
Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のＣＨ_２の１つを酸素原子に置き換えて導かれる主鎖の炭素数が１〜６の２価の基、または、置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のＣＨ_２の１つを硫黄原子に置き換えて導かれる主鎖の炭素数が１〜６の２価の基を示す。
該置換のアルキレン基の置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基を示す。
Ｒ_１とＲ_２は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_２を有さない。
Ｒ_８とＲ_９は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_１５を有さない。
Ｒ_１０とＲ_１１は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_１２を有さない。
Ｒ_４〜Ｒ_７、およびＲ_１２〜Ｒ_１５は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、または置換若しくは無置換のアリール基を示す。
Ｒ_１が水素原子の場合、Ｐ_１は有さない。Ｒ_２が水素原子の場合、Ｐ_２は有さない。Ｒ_３が水素原子の場合、Ｐ_３は有さない。Ｒ_８が水素原子の場合、Ｐ_１４は有さない。Ｒ_９が水素原子の場合、Ｐ_１５は有さない。Ｒ_１０が水素原子の場合、Ｐ_１１は有さない。Ｒ_１１が水素原子の場合、Ｐ_１２は有さない。
式（１）中、Ｐ_１〜Ｐ_３は、それぞれ独立に、水素原子または重合性官能基を示し、Ｐ_１〜Ｐ_３の少なくとも一つは重合性官能基である。
式（２）中、Ｐ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１４、Ｐ_１５は、それぞれ独立に、水素原子または重合性官能基を示し、Ｐ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１４、Ｐ_１５の少なくとも一つは重合性官能基である。

本発明に係る重合物（硬化物）を含有する下引き層を有する電子写真感光体が高いポジゴーストの抑制効果に優れる理由について、本発明者らは、以下のように推測している。１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミドの隣接位に窒素原子が存在することにより、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド間で水素結合による相互作用が生じると考えられる。その結果、電子輸送部位である１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド同士が近接して、電子の受け渡しが向上し、電子の滞留が原因で起こるポジゴーストに対し高い抑制効果が生じると考えている。

〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）であることが好ましく、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属またはこれら金属の合金の支持体を用いることができる。また、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属の薄膜、または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成してなるものが挙げられる。
支持体の表面には、電気的特性の改善や、半導体レーザーなどコヒーレント光照射時に発生しやすい干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング、ブラスト、切削などの処理を施してもよい。

〔下引き層〕
電荷発生層と支持体との間に下引き層が設けられる。
本発明においては、支持体上に、重合性官能基を有する化合物の重合物を含有する下引き層が形成される。下引き層用塗布液の塗膜を成膜後、この化合物が硬化するが、その際に熱等のエネルギーを塗膜に印加することで硬化反応が促進される。

下引き層における本発明の重合物の含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましい。

下引き層は、上述した化合物以外にも、成膜性や電気的特性を高めるために、樹脂、架橋剤、有機粒子、無機粒子、レベリング剤などの添加剤を含有してもよい。ただし、下引き層におけるそれらの添加剤の含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％未満であることが好ましく、２０質量％未満であることがより好ましい。

下引き層が重合性官能基を有する化合物、さらに架橋剤および樹脂を含有する組成物の重合物を含有する場合、下引き層における上記式（１）で示される化合物及び／又は上記式（２）で示される化合物と架橋剤との質量比は、以下に示す範囲が好ましい。すなわち、１００：５０以上１００：２５０以下である。

〔架橋剤〕
下引き層に含有しても良い架橋剤としては、下引き層に含まれる物質の架橋に関与可能ならばどのような化合物でも良い。一般的に購入可能な架橋剤として、以下に示すイソシアネート化合物、アミン化合物が挙げられる。しかしながら、本発明はこれらに限定されるわけではない。また、架橋剤は複数組み合わせて使用してもよい。

イソシアネート化合物は、イソシアネート基またはブロックイソシアネート基を複数個（２個以上）有しているイソシアネート化合物が好ましい。例えば、トリイソシアネートベンゼン、トリイソシアネートメチルベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネートの他、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネート等のジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンやペンタエリスリトールとのアダクト変性体等が挙げられる。これらの中でもイソシアヌレート変性体とアダクト変性体がより好ましい。

購入可能なイソシアネート化合物（架橋剤）として、例えば、旭化成社製デュラネートＭＦＫ−６０Ｂ、ＳＢＡ−７０Ｂ、住化バイエルウレタン社製デスモジュールＢＬ３１７５、ＢＬ３４７５等のイソシアネート系架橋剤、三井化学社製ユーバン２０ＳＥ６０、２２０、ＤＩＣ社製スーパーベッカミンＬ−１２５−６０、Ｇ−８２１−６０等のアミノ系架橋剤、日立化成社製ファンクリルＦＡ−１２９ＡＳ、ＦＡ−７３１Ａ等のアクリル系架橋剤等が挙げられる。

アミン化合物は、例えば、Ｎメチロール基またはアルキルエーテル化されたＮメチロール基を複数個（２個以上）有しているアミン化合物が好ましい。例えば、メチロール化されたメラミン、メチロール化されたグアナミン、メチロール化された尿素誘導体、メチロール化されたエチレン尿素誘導体、メチロール化されたグリコールウリルおよび、メチロール部位がアルキルエーテル化されたこれら化合物、およびこれらの誘導体が挙げられる。

購入可能なアミン化合物（架橋剤）としては、例えば、スーパーメラミＮｏ．９０（日本油脂社製）、スーパーベッカミン（Ｒ）ＴＤ−１３９−６０、Ｌ−１０５−６０、Ｌ１２７−６０、Ｌ１１０−６０、Ｊ−８２０−６０、Ｇ−８２１−６０（ＤＩＣ社製）、ユーバン２０２０（三井化学）、スミテックスレジンＭ−３（住友化学工業）、ニカラックＭＷ−３０、ＭＷ−３９０、ＭＸ−７５０ＬＭ（日本カーバイド社製）、スーパーベッカミン（Ｒ）Ｌ−１４８−５５、１３−５３５、Ｌ−１４５−６０、ＴＤ−１２６（ＤＩＣ社製）、ニカラックＢＬ−６０、ＢＸ−４０００（日本カーバイド社製）、ニカラックＭＸ−２８０、ニカラックＭＸ−２７０、ニカラックＭＸ−２９０（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。

〔樹脂〕
下引き層に含有しても良い樹脂としては、どのような樹脂でも良い。一般的に購入可能な樹脂としては、例えば、ポリエーテルポリオール樹脂、ポリエステルポリオール樹脂、ポリアクリルポリオール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、カルボキシル基含有樹脂、ポリアミン樹脂、ポリチオール樹脂が挙げられる。しかしながら、本発明はこれらに限定されるわけではない。また、樹脂は複数組み合わせて使用してもよい。

購入可能な重合性官能基を有する樹脂としては、例えば、日本ポリウレタン工業株式会社製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業株式会社製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、日立化成工業株式会社製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ株式会社製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ハリマ化成株式会社製ハリディップＷＨ−１１８８などのポリエステルポリオール系樹脂、ＤＩＣ株式会社製バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、株式会社クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのようなポリビニルアルコール系樹脂、積水化学工業株式会社製エスレックＢＸ−１、ＢＭ−１、ＫＳ−１、ＫＳ−５などのポリビニルアセタール系樹脂、ナガセケムテックス株式会社製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド系樹脂、日本触媒株式会社製アクアリック、鉛市株式会社製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシル基含有樹脂、ＤＩＣ株式会社製ラッカマイドなどのポリアミン樹脂、東レ株式会社製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオール樹脂が挙げられる。

上記式（１）及び（２）において、アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基、フルオレニレン基、等が挙げられる。

上記一般式（１）及び（２）において、複素環基としては、例えば、チオフェン、ピロール、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、キノリン、イソキノリン、オキサゾール、オキサジアゾール、フェナントリジン、アクリジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、フタラジン、フェナントロリン、フェナジン、ジベンゾフラン、ジベンゾチオフェン、カルバゾール、ベンゾフラン、ベンゾチオフェン、インドール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾール、ベンゾチアジアゾールから水素原子を２つ除いて導かれる２価の基が挙げられる。

上記一般式（１）及び（２）において、上記置換基、即ちアリーレン基、複素環基が有する置換基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などのアルキル基、ベンジル基などのアラルキル基、フェニル基、ビフェニル基などのアリール基、ピリジル基、ピロリル基、ベンゾイミダゾリル基、ベンゾチアゾリル基などの複素環基、メトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基、フェノキシル基などのアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素などのハロゲン原子などが挙げられる。

重合性官能基としては、活性水素基や不飽和炭化水素基などが挙げられる。活性水素基としては、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、チオール基およびメトキシ基が好ましい。この中でもヒドロキシ基およびカルボキシル基がより好ましい。不飽和炭化水素基としては、アクリロイルオキシ基およびメタクリロイルオキシ基が好ましい。
上記式（１）及び（２）は、重合性官能基を少なくとも２つ有することが好ましい。

上記式（１）及び（２）において、Ｒ_１とＲ_２が結合した複素環基、Ｒ_８とＲ_９が結合した複素環基、および、Ｒ_１０とＲ_１１が結合した複素環基は下記の群であることが好ましい。なお、式中、Ｐ_６は、Ｐ_１、Ｐ_１１、またはＰ_１４を示す。

続いて、表１乃至５に、本発明におけるイミド化合物の具体例を示すが、本発明は、これらに限定されるわけではない。また、イミド化合物は複数組み合わせて使用してもよい。

表１中、例示化合物（Ｅ１）乃至（Ｅ２０）は、上記式（１）で示される、重合性官能基を２つ以上有する化合物例である。

表２中、例示化合物（Ｅ２１）乃至（Ｅ３０）は、式（２）で示される、重合性官能基を２つ以上有する化合物例である。

表３中、例示化合物（Ｅ３１）乃至（Ｅ４４）は、式（２）で示される、重合性官能基を２つ有し、かつＲ_１０とＲ_８、Ｒ_１１とＲ_９、Ｐ_１１とＰ_１４、Ｐ_１２とＰ_１５が同一である化合物例である。

表４中、例示化合物（Ｅ４５）乃至（Ｅ６８）は、式（１）で示される、重合性官能基を１つ有する化合物例である。

表５中、例示化合物（Ｅ６９）乃至（Ｅ７８）は、式（２）で示される、重合性官能基を１つ有する化合物例である。

本発明における式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体は、例えば特開２００７−１０８６７０号公報、日本画像学会誌４５（６）,５２１−５２５,（２００６）記載の公知の合成方法を用いて合成可能である。例えば、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体とヒドラジンとの反応で合成可能である。

また、式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体に重合性官能基を導入するためには、２つの方法がある。１つは、式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体に、直接重合性官能基を導入する方法である。２つは、式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体に、重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法である。２つ目の方法としては、例えばナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法がある。また、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法がある。また、ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。

また、式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体に不飽和炭化水素基（例えばアクリル、メタクリル、スチレン）を有するためには、以下の方法が挙げられる。すなわち、不飽和炭化水素基を有するモノアミンを式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体に作用させる方法がある。また、ヒドロキシ基を有する式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体を基に、アクリレートを作用させる方法がある。また、式（１）または式（２）で示される構造を有する誘導体に直接重合性官能基を導入する方法がある。

〔感光層〕
下引き層上には、電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層が設けられる。
感光層には、支持体側から電荷発生物質を含有する電荷発生層と正孔輸送物質を含有する正孔輸送層をこの順に積層した積層型感光層と、電荷発生物質と正孔輸送物質を同一の層に含有させた単層型感光層がある。電荷発生層や正孔輸送層は、それぞれ複数設けてもよい。

電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ビスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料や、ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリレン顔料や、アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体などのキノン顔料や、インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体などのインジゴイド顔料や、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、ビスベンズイミダゾール誘導体などのペリノン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。

感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体や、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールが好ましく、これらの中でも、ポリビニルアセタールがより好ましい。

電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との質量比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。

電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

正孔輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミンなどが挙げられる。また、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーも挙げられる。

感光層が積層型感光層である場合、正孔輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。また、これらの重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜３００，０００の範囲であることが好ましい。

正孔輸送層において、正孔輸送物質と結着樹脂との質量比率（正孔輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０の範囲であることが好ましく、１０／８〜６／１０の範囲であることがより好ましい。

なお、支持体と上記下引き層との間や上記下引き層と感光層との間には、金属酸化物やカーボンブラックなどの導電性粒子を樹脂中に分散してなる導電層や、本発明における重合物（硬化物）を含有しない第２の下引き層などの別の層を設けてもよい。

また、感光層（正孔輸送層）上には、導電性粒子または正孔輸送物質と結着樹脂とを含有する保護層（表面保護層）を設けてもよい。保護層には、潤滑剤などの添加剤をさらに含有させてもよい。また、保護層の樹脂（結着樹脂）自体に導電性や正孔輸送性を有させてもよく、その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や正孔輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は、熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光、放射線（電子線など）などにより硬化させてなる硬化性樹脂であってもよい。

下引き層、電荷発生層、正孔輸送層などの電子写真感光体を構成する各層を形成する方法としては、まず、各層を構成する材料を溶剤に溶解および／または分散させて得られた塗布液を塗布して塗膜を形成する。次に、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。

〔プロセスカートリッジおよび電子写真装置〕
図１に、本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。

図１に示す電子写真装置は、円筒状の電子写真感光体１は、回転軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面（周面）は、回転過程において、帯電手段３（例えば、接触系一次帯電器、非接触系一次帯電器など）により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、均一に帯電された電子写真感光体１の表面は、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（画像露光手段）（不図示）からの露光光（画像露光光）４（例えば、レーザー光）で露光される。こうして電子写真感光体１の表面に目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで現像手段５（例えば、接触型現像器、非接触型現像機など）のトナーにより現像されてトナー像となる。得られたトナー像は、転写材７（例えば、紙）に、転写手段６（例えば、転写帯電器）により順次転写されていく。転写材７は、不図示の転写材供給部から電子写真感光体１の回転と同期して取り出され、電子写真感光体１と転写手段６との間に給送される。

トナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として電子写真装置外へプリントアウトされる。

トナー転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄化される。次いで、清浄化された電子写真感光体１の表面は、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。

帯電手段３は、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器を用いてもよいし、ローラー形状、ブレード形状、ブラシ形状などの帯電部材を備える接触型帯電器を用いてもよい。

本発明においては、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、およびクリーニング手段９などの構成要素から選択される少なくとも１つの手段とをプロセスカートリッジとして一体に支持する。そして、このプロセスカートリッジを電子写真装置本体に対して着脱自在に構成することができる。例えば、帯電手段３、現像手段５、およびクリーニング手段９の少なくとも１つの手段を電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化する。これを、電子写真装置本体のレール１１および１２などの案内手段を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１０とすることができる。

以下、実施例および比較例により、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例および比較例中の「部」は「質量部」を意味する。

まず、本発明における電子輸送性化合物の合成例を示す。当該化合物は、主に特開２００７−１０８６７０号公報に記載の合成方法を用いて合成している。

（合成例）
室温下、窒素気流下で３００ｍｌの３つ口フラスコに、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物２６．８ｇ（１００ｍｍｏｌ）、ジメチルアセトアミド１５０ｍｌを入れた。これに、Ｌ−（＋）−ロイシノール１１．７ｇ（１００ｍｍｏｌ）とジメチルアセトアミド２５ｍｌの混合物を攪拌しながら滴下した。滴下終了後、１００℃まで加熱した後、その温度下で６時間撹拌させた。反応終了後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣に酢酸エチルを加え、シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に精製物を酢酸エチル／ヘキサンにより再結晶し、片側にのみブタノール構造が導入されたモノイミド体１５．１ｇを得た。３００ｍｌの３つ口フラスコに、このモノイミド体７．３ｇ（２０ｍｍｏｌ）と、２−ヒドラジノエタノール１．５ｇ（２０ｍｍｏｌ）、ジメチルアセトアミド５０ｍｌを入れ、５時間加熱還流させた。加熱還流後、容器を冷却し、減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製した。更に精製物をトルエン／酢酸エチルにより再結晶し、例示化合物（Ｅ１）を２．１１ｇ得た。

次に、電子写真感光体の作製および評価について示す。

（実施例１）
長さ２６０．５ｍｍおよび直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。

次に、酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子（粉体抵抗率：１２０Ω・ｃｍ、酸化スズの被覆率：４０％）５０部、フェノール樹脂（プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０％）４０部、メトキシプロパノール５５部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、３時間分散処理することによって、導電層用塗布液を調製した。
この導電層用塗布液における酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子の平均粒径を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、テトラヒドロフランを分散媒とし、回転数５０００ｒｐｍにて遠心沈降法で測定した。その結果、平均粒径は０．３０μｍであった。
この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が１８μｍの導電層を形成した。

次に、例示化合物（Ｅ１）４部、ポリビニルブチラール樹脂（ＢＸ−１：積水化学工業株式会社製）１．５部、触媒としてのジオクチルスズラウレート０．０００５部を、ジメチルアセトアミド１００部とテトラヒドロフラン１００部の混合溶媒に溶解した。この溶液に、固形分８部相当のブロックイソシアネート樹脂（ＢＬ３１７５：住化バイエル製）を加え、下引き層用塗布液を調製した。
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、溶媒を蒸発させるとともに、硬化させることによって、膜厚が１．５μｍの下引き層を形成した。

次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）を用意した。このヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、２時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
この電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間９５℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１５μｍの電荷発生層を形成した。

次に、下記式（３）で示されるアミン化合物（正孔輸送物質）８部、および、下記式（４）で示される構造単位を有し、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００００であるポリアリレート１０部を、ジメトキシメタン４０部およびクロロベンゼン６０部の混合溶剤に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。
この正孔輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を４０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの正孔輸送層を形成した。

このようにして、支持体上に導電層、下引き層、電荷発生層および正孔輸送層を有する電子写真感光体を作製した。

作製した電子写真感光体を、温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下にて、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）の改造機（一次帯電：ローラー接触ＤＣ帯電、プロセススピード１２０ｍｍ／秒、レーザー露光）に装着した。この作製した電子写真感光体を搭載したレーザービームプリンターを用いて、出力画像の評価を行った。詳しくは以下のとおりである。

（画像評価）
上記改造したレーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、作製した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。

まず、ベタ白画像（１枚）、ゴースト評価用画像（５枚）、ベタ黒画像（１枚）、ゴースト評価用画像（５枚）の順に連続して画像出力を行った。
ゴースト評価用画像は図２に示すように、画像の先頭部の白画像２１中に四角のベタ画像２２を出力した後、図３に示す１ドット桂馬パターン画像２３のハーフトーン画像を作成したものである。

ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像の画像濃度と、ゴースト部２４（ポジゴーストが生じうる部分）の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均を算出した。結果を表６に示す。ゴースト部の濃度が大きいほど、ポジゴーストが強く生じていることになる。上記濃度が小さいほど、ポジゴーストが抑制されたことを意味する。

（実施例２）
例示化合物（Ｅ１）２部と例示化合物（Ｅ２）２部を用いた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表６に示す。

（実施例３〜３６）
表６に示すように例示化合物、架橋剤、樹脂の種類及び質量部を変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表６に示す。

（実施例３７〜３９）
表６に示すように例示化合物の種類を変更し、樹脂を用いず、イソシアネート化合物を下記式（５）で示されるアクリル系架橋剤（Ａ−ＴＭＰＴ：新中村工業社製）を用い、触媒としてのジオクチルスズラウレートの代わりにＡＩＢＮを用いた以外は、実施例１と同様に下引き層用塗布液を調製した。さらに、下引き層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を窒素気流下で加熱した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表６に示す。

（実施例４０）
上記式（３）で示されるアミン化合物（正孔輸送物質）を、下記式（９）で示される化合物４部と下記式（１０）で示される化合物４部に変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表６に示す。

（比較例１）
下記式（６）で示される化合物４部とポリカーボネートＺ型樹脂（三菱瓦斯化学社製、ユーピロンＺ４００）４．８部とジメチルアセトアミド１００部とテトラヒドロフラン１００部を用いて下引き層用塗布液を調製した。それ以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表６に示す。

（比較例２）
下記式（７）で示される化合物を用い、表６に記載の樹脂を用い、架橋剤を用いなかった以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表６に示す。

（比較例３）
下記式（８）で示される化合物を用い、表６に記載の樹脂を用いた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、同様にゴーストの評価を行った。結果を表６に示す。

*１ ＢＬ３１７５：住化バイエルウレタン社製イソシアネート系架橋剤（固形分６０％）デスモジュール
*２ ＢＸ−１：積水化学工業社製ポリビニルアセタール樹脂 エスレック
*３ ＢＬ３５７５：住化バイエル社製イソシアネート系架橋剤（固形分６０％）デスモジュール
*４ ＢＭ−１：積水化学工業社製ポリビニルアセタール樹脂 エスレック
*５ ＢＬ−１：積水化学工業社製ポリビニルアセタール樹脂 エスレック
*６ Ｊ８２１−６０：ＤＩＣ社製ブチル化メラミン系架橋剤（固形分６０％）スーパーベッカミン
*７ Ａ−ＴＭＰＴ：新中村工業社製トリメチロールプロパントリアクリレート
*８ Ｚ４００：三菱瓦斯化学社製Ｚ型ポリカーボネート ユーピロン

Claims (15)

1. 支持体、該支持体上に形成された下引き層、および該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体であって、
   該下引き層が、下記（ｉ）または（ｉｉ）を含有することを特徴とする電子写真感光体：
   （ｉ）下記式（１）で示される化合物、および下記式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物の重合物、
   （ｉｉ）下記式（１）で示される化合物、および下記式（２）で示される化合物からなる群より選択される少なくとも１種の化合物を含む組成物の重合物
   

   

   

   （式（１）及び（２）中、
   Ｒ_１〜Ｒ_３、Ｒ_８〜Ｒ_１１は、それぞれ独立に、水素原子、置換若しくは無置換のアリーレン基、置換若しくは無置換の複素環基、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキレン基、置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のＣＨ_２の１つを酸素原子に置き換えて導かれる主鎖の炭素数が１〜６の２価の基、または、置換若しくは無置換のアルキレン基の主鎖中のＣＨ_２の１つを硫黄原子に置き換えて導かれる主鎖の炭素数が１〜６の２価の基を示す。
   該置換のアルキレン基の置換基は、炭素数１〜６のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基を示す。
   Ｒ_１とＲ_２は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_２を有さない。
   Ｒ_８とＲ_９は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_１５を有さない。
   Ｒ_１０とＲ_１１は、互いに結合して置換若しくは無置換の複素環を形成しても良く、該複素環を形成する場合は、Ｐ_１２を有さない。
   Ｒ_４〜Ｒ_７、およびＲ_１２〜Ｒ_１５は、それぞれ独立に、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、置換若しくは無置換のアルキル基、または置換若しくは無置換のアリール基を示す。
   Ｒ_１が水素原子の場合、Ｐ_１は有さない。Ｒ_２が水素原子の場合、Ｐ_２は有さない。Ｒ_３が水素原子の場合、Ｐ_３は有さない。Ｒ_８が水素原子の場合、Ｐ_１４は有さない。Ｒ_９が水素原子の場合、Ｐ_１５は有さない。Ｒ_１０が水素原子の場合、Ｐ_１１は有さない。Ｒ_１１が水素原子の場合、Ｐ_１２は有さない。
   式（１）中、Ｐ_１〜Ｐ_３は、それぞれ独立に、水素原子または重合性官能基を示し、Ｐ_１〜Ｐ_３の少なくとも一つは重合性官能基である。
   式（２）中、Ｐ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１４、Ｐ_１５は、それぞれ独立に、水素原子または重合性官能基を示し、Ｐ_１１、Ｐ_１２、Ｐ_１４、Ｐ_１５の少なくとも一つは重合性官能基である。）。
2. 前記重合性官能基が活性水素基である請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記活性水素基が、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、およびチオール基からなる群より選択される少なくとも１種である請求項２に記載の電子写真感光体。
4. 前記活性水素基が、ヒドロキシ基、およびカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種である請求項３に記載の電子写真感光体。
5. 前記（ｉｉ）の前記組成物が、さらに架橋剤を含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 前記架橋剤は、
   イソシアネート基もしくはブロックイソシアネート基を有するイソシアネート化合物、または、
   Ｎ−メチロール基もしくはアルキルエーテル化されたＮ−メチロール基を有するアミン化合物
   である請求項５に記載の電子写真感光体。
7. 前記式（１）で示される化合物及び／又は前記式（２）で示される化合物と前記架橋剤との質量比が１００：５０以上１００：２５０以下である請求項５または６に記載の電子写真感光体。
8. 前記（ｉｉ）の前記組成物が、さらに重合性官能基を有する樹脂を含有する請求項５から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
9. 前記重合性官能基を有する樹脂の重合性官能基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基またはメトキシ基である請求項８に記載の電子写真感光体。
10. 前記重合性官能基が不飽和炭化水素基である請求項１に記載の電子写真感光体。
11. 前記不飽和炭化水素基が、アクリロイルオキシ基、およびメタクリロイルオキシ基からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１０に記載の電子写真感光体。
12. 前記式（１）及び（２）中、Ｒ_１とＲ_２が結合した複素環基、Ｒ_８とＲ_９が結合した複素環基、および、Ｒ_１０とＲ_１１が結合した複素環基は下記群から選択される請求項１〜１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体：
    

    

    式中、Ｐ_６は、上記式（１）または（２）のＰ_１、Ｐ_１１、またはＰ_１４を示す。
13. 前記式（１）または（２）で示される化合物の重合性官能基の数が２つ以上である請求項１から１２のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
14. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
15. 請求項１から１３のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。

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