JP6732550B2 - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。

現在、プロセスカートリッジや電子写真装置に搭載される電子写真感光体としては、有機光導電性物質を含有する電子写真感光体（有機電写真感光体。以下「感光体」ともいう）が主流である。有機光導電性物質を用いた電子写真感光体は、無公害性、高生産性および材料設計の容易性などの利点を有する。

電子写真感光体は、一般的に、支持体および支持体上に形成された感光層を有する。また、感光層については、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層してなる積層型のものが一般である。さらに、支持体側から感光層側への電荷注入を抑制し、黒ポチなどの画像欠陥の発生を抑えることを目的として、支持体と感光層との間には中間層が設けられることが多い。また、支持体と中間層の間に、導電層のような下引き層を設ける場合もある。

近年、電荷発生物質は、より高い感度を有するものが用いられている。しかしながら、電荷発生物質が高感度化するのに伴い、電荷の発生量が多くなることにより電荷が電荷発生層中に残留しやすいという課題があった。

このような電荷発生層中の電荷の残留を抑制する技術として、中間層に電子輸送物質を含有させて、電荷発生層側から支持体側へ電子の移動をスムーズにする技術が知られている。また、中間層上に形成する電荷発生層の形成時に電子輸送物質が溶出してしまわないようにするため、中間層に電子輸送物質を含有させる場合は、中間層が電荷発生層用塗布液の溶剤に対して難溶である硬化性材料を用いる技術が知られている。特許文献１には、中間層に非加水分解性重合性官能基を有する電子輸送物質の硬化物を含有させることが開示されている。

特開２００３−３３０２０９号公報

しかしながら、中間層に硬化物を含有することで、中間層と電荷発生層との界面において密着性が低下して、ゴースト現象が生じやすくなる場合があり、密着性には改善の余地がある。ここでゴースト現象とは、具体的には、出力画像中、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、いわゆるポジゴーストという現象である。

本発明の目的は、中間層と電荷発生層との界面の密着性が向上し、ゴースト現象が低減された電子写真感光体、ならびに、前記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。

本発明は、支持体、該支持体上に形成された中間層、該中間層の直上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体において、
前記中間層が、式（１）で示される化合物を含む組成物の重合物と、個数平均粒径が０．２μｍ以下であるシリカ粒子と、を含有し、
該粒子の該中間層中の含有量は、中間層の全質量に対して２０質量％以下であり、
前記中間層の電荷発生層側の表面における、算出長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内における平均局所高低差を測定したとき、
前記平均局所高低差の最大値（Ｒｍｋ、ｍａｘ）の値が発現した算出長さの０．５倍以上１．５倍以下の算出長さ範囲において、平均局所高低差（Ｒｍｋ）の値が０．０５μｍ以上であり、
前記電荷発生層がフタロシアニン顔料と樹脂とを含有することを特徴とする電子写真感光体に関する。
式（１）中、Ｒ^１は、２つ以上の重合性官能基を有する、主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基または２つ以上の重合性官能基を有する主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１７に置き換えて導かれる基を示し、該重合性官能基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、またはカルボキシル基であり、Ｒ^１７は、水素原子または主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基を示す。

Ｒ^２は、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキル基または置換若しくは無置換のアリール基である。

該アルキル基の置換基は、炭素数１〜５のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基である。

該アリール基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基である。

Ｘは、式（Ｘ１）および（Ｘ２）から選択されるいずれか１つである。
（式（Ｘ１）および（Ｘ２）中、Ｒ^３〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、主鎖の炭素数が１〜６の置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を示す。）

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジに関する。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置に関する。

本発明によれば、中間層と電荷発生層との界面の密着性が向上し、ゴースト現象が低減された電子写真感光体、ならびに、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。

（ｉ）は、Ｒｍｋ（Ｌ）を計算する際、３次元表面形状データをメッシュ分割することを示す図であり、（ｉｉ）は、計算したＲｍｋ（Ｌ）データを、横軸をＬの対数にしてグラフ化した例である。 本発明のプロセスカートリッジを備えた電子写真装置の概略構成の一例を示す図である。 （Ａ）および（Ｅ）は、支持体の表面形状より計算したＲｍｋ（Ｌ）をＬの対数に対してグラフ化した図である。（Ｂ）および（Ｄ）は、中間層の表面形状より計算したＲｍｋ（Ｌ）をＬの対数に対してグラフ化した図である。また、（Ｃ）および（Ｆ）は、下引き層を形成した支持体の表面形状より計算したＲｍｋ（Ｌ）をＬの対数に対してグラフ化した図である。

本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に形成された中間層、該中間層の直上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体において、前記中間層が式（１）で示される化合物を含む組成物の重合物を含有し、前記中間層の電荷発生層側の表面形状が、算出長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内における平均局所高低差の最大値（Ｒｍｋ、ｍａｘ）が発現した算出長さに対して０．５倍以上１．５倍以下の算出長さ範囲における平均局所高低差（Ｒｍｋ）の値が０．０５μｍ以上であり、前記電荷発生層がフタロシアニン顔料と樹脂とを含有することを特徴とする電子写真感光体である。

式（１）中、Ｒ^１は、２つ以上の重合性官能基を有する主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基、２つ以上の重合性官能基を有する主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、または２つ以上の重合性官能基を有する主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１７に置き換えて導かれる基を示し、該重合性官能基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、またはカルボキシル基である。Ｒ^１７は、水素原子または主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基を示す。但し、アルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子またはＮＲ^１７に置き換えて導かれる基において、前記酸素原子、及びＮＲ^１７には、Ｒ^１が結合する窒素原子に直接結合しない。

式（１）中、Ｒ^２は、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキル基、主鎖の炭素数が３〜６の置換若しくは無置換のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、主鎖の炭素数が３〜６の置換若しくは無置換のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１８に置き換えて導かれる基、または置換若しくは無置換のアリール基である。Ｒ^１８は、水素原子または主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基を示す。但し、アルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子またはＮＲ^１８に置き換えて導かれる基において、前記酸素原子、及びＮＲ^１８には、Ｒ^２が結合する窒素原子に直接結合しない。

式（１）中、アルキル基、アルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、アルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１７に置き換えて導かれる基、およびアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１８に置き換えて導かれる基の置換基は、炭素数１〜５のアルキル基、アルコシキカルボニル基、ベンジル基、フェニル基を示す。

式（１）中、アリール基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基を示す。

式（１）中、Ｘは、式（Ｘ１）、（Ｘ２）および（Ｘ３）から選択されるいずれか１つである。
式（Ｘ１）、（Ｘ２）および（Ｘ３）において、Ｒ^３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、主鎖の炭素数が１〜６の置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を示す。

前記式（１）で示される化合物において、Ｒ^１、Ｒ^２、およびＲ^３〜Ｒ^１６としての主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基は、直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ペンタン−２−イル基、ペンタン−３−イル基、２−メチルブチル基、２−メチルブタン−２−イル基、３−メチルブタン−２−イル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、ヘキサン−２−イル基、ヘキサン−３−イル基、２−メチルペンチル基、２−メチルペンタン−２−イル基、２−メチルペンタン−３−イル基、４−メチルペンタン−２−イル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、３−メチルペンタン−２−イル基、３−メチルペンタン−３−イル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブタン−２−イル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブタン−２−イル基、３，３−ジメチルブタン−２−イル基等が挙げられるが、これらに限られない。

また、前記式（１）で示される化合物において、Ｒ^１７およびＲ^１８としての主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基は、直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基等が挙げられる。

前記式（１）で示される化合物において、Ｒ^１およびＲ^２としての主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基としては、メトキシメチル基、エトキシメチル基、１−メトキシエチル基、２−メトキシエチル基、３−メトキシプロピル基、２−エトキシエチル基、ｎ−プロポキシメチル基、イソプロポキシメチル基、１−メチル−２−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、２−メトキシプロピル基、１−メチル−１−メトキシエチル基、１−メトキシプロピル基、４−メトキシブチル基、３−エトキシプロピル基、２−ｎ−プロポキシエチル基、ｎ−ブトキシメチル基、１−メチル−３−メトキシプロピル基、１−メチル−２−エトキシエチル基、１−ｎ−プロポキシエチル基、２−メチル−３−メトキシプロピル基、２−エトキシプロピル基、３−メトキシブチル基、ｓ−ブトキシメチル基、１−イソプロポキシエチル基、２−イソプロポキシエチル基、イソブトキシメチル基、１，１−ジメチル−１−エトキシメチル基、１，１−ジメチル−１−メトキシエチル基、１，２−ジメチル−２−メトキシエチル基、２，２−ジメチル−２−メトキシエチル基、ｔ−ブトキシメチル基、１−メトキシブチル基、２−エトキシプロピル基、１−メトキシメチルプロピル基、１−メチル−１−メトキシプロピル基、２−メチル−１−メトキシプロピル基、メトキシメトキシメチル基、２−（メトキシメトキシ）エチル基、（１−メトキシエトキシ）メチル基、（２−メトキシエトキシ）メチル基、エトキシメトキシメチル基、１−（メトキシメトキシ）エチル基、ジメトキシメチル基、エトキシメトキシメチル基、１，１−ジメトキシエチル基、１，２−ジメトキシエチル基等が挙げられる。

前記式（１）で示される化合物において、Ｒ^１およびＲ^２としての主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１７またはＮＲ^１８（以下、ＮＲ^{１７／１８}とも記す）に置き換えて導かれる基としては、（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、２−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、３−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、２−（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、（ｎ−プロピルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、（イソプロピルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、１−メチル−２−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、１−（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、２−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、１−メチル−１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、４−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）ブチル基、３−（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、２−（ｎ−プロピルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、（ｎ−ブチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、１−メチル−３−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、１−メチル−２−（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、１−（ｎ−プロピルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、２−メチル−３−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、２−（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、３−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）ブチル基、（ｓ−ブチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、１−（イソプロピルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、２−（イソプロピルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、（イソブチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、１，１−ジメチル−１−（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、１，１−ジメチル−１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、１，２−ジメチル−２−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、２，２−ジメチル−２−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、（ｔ−ブチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）ブチル基、２−（エチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチルプロピル基、１−メチル−１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、２−メチル−１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）プロピル基、［（メチルＲ^{１７／１８}アミノメチル）Ｒ^{１７／１８}アミノ］メチル基、２−［（メチルＲ^{１７／１８}アミノメチル）Ｒ^{１７／１８}アミノ）］エチル基、［１−（メチルＲ^{１７／１８}アミノエチル）Ｒ^{１７／１８}アミノ］メチル基、［２−（メチルＲ^{１７／１８}アミノエチル）Ｒ^{１７／１８}アミノ］メチル基、［（エチルＲ^{１７／１８}アミノメチル）Ｒ^{１７／１８}アミノ］メチル基、１−［（メチルＲ^{１７／１８}アミノメチル）Ｒ^{１７／１８}アミノ］エチル基、ジ（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）メチル基、［エチルＲ^{１７／１８}アミノメチル）Ｒ^{１７／１８}アミノ］メチル基、１，１−ジ（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基、１，２−ジ（メチルＲ^{１７／１８}アミノ）エチル基等が挙げられる。

前記主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基、主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基、主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、および主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１７またはＮＲ^１８に置き換えて導かれる基の置換基としては、アルキル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェニル基等が挙げられるが、これらに限られない。前記置換基としてのアルキル基としては、前記主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基または主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基と同じ基が挙げられる。また、置換基としてのアルコキシカルボニル基は、前記置換基としてのアルキル基がオキシカルボニル（ＯＣＯ）を介して結合する基である。さらに、これら置換基は、それぞれ単独で若しくは複数が同時に、前記主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基、主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基、主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、または主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１７若しくはＮＲ^１８に置き換えて導かれる基の置換基に置換していても良く、または前記置換基がさらに他の前記置換基に置換されていても良い。

前記式（１）で示される化合物において、Ｒ^２およびＲ^３〜Ｒ^１６としてのアリール基は、例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基、フェナンスレニル基等が挙げられるが、これらに限られない。

前記式（１）で示される化合物において、アリール基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基が挙げられるが、これらに限られない。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を挙げることができる。また、前記置換基としてのアシル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、およびｎ−ブチル基がカルボニル基を介して結合する基である。さらに、置換基としてのアルコキシ基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、およびｎ−ブチル基が酸素原子を介して結合する基である。さらにまた、置換基としてのアルコキシカルボニル基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、およびｎ−ブチル基がオキシカルボニル（ＯＣＯ）基を介して結合する基である。そしてさらに、置換基としてのアミノアルコキシ基は、前記アルコキシ基に１又は２以上のアミノ基が置換したものである。これら置換基は、それぞれ単独で若しくは複数が同時に、アリール基に置換していても良く、前記メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基は、さらに他のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基で置換されていても良い。

ここで、平均局所高低差：Ｒｍｋの算出長さ：Ｌ依存性について説明する。このパラメータは、以下の（１）〜（５）の手順により計算される。対象となる支持体や層の３次元表面形状データ：ｚ（ｘ、ｙ）を測定した後、
（１）得られた表面形状データを、一辺の長さがＬのメッシュに分割する（図１（ｉ）左図参照）。
（２）一辺の長さ：Ｌの各メッシュ内で、高さ：ｚ（ｘ、ｙ）を平均化する（図１（ｉ）右図参照）。
（３）各メッシュにおいて、周りのメッシュとの高さの差から局所高低差を計算する。
（４）得られた局所高低差を、全てのメッシュに渡って平均化する。これを、平均局所高低差：Ｒｍｋと呼ぶ。
（５）（１）〜（４）の手順を、Ｌを変化させて繰り返し、平均局所高低差：Ｒｍｋの算出長さ：Ｌ依存性、すなわち関数：Ｒｍｋ（Ｌ）を得る。

こうして得られたＲｍｋ（Ｌ）を、横軸を算出長さ：Ｌ（μｍ）の対数、縦軸を平均局所高低差：Ｒｍｋ（μｍ）としてグラフ化すると、例えば図１（ｉｉ）のようになる。

図１（ｉｉ）において、Ｒｍｋの最大値とは、Ｌ＝Ｌｍ＝１８．３［μｍ］におけるＲｍｋ＝０．２０６［μｍ］の値を指す。これを、Ｒｍｋ，ｍａｘ＝０．２０６［μｍ］と書く。

また、図１（ｉｉ）において、平均局所高低差の最大値（Ｒｍｋ、ｍａｘ）が発現した算出長さ（Ｌｍ）に対して０．５倍以上１．５倍以下の算出長さ（Ｌ）範囲とは、Ｌ＝Ｌｍ・０．５＝９．１５［μｍ］からＬ＝Ｌｍ・１．５＝２７．４５［μｍ］の範囲を指す。

上述の手順によって算出されるＲｍｋのグラフは、一言でいえば、異なるスケールの表面粗さを分割し、それらの量を各粗さのスケールに対してプロットしたものである。Ｒｍｋ（Ｌ）の曲線がとる値が、より大きく、かつ、ブロードであるほど、異なるスケールの粗さが多く混在した、いわゆる「ランダムな粗さを有する」表面であると言える。

本発明における、３次元表面形状データの測定方法について述べる。３次元表面形状データの測定には特に制約はない。例えば、市販の原子間力顕微鏡、電子顕微鏡、レーザ顕微鏡、光学顕微鏡、光干渉方式の３次元表面形状測定機が利用できる。

上記の測定機を用いて、水平方向座標：（ｘ、ｙ）に対応する垂直方向高さデータ：ｚ（ｘ、ｙ）を計測し、３次元表面形状データを得ることができる。また、得られた３次元表面形状データからＲｍｋ（Ｌ）を導出する手順は、前述したとおりである。

本発明者らは、中間層と電荷発生層との密着性が向上する理由を以下のように推測している。
上記式（１）で示される化合物（電子輸送物質）は、Ｒ^１に重合性官能基としてヒドロキシ基やカルボキシル基などの親水性の置換基が２つ以上存在しており、Ｒ^２にはこれらの親水性の置換基がなく、疎水性の高い構造になっている。電子輸送物質は中間層内に分散しているが、前記構造のため中間層形成過程において電荷発生層側の表面付近に多く配向している。このため、高い平面性と、π電子相互作用を有するフタロシアニン顔料と中間層／電荷発生層の接触界面で、相互作用すると考えられる。

硬化膜はその硬化反応過程において質量および体積の減少を伴う。上記式（１）で示される化合物は上記のように表面付近に配向しているため、硬化反応後は平坦な表面となり易く密着性に対して不利である。しかし、上記式（１）で示される化合物は中間層／電荷発生層の接触界面相互作用が働くため、中間層の電荷発生層側の表面形状が、算出長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内における平均局所高低差の最大値（Ｒｍｋ、ｍａｘ）の値が発現した算出長さに対して０．５倍以上１．５倍以下の算出長さ範囲における平均局所高低差（Ｒｍｋ）の値が０．０５μｍ以上の場合は、その相互作用が強く働き、さらに、外部からの衝撃をランダムに分散できるため、相乗効果によって層同士の密着性が格段に向上していると考えている。

次に、本発明に係る電子写真感光体の構成について説明する。
本発明の電子写真感光体は、以下２種類の構成をとりうる。
１：支持体、該支持体の直上に形成された中間層、該中間層の直上に形成された電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有する。
２：支持体、該支持体の直上に形成された下引き層、該下引き層の直上に形成された中間層、該中間層の直上に形成された電荷発生層と電荷輸送層とをこの順で有する。
一般的な電子写真感光体として、円筒状の電子写真感光体が広く用いられるが、ベルト状、シート状などの形態とすることも可能である。

以下、各項目について説明する。

〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属または合金製の支持体を用いることができる。ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属の薄膜を形成した支持体、または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成した支持体が挙げられる。
支持体の表面形状に制限はなく、支持体に表面形状を付与する手法として、例えば、ホーニング処理や陽極酸化などの電気化学的な処理、ブラスト処理、切削処理などが挙げられる。ただし、支持体に上記の表面形状を付与する手法は、これに制限されるものではない。

〔下引き層〕
支持体と、後述の中間層との間には、導電層のような下引き層を１層あるいは複数層設けてもよい。下引き層は、例えば、導電性粒子を樹脂に分散させた導電層用塗布液の塗膜を支持体上に形成し、乾燥させることで得られる。導電性粒子としては、たとえば、カーボンブラック、アセチレンブラックや、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀のような金属粉や、導電性酸化スズ、ＩＴＯのような金属酸化物粉体が挙げられる。

また、樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂およびアルキッド樹脂が挙げられる。導電性粒子と樹脂の比率は１：１〜３：１であることが好ましい。

下引き層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤および芳香族炭化水素溶剤が挙げられる。下引き層の膜厚は、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、さらには５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。

〔中間層〕
本発明の電子写真感光体には、中間層が設けられる。
中間層の電荷発生層側の表面は、次のような表面形状を有する。すなわち、中間層の表面形状は、算出長さ（Ｌ）が０．１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内における平均局所高低差の最大値（Ｒｍｋ、ｍａｘ）が発現した算出長さ（Ｌｍ）に対して０．５倍以上１．５倍以下の算出長さ（Ｌ）範囲における平均局所高低差（Ｒｍｋ）の値が０．０５μｍ以上である。これにより、後述する直上に設けられた電荷発生層との密着性に効果がある。さらに、Ｒｍｋの値が０．０７μｍ以上であると直上に設けられた電荷発生層との密着性により効果がある。中間層の膜厚は、０．２μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましく、０．４μｍ以上１．５μｍ以下であることがより好ましい。

〔電子輸送物質〕
本発明における中間層は、式（１）で示される化合物（電子輸送物質）を含む組成物の重合物を含有した有機硬化膜からなる。中間層は、中間層用塗布液を支持体あるいは下引き層上に塗布し、これを乾燥・硬化させることによって形成することができる。中間層は、例えば、熱、光、放射線（電子線など）などにより硬化させることができる。組成物には、さらに、架橋剤もしくは、架橋剤と樹脂を含有することが好ましい。

式（１）で示される化合物は、ナフチルイミド化合物、ペリレンイミド化合物、ピロメリット酸イミド化合物であり、Ｘの構造の具体的を表１に示すが、本発明はこれらに限定されない。

さらに、式（１）で示される化合物は、Ｒ^２が、式（２）で示される基であることがより好ましい。この基を有すると、電子輸送物質の中間層表面への配向と中間層内部の分散とのバランスが良くポジゴーストがより優れると考えられる。

式（２）中、Ｌ^１は、水素原子を示し、Ｌ^２およびＬ^３は、それぞれ独立に、主鎖の炭素数が１〜５の置換若しくは無置換のアルキル基、主鎖の炭素数が２〜５の置換若しくは無置換のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、主鎖の炭素数が２〜５の置換若しくは無置換のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１９に置き換えて導かれる基、主鎖の炭素数が３〜５の置換若しくは無置換のアルキル基の主鎖中のＣ_２Ｈ_４の少なくとも１つをＣＯＯに置き換えて導かれる基、または置換若しくは無置換のアリール基を示す。前記アルキル基の置換基は、炭素数１〜４のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基であり、前記アリール基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基である。Ｒ^１９は、水素原子または主鎖の炭素数が１〜３のアルキル基を示す。

前記式（２）で示される基において、Ｌ^２およびＬ^３としての主鎖の炭素数が１〜５のアルキル基は、直鎖アルキル基又は分岐鎖アルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ペンタン−２−イル基、ペンタン−３−イル基、２−メチルブチル基、２−メチルブタン−２−イル基、３−メチルブタン−２−イル基、３−メチルブチル基、２，２−ジメチルプロピル基等が挙げられるが、これらに限られない。

また、前記式（２）で示される化合物において、Ｒ^１９としての主鎖の炭素数が１〜３のアルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。

前記式（２）で示される基において、Ｌ^２およびＬ^３としての主鎖の炭素数が２〜５のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基としては、メトキシ基、エトキシ基、メトキシメチル基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、エトキシメチル基、２−メトキシエチル基、メトキシメトキシ基、１−メトキシエチル基、ｎ−ブトキシ基、ｎ−プロポキシメチル基、２−エトキシエチル基、３−メトキシプロピル基、エトキシメトキシ基、メトキシメトキシメチル基、メトキシエトキシ基、１−エトキシエチル基、１−メトキシプロパン−２−イル基、１−メトキシプロピル基、１，１−ジメトキシメチル基、ｓｅｃ−ブトキシ基、２−メトキシプロピル基、１−メトキシ−エトキシ基、２−メトキシプロパン−２−イル基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、１−イソプロポキシエチル基等が挙げられる。

前記式（２）で示される基において、Ｌ^２およびＬ^３としての主鎖の炭素数が２〜５のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１９に置き換えて導かれる基としては、メチルＲ^１９アミノ基、エチルＲ^１９アミノ基、（メチルＲ^１９アミノ）メチル基、ｎ−プロピルＲ^１９アミノ基、イソプロピルＲ^１９アミノ基、（エチルＲ^１９アミノ）メチル基、２−（メチルＲ^１９アミノ）エチル基、（メチルＲ^１９アミノ）メチルＲ^１９アミノ基、１−（メチルＲ^１９アミノ）エチル基、ｎ−ブチルＲ^１９アミノ基、（ｎ−プロピルＲ^１９アミノ）メチル基、２−（エチルＲ^１９アミノ）エチル基、３−（メチルＲ^１９アミノ）プロピル基、（エチルＲ^１９アミノ）メチルＲ^１９アミノ基、（メチルＲ^１９アミノ）メチルＲ^１９アミノメチル基、（メチルＲ^１９アミノ）エチルＲ^１９アミノ基、１−（エチルＲ^１９アミノ）エチル基、１−（メチルＲ^１９アミノ）プロパン−２−イル基、１−（メチルＲ^１９アミノ）プロピル基、１，１−（メチルＲ^１９アミノ）メチル基、ｓｅｃ−ブチルＲ^１９アミノ基、２−（メチルＲ^１９アミノ）プロピル基、１−（メチルＲ^１９アミノ）エチルＲ^１９アミノ基、２−（メチルＲ^１９アミノ）プロパン−２−イル基、イソブチルＲ^１９アミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルＲ^１９アミノ基、（１−イソプロピルＲ^１９アミノ）エチル基等が挙げられる。

前記式（２）で示される基において、Ｌ^２およびＬ^３としての主鎖の炭素数が３〜５の置換若しくは無置換のアルキル基の主鎖中のＣ_２Ｈ_４の少なくとも１つをＣＯＯに置き換えて導かれる基としては、アセチルオキシメチル基、エチルカルボニルオキシメチル基、２−アセチルオキシエチル基、１−アセチルオキシエチル基等のアルキルカルボニルオキシ基、およびメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、メトキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、エトキシカルボニルメチル基、２−メトキシカルボニルエチル基、１−メトキシカルボニルエチル基等のアルコキシカルボニル基が挙げられる。

前記主鎖の炭素数が１〜５のアルキル基、主鎖の炭素数が１〜３のアルキル基、主鎖の炭素数が２〜５のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、主鎖の炭素数が２〜５のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１９に置き換えて導かれる基、および主鎖の炭素数が３〜５のアルキル基の主鎖中のＣ_２Ｈ_４の少なくとも１つをＣＯＯに置き換えて導かれる基の置換基としては、炭素数１〜４のアルキル基、アルコキシカルボニル基、ベンジル基、フェニル基等が挙げられるが、これらに限られない。前記置換基としての炭素数１〜４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、およびイソブチル基が挙げられる。また、置換基としてのアルコキシカルボニル基は、前記置換基としての炭素数１〜４のアルキル基がオキシカルボニル（ＯＣＯ）を介して結合する基である。さらに、これら置換基は、それぞれ単独で若しくは複数が同時に、前記主鎖の炭素数が１〜５のアルキル基、主鎖の炭素数が１〜３のアルキル基、主鎖の炭素数が２〜５のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つを酸素原子に置き換えて導かれる基、主鎖の炭素数が２〜５のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１９に置き換えて導かれる基、若しくは主鎖の炭素数が３〜５のアルキル基の主鎖中のＣ_２Ｈ_４の少なくとも１つをＣＯＯに置き換えて導かれる基の置換基に置換していても良く、または前記置換基がさらに他の前記置換基に置換されていても良い。

前記式（２）で示される基において、Ｌ^２およびＬ^３としてのアリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、フルオレニル基、アントラニル基、フェナンスレニル基等が挙げられるが、これらに限られない。

前記式（２）で示される基において、アリール基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基が挙げられるが、これらに限られない。前記置換基としてのハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、およびヨウ素を挙げることができる。また、前記置換基としてのアシル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、およびｎ−ブチル基がカルボニル基を介して結合する基である。さらに、置換基としてのアルコキシ基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、およびｎ−ブチル基が酸素原子を介して結合する基である。さらにまた、置換基としてのアルコキシカルボニル基は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、およびｎ−ブチル基がオキシカルボニル（ＯＣＯ）基を介して結合する基である。そしてさらに、置換基としてのアミノアルコキシ基は、前記アルコキシ基に１又は２以上のアミノ基が置換したものである。これら置換基は、それぞれ単独で若しくは複数が同時に、アリール基に置換していても良く、前記メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基は、さらに他のハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基で置換されていても良い。

〔架橋剤〕
架橋剤としては、上記式（１）で示される化合物（電子輸送物質）と重合（硬化）または架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三，金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊（１９８１年）などに記載されている化合物等を用いることができる。

架橋剤は、例えば、以下に示すイソシアネート化合物、アミン化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるわけではない。また、架橋剤は複数組み合わせて使用してもよい。

イソシアネート化合物は、イソシアネート基またはブロックイソシアネート基を複数個有しているイソシアネート化合物が好ましい。例えば、トリイソシアネートベンゼン、トリイソシアネートメチルベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネート、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネート等のジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンやペンタエリストールとのアダクト変性体が挙げられる。これらの中でもイソシアヌレート変性体とアダクト変性体がより好ましい。

購入可能なイソシアネート化合物（架橋剤）として、例えば、旭化成社製デュラネートＭＦＫ−６０Ｂ、ＳＢＡ−７０Ｂ、住化バイエルウレタン社製デスモジュールＢＬ３１７５、ＢＬ３４７５、といったイソシアネート系架橋剤、三井化学社製ユーバン２０ＳＥ６０、２２０、ＤＩＣ社製、スーパーベッカミンＬ−１２５−６０、Ｇ−８２１−６０といったアミノ系架橋剤、日立化成社製ファンクリルＦＡ−１２９ＡＳ ＦＡ−７３１Ａといったアクリル系架橋剤等が挙げられる。

アミン化合物は、例えば、Ｎ−メチロール基またはアルキルエーテル化されたＮ−メチロール基を複数個有しているアミン化合物が好ましい。例えば、メチロール化されたメラミン、メチロール化されたグアナミン、メチロール化された尿素誘導体、メチロール化されたエチレン尿素誘導体、メチロール化されたグリコールウリルおよび、メチロール部位がアルキルエーテル化されたこれら化合物および、これらの誘導体が挙げられる。

購入可能なアミン化合物（架橋剤）としては、例えば、スーパーメラミＮｏ．９０（日本油脂社製）、スーパーベッカミン（Ｒ）ＴＤ−１３９−６０、Ｌ−１０５−６０、Ｌ１２７−６０、Ｌ１１０−６０、Ｊ−８２０−６０、Ｇ−８２１−６０（ＤＩＣ社製）、ユーバン２０２０（三井化学）、スミテックスレジンＭ−３（住友化学工業）、ニカラックＭＷ−３０、ＭＷ−３９０、ＭＸ−７５０ＬＭ（日本カーバイド社製）、スーパーベッカミン（Ｒ）Ｌ−１４８−５５、１３−５３５、Ｌ−１４５−６０、ＴＤ−１２６（ＤＩＣ社製）、ニカラックＢＬ−６０、ＢＸ−４０００（日本カーバイド社製）、ニカラックＭＸ−２８０、ニカラックＭＸ−２７０、ニカラックＭＸ−２９０（日本カーバイド社製）、が挙げられる。

〔樹脂〕
樹脂としては、式（１）で示される化合物と重合（硬化）することが可能な重合性官能基を有する樹脂を用いることができる。重合性官能基として好ましくは、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基またはメトキシ基が挙げられる。

重合性官能基を有する樹脂としては、例えば、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリアクリルポリオール、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリアミド、カルボキシル基含有樹脂、ポリアミン、ポリチオールが挙げられる。本発明はこれらに限定されるわけではない。また、樹脂は複数組み合わせて使用してもよい。

購入可能な重合性官能基を有する樹脂としては、例えば、日本ポリウレタン工業（株）製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業（株）製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、日立化成工業（株）製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ（株）製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ハリマ化成（株）製ハリディップＷＨ−１１８８などのポリエステルポリオール系樹脂、ＤＩＣ（株）製、バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、（株）クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのようなポリビニルアルコール系樹脂、積水化学工業（株）製ＢＸ−１、ＢＭ−１、ＫＳ−１、ＫＳ−５などのポリビニルアセタール系樹脂、ナガセケムテックス（株）製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド系樹脂、日本触媒（株）製アクアリック、鉛市株式会社製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシル基含有樹脂、ＤＩＣ社製 ラッカマイドなどのポリアミン、東レ（株）製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオールが挙げられる。

重合性官能基を有する樹脂の重量平均分子量は、５，０００〜４００，０００の範囲であることがより好ましい。より好ましくは、５，０００〜３００，０００である。
ポジゴーストの抑制の観点から、組成物中における式（１）で示される化合物とその他の組成物の比率が１００：５０〜１００：２５０であることが好ましい。

中間層は、上述した重合物以外にも、成膜性や電気的特性を高めるために、他の樹脂（重合性官能基を有さない樹脂）、有機粒子、無機粒子、レベリング剤などを含有してもよい。ただし、中間層におけるそれらの含有量は、中間層の全質量に対して５０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。

本発明における中間層は、さらに粒子を含有することができる。粒子を含有することで、平均局所高低差：Ｒｍｋの値を効果的に向上させることができる。

粒子の個数平均粒径は０．２μｍ以下であることが好ましく、さらには、粒子の個数平均粒径が０．００５μｍ以上０．１μｍ以下であることが、Ｒｍｋの値を効果的に向上できる点から好ましい。

〔粒子〕
粒子としては、例えば、無機粒子や有機樹脂粒子が挙げられる。特に、無機粒子が、本発明の効果をより効果的に得られる点から好ましい。

無機粒子としては、例えば、金属酸化物、無機塩化物や無機臭化物等の無機塩類、無機酸化物、粘土や窒化ケイ素等のセラミックス等が挙げられる。なかでも、無機酸化物が化合物の化学的安定性の点から好ましい。とりわけ、シリカ、アルミナ、酸化チタン、酸化亜鉛が好ましい。また、これらは単独で用いても、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

また、無機粒子表面を疎水化処理した粒子を用いてもよい。表面処理剤としては、例えばシランカップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤として、具体的には、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン塩酸塩、ヘキサメチルジシラザン、メチルトリメトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、オクチルトリメトキシシラン、デシルトリメトキシシラン、ドデシルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｏ−メチルフェニルトリメトキシシラン及びｐ−メチルフェニルトリメトキシシラン等が挙げられる。

有機樹脂粒子としては、硬化性ゴム、ポリウレタン、ポリメチルメタクリレート、エポキシ樹脂、アルキド樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル、シリコーン樹脂、アクリル−メラミン樹脂、フッ素原子含有樹脂粒子のような樹脂粒子が挙げられる。

中間層に混合する粒子は、粉状であってもよいし、溶媒に分散されたスラリー状の状態で混合してもよい。粉状粒子の分散方法としては、ホモジナイザー、ラインミキサー、ウルトラディスパーサー、ホモミキサー、液衝突型高速分散機及び超音波分散機などの各種乳化機や分散機、ミキサーなどの混合装置を用いて分散することができる。

中間層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

以下、電子輸送物質の具体例を以下の表２に示すが、本発明はこれらに限定されない。表２中のＸは表１において示されるＸを表す。本発明において、電子輸送物質は単独で用いても複数組み合わせて使用してもよい。

式（１）で示される化合物（電子輸送物質）は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，２７０３−２７０５（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能である。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）およびジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することが可能である。

式（１）で示される化合物は、架橋剤と反応することが可能な置換基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、またはカルボキシル基）を有する。式（１）で示される化合物にこれらの置換基を導入する方法としては、上記方法で得た式（１）で示される化合物の主骨格部分に直接重合性官能基を導入する方法、前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えばナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法がある。例えばナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法がある。また、ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。ナフチルイミド誘導体を合成する際の原料として、前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有するナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体又はモノアミン誘導体を用いる方法がある。

〔電荷発生層〕
中間層の直上には、電荷発生層が設けられる。
電荷発生層に用いられる電荷発生物質としては、例えば、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料が挙げられる。フタロシアニン顔料は複数組み合わせて使用してもよい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。

オキシチタニウムフタロシアニンとしては、以下のものが好ましい。例えば、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の９．０°、１４．２°、２３．９°及び２７．１°にピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶である。また、ブラッグ角（２θ±０．２°）の９．５°、９．７°、１１．７°、１５．０°、２３．５°、２４．１°及び２７．３°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶も好ましい。

クロロガリウムフタロシアニンとしては、以下のものが好ましい。例えば、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°及び２８．２°にピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。また、ブラッグ角（２θ±０．２°）の６．８°、１７．３°、２３．６°及び２６．９°にピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。また、ブラッグ角（２θ±０．２°）の８．７°、９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°及び２８．８°にピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。

ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、以下のものが好ましい。例えば、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．３°、２４．９°及び２８．１°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。また、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°にピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が挙げられる。

電荷発生層に用いられる樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体及び共重合体や、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、式（３）で示される構造を有する樹脂を含有することでより効果的に中間層との密着性を向上させることができる。

式（３）中、ｎは１以上の整数を、ｍは０または１以上の整数を示す。Ｒ^２０は水素原子、メチル基を示す。Ｒ^２１はメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−ヒドロキシエトキシカルボニル基、ヒドロキシ基またはフェニル基を示す。

式（３）で示される構造を有する樹脂を含有することで電荷発生層と中間層との密着性が向上するメカニズムは明らかではないが、パラビニルフェノール構造が電荷発生層中のフタロシアニン顔料と中間層中の式（１）で示される化合物の両方に相互作用しているためと考えられる。

電荷発生層において、樹脂は複数組み合わせて使用してもよい。また、電荷発生物質と樹脂との質量比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤又は芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。

以下、式（３）で示される構造を有する樹脂の具体例を以下に示すが、本発明はこれらに限定されない。

〔電荷輸送層〕
電荷発生層の上には、電荷輸送層が設けられる。
電荷輸送層に用いられる電荷輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミン、又は、これらの化合物から誘導される基を主鎖又は側鎖に有するポリマーが挙げられる。これらの中でもトリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、又はスチリル化合物が好ましい。

電荷輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリアリレート（ｐｏｌｙａｒｙｌａｔｅ）樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂やポリアリレート樹脂が好ましい。また、これらの分子量としては、重量平均分子量：Ｍｗ＝５，０００〜３００，０００の範囲が好ましい。

電荷輸送層において、電荷輸送物質と結着樹脂との質量比率（電荷輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０が好ましく、１０／８〜６／１０がより好ましい。

電荷輸送層の膜厚は、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは５μｍ以上１６μｍ以下である。電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤又は芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

また、電荷輸送層上に保護層を形成してもよい。保護層は、導電性粒子又は電荷輸送物質と結着樹脂とを含有する。また、保護層は、潤滑剤などの添加剤をさらに含有してもよい。また、保護層の結着樹脂自体に導電性や電荷輸送性を有させてもよく、その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や電荷輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は、熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光、放射線（電子線など）などにより重合させてなる硬化性樹脂であってもよい。

積層型電子写真感光体を構成する各層を形成する方法としては、まず、各層を構成する材料を溶剤に溶解及び／又は分散させて得られた塗布液を塗布して塗膜を形成する。次に、得られた塗膜を乾燥及び／又は硬化させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性及び生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。

〔プロセスカートリッジ及び電子写真装置〕
図２に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。

図２において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体１の表面（周面）は、帯電手段３（一次帯電手段：帯電ローラーなど）により、正又は負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。なお、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送される。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。

トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化される。次いで、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図２に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。

上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６及びクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを選択して容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合する。このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図２では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５及びクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。

以下、実施例により、本発明をより詳細に説明する。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。まず、上記式（１）で示されるイミド化合物（電子輸送物質）の合成例を示す。

（合成例１）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部および４−ヘプチルアミン４部、２−アミノ−１，３−プロパンジオール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、８時間還流を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル／トルエン）で分離した後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。その濃縮物を酢酸エチル／トルエン混合溶液で再結晶を行い、例示化合物１０１を２．０部得た。

（合成例２）
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部および２，６−ジイソプロピルアニリン４部、２−アミノ−１，３−プロパンジオール３部を加え、室温で１時間撹拌し、溶液を調製した。溶液を調製後、１０時間還流を行い、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒酢酸エチル／トルエン）で分離した後、目的物を含有するフラクションを濃縮した。その濃縮物を酢酸エチル／トルエン混合溶液で再結晶を行い、例示化合物２０５を１．５部得た。

次に、電子写真感光体の製造および評価について示す。

（実施例１）
〔支持体〕
長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）（支持体１）に後述する下引き層を形成したものを支持体（支持体２）とした。

〔下引き層〕
酸素欠損型酸化スズ（ＳｎＯ_２）が被覆されている酸化チタン粒子２１４部、フェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、ＤＩＣ（株）製、樹脂固形分：６０質量％）１３２部、および、１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。

この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着材料の合計質量に対して１０質量％になるように、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径２μｍ）を分散液に添加した。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着材料の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製）を分散液に添加して撹拌することによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの下引き層を形成した。

〔中間層〕
次に、合成例１で得た例示化合物１０１（電子輸送物質）を５部、ブロックされたイソシアネート化合物（商品名：ＳＢＮ−７０Ｄ、旭化成ケミカルズ（株）製）８．６部、ポリビニルアセタール樹脂（商品名：ＫＳ−５Ｚ、積水化学工業（株）製）０．６部、ヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）（商品名：ヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）、三津和化学薬品（株）製）０．１５部とを、１−メトキシ−２−プロパノール４５部とテトラヒドロフラン４５部の混合溶媒に溶解し、これにシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリー（商品名：ＩＰＡ−ＳＴ−ＵＰ、シリカ比率：１５質量％、日産化学（株）製）を３．３部加えて撹拌した。
こうして得られた中間層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１６０℃４０分間加熱し、硬化（重合）させることによって、膜厚０．６μｍの中間層を形成した。

〔電荷発生層〕
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）（フタロシアニン１）１０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）（樹脂１）５部およびシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、２時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
この電荷発生層用塗布液を、中間層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間９５℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１７μｍの電荷発生層を形成した。

〔電荷輸送層〕
次に、式（４）で示されるアミン化合物８部、ならびに、式（５）で示される構造単位を有する重量平均分子量：Ｍｗが１００，０００であるポリアリレート樹脂１０部を、ジメトキシメタン４０部およびｏ−キシレン６０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。
この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を４０分間温度１２０℃で乾燥することによって、膜厚が１５μｍの電荷輸送層を形成した。

支持体および中間層の表面形状は、下記の手法で測定した。

＜支持体の表面形状測定＞
得られた感光体の支持体上に積層されている中間層および感光層を、各々を溶解できる溶媒を用いて除去した。
得られた支持体の表面を、形状測定レーザマイクロスコープ（ＶＫ−Ｘ２００、（株）キーエンス製）で拡大観察し、前述の手順を用いてＲｍｋ（Ｌ）を計算した。Ｒｍｋ（Ｌ）の計算結果を図３（Ｃ）および表４に示す。算出長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内におけるＲｍｋの最大値：Ｒｍｋ，ｍａｘは０．１８３μｍ、Ｒｍｋ，ｍａｘが発現する算出長さ：Ｌｍは３２．３９２μｍであった。また、Ｌｍの０．５倍の算出長さにおけるＲｍｋ：Ｒｍｋ（Ｌｍ・０．５）は０．１５６μｍであり、Ｌｍの１．５倍の算出長さにおけるＲｍｋ：Ｒｍｋ（Ｌｍ・１．５）は０．１６４μｍであった。

＜中間層の表面形状測定＞
得られた感光体の中間層上に積層されている感光層を、中間層を溶解ないし膨潤させず、かつ感光層を溶解できる溶媒を用いて除去した。
得られた中間層の表面を、上記＜支持体の表面形状測定＞と同様に観察し、Ｒｍｋ（Ｌ）を計算した。Ｒｍｋ（Ｌ）の計算結果を図３（Ｄ）および表５に示す。算出長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内におけるＲｍｋの最大値：Ｒｍｋ，ｍａｘは０．１４９μｍ、Ｒｍｋ，ｍａｘが発現する算出長さ：Ｌｍは４０．１０２μｍであった。また、Ｌｍの０．５倍の算出長さにおけるＲｍｋ：Ｒｍｋ（Ｌｍ・０．５）は０．１２５μｍであり、Ｌｍの１．５倍の算出長さにおけるＲｍｋ：Ｒｍｋ（Ｌｍ・１．５）は０．１３５μｍであった。

中間層に含有される粒子の個数平均粒径および含有量は下記の手法で測定した。

＜粒子の個数平均粒径測定＞
得られた感光体を断面が出るように薄片化し、透過型電子顕微鏡（ＪＥＭ−２８００、日本電子（株）製）を用いて中間層を拡大観察した。得られた観察画像からランダムに２０個の粒子の一次粒子の長径を測定して、個数平均粒径を求めた。拡大倍率は適宜調整した。結果を表５に示す。

＜評価＞
電子写真感光体を、１５℃、１０％ＲＨの環境下にて、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）の改造機（前露光ＯＦＦ、一次帯電：ローラー接触ＤＣ帯電、プロセススピード１２０ｍｍ／秒、レーザー露光）に装着した。その後、出力画像の評価を行った。詳しくは以下のとおりである。

（ポジゴーストの評価）
上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、製造した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。まず、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。

次に、Ａ４サイズの普通紙で、５，０００枚、１０，０００枚および１５，０００枚のフルカラー画像（各色印字率１％の文字画像）の出力を行った。その後、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。

ゴースト評価用画像は、画像の先頭部の白画像中に四角形のベタ画像を出した後、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像を作成したものである。なお、以下のゴースト部は、ベタ画像に起因するゴーストが出現し得る部分である。

ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像の画像濃度と、ゴースト部の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均を算出し、初期画像出力時のマクベス濃度差（初期）を評価した。次に、５，０００枚、１０，０００枚および１５，０００枚の出力後のマクベス濃度差と初期画像出力時のマクベス濃度差の差（変化分）を算出して、マクベス濃度差の変動分を求めた。マクベス濃度差が小さいほど、ポジゴーストが抑制されたことを意味する。そして、出力後のマクベス濃度差と初期画像出力時のマクベス濃度差との差が小さい程、ポジゴーストの変動が小さいことを意味する。また電子写真感光体の繰り返し使用後の中間層と電荷発生層との密着性の評価として電子写真感光体の外観も確認した。結果を表６に示す。

（実施例２〜３２）
中間層用塗布液に混合する式（１）で示される化合物（電子輸送物質）、粒子の種類および量、中間層の膜厚を表５に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様に評価を行った。結果を表５および表６に示す。

（実施例３３）
中間層用塗布液に混合するシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを０．５部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例３４）
中間層用塗布液に混合するシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを８．８部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例３５）
中間層用塗布液に混合するシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを、シリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリー（商品名：ＩＰＡ−ＳＴ、シリカ比率：３０質量％、日産化学（株）製）１．７部に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例３６）
中間層用塗布液に混合するシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを、粉末アルミナ粒子（商品名：ＬＳ−２３１、日本軽金属（株）製）２部に変更し、直径０．８ｍｍのガラスビーズを加えてペイントシェーカーで３時間撹拌した後ガラスビーズを除去した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例３７）
中間層用塗布液に混合するシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを、粉末酸化チタン粒子（商品名：ＴＴＯ−Ｓ−４、石原産業（株）製）２．１部に変更し、直径０．８ｍｍのガラスビーズを加えてペイントシェーカーで３時間撹拌した後ガラスビーズを除去した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例３８）
中間層用塗布液に混合するシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを、粉末酸化亜鉛粒子（商品名：ＺｎＯ−６５０、住友大阪セメント（株）製）２．７部に変更し、直径０．８ｍｍのガラスビーズを加えてペイントシェーカーで３時間撹拌した後ガラスビーズを除去した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（参考例３９）
中間層用塗布液にシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを混合せず、中間層の膜厚を０．４μｍに変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４０）
電荷発生層用塗布液に混合する電荷発生物質をＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角度（２θ±０．２°）の９．５°、９．７°、１１．７°、１５．０°、２３．５°、２４．１°及び２７．３°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶（フタロシアニン２）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４１）
電荷発生層用塗布液に混合する電荷発生物質をＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の８．７°、９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°及び２８．８°にピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶（フタロシアニン３）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４２）
電荷発生層用塗布液に混合するポリビニルブチラール樹脂をポリビニルアセタール樹脂（商品名：ＫＳ−１、積水化学工業（株）製）（樹脂２）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４３）
電荷発生層用塗布液に混合するポリビニルブチラール樹脂をポリパラビニルフェノール樹脂（商品名：マルカリンカーＭ、丸善石油化学（株）製）（樹脂３）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４４）
電荷発生層用塗布液に混合するポリビニルブチラール樹脂をスチレン−パラビニルフェノール樹脂共重合体（商品名：マルカリンカーＣＳＴ、丸善石油化学（株）製）（樹脂４）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４５）
電荷発生層用塗布液に混合するポリビニルブチラール樹脂をメチルメタクリレート−パラビニルフェノール樹脂共重合体（商品名：マルカリンカーＣＭＭ、丸善石油化学（株）製）（樹脂５）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４６）
下引き層において、シリコーン樹脂粒子の添加量を、ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着材料の合計質量に対して５質量％になるように変更した支持体（支持体３）を用いた以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４７）
支持体１に下引き層を設けず、湿式ホーニング処理装置（不二精機製造所（株）製）を用い、以下の条件にて凹凸部を形成した支持体（支持体４）を用いた以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製、評価した。結果を表５および表６に示す。

＜液体ホーニング条件＞
研磨材砥粒：球状アルミナビーズ（商品名：ＣＢ−Ａ３０Ｓ 昭和電工（株）製）懸濁媒体：水
研磨材／懸濁媒体：１／９（体積比）
アルミニウム管の回転数：１．６７ｓ^−１
エアー吹き付け圧力：０．１５ＭＰａ
ガン移動速度：１３．３ｍｍ／ｓ
ガンノズルとアルミニウム管の距離：１９０ｍｍ
ホーニング砥粒吐出角度：４５°
研磨液投射回数：１回
得られた支持体４の表面を、形状測定レーザマイクロスコープ（ＶＫ−Ｘ２００、（株）キーエンス製）で拡大観察し、前述の手順を用いてＲｍｋ（Ｌ）を計算した。Ｒｍｋ（Ｌ）の計算結果を図３（Ａ）および表４に示す。また、得られた感光体の中間層のＲｍｋ（Ｌ）の計算結果を図３（Ｂ）および表５に示す。

（実施例４８）
アルミニウムシリンダー（支持体１）に下引き層を設けず、中間層の溶媒を１−プロパノール４５部とテトラヒドロフラン４５部の混合溶媒にした以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製、評価した。結果を表５および表６に示す。

（実施例４９）
アルミニウムシリンダー（支持体１）に下引き層を設けず、中間層の溶媒を２−プロパノール４５部とテトラヒドロフラン４５部の混合溶媒にした以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製、評価した。結果を表５および表６に示す。

（比較例１）
中間層用塗布液に混合する電子輸送物質を式（６）に示すように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表７および表８に示す。

（比較例２）
アルミニウムシリンダー（支持体１）に下引き層を設けず、中間層用塗布液にシリカ粒子がイソプロパノールに分散されたスラリーを混合しない以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表７および表８に示す。支持体１の表面を、形状測定レーザマイクロスコープ（ＶＫ−Ｘ２００、（株）キーエンス製）で拡大観察し、前述の手順を用いてＲｍｋ（Ｌ）を計算した。Ｒｍｋ（Ｌ）の計算結果を図３（Ｅ）および表５に示す。また、得られた感光体の中間層のＲｍｋ（Ｌ）の計算結果を図３（Ｆ）および表５に示す。

（比較例３、４）
中間層用塗布液に混合する電子輸送物質を表７に示すように変更した以外は、比較例２と同様に電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表７および表８に示す。

（比較例５）
電荷発生層用塗布液に混合する電荷発生物質を式（７）で示される化合物（７）に変更した以外は、実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、評価した。結果を表７および表８に示す。

（比較例６）
以下の中間層用塗布液を用いた以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様に評価を行った。結果を表７および表８に示す。

下記式（８）で示される化合物１０部、フェノール樹脂（ＰＬ−４８０４、群栄化学（株）製）５部をジメチルホルムアミド２００部、ベンジルアルコール１５０部の混合溶媒に溶解し中間層用塗布液を調製した。

（比較例７）
以下の中間層用塗布液を用いた以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様に評価を行った。結果を表７および表８に示す。

下記式（９）で示される化合物１０部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１５部、ポリビニルアセタール樹脂（商品名：ＫＳ−５Ｚ、積水化学工業（株）製）３部を１−メトキシ−２−プロパノール２５０部とテトラヒドロフラン２５０部の混合溶媒に溶解し中間層用塗布液を調製した。

（比較例８）
以下の中間層用塗布液を用いた以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様に評価を行った。結果を表７および表８に示す。

下記式（１０）で示される化合物４部、ヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）０．０８部、ポリビニルアセタール樹脂（商品名：ＫＳ−５Ｚ、積水化学工業（株）製）０．５４部をジメチルアセトアミド６０部とメチルエチルケトン６０部の混合溶媒に溶解し中間層用塗布液を調製した。

表５において、「電荷輸送物質」は中間層に含有される電荷輸送物質の種類を示す。「粒子」は、中間層に含有される粒子の種類を示す。「粒径」は、前記＜粒子の個数平均粒径測定＞で求めた、粒子の個数平均粒径を示す。「電荷発生物質」は電荷発生層に含有される電荷発生物質の種類を示す。「樹脂」は電荷発生層に含有される樹脂の種類を示す。

表７において、「電荷輸送物質」は中間層に含有される電荷輸送物質の種類を示す。「粒子」は、中間層に含有される粒子の種類を示す。「粒径」は、前記＜粒子の個数平均粒径測定＞で求めた、粒子の個数平均粒径を示す。「電荷発生物質」は電荷発生層に含有される電荷発生物質の種類を示す。「樹脂」は電荷発生層に含有される樹脂の種類を示す。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ クリーニング手段
８ 定着手段
９ プロセスカートリッジ
１０ 案内手段
Ｐ 転写材

Claims (6)

1. 支持体、該支持体上に形成された中間層、該中間層の直上に形成された電荷発生層、および該電荷発生層上に形成された電荷輸送層を有する電子写真感光体において、
   該中間層が、式（１）で示される化合物を含む組成物の重合物と、個数平均粒径が０．２μｍ以下であるシリカ粒子と、を含有し、
   該粒子の該中間層中の含有量は、中間層の全質量に対して２０質量％以下であり、
   該中間層の電荷発生層側の表面における、算出長さが０．１μｍ以上１００μｍ以下の範囲内での平均局所高低差を測定したとき、
   該平均局所高低差の最大値（Ｒｍｋ、ｍａｘ）における算出長さの０．５倍以上１．５倍以下の算出長さ範囲において、平均局所高低差（Ｒｍｋ）の値が０．０５μｍ以上であり、
   該電荷発生層がフタロシアニン顔料と樹脂とを含有することを特徴とする電子写真感光体。
   （式（１）中、Ｒ^１は、２つ以上の重合性官能基を有する、主鎖の炭素数が１〜６のアルキル基または２つ以上の重合性官能基を有する主鎖の炭素数が３〜６のアルキル基の主鎖中のＣＨ_２の少なくとも１つをＮＲ^１７に置き換えて導かれる基を示し、該重合性官能基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、またはカルボキシル基であり、Ｒ^１７は、水素原子または主鎖の炭素数が１〜４のアルキル基を示し、
   Ｒ^２は、主鎖の炭素数が１〜６の置換若しくは無置換のアルキル基または置換若しくは無置換のアリール基である。
   該アルキル基の置換基は、炭素数１〜５のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基であり、
   該アリール基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基であり、
   Ｘは、式（Ｘ１）および（Ｘ２）から選択されるいずれか１つの構造を示し、
   （式（Ｘ１）および（Ｘ２）中、Ｒ^３〜Ｒ^１４は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、主鎖の炭素数が１〜６の置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換のアリール基を示す。））
2. 前記Ｒ^２が、式（２）で示される基である請求項１に記載の電子写真感光体。
   （式（２）中、Ｌ^１は、水素原子を示し、
   Ｌ^２およびＬ^３は、それぞれ独立に、主鎖の炭素数が１〜５の置換若しくは無置換のアルキル基または置換若しくは無置換のアリール基を示し、
   該アルキル基の置換基は、炭素数１〜４のアルキル基、ベンジル基、アルコシキカルボニル基、またはフェニル基であり、
   該アリール基の置換基は、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、アシル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、またはアミノアルコキシ基を示す。）
3. 前記平均局所高低差の最大値（Ｒｍｋ、ｍａｘ）における算出長さの０．５倍以上１．５倍以下の算出長さ範囲において、平均局所高低差（Ｒｍｋ）の値が０．０７μｍ以上である請求項１または２に記載の電子写真感光体。
4. 前記樹脂が、少なくとも式（３）で示される構造を有する樹脂である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
   （式（３）中、ｎは１以上の整数を、ｍは０または１以上の整数を示す。Ｒ^２０は水素原子またはメチル基を示す。Ｒ^２１はメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、２−ヒドロキシエトキシカルボニル基、ヒドロキシ基またはフェニル基を示す。）
5. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
6. 請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。