KR101716553B1 - 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물 - Google Patents

전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물 Download PDF

Info

Publication number
KR101716553B1
KR101716553B1 KR1020140187875A KR20140187875A KR101716553B1 KR 101716553 B1 KR101716553 B1 KR 101716553B1 KR 1020140187875 A KR1020140187875 A KR 1020140187875A KR 20140187875 A KR20140187875 A KR 20140187875A KR 101716553 B1 KR101716553 B1 KR 101716553B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
group
substituted
main chain
alkyl group
polymerizable functional
Prior art date
Application number
KR1020140187875A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150076107A (ko
Inventor
마사시 니시
구니히코 세키도
게이 다가미
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20150076107A publication Critical patent/KR20150076107A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101716553B1 publication Critical patent/KR101716553B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142—Inert intermediate layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D471/00—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00
    • C07D471/02—Heterocyclic compounds containing nitrogen atoms as the only ring hetero atoms in the condensed system, at least one ring being a six-membered ring with one nitrogen atom, not provided for by groups C07D451/00 - C07D463/00 in which the condensed system contains two hetero rings
    • C07D471/06—Peri-condensed systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02—Charge-receiving layers
    • G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
    • G03G5/0622—Heterocyclic compounds
    • G03G5/0644—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings
    • G03G5/0646—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system
    • G03G5/0651—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings in the same ring system containing four relevant rings

Abstract

화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물을 함유하는 언더코팅층을 포함하는 전자사진 감광체가 제공된다.
＜화학식 1＞
Figure 112014125486847-pat00035

Description

전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물{ELECTROPHOTOGRAPHIC PHOTOSENSITIVE MEMBER, PROCESS CARTRIDGE, ELECTROPHOTOGRAPHIC APPARATUS, AND IMIDE COMPOUND}
본 발명은 전자사진 감광체, 전자사진 감광체를 각각 포함한 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치, 및 이미드 화합물에 관한 것이다.
유기 광도전성 물질 (전하 발생 물질)을 함유한 전자사진 감광체는 주로 프로세스 카트리지 또는 전자사진 장치에 탑재되는 전자사진 감광체로서 사용되고 있다. 전자사진 감광체는 다음의 이점을 갖는다. 전자사진 감광체는 양호한 성막성을 갖고 도포에 의해 생산될 수 있어, 높은 생산성을 갖는다.
전자사진 감광체는 일반적으로 지지체 및 지지체 위에 형성된 감광층을 포함한다. 또한, 지지체로부터 감광층 쪽으로의 전하의 주입을 억제하여 흑점 등의 화상 결함의 발생을 억제시키려는 목적을 위해 지지체와 감광층 사이에 언더코팅층을 종종 형성한다. 최근에는 더 높은 감도를 갖는 전하 발생 물질이 사용되고 있다. 그러나, 전하 발생 물질의 고감도화가 이루어짐에 따라, 전하의 발생량은 증가한다. 따라서, 전하가 감광층에 체류하기 쉽고 그런 이유로 포지티브 고스트가 발생하기 쉽다. 포지티브 고스트는 1장의 화상을 형성하는 중에, 전회전시 빛이 조사된 부분만 농도가 진해지는 현상이다.
일본 특허 출원 공개 제2007-148294호 공보 및 일본 특허 출원 공개 제2008-250082호 공보에서 각각 이러한 포지티브 고스트를 억제하는 기술로서 전자 수송 물질을 언더코팅층에 함유시키는 것을 포함하는 기술을 기재한다. 또한, 일본 특허 출원 공개 제2007-148294호 공보 및 일본 특허 출원 공개 제2008-250082호 공보는 각각 다음의 기술을 기재한다. 전자 수송 물질을 언더코팅층에 함유시킨 경우, 언더코팅층의 상층 (감광층)의 형성시 전자 수송 물질이 감광층용 도포액 중의 용제에 용출될 수 없도록 언더코팅층을 경화시킨다.
최근, 전자사진 화상의 품질에 대한 요구가 더 많아지고 더 정교해지는 것이 멈추지 않아, 그런 이유로 포지티브 고스트에 대한 허용 범위가 매우 엄격하게 되었다.
또한, 본 발명의 발명자들에 의해 이루어진 검토 결과, 일본 특허 출원 공개 제2007-148294호 공보 및 일본 특허 출원 공개 제2008-250082호 공보 각각에 기재된 기술은 포지티브 고스트의 저감 면에서 여전히 개량의 여지가 있는 것으로 밝혀졌다.
본 발명의 목적은 포지티브 고스트가 억제된 전자사진 감광체, 및 전자사진 감광체를 각각 포함한 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 또 다른 목적은 포지티브 고스트를 억제할 수 있는 이미드 화합물을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시양태에 따라,
지지체;
지지체 위의 언더코팅층; 및
언더코팅층 위의 감광층을 포함하되,
상기 언더코팅층이 하기 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물을 함유하는 전자사진 감광체가 제공된다:
Figure 112014125486847-pat00001
식 중,
R1은 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타내고,
중합성 관능기는 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 또는 카르복실 기이고;
R7은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
R2는 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 비치환 또는 치환된 알킬 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR8로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 치환된 아릴 기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
치환된 알킬 기의 치환기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 벤질 기, 알콕시카르보닐 기, 또는 페닐 기이고;
치환된 아릴 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 알콕시 기, 티오알콕시 기, 또는 아미노알콕시 기이고, 아릴 기가 갖는 수소 원자 이외의 모든 치환기의 원자수는 4 이상이고;
R3 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 비치환 또는 치환된 알킬 기, 또는 비치환 또는 치환된 아릴 기를 나타낸다.
본 발명은 또한 전자사진 감광체; 및 대전 유닛, 현상 유닛, 및 클리닝 유닛으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 유닛을 포함하되, 전자사진 감광체 및 적어도 하나의 유닛을 일체형으로 지지하고, 전자사진 장치의 본체에 착탈가능하게 탑재되는 프로세스 카트리지에 관한 것이다.
본 발명은 또한 전자사진 감광체; 대전 유닛; 노광 유닛; 현상 유닛; 및 전사 유닛을 포함하는 전자사진 장치에 관한 것이다.
본 발명은 또한 화학식 1에 의해 제시되는 이미드 화합물에 관한 것이다.
본 발명의 실시양태에 따라, 포지티브 고스트가 억제된 전자사진 감광체, 및 전자사진 감광체를 각각 포함하는 프로세스 카트리지 및 전자사진 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 또 다른 실시양태에 따라, 포지티브 고스트를 억제할 수 있는 이미드 화합물을 제공할 수 있다.
본 발명의 추가 특징은 첨부한 도면을 참조하여 이하의 예시적인 실시양태의 설명으로부터 자명하게 될 것이다.
도 1은 전자사진 감광체를 포함한 프로세스 카트리지를 포함하는 전자사진 장치의 개략적 구성을 나타낸 도면이다.
도 2는 고스트 화상 평가시 사용되는 고스트 평가용 프린트를 설명하는 도면이다.
도 3은 1 도트 계마 패턴 화상을 설명하는 도면이다.
도 4a는 전자사진 감광체의 층 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 4b는 전자사진 감광체의 층 구성의 일례를 나타낸 도면이다.
도 5는 합성 실시예 1의 화합물의 NMR 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
도 6은 합성 실시예 2의 화합물의 NMR 스펙트럼을 보여주는 그래프이다.
본 발명은 전자사진 감광체의 언더코팅층이 하기 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물을 함유하는 특징을 갖는다:
＜화학식 1＞
Figure 112014125486847-pat00002
식 중,
R1은 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타내고,
중합성 관능기는 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 또는 카르복실 기이고;
R7은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
R2는 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 비치환 또는 치환된 알킬 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR8로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 치환된 아릴 기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
치환된 알킬 기의 치환기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 벤질 기, 알콕시카르보닐 기, 또는 페닐 기이고;
치환된 아릴 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 알콕시 기, 티오알콕시 기, 또는 아미노알콕시 기이고, 아릴 기가 갖는 수소 원자 이외의 모든 치환기의 원자수는 4 이상이고;
R3 내지 R6은 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 비치환 또는 치환된 알킬 기, 또는 비치환 또는 치환된 아릴 기를 나타낸다.
본 발명의 발명자들은 언더코팅층이 중합 생성물을 함유한 경우 포지티브 고스트가 저감되는 이유를 하기 서술된 바와 같은 것으로 추측하였다.
포지티브 고스트의 발생에 있어서 가능한 한 요인은 전자 수송 물질의 분자 간 거리의 증가로 인한 전자 트랩이다. 전자 트랩이 언더코팅층에 형성된 경우, 언더코팅층의 전자 수송성이 저하되기 쉽고 이런 이유로 잔류 전하가 발생하기 쉽다. 아마 앞서 말한 것의 결과로서, 잔류 전하가 전자사진 감광체의 장기간 반복 사용시 축적되기 쉽고 이런 이유로 포지티브 고스트가 발생한다.
본 발명에서, 화학식 1에 의해 제시되는 화합물 (전자 수송 물질)의 한 쪽에 히드록시 기 및 카르복실 기 등의 2개 이상의 수소 결합성 중합성 관능기가 존재하고, 그의 반대 쪽에는 그러한 수소 결합성 중합성 관능기가 없고 비교적 부피가 큰 구조를 갖는다. 발명자들은 이 경우, 한 쪽의 수소 결합성 중합성 관능기 간의 상호작용에 의해 전자 수송 물질의 분자가 서로 비교적 근접하게 있도록 존재할 수 있다고 생각하였다. 또한, 발명자들은 전자 수송 물질의 분자의 응집으로 인한 전자 트랩 또한 부피가 큰 구조에 의해 억제될 수 있다고 생각하였다. 발명자들은 포지티브 고스트가 앞서 말한 것의 결과로서 저감된다고 추측하였다.
부피가 큰 구조는 화학식 1에 의해 제시되는 화합물의 R2에 해당하는 구조이다.
R2는 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 탄소쇄를 갖는다. 발명자들은 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 탄소쇄의 높은 자유도 때문에, 그 주쇄의 탄소 원자의 수가 비교적 적은 경우에도, 전자 수송 물질의 분자의 응집 등이 억제될 수 있다고 생각하였다.
R2가 치환된 아릴 기를 나타내는 경우, 아릴 기의 모든 치환기의 수소 원자 이외의 원자의 총수는 4 이상이다. 수소 원자 이외의 원자의 예는 탄소 원자, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자, 및 할로겐 원자를 포함한다. 아릴 기의 모든 치환기의 수소 원자 이외의 원자의 총수는 하기 서술된 바와 같다. 예를 들어, 아릴 기가 치환기로서 1개의 메틸 기 및 1개의 에틸 기를 갖는 경우, 수소 원자 이외의 원자의 수는 3이다. 또한, 아릴 기가 치환기로서 2개의 이소프로필 기를 갖는 경우, 수소 원자 이외의 원자의 수는 6이다. 화학식 1에 의해 제시되는 화합물은 입체적으로 평면성이 강한 구조를 갖는다. 발명자들은 이 구조 때문에, 그의 분자 간의 스택킹이 강하고, 이런 이유로 수소 원자 이외의 원자의 수가 3 이하인 경우는, 전자 수송 물질의 분자의 응집을 억제할 수 없다고 생각하였다. 또한, 발명자들은 아릴 기의 치환기로서 부피가 큰 치환기, 예를 들어, t-Bu 기 또는 페닐 기 등의 치환기가 결합되는 경우, 전자 수송성은 그의 입체 장애로 인해 저하되기 쉬운 것으로 생각하였다.
전자 수송 물질의 양쪽에 복수의 수소 결합성 중합성 관능기 (치환기)가 존재하는 경우, 상호작용이 강하게 작용하고 이런 이유로 전자 수송 물질의 분자가 응집하기 쉬운 것으로 추측되었다.
언더코팅층 중 화학식 1에 의해 제시되는 화합물의 중합 생성물 또는 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물의 함유량은 언더코팅층의 전체 질량에 대해 바람직하게는 50 질량% 이상 100 질량% 이하이다. 또한, 함유량은 더 바람직하게는 80 질량% 이상 100 질량% 이하이다.
[전자 수송 물질]
본 발명의 언더코팅층은 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물을 함유한다.
언더코팅층이 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물을 함유하는 경우, 조성물은 바람직하게는 가교제, 또는 가교제와 수지를 추가로 함유한다.
화학식 1에 의해 제시되는 화합물에서, R1은 바람직하게는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 3개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 3개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 3개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 3개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타낸다.
또한, R2는 바람직하게는 하기 화학식 2에 의해 제시되는 1가 기 또는 하기 화학식 3에 의해 제시되는 1가 기를 나타낸다. 임의의 이러한 1가 기의 존재는 전자 트랩을 억제할 수 있고 이런 이유로 전자사진 감광체를 포지티브 고스트의 억제도에서 더 탁월하게 만든다.
Figure 112014125486847-pat00003
화학식 2에서, L1은 수소 원자를 나타내고;
L2 및 L3은 각각 독립적으로 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 비치환 또는 치환된 알킬 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR8로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타내고;
치환된 알킬 기의 치환기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 벤질 기, 알콕시카르보닐 기, 또는 페닐 기이다.
Figure 112014125486847-pat00004
화학식에서, S1은 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 메톡시 기, 에톡시 기, 티오메톡시 기, 티오에톡시 기, 아미노메톡시 기, 또는 아미노에톡시 기를 나타낸다.
S2 내지 S5는 각각 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 알콕시 기, 티오알콕시 기, 또는 아미노알콕시 기를 나타낸다.
또한, 본 발명에서, 화학식 1에 의해 제시되는 화합물은 포지티브 고스트를 억제할 수 있는 이미드 화합물의 예로서 주어진다.
[가교제]
가교제로서 화학식 1에 의해 제시되는 화합물 (전자 수송 물질)과 중합 (경화) 또는 가교하는 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로, 예를 들어, 신조 야마시타(Shinzo Yamashita) 및 도스케 가네코(Tosuke Kaneko)에 의해 편집되고, 다이세이샤 리미티드(TAISEISHA LTD.)에 의해 출판된 "가교제 핸드북" (1981)에 기재된 화합물을 사용할 수 있다.
가교제의 예는 이소시아네이트 기 또는 블록 이소시아네이트 기를 갖는 이하의 이소시아네이트 화합물, 및 N-메틸올 기 또는 알킬-에테르화 N-메틸올 기를 갖는 아민 화합물을 포함한다. 그러나, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다. 또한, 복수의 가교제를 조합해서 사용할 수 있다.
이소시아네이트 화합물은 바람직하게는 복수의 (2개 이상의) 이소시아네이트 기 또는 블록 이소시아네이트 기를 갖는 이소시아네이트 화합물이다. 그의 예는 트리이소시아네이토벤젠, 트리이소시아네이토메틸벤젠, 트리페닐메탄 트리이소시아네이트, 리신 트리이소시아네이트, 및 톨릴렌 디이소시아네이트, 헥사메틸렌 디이소시아네이트, 디시클로헥실메탄 디이소시아네이트, 나프탈렌디이소시아네이토, 디페닐메탄 디이소시아네이트, 이소포론 디이소시아네이트, 크실릴렌 디이소시아네이트, 2,2,4-트리메틸헥사메틸렌 디이소시아네이트, 메틸-2,6-디이소시아네이토헥사노에이트, 또는 노르보르난 디이소시아네이트 등의 디이소시아네이트의 이소시아누레이트 개질 생성물, 뷰렛 개질 생성물, 알로파네이트 개질 생성물, 및 트리메틸올프로판 또는 펜타에리트리톨 부가 개질 생성물이다. 이들 중에서, 이소시아누레이트 개질 생성물 및 부가 개질 생성물이 더 바람직하다.
구입가능한 이소시아네이트 화합물 (가교제)로서, 예를 들어: 아사히 카세이 코포레이션(Asahi Kasei Corporation)에 의해 제조된 듀라네이트(DURANATE) MFK-60B 또는 SBA-70B 또는 스미카 바이엘 우레탄 캄파니, 리미티드(Sumika Bayer Urethane Co., Ltd.)에 의해 제조된 데스모듀어(Desmodur) BL3175, BL3475 또는 BL3575 등의 이소시아네이트계 가교제; 미츠이 케미칼스, 인코포레이티드(Mitsui Chemicals, Inc.)에 의해 제조된 U-VAN 20SE60 또는 220, 또는 DIC 코포레이션에 의해 제조된 슈퍼 벡카민(SUPER BECKAMINE) L-125-60 또는 G-821-60 등의 아미노계 가교제; 및 히타치 케미칼 캄파니, 리미티드(Hitachi Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조된 팬크릴(FANCRYL) FA-129AS 또는 FA-731A 등의 아크릴계 가교제가 주어진다.
예를 들어, 아민 화합물은 바람직하게는 복수의 (2개 이상의) N-메틸올 기 또는 알킬-에테르화 N-메틸올 기를 갖는 아민 화합물이다. 그의 예로는 메틸올화 멜라민, 메틸올화 구아나민, 메틸올화 우레아 유도체, 메틸올화 에틸렌 우레아 유도체, 메틸올화 글리콜우릴, 전술한 화합물의 메틸올 모이어티의 알킬-에테르화에 의해 수득된 화합물, 및 그의 유도체를 포함한다.
구입가능한 아민 화합물 (가교제)로서, 예를 들어, 슈퍼 멜라미(SUPER MELAMI) No. 90 (노프 코포레이션(NOF CORPORATION)에 의해 제조됨), 슈퍼 벡카민™ TD-139-60, L-105-60, L127-60, L110-60, J-820-60, J821-60, G-821-60 또는 P138 (DIC 코포레이션에 의해 제조됨), U-VAN 2020 (미츠이 케미칼스, 인코포레이티드), 스미텍스 레진(Sumitex Resin) M-3 (스미토모 케미칼 캄파니(Sumitomo Chemical Company)), 니카랙(NIKALAC) MW-30, MW-390, 또는 MX-750LM (니폰 카바이드 인더스트리스 캄파니, 인코포레이티드(NIPPON CARBIDE INDUSTRIES CO., INC.)에 의해 제조됨), 슈퍼 벡카민™ L-148-55, 13-535, L-145-60, 또는 TD-126 (DIC 코포레이션에 의해 제조됨), 니카랙 BL-60 또는 BX-4000 (니폰 카바이드 인더스트리스 캄파니, 인코포레이티드에 의해 제조됨), 및 니카랙 MX-280, 니카랙 MX-270, 또는 니카랙 MX-290 (니폰 카바이드 인더스트리스 캄파니, 인코포레이티드에 의해 제조됨)이 주어진다.
[수지]
수지로서 화학식 1에 의해 제시되는 화합물과 중합 (경화)할 수 있는 중합성 관능기를 갖는 수지를 사용할 수 있다. 중합성 관능기의 바람직한 예는 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 카르복실 기, 및 메톡시 기를 포함한다.
중합성 관능기를 갖는 수지의 예로는 폴리에테르 폴리올 수지, 폴리에스테르 폴리올 수지, 아크릴 폴리올 수지, 폴리비닐 알콜 수지, 폴리비닐 아세탈 수지, 폴리아미드 수지, 카르복실 기-함유 수지, 폴리아민 수지, 및 폴리티올 수지를 포함한다. 본 발명은 이들로 한정되지 않는다. 또한, 복수의 수지를 조합해서 사용할 수 있다.
구입가능한 중합성 관능기를 갖는 수지의 예로는: 니폰 폴리우레탄 인더스트리 캄파니, 리미티드(Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.)에 의해 제조된 AQD-457 또는 AQD-473, 또는 산요 케미칼 인더스트리스, 리미티드(Sanyo Chemical Industries, Ltd.)에 의해 제조된 산닉스(SANNIX) GP-400 또는 GP-700 등의 폴리에테르 폴리올계 수지; 히타치 케미칼 캄파니, 리미티드(Hitachi Chemical Co., Ltd.)에 의해 제조된 프탈키드(PHTHALKYD) W2343, DIC 코포레이션에 의해 제조된 워터솔(WATERSOL) S-118 또는 CD-520, 또는 하리마 케미칼스(Harima Chemicals)에 의해 제조된 하리딥(HARIDIP) WH-1188 등의 폴리에스테르 폴리올계 수지; DIC 코포레이션에 의해 제조된 부르녹(BURNOCK) WE-300 또는 WE-304 등의 아크릴 폴리올계 수지; 쿠라레이 캄파니, 리미티드(KURARAY CO., LTD.)에 의해 제조된 쿠라레이 포발(POVAL) PVA-203 등의 폴리비닐 알콜계 수지; 세키스이 케미칼 캄파니, 리미티드(SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.)에 의해 제조된 BX-1, BM-1, KS-1, 또는 KS-5 등의 폴리비닐 아세탈계 수지; 나가세 켐텍스 코포레이션(Nagase ChemteX Corporation)에 의해 제조된 토레신(TORESIN) FS-350 등의 폴리아미드계 수지; 니폰 쇼쿠바이 캄파니, 리미티드(NIPPON SHOKUBAI CO., LTD.)에 의해 제조된 아쿠알릭(AQUALIC) 또는 나마리이치 캄파니, 리미티드(Namariichi Co., Ltd.)에 의해 제조된 파인렉스(FINELEX) SG2000 등의 카르복실 기-함유 수지; DIC 코포레이션에 의해 제조된 루카미드(LUCKAMIDE) 등의 폴리아민 수지; 및 도레이 파인 케미칼스 캄파니, 리미티드(Toray Fine Chemicals Co., Ltd.)에 의해 제조된 QE-340M 등의 폴리티올 수지를 포함한다.
중합성 관능기를 갖는 수지의 중량 평균 분자량은 바람직하게는 5,000 내지 400,000의 범위에 속한다. 중합성 관능기를 갖는 수지의 중량 평균 분자량은 더 바람직하게는 5,000 내지 300,000이다.
조성물에서 화학식 1에 의해 제시되는 화합물과, 가교제 및/또는 중합성 관능기를 갖는 수지 간의 질량 비율은 포지티브 고스트를 억제하는 관점에서 바람직하게는 100:50 내지 100:250이다.
언더코팅층은 전자사진 감광체의 성막성 및 전기적 특성이 개선될 수 있도록 중합 생성물 외에 임의의 다른 수지 (임의의 중합성 관능기가 없는 수지), 유기 입자, 무기 입자, 레벨링제 등을 함유할 수 있다. 언더코팅층에서 임의의 그러한 물질의 함유량은 언더코팅층의 전체 질량에 대해 바람직하게는 50 질량% 이하, 더 바람직하게는 20 질량% 이하라는 점에 주목해야 한다.
언더코팅층은 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물을 함유하는 언더코팅층용 도포액의 도막을 형성하고; 도막을 건조시킴으로써 형성될 수 있다. 언더코팅층용 도포액의 도막의 건조시, 화학식 1에 의해 제시되는 화합물은 중합된다. 중합 반응 (경화 반응)은 그 때 열 에너지 또는 빛 에너지를 가함으로써 촉진된다.
언더코팅층용 도포액에 사용되는 용제는, 예를 들어, 알콜계 용제, 술폭시드계 용제, 케톤계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제, 또는 방향족 탄화수소 용제이다.
이하에서 전자 수송 물질의 구체적인 예를 나타낸다. 그러나, 본 발명은 이들로 한정되지 않는다. 또한, 복수의 전자 수송 물질을 조합해서 사용할 수 있다.
Figure 112014125486847-pat00005
Figure 112014125486847-pat00006
Figure 112014125486847-pat00007
Figure 112014125486847-pat00008
Figure 112014125486847-pat00009
Figure 112014125486847-pat00010
Figure 112014125486847-pat00011
표 1 내지 5는 화학식 1에 의해 제시되는 화합물에서 R2가 화학식 2에 의해 제시되는 1가 기인 경우를 나타낸다.
Figure 112014125486847-pat00012
Figure 112014125486847-pat00013
Figure 112014125486847-pat00014
Figure 112014125486847-pat00015
Figure 112014125486847-pat00016
Figure 112014125486847-pat00017
Figure 112014125486847-pat00018
Figure 112014125486847-pat00019
표 6 내지 10은 화학식 1에 의해 제시되는 화합물에서 R2가 화학식 3에 의해 제시되는 1가 기인 경우를 나타낸다.
화학식 1에 의해 제시되는 구조를 갖는 유도체 (전자 수송 물질의 유도체)는, 예를 들어, 미국 특허 제4,442,193호, 미국 특허 제4,992,349호, 미국 특허 제5,468,583호, 또는 문헌 [Chemistry of materials, Vol.19, No.11, 2703-2705 (2007)]에 개시된 공지된 합성 방법을 사용하여 합성할 수 있거나, 도쿄 케미칼 인더스트리 캄파니, 리미티드(Tokyo Chemical Industry Co., Ltd.), 시그마-알드리치 재팬 케이.케이.(Sigma-Aldrich Japan K.K.), 및 존슨 매티 재팬 인코포레이티드(Johnson Matthey Japan Incorporated)로부터 구입가능한 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물과 모노아민 유도체의 반응을 통해 합성할 수 있다.
화학식 1에 의해 제시되는 화합물은 가교제와 반응할 수 있는 중합성 관능기 (히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 또는 카르복실 기)를 갖는다. 임의의 이러한 중합성 관능기를 화학식 1에 의해 제시되는 구조를 갖는 유도체로 도입하는 방법으로서 중합성 관능기를 직접 화학식 1에 의해 제시되는 구조를 갖는 유도체로 도입하는 것을 포함하는 방법, 또는 중합성 관능기 또는 중합성 관능기의 전구체의 역할을 할 수 있는 관능기를 갖는 구조를 도입하는 것을 포함하는 방법이 이용가능하다. 후자의 방법으로서 나프틸이미드 유도체의 할로겐화물을 기재로, 팔라듐 촉매 및 염기를 사용하는 것을 포함하는 교차-결합 반응에 의해 관능기-함유 아릴 기를 도입하는 것을 포함하는 방법이 이용가능하다. 또한 나프틸이미드 유도체의 할로겐화물을 기재로, FeCl3 촉매 및 염기를 사용하는 것을 포함하는 교차-결합 반응에 의해 관능기-함유 알킬 기를 도입하는 것을 포함하는 방법이 이용가능하다. 또한 나프틸이미드 유도체의 할로겐화물에 리튬치환반응을 실시하고, 에폭시 화합물 또는 CO2를 생성물에 작용시켜 히드록시알킬 기 또는 카르복실 기를 도입하는 것을 포함하는 방법이 이용가능하다. 나프틸이미드 유도체의 합성시 원료로서, 중합성 관능기 또는 중합성 관능기의 전구체의 역할을 할 수 있는 관능기를 갖는 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물 유도체 또는 모노아민 유도체를 사용하는 것을 포함하는 방법이 이용가능하다.
본 발명의 전자사진 감광체는 지지체, 지지체 위에 형성된 언더코팅층, 및 언더코팅층 위에 형성된 감광층을 포함한 전자사진 감광체이다. 전자사진 감광체는 바람직하게는 전하 발생 물질을 함유한 전하 발생층 및 정공 수송 물질을 함유한 정공 수송층으로 분리되는 적층형 (기능 분리형) 감광층을 포함한다. 또한, 전자사진 특성의 관점에서 적층형 감광층은 바람직하게는 전하 발생층 및 정공 수송층을 지지체에 더 근접한 측에서부터 명시된 순서로 적층시킴으로써 얻은 순층형 감광층이다.
도 4a 및 도 4b는 각각 전자사진 감광체의 층 구성의 일례를 나타낸 도면이다. 도 4a는 지지체 (101), 지지체 (101) 위에 형성된 언더코팅층 (102), 및 언더코팅층 (102) 위에 형성된 감광층 (103)을 나타낸다. 또한, 도 4b는 언더코팅층 위에 형성된 전하 발생층 (104) 및 전하 발생층 위에 형성된 정공 수송층 (105)을 나타낸다.
일반적인 전자사진 감광체로서 원통형 지지체 위에 감광층 (전하 발생층 및 정공 수송층)을 형성함으로써 얻은 원통형 전자사진 감광제가 널리 사용되었지만, 벨트상 또는 층상 등의 형상의 전자사진 감광체 또한 사용될 수 있다.
[지지체]
지지체는 도전성을 갖는 지지체 (도전성 지지체)가 바람직하다. 예를 들어, 알루미늄, 니켈, 구리, 금, 또는 철 등의 금속, 또는 그의 합금으로 제조된 지지체를 사용할 수 있다. 그의 예로서 폴리에스테르 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리이미드 수지, 또는 유리 등의 절연성 지지체 위에 알루미늄, 은, 또는 금 등의 금속의 박막을 형성함으로써 얻은 지지체가 주어진다. 그의 예로서 또한 산화 인듐 또는 산화 주석 등의 도전성 재료의 박막이 그 위에 형성된 지지체가 주어진다.
지지체의 표면에 전자사진 감광체의 전기적 특성이 개선될 수 있고 간섭 무늬가 억제될 수 있도록 양극산화 등의 전기화학적 처리, 습식 호닝 처리, 블라스트 처리, 또는 절삭 처리를 실시할 수 있다.
지지체와 이후에 서술할 언더코팅층 사이에 도전층을 형성할 수 있다. 도전층은: 도전성 입자를 수지에 분산시킴으로써 수득된 도전층용 도포액의 도막을 지지체 위에 형성하고; 도막을 건조시킴으로써 얻어진다.
도전성 입자의 예로는 카본 블랙, 아세틸렌 블랙, 알루미늄, 니켈, 철, 니크롬, 구리, 아연, 또는 은 등의 금속의 분말, 및 도전성 산화 주석 또는 ITO 등의 금속 산화물의 분말을 포함한다.
또한, 수지의 예로는 폴리에스테르 수지, 폴리카르보네이트 수지, 폴리비닐 부티랄 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 우레탄 수지, 페놀 수지, 및 알키드 수지를 포함한다.
도전층용 도포액의 용제의 예로는 에테르계 용제, 알콜계 용제, 케톤계 용제, 및 방향족 탄화수소 용제를 포함한다. 도전층의 두께는 바람직하게는 0.2 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하, 더 바람직하게는 1 ㎛ 이상 35 ㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 5 ㎛ 이상 30 ㎛ 이하이다.
[감광층]
감광층 (전하 발생층 및 정공 수송층)을 언더코팅층 위에 형성한다. 복수의 전하 발생층을 형성할 수 있고 복수의 정공 수송층을 또한 형성할 수 있다.
전하 발생 물질의 예로는 아조 안료, 페릴렌 안료, 안트라퀴논 유도체, 안탄트론 유도체, 디벤즈피렌퀴논 유도체, 피란트론 유도체, 퀴논 안료, 인디고이드 안료, 프탈로시아닌 안료, 및 페리논 안료를 포함한다. 이들 중에서, 아조 안료 및 프탈로시아닌 안료가 바람직하다. 프탈로시아닌 안료 중에서, 옥시티타늄 프탈로시아닌, 클로로갈륨 프탈로시아닌, 및 히드록시 갈륨 프탈로시아닌이 바람직하다.
감광층이 적층형 감광층인 경우에 전하 발생층에 사용되는 결착 수지로서, 예를 들어: 스티렌, 아세트산 비닐, 염화 비닐, 아크릴산 에스테르, 메타크릴산 에스테르, 불화 비닐리덴, 또는 트리플루오로에틸렌 등의 비닐 화합물의 중합체 및 공중합체; 폴리비닐 알콜, 폴리비닐 아세탈, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 폴리술폰, 폴리페닐렌 옥시드, 폴리우레탄, 셀룰로스 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 실리콘 수지, 및 에폭시 수지가 주어진다. 이들 중에서, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 및 폴리비닐 아세탈이 바람직하다.
전하 발생층에서, 전하 발생 물질 대 결착 수지의 비율 (전하 발생 물질/결착 수지)은 바람직하게는 10/1 내지 1/10, 더 바람직하게는 5/1 내지 1/5의 범위에 속한다. 전하 발생층용 도포액에 사용되는 용제는, 예를 들어, 알콜계 용제, 케톤계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제, 또는 방향족 탄화수소 용제이다. 전하 발생층의 두께는 바람직하게는 0.05 ㎛ 이상 5 ㎛ 이하이다.
정공 수송 물질의 예로는 히드라존 화합물, 스티릴 화합물, 벤지딘 화합물, 부타디엔 화합물, 에나민 화합물, 트리아릴아민 화합물, 및 트리페닐아민을 포함한다. 그의 추가 예로는 이들 화합물 중 임의의 하나에서 유도된 기를 그의 주쇄 또는 측쇄에 각각 갖는 중합체를 포함한다.
정공 수송층에 사용되는 결착 수지의 예로는 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리메타크릴산 에스테르, 폴리아릴레이트, 폴리술폰, 및 폴리스티렌을 포함한다. 이들 중에서, 폴리카르보네이트 및 폴리아릴레이트가 바람직하다. 또한, 임의의 이러한 결착 수지의 중량 평균 분자량 (Mw)은 10,000 내지 300,000의 범위에 속하는 것이 바람직하다.
정공 수송층에서, 정공 수송 물질 대 결착 수지의 비율 (정공 수송 물질/결착 수지)은 바람직하게는 10/5 내지 5/10, 더 바람직하게는 10/8 내지 6/10의 범위에 속한다. 정공 수송층의 두께는 바람직하게는 5 ㎛ 이상 40 ㎛ 이하이다. 정공 수송층용 도포액에 사용되는 용제는, 예를 들어, 알콜계 용제, 케톤계 용제, 에테르계 용제, 에스테르계 용제, 또는 방향족 탄화수소 용제이다.
지지체와 언더코팅층 사이에 또는 언더코팅층과 감광층 사이에 본 발명의 중합체를 함유하지 않는 제2 언더코팅층 등의 또 다른 층을 형성할 수 있다는 점에 주목해야 한다.
또한, 감광층 (정공 수송층) 위에 도전성 입자 또는 정공 수송 물질 및 결착 수지를 함유한 보호층을 형성할 수 있다. 윤활제 등의 첨가제를 추가로 보호층에 함유시킬 수도 있다. 또한, 보호층의 결착 수지 자체에 도전성 또는 정공 수송성을 제공할 수 있고, 이 경우, 결착 수지 외에 도전성 입자 또는 정공 수송 물질을 보호층에 함유시키지 않을 수도 있다. 또한, 보호층의 결착 수지는 열가소성 수지일 수 있거나, 열, 빛, 또는 방사선 (전자선 등)으로 경화되는 경화성 수지일 수 있다.
언더코팅층, 전하 발생층, 또는 정공 수송층 등의 전자사진 감광체를 구성하는 각 층을 형성하는 방법으로서 다음의 방법이 바람직하다: 각 층을 구성하는 재료를 용제에 용해 및/또는 분산시켜 얻은 도포액을 도포하고, 생성된 도막을 건조 및/또는 경화시켜 층을 형성한다. 도포액을 도포하는 방법은, 예를 들어, 침지 도포법 (침지 코팅법), 스프레이 코팅법, 커튼 코팅법, 또는 스핀 코팅법이 있다. 이들 중에서, 효율성 및 생산성의 관점에서 침지 도포법이 바람직하다.
[프로세스 카트리지 및 전자사진 장치]
도 1은 전자사진 감광체를 갖춘 프로세스 카트리지를 포함한 전자사진 장치의 개략적 구성을 나타낸다.
도 1에서, 원통형 전자사진 감광체 (1)는 축 (2)을 중심으로 화살표에 의해 표시된 방향으로 소정의 주변 속도에서 회전 구동된다. 회전 구동되는 전자사진 감광체 (1)의 표면 (주변 표면)은 대전 유닛 (3) (접촉계 1차 대전기 또는 비접촉계 1차 대전기 등)에 의해 양 또는 음의 소정 전위로 대전된다. 이어서, 표면은 슬릿 노광 또는 레이저 빔 주사 노광 등의 노광 유닛 (미도시)으로부터의 노광 광 (화상 노광 광) (4)에 노출된다. 이렇게 하여, 전자사진 감광체 (1)의 표면에 목적 화상에 대응하는 정전 잠상이 순차적으로 형성된다.
이어서, 전자사진 감광체 (1)의 표면에 형성된 정전 잠상은 현상 유닛 (5)의 현상제에 있는 토너로 현상되어 토너 상이 된다. 전자사진 감광체 (1)의 표면에 형성되어 운반되는 토너 상은 전사 유닛 (6) (전사 롤러 등)으로부터 전사 바이어스에 의해 전사재 (P) (종이 등) 위로 순차적으로 전사된다. 전사재 (P)는 전사재 공급 유닛 (미도시)에서 전자사진 감광체 (1)와 전사 유닛 (6) 사이의 공간 (당접부)으로 전자사진 감광체 (1)의 회전과 동기화하여 급송된다는 점에 주목해야 한다.
토너 상이 전사된 전사재 (P)는 전자사진 감광체 (1)의 표면에서 분리되어 정착 유닛 (8)으로 도입되고, 여기서 상이 정착된다. 이로써, 전사재가 화상 형성물 (프린트물 또는 복사물)로서 장치의 외부로 출력된다.
토너 상의 전사 후 전자사진 감광체 (1)의 표면은 클리닝 유닛 (7) (클리닝 블레이드 등)에 의해 전사 잔류 현상제 (전사 잔류 토너)의 제거를 통해 클리닝된다. 이어서, 표면은 전 노광 유닛 (미도시)으로부터의 전 노광 광 (미도시)에 의해 제전 처리가 실시된 후, 화상 형성에 반복적으로 사용된다. 도 1에 나타낸 바와 같이 대전 유닛 (3)이 대전 롤러를 사용하는 접촉 대전 유닛인 경우, 전 노광이 반드시 필요하지는 않다는 점에 주목해야 한다.
다음의 절차를 채택할 수 있다: 전자사진 감광체 (1), 대전 유닛 (3), 현상 유닛 (5), 전사 유닛 (6), 및 클리닝 유닛 (7) 중 둘 이상을 선택하고, 용기에서 수납하고, 일체형으로 결합시켜 프로세스 카트리지를 구성하고, 프로세스 카트리지를 전자사진 장치의 본체에 착탈가능하게 탑재한다. 도 1에서, 전자사진 감광체 (1), 대전 유닛 (3), 현상 유닛 (5), 및 클리닝 유닛 (7)은 일체형으로 지지되어 카트리지를 제공하고, 이 카트리지는 전자사진 장치의 본체의 레일 등의 안내 유닛 (10)을 사용함으로써 전자사진 장치의 본체에 착탈가능하게 탑재된 프로세스 카트리지 (9)로서 사용된다.
이하에서, 본 발명을 실시예에 의해 더 상세히 설명한다. 실시예에서 용어 "부(들)"는 "질량부(들)"를 의미한다는 점에 주목해야 한다. 우선, 화학식 1에 의해 제시되는 이미드 화합물 (전자 수송 물질)의 합성 실시예를 설명한다. NMR 스펙트럼의 측정은 다음의 조건 하에 수행되었다.
사용된 측정기: (지올 리미티드(JEOL Ltd.)에 의해 제작된 JMN-EX400)
용매: 중수소화 클로로포름 (CDCl3)
(합성 실시예 1)
질소 분위기 하에, 5.4부의 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 4부의 4-헵틸아민, 및 3부의 2-아미노-1,3-프로판디올을 200부의 디메틸아세트아미드에 첨가하고, 혼합물을 실온에서 1 시간 동안 교반하여 용액을 조제했다. 조제한 후, 용액을 8 시간 동안 환류시키고 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매: 아세트산 에틸/톨루엔)에 의해 분리했다. 그 후, 목적 생성물을 함유한 분획을 농축시켰다. 농축물을 아세트산 에틸 및 톨루엔의 혼합 용액으로 재결정하여 2.0부의 목적 화합물을 얻었다. 핵자기공명 장치를 이용하여 수득된 화합물의 NMR 스펙트럼을 측정했다. 그 결과, 화합물은 예시 화합물 101인 것으로 밝혀졌다. 도 5는 그의 NMR 스펙트럼을 나타낸다.
(합성 실시예 2)
질소 분위기 하에, 5.4부의 나프탈렌테트라카르복실산 이무수물, 4부의 2,6-디이소프로필아닐린, 및 3부의 2-아미노-1,3-프로판디올을 200부의 디메틸아세트아미드에 첨가하고, 혼합물을 실온에서 1 시간 동안 교반하여 용액을 조제했다. 조제한 후, 용액을 10 시간 동안 환류시키고 실리카 겔 칼럼 크로마토그래피 (전개 용매: 아세트산 에틸/톨루엔)에 의해 분리했다. 그 후, 목적 생성물을 함유한 분획을 농축시켰다. 농축물을 아세트산 에틸 및 톨루엔의 혼합 용액으로 재결정하여 1.5부의 목적 화합물을 얻었다. 핵자기공명 장치를 이용하여 수득된 화합물의 NMR 스펙트럼을 측정했다. 그 결과, 화합물은 예시 화합물 202인 것으로 밝혀졌다. 도 6은 그의 NMR 스펙트럼을 나타낸다.
이어서, 전자사진 감광체의 제조 및 평가에 대해 설명한다.
(실시예 1)
260.5 ㎜의 길이 및 30 ㎜의 직경을 갖는 알루미늄 실린더 (JIS-A3003, 알루미늄 합금)를 지지체 (도전성 지지체)로서 사용했다.
이어서, 금속 산화물 입자로서 산소-결핍형 산화 주석 (SnO2)으로 피복된 이산화 티타늄 (TiO2) 입자 214부, 페놀 수지 (상품명: 프리오펜(PRIOPHEN) J-325, DIC 코포레이션에 의해 제조됨, 수지 고체 함유량: 60 질량%) 132부, 및 1-메톡시-2-프로판올 98부를 각각 0.8 ㎜의 직경을 갖는 유리 비즈 450부를 사용하는 샌드 밀에 넣고, 다음의 조건 하에 혼합물에 분산 처리를 실시했다: 2,000 rpm의 회전수, 4.5 시간의 분산 처리 시간, 및 18℃의 냉각수의 예비설정 온도. 이로써, 분산액을 조제했다. 메시 (구멍: 150 ㎛)를 사용하여 분산액에서 유리 비즈를 제거했다.
유리 비즈를 제거한 후 실리콘 수지 입자를 그의 함유량이 분산액 중의 금속 산화물 입자와 결착 수지의 총 질량에 대해 10 질량%가 되도록 분산액에 첨가했다. 또한, 실리콘 오일을 그의 함유량이 분산액 중의 금속 산화물 입자와 결착 수지의 총 질량에 대해 0.01 질량%가 되도록 분산액에 첨가한 후, 교반했다. 이로써, 도전층용 도포액을 조제했다. 도전층용 도포액을 지지체 위에 침지에 의해 도포하여 도막을 형성하고, 얻은 도막을 150℃에서 30 분간 건조 및 열 경화시켜 30 ㎛의 두께를 갖는 도전층을 형성했다. 실리콘 수지 입자로서 모멘티브 퍼포먼스 머티리얼스 인코포레이티드(Momentive Performance Materials Inc.)에 의해 제조된 토스펄(TOSPEARL) 120 (평균 입경: 2 ㎛)을 사용했다. 실리콘 오일로서 다우 코닝 도레이 캄파니, 리미티드(Dow Corning Toray Co., Ltd.)에 의해 제조된 SH28PA를 사용했다.
이어서, 4부의 예시 화합물 (101), 1.5부의 폴리비닐 부티랄 수지 (상품명: BX-1, 세키스이 케미칼 캄파니, 리미티드(SEKISUI CHEMICAL CO., LTD.)에 의해 제조됨), 및 촉매로서 0.0005부의 옥틸산 아연(II)을 100부의 디메틸아세트아미드와 100부의 테트라히드로푸란의 혼합 용매에 용해시켰다. 6부의 고체 함유량에 해당하는 블록 이소시아네이트 (상품명: BL3175, 스미카 바이엘(Sumika Bayer)에 의해 제조됨)를 용액에 첨가하여 언더코팅층용 도포액을 조제했다. 언더코팅층용 도포액을 도전층 위에 침지에 의해 도포하여 도막을 형성하고, 얻은 도막을 160℃에서 40 분간 열 경화시켜 1.5 ㎛의 두께를 갖는 언더코팅층을 형성했다.
이어서, 7.5°, 9.9°, 12.5°, 16.3°, 18.6°, 25.1°, 및 28.3°의 CuKα 특성 X선 회절의 브래그(Bragg) 각 (2θ±0.2°)에서 피크를 갖는 결정형의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정 (전하 발생 물질)을 준비했다. 10부의 히드록시갈륨 프탈로시아닌 결정, 5부의 폴리비닐 부티랄 수지 (상품명: S-LEC BX-1, 세키스이 케미칼 캄파니, 리미티드에 의해 제조됨), 및 250부의 시클로헥사논을 각각 1 ㎜의 직경을 갖는 유리 비즈를 사용하는 샌드 밀에 넣고, 2 시간 동안 혼합물에 분산 처리를 실시했다. 이어서, 250부의 아세트산 에틸을 생성물에 첨가하여 전하 발생층용 도포액을 조제했다. 전하 발생층용 도포액을 언더코팅층 위에 침지에 의해 도포하여 도막을 형성하고, 얻은 도막을 95℃의 온도에서 10 분간 건조시켜 0.15 ㎛의 두께를 갖는 전하 발생층을 형성했다.
이어서, 하기 화학식 4에 의해 제시되는 아민 화합물 (정공 수송 물질) 8부 및 하기 화학식 5에 의해 제시되는 구조 단위를 갖는 폴리아릴레이트 수지 10부를 40부의 디메톡시메탄 및 60부의 클로로벤젠의 혼합 용매에서 용해시켜 정공 수송층용 도포액을 조제했다. 폴리아릴레이트 수지는 100,000의 중량 평균 분자량 (Mw)을 가졌다. 정공 수송층용 도포액을 전하 발생층 위에 침지에 의해 도포하여 도막을 형성하고, 얻은 도막을 120℃의 온도에서 40 분간 건조시켜 15 ㎛의 두께를 갖는 정공 수송층을 형성했다.
Figure 112014125486847-pat00020
Figure 112014125486847-pat00021
이렇게 하여, 지지체 위에, 도전층, 언더코팅층, 전하 발생층, 및 정공 수송층을 포함한 전자사진 감광체를 제조했다.
제조한 전자사진 감광체를 23℃의 온도 및 50%RH의 습도를 갖는 환경 하에 캐논 인코포레이티드(Canon Inc.)에 의해 제작된 레이저 빔 프린터 (상품명: LBP-2510)의 개조기에 장착한 후, 그의 표면 전위의 측정 및 출력 화상의 평가를 실시했다. 프린터를 다음과 같이 개조했다: 1차 대전을 롤러 접촉 DC 대전으로 변경하고, 그의 프로세스 속도를 120 ㎜/초로 변경하고, 레이저 노광을 수행했다. 앞서 말한 것에 대한 세부사항은 하기에 서술된 바와 같다.
(표면 전위의 측정)
레이저 빔 프린터의 시안색용 프로세스 카트리지를 개조하고 전위 프로브 (모델 6000B-8: 트렉 재팬(TREK JAPAN)에 의해 제조됨)를 현상 위치에 장착했다. 그리고 나서, 전자사진 감광체의 중앙부에서의 전위를 표면 전위계 (모델 344: 트렉 재팬에 의해 제조됨)를 사용하여 측정했다. 전자사진 감광체의 표면 전위의 측정 동안, 초기 암부 전위 (Vd)가 -600 V가 되고 초기 명부 전위 (Vl)가 -150 V가 되도록 화상 노광의 광량을 설정했다.
이어서, 제조한 전자사진 감광체를 레이저 빔 프린터의 시안색용 프로세스 카트리지에 장착하고, 프로세스 카트리지를 시안 프로세스 카트리지 스테이션에 장착한 후, 화상을 출력했다. 우선, 전면 백색 화상 1장, 고스트 평가용 화상 5장, 전면 흑색 화상 1장, 및 고스트 평가용 화상 5장을 명시된 순서로 연속해서 출력했다.
고스트 평가용 각각의 화상은 도 2에 나타낸 바와 같이 화상의 선두부에서 "백색 화상" 중 사각 "전면 화상(solid image)"을 출력하고; 출력 후 도 3에 나타낸 "1 도트 계마 패턴의 하프톤 화상"을 작성함으로써 얻어진다. 도 2에서 "고스트" 부분은 "전면 화상"에 기인한 고스트가 출현할 수 있는 부분이라는 점에 주목해야 한다.
포지티브 고스트의 평가는 1 도트 계마 패턴의 하프톤 화상의 화상 농도와 고스트 부분의 화상 농도 간의 차를 측정함으로써 수행되었다. 농도 차는 분광 농도계 (상품명: 엑스-라이트(X-Rite) 504/508, 엑스-라이트에 의해 제조됨)를 사용하여 1장의 고스트 평가용 화상에서 10개 위치에서 측정했다. 고스트 평가용 화상 10장 모두에 대해 조작을 수행했고, 총 100개의 측정 값의 평균을 산출했다. 표 11은 결과를 나타낸다. 농도 차 (맥베스(Macbeth) 농도 차)가 클수록, 포지티브 고스트가 더 강하게 발생한다. 농도 차 (맥베스 농도 차)가 줄어든다는 사실은 포지티브 고스트가 억제되는 것을 의미한다.
(실시예 2 내지 77)
화학식 1에 의해 제시되는 화합물, 가교제, 및 중합성 관능기를 갖는 수지의 종류 및 함유량을 표 11 및 12에 나타낸 바와 같이 변경한 점을 제외하고 실시예 1에서와 같은 동일한 방법으로 전자사진 감광체를 제조하고, 고스트에 대한 평가를 유사하게 수행했다. 표 11 및 12는 결과를 나타낸다.
(비교 실시예 1)
이하의 언더코팅층용 도포액을 사용한 점을 제외하고 실시예 1에서와 같은 동일한 방법으로 전자사진 감광체를 제조하고, 고스트에 대한 평가를 유사하게 수행했다. 표 12는 결과를 나타낸다.
하기 화학식 6에 의해 제시되는 화합물 3부 및 폴리아미드 수지 (아밀란(AMILAN) CM8000, 도레이 인더스트리스, 인코포레이티드(Toray Industries, Inc.)에 의해 제조됨) 7부를 120부의 부탄올, 100부의 메탄올, 및 30부의 디메틸포름아미드 (DMF)의 혼합 용매에 용해시켜 언더코팅층용 도포액을 조제했다.
Figure 112014125486847-pat00022
(비교 실시예 2)
이하의 언더코팅층용 도포액을 사용한 점을 제외하고 실시예 1에서와 같은 동일한 방법으로 전자사진 감광체를 제조하고, 고스트에 대한 평가를 유사하게 수행했다. 표 12는 결과를 나타낸다.
하기 화학식 7에 의해 제시되는 화합물 5부 및 폴리아미드 수지 (아밀란 CM8000) 5부를 120부의 부탄올, 100부의 메탄올, 및 30부의 DMF의 혼합 용매에 용해시켜 언더코팅층용 도포액을 조제했다.
Figure 112014125486847-pat00023
(비교 실시예 3)
이하의 언더코팅층용 도포액을 사용한 점을 제외하고 실시예 1에서와 같은 동일한 방법으로 전자사진 감광체를 제조하고, 고스트에 대한 평가를 유사하게 수행했다. 표 12는 결과를 나타낸다.
하기 화학식 8에 의해 제시되는 화합물 10부 및 페놀 수지 (PL-4804, 군 에이 케미칼 인더스트리 캄파니, 리미티드(Gun Ei Chemical Industry Co., Ltd.)에 의해 제조됨) 5부를 200부의 디메틸포름아미드 및 150부의 벤질 알콜의 혼합 용매에 용해시켜 언더코팅층용 도포액을 조제했다.
Figure 112014125486847-pat00024
＜용출 시험＞
각각의 실시예 1 내지 77에서 조제한 0.5 그램의 언더코팅층용 도포액을 와이어 바 방법에 의해 알루미늄 시트 위로 균일하게 도포하고, 생성된 도막을 160℃의 온도에서 30 분간 가열하고 중합 (경화)시켜 샘플을 얻었다. 샘플의 중앙부에서 100 ㎜×50 ㎜의 측정할 영역만 잘라내고, 각각 20℃의 온도를 갖는 아논 및 아세트산 에틸의 혼합액 (중량비＝1:1)에서 10 분간 침지시키고, 그의 침지 전의 초기 중량과 그의 침지 후의 중량을 측정했다. 또한, 샘플 위에 형성된 도막을 긁어내어 알루미늄 시트의 중량을 측정했다. 침지 후 중량 감소율 (용출량, %)을 하기 수학식으로부터 결정했다.
침지 후 중량 감소율 (%) ＝ ((초기 중량 － 침지 후 중량)/(초기 중량 － 알루미늄 시트의 중량))×100
침지 후 중량 감소율 (%)이 5% 이하인 경우, 언더코팅층은 거의 용출되지 않는 막인 것으로 판단되었다. 그 결과, 실시예 1 내지 77에서 형성된 언더코팅층은 각각 5% 이하의 침지 후 중량 감소율 (%)을 갖고 거의 용출되지 않는 막인 것으로 밝혀졌다.
Figure 112014125486847-pat00025
Figure 112014125486847-pat00026
Figure 112014125486847-pat00027
Figure 112014125486847-pat00028
표 11 및 12에서, 가교제 1은 이소시아네이트계 가교제 (상품명: 데스모듀어 BL3175, 스미카 바이엘 우레탄에 의해 제조됨 (고체 함유량: 60%))이고, 가교제 2는 이소시아네이트계 가교제 (상품명: 데스모듀어 BL3575, 스미카 바이엘 우레탄에 의해 제조됨 (고체 함유량: 60%))이고, 가교제 3은 부틸화 멜라민계 가교제 (상품명: 슈퍼 벡카민 J821-60, DIC 코포레이션에 의해 제조됨 (고체 함유량: 60%))이고, 가교제 4는 부틸화 우레아계 가교제 (상품명: 벡카민 P138, DIC 코포레이션에 의해 제조됨 (고체 함유량: 60%))이다.
표 11 및 12에서, 수지 1 (중합성 관능기를 갖는 수지)은 1 g 당 3.3 mmol의 히드록시 기의 몰수 및 1×105의 분자량을 갖는 폴리비닐 아세탈 수지이고, 수지 2는 1 g 당 3.3 mmol의 히드록시 기의 몰수 및 2×104의 분자량을 갖는 폴리비닐 아세탈 수지이고, 수지 3은 1 g 당 2.5 mmol의 히드록시 기의 몰수 및 3.4×105의 분자량을 갖는 폴리비닐 아세탈 수지이다.
본 발명을 예시적인 실시양태를 참조하여 기재하였으나, 본 발명은 개시된 예시적인 실시양태로 한정되지 않는 것으로 이해해야 한다. 하기의 특허청구범위의 범주는 그러한 모든 변형 및 등가 구조 및 기능을 포괄하도록 최광의 해석이 부여되어야 한다.

Claims (14)

  1. 지지체;
    지지체 위의 언더코팅층; 및
    언더코팅층 위의 감광층을 포함하는 전자사진 감광체로서,
    상기 언더코팅층이 하기 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물을 포함하는 전자사진 감광체:
    ＜화학식 1＞
    Figure 112016020179000-pat00029

    화학식 1 중,
    R1은, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타내고;
    중합성 관능기는 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 또는 카르복실 기이고;
    R7은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
    R2는, 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 비치환 또는 치환된 알킬 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR8로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 치환된 아릴 기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
    치환된 알킬 기의 치환기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 벤질 기, 알콕시카르보닐 기, 또는 페닐 기이고;
    치환된 아릴 기의 치환기는 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 알콕시 기, 티오알콕시 기, 또는 아미노알콕시 기이고, 아릴 기가 갖는 수소 원자 이외의 모든 치환기의 원자수는 4 이상이고;
    R3 내지 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 비치환 또는 치환된 알킬 기, 또는 비치환 또는 치환된 아릴 기를 나타낸다.
  2. 제1항에 있어서,
    R1이, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 3개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 3개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 3개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타내는 전자사진 감광체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    R2가 하기 화학식 2에 의해 제시되는 1가 기를 나타내는 전자사진 감광체:
    ＜화학식 2＞
    Figure 112016020179000-pat00030

    화학식 2에서,
    L1은 수소 원자를 나타내고;
    L2 및 L3은, 각각 독립적으로, 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 비치환 또는 치환된 알킬 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR8로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타내고;
    치환된 알킬 기의 치환기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 벤질 기, 알콕시카르보닐 기, 또는 페닐 기이다.
  4. 지지체;
    지지체 위의 언더코팅층; 및
    언더코팅층 위의 감광층을 포함하는 전자사진 감광체로서,
    상기 언더코팅층이 하기 화학식 1에 의해 제시되는 화합물을 포함한 조성물의 중합 생성물을 포함하는 전자사진 감광체:
    ＜화학식 1＞
    Figure 112016020179000-pat00043

    화학식 1 중,
    R1은, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타내고;
    중합성 관능기는 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 또는 카르복실 기이고;
    R7은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
    R3 내지 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 비치환 또는 치환된 알킬 기, 또는 비치환 또는 치환된 아릴 기를 나타내고;
    R2가 하기 화학식 3에 의해 제시되는 1가 기를 나타내고;
    ＜화학식 3＞
    Figure 112016020179000-pat00031

    화학식 3에서,
    S1은 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 메톡시 기, 에톡시 기, 티오메톡시 기, 티오에톡시 기, 아미노메톡시 기, 또는 아미노에톡시 기를 나타내고;
    S2 내지 S5는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 알콕시 기, 티오알콕시 기, 또는 아미노알콕시 기를 나타낸다.
  5. 제1항, 제2항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    조성물이 가교제를 추가로 포함하는 전자사진 감광체.
  6. 제5항에 있어서,
    가교제가 이소시아네이트 기 또는 블록 이소시아네이트 기를 갖는 이소시아네이트 화합물, 또는 N-메틸올 기 또는 알킬-에테르화 N-메틸올 기를 갖는 아민 화합물 중 하나인 전자사진 감광체.
  7. 제5항에 있어서,
    조성물이 중합성 관능기를 갖는 수지를 추가로 포함하는 전자사진 감광체.
  8. 제7항에 있어서,
    수지의 중합성 관능기가 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 카르복실 기, 및 메톡시 기 중 하나인 전자사진 감광체.
  9. 제7항에 있어서,
    조성물에서 화학식 1에 의해 제시되는 화합물과, 가교제 및 중합성 관능기를 갖는 수지 중 적어도 하나 간의 질량 비율이 100:50 내지 100:250인 전자사진 감광체.
  10. 제1항, 제2항 또는 제4항 중 어느 한 항에 따른 전자사진 감광체; 및
    대전 유닛, 현상 유닛, 및 클리닝 유닛으로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상의 유닛을 포함하며,
    상기 전자사진 감광체 및 상기 하나 이상의 유닛을 일체형으로 지지하고,
    전자사진 장치의 본체에 착탈가능하게 탑재되는 프로세스 카트리지.
  11. 제1항, 제2항 또는 제4항 중 어느 한 항에 따른 전자사진 감광체;
    대전 유닛;
    노광 유닛;
    현상 유닛; 및
    전사 유닛을 포함하는 전자사진 장치.
  12. 하기 화학식 1에 의해 제시되는 이미드 화합물:
    ＜화학식 1＞
    Figure 112016020179000-pat00032

    화학식 1 중,
    R1은, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타내고;
    중합성 관능기는 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 또는 카르복실 기이고;
    R7은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
    R3 내지 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 비치환 또는 치환된 알킬 기, 또는 비치환 또는 치환된 아릴 기를 나타내고;
    R2가 하기 화학식 2에 의해 제시되는 1가 기를 나타내고;
    ＜화학식 2＞
    Figure 112016020179000-pat00033

    화학식 2에서,
    L1은 수소 원자를 나타내고;
    L2 및 L3은, 각각 독립적으로, 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 비치환 또는 치환된 알킬 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 1 내지 6개의 주쇄 원자를 갖고 비치환 또는 치환된 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR8로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 치환 또는 비치환된 아릴 기를 나타내고, R8은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
    치환된 알킬 기의 치환기는 1 내지 6개의 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 벤질 기, 알콕시카르보닐 기, 또는 페닐 기이다.
  13. 하기 화학식 1에 의해 제시되는 이미드 화합물:
    ＜화학식 1＞
    Figure 112016020179000-pat00044

    화학식 1 중,
    R1은, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 산소 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 황 원자로 치환된 것에서 유래된 기, 또는 2개 이상의 중합성 관능기를 갖고 1 내지 6개의 주쇄 탄소 원자를 갖는 알킬 기의 주쇄에서 CH2 중 하나가 NR7로 치환된 것에서 유래된 기를 나타내고;
    중합성 관능기는 히드록시 기, 티올 기, 아미노 기, 또는 카르복실 기이고;
    R7은 수소 원자 또는 알킬 기를 나타내고;
    R3 내지 R6은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 비치환 또는 치환된 알킬 기, 또는 비치환 또는 치환된 아릴 기를 나타내고;
    R2가 하기 화학식 3에 의해 제시되는 1가 기를 나타내고;
    ＜화학식 3＞
    Figure 112016020179000-pat00034

    화학식 3에서,
    S1은 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 메톡시 기, 에톡시 기, 티오메톡시 기, 티오에톡시 기, 아미노메톡시 기, 또는 아미노에톡시 기를 나타내고;
    S2 내지 S5는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로겐 원자, 시아노 기, 니트로 기, 메틸 기, 에틸 기, 이소프로필 기, n-프로필 기, n-부틸 기, 아실 기, 알콕시카르보닐 기, 알콕시 기, 티오알콕시 기, 또는 아미노알콕시 기를 나타낸다.
  14. 삭제
KR1020140187875A 2013-12-26 2014-12-24 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물 KR101716553B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013269676 2013-12-26
JPJP-P-2013-269676 2013-12-26
JPJP-P-2014-079018 2014-04-07
JP2014079018 2014-04-07
JP2014246835A JP6468825B2 (ja) 2013-12-26 2014-12-05 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置およびイミド化合物
JPJP-P-2014-246835 2014-12-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150076107A KR20150076107A (ko) 2015-07-06
KR101716553B1 true KR101716553B1 (ko) 2017-03-14

Family

ID=52133941

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140187875A KR101716553B1 (ko) 2013-12-26 2014-12-24 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9477163B2 (ko)
EP (1) EP2889688B1 (ko)
JP (1) JP6468825B2 (ko)
KR (1) KR101716553B1 (ko)
CN (1) CN104749909B (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9760030B2 (en) 2014-10-24 2017-09-12 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
US9772568B2 (en) 2015-03-30 2017-09-26 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP6579824B2 (ja) 2015-06-25 2019-09-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9851648B2 (en) 2015-06-25 2017-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge and electrophotographic apparatus
JP6732550B2 (ja) 2015-06-25 2020-07-29 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
US9811011B2 (en) 2015-06-25 2017-11-07 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP6833343B2 (ja) * 2016-05-09 2021-02-24 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP7060923B2 (ja) 2017-05-25 2022-04-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP7433867B2 (ja) * 2019-11-29 2024-02-20 キヤノン株式会社 画像形成装置及びプロセスカートリッジ
JP2021167928A (ja) 2020-04-13 2021-10-21 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2023183166A (ja) * 2022-06-15 2023-12-27 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置及び電子写真感光体の製造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7820780B2 (en) 2005-05-27 2010-10-26 Xerox Corporation Polymers of napthalene tetracarboxylic diimide dimers
JP2014215477A (ja) 2013-04-25 2014-11-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1195762B (de) * 1962-09-12 1965-07-01 Bayer Ag Verfahren zur Herstellung von neuen Naphthalin-1, 4, 5, 8-tetracarbonsaeurediimiden
US4442193A (en) 1983-02-22 1984-04-10 Eastman Kodak Company Photoconductive compositions and elements containing naphthalene bis-dicarboximide compounds
US4992349A (en) 1989-11-06 1991-02-12 Eastman Kodak Company Cyclic bis-dicarboximide charge transport compounds for electrophotography
US5468583A (en) 1994-12-28 1995-11-21 Eastman Kodak Company Cyclic bis-dicarboximide electron transport compounds for electrophotography
JPWO2002040479A1 (ja) * 2000-11-14 2004-03-25 塩野義製薬株式会社 抗ヘリコバクター剤
KR100739683B1 (ko) * 2004-04-09 2007-07-13 삼성전자주식회사 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드 유도체를 포함한유기감광체 및 이를 채용한 전자사진 화상형성장치
KR100708140B1 (ko) 2005-06-13 2007-04-16 삼성전자주식회사 전자수송물질로서 나프탈렌테트라카르복실산 디이미드유도체를 전하발생층에 포함하는 전자사진 감광체 및 이를채용한 전자사진 화상형성장치
JP4630804B2 (ja) * 2005-11-30 2011-02-09 キヤノン株式会社 置換ヒドロキシフェニル化合物
JP4649321B2 (ja) 2005-11-30 2011-03-09 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP2007193210A (ja) * 2006-01-20 2007-08-02 Canon Inc 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP4859239B2 (ja) 2007-03-30 2012-01-25 キヤノン株式会社 電子写真感光体の製造方法
JP5147274B2 (ja) * 2007-03-30 2013-02-20 キヤノン株式会社 新規なイミド化合物及びそれを用いた電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
WO2010087520A1 (en) * 2009-01-30 2010-08-05 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic photosensitive member, process cartridge, and electrophotographic apparatus
JP5430352B2 (ja) * 2009-11-02 2014-02-26 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP4958995B2 (ja) 2010-08-27 2012-06-20 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
KR101599578B1 (ko) 2012-06-29 2016-03-03 캐논 가부시끼가이샤 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7820780B2 (en) 2005-05-27 2010-10-26 Xerox Corporation Polymers of napthalene tetracarboxylic diimide dimers
JP2014215477A (ja) 2013-04-25 2014-11-17 キヤノン株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20150185637A1 (en) 2015-07-02
EP2889688A1 (en) 2015-07-01
CN104749909B (zh) 2019-02-22
KR20150076107A (ko) 2015-07-06
US9477163B2 (en) 2016-10-25
JP6468825B2 (ja) 2019-02-13
JP2015206991A (ja) 2015-11-19
EP2889688B1 (en) 2017-09-13
CN104749909A (zh) 2015-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101716553B1 (ko) 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물
JP6463104B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び電子写真装置
JP6456126B2 (ja) 電子写真感光体の製造方法
KR101599579B1 (ko) 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
KR101599578B1 (ko) 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
JP6904668B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
KR101716006B1 (ko) 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물
KR20150076085A (ko) 전자사진 감광체, 전자사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지, 및 전자사진 장치
JP5826212B2 (ja) 電子写真感光体の製造方法
KR101594216B1 (ko) 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
KR101599581B1 (ko) 전자 사진 감광체, 프로세스 카트리지 및 전자 사진 장치
KR101595617B1 (ko) 전자 사진 감광체, 전자 사진 감광체의 제조 방법, 프로세스 카트리지, 및 전자 사진 장치
JP5784074B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP5832478B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置
JP6700714B2 (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、電子写真装置およびイミド化合物
KR101671056B1 (ko) 전자사진 감광체, 프로세스 카트리지, 전자사진 장치, 및 이미드 화합물
JP2015210446A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および電子写真装置
RU2565581C2 (ru) Электрофотографический фоточувствительный элемент, картридж для печати и электрофотографический аппарат
JP2015222410A (ja) 電子写真装置
RU2576433C2 (ru) Электрофотографический фоточувствительный элемент, картридж для печати и электрофотографический аппарат
RU2566607C2 (ru) Электрофотографический светочувствительный элемент, рабочий картридж и электрофотографическое устройство
JP2015210447A (ja) 電子写真感光体、プロセスカートリッジ、および電子写真装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200226

Year of fee payment: 4