JP6271966B2 - 電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体の製造方法、ならびに、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。

プロセスカートリッジや電子写真装置に搭載される電子写真感光体として、有機光導電性物質を含有する電子写真感光体が主として用いられている。上述の電子写真感光体は、成膜性が良く、塗工によって生産できるため、電子写真感光体の生産性が高いという利点を有している。

電子写真感光体は、一般的に、支持体および支持体上に形成された感光層を有する。また、支持体から感光層側への電荷注入を抑制し、黒ポチなどの画像欠陥の発生を抑えることを目的として、支持体と感光層との間には下引き層が設けられることが多い。

近年、電子写真感光体の電荷発生物質として、より高い感度を有するものが用いられるようになってきている。

しかしながら、電荷発生物質が高感度化し、電荷の発生量が多くなることに伴い、電荷が感光層中に滞留しやすく、ゴーストが発生しやすいという問題があった。具体的には、出力画像において、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、所謂ポジゴーストという現象が発生しやすい。そこで、電位変動を抑制する技術として、下引き層に電子輸送性化合物を含有させて、下引き層を電子輸送能を有する膜（以下「電子輸送膜」とも称する。）とする技術が開示されている。

特許文献１および２には、下引き層にイミド化合物などの電子輸送性化合物を含有させて、ポジゴーストを抑制する技術が記載されている。

さらに、特許文献３には、下引き層中にＺｒやＴｉなどの金属元素を有する有機金属化合物を電子輸送性化合物とともに含有させて、ポジゴーストを抑制する技術が記載されている。

特開２００１−８３７２６号公報 特開２００３−３４５０４４号公報 特開平９−１９７７０１号公報

近年、電子写真画像の品質に対する要求はますます高まっており、上述のポジゴーストに対する許容範囲も格段に厳しいものとなっている。そして、本発明者らの検討の結果、特許文献１、２および３に開示された技術では、初期のポジゴーストの抑制が十分に改善されていない場合があり、さらなる改善の必要があることがわかった。

本発明の目的は、初期のポジゴーストが抑制された電子写真感光体および該電子写真感光体の製造方法、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。

本発明は、支持体と、下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体において、該下引き層は、電子輸送性を有し、該下引き層が、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属と有機酸の塩を含有することを特徴とする電子写真感光体に関する。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。

また、本発明は、上記電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置に関する。

また、本発明は、支持体と、電子輸送性を有する下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体の製造方法であって、該製造方法がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属と有機酸の塩を含有する下引き層用塗布液を用いて塗膜を形成する工程、および、該塗膜を乾燥させて該下引き層を形成する工程を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法に関する。

本発明によれば、初期のポジゴーストが抑制された電子写真感光体および該電子写真感光体の製造方法、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。

電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図である。 ゴースト画像評価の際に用いるゴースト評価用画像を説明する図である。 １ドット桂馬パターン画像を説明する図である。 電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。

本発明は、電子写真感光体の下引き層が、電子輸送膜であり、かつ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を有する有機酸金属塩（有機酸金属）を含有することを特徴とする。

上記電子写真感光体が、初期のポジゴーストを抑制する理由について、本発明者らは、以下のように推測している。

下引き層が電子輸送膜であることにより、電子の輸送を促進し、電子の滞留を抑制する作用を有する。さらに、下引き層にＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を有する有機酸金属塩を用いることで、下引き層中の電子の流れを促進し、より電子を輸送しやすい下引き層を形成することができると考えている。電子の流れが促進されることで、下引き層中の電子の滞留が抑制され、初期のポジゴーストが抑制されると考えている。

特許文献３に開示された技術として、電子輸送膜である下引き層に含有させる有機金属化合物の金属元素として、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎなどが用いられている。ここで、Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｒｅｖｉｅｗｓ，６３（３），２２１−２３４（１９６３）には、脂肪酸金属塩（有機酸金属塩の１種）の双極子モーメントの値について記載されている。この文献から、元素周期表の周期番号が小さいほど、また、遷移元素においては族番号が大きいほど金属元素自身の極性は小さくなる傾向があると考えられる。なお、遷移元素は、Ｄブロック元素（第４周期元素）：第３族元素から第１２族元素までのことである。したがって、上述の金属元素（Ｚｒ、Ｔｉ、Ｓｎなど）を有する有機金属化合物では、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎの金属元素を有する有機酸金属塩と比べると極性が大きいと考えられる。極性が大きい金属元素を有する有機酸金属化合物を下引き層に含有させると、極性が大きい有機酸金属化合物の金属元素に電子が捕捉され、下引き層中の電子の流れが低下しやすくなると考えている。これにより、初期のポジゴーストが発生してしまうと考えられる。

本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体上に形成された下引き層および該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体である。該感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と正孔輸送物質を含有する正孔輸送層とに分離した積層型（機能分離型）感光層であることが好ましい。

図４の（ａ）および（ｂ）は、電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図４の（ａ）および（ｂ）中、１０１は支持体であり、１０２は下引き層であり、１０３は感光層であり、１０４は電荷発生層、１０５は正孔輸送層である。

一般的な電子写真感光体として、円筒状支持体上に感光層（電荷発生層、正孔輸送層）を形成してなる円筒状の電子写真感光体が広く用いられるが、ベルト状、シート状などの形状とすることも可能である。

〔下引き層〕
支持体または導電層と、感光層との間に下引き層が設けられる。

下引き層としての電子輸送膜は、電子を感光層側から支持体側へと流す役割を果たす膜である。具体的には、電子輸送性化合物または電子輸送性化合物を含む組成物を硬化させて得られた硬化膜、電子輸送性化合物を含有する膜であることが好ましい。電子輸送性化合物を含有する膜である場合、該電子輸送性化合物が顔料であってもよい。

前記硬化膜は、前記組成物中に、さらに、樹脂および架橋剤を含有し、この組成物を硬化させて得られた硬化膜であることがより好ましい。硬化膜の場合、電子輸送性化合物および樹脂は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物、重合性官能基を有する樹脂であることが好ましい。上述の重合性官能基としては、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、メトキシ基が挙げられる。

電子輸送性化合物（電子輸送性顔料）としては、例えば、キノン化合物、イミド化合物、ベンゾイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物などが挙げられる。

以下に、電子輸送性化合物、重合性官能基を有する電子輸送性化合物の具体例を示すが、これらに限定されるものではない。下記式（Ａ１）〜（Ａ９）のいずれかで示される化合物が挙げられる。

式（Ａ１）〜（Ａ９）中、Ｒ^１０１〜Ｒ^１０６、Ｒ^２０１〜Ｒ^２１０、Ｒ^３０１〜Ｒ^３０８、Ｒ^４０１〜Ｒ^４０８、Ｒ^５０１〜Ｒ^５１０、Ｒ^６０１〜Ｒ^６０６、Ｒ^７０１〜Ｒ^７０８、Ｒ^８０１〜Ｒ^８１０、Ｒ^９０１〜Ｒ^９０８は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または複素環を示す。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ^１（Ｒ^１はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される基である。該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基およびカルボニル基からなる群より選択される基である。Ｚ^２０１、Ｚ^３０１、Ｚ^４０１およびＺ^５０１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ^２０１が酸素原子である場合はＲ^２０９およびＲ^２１０は存在せず、Ｚ^２０１が窒素原子である場合はＲ^２１０は存在しない。Ｚ^３０１が酸素原子である場合はＲ^３０７およびＲ^３０８は存在せず、Ｚ^３０１が窒素原子である場合はＲ^３０８は存在しない。Ｚ^４０１が酸素原子である場合はＲ^４０７およびＲ^４０８は存在せず、Ｚ^４０１が窒素原子である場合はＲ^４０８は存在しない。Ｚ^５０１が酸素原子である場合はＲ^５０９およびＲ^５１０は存在せず、Ｚ^５０１が窒素原子である場合はＲ^５１０は存在しない。

式（Ａ）中、α、βおよびγの少なくとも１つは置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。

αは、主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ^２（Ｒ^２はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。

βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル置換フェニレン基、ニトロ置換フェニレン基、ハロゲン置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。

γは、水素原子、炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ^３（Ｒ^３はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい
また、これら式（Ａ１）〜（Ａ９）は多量体、重合体および共重合体を形成していてもよい。

表１に、上記式（Ａ１）で示される化合物の具体例を示す。表１中、Ａ１−１〜Ａ１−６、Ａ１−９〜Ａ１−１４は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表２に、上記式（Ａ２）で示される化合物の具体例を示す。表２中、Ａ２−１〜Ａ２−２、Ａ２−４〜Ａ２−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表３に、上記式（Ａ３）で示される化合物の具体例を示す。表３中、Ａ３−１〜Ａ３−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表４に、上記式（Ａ４）で示される化合物の具体例を示す。表４中、Ａ４−２〜Ａ４−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表５に、上記式（Ａ５）で示される化合物の具体例を示す。表５中、Ａ５−１〜Ａ５−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表６に、上記式（Ａ６）で示される化合物の具体例を示す。表６中、Ａ６−１、Ａ６−３〜Ａ６−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表７に、上記式（Ａ７）で示される化合物の具体例を示す。表７中、Ａ７−１、Ａ７−３〜Ａ７−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表８に、上記式（Ａ８）で示される化合物の具体例を示す。表８中、Ａ８−１〜Ａ８−２、Ａ８−４〜Ａ８−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

表９に、上記式（Ａ９）で示される化合物の具体例を示す。表９中、Ａ９−１〜Ａ９−５は、重合性官能基を有する電子輸送性化合物である。

（Ａ１）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，ｐｐ．２７０３−２７０５（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能である。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成する事ができる。

（Ａ２）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フェナントレン誘導体またはフェナントロリン誘導体を基に、Ｃｈｅｍ．Ｅｄｕｃａｔｏｒ Ｎｏ．６，ｐｐ．２２７−２３４（２００１）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，２９−３２（１９５７）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，３２−３４（１９５７）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応によりジシアノメチレン基を導入することもできる。

（Ａ３）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フェナントレン誘導体またはフェナントロリン誘導体を基に、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．６５，ｐｐ．１００６−１０１１（１９９２）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応によりジシアノメチレン基を導入することもできる。

（Ａ４）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、アセナフテンキノン誘導体を基にＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４３（１６），ｐｐ．２９９１−２９９４（２００２）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔｅｒｓ，４４（１０），ｐｐ．２０８７−２０９１（２００３）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応により、ジシアノメチレン基を導入することもできる。

（Ａ５）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フルオレノン誘導体とマロノニトリルを用い、米国特許第４５６２１３２号公報に記載の合成方法を用いて合成することができる。また、フルオレノン誘導体およびアニリン誘導体を用い、特開平５−２７９５８２号公報、特開平７−７００３８号公報に記載の合成方法を用いて合成することもできる。

（Ａ６）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えばＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，３７（３），ｐｐ．３６０−３６１（２００８）、特開平９−１５１１５７号公報に記載の合成方法を用いて合成することができる。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。

（Ａ７）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、特開平１−２０６３４９号公報、ＰＰＣＩ／Ｊａｐａｎ Ｈａｒｄ Ｃｏｐｙ’９８ 予稿集ｐ．２０７（１９９８）に記載の合成方法を用いて合成することができる。また、東京化成工業（株）またはシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なフェノール誘導体を原料として合成することができる。

（Ａ８）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ ｔｈｅ Ａｍｅｒｉｃａｎ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１２９，Ｎｏ．４９，ｐｐ．１５２５９−１５２７８（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することができる。また、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なペリレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成する事ができる。

（Ａ９）の構造を有する誘導体（電子輸送性化合物の誘導体）は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。

下引き層には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属元素を有する有機酸金属塩を含有する。上記有機酸金属塩は、有機酸金属複合体（有機酸金属錯体）であってもよい。上記有機酸金属塩の金属元素の中でも好ましくは、ＮｉとＺｎである。ＮｉとＺｎの有機酸金属塩のバンドギャップ（紫外・可視吸収スペクトルの吸収端の波長をＸ（ｎｍ）としたとき、バンドギャップは１２３９／Ｘ（ｅＶ）で求められる。）は、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｕの有機酸金属塩と比べて広い。従って、ＮｉとＺｎは、下引き層中を流れる電子を捕捉することがさらに低減され、よりポジゴーストを抑制するものと考えられる。

また、上記有機酸金属塩の有機酸については、一価カルボン酸であることが好ましく、より好ましくは脂肪酸である。一価カルボン酸が、鎖状構造と比べて剛直な環状構造を持たない脂肪酸であることで、金属元素周りの嵩高さは小さくなる。よって、金属元素周りの有機酸の立体配置を考慮することで、下引き層中での電子の流れがより促進されると考えられる。脂肪酸は、直鎖状でも分岐鎖状でもよく、飽和でも不飽和でもよい。

さらには、脂肪酸は炭素数が４以上８以下であることがより好ましい。これによって、電子輸送膜中の電子の流れを助ける効果が十分に得ることができると考えられる。炭素数が４以上８以下の脂肪酸としては、酪酸、イソ酪酸、吉草酸、イソ吉草酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、オクチル酸などが挙げられる。

具体的な有機酸金属塩としては、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）、酪酸亜鉛（ＩＩ）、ヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）、オクタン酸亜鉛（ＩＩ）、オクチル酸ニッケル（ＩＩ）、オクタン酸ニッケル（ＩＩ）、蟻酸亜鉛（ＩＩ）、プロピオン酸亜鉛（ＩＩ）、ラウリン酸亜鉛（ＩＩ）、オクチル酸鉄（ＩＩＩ）、オクチル酸コバルト（ＩＩ）、オクチル酸銅（ＩＩ）、ナフテン酸鉄（ＩＩＩ）、ナフテン酸コバルト（ＩＩ）、ナフテン酸銅（ＩＩ）、ナフテン酸亜鉛（ＩＩ）、安息香酸亜鉛（ＩＩ）、シュウ酸亜鉛（ＩＩ）、クエン酸亜鉛（ＩＩ）、酒石酸亜鉛（ＩＩ）、ｐ−トルエンスルホン酸亜鉛（ＩＩ）が挙げられる。

有機酸金属塩の含有量は、下引き層の質量に対して０．１質量％以上５質量％以下であることが好ましい。この範囲であると、有機酸金属塩が上述の電子の流れを助ける効果を十分に得ることができると考えられる。

下引き層における有機酸金属塩の含有量は、金属元素を含有することから、例えば、下引き層を蛍光Ｘ線による元素分析法（ＸＲＦ）により測定し、求めることができる。この測定法の場合、感光層もしくは正孔輸送層と電荷発生層を剥離した後に、下引き層を剥離、収集する必要がある。感光層もしくは正孔輸送層と電荷発生層の剥離方法としては、これらの層を溶解し下引き層が難溶な溶媒を用いて浸漬、剥離する方法と、研磨によって剥離する方法などが挙げられる。これらの方法を組み合わせて剥離してもよい。

〔樹脂〕
次に樹脂について説明する。下引き層に用いられる樹脂としては、例えば、ブチラール樹脂、アルキッド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリビニル樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。下引き層（電子輸送膜）が、重合性官能基を有する電子輸送性化合物、樹脂および架橋剤を含む組成物を硬化させて得られた硬化膜であるときは、該樹脂は、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂であることが好ましい。

重合性官能基を有する熱可塑性樹脂としては、下記式（Ｄ）で示される構造単位をする熱可塑性樹脂が好ましい。

式（Ｄ）中、Ｒ^６１は、水素原子またはアルキル基を示す。Ｙ^１は、単結合、アルキレン基またはフェニレン基を示す。Ｗ^１は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基またはメトキシ基を示す。

式（Ｄ）で示される構造単位を有する樹脂（以下「樹脂Ｄ」とも称する。）は、例えばシグマアルドリッチジャパン（株）や東京化成工業（株）から購入可能な、重合性官能基を有するモノマーを重合させることで得られる。重合性官能基としては、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基が挙げられる。

また、樹脂として、一般的に購入することも可能である。購入可能な樹脂としては、例えば、日本ポリウレタン工業（株）製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業（株）製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、日立化成工業（株）製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ（株）製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ベッコライトＭ−６４０２−５０、Ｍ−６２０１−４０ＩＭ、ハリマ化成（株）製ハリディップＷＨ−１１８８、日本ユピカ（株）製ＥＳ３６０４、ＥＳ６５３８などのポリエステルポリオール系樹脂、ＤＩＣ（株）製、バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、（株）クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのようなポリビニルアルコール系樹脂、積水化学工業（株）製ＢＸ−１、ＢＭ−１、ＫＳ−１、ＫＳ−５などのポリビニルアセタール系樹脂、ナガセケムテックス（株）製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド系樹脂、日本触媒（株）製アクアリック、鉛市（株）製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシル基含有樹脂、ＤＩＣ（株）製ラッカマイドなどのポリアミン樹脂、東レ（株）製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオール樹脂などが挙げられる。これらの中でもポリビニルアセタール系樹脂、ポリエステルポリオール系樹脂などが重合性、電子輸送層の均一性の観点からより好ましい。

樹脂Ｄの重量平均分子量は、５，０００〜４００，０００の範囲であることがより好ましい。より好ましくは、５，０００〜３００，０００である。

〔架橋剤〕
次に架橋剤について説明する。

架橋剤としては、重合性官能基を有する電子輸送性化合物および重合性官能基を有する熱可塑性樹脂と重合（硬化）または架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三，金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊（１９８１年）などに記載されている化合物等を用いることができる。

下引き層に用いる架橋剤は、好ましくは、イソシアネート化合物、アミン化合物（メラミン、グアナミン、尿素の誘導体）であり、より好ましくは、イソシアネート化合物である。

イソシアネート化合物は、分子量が２００〜１，３００の範囲であるイソシアネート化合物を用いることが好ましい。さらに、イソシアネート基またはブロックイソシアネート基が３〜６個有しているイソシアネート化合物が好ましい。例えば、トリイソシアネートベンゼン、トリイソシアネートメチルベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネートの他、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネートなどのジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンやペンタエリストールとのアダクト変性体が挙げられる。これらの中でも、イソシアヌレート変性体がより好ましい。

上記のイソシアネート化合物は、イソシアネート基がブロック化されたブロックイソシアネート基を有する化合物であってもよい。

アミン化合物は、メチロール基などのアルキチロール基を有しており、分子量が１５０〜１，０００の範囲であるアミン化合物を用いることが好ましい。より好ましくは、分子量が１８０〜５６０の範囲であるアミン化合物である。例えば、ヘキサメチロールメラミン、ペンタメチロールメラミン、テトラメチロールメラミンなどのメラミン誘導体、テトラメチロールベンゾグアナミン、テトラメチロールシクロヘキシルグアナミンなどのグアナミン誘導体、ジメチロールジヒドロキシエチレン尿素、テトラメチロールアセチレン二尿素、テトラメチロール尿素などの尿素誘導体が挙げられる。これらの中でも、メラミン誘導体がより好ましい。

上記のアミン化合物は、全て、または一部のアルキロール基がアルキルエーテル化された化合物であってもよい。

下引き層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、ケトン系溶剤、スルホキシド系溶剤、または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

本発明の下引き層においては、上記化合物以外にも、下引き層の成膜性や電気的特性を高めるために、有機物粒子、無機物粒子、レベリング剤、などを含有してもよい。ただし、下引き層におけるそれらの含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％以下であることが好ましく、２０質量％以下であることがより好ましい。

なお、金属酸化物粒子の場合、本発明の効果であるポジゴーストの抑制（低減）という観点においては含有してもよい。しかしながら、導電性支持体側からの正孔の注入が多くなって電子輸送膜としての機能が低下しやすく、画像への黒ポチが発生しやすくなるという観点から、金属酸化物粒子は含有しない方がより好ましい。

支持体と上記下引き層との間や、上記下引き層と感光層との間に、本発明の下引き層とは異なる第二の下引き層など、別の層を設けてもよい。

〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、金などの金属または合金製の支持体を用いることができる。ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、クロム、銀、金などの金属の薄膜を形成した支持体、または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成した支持体が挙げられる。

支持体の表面には、電気的特性の改善や干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング処理、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。

支持体と、後述の下引き層との間には、導電層を設けてもよい。導電層は、導電性粒子を樹脂に分散させた導電層用塗布液の塗膜を支持体上に形成し、乾燥させることで得られる。導電性粒子としては、例えば、カーボンブラック、アセチレンブラックや、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅、亜鉛、銀のような金属粉や、導電性酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯのような金属酸化物粉体が挙げられる。

また、樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂およびアルキッド樹脂が挙げられる。

導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤および芳香族炭化水素溶剤が挙げられる。導電層の膜厚は、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、さらには５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。

〔感光層〕
下引き層上には、感光層が設けられる。

電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体、インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、ビスベンズイミダゾール誘導体などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、またはフタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。

感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体や、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましく、特に、ポリビニルアセタール樹脂がより好ましい。

電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との質量比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

正孔輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミンなどが挙げられる。また、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーも挙げられる。

正孔輸送層に用いられる結着樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。結着樹脂の重量平均分子量は、１０，０００〜３００，０００の範囲であることが好ましい。

正孔輸送層において、正孔輸送物質と結着樹脂との比率（正孔輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０の範囲であることが好ましく、１０／８〜６／１０の範囲であることがより好ましい。正孔輸送層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。

正孔輸送層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

また、感光層（正孔輸送層）上には、導電性粒子または正孔輸送物質と結着樹脂とを含有する保護層（表面保護層）を設けてもよい。該保護層には、潤滑剤などの添加剤をさらに含有させてもよい。また、保護層の結着樹脂自体に導電性や正孔輸送性を有させてもよく、その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や正孔輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は、熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光、放射線（電子線など）などにより硬化させてなる硬化性樹脂であってもよい。

電子写真感光体の各層を形成する方法としては、各層を構成する材料を溶剤に溶解および／または分散させて得られた塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法、リング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。

〔プロセスカートリッジおよび電子写真装置〕
図１に、本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成の一例を示す。

図１において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体１の表面（周面）は、帯電手段３（一次帯電手段：帯電ローラーなど）により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光（画像露光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。なお、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送される。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へ排出される。

トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化される。次いで、前露光手段（不図示）からの前露光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図１に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。

上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成する。そして、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。

以下、実施例により、本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。

（実施例１）
長さ２６０．５ｍｍ、直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。

次に、酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子（粉体抵抗率：１２０Ω・ｃｍ、酸化スズの被覆率：４０質量％。）５０部、フェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０％。）４０部、溶剤（分散媒）としてのメトキシプロパノール５０部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、３時間分散処理することによって、分散液を調製した。分散後、この分散液にシリコーンオイルＳＨ２８ＰＡ（東レダウコーニングシリコーン社製）０．０１部、有機樹脂粒子としてシリコーン微粒子（トスパール１２０ＣＡ）を添加して攪拌し、導電層用塗布液を調製した。このシリコーン微粒子の含有量は、固形分に対し（酸化チタン粒子、フェノール樹脂の合計質量）、５質量％加えた。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱重合させることによって、膜厚が１６μｍの導電層を形成した。

この導電層用塗布液における酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子の平均粒径を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、テトラヒドロフランを分散媒とし、回転数５，０００ｒｐｍにて遠心沈降法で測定した。その結果、平均粒径は０．３３μｍであった。

次に、電子輸送性化合物（Ａ１−１）１０部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１５部、架橋剤として下記式（１）で示されるブロック化されたイソシアネート化合物２３部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製。）３部を、テトラヒドロフラン２５０部とシクロヘキサノン２５０部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱し、乾燥させ、硬化させることによって、膜厚が０．７μｍの硬化膜である下引き層を形成した。下記の評価終了後、上述に記載の測定方法でこの下引き層中のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の含有量を測定したところ、０．５４質量％であった。

次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２４０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間９５℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。

次に、ポリアリレート樹脂Ｃ（下記式（３−１）で示される構造単位と、下記式（３−２）で示される構造単位を５／５の割合で有し、重量平均分子量が１００，０００である。）１０部、および下記式（２）で示されるアミン化合物（正孔輸送物質）７部を、ジメトキシメタン３０部およびクロロベンゼン７０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの電荷輸送層を形成した。

以上のようにして、支持体上に導電層、下引き層、電荷発生層および電荷輸送層を有する電子写真感光体を製造した。

（ポジゴーストの評価）
製造した電子写真感光体を、温度１５℃、湿度１０％ＲＨの環境下にて、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）の改造機に装着して、表面電位の測定および出力画像の評価を行った。詳しくは以下の通りである。

表面電位評価の測定は、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８：トレック・ジャパン（株）製）を装着した。そして、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。ドラムの表面電位は、初期暗部電位（Ｖｄ）が−５００Ｖ、初期明部電位（Ｖｌ）が−１００Ｖになるよう、画像露光の光量を設定した。

続いて、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、製造した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。その後、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。

ゴースト評価用画像は、図２に示すように、画像の先頭部に「白画像」中に四角の「ベタ画像」を出した後、図３に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」を作成したものである。なお、図２中の「ゴースト」部は、「ベタ画像」に起因するゴーストが出現し得る部分である。

ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像の画像濃度と、ゴースト部の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚全てで行い、合計１００点の平均を算出し、初期画像出力時のマクベス濃度差を評価した。結果を表１０に示す。

ゴースト部の濃度が大きいほど、ポジゴーストが強く生じていることになり、マクベス濃度差が小さいほど、ポジゴーストが抑制（低減）されていることを意味する。マクベス濃度差が０．０５以上であると見た目に明らかな差があるレベルであり、０．０５未満であれば見た目に明らかな差は無いレベルであった。

（実施例２〜３１）
実施例１の電子輸送性化合物と有機酸金属塩を、表１０に示す電子輸送性化合物と有機酸金属塩に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。

（実施例３２、３３）
実施例１のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の質量部を、０．１５部から０．０７部（実施例３２）、０．３０部（実施例３３）に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。

（実施例３４〜３６）
実施例２１のオクチル酸コバルト（ＩＩ）の質量部を、０．１５部から０．０２部（実施例３４）、０．０４部（実施例３５）、０．０７部（実施例３６）に変更した以外は実施例２１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。

（実施例３７〜３９）
実施例７のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１５部を、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．０７５部とオクチル酸ニッケル（ＩＩ）０．０７５部（実施例３７）、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．０７５部とオクチル酸銅（ＩＩ）０．０７５部（実施例３８）、酪酸亜鉛（ＩＩ）０．０７５部とヘキサン酸亜鉛（ＩＩ）０．０７５部（実施例３９）に変更した以外は実施例７と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。

（実施例４０〜４５）
実施例７のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の質量部を、０．１５部から０．０２部（実施例４０）、０．０４部（実施例４１）、０．０７部（実施例４２）、０．３０部（実施例４３）、１．５部（実施例４４）、３．０部（実施例４５）に変更した以外は実施例７と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。

（実施例４６）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１０に示す。

電子輸送性化合物（Ａ１−１）１２部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１４部、架橋剤として下記式（４）で示されるブチルエーテル化されたメラミン化合物１１部とアルキッド樹脂（商品名：Ｍ−６４０５−５０、ＤＩＣ（株）製）１０部を、テトラヒドロフラン２３０部とシクロヘキサノン２３０部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱硬化させることによって、膜厚が０．７μｍの硬化膜である下引き層を形成した。下記の評価終了後、上述に記載の測定方法で下引き層中のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の含有量を測定したところ、０．５２質量％であった。

（実施例４７〜６１）
実施例４６の電子輸送性化合物と有機酸金属塩を、表１０、１１に示す電子輸送性化合物と有機酸金属塩に変更した以外は実施例４６と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１０、１１に示す。

（実施例６２）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

電子輸送性化合物（Ａ１−１）９部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１３部、架橋剤として下記式（１）で示されるブロック化されたイソシアネート化合物２５部を、テトラヒドロフラン２４０部とシクロヘキサノン２４０部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱硬化させることによって、膜厚が０．７μｍの硬化膜である下引き層を形成した。

（実施例６３）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

以下の方法で、電子輸送性化合物の重合物（硬化物）を得た。

１００ｍｌ三つ口フラスコに乾燥窒素ガスを送りながら、電子輸送性化合物（Ａ１−１１）１ｇとＮ，Ｎジメチルアセトアミド１０ｇを加えた。これを２５℃で激しく攪拌し、重合開始剤ＡＩＢＮ５ｍｇを加えた。引き続き、窒素を送りながら５０時間６５℃で重合反応を行った。反応終了後、５００ｍｌのメタノール中に激しく攪拌しながら滴下し、析出した析出物を濾取した。この析出物を１０ｇのＮ，Ｎジメチルアセトアミドに溶解、濾過を行った後、濾液をメタノール５００ｍｌ中に滴下し、重合物を析出させた。析出した重合物を濾取し、メタノール１ｌで分散洗浄した後に乾燥を行い、重合物０．８９ｇを得た。得られた重合物の分子量をＧＰＣ（クロロホルム移動層）により測定したところ、その重量平均分子量は８４，０００だった。

得られた電子輸送性化合物の重合物６部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．０３部、クロロベンゼン１０部、テトラヒドロフラン９０部からなる下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１２０℃で加熱硬化させることによって、膜厚が０．７μｍの硬化膜である下引き層を形成した。

（実施例６４）
導電層、下引き層および電荷輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子２１４部、フェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０質量％。）１３２部、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数２０００ｒｐｍ、分散処理時間４．５時間、冷却水の設定温度１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を調製した。分散後、この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して１０質量％になるように、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）を分散液に添加した。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（ＳＨ２８ＰＡ）を分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

電子輸送性化合物（Ａ１−１３）１０部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１５部、下記式（１）で示されるブロック化されたイソシアネート化合物２３部とアセタール樹脂（商品名：エスレックＫＳ−５、積水化学工業（株）製）３部を、テトラヒドロフラン２５０部とシクロヘキサノン２５０部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱し、乾燥させ、硬化させることによって、膜厚が０．７μｍの硬化膜である下引き層を形成した。下記の評価終了後、上述に記載の測定方法でこの下引き層中のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の含有量を測定したところ、０．５４質量％であった。

式（２）で示されるアミン化合物９部、下記式（８）で示されるアミン化合物１部、ポリカーボネート樹脂Ａ１０部と、ポリカーボネート樹脂Ｂ０．３部（重量平均分子量が４０，０００である。）を、ジメトキシメタン３０部およびオルトキシレン５０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。ポリカーボネート樹脂Ａは、式（９−１）で示される構造単位を有し、重量平均分子量が７０，０００である。ポリカーボネート樹脂Ｂは、式（９−１）で示される構造単位、式（９−２）で示される構造単位、および末端の少なくとも一方が式（９−３）で示される構造を有する。さらに、ポリカーボネート樹脂Ｂ全質量に対して、式（９−２）と（９−３）の合計含有量が３０質量％である。

この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６０分１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１６μｍの電荷輸送層を形成した。

（実施例６５）
実施例６４のポリカーボネート樹脂Ａを、ポリアリレート樹脂Ｃに変更した以外は実施例６４と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。ポリアリレート樹脂Ｃは、式（３−１）で示される構造単位と、式（３−２）で示される構造単位を５／５の割合で有し、重量平均分子量が１２０，０００である。

（実施例６６）
電荷輸送層を以下のように形成した以外は実施例６４と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

式（２）で示されるアミン化合物９部、式（８）で示されるアミン化合物１部、ポリエステル樹脂Ｄ３部、およびポリアリレート樹脂Ｃ７部を、ジメトキシメタン３０部およびオルトキシレン５０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。ポリエステル樹脂Ｄは、下記式（７−１）で示される構造単位、下記式（７−２）で示される構造単位および下記式（７−３）で示される構造単位を有する。ポリエステル樹脂Ｄにおいて、式（７−２）で示される構造単位と式（７−３）で示される構造単位は、３／７の比で有する。さらに、ポリエステル樹脂Ｄ全体の質量に対して、式（７−１）で示される構造単位の含有量が１０質量％、式（７−２）で示される構造単位と式（７−３）で示される構造単位の含有量が９０質量％である。

この電荷輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６０分１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１６μｍの電荷輸送層を形成した。形成された電荷輸送層には、正孔輸送物質とポリアリレート樹脂を含むマトリックス中に、ポリエステル樹脂Ｄを含むドメイン構造が含有されていることが確認された。

（実施例６７）
実施例６４の電子輸送性化合物（Ａ１−１３）を、電子輸送性化合物（Ａ１−１４）に変更した以外は実施例６４と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

（実施例６８〜７１）
導電層を以下のように形成した以外は実施例６４〜６７と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

金属酸化物粒子としてのリンドープ酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子２０７部、フェノール樹脂（プライオーフェンＪ−３２５）１４４部、１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数２０００ｒｐｍ、分散処理時間４．５時間、冷却水の設定温度１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を調製した。分散後、この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して１５質量％になるようにシリコーン樹脂粒子（トスパール１２０）を分散液に添加した。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、シリコーンオイル（ＳＨ２８ＰＡ）を分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

（比較例１〜３）
実施例１の電子輸送性化合物と有機酸金属塩を、表１１に示す有機金属化合物に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

（比較例４）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

電子輸送性化合物（Ａ７−２）５部とブチラール樹脂（エスレックＢＸ−１）３部をトルエン１０部に溶解し、その溶液にジルコニウムテトラブチレートのトルエン５０質量％溶液４０部を滴下して攪拌混合し、濾過により下引き層用塗布液を得た。この下引き層用塗布液を導電層上にリング塗布により塗布し、室温で５分間の風乾を行った後に１０分間１７０℃で加熱することによって、膜厚が１．０μｍの下引き層を形成した。

（比較例５）
実施例６２のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）をジオクチルスズジラウレートに変更した以外は実施例６２と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

（比較例６）
オクチル酸亜鉛（ＩＩ）を含有させなかったこと以外は実施例６３と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１１に示す。

（実施例７２）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１２に示す。

電子輸送性化合物（Ａ１−８）９部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１部とポリアミド樹脂（商品名：トレジンＥＦ３０Ｔ、ナガセケムテックス（株）製）１１部、メタノール２００部と１−ブタノール２００部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液（電子輸送膜用塗布液）を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間１００℃で加熱することによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。上述の測定方法により、この下引き層中のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の含有量は、０．５０質量％である。

（実施例７３）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１２に示す。

電子輸送性化合物（Ａ１−８）１０部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．１５部、架橋剤として上記式（１）で示されるブロック化されたイソシアネート化合物２３部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）３部を、テトラヒドロフラン２５０部とシクロヘキサノン２５０部の混合溶媒に溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液（電子輸送膜用塗布液）を導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱することによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。上述の測定方法により、この下引き層中のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の含有量は、０．５４質量％である。

（実施例７４）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１２に示す。

以下の方法で、ポリオレフィン樹脂分散液を得た。

攪拌機を備えたヒーター付きで密閉できる耐圧１ｌ用ガラス容器に、ポリオレフィン樹脂（商品名：ボンダインＨＸ−８２９０、住友化学工業（株）製。）、２−プロパノール９０部、樹脂中の無水マレイン酸のカルボキシル基に対して１．２倍当量のトリエチルアミンおよび２００部の蒸留水を仕込み、攪拌翼の回転速度を３００ｒｐｍとして攪拌した。その結果、容器底部に樹脂粒状物の沈殿は認められず、浮遊状態となっていることが確認された。そこで、この状態を保ちつつ、１５分後にヒーターの電源を入れて加熱した後、系内温度を１４５℃に保って、さらに６０分間攪拌した。その後、水浴につけて回転速度３００ｒｐｍのまま攪拌しつつ室温（温度約２５℃）まで冷却した。次に、３００メッシュのステンレス製フィルター（線径０．０３５ｍｍ、平織）で加熱濾過（空気圧０．２ＭＰａ）し、固形分濃度が２０質量％の乳白色の均一なポリオレフィン樹脂の水性分散体を得た。このポリオレフィン樹脂の構成は、下記式（５−１）／（５−２）／（５−３）＝８０／２／１８（質量％）であった。

電子輸送性化合物（Ａ１−７）２０部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．４部、作製したポリオレフィン樹脂分散液５０部と、２−プロパノール２５０部と蒸留水１５０部を加え、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時間処理した。次に、２−プロパノール２５０部で希釈し、電子輸送性化合物を溶解し、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を２０分間９０℃で加熱することによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。上述の測定方法により、この下引き層中のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の含有量は、０．５７質量％である。

（比較例７）
オクチル酸亜鉛（ＩＩ）を含有していないこと以外は実施例７２と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１２に示す。

（比較例８）
実施例７３のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）をアルミニウムエチルアセトアセテートジイソプロピレートに変更した以外は実施例７３と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１２に示す。

（比較例９）
オクチル酸亜鉛（ＩＩ）を含有させなかったこと以外は実施例７４と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１２に示す。

（実施例７５）
下引き層を、以下のように形成した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１３に示す。

電子輸送顔料として、下記式（６−１）と（６−２）の共重合体を用いた。この共重合体の比率は、式（６−１）／（６−２）＝５／１（モル比）であり、重量平均分子量は１０，０００である。上記電子輸送性顔料２０部、オクチル酸亜鉛（ＩＩ）０．０１部に、蒸留水１５０部、メタノール２５０部およびトリエチルアミン４部を加え、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミル装置で２時間分散処理を行い、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を１０分間１２０℃で加熱し、電子輸送性顔料を融解若しくは凝集、乾燥させることによって、膜厚が０．７μｍの下引き層を形成した。上述の測定方法により、この下引き層中のオクチル酸亜鉛（ＩＩ）の含有量は、０．５０質量％である。

また、この下引き層用塗布液調製前後での電子輸送性顔料の粒系測定を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用いてメタノールを分散媒とし、回転数７，０００ｒｐｍにて遠心沈降法で行った。結果は、調製前が３．５μｍであり、調製後が０．３μｍであった。

（比較例１０）
オクチル酸亜鉛（ＩＩ）を含有していないこと以外は実施例７５と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１３に示す。

Claims (12)

1. 支持体と、電子輸送性を有する下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体において、
   該下引き層が、重合性官能基を有する電子輸送性化合物を含有する組成物の硬化膜であり、かつ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属と有機酸の塩を含有し、
   該重合性官能基を有する電子輸送性化合物が、式（Ａ１）〜（Ａ９）から選択されるいずれかで示される化合物であることを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   
   式（Ａ１）〜（Ａ９）中、Ｒ ^１０１ 〜Ｒ ^１０６ 、Ｒ ^２０１ 〜Ｒ ^２１０ 、Ｒ ^３０１ 〜Ｒ ^３０８ 、Ｒ ^４０１ 〜Ｒ ^４０８ 、Ｒ ^５０１ 〜Ｒ ^５１０ 、Ｒ ^６０１ 〜Ｒ ^６０６ 、Ｒ ^７０１ 〜Ｒ ^７０８ 、Ｒ ^８０１ 〜Ｒ ^８１０ 、Ｒ ^９０１ 〜Ｒ ^９０８ は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または複素環を示す。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ ^１ （Ｒ ^１ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される基である。該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基およびカルボニル基からなる群より選択される基である。Ｚ ^２０１ 、Ｚ ^３０１ 、Ｚ ^４０１ およびＺ ^５０１ は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ ^２０１ が酸素原子である場合はＲ ^２０９ およびＲ ^２１０ は存在せず、Ｚ ^２０１ が窒素原子である場合はＲ ^２１０ は存在しない。Ｚ ^３０１ が酸素原子である場合はＲ ^３０７ およびＲ ^３０８ は存在せず、Ｚ ^３０１ が窒素原子である場合はＲ ^３０８ は存在しない。Ｚ ^４０１ が酸素原子である場合はＲ ^４０７ およびＲ ^４０８ は存在せず、Ｚ ^４０１ が窒素原子である場合はＲ ^４０８ は存在しない。Ｚ ^５０１ が酸素原子である場合はＲ ^５０９ およびＲ ^５１０ は存在せず、Ｚ ^５０１ が窒素原子である場合はＲ ^５１０ は存在しない。
   

   

   
   式（Ａ）中、α、βおよびγの少なくとも１つは置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
   αは、主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ ^２ （Ｒ ^２ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。
   βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル置換フェニレン基、ニトロ置換フェニレン基、ハロゲン置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
   γは、水素原子、炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ ^３ （Ｒ ^３ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。
2. 前記組成物が、更に、重合性官能基を有する樹脂と、架橋剤と、を含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 支持体と、電子輸送性を有する下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体において、
   該下引き層が、電子輸送性化合物と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ及びＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属と有機酸の塩と、を含有し、
   該電子輸送性化合物が、式（Ａ１）〜（Ａ９）から選択されるいずれかで示される化合物であることを特徴とする電子写真感光体。
   

   

   
   式（Ａ１）〜（Ａ９）中、Ｒ ^１０１ 〜Ｒ ^１０６ 、Ｒ ^２０１ 〜Ｒ ^２１０ 、Ｒ ^３０１ 〜Ｒ ^３０８ 、Ｒ ^４０１ 〜Ｒ ^４０８ 、Ｒ ^５０１ 〜Ｒ ^５１０ 、Ｒ ^６０１ 〜Ｒ ^６０６ 、Ｒ ^７０１ 〜Ｒ ^７０８ 、Ｒ ^８０１ 〜Ｒ ^８１０ 、Ｒ ^９０１ 〜Ｒ ^９０８ は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または複素環を示す。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ ^１ （Ｒ ^１ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される基である。該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基およびカルボニル基からなる群より選択される基である。Ｚ ^２０１ 、Ｚ ^３０１ 、Ｚ ^４０１ およびＺ ^５０１ は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ ^２０１ が酸素原子である場合はＲ ^２０９ およびＲ ^２１０ は存在せず、Ｚ ^２０１ が窒素原子である場合はＲ ^２１０ は存在しない。Ｚ ^３０１ が酸素原子である場合はＲ ^３０７ およびＲ ^３０８ は存在せず、Ｚ ^３０１ が窒素原子である場合はＲ ^３０８ は存在しない。Ｚ ^４０１ が酸素原子である場合はＲ ^４０７ およびＲ ^４０８ は存在せず、Ｚ ^４０１ が窒素原子である場合はＲ ^４０８ は存在しない。Ｚ ^５０１ が酸素原子である場合はＲ ^５０９ およびＲ ^５１０ は存在せず、Ｚ ^５０１ が窒素原子である場合はＲ ^５１０ は存在しない。
   

   

   
   式（Ａ）中、α、βおよびγの少なくとも１つは置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
   αは、主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ ^２ （Ｒ ^２ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。
   βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル置換フェニレン基、ニトロ置換フェニレン基、ハロゲン置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
   γは、水素原子、炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ ^３ （Ｒ ^３ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。
4. 前記有機酸が、一価カルボン酸である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 前記一価カルボン酸が、炭素数が４以上８以下の脂肪酸である請求項４に記載の電子写真感光体。
6. 前記金属と有機酸の塩が、Ｎｉと有機酸の塩およびＺｎと有機酸の塩からなる群より選択される少なくとも１種である請求項１から５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
7. 前記下引き層中の前記金属と有機酸の塩の含有量が、前記下引き層の全質量に対して０．１質量％以上５質量％以下である請求項１から６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
8. 前記下引き層中の前記金属と有機酸の塩の含有量が、前記下引き層の全質量に対して０．１４質量％以上１．０８質量％以下である請求項１から６のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
9. 前記下引き層が、金属酸化物粒子を含有しない請求項１から８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
10. 請求項１から９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
11. 請求項１から９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
12. 支持体と、電子輸送性を有する下引き層と、感光層と、をこの順に有する電子写真感光体の製造方法であって、
    該製造方法が
    重合性官能基を有する電子輸送性化合物と、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎからなる群より選択される少なくとも１種の金属と有機酸の塩と、を含有する下引き層用塗布液を用いて塗膜を形成する工程、および、
    該塗膜を加熱し、乾燥させ、硬化させることで該下引き層を形成する工程
    を有し、
    該重合性官能基を有する電子輸送性化合物が、式（Ａ１）〜（Ａ９）から選択されるいずれかで示される化合物であることを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
    

    

    
    式（Ａ１）〜（Ａ９）中、Ｒ ^１０１ 〜Ｒ ^１０６ 、Ｒ ^２０１ 〜Ｒ ^２１０ 、Ｒ ^３０１ 〜Ｒ ^３０８ 、Ｒ ^４０１ 〜Ｒ ^４０８ 、Ｒ ^５０１ 〜Ｒ ^５１０ 、Ｒ ^６０１ 〜Ｒ ^６０６ 、Ｒ ^７０１ 〜Ｒ ^７０８ 、Ｒ ^８０１ 〜Ｒ ^８１０ 、Ｒ ^９０１ 〜Ｒ ^９０８ は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基または複素環を示す。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ ^１ （Ｒ ^１ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子からなる群より選択される基である。該置換のアリール基の置換基、該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基、アルコキシ基およびカルボニル基からなる群より選択される基である。Ｚ ^２０１ 、Ｚ ^３０１ 、Ｚ ^４０１ およびＺ ^５０１ は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ ^２０１ が酸素原子である場合はＲ ^２０９ およびＲ ^２１０ は存在せず、Ｚ ^２０１ が窒素原子である場合はＲ ^２１０ は存在しない。Ｚ ^３０１ が酸素原子である場合はＲ ^３０７ およびＲ ^３０８ は存在せず、Ｚ ^３０１ が窒素原子である場合はＲ ^３０８ は存在しない。Ｚ ^４０１ が酸素原子である場合はＲ ^４０７ およびＲ ^４０８ は存在せず、Ｚ ^４０１ が窒素原子である場合はＲ ^４０８ は存在しない。Ｚ ^５０１ が酸素原子である場合はＲ ^５０９ およびＲ ^５１０ は存在せず、Ｚ ^５０１ が窒素原子である場合はＲ ^５１０ は存在しない。
    

    

    
    式（Ａ）中、α、βおよびγの少なくとも１つは置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０以上２以下である。
    αは、主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ ^２ （Ｒ ^２ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。
    βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル置換フェニレン基、ニトロ置換フェニレン基、ハロゲン置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。
    γは、水素原子、炭素数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有してもよい。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つがＮＲ ^３ （Ｒ ^３ はアルキル基である。）で置き換わっていてもよい。

Images