JP2014029485A - 電子写真感光体、プロセスカートリッジおよび電子写真装置 - Google Patents

Abstract

【課題】長期間繰り返し使用してもポジゴーストが低減された電子写真感光体を提供する。
【解決手段】下引き層が電子輸送性構造とイソシアヌレート構造との２つの構造が結合される構造を有する硬化物（重合体）を含有する電子写真感光体である。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。

現在、プロセスカートリッジや電子写真装置に用いられる電子写真感光体としては、有機光導電性物質を含有する電子写真感光体が主流である。電子写真感光体は、一般的に、支持体および支持体上に形成された感光層を有する。

そして、支持体側から感光層側への電荷注入を抑制し、黒ポチなどの画像欠陥の発生を抑えることを目的として、支持体と感光層との間に下引き層が設けられていることが多い。

近年、電荷発生物質は、より高い感度を有するものが用いられている。しかしながら、電荷発生物質が高感度化するのに伴い、電荷の発生量が多くなることにより電荷が感光層中に滞留しやすく、ゴーストが発生しやすいという問題があった。具体的には、出力画像中、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、いわゆるポジゴーストという現象が発生しやすい。

このようなゴースト現象を抑制（低減）する技術として、下引き層に電子輸送物質を含有させる技術が知られている。また、下引き層上に形成する感光層の材料設計の自由度の観点から、電子輸送物質を含有する下引き層は、感光層用塗布液の溶剤に対して難溶である硬化性材料を用いることが求められている。そこで、特許文献１では、芳香族テトラカルボニルビスイミド骨格と架橋部位を持つ縮合ポリマー（電子輸送物質）と、架橋剤との重合物を含有する下引き層が開示されている。特許文献２では、下引き層に非加水分解性の縮重合性官能基を有する電子輸送物質の重合物を含有させることが開示されている。

特表２００９−５０５１５６号公報 特開２００６−１７８５０４号公報

近年、電子写真画像の品質に対する要求は高まる一方であり、上述のポジゴーストに対する許容範囲が格段に厳しくなってきている。

そして本発明者らの検討の結果、特許文献１および２に開示された技術では、ポジゴーストの低減に関して、さらなる改善の必要があるものであった。同時に、下引き層、下引き層と感光層との界面で電荷が滞留しやすくなると、繰り返し使用後の電位変動が生じやすいため、電位変動を低減する必要がある。

本発明の目的は、長期間繰り返し使用してもポジゴーストおよび電位変動が低減された電子写真感光体、ならびに、上記電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。

本発明は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が下記式（１）で示される構造を有することを特徴とする電子写真感光体。

式（１）中、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の主鎖の原子数が１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^２は、単結合、置換もしくは無置換の主鎖の原子数が１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。該置換のアルキレン基の置換基は、アルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子である。該置換のフェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、またはハロゲン置換アルキル基である。Ｒ^９は、水素原子、またはアルキル基を示す。Ａ^１は、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で示されるいずれかの基を示す。Ｂ^１は、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで示される基を示す。Ｄ^１は、下記式（Ｄ）で示される主鎖の原子数が５から１５の基である。Ｅ^１は、下記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−８）のいずれかで示される２価の基である。

Ｒ^１０は水素原子、またはアルキル基を示す。

式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）中、Ｒ^２は、単結合、置換もしくは無置換の主鎖の原子数が１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、炭素数が１から５のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基を示す。アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたはＮＲ^１５で置き換わっていても良い。Ｒ^１５はアルキル基である。Ａｒ^２は、置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。該置換のフェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１２は、水素原子またはアルキル基を示す。Ａ^１およびＡ^２は、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で示されるいずれかの基を示す。ｏ、ｐおよびｑは、それぞれ独立に、０または１であり、ｏ、ｐおよびｑの和は、１以上３以下である。＊は、上記式（１）中のＲ^３に結合する側を表す。

式（Ｄ）中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、炭素数が１から５のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基を示す。アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたはＮＲ^１５で置き換わっていても良い。Ｒ^１５はアルキル基である。Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。該置換のフェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。Ａ^２は、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）のいずれかで示される基を示す。ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐおよびｑは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌ、ｍおよびｎの和、ｏ、ｐおよびｑの和は、１以上３以下である。

式（Ｅ−１）〜（Ｅ−８）中、Ｘ^１１〜Ｘ^１６の２つ、Ｘ^２１〜Ｘ^２９の２つ、Ｘ^３１〜Ｘ^３６の２つ、Ｘ^４１〜Ｘ^４８の２つ、Ｘ^５１〜Ｘ^５８の２つ、Ｘ^６１〜Ｘ^６６の２つ、Ｘ^７１〜Ｘ^７８の２つ、およびＸ^８１〜Ｘ^８８の２つは、単結合である。その他のＸ^１１〜Ｘ^１６、Ｘ^２１〜Ｘ^２９、Ｘ^３１〜Ｘ^３６、Ｘ^４１〜Ｘ^４８、Ｘ^５１〜Ｘ^５８、Ｘ^６１〜Ｘ^６６、Ｘ^７１〜Ｘ^７８、およびＸ^８１〜Ｘ^８８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、複素環基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキル基を示す。Ｚ^５１〜Ｚ^５２、Ｚ^６１〜Ｚ^６２、およびＺ^８１は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）_２基、またはＮ−Ｒ^１１を示す。Ｒ^１１は、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアルキル基を示す。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。

また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、露光手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置に関する。

本発明によれば、長期間繰り返し使用してもポジゴーストおよび電位変動が低減された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。

本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図である。 ゴースト画像評価の際に用いるゴースト評価用印字を説明する図である。 １ドット桂馬パターン画像を説明する図である。 電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。

本発明の電子写真感光体は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、および該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体である。感光層は、電荷発生物質を含有する電荷発生層と電荷輸送物質を含有する電荷輸送層とに分離した積層型（機能分離型）感光層であることが好ましい。さらに、電子写真特性の観点から、積層型感光層は、支持体側から電荷発生層、電荷輸送層の順に積層した順層型感光層であることが好ましい。

図４の（ａ）および（ｂ）は、本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図１の（ａ）および（ｂ）中、１０１は支持体であり、１０２は下引き層であり、１０３は感光層であり、１０４は電荷発生層、１０５は電荷輸送層である。

下引き層は、下記式（１）で示される構造を有する層（硬化層）である。換言すれば、下引き層は、下記式（１）で示される構造を有する硬化物（重合体）を含有する。本発明の下引き層は、１層であってもよいし、２層以上であってもよい。下引き層が２層以上である場合、それらのうちの少なくとも１層が下記式（１）で示される構造を有する。

式（１）中、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の炭素数１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^２は、単結合、置換もしくは無置換の炭素数１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^９は、水素原子、またはアルキル基を示す。Ａ^１は、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で示されるいずれかの基を示す。Ｂ^１は、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで示される基を示す。Ｄ^１は、下記式（Ｄ）で示される主鎖の原子数が５から１５の基である。Ｅ^１は、下記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−８）のいずれかで示される２価の基である。

該置換アルキレン基の置換基は、アルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子である。該置換フェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、ハロゲン置換アルキル基が挙げられる。

Ｒ^１０は水素原子、またはアルキル基を示す。

式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）中、Ｒ^２は、単結合、置換もしくは無置換の主鎖の原子数が１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^６、Ｒ^７は、それぞれ独立に、主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、炭素数１から５のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基を示す。アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたはＮＲ^１５で置き換わっていても良い。Ｒ^１５はアルキル基である。Ａｒ^２は置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^１２は、水素原子またはアルキル基を示す。Ａ^１およびＡ^２は、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で示されるいずれかの基を示す。ｏ、ｐおよびｑは、それぞれ独立に０または１の整数であり、ｏ、ｐおよびｑの和は、１以上３以下である。該置換アルキレン基の置換基は、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子である。該置換フェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、ハロゲン化アルキル基などが挙げられる。＊は、上記式（１）中のＲ^３に結合する側を表す。

式（Ｄ）中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、炭素数１から５のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基を示す。アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたはＮＲ^１５で置き換わっていても良い。Ｒ^１５はアルキル基である。Ａｒ^１、Ａｒ^２は、置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。該置換のアルキレン基の置換基は、アルキル基、アリール基、およびハロゲン原子である。該置換フェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。Ａ^２は、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）のいずれかで示される基を示す。ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐおよびｑは、それぞれ独立に０または１であり、ｌ、ｍおよびｎの和、ｏ、ｐおよびｑの和は、１以上３以下である。

Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７が、それぞれ独立に、メチル基もしくはエチル基置換の主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、または主鎖の原子数が１から５のアルキレン基であることが、より好ましい。Ａｒ^１およびＡｒ^２が、フェニレン基であることが、より好ましい。

また、ポジゴースト抑制の観点から、より好ましくは、前記式（Ｄ）で示される主鎖の原子数が１０以上１５以下の基である。

式（Ｅ−１）〜（Ｅ−８）中、Ｘ^１１〜Ｘ^１６の２つ、Ｘ^２１〜Ｘ^２９の２つ、Ｘ^３１〜Ｘ^３６の２つ、Ｘ^４１〜Ｘ^４８の２つ、Ｘ^５１〜Ｘ^５８の２つ、Ｘ^６１〜Ｘ^６６の２つ、Ｘ^７１〜Ｘ^７８の２つ、およびＸ^８１〜Ｘ^８８の２つは、単結合である。その他のＸ^１１〜Ｘ^１６、Ｘ^２１〜Ｘ^２９、Ｘ^３１〜Ｘ^３６、Ｘ^４１〜Ｘ^４８、Ｘ^５１〜Ｘ^５８、Ｘ^６１〜Ｘ^６６、Ｘ^７１〜Ｘ^７８、およびＸ^８１〜Ｘ^８８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、複素環基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキル基を示す。該置換アルコキシ基の置換基は、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ置換アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、アルコキシ置換アルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子である。該置換アルキル基の置換基は、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ置換アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、アルコキシ置換アルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子である。Ｚ^５１〜Ｚ^５２、Ｚ^６１〜Ｚ^６２、およびＺ^８１は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）_２基、またはＮ−Ｒ^１１を示す。Ｒ^１１は、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアルキル基を示す。該置換のアリール基の置換基は、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ置換アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、アルコキシ置換アルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子である。該置換のアルキル基の置換基は、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ置換アルキル基、ハロゲン化アルキル基、アルコキシ基、アルコキシ置換アルコキシ基、ハロゲン置換アルコキシ基、ニトロ基、またはハロゲン原子である。

本発明の式（１）で示される構造において、式（１）中のＲ^２は、下記式（１−Ａ）に示される破線で囲まれている構造Ｘに結合している。なお、この構造Ｘは、樹脂鎖に相当する部分であると考えられる。

Ｄ^１において、主鎖の原子数とは、上記式（Ｄ）の右端と左端の結合間の最短の原子数のことである。例えば、ｐ−フェニレン基は主鎖の原子数が４である。ｍ−フェニレン基は主鎖の原子数が３である。ｏ−フェニレン基は主鎖の原子数が２である。

本発明者らは、下引き層が、上記式（１）で示される構造を有していることにより、長期間繰り返し使用してもポジゴーストが低減される理由を以下のように考えている。

特許文献１の重合物では、電子輸送性化合物と架橋剤との距離（分子間距離）が長いため、電子トラップになりやすいと考えられる。下引き層中に電子トラップが形成されると、電子輸送性が低下しやすく、残留電荷が発生しやすくなる。これにより、長期間の繰り返し使用時に残留電荷が蓄積しやすくなることで、ポジゴーストの発生が起こると考えられる。

本発明者らは、電子輸送性構造（Ｅ^１）とイソシアヌレート構造（下記式（１−Ａ）に示される破線で囲まれている部分）との間が、主鎖の原子数が５から１５（５以上１５以下）の基で結合していることにより、本願のポジゴーストが低減されると考えている。電子輸送性構造（Ｅ^１）およびイソシアヌレート構造は、どちらも電子輸送性を有しており、この２つの構造が結合されることにより電子輸送性の要因と考えられる伝導準位を形成する。そして、電子輸送性構造とイソシアヌレート構造との間に式（Ｄ）で示される主鎖の原子数が５から１５の基があることで、均一な伝導準位が形成されると考えられる。これにより、電荷がトラップされにくくなり、下引き層の残留電荷が抑制され、長期間の繰り返し使用時のポジゴーストが低減されていると考えられる。Ｄ^１中の主鎖の原子数が５より小さい、Ｄ^１中の主鎖の原子数が１５より大きいと、長期間の繰り返し使用時に下引き層に残留電荷が蓄積し、ポジゴーストが起こりやすい。

Ｄ^１中の主鎖の原子数が５より小さいと、ウレタン結合部分（−ＮＨＣＯ−）に直接イソシアヌレート構造または電子輸送性構造が結合することになる。この場合、ウレタン結合部分が加水分解を受けやすく、ウレタン結合が切断されやすくなると考えられる。そして、下引き層中の局所的な伝導準位が変化することによって、電荷トラップが発生し、長期間の繰り返し使用時に下引き層の残留電荷が蓄積しやすくなると考えられる。Ｄ^１中の主鎖の原子数が１５より大きいと、電子輸送性構造とイソシアヌレート構造が相互作用しにくく、電子輸送性構造同士が局在化し、イソシアヌレート構造同士が局在化しやすい。そのため、電子輸送性構造同士、イソシアヌレート構造同士で伝導準位が形成されるため、下引き層中で伝導準位が不均一になると考えられる。伝導準位が不均一になることで、電荷トラップが発生し、長期間の繰り返し使用時に下引き層の残留電荷が蓄積しやすくなると考えられる。

以上より、本発明のように電子輸送性構造とイソシアヌレート構造との間が式（Ｄ）で示される主鎖の原子数が５以上１５以下の基で結合されていると、長期間繰り返し使用時によるポジゴーストの低減が達成されると考えられる。

下引き層は、上記式（１）で示される構造を下引き層の全質量に対して３０質量％以上７０質量％以下含有することが好ましい。

下引き層中の上記式（１）で示される構造の含有量は一般的な分析手法で解析可能である。以下に、分析手法の例を示す。下引き層中の上記式（１）で示される構造の含有量はＦＴ−ＩＲを用い、ＫＢｒ−ｔａｂ法を用いる。ＫＢｒ紛に対してイソシアヌル酸トリス（２−ヒドロキシエチル）添加量を変化させたサンプルでイソシアヌレート構造由来の吸収に基づいた検量線を作成することで、下引き層中の式（１）で示される構造の含有量を算出することができる。

さらに、式（１）で示される構造は、下引き層に対して、固体^１３Ｃ−ＮＭＲ測定、質量分析測定、熱分解ＧＣ−ＭＳ分析によるＭＳスペクトル測定、赤外分光分析による特性吸収測定などの測定方法により確認することができる。例えば、固体^１３Ｃ−ＮＭＲ測定は、Ｃｈｅｍａｇｎｅｔｉｃｓ社製ＣＭＸ−３００Ｉｎｆｉｎｉｙを用い、観測核^１３Ｃ、基準物質ポリジメチルシロキサン、積算回数８１９２回、パルス系列ＣＰ／ＭＡＳ、ＤＤ／ＭＡＳ、パルス幅２．１μｓｅｃ（ＤＤ／ＭＡＳ）、４．２μｓｅｃ（ＣＰ／ＭＡＳ）、コンタクトタイム２．０ｍｓｅｃ、試料回転数１０ｋＨｚの条件で測定した。質量分析は質量分析計（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ ＭＳ：ブルカー・ダルトニクス（株）製 ｕｌｔｒａｆｌｅｘ）を用い、加速電圧：２０ｋＶ、モード：Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、分子量標準品：フラーレンＣ_６０の条件で、分子量を測定した。得られたピークトップ値で確認した。

下引き層は、上記式（１）で示される構造以外にも、成膜性や電子写真特性を良化させるために、種々の樹脂、架橋剤、レベリング剤、金属酸化物粒子などを含有してもよい。ただし、それらの含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％未満であることが好ましく、２０質量％未満であることがより好ましい。また、下引き層の膜厚は０．１μｍ以上５．０μｍ以下が好ましい。

以下に、式（１）で示される構造の具体例を示すが、本発明は、これらに限定されない。

ここで、式（１）中のＥ^１の右側は、水素原子、置換もしくは無置換のアリール基、アルキル基、または、結合部位を示す。置換もしくは無置換のアルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨ、またはＮＲ^１６で置き換わっていても良い。Ｒ^１６はアルキル基である。置換アリール基の置換基は、アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基が挙げられる。置換アルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、ニトロ基、またはシアノ基が挙げられる。結合部位の場合は、置換もしくは無置換のアリーレン基、または、アルキレン基を介して式（１）で示される構造からＥ^１を除いて、Ｄ^１に結合していることを示す。置換アリーレン基の置換基は、アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基が挙げられる。また、ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐおよびｑは、０または１である。

表中のＢ^１は、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで示される基を示す。ここで、（Ｂ−２）中のＥ^１の右側は、水素原子、置換もしくは無置換のアリール基、アルキル基、複素環基または、結合部位を示す。置換アリール基の置換基としては、アルキル基、ハロゲン原子、ニトロ基が挙げられる。結合部位の場合は、置換もしくは無置換のアリーレン基、または、アルキレン基を介して上記式（１）で示される構造からＥ^１を除いて、上記式（１）中のＤ^１に結合していることを示す。式（Ｂ−３）中、Ｒ^２の下側は、下引き層中に存在する樹脂の側鎖に結合していることを示す。

下記の表１から表９中、結合部位は破線で示す。また、単結合である場合は「単」と示す。また、式（１）の左右の向きと表１から表９中の各構造の左右の向きは同じである。また、表１から表９中の例示化合物において、式（１）中のＲ^９は、すべて水素原子である。

本発明の式（１）で示される構造を有する下引き層は、以下のようして形成できる。まず、イソシアネート化合物（架橋剤）、イソシアネート化合物のイソシアネート基と反応可能な重合性官能基を有する樹脂、およびイソシアネート化合物のイソシアネート基と反応可能な重合性官能基を有する電子輸送物質を溶剤に溶解させる。これにより、下引き層用塗布液を調製し、その下引き層用塗布液の塗膜を形成して、塗膜を熱硬化することで得られる。熱硬化は、塗膜の乾燥中に反応させた方が均一に反応させることができるため好ましい。

上記イソシアネート化合物は、イソシアヌレート構造を有している。また、イソシアネート化合物のイソシアネート基が、例えばオキシムなどのブロック剤で保護されたイソシアネート化合物（ブロック化イソシアネート化合物）であることが好ましい。ブロック化イソシアネート化合物は、上記樹脂および上記電子輸送物質とともに加熱をすることで付加反応を開始し、ブロック剤が外れて架橋反応が進む。そして、下引き層に式（１）で示される構造を有する硬化物が得られる。

前記ブロック剤としては、酢酸エチル、アセチルアセトンなどの活性メチレン系化合物、ブチルメルカプタン、ドデシルメルカプタンなどのメルカプタン系化合物、アセトアニリド、酢酸アミドなどの酸アミド系化合物、ε−カプロラクタム、δ−バレロラクタム、γ−ブチロラクタムなどのラクタム系化合物、コハク酸イミド、マレイン酸イミドなどの酸イミド系化合物、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、などのイミダゾール系化合物、尿素、チオ尿素、エチレン尿素などの尿素系化合物、ホルムアミドオキシム、アセトアルドオキシム、アセトンオキシム、メチルエチルケトオキシム、メチルイソブチルケトオキシム、シクロヘキサノンオキシムなどのオキシム系化合物、ジフェニルアニリン、アニリン、カルバゾール、エチレンイミン、ポリエチレンイミンなどのアミン系化合物が挙げられ、これらのブロック剤は１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。

これらのブロック剤の中でも、汎用性、製造の容易さ、作業性、熱硬化温度の観点から、メチルエチルケトオキシムなどのオキシム系化合物、ε−カプロラクタムなどのラクタム系化合物、２−メチルイミダゾールなどのイミダゾール系化合物が好ましい。

次に、上記イソシアネート化合物の例を以下に挙げる。

イソシアネート化合物のイソシアネート基（モル数＝Ｉとする）は、上記樹脂の重合性官能基および上記電子輸送物質の重合性官能基の和（モル数＝Ｈとする）に対して、０．５以上２．５以下のモル比（Ｉ／Ｈ）の割合で存在するのが好ましい。このモル比（Ｉ／Ｈ）が０．５以上２．５以下であると、イソシアネート基と重合性官能基の反応効率が良く、架橋密度が高まるため好ましい。

上記樹脂の重合性官能基は、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、チオール基であるのが好ましい。さらには、イソシアネート基との反応効率が高い、ヒドロキシ基またはアミノ基であるのが好ましい。つまり、樹脂としては、２つ以上のヒドロキシ基またはアミド基を有するポリオール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂、ポリビニルフェノール樹脂またはポリアミド樹脂が好ましい。本発明で用いられる樹脂の分子量としては、重量平均分子量（Ｍｗ）＝５０００〜１５０００００の範囲が好ましい。

上記式（１）で示される構造を有する硬化物は、さらに下記式（２）で示される構造を有することが好ましい。つまり、樹脂が下記式（２）で示される構造を有することが好ましい。式（２）で示される構造を有すると、下引き層の下層や上層との接着性、下引き層の膜厚均一性が良好となり、より長期間繰り返し使用時におけるポジゴーストおよび電位変動が低減される。

式（２）中、Ｒ^８は置換もしくは無置換の炭素数１〜５のアルキル基を示す。該置換アルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基またはハロゲン原子である。

Ｄ^１中のＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、メチル基もしくはエチル基置換の主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、または主鎖の原子数が１から５のアルキレン基であることが、初期ポジゴーストが低減の観点から好ましい。

上記式（１）で示される構造を有する重合体は、Ｄ^１中の、Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に無置換のフェニレン基あることが、初期ポジゴーストが低減の観点から好ましい。

次に、上記重合性官能基を有する電子輸送物質の例を以下に挙げる。

これらの電子輸送物質の中でも、より好ましくは、例示化合物（Ｅ−１−１）から（Ｅ−１−３４）に例示した化合物が好ましい。また、重合性官能基を２つ以上有している電子輸送物質は、重合（架橋）密度を高めやすいため、好ましい。

（Ｅ−１）の構造を有する誘導体（電子輸送物質の誘導体）は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，２７０３−２７０５（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能である。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成する事が出来る。

また、架橋剤と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有するためには以下の方法が挙げられる。例えば、（Ｅ−１）の構造を有する誘導体に直接重合性官能基を導入する方法。前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えばナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法が挙げられる。ナフチルイミド誘導体を合成する際の原料として、前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有するナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体またはモノアミン誘導体を用いる方法がある。

（Ｅ−２）または（Ｅ−８）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フルオレノン誘導体とマロノニトリルを用い、米国特許第４５６２１３２号公報に記載の合成方法を用いて合成することができる。また、フルオレノン誘導体およびアニリン誘導体を用い、特開平５−２７９５８２号公報、特開平７−７００３８号公報に記載の合成方法を用いて合成することもできる。

また、架橋剤と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有するためには以下の方法が挙げられる。例えば、（Ｅ−２）または（Ｅ−８）の構造を有する誘導体に、重合性官能基を導入する方法。重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えばフルオレノンのハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。フルオレノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。フルオレノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。

（Ｅ−３）の構造を有する誘導体は、例えばＣｈｅｍｉｓｔｒｙ Ｌｅｔｔｅｒｓ，３７（３），３６０−３６１（２００８）、特開平９−１５１１５７号公報に記載の合成方法を用いて合成することが出来る。また、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。

また、架橋剤と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有するためには、ナフトキノン誘導体に重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。この方法としては、例えばナフトキノンのハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。ナフトキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。ナフトキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法などがある。

（Ｅ−４）の構造を有する誘導体は、例えば特開平１−２０６３４９号公報、ＰＰＣＩ／Ｊａｐａｎ Ｈａｒｄ Ｃｏｐｙ’９８ 予稿集ｐ．２０７（１９９８）に記載の合成方法を用いて合成することができる。例えば、東京化成工業（株）またはシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なフェノール誘導体を原料として合成することができる。

また、架橋剤と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有するためには、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。この方法としては、例えばジフェノキノンのハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。ジフェノキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。ジフェノキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法などがある。

（Ｅ−５）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フェナントレン誘導体またはフェナントロリン誘導体を基に、Ｃｈｅｍ．Ｅｄｕｃａｔｏｒ Ｎｏ．６，２２７−２３４（２００１）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，２９−３２（１９５７）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，３２−３４（１９５７）に記載の合成方法で合成することもできる。また、マロノニトリルとの反応によりジシアノメチレン基を導入することもできる。

また、架橋剤と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有するためには以下の方法が挙げられる。例えば、上記式（Ｅ−５）の構造を有する誘導体を合成した後、直接重合性官能基を導入する方法、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えばフェナントレンキノンのハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。フェナントレンキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。フェナントレンキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法などがある。

（Ｅ−６）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フェナントレン誘導体またはフェナントロリン誘導体を基に、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．６５，１００６−１０１１（１９９２）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応によりジシアノメチレン基を導入することもできる。

また、架橋剤と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有するためには以下の方法が挙げられる。例えば、上記式（Ｅ−６）の構造を有する誘導体を合成した後、直接重合性官能基を導入する方法、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、例えばフェナントロリンキノンのハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。フェナントロリンキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。フェナントロリンキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法などがある。

（Ｅ−７）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。

また、架橋剤と重合可能な官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基）を有するためには、購入可能なアントラキノン誘導体に重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。この方法としては、例えばアントラキノンのハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。アントラキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ_３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。アントラキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ_２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法などがある。

下引き層用塗布液に用いられる溶剤としては、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、ハロゲン化炭化水素系溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。より具体的には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これらの溶剤は、単独あるいは２種以上を混合して用いることができる。２種以上混合して用いる場合、混合溶媒として上記イソシアネート化合物と、上記樹脂と、上記電子輸送物質を溶解することができる溶媒であれば、特に限定されない。

本発明の電子写真感光体は、一般的には、円筒状支持体上に感光層（電荷発生層、電荷輸送層）を形成してなる円筒状の電子写真感光体が広く用いられるが、ベルト状、シート状などの形状とすることも可能である。

支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）が好ましく、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属または合金製の支持体を用いることができる。ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属の薄膜を形成した支持体、または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成した支持体が挙げられる。

支持体の表面は、電気的特性の改善や干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング処理、ブラスト処理、切削処理などを施してもよい。

支持体と、上述の下引き層との間には、導電層を設けてもよい。導電層は、導電性粒子を樹脂に分散させた導電層用塗布液の塗膜を支持体上に形成し、塗膜を乾燥させることで得られる。導電性粒子としては、たとえば、カーボンブラック、アセチレンブラックや、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀のような金属粉や、導電性酸化スズ、ＩＴＯのような金属酸化物粉体が挙げられる。

また、樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂およびアルキッド樹脂が挙げられる。

導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤および芳香族炭化水素溶剤が挙げられる。導電層の膜厚は、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、さらには５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。

支持体または導電層と、感光層との間には、上述の下引き層が設けられる。

次に、下引き層上には感光層が設けられる。

電荷発生物質としては、アゾ顔料や、ペリレン顔料、アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体、イソビオラントロン該導体、インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料、ビスベンズイミダゾール誘導体などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、またはフタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。

感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体や、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル、ポリカーボネートおよびポリビニルアセタールが好ましく、これらの中でも、ポリビニルアセタール樹脂がより好ましい。

電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

正孔輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミン化合物などが挙げられる。また、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーも挙げられる。

感光層が積層型感光層である場合、電荷輸送層（正孔輸送層）に用いられる結着樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂、ポリアリレート樹脂が好ましい。また、これらの樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜３００，０００の範囲であることが好ましい。

電荷輸送層において、正孔輸送物質と結着樹脂との比率（正孔輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０の範囲であることが好ましく、１０／８〜６／１０の範囲であることがより好ましい。正孔輸送層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。

電荷輸送層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。

また、感光層（電荷輸送層）上には、導電性粒子または正孔輸送物質と、結着樹脂とを含有する保護層（表面保護層）を形成してもよい。保護層には、潤滑剤などの添加剤をさらに含有してもよい。また、保護層の結着樹脂自体に導電性や正孔輸送性を有させてもよい。その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や正孔輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光または放射線（電子線など）などにより硬化（重合）させてなる硬化性樹脂であってもよい。

下引き層、電荷発生層、電荷輸送層などの電子写真感光体を構成する各層を形成する方法としては、各層を構成する材料を溶剤に溶解もしくは分散させて得られた塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥および／重合させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。

図１に、本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。

図１において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体１の表面（周面）は、帯電手段３（一次帯電手段：帯電ローラーなど）により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。

電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。なお、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送される。

トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。

トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化される。次いで、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図２に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。

上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを選択し容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成してもよい。そして、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図１では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。

以下に、具体的な実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明する。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。

（実施例１）
以下のように作成された電子写真感光体を２本用意した。１本は、下引き層の構造解析に用い、もう１本は、ポジゴーストの評価に用いた。

長さ２６０．５ｍｍおよび直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。

次に、酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子（粉体抵抗率：１２０Ω・ｃｍ、ＳｎＯ_２の被覆率（質量比率）：４０％。）５０部、フェノール樹脂（プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０％。）４０部、メトキシプロパノール４０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルで３時間分散処理して、導電層用塗布液（分散液）を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４５℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が１６μｍの導電層を形成した。

この導電層用塗布液における酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子の平均粒径を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、テトラヒドロフランを分散媒とし、回転数５０００ｒｐｍにて遠心沈降法で測定した。その結果、平均粒径は、０．３３μｍであった。

次に、電子輸送物質として例示化合物（Ｅ−１−１）３．６部、イソシアネート化合物として例示化合物（Ｉ−８）６．２部、および樹脂としてブチラール樹脂（商品名：ＢＭ−１、積水化学工業（株）製。）１．２９部を、メチルエチルケトン５０部とジメチルアセトアミド５０部の混合溶液に溶解した。得られた溶液に、触媒としてジオクチルスズジウラレートを０．０３１部添加して、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を、上記導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱し、重合（硬化）させることによって、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。

次に、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する。）１０部、ブチラール樹脂（商品名：ＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２４０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を、上記下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間９５℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。

次に、ポリアリレート樹脂（下記式（１６−１）で示される繰り返し構造単位と、下記式（１６−２）で示される繰り返し構造単位を５／５の割合で有し、重量平均分子量（Ｍｗ）が１００，０００である。）１０部、および下記式（１５）で示されるアミン化合物（正孔輸送物質）７部を、ジメトキシメタン３０部およびクロロベンゼン７０部の混合溶媒に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。この電荷輸送層用塗布液を、上記電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１８μｍの電荷輸送層を形成した。

このようにして、支持体上に導電層、下引き層、電荷発生層、電荷輸送層を有する電子写真感光体を製造した。

下引き層の構造は、以下のようにして解析した。下引き層の構造解析用の電子写真感光体をジメトキシメタン４０部およびクロロベンゼン６０部の混合溶剤に５分間浸漬させて超音波を印加し、正孔輸送層を剥離させた。次に、ラッピングテープ（Ｃ２０００：富士写真フィルム（株）製）を用いて電荷発生層を研磨した後、１０分１００℃で乾燥させることによって、下引き層の構造解析用電子写真感光体とした。尚、ＦＴＩＲ−ＡＴＲ法を用いて下引き層表面に電荷輸送層および電荷発生層の成分が残留していない事を確認した。感光体を２５℃／５０％ＲＨ環境下に２４時間放置後、電子写真感光体の中央部（端から１３０ｍｍ位置）を１ｃｍ角に切り出し、下引き層の構造解析用サンプルとした。上述の固体^１３Ｃ−ＮＭＲ測定、質量分析測定、熱分解ＧＣ−ＭＳ分析によるＭＳスペクトル測定、赤外分光分析による特性吸収測定で確認された、式（１）で示される構造およびＤ^１構造の主鎖の原子数を表１５〜１７に示す。

もう１本の電子写真感光体を用いて、以下の評価を行った。製造した電子写真感光体を温度２３度、湿度５０％ＲＨの環境下にて、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）の改造機に装着した。その後、表面電位の測定、５０００枚繰り返し使用時の明部電位の変動（電位変動）の評価および５０００枚繰り返し使用時のゴーストの評価を行った。詳しくは以下のとおりである。

上記前露光が発光しないように改造したレーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、製造した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。まず、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。次に、Ａ４サイズの普通紙で、５０００枚のテストチャート（印字率５％の文字画像）の出力を行い、その後、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。

ゴースト評価用画像は、図２に示すように、画像の先頭部に「白画像」中に四角の「ベタ画像」を出力した後、図３に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」を作成したものである。なお、図２中、「ゴースト」部は、「ベタ画像」に起因するゴーストが出現し得る部分である。

ポジゴースト画像の評価は、１ドット桂馬パターンの画像の画像濃度と、ゴースト部の画像濃度との濃度差（マクベス濃度差）を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均を算出し、初期および５０００枚繰り返し使用後のマクベス濃度差を評価した。ゴースト部の濃度の方が高い画像が、ポジゴースト画像である。この濃度差は、値が小さいほど、ポジゴーストが抑制されたことを意味する。また、５０００枚の出力後のマクベス濃度差と初期画像出力時のマクベス濃度差との差が小さい程、ポジゴーストの変動抑制効果が大きいことを意味する。結果を表１５から１７に示す。

電位変動（明部電位変動量）は、以下のように評価した。

評価装置の７８０ｎｍのレーザー光源の露光量（画像露光量）については、電子写真感光体の表面での光量が０．３μＪ／ｃｍ^２となるように設定した。電子写真感光体の表面電位（暗部電位および明部電位）の測定は、電子写真感光体の端部から１３０ｍｍの位置に電位測定用プローブが位置するように固定された冶具と現像器とを交換して、現像器位置で行った。電子写真感光体の非露光部の暗部電位が−４５０Ｖとなるよう印加バイアスを設定し、レーザー光を照射して暗部電位から光減衰させた明部電位を測定した。また、Ａ４サイズの普通紙を用い、連続して画像出力を５０００枚行い、その後の明部電位（繰り返し使用後の明部電位）を測定し、初期明部電位と繰り返し使用後の明部電位との差（明部電位変動量）を算出した。テストチャートは、印字比率５％のものを用いた。結果を表１５から１７中の電位変動に示す。

（実施例２〜１０）
実施例１において、電子輸送物質、イソシアネート化合物（架橋剤）、樹脂を表１５のように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１５に示す。

（実施例１１）
実施例１において、電子輸送物質、イソシアネート化合物を表１５に示すように変更し、樹脂としてブチラール樹脂（商品名：ＢＸ−１、積水化学社製）１．２９部に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１５に示す。

（実施例１２）
実施例１において、電子輸送物質、イソシアネート化合物を表１５に示すように変更し、樹脂としてポリビニルアルコール樹脂（商品名：ＰＶＡ１１７、クラレ株式会社製）１．２９部に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１５に示す。

（実施例１３）
実施例１において、電子輸送物質、イソシアネート化合物を表１５に示すように変更し、樹脂として部分加水分解した塩化ビニル／酢酸ビニル樹脂（商品名：ＶＡＧＨ、ダウ・ケミカル社製。）１．２９部に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１５に示す。

（実施例１４）
実施例１において、電子輸送物質、イソシアネート化合物を表１５に示すように変更し、樹脂としてポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（商品名：マルカリンカー、丸善石油化学社製。）１．２９部に変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１５に示す。

（実施例１５〜９０）
実施例１において、電子輸送物質、イソシアネート化合物、樹脂を表１５〜１７に示すように変更した以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１５〜１７に示す。

（実施例９１）
実施例１において、導電層用塗布液、下引き層用塗布液および電荷輸送層用塗布液の調整を以下のように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、同様にポジゴーストの評価を行った。結果を表１７に示す。

導電層用塗布液の調製を以下のように変更した。金属酸化物粒子としての酸素欠損型酸化スズ（ＳｎＯ_２）が被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子２１４部、結着樹脂としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０質量％。）１３２部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れて分散処理（分散条件、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃。）を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。

ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して１０質量％になるように、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子を分散液に添加した。該シリコーン樹脂粒子は、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製のトスパール１２０（商品名）であり、平均粒径は２μｍである。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製。）を分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

次に、電子輸送物質、イソシアネート化合物を表１７のように変更し、樹脂としてアセタール樹脂（商品名：ＫＳ−５、積水化学社製）、触媒としてオクチル酸亜鉛（ＩＩ）を０．０３１部を添加した以外は、実施例１のように下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を、上記導電層上に浸漬塗布して塗膜を形成し、得られた塗膜を３０分間１６０℃で加熱し、重合（硬化）させることによって、膜厚が０．５μｍの下引き層を形成した。

電荷発生層は実施例１と同様に形成した。

次に電荷輸送層用塗布液の調製を以下のように変更した。ポリエステル樹脂Ｆ（下記式（２４）で示される繰り返し構造、式（２６）で示される繰り返し構造と式（２５）で示される繰り返し構造を７：３の比で有し、重量平均分子量が９０，０００である。）３部、ポリエステル樹脂Ｈ（下記式（２７）で示される繰り返し構造と下記式（２８）で示される繰り返し構造を５：５の比で含有し、重量平均分子量が１２０，０００である。）７部、上記式（１５）で示される電荷輸送物質９部、および下記式（１８）で示される電荷輸送物質１部を、ジメトキシメタン３０部およびオルトキシレン５０部の混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。なお、ポリエステル樹脂Ｆのおける、下記式（２４）で示される繰り返し構造単位の含有量が１０質量％であり、下記式（２５）、（２６）で示される繰り返し構造単位の含有量が９０質量％であった。

この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを１時間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１６μｍの電荷輸送層を形成した。形成された電荷輸送層には電荷輸送物質とポリエステル樹脂Ｈを含むマトリックス中にポリエステル樹脂Ｆを含むドメイン構造が含有されていることが確認された。

（実施例９２〜１１１）
実施例９１において、電子輸送物質、イソシアネート化合物、樹脂を表１７に示すように変更した以外は実施例９１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１６に示す。

（実施例１１２）
実施例９３において、電荷輸送層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例９３と同様に電子写真感光体を製造し、同様に評価を行った。結果を表１７に示す。

電荷輸送層用塗布液の調製を以下のように変更した。ポリカーボネート樹脂Ｉ（下記式（２９）で示される繰り返し構造を有し、重量平均分子量が７０，０００である。）１０部、ポリカーボネート樹脂Ｊ（下記式（２９）で示される繰り返し構造、下記式（３０）で示される繰り返し構造および、末端の少なくともいずれか一方に下記式（３１）で示される構造を有し、重量平均分子量が４０，０００である。）０．３部、上記式（１５）で示される電荷輸送物質９部、および上記式（１８）で示される電荷輸送物質１部、ジメトキシメタン３０部およびオルトキシレン５０部混合溶剤に溶解させることによって、電荷輸送層用塗布液を調製した。なお、ポリカーボネート樹脂Ｊにおける、下記式（３０）と（３１）で示される繰り返し構造単位の合計質量が３０質量％であった。

この電荷輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを１時間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１６μｍの電荷輸送層を形成した。

（実施例１１３）
実施例１１２の電荷輸送層用塗布液を、ポリカーボネート樹脂Ｉ（重量平均分子量７０，０００）から、ポリエステル樹脂Ｈ（重量平均分子量１２０，０００）１０部とした以外は実施例１１２と同様に電子写真感光体を製造し、同様に評価を行った。結果を表１７に示す。

（実施例１１４）
実施例９３において、導電層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例９３と同様に電子写真感光体を製造し、同様の評価を行った。結果を表１７に示す。

導電層用塗布液の調製を以下のように変更した。金属酸化物粒子としてのリン（Ｐ）がドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子２０７部、結着樹脂としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）１４４部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。

ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して１５質量％になるように、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）を分散液に添加した。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ）を分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

（実施例１１５）
実施例１１２において、導電層用塗布液の調整を以下のように変更した以外は、実施例１１２と同様に電子写真感光体を製造し、同様の評価を行った。結果を表１７に示す。

導電層用塗布液の調整を以下のように変更した。金属酸化物粒子としてのリン（Ｐ）がドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子２０７部、結着材料としてのフェノール樹脂（フェノール樹脂のモノマー／オリゴマー）（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）１４４部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。

この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。

ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着材料の合計質量に対して１５質量％になるように、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）を分散液に添加した。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着材料の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ）を分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

（実施例１１６）
実施例１１３において、導電層用塗布液の調製を以下のように変更した以外は、実施例１１３と同様に電子写真感光体を製造し、同様の評価を行った。結果を表１７に示す。

導電層用塗布液の調製を以下のように変更した。金属酸化物粒子としてのリン（Ｐ）がドープされている酸化スズ（ＳｎＯ_２）で被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ_２）粒子２０７部、フェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）１４４部、および、１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。

ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子とフェノール樹脂の合計質量に対して１５質量％になるように、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）を分散液に添加した。また、分散液中の金属酸化物粒子とフェノール樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、シリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ）を分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。

（比較例１）
実施例１において、電子輸送物質として下記式（Ｃ−１）で示される化合物を用い、イソシアネート化合物（架橋剤）に（Ｉ−１）を用いた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１８に示す。式（１）で示される構造中のＤ^１に相当する構造の主鎖の原子数は４であった。

（比較例２）
実施例１において、電子輸送物質として下記式（Ｃ−２）で示される化合物を用い、イソシアネート化合物（架橋剤）に（Ｉ−１）を用いた以外は実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１８に示す。式（１）で示される構造中のＤ^１に相当する構造の主鎖の原子数は４であった。

（比較例３）
実施例１において、電子輸送物質として、特表２００９−５０５１５６号公報に記載されている下記式で示される構造を有するブロック共重合体を用いて下引き層を形成した以外は、本発明の実施例１と同様に電子写真感光体を製造し、評価を行った。結果を表１８に示す。式（１）で示される構造中のＤ^１に相当する構造の主鎖の原子数は２５であった。

（比較例４）
ヘキサメチレンジイソシアネートと下記化合物（１１）とを用いて下引き層を作成（特開２００７−１４８２９３号公報の実施例１の構成）した以外は実施例１と同様に感光体を製造し、同様に評価を行った。結果を表１８に示す。

＜溶出試験＞
実施例１〜１１６において調製した下引き層用塗布液０．５ｇを、アルミニウムシート上にワイヤーバー法により均一に塗布し、得られた塗膜を温度１６０℃３０分間で加熱し、重合（硬化）させてサンプルを得た。このサンプルの中央部を１００ｍｍ×５０ｍｍの領域だけ切り取り、それぞれ温度２０度のアノンおよび酢酸エチルの混合液（重量比＝１：１）中に１０分間浸漬し、浸漬前の初期重量と浸漬後の重量を測定した。さらに、サンプル上に形成された塗膜を削り取り、アルミニウムシートの重量を測定した。下記式により浸漬後重量減少率（溶出量、％）を求めた。
浸漬後重量減少率（％）＝（（初期重量−浸漬後重量）／初期重量−アルミニウムシート重量））×１００
浸漬後重量減少率（％）が５％以下の場合、下引き層は溶出しにくい膜であると判断した。この結果、実施例１〜１１６で形成した下引き層は、浸漬後重量減少率（％）が５％以下であり、溶出しにくい膜であった。

表１５、１６、１７中、「電子輸送物質の含有量」は、下引き層用塗布液中の電子輸送物質の含有量（質量部）を示す。「イソシアネート化合物の含有量」は、下引き層用塗布液中のイソシアネート化合物の含有量（質量部）を示す。「樹脂質量部」は、下引き層用塗布液中の樹脂の含有量（質量部）を示す。

実施例６０と比較例１および比較例２により、式（１）で示される構造中のＤ^１の主鎖の原子数が５より小さい場合、十分なポジゴースト変動抑制の効果が得られないことが示されている。このことは本評価法の初期および５０００枚繰り返し使用後のマクベス濃度の変化が、実施例に比べて大きいことにより示されている。これは、Ｄ^１の主鎖の原子数が５より小さい場合、ウレタン結合と電子輸送性構造の結合距離が短いため、繰り返し使用時加水分解され電荷トラップが増加したためだと考えられる。

実施例１３と比較例３により、式（１）で示される構造中のＤ^１の主鎖の原子数が１５より大きい場合、十分なポジゴースト変動抑制の効果が得られないことが示されている。このことは本評価法の初期および５０００枚繰り返し使用後のマクベス濃度の変化が、実施例に比べて大きいことにより示されている。これは、Ｄ^１の主鎖の原子数が１５より大きい場合、比較例３の電子輸送性構造であるナフタレンカルボン酸無水物構造とイソシアヌレート構造部分が相互作用しにくく、伝導準位が不均一になると考えられる。その結果、電子輸送構造の劣化が引き起こされ電荷トラップが増加したためだと考えられる。

１ 電子写真感光体
２ 軸
３ 帯電手段
４ 露光光
５ 現像手段
６ 転写手段
７ クリーニング手段
８ 定着手段
９ プロセスカートリッジ
１０ 案内手段
Ｐ 転写材
１０１ 支持体
１０２ 下引き層
１０３ 感光層
１０４ 電荷発生層
１０５ 電荷輸送層

Claims (8)

1. 支持体、該支持体上に形成された下引き層、および該下引き層上に形成された感光層を有する電子写真感光体において、
   該下引き層が下記式（１）で示される構造を有することを特徴とする電子写真感光体。
   
   （式（１）中、Ｒ^１およびＲ^３は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の主鎖の原子数が１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^２は、単結合、置換もしくは無置換の主鎖の原子数が１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。該置換のアルキレン基の置換基は、アルキル基、アリール基、ヒドロキシ基、またはハロゲン原子である。該置換のフェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、またはハロゲン置換アルキル基である。Ｒ^９は、水素原子、またはアルキル基を示す。Ａ^１は、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で示されるいずれかの基を示す。Ｂ^１は、下記式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）のいずれかで示される基を示す。Ｄ^１は、下記式（Ｄ）で示される主鎖の原子数が５から１５の基である。Ｅ^１は、下記式（Ｅ−１）〜（Ｅ−８）のいずれかで示される２価の基である。）
   
   （Ｒ^１０は水素原子、またはアルキル基を示す。）
   
   （式（Ｂ−１）〜（Ｂ−３）中、Ｒ^２は、単結合、置換もしくは無置換の主鎖の原子数が１から１０のアルキレン基、または置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、炭素数が１から５のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基を示す。アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたはＮＲ^１５で置き換わっていても良い。Ｒ^１５はアルキル基である。Ａｒ^２は、置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。該置換のフェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。Ｒ^１２は、水素原子またはアルキル基を示す。Ａ^１およびＡ^２は、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）で示されるいずれかの基を示す。ｏ、ｐおよびｑは、それぞれ独立に、０または１であり、ｏ、ｐおよびｑの和は、１以上３以下である。＊は、上記式（１）中のＲ^３に結合する側を表す。）
   
   （式（Ｄ）中、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７は、それぞれ独立に、主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、炭素数が１から５のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１から５のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１から５のアルキレン基を示す。アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、Ｏ、Ｓ、ＮＨまたはＮＲ^１５で置き換わっていても良い。Ｒ^１５はアルキル基である。Ａｒ^１およびＡｒ^２は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基を示す。該置換のフェニレン基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アルキル基、またはハロゲン化アルキル基である。Ａ^２は、前記式（Ａ−１）〜（Ａ−６）のいずれかで示される基を示す。ｌ、ｍ、ｎ、ｏ、ｐおよびｑは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌ、ｍおよびｎの和、ｏ、ｐおよびｑの和は、１以上３以下である。）
   
   （式（Ｅ−１）〜（Ｅ−８）中、Ｘ^１１〜Ｘ^１６の２つ、Ｘ^２１〜Ｘ^２９の２つ、Ｘ^３１〜Ｘ^３６の２つ、Ｘ^４１〜Ｘ^４８の２つ、Ｘ^５１〜Ｘ^５８の２つ、Ｘ^６１〜Ｘ^６６の２つ、Ｘ^７１〜Ｘ^７８の２つ、およびＸ^８１〜Ｘ^８８の２つは、単結合である。その他のＸ^１１〜Ｘ^１６、Ｘ^２１〜Ｘ^２９、Ｘ^３１〜Ｘ^３６、Ｘ^４１〜Ｘ^４８、Ｘ^５１〜Ｘ^５８、Ｘ^６１〜Ｘ^６６、Ｘ^７１〜Ｘ^７８、およびＸ^８１〜Ｘ^８８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、シアノ基、ジアルキルアミノ基、ヒドロキシ基、複素環基、ニトロ基、置換もしくは無置換のアルコキシ基、または置換もしくは無置換のアルキル基を示す。Ｚ^５１〜Ｚ^５２、Ｚ^６１〜Ｚ^６２、およびＺ^８１は、それぞれ独立に、酸素原子、Ｃ（ＣＮ）_２基、またはＮ−Ｒ^１１を示す。Ｒ^１１は、置換もしくは無置換のアリール基、または置換もしくは無置換のアルキル基を示す。）
2. 前記下引き層が、前記式（１）で示される構造を有する硬化物を含有する請求項１に記載の電子写真感光体。
3. 前記硬化物が、さらに、下記式（２）で示される構造を有する請求項２に記載の電子写真感光体。
   
   （式（２）中、Ｒ^８は、置換もしくは無置換の炭素数が１から５のアルキル基を示す。該置換の炭素数が１から５のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基またはハロゲン原子である。）
4. 前記Ｄ^１中、前記式（Ｄ）で示される主鎖の原子数が１０以上１５以下の基である請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
5. 前記式（Ｄ）中のＲ^４、Ｒ^５、Ｒ^６およびＲ^７が、それぞれ独立に、メチル基もしくはエチル基置換の主鎖の原子数が１から５のアルキレン基、または主鎖の原子数が１から５のアルキレン基である請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
6. 前記式（Ｄ）中のＡｒ^１およびＡｒ^２が、フェニレン基である請求項１から５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
7. 請求項１から６のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
8. 請求項１から６のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。