JP2023052332A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2023052332A5
JP2023052332A5 JP2023002539A JP2023002539A JP2023052332A5 JP 2023052332 A5 JP2023052332 A5 JP 2023052332A5 JP 2023002539 A JP2023002539 A JP 2023002539A JP 2023002539 A JP2023002539 A JP 2023002539A JP 2023052332 A5 JP2023052332 A5 JP 2023052332A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
transistor
layer
region
semiconductor layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2023002539A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP7445026B2 (ja
JP2023052332A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2021195243A external-priority patent/JP7228665B2/ja
Application filed filed Critical
Publication of JP2023052332A publication Critical patent/JP2023052332A/ja
Publication of JP2023052332A5 publication Critical patent/JP2023052332A5/ja
Priority to JP2023212732A priority Critical patent/JP7620075B2/ja
Priority to JP2024025094A priority patent/JP2024052822A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7445026B2 publication Critical patent/JP7445026B2/ja
Priority to JP2025099121A priority patent/JP2025120436A/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2023002539A 2016-08-03 2023-01-11 表示装置 Active JP7445026B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023212732A JP7620075B2 (ja) 2016-08-03 2023-12-18 表示装置及び表示モジュール
JP2024025094A JP2024052822A (ja) 2016-08-03 2024-02-22 表示装置
JP2025099121A JP2025120436A (ja) 2016-08-03 2025-06-13 表示装置

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016152394 2016-08-03
JP2016152394 2016-08-03
JP2021195243A JP7228665B2 (ja) 2016-08-03 2021-12-01 表示装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021195243A Division JP7228665B2 (ja) 2016-08-03 2021-12-01 表示装置

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023212732A Division JP7620075B2 (ja) 2016-08-03 2023-12-18 表示装置及び表示モジュール
JP2024025094A Division JP2024052822A (ja) 2016-08-03 2024-02-22 表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2023052332A JP2023052332A (ja) 2023-04-11
JP2023052332A5 true JP2023052332A5 (enExample) 2023-10-10
JP7445026B2 JP7445026B2 (ja) 2024-03-06

Family

ID=60996687

Family Applications (8)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017141468A Active JP7060927B2 (ja) 2016-08-03 2017-07-21 表示装置および電子機器
JP2020089546A Active JP6770211B2 (ja) 2016-08-03 2020-05-22 表示装置
JP2020159556A Active JP6987944B2 (ja) 2016-08-03 2020-09-24 表示装置
JP2021195243A Active JP7228665B2 (ja) 2016-08-03 2021-12-01 表示装置
JP2023002539A Active JP7445026B2 (ja) 2016-08-03 2023-01-11 表示装置
JP2023212732A Active JP7620075B2 (ja) 2016-08-03 2023-12-18 表示装置及び表示モジュール
JP2024025094A Withdrawn JP2024052822A (ja) 2016-08-03 2024-02-22 表示装置
JP2025099121A Pending JP2025120436A (ja) 2016-08-03 2025-06-13 表示装置

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017141468A Active JP7060927B2 (ja) 2016-08-03 2017-07-21 表示装置および電子機器
JP2020089546A Active JP6770211B2 (ja) 2016-08-03 2020-05-22 表示装置
JP2020159556A Active JP6987944B2 (ja) 2016-08-03 2020-09-24 表示装置
JP2021195243A Active JP7228665B2 (ja) 2016-08-03 2021-12-01 表示装置

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023212732A Active JP7620075B2 (ja) 2016-08-03 2023-12-18 表示装置及び表示モジュール
JP2024025094A Withdrawn JP2024052822A (ja) 2016-08-03 2024-02-22 表示装置
JP2025099121A Pending JP2025120436A (ja) 2016-08-03 2025-06-13 表示装置

Country Status (5)

Country Link
US (6) US10373983B2 (enExample)
JP (8) JP7060927B2 (enExample)
KR (8) KR102458660B1 (enExample)
DE (1) DE102017212741A1 (enExample)
TW (6) TWI871801B (enExample)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8736315B2 (en) * 2011-09-30 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102458660B1 (ko) 2016-08-03 2022-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기
JP2018049267A (ja) 2016-09-16 2018-03-29 株式会社半導体エネルギー研究所 表示システム、電子機器および表示方法
KR102774342B1 (ko) * 2017-02-07 2025-03-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2018180110A (ja) * 2017-04-06 2018-11-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN107863354A (zh) * 2017-10-20 2018-03-30 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法
WO2019155318A1 (ja) 2018-02-08 2019-08-15 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
CN111886702A (zh) 2018-03-28 2020-11-03 堺显示器制品株式会社 有机el显示装置以及有机el显示装置的制造方法
WO2019186806A1 (ja) * 2018-03-28 2019-10-03 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
US11114517B2 (en) 2018-03-28 2021-09-07 Sakai Display Products Corporation Organic EL display apparatus and method of manufacturing organic EL display apparatus
JP6606309B1 (ja) * 2018-03-28 2019-11-13 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
KR20200138305A (ko) * 2018-03-29 2020-12-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치 및 전자 기기
US10964767B2 (en) 2018-04-11 2021-03-30 Sakai Display Products Corporation Organic EL display device and manufacturing method for organic EL display device
US11423844B2 (en) 2018-05-17 2022-08-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP7308655B2 (ja) * 2018-07-13 2023-07-14 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び電子機器
KR20200023573A (ko) * 2018-08-23 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI677741B (zh) * 2018-11-12 2019-11-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
JP6865249B2 (ja) * 2019-05-15 2021-04-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
JP6694988B2 (ja) * 2019-05-15 2020-05-20 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
US11164894B2 (en) * 2019-10-16 2021-11-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and manufacturing method thereof
KR102762838B1 (ko) 2019-10-28 2025-02-04 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 패널
KR20210057448A (ko) * 2019-11-12 2021-05-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시 패널
KR102835926B1 (ko) 2019-12-24 2025-07-17 엘지디스플레이 주식회사 발광표시패널
CN111128028A (zh) * 2019-12-31 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种可弯折显示面板、显示装置及显示设备
KR20220011243A (ko) * 2020-07-20 2022-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
US12243482B2 (en) 2020-12-06 2025-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and display correction system
JPWO2022190984A1 (enExample) * 2021-03-08 2022-09-15
KR20230169177A (ko) 2021-04-22 2023-12-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN113921538A (zh) * 2021-09-30 2022-01-11 合肥视涯技术有限公司 显示面板、显示面板的驱动背板的制备方法及显示装置
US20240334741A1 (en) * 2021-10-11 2024-10-03 Sharp Display Technology Corporation Display device
WO2023067456A1 (ja) * 2021-10-22 2023-04-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、及び電子機器
DE112022005825T5 (de) 2021-12-08 2024-09-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Elektronisches Gerät
KR20250028356A (ko) 2022-06-23 2025-02-28 소니그룹주식회사 표시 장치 및 전자 기기
WO2024127199A1 (ja) * 2022-12-16 2024-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
CN120239878A (zh) * 2023-01-11 2025-07-01 索尼半导体解决方案公司 显示装置及电子装置
WO2025153925A1 (ja) * 2024-01-17 2025-07-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Family Cites Families (195)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0053878B1 (en) 1980-12-08 1985-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor memory device
JPH0612799B2 (ja) 1986-03-03 1994-02-16 三菱電機株式会社 積層型半導体装置およびその製造方法
JPS6324507U (enExample) 1986-07-30 1988-02-18
JPH0383690U (enExample) 1989-12-12 1991-08-26
JPH05299653A (ja) 1991-04-05 1993-11-12 Fuji Xerox Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JPH0529571A (ja) 1991-07-19 1993-02-05 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置およびその製造方法
US7253440B1 (en) 1991-10-16 2007-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having at least first and second thin film transistors
US6759680B1 (en) 1991-10-16 2004-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device having thin film transistors
US7071910B1 (en) 1991-10-16 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrooptical device and method of driving and manufacturing the same
JP2784615B2 (ja) 1991-10-16 1998-08-06 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
JP2775040B2 (ja) 1991-10-29 1998-07-09 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
TW299897U (en) 1993-11-05 1997-03-01 Semiconductor Energy Lab A semiconductor integrated circuit
JPH103091A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Hoshiden Philips Display Kk 液晶表示素子
JP4103968B2 (ja) 1996-09-18 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 絶縁ゲイト型半導体装置
US5770483A (en) 1996-10-08 1998-06-23 Advanced Micro Devices, Inc. Multi-level transistor fabrication method with high performance drain-to-gate connection
US6271542B1 (en) 1997-12-08 2001-08-07 International Business Machines Corporation Merged logic and memory combining thin film and bulk Si transistors
KR100333180B1 (ko) 1998-06-30 2003-06-19 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 Tft-lcd제조방법
JP2001053164A (ja) 1999-08-04 2001-02-23 Sony Corp 半導体記憶装置
IT1314025B1 (it) 1999-11-10 2002-12-03 St Microelectronics Srl Processo per sigillare selettivamente elementi capacitoriferroelettrici compresi in celle di memorie non volatili integrate su
JP3735855B2 (ja) 2000-02-17 2006-01-18 日本電気株式会社 半導体集積回路装置およびその駆動方法
JP2002093924A (ja) 2000-09-20 2002-03-29 Sony Corp 半導体記憶装置
JP4306142B2 (ja) 2001-04-24 2009-07-29 株式会社日立製作所 画像表示装置及びその製造方法
JP2002368226A (ja) 2001-06-11 2002-12-20 Sharp Corp 半導体装置、半導体記憶装置及びその製造方法、並びに携帯情報機器
CN1219770C (zh) 2001-07-13 2005-09-21 朱景力 异喹啉的提纯方法
JP2003060060A (ja) 2001-08-21 2003-02-28 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置
JP4275336B2 (ja) 2001-11-16 2009-06-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
AU2003235175A1 (en) 2002-04-17 2003-10-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and its manufacturing method
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
US7189992B2 (en) 2002-05-21 2007-03-13 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures having a transparent channel
US6787835B2 (en) 2002-06-11 2004-09-07 Hitachi, Ltd. Semiconductor memories
JP4314843B2 (ja) * 2003-03-05 2009-08-19 カシオ計算機株式会社 画像読取装置及び個人認証システム
TWI255032B (en) 2004-01-29 2006-05-11 Casio Computer Co Ltd Transistor array and manufacturing method thereof image processing device
JP4401971B2 (ja) 2004-04-29 2010-01-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光表示装置
JP4927321B2 (ja) 2004-06-22 2012-05-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
JP4466853B2 (ja) 2005-03-15 2010-05-26 セイコーエプソン株式会社 有機強誘電体メモリ及びその製造方法
JP4849817B2 (ja) 2005-04-08 2012-01-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体記憶装置
WO2006118294A1 (en) 2005-04-27 2006-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4560502B2 (ja) 2005-09-06 2010-10-13 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
EP1998373A3 (en) 2005-09-29 2012-10-31 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
EP1777689B1 (en) 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
JP5015473B2 (ja) 2006-02-15 2012-08-29 財団法人高知県産業振興センター 薄膜トランジスタアレイ及びその製法
JP4839904B2 (ja) 2006-03-16 2011-12-21 セイコーエプソン株式会社 半導体装置、集積回路、及び電子機器
US7663165B2 (en) 2006-08-31 2010-02-16 Aptina Imaging Corporation Transparent-channel thin-film transistor-based pixels for high-performance image sensors
KR100829570B1 (ko) 2006-10-20 2008-05-14 삼성전자주식회사 크로스 포인트 메모리용 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP5116290B2 (ja) 2006-11-21 2013-01-09 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
KR20080052107A (ko) 2006-12-07 2008-06-11 엘지전자 주식회사 산화물 반도체층을 구비한 박막 트랜지스터
JP5086625B2 (ja) 2006-12-15 2012-11-28 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
GB2448174B (en) 2007-04-04 2009-12-09 Cambridge Display Tech Ltd Organic thin film transistors
JP5043499B2 (ja) 2007-05-02 2012-10-10 財団法人高知県産業振興センター 電子素子及び電子素子の製造方法
KR101402189B1 (ko) 2007-06-22 2014-06-02 삼성전자주식회사 Zn 산화물계 박막 트랜지스터 및 Zn 산화물의 식각용액
US8354674B2 (en) 2007-06-29 2013-01-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer
KR20090002841A (ko) 2007-07-04 2009-01-09 삼성전자주식회사 산화물 반도체, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
US8049253B2 (en) 2007-07-11 2011-11-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
TWI353063B (en) 2007-07-27 2011-11-21 Au Optronics Corp Photo detector and method for fabricating the same
US8232598B2 (en) 2007-09-20 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
US7982250B2 (en) 2007-09-21 2011-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US8044464B2 (en) 2007-09-21 2011-10-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4759598B2 (ja) 2007-09-28 2011-08-31 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ、その製造方法及びそれを用いた表示装置
TW200921226A (en) 2007-11-06 2009-05-16 Wintek Corp Panel structure and manufacture method thereof
JP5435857B2 (ja) 2007-11-07 2014-03-05 スパンション エルエルシー 半導体装置
JP5512078B2 (ja) 2007-11-22 2014-06-04 富士フイルム株式会社 画像形成装置
JP5213429B2 (ja) 2007-12-13 2013-06-19 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ
JP5213458B2 (ja) 2008-01-08 2013-06-19 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物及び電界効果型トランジスタ
KR101412761B1 (ko) 2008-01-18 2014-07-02 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
JP2009206508A (ja) 2008-01-31 2009-09-10 Canon Inc 薄膜トランジスタ及び表示装置
JP5121478B2 (ja) 2008-01-31 2013-01-16 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 光センサー素子、撮像装置、電子機器、およびメモリー素子
JP4555358B2 (ja) 2008-03-24 2010-09-29 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタおよび表示装置
JP5253872B2 (ja) 2008-04-17 2013-07-31 株式会社東芝 半導体集積回路装置
KR101496148B1 (ko) 2008-05-15 2015-02-27 삼성전자주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
JP2010003910A (ja) 2008-06-20 2010-01-07 Toshiba Mobile Display Co Ltd 表示素子
KR100963026B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
KR100963027B1 (ko) 2008-06-30 2010-06-10 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
JP5345456B2 (ja) 2008-08-14 2013-11-20 富士フイルム株式会社 薄膜電界効果型トランジスタ
JP5781720B2 (ja) 2008-12-15 2015-09-24 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
EP2515337B1 (en) 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
KR101100999B1 (ko) 2009-01-13 2011-12-29 삼성모바일디스플레이주식회사 씨모스 박막트랜지스터 및 그 제조방법과 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
KR101048965B1 (ko) 2009-01-22 2011-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계발광 표시장치
KR101065407B1 (ko) * 2009-08-25 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101073542B1 (ko) 2009-09-03 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
WO2011048929A1 (en) 2009-10-21 2011-04-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR20220153647A (ko) 2009-10-29 2022-11-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011052351A1 (en) 2009-10-29 2011-05-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101752348B1 (ko) 2009-10-30 2017-06-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101669476B1 (ko) 2009-10-30 2016-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 논리 회로 및 반도체 장치
KR20250075719A (ko) 2009-10-30 2025-05-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101788521B1 (ko) 2009-10-30 2017-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN104600074A (zh) 2009-11-06 2015-05-06 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101810254B1 (ko) 2009-11-06 2017-12-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 동작 방법
KR101707159B1 (ko) 2009-11-06 2017-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101761432B1 (ko) 2009-11-06 2017-07-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102329497B1 (ko) 2009-11-13 2021-11-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 이 표시 장치를 구비한 전자 기기
WO2011058934A1 (en) 2009-11-13 2011-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
CN102668063B (zh) 2009-11-20 2015-02-18 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
WO2011062075A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile latch circuit and logic circuit, and semiconductor device using the same
WO2011062042A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101928723B1 (ko) 2009-11-20 2018-12-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011062067A1 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101662359B1 (ko) 2009-11-24 2016-10-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 메모리 셀을 포함하는 반도체 장치
KR101803254B1 (ko) 2009-11-27 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP5491835B2 (ja) 2009-12-02 2014-05-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 画素回路および表示装置
CN104992962B (zh) 2009-12-04 2018-12-25 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其制造方法
BR112012013851A2 (pt) 2009-12-09 2019-09-24 Sharp Kk dispositivo semicondutor e método para produzir o mesmo
KR101770976B1 (ko) 2009-12-11 2017-08-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
IN2012DN04871A (enExample) 2009-12-11 2015-09-25 Semiconductor Energy Laoboratory Co Ltd
KR101813460B1 (ko) 2009-12-18 2017-12-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
WO2011077946A1 (en) 2009-12-25 2011-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102804360B (zh) 2009-12-25 2014-12-17 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
KR101762316B1 (ko) 2009-12-28 2017-07-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
CN102804603B (zh) 2010-01-20 2015-07-15 株式会社半导体能源研究所 信号处理电路及其驱动方法
WO2011096153A1 (en) 2010-02-05 2011-08-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR101822962B1 (ko) 2010-02-05 2018-01-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101921618B1 (ko) 2010-02-05 2018-11-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 구동 방법
KR101820776B1 (ko) 2010-02-19 2018-01-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2011187506A (ja) 2010-03-04 2011-09-22 Sony Corp 薄膜トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
WO2011114905A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor memory device
WO2011114868A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101280743B1 (ko) 2010-04-07 2013-07-05 샤프 가부시키가이샤 회로 기판 및 표시 장치
CN102870220B (zh) 2010-04-30 2014-05-07 夏普株式会社 电路基板和显示装置
WO2012002186A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI438868B (zh) 2010-07-30 2014-05-21 Au Optronics Corp 互補金氧半電晶體及其製作方法
US8422272B2 (en) 2010-08-06 2013-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
TWI605549B (zh) 2010-08-06 2017-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
KR101928897B1 (ko) 2010-08-27 2018-12-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 장치, 반도체 장치
TWI539453B (zh) 2010-09-14 2016-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體裝置和半導體裝置
US9443984B2 (en) 2010-12-28 2016-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN102122620A (zh) 2011-01-18 2011-07-13 北京大学深圳研究生院 一种自对准薄膜晶体管的制作方法
US9142320B2 (en) 2011-04-08 2015-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and signal processing circuit
US9111795B2 (en) 2011-04-29 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with capacitor connected to memory element through oxide semiconductor film
DE112012002065T5 (de) 2011-05-13 2014-02-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung
SG10201605237SA (en) 2011-06-24 2016-08-30 Sharp Kk Display device and method for manufacturing same
JP5795893B2 (ja) 2011-07-07 2015-10-14 株式会社Joled 表示装置、表示素子、及び、電子機器
US10002968B2 (en) 2011-12-14 2018-06-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and display device including the same
US9324449B2 (en) 2012-03-28 2016-04-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit, signal processing unit having the driver circuit, method for manufacturing the signal processing unit, and display device
JP6034048B2 (ja) 2012-04-23 2016-11-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、電子機器
KR20150074058A (ko) 2012-10-18 2015-07-01 이카노스 커뮤니케이션스, 인크. Dsl 시스템들에서 임펄스 잡음을 제거하기 위한 방법 및 장치
TWI613813B (zh) * 2012-11-16 2018-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置
TWI611566B (zh) 2013-02-25 2018-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置和電子裝置
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
US9412799B2 (en) 2013-08-26 2016-08-09 Apple Inc. Display driver circuitry for liquid crystal displays with semiconducting-oxide thin-film transistors
TWI794098B (zh) * 2013-09-06 2023-02-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置以及發光裝置的製造方法
WO2015052991A1 (ja) 2013-10-09 2015-04-16 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US9734756B2 (en) 2013-10-18 2017-08-15 Apple Inc. Organic light emitting diode displays with reduced leakage current
KR102227474B1 (ko) * 2013-11-05 2021-03-15 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 유기발광표시장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
KR102273443B1 (ko) 2013-12-05 2021-07-07 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자
WO2015097596A1 (en) * 2013-12-26 2015-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US9401432B2 (en) 2014-01-16 2016-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
KR102325158B1 (ko) 2014-01-30 2021-11-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 기기, 및 반도체 장치의 제작 방법
KR102235597B1 (ko) 2014-02-19 2021-04-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
US9214508B2 (en) 2014-02-24 2015-12-15 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate with intermediate insulating layer and display using the same
EP2911200B1 (en) 2014-02-24 2020-06-03 LG Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
KR102279392B1 (ko) * 2014-02-24 2021-07-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
US9691799B2 (en) 2014-02-24 2017-06-27 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate and display using the same
KR102346544B1 (ko) * 2014-02-24 2022-01-05 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
KR102397873B1 (ko) * 2014-02-24 2022-05-16 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US9489882B2 (en) * 2014-02-25 2016-11-08 Lg Display Co., Ltd. Display having selective portions driven with adjustable refresh rate and method of driving the same
JP6518890B2 (ja) * 2014-03-31 2019-05-29 株式会社Joled 表示装置および電子機器
US9336709B2 (en) 2014-04-25 2016-05-10 Apple Inc. Displays with overlapping light-emitting diodes and gate drivers
US10073571B2 (en) * 2014-05-02 2018-09-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch sensor and touch panel including capacitor
JP2015225104A (ja) * 2014-05-26 2015-12-14 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6722986B2 (ja) 2014-07-04 2020-07-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US10147747B2 (en) 2014-08-21 2018-12-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device
CN105390504B (zh) 2014-08-29 2019-02-01 乐金显示有限公司 薄膜晶体管基板及使用它的显示装置
US9543370B2 (en) 2014-09-24 2017-01-10 Apple Inc. Silicon and semiconducting oxide thin-film transistor displays
US9601517B2 (en) 2014-10-01 2017-03-21 Apple Inc. Hybrid pixel control circuits for light-emitting diode display
JP2016110075A (ja) * 2014-10-03 2016-06-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、モジュール、及び電子機器
KR102226236B1 (ko) 2014-10-13 2021-03-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6633346B2 (ja) * 2014-10-31 2020-01-22 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
JP6587497B2 (ja) 2014-10-31 2019-10-09 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9397124B2 (en) * 2014-12-03 2016-07-19 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with double gate transistors
KR101658716B1 (ko) 2014-12-31 2016-09-30 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
JP6474275B2 (ja) 2015-02-19 2019-02-27 株式会社ディスコ 加工装置
US9685469B2 (en) 2015-04-03 2017-06-20 Apple Inc. Display with semiconducting oxide and polysilicon transistors
US10020354B2 (en) 2015-04-17 2018-07-10 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
KR102326170B1 (ko) 2015-04-20 2021-11-17 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR102408898B1 (ko) 2015-06-19 2022-06-16 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
WO2017052727A1 (en) 2015-09-25 2017-03-30 Cressputi Research Llc Light sensing display
KR102454087B1 (ko) 2015-10-27 2022-10-13 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
US10121430B2 (en) 2015-11-16 2018-11-06 Apple Inc. Displays with series-connected switching transistors
KR102519942B1 (ko) 2015-11-26 2023-04-11 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치용 박막 트랜지스터 기판
KR102424108B1 (ko) 2015-11-26 2022-07-25 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 이용한 표시장치
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
KR102485374B1 (ko) 2015-12-31 2023-01-04 엘지디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
JP2017162852A (ja) 2016-03-07 2017-09-14 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置および表示装置
JP2017174946A (ja) 2016-03-23 2017-09-28 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の製造方法
JP6673731B2 (ja) 2016-03-23 2020-03-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
JP6827270B2 (ja) 2016-03-28 2021-02-10 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置の作製方法
JP6668160B2 (ja) 2016-05-06 2020-03-18 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置の製造方法
JP6725317B2 (ja) 2016-05-19 2020-07-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2017224676A (ja) 2016-06-14 2017-12-21 株式会社ジャパンディスプレイ 半導体装置及び表示装置
KR20180004370A (ko) 2016-07-01 2018-01-11 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 스테이지 회로와 이를 가지는 유기전계발광 표시장치
JP6751613B2 (ja) 2016-07-15 2020-09-09 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP2018013567A (ja) 2016-07-20 2018-01-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102458660B1 (ko) * 2016-08-03 2022-10-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2023052332A5 (enExample)
JP2025163169A5 (enExample)
JP2021168394A5 (ja) 表示装置
JP2020194966A5 (enExample)
JP2023123468A5 (enExample)
JP2021009401A5 (enExample)
JP2022031711A5 (ja) 表示装置、電子機器
JP2025092722A5 (enExample)
JP2024069622A5 (enExample)
JP2022043062A5 (enExample)
JP2024147647A5 (ja) 表示装置
JP2025113276A5 (ja) 表示装置
JP2025107465A5 (ja) 表示装置
JP2023029617A5 (enExample)
US7491987B2 (en) Junction field effect thin film transistor
JP2025146931A5 (ja) 表示装置
CN104659057B (zh) 用于显示装置的阵列基板
CN107039533B (zh) 半导体装置
JPWO2020152522A5 (ja) 半導体装置
JP2018152570A5 (enExample)
KR102148850B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 이를 구비하는 표시 장치
JP2017120908A5 (ja) 半導体装置
KR102530003B1 (ko) 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI581437B (zh) 薄膜電晶體、包含薄膜電晶體之顯示裝置以及包含薄膜電晶體之有機發光顯示裝置
CN103779355A (zh) 薄膜晶体管基板及包含此的有机发光显示装置