JP2018180110A - 表示装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】高い信頼性を有する可撓性の表示装置を提供する。【解決手段】表示装置100であって、一方向及び一方向と交差する方向に複数の表示素子250が配列する表示領域106と、表示領域106と重なり、一方向と交差する方向に伸延する湾曲領域310を含み、複数の表示素子250の各々はトランジスタ251が電気的に接続され、複数の表示素子250のうち、湾曲領域310に重なる表示素子250に電気的に接続されるトランジスタ251は湾曲領域310の外側に配置される。【選択図】図1

Description

本発明は、表示装置に関する。例えば、可撓性の表示装置に関する。
液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス(Electroluminescence)表示装置(以下、EL表示装置と記す)は、液晶素子や発光素子などの表示素子を含む複数の画素を有しており、各画素の駆動を制御することで映像を与えることができる。
有機EL表示装置は、基板上に形成された複数の画素内の各々に複数のトランジスタ及び有機発光素子(以下、発光素子)を有している。発光素子は一対の電極間に有機化合物を含む層を有しており、一対の電極間に電流を供給することで駆動される自発光素子である。トランジスタにより発光素子への電流供給が制御されることで、表示装置は映像を表示することができる。有機EL表示装置は、発光素子が薄い有機膜の積層構造であること、バックライトが不要なこと、などから、柔軟化、薄型化に適している。この特徴を活用し、可撓性の基板上に発光素子が作製された、いわゆるフレキシブルディスプレイ(シートディスプレイ)が作製されている。例えば、特許文献1は、可撓性を有する有機EL表示装置において、湾曲させた際の画面の歪みを抑えるため、画素の大きさや画素の間隔を変える構造が開示されている。
特開2008−111890号公報
フレキシブルディスプレイは、多数の膜が積層された構造を有しており、膜の材料として、無機化合物が用いられている。また、フレキシブルディスプレイは、多数の膜によって形成された複数のトランジスタを有している。無機化合物は固く、また、トランジスタは無機化合物で覆われている。フレキシブルディスプレイは折り曲げ動作を繰り返されることで、無機化合物を用いた膜、及び、トランジスタが徐々に損傷する。損傷が進行すると、終には、無機化合物を用いた膜が割れる、トランジスタの駆動が困難になるなど、フレキシブルディスプレイの機能が損なわれる。
このような課題に鑑み、本発明の一実施形態は、可撓性の表示装置、例えば可撓性の有機EL表示装置を提供することを目的の一つとする。あるいは、高い信頼性を有する可撓性の表示装置を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態は、一方向及び一方向と交差する方向に複数の表示素子が配列する表示領域を含む表示装置である。表示領域と重なり、一方向と交差する方向に伸延する湾曲領域を含み、複数の表示素子の各々は、トランジスタが電気的に接続され、複数の表示素子のうち、湾曲領域に重なる表示素子に電気的に接続されるトランジスタは湾曲領域の外側に配置される。
本発明の一実施形態に係る表示装置が有する表示領域の平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部の回路図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部のレイアウト図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の画素部のレイアウト図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域のレイアウト図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の表示領域の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の構成を説明する平面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の断面模式図。 本発明の一実施形態に係る表示装置の模式的な斜視図。
以下、本発明の実施形態を、図面等を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に例示する実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。さらに、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号(又は数字の後にa、bなどを付した符号)を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。なお、各要素に対する「第1」、「第2」と付記された文字は、各要素を区別するために用いられる便宜的な標識であり、特段の説明がない限りそれ以上の意味を有さない。
本明細書において、ある部材又は領域が他の部材又は領域の「上に(又は下に)」あるとする場合、特段の限定がない限りこれは他の部材又は領域の直上(又は直下)にある場合のみでなく他の部材又は領域の上方(又は下方)にある場合を含み、すなわち、他の部材又は領域の上方(又は下方)において間に別の構成要素が含まれている場合も含む。なお、以下の説明では、特に断りのない限り、断面視においては、第1基板に対して第2基板が配置される側を「上」又は「上方」といい、その逆を「下」又は「下方」として説明する。
本明細書において説明される第1基板は、少なくとも平面状の一主面を有し、この一主面上に絶縁層、半導体層及び導電層の各層、あるいはトランジスタ及び表示素子等の各素子が設けられる。以下の説明では、断面視において、第1基板の一主面を基準とし、第1基板に対して「上」、「上層」、「上方」又は「上面」として説明する場合には、特に断りのない限り、第1基板の一主面を基準にして述べるものとする。
(第1実施形態)
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置、特に、可撓性を有する表示装置が折り曲げ動作を繰り返されることで生じる損傷、機能損失を抑制する構造を説明する。具体的には、本発明の一実施形態に係る表示装置、特に、可撓性を有する表示装置に含まれる湾曲領域及び表示領域と、表示領域に含まれる画素が有する表示素子とトランジスタの配列及び配置を説明する。
[全体構成]
図1は、本発明の一実施形態に係る表示装置100が有する表示領域106の平面模式図である。
表示装置100は、表示領域106と、表示領域106と重なり、一方向と交差する方向に伸延するA1線とA2線とに挟まれた領域(湾曲領域310)を含んでいる。また、表示領域106は、一方向及び一方向と交差する方向に複数の表示素子250、261〜264が配列されている。図1においては、理解の促進のため、表示素子250、261〜264とトランジスタ251、265〜268を同一平面に配置しているが、表示素子250、261〜264はトランジスタよりも上の層に配置される。
表示装置100が有する湾曲領域310は、折り曲げることができる領域である。よって、表示装置100は可撓性を有している。表示装置100が有する湾曲領域310は、図1において点線に示すA1線とA2線に挟まれた領域である。なお、湾曲領域は、全体が折り曲げることができるようになっていてもよいし、一部が折り曲げることができるようになっていてもよい。
トランジスタ251、265〜268は、湾曲領域310の外側に配置される。すなわち、湾曲領域310と表示領域106とが重なっている領域には、表示素子250が配置され、湾曲領域310と表示領域106とが重なっていない領域には表示素子250とトランジスタ251、265〜268とが配置されている。
表示装置100は、湾曲領域310内の第1表示素子261に電気的に接続される第1トランジスタ265と、湾曲領域310の外側にあり第1表示素子261に隣接する第2表示素子262に電気的に接続される第2トランジスタ266と、第2表示素子262に隣接する第3表示素子263に電気的に接続される第3トランジスタ267と、第3表示素子263に電気的に接続される第4トランジスタ268と、を含む。各表示素子間の間隔はPpixxとする。第1トランジスタ265と第2トランジスタ266の間隔をPtftx1とする。第2トランジスタ266と第3トランジスタ267の間隔をPtftx2とする。第3トランジスタ267と第4トランジスタ268の間隔をPtftx3、とする。
トランジスタ間の間隔について説明する。トランジスタにおいて、トランジスタが有する半導体層及びゲート電極が重なる領域を中心とする。ここでは、各トランジスタ間の間隔は、トランジスタの中心と中心の長さとする。また、ゲート電極が複数個ある場合も同様である。例えば、ゲート電極が二つある場合は、いずれかの電極の中心を基準にすればよい。表示素子間の間隔も同様に、表示素子の中心と中心の間の長さとする。
各表示素子間の間隔は同じである。また、第1トランジスタ265と第2トランジスタ266との間隔Ptftx1、第2トランジスタ266と第3トランジスタ267との間隔Ptftx2及び第3トランジスタ267と第4トランジスタ268との間隔Ptftx3は、表示素子間の間隔Ppixx以下である。すなわち、各トランジスタ間の間隔の総和が各表示素子間の間隔の総和以下である。また、各トランジスタ間の間隔は、各表示素子間の間隔と同じであってもよいし、狭くてもよい。
図1において、第1トランジスタ265と第2トランジスタ266との間隔Ptftx1、第2トランジスタ266と第3トランジスタ267との間隔Ptftx2、及び第3トランジスタ267と第4トランジスタ268との間隔Ptftx3は、それぞれ異なるように示しているが、各トランジスタ間の間隔は同じでもよい。また、各トランジスタ間の間隔が同じであるものと、異なるものが混在していてもよい。なお、図1においては、第1トランジスタ265と第2トランジスタ266との間隔Ptftx1は、第3トランジスタ267と第4トランジスタ268との間隔Ptftx3よりも大きく、第3トランジスタ267と第4トランジスタ268との間隔Ptftx3は、第2トランジスタ266と第3トランジスタ267との間隔Ptftx2よりも大きい。しかし、図1の間隔に限定されない。第1トランジスタ265と第2トランジスタ266との間隔Ptftx1が第3トランジスタ267と第4トランジスタ268との間隔Ptftx3よりも小さくてもよいし、第3トランジスタ267と第4トランジスタ268との間隔Ptftx3は、第2トランジスタ266と第3トランジスタ267との間隔Ptftx2よりも小さくてもよい。それぞれのトランジスタの間隔が異なるような構成、あるいは、それぞれのトランジスタの間隔が同じであるものと異なるものが混在する構成とすることで、トランジスタの配置の自由度を向上させることができる。一方、トランジスタの間隔を同じとすることで、レイアウトを容易にすることができる。
図1において、各トランジスタは湾曲領域310に近い側(A1線およびA2線に近い側)に寄せて配置されているが、湾曲領域310から遠い側(A1線およびA2線から遠い側)に寄せて配置されてもよい。また、湾曲領域からも表示領域の端部からも離れて配置されてもよい。すなわち、各トランジスタの配列は、湾曲領域310の外側で、各々のトランジスタが各々の表示素子と電気的に接続できる範囲であれば、どのように配置してもよい。すなわち、表示素子の間隔よりもトランジスタの間隔を短くすることで、トランジスタの配置の自由度を高くすることができる。
以上のような配列、配置とすることで、湾曲領域にトランジスタが配置されないため、折り曲げ動作によるトランジスタの損傷、あるいは、クラックなどの欠陥を抑制することができ、信頼性が高く、可撓性が高い表示装置を提供することができる。また、トランジスタの損傷により、表示素子に電流が供給されないなどの表示品位の低下を抑制することができる。
図2は、本発明の一実施形態に係る表示装置100の模式的な斜視図である。図2では、理解の促進のため、表示装置100を、表面バリアフィルム104、表示素子250の層、及び、画素回路PX(図示せず)において表示素子以外を含む部分108などの層に分けて配置している。なお、各層の間は図示していない層も配置されている。表示領域106が有する複数の画素回路PX(図示せず)は、表示素子250と少なくとも一つのトランジスタとを含む。また、表示素子250と少なくとも一つのトランジスタとは中間配線(図8乃至図10において説明)によって電気的に接続される。表示素子250と表示素子以外を含む部分108とは、少なくとも一部が重なっている。また、表示素子250と表示素子以外を含む部分108とは、重なっていないときもある。なお、表示素子以外を含む部分108は、少なくともトランジスタ、容量を含む。中間配線は、表示素子250と少なくとも一つのトランジスとを電気的に接続するため、表示素子250と表示素子以外を含む部分108との両方に含まれる。
表示装置100は、ベースフィルム142を有する。ベースフィルム142の一方の面(上面)には、パターニングされた種々の絶縁膜、導電膜、半導体膜が積層された構造体(以下、機能層と記す)、および映像信号線駆動回路120が配置される。機能層によって、一方向と一方向に交差する方向に配置される複数の画素回路PXを備えた表示領域106、および表示領域106を取り囲む周辺領域に配置された走査信号線駆動回路118などが構成されている。なお、映像信号線駆動回路120も表示領域106を取り囲む周辺領域に配置されている。複数の画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108のそれぞれは、映像信号線109、走査信号線110、及び、駆動電源線に電気的に接続されていてもよい。表示領域106、及び、走査信号線駆動回路118は、ベースフィルム142と表面バリアフィルム104との間に設けられる。映像信号線駆動回路120は、ベースフィルム142と表面バリアフィルム104との間に設けられてもよい。ベースフィルム142外部回路(図示せず)からの各種信号は、ベースフィルム142上に設けられた複数の電極端子116含む端子領域114に接続されるフレキシブルプリント回路(FPC)などのコネクタ214を経由して走査信号線駆動回路118や映像信号線駆動回路120に入力され、これらの信号に基づいて各画素回路PXが制御される。
表示装置100は、可撓性を有しており、湾曲領域310で折り曲げることができる。表示素子250と接続されるトランジスタは、湾曲領域310と表示領域106とが重なる領域の外側に配置される。また、湾曲領域310と表示領域106とが重なる領域は、表示素子250とトランジスタとを電気的に接続する中間配線(図8乃至図10において説明)と、複数の走査信号線110とを含む。
図3及び図4は、図1及び図2に示した表示装置100の湾曲領域310で曲げた模式的な斜視図である。湾曲領域310は、図3に示すように、全体が緩やかに曲げることができるようになっていてもよいし、図4に示すように、一部が折り曲げることができるようになっていてもよい。
複数の画素回路PXには発光素子や液晶素子などの表示素子250を設けることができる。例えば、赤色(R)、緑色(G)、あるいは青色(B)、いわゆるRGBの三原色に対応する表示素子250を三つの画素それぞれに設け、一つの画素とすることができる。三つの画素それぞれに256段階の電圧あるいは電流を供給することで、フルカラーの表示装置を提供することができる。また、四つの画素のそれぞれに赤色、緑色、青色、あるいは白色または黄色に対応する表示素子250を設け、一つの画素とすることもできる。複数の画素回路PX、または、複数の画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108の配列には制限がなく、ストライプ配列やデルタ配列などを採用することができる。なお、本発明の一実施形態に係る表示装置100では、表示素子250が発光素子136を含み、配列がストライプ配列である例を説明する。
図5は、表示装置100が含む表示領域106において、画素回路PX(m、n)(図示せず)が含む表示素子250の配列を示した模式図である。画素領域106内には、一方向及び一方向に交差する方向に沿って、表示素子250が配置される。表示素子250の配列数は任意である。例えば、X方向にm個、Y方向にn個の表示素子250が配列される。mとnはそれぞれ独立に、1よりも大きい自然数である。なお、本願発明の一実施形態にかかる表示装置においては、X方向は走査信号線が延伸する方向と平行な方向である。また、Y方向は映像信号線が延伸する方向と平行な方向である。また、本願発明の一実施形態にかかる表示装置においては、X方向を行と呼び、Y方向を列と呼ぶ。以下では、複数の画素回路PXの配列は3行6列を例に説明する。例えば、2行3列に配置される画素回路PXが有する表示素子250はpix(2、3)と示している。表示素子250がX方向に配列される間隔をPpixx、Y方向に配列される間隔をPpixyとする。A1線とA2線で挟まれた領域は折り曲げることができる湾曲領域310である。表示素子250は、湾曲領域310と表示領域106が重なる領域に配置されてもよい。
図6は、表示装置100が含む表示領域106において、画素回路PX(図示せず)(m、n)が含むトランジスタの配列を示した模式図である。なお、画素回路PXは少なくとも一つ以上のトランジスタを含む。図5と同様の構成に関しては説明を省略することがある。当該トランジスタは表示素子250と中間配線(図8乃至図10において説明)によって電気的に接続される。表示領域106において、複数の走査信号線110はX方向に並行に伸延され、複数の映像信号線109及び複数の駆動電源線128はY方向に並行に伸延される。図6は、二つのトランジスタ、トランジスタtft1及びトランジスタtft2を含む例を示している。例えば、2行3列に配置される画素回路PX(2、3)が有するトランジスタtft1はtft1(2、3)、トランジスタtft2はtft2(2、3)と示している。なお、トランジスタと表示素子250との位置関係を示すため表示素子250を点線で示している。また、トランジスタtft1がX方向に配列される間隔をPtft1x、Y方向に配列される間隔をPtft1yとする。トランジスタtft2がX方向に配列される間隔をPtft2x、Y方向に配列される間隔をPtft2yとする。A1線とA2線に挟まれた領域は、折り曲げることができる湾曲領域310である。トランジスタは、湾曲領域310と表示領域106とが重なる領域の外側に配置される。
図5に示した表示素子250と図6に示した少なくとも一つのトランジスタは、中間配線(図8乃至図10において説明)によって電気的に接続される。例えば、表示素子250がトランジスタtft1と電気的に接続されているとする。湾曲領域310に含まれる表示素子250とトランジスタtft1を電気的に接続する中間配線は、湾曲領域310と表示領域106とが重なる領域の内側に含まれてもよい。具体的には、図6で示した画素回路PX(1、3)が有する表示素子pix(1、3)とトランジスタtft1(1、3)、画素回路PX(1、4)が有する表示素子pix(1、4)とトランジスタtft1(1、4)、画素回路PX(2、3)が有する表示素子pix(2、3)とトランジスタtft1(2、3)、画素回路PX(2、4)が有する表示素子pix(2、4)とトランジスタtft1(2、4)、画素回路PX(3、3)が有する表示素子pix(3、3)とトランジスタtft1(3、3)、画素回路PX(3、4)が有する表示素子pix(3、4)とトランジスタtft1(3、4)を、それぞれ接続する中間配線が、湾曲領域310と表示領域106とが重なる領域の内側に含まれる。
本実施形態では、表示領域106が有する表示素子250の配列は3行6列を例に説明している。表示素子250とトランジスタの配列において、表示素子250がX方向に配列される間隔Ppixxの6倍は、トランジスタtft1がX方向に配列される間隔Ptft1xの6倍よりも長い。かつ、トランジスタtft1及びトランジスタtft2は湾曲領域310の外側に配置される。
本実施形態では、表示素子250の配列は3行6列を例に説明した。表示素子250の配列がm行n列の場合は、表示素子250がX方向に配列される間隔Ppixxのm倍はトランジスタtft1がX方向に配列される間隔Ptft1xのm倍よりも長い。かつ、トランジスタtft1及びトランジスタtft2は湾曲領域310の外側に配置される。ここで、mは1よりも大きい自然数である。
表示素子250とトランジスタの配列において、X方向の配列を例に説明したが、Y方向に適用してもよい。Y方向に適用した場合、湾曲領域310は、X方向に並行に伸延する。Y方向に適用した場合の表示素子250とトランジスタの配列の条件を、m行n列で説明する。表示素子250とトランジスタの配列において、表示素子250がY方向に配列される間隔Ppixyのm倍はトランジスタtft1がY方向に配列される間隔Ptft1yのm倍よりも長い。かつ、トランジスタtft1及びトランジスタtft2は湾曲領域310の外側に配置される。ここで、mは1よりも大きい自然数である。
画素回路PXが有するトランジスタはトランジスタtft1およびトランジスタtft2の2個の場合を説明してきたが、トランジスタの数は2個に限定されない。画素回路PXが有するトランジスタの数は、トランジスタが湾曲領域310の外側に配置されるように、画素を配置することができる数であればよい。画素回路が有するトランジスタの数を増やすことで、例えば、表示素子250に与える電流値を補正することができ、高品質な画像を提供することができる。
湾曲領域は、一つの領域である場合を説明してきたが、二つ以上の領域でもよい。湾曲領域を複数設けることで、例えば、畳むことができるようになり、表示装置を小型化できる。
表示領域106が有する表示素子250とトランジスタの配列を説明してきたが、走査信号線駆動回路118または映像信号線駆動回路120がシフトレジスタ等の回路を有する場合、その回路の間隔もトランジスタの間隔に合わせる。例えば、図6に示すように映像信号線駆動回路120が有するスイッチなどの回路の間隔を画素回路が有するトランジスタの間隔に合わせる。
具体的に説明する。図6において、表示素子250の各列に対応して少なくとも一つのスイッチを有する場合を示す。図6では、映像信号線駆動回路120が、表示素子250の6列の配列に合わせて、6個のスイッチ(スイッチswitch1、スイッチswitch2、スイッチswitch3、スイッチswitch4、スイッチswitch5、スイッチswitch6)を含む例を示す。スイッチは湾曲領域310の内側には配置されず、湾曲領域310の外側に配置されている。スイッチの間隔はトランジスタtft1の間隔Ptft1xに合わせている。こうして、映像信号駆動回路120と湾曲領域310が重なる領域のトランジスタは、湾曲領域310の外側に配置される。映像信号駆動回路120が有するスイッチなどを構成するトランジスタを電気的に接続する配線は、映像信号駆動回路120と湾曲領域310とが重なる領域の内側に含まれる。なお、映像信号線駆動回路120が有する回路は、スイッチに限定されない。必要に応じて回路構成を変えてもよい。例えば、スイッチの前にバッファを追加すると、各信号の遅延を少なくできるので、スイッチの動作マージンを広げることができる。
以上のような配列、配置とすることで、湾曲領域にトランジスタがなく、また、湾曲領域における配線も少なくすることができる。したがって、折り曲げ動作による損傷が抑制され、信頼性が高く、可撓性が高い表示装置を提供することができる。
(第2実施形態)
本実施形態では、本発明の一実施形態に係る表示装置、特に、可撓性を有する表示装置が折り曲げ動作を繰り返されることで生じる損傷、機能損失を抑制する構造を、可撓性を有する表示装置に含まれる画素の平面模式図及び断面図を用いて説明する。なお、第1実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
[画素回路]
図7に、本発明の一実施形態に係る表示装置が有する画素回路PXの回路図を示す。なお、以下で説明する画素回路の回路構成は一例であって、これに限定されるものではない。
画素回路PXは、駆動トランジスタ132、選択トランジスタ134、発光素子136及び保持容量138を含む。表示素子250は発光素子136である。なお、表示素子以外の部分108は、少なくとも駆動トランジスタ132、選択トランジスタ134、保持容量138を含む。
駆動トランジスタ132は、発光素子136に接続され、発光素子136の発光輝度を制御するトランジスタである。駆動トランジスタ132は、ゲート−ソース間電圧によってドレイン電流が制御される。駆動トランジスタ132は、ゲートが選択トランジスタ134のドレインに接続され、ソースが駆動電源線128に接続され、ドレインが発光素子136の陽極に接続されている。
選択トランジスタ134は、オンオフ動作により、映像信号線109と駆動トランジスタ132のゲートとの導通状態を制御するトランジスタである。選択トランジスタ134は、ゲートが走査信号線110に接続され、ソースが映像信号線109に接続され、ドレインが駆動トランジスタ132のゲートに接続されている。
発光素子136は、陽極が駆動トランジスタ132のドレインに接続され、陰極が基準電源線126に接続されている。
保持容量138は、駆動トランジスタ132のゲート−ドレイン間に接続される。保持容量138は、駆動トランジスタ132のゲート−ドレイン間電圧を保持する。
ここで、基準電源線126は、複数の画素回路PXに共通して設けられている。基準電源線には、複数の端子電極116から定電位が与えられる。
なお、ベースフィルム142の上面に、定電圧を生成する電源回路を設けてもよい。定電圧を生成する電源回路は、複数の画素回路PXに共通して設けられた基準電源線126に接続され、発光素子136の陰極に定電位を与える。
[表示領域の構成]
以下、表示領域106の構成に関し、図8乃至図12を用いて説明する。
図8は、図7に示した画素回路PXの平面模式図である。図8に示す画素回路PXを、複数個配列した場合、第1の画素回路が有する表示素子250と第1の画素回路に隣接する第2の画素回路が有する表示素子250との間隔と、第1の画素回路が有する選択トランジスタ134と第1の画素回路に隣接する第2の画素回路が有する選択トランジスタ134との間隔とが同じになる例を示している。第1の電極182形成以降は図示していない。第1の電極182形成以降は、図11及び図12で図示している。
図9は、図7に示した画素回路PXの平面模式図である。図9に示す画素回路PXは、図8に示す画素回路PXと比較して、表示素子250以外の選択トランジスタ134、駆動トランジスタ132などが詰めて配置されている。例えば、第1の画素回路が有する駆動電源線128から映像信号線109までを一塊にして、配線を配置する設計の規則に則って、敷き詰めることができる。すなわち、図9に示す画素回路PXを、複数個配列した場合、第1の画素回路が有する選択トランジスタ134と第1の画素回路に隣接する第2の画素回路が有する選択トランジスタ134とのX方向の間隔が第1の画素回路が有する表示素子250と第1の画素回路に隣接する第2の画素回路が有する表示素子250とのX方向の間隔よりも短くなる例を示している。第1の電極182形成以降は図示していない。第1の電極182形成以降は、図11及び図12で図示している。
図8及び図9に示した画素回路PXは、複数のトランジスタ、複数の容量が設けられてもよい。第1の電極182形成以降は図示していない。第1の電極182形成以降は、図11及び図12で図示している。
図8及び図9に示すように、画素回路PXは、半導体膜162a及び162b、ゲート電極166、ソース及びドレイン電極168、169、170及び171を有している。ソース及びドレイン電極168、169、170、171は、それぞれ開口部181d、181b、181a、181cを介して、半導体膜162a及び162bが有するソース及びドレイン領域と電気的に接続される。ソース及びドレイン電極171は、駆動電源線128と電気的に接続される。ソース及びドレイン電極170は、映像信号線109と電気的に接続される。ソース及びドレイン電極169は、開口部185を介してゲート電極166と電気的に接続される。半導体膜162bは保持容量の電極172の下まで延びている。半導体膜162b、保持容量の電極172、及びこれらに挟まれるゲート絶縁膜164によって容量138が形成される。ゲート絶縁膜164は後述する図11で説明する。保持容量の電極172はゲート電極166と電気的に接続される。走査信号線110はゲート電極167と電気的に接続される。中間配線176は開口190を介してソース及びドレイン電極168と電気的に接続される。第1の電極182は開口280を介して中間配線176と電気的に接続される。
図10は、図9に示した画素回路PXの平面模式図を、図5及び図6に示した表示領域106の3行6列に配列した平面模式図である。湾曲領域310から離れる領域に画素回路PXが有するトランジスタを配置した例を示している。各々の画素回路PXが有する表示素子間の間隔は同じである。各々の画素回路PXが有するトランジスタ間の間隔は同じである。各々の画素回路PXが有する表示素子間の間隔は、各々の画素回路PXが有するトランジスタ間の間隔と異なる。図10には、第1の電極182形成以降は図示していない。第1の電極182形成以降は、図11及び図12で図示している。画素回路PXが有するトランジスタは、湾曲領域310と表示領域106とが重なる領域の外側に配置される。複数の走査信号線110及び複数の中間配線176は、湾曲領域310と表示領域106とが重なる領域に配置される。
図10は画素回路PXが有するトランジスタを湾曲領域310から離れる領域に配置した例を示したが、画素回路PXが有するトランジスタの配置はこの配置に限定されない。画素回路PXが有するトランジスタは、湾曲領域310と表示領域106が重なる領域の外側、かつ、表示領域の内側に配置されればよい。例えば、湾曲領域310を示すA1線とA2線との間の外側であってA1線に近い領域や湾曲領域310を示すA1線とA2線との間の外側であってA2線に近い領域に、画素回路PXが有するトランジスタを配置してもよい。画素レイアウトの自由度を増すことで、湾曲領域を複数の個所に設けやすくなり、折り曲げの柔軟性を向上させることができる。
図11及び図12は、図10に示した表示領域106が有する1行1列から1行6列の画素回路PXのX方向(湾曲領域310と交差する方向)の断面模式図である。各々の画素回路PXが有するトランジスタ132間の間隔が同じ(各トランジスタ間の間隔がPtft1x)である場合を示している。
図11及び図12を用いて、表示装置100の積層構造を説明する。表示装置100は、全体構成で述べた基板102の上面に、任意の構成である下地膜140を介して駆動トランジスタ132と容量138を有している。トランジスタ134は、例えば図11に示すように、半導体膜162b、ゲート絶縁膜164、ゲート電極166、ソース及びドレイン電極168を有している。半導体膜162bのうちゲート電極166と重なる領域がチャネル領域であり、このチャネル領域を一対のソース及びドレイン領域が挟持する。ソース及びドレイン電極168は、層間膜152、ゲート絶縁膜164に設けられる開口部181d、181cを介してソース及びドレイン領域と電気的に接続される。なお、図8及び図9に示すようにソース及びドレイン電極169は、層間膜152に設けられる開口部185を介してゲート電極166とも電気的に接続される。半導体膜162bは保持容量の電極172の下まで延び、半導体膜162b、保持容量の電極172、及びこれらに挟まれるゲート絶縁膜164によって容量が形成される。
駆動トランジスタ134の構造に制約はなく、図8及び図9に示すようないわゆるトップゲート型のトランジスタのみならず、ボトムゲート型トランジスタや、複数のゲート電極166を有するマルチゲート型トランジスタ、半導体膜162の上下にゲート電極166を有するデュアルゲート型トランジスタを用いてもよい。また、半導体膜162とソース及びドレイン電極168の上下関係にも制約はない。
図11及び図12に渡る湾曲領域310に最も近い画素回路PX(1、3)及びPX(1、4)に着目する。下地膜140、ゲート絶縁膜164、層間膜152の端がそれぞれテーパー状になっており、層間膜152が平坦化膜158(後述)で覆われていることがわかる。下地膜140、ゲート絶縁膜164、層間膜152の端部は、湾曲領域310と表示領域106が重なる領域の外側に配置されることがわかる。トランジスタ134が、下地膜140、ゲート絶縁膜164、層間膜152の端部よりも内側にあることがわかる。
下地膜140は基板102から不純物の拡散を防ぐ機能を有し、例えば酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素などの無機化合物を用い、CVD法などで形成される。ゲート絶縁膜164は、下地膜140で用いる材料を適宜組み合わせて形成することができる。形成方法も、下地膜140の形成で適用可能な方法から選択することができる。層間膜152は下地膜140やゲート絶縁膜164で用いる材料を適宜組み合わせて、単層あるいは積層構造で形成することができる。例えば窒化ケイ素と酸化ケイ素の積層構造を採用することができる。形成方法も、下地膜140の形成で適用可能な方法から選択することができる。
湾曲領域310と表示領域106が重なる領域の外側に、無機化合物を用いた下地膜140、ゲート絶縁膜164、層間膜152の端部が配置されることで、湾曲領域310で表示装置100を曲げても、無機化合物を含む膜が損傷することを防ぐことができる。また、湾曲領域310に無機化合物を含む膜がある場合と比較して、容易に曲げることができる。よって、信頼性の高い表示装置100を提供することができる。
容量138は、ソース及びドレイン電極168の一部、保持容量の電極172、ゲート絶縁膜164及び層間膜152から形成される。容量138は、ゲート電極166に与えられる電位を保持する役割を担う。保持容量の電極172は、ゲート電極166と電気的に接続される。ゲート電極166、保持容量の電極172、及びソース及びドレイン電極168は、アルミニウム(Al)や銅(Cu)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W)などの金属やその合金を単層、あるいは積層構造で形成することができる。例えば(Al)や銅(Cu)などの導電性の高い金属と、チタン(Ti)やモリブデン(Mo)などのブロッキング性の高い金属を積層して形成してもよい。具体的には、チタン(Ti)/アルミニウム(Al)/チタン(Ti)、モリブデン(Mo)/アルミニウム(Al)/モリブデン(Mo)、タングステン(W)/アルミニウム(Al)/タングステン(W)などの積層構造を採用することができる。ゲート電極166、保持容量の電極172、及びソース及びドレイン電極168の形成方法は、例えばMOCVD法やスパッタリング法などが挙げられる。
トランジスタ160や容量138の上には、これらに起因する凹凸を吸収し、平坦な表面を与える平坦化膜158が設けられる。平坦化膜158は例えばアクリル樹脂やエポキシ樹脂、ポリイミド、ポリシロキサンなどの高分子材料を用い、スピンコート法やディップコーティング法、印刷法などによって形成することができる。平坦化膜158には、ソース及びドレイン電極168に達する開口190が設けられ、開口190を覆うように、中間配線176が設けられる。中間配線176は、ゲート電極166、保持容量の電極172、及びソース及びドレイン電極168と同様の材料、同様の方法や装置によって形成することができる。
さらに、中間配線176の一部、及び平坦化膜158を覆うように、中間配線絶縁膜194が形成される。中間配線絶縁膜194は、中間配線176の凹凸を吸収し、平坦な表面を与える。中間配線絶縁膜194は、平坦化膜158と同様の材料、同様の方法や装置によって形成することができる。
中間配線絶縁膜194には、中間配線176に達する開口280が設けられ、開口280を覆うように、第1の電極182が設けられる。第1の電極182を覆うように隔壁178が設けられる。なお、開口部181d、181c、開口190、開口280などの、開口部は、層間膜152、ゲート絶縁膜164、平坦化膜158、中間配線絶縁膜194などに対してエッチングを行うことで形成される。エッチングは例えばフッ素を含有するアルカンやアルケンを用いるドライエッチングを適用して行うことができる。
発光素子180は第1の電極182、第2の電極186、及びこれらの間に設けられるEL層184によって構成される。EL層184は、第1の電極182と隔壁178を覆うように形成され、その上に第2の電極186が設けられる。第1の電極182と第2の電極186からキャリア(電子、ホール)がEL層184へ注入され、EL層184内でキャリアの再結合が生じる。これによってEL層184中に含まれる有機化合物の励起状態が形成され、この励起状態が基底状態へ緩和する際に放出されるエネルギーが発光として利用される。したがって、EL層184と第1の電極182とが接している領域が発光領域である。
図11ではEL層は三つの層(184a、184b、184c)を有する例が示されているが、EL層の層構造に限定はなく、四つ以上の層が積層されていてもよい。例えばキャリア注入層、キャリア輸送層、発光層、キャリア阻止層、励起子阻止層などの各種層を適宜積層することで発光素子180を構成することができる。
図11では、EL層184a、184cは隣接する発光素子180へも伸びるのに対し、層184b(例えば発光層)は一つの発光素子180のみに選択的に設けられている。これにより、例えば隣接する発光素子180間で異なる発光色を与えることができる。あるいは、隣接する発光素子180間で同一の構造を有するEL層184を形成してもよい。この場合、例えば白色発光可能な発光素子を構築し、隣接する発光素子間で光学特性の異なるカラーフィルタを設けることで、表示装置100は、種々の色を発光素子180から取り出すことができ、フルカラー表示が可能となる。
発光素子180上には、発光素子180を保護するためのパッシベーション膜(保護膜)204が設けられる。
第1のパッシベーション膜204上には、表面バリアフィルム104が設けられる。表面バリアフィルム104により、第1のパッシベーション膜204やそれより下に設けられる各素子が保護される。この第1のパッシベーション膜204はシリコンと窒素や炭素や酸素との第一無機化合物層、この第一無機化合物層の上のアクリルやエポキシやシロキサン系物質による樹脂等の有機絶縁層、この有機絶縁層上の第一無機化合物層と同じような物質で形成される第二無機化合物層とで構成される。
ベースフィルム142は、裏面バリアフィルム141で保護されてもよい。裏面バリアフィルム141は、無機化合物を含むフィルムであればよい。バリアフィルムは、表示装置100への水分などの侵入を防ぐ。バリアフィルムは、具体的には、水蒸気透過率(Water Vapor Transmission Rate)が10-5g/m2/day以下である材料を用いればよい。したがって、信頼性が高い表示装置を提供することができる。また、ベースフィルム142には可撓性を有する材料を用いればよく、例えばポリイミドやポリアミド、ポリエステル、ポリカーボナートなどの高分子材料あるいはその前駆体を用いることができる。これらの材料にガラスの微粒子や繊維が混合されていてもよい。
表面バリアフィルム104は、裏面バリアフィルム141と同様、無機化合物を含むフィルムであればよく、表示装置100への水分などの侵入を防ぐことができる。したがって、信頼性が高い表示装置を提供することができる。
トランジスタは湾曲領域310と表示領域106が重なる領域の外側に配置されることがわかる。
図11及び図12に示したように、湾曲領域310に含まれる表示素子250とトランジスタを電気的に接続する中間配線176は、湾曲領域310と表示領域106が重なる領域の内側に配置されることがわかる。
以上のような配列、配置とすることで、湾曲領域を容易に曲げることができる。また、湾曲領域以外の領域、つまり、トランジスタなどが配置された領域には、湾曲領域よりも大きな剛性を与えることができる。よって、折り曲げたい領域を折り曲げやすく、かつ、保護したい領域を折り曲げ難い構造が実現できる。したがって、信頼性が高い表示装置を提供することができる。
(第3実施形態)
本実施形態では、第1実施形態及び第2実施形態とは別の表示領域の構成を説明する。第1実施形態及び第2実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。本実施形態で述べる表示領域の構成は、湾曲領域の中心線(Y方向に伸延する方向)に対して、画素回路をミラー配置にする。
図13は、図11に示した断面に続く断面模式図である。湾曲領域310の中心線(Y方向に伸延する方向)に対して、画素回路をミラー配置にする。設計において、向かって右の表示領域を作成した後に、作成した右の表示領域を鏡面反転することで、表示領域が完成する。したがって、作業効率の向上が望め、マスク設計が容易になる。また、湾曲領域310を広くできる。したがって、表示領域をミラー反転することで、ミラー反転しない場合と比較して、湾曲領域310をさらに曲げやすくできる。
(第4実施形態)
本実施形態では、第1乃至第3実施形態とは別の表示領域の構成を説明する。第1乃至第3実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。本実施形態で述べる表示領域の構造は、トランジスタ間の間隔が異なる。
図14は、湾曲領域310の中心線(Y方向に伸延する方向)に対して左側の領域、図15は、右側の領域を示す。図15は、図14に示した断面に続く断面模式図である。各画素のトランジスタ間の間隔を変えるので、設計の自由度が増す。
(第5実施形態)
本実施形態では、X方向に湾曲領域を有する表示装置の構成を説明する。第1乃至第4実施形態と同様の構成に関しては説明を省略することがある。
図16は、本発明の一実施形態に係る表示装置200の模式的な斜視図である。表示装置200は、図2に示した表示装置100に対して、湾曲領域320がX方向になっている例を示している。図16において、図2と同様の構成は説明を省略する。表示装置200は、可撓性を有しており、C1線とC2線に挟まれる領域(湾曲領域320)で折り曲げることができる。表示素子250と電気的に接続されるトランジスタは、画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108に含まれ、湾曲領域320と表示領域106とが重なる領域の外側に配置される。また、湾曲領域320と表示領域106とが重なる領域は、表示素子250とトランジスタとを電気的に接続する中間配線(図8乃至図10において説明)と、複数の映像信号線109と、駆動電源線128とを含む。
図17及び図18は、本発明の一実施形態に係る表示装置200の模式的な平面図である。図17に示すように、湾曲領域320には、表示素子以外を含む部分108は含まれず、表示素子250及び中間配線176(図示せず)が含まれる。なお、表示素子以外を含む部分108は湾曲領域320の外側に敷き詰められている。図18は理解の促進のため、表示素子以外を含む部分108同士の隙間をあけて配置した模式図である。なお、表示素子250も同様に表示素子250同士は隙間をあけて配置している。表示装置200は、湾曲領域320で折り曲げることができる。なお、表示装置200は制御部280を有していてもよい。表示装置200は、制御部280によって生成された信号や電源が、映像信号線駆動回路120及び走査信号線駆動回路118に供給されるように構成されていてもよい。表示領域に表示される映像を制御するための各信号や電源は、外部回路(図示せず)から、コネクタ214、接続端子114、配線124などを経由して、制御部280に供給されてもよい。表示装置200は、制御部280を有することで、コネクタ214から入力する信号や電源の数を少なくすることができる。1行の走査信号線110において、2k+i+j個の表示素子250と、2k+i+j個の表示素子以外を含む部分108が配置されている。1行の走査信号線110において、C2線よりも上(X方向の数字が小さい方向)にはk個の表示素子250と、k+i個の表示素子以外を含む部分108が配置されている。また、1行の走査信号線110において、湾曲領域320には、i+j個の表示素子250と、i+j本の中間配線176が配置されている。さらに、C1線よりも下(X方向の数字が大きい方向)にはk個の表示素子250とk+j個の表示素子以外を含む部分108が配置されている。なお、i、j、及びkは1よりも大きな自然数である。また、nは2k+i+jである。
図19は、図18の領域300で示す領域を拡大し、詳細に示した図である。表示装置200は、表示素子250がm行n列で構成される。m及びnは1よりも大きな自然数である。なお、画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108はm×n個、トランジスタtft1もm×n個である。m行n列の表示素子250はpix(m、n)と示される。画素回路PXにおいてm行n列の表示素子250以外を含む部分108はpixd(m,n)と示される。湾曲領域320と1行の走査信号線110とが重なる領域は、i+j個の表示素子250が含まれる。i個の表示素子250の各々は、C2線の上に配置されているi個の画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108に含まれるトランジスタ251と電気的に接続されている例を示している。図20は図18の領域302で示す領域を拡大し、詳細に示した図である。図19と同様に、図20に示すj個の表示素子250の各々は、C1線の下に配列されているj個の画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108に含まれるトランジスタ251と電気的に接続されている例を示している。なお、理解の促進のため、図19においては、表示素子250は、画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108と接続するように図示されている。したがって、湾曲領域320には、C2線の上からi本の配線294が配置されており、C1線の下からj本の配線295が配置されている。なお、i本の配線294及びj本の配線295は、表示素子250と電気的に接続されるトランジスタ251の中間配線176であることが好ましい。また、走査信号線駆動回路118は、シフトレジスタ290と、配線230を含む。シフトレジスタ290は、走査信号線110に画素回路PXを駆動するための信号を供給する役割を有する。配線230はシフトレジスタ290を電気的に接続する役割を有する。湾曲領域320と周辺領域とが重なる領域は、配線230を含む。湾曲領域320と周辺領域とが重なる領域の外側の領域は、シフトレジスタ290と、配線230とを含む。
図21は、本実施形態における表示素子250及び画素回路PXに含まれるトランジスタtft1のそれぞれの間隔を示している。トランジスタtft1は、画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分108に含まれる。図21に示すように、本実施形態においては、表示素子250のX方向の間隔Ppixxと、Y方向の間隔Ppixyとは一定であり、トランジスタtft1のX方向の間隔Ptft1xと、Y方向の間隔Ptft1yも一定である例を示している。なお、図19に示すシフトレジスタ290の間隔はトランジスタtft1のY方向の間隔Ptft1yと同じである。また、表示素子250のY方向の間隔Ppixyは、トランジスタtft1のY方向の間隔Ptft1yよりも大きい。
こうして、走査信号線駆動回路と湾曲領域320が重なる領域のトランジスタは、湾曲領域320の外側に配置される。走査信号線駆動回路118が有するシフトレジスタやスイッチなどを構成するトランジスタを電気的に接続する配線は、走査信号線駆動回路118と湾曲領域320とが重なる領域の内側に含まれる。なお、走査信号線駆動回路118が有する回路は、シフトレジスタやスイッチに限定されない。必要に応じて回路構成を変えればよい。例えば、シフトレジスタの各段の間にバッファを追加することで、各段間の遅延を少なくできるため、シフトレジスタの動作マージンを広げることができる。
図22は、図16に示すB1線とB2線との間の断面構造である。図22は、ベースフィルム142が曲げられた状態を示す。
ベースフィルム142は、表示領域106と映像信号線駆動回路120との間の領域で映像信号線駆動回路120及び端子領域114が表示領域106の背面に配置されるように曲げられている。このとき、配線領域122の一部は、表示領域106の下で表示領域106と重なってもよい。
ベースフィルム142の第1面(図2において、ベースフィルム142の上側の面)には、機能層240が形成される。機能層240の上には、任意の構成として、表面バリアフィルム104を設けてもよい。同様にベースフィルム142の第2面(図2において、ベースフィルム142の下側の面)には、裏面バリアフィルム141を任意の構成として設けることができる。裏面バリアフィルム141は、ベースフィルム142の配線領域122と重なる領域において分割され、または第1貫通孔126が形成されていてもよい。図2に示す断面構造において、裏面バリアフィルム141は、二つの部分(第1の裏面バリアフィルム141a、裏面バリアフィルム141b)に区別される。第1の裏面バリアフィルム141aは、第1の裏面バリアフィルム141aと表面バリアフィルム104によって表示領域106を挟持するように設けられる。一方、第2の裏面バリアフィルム141bは、第2の裏面バリアフィルム141bと接続端子116によってベースフィルム142を挟持するように設けられる。裏面バリアフィルム141が設けられた領域は、裏面バリアフィルム141が設けられていない配線領域122と重なる領域に比較して厚みが増している。そのため、裏面バリアフィルム141が設けられている領域に対し、裏面バリアフィルム141が設けられていない領域は相対的に曲がりやすくなっている。すなわち、裏面バリアフィルム141が設けられていない領域は、ベースフィルム142が曲がりやすい領域となるため、裏面バリアフィルム141の配置によって表示装置100の曲げ領域を画定することができる。
映像信号線109は、表示領域106から配線領域122を経て端子領域114へ延伸する。また、映像信号線109は配線124と電気的に接続されていてもよいし、映像信号線109と配線124とが同一平面上に配置されていてもよい。配線領域122のベースフィルム142には第1貫通孔126が形成されているため、配線領域122において表示装置100を容易に、あるいは選択的に曲げることができる。例えば、表示装置100が図2に示すような三次元構造をとる場合、配線領域122において映像信号線109、およびベースフィルム142が曲げられ、2つの配線領域122が互いに重なるように変形される。配線領域122におけるベースフィルム142の第1の面には、映像信号線109や映像信号線駆動回路120を保護するための第2のパッシベーション膜206を設けてもよく、第2のパッシベーション膜206の一部は、コネクタ214と重なってもよい。
任意の構成として、第1の裏面バリアフィルム141aと第2の裏面バリアフィルム141bの間に、スペーサ220を設けてもよい。スペーサ220は、先端部分にベースフィルム142と当接する半円弧状の曲面部分と、この曲面部分に連結する平板部(図示せず)を有していてもよい。スペーサ220は、ベースフィルム142が曲げられる領域で、ベースフィルム142の裏面に当接するように配置されることで、表示装置100の曲げの半径(曲率半径)が一定となるように作用させることができる。また、平板部が第1の裏面バリアフィルム141aと第2の裏面バリアフィルム141bに挟持されることで、スペーサ220は表示装置100に安定的に保持される。したがって、スペーサ220を用いることで、表示装置100の形状を安定化することができる。
なお、映像信号線駆動回路120は、ICチップであってもよく、FPCの上に搭載されてもよい。さらに、表示装置100において、FPC接続部をスペーサ220にて折り返すことで、FPC接続部に伴うスペースが削除され、額縁を減らすことができる。また、接続端子116や映像信号線駆動回路120をスペーサにて折り返す構造とすることで、接続端子116や映像信号線駆動回路120が破壊されることを防ぎつつ、折り畳みが可能な表示装置を提供することができる。
図23は、図16に示した表示装置200を、C1線とC2線に挟まれる領域(湾曲領域320)で曲げた状態を示す模式的な斜視図である。湾曲領域320は、図23に示すように一部が折り曲げることができるようになっていてもよい。また、全体が緩やかに曲げることができるようになっていてもよい(図示せず)。なお、図23は、図22に示すようにコネクタ214を表示領域106が形成されている面とは反対側の面の方向に曲げている例も示している。なお、コネクタ214には表示装置200を駆動するための回路基板306が電気的に接続されている例を示している。このような構成とすることで、回路基板306を表示装置200に重ねることができ、表示装置を薄く、小型化することができる。
以上のような配列、配置とすることで、湾曲領域にトランジスタがなく、また、湾曲領域における配線などを少なくすることができる。したがって、折り曲げ動作による損傷が抑制され、信頼性が高く、可撓性が高い表示装置を提供することができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態の表示装置を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
本明細書においては、開示例として主に表示装置を例示したが、他の適用例として、その他の自発光型表示装置、液晶表示装置、あるいは電気泳動素子などを有する電子ペーパ型表示装置など、あらゆるフラットパネル型の表示装置が挙げられる。また、中小型から大型まで、特に限定することなく適用が可能である。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
100、200・・・表示装置、104・・・表面バリアフィルム、106・・・表示領域、108・・・画素回路PXにおいて表示素子以外を含む部分、109・・・映像信号線、110・・・走査信号線、114・・・端子領域、116・・・接続端子、118・・・走査信号線駆動回路、120・・・映像信号線駆動回路、122・・配線領域、124・・・配線、126・・・基準電位線、128・・・駆動電源線、130・・・画素回路、132・・・駆動トランジスタ、134、135・・・選択トランジスタ、136・・・発光素子、138・・・保持容量、140・・・下地膜、141、141a、141b・・・裏面バリアフィルム、142・・・ベースフィルム、152・・・層間膜、158・・・平坦化膜、162・・・半導体層、164・・・ゲート絶縁膜、166、167・・・ゲート電極、168、169、170、171・・・ソース/ドレイン電極、172・・・保持容量の電極、176・・・中間配線、178・・・隔壁、180・・・発光素子、182・・・第1の電極、184a、184b、184c、184d、185・・・開口部、184、184a、184b、184c・・・EL層、186・・・第2の電極、188、190、280・・・開口、194・・・中間配線絶縁膜、204・・・第1のパッシベーション膜、206・・第2のパッシベーション膜、210・・・充填剤、214・・・コネクタ、220・・・スペーサ、230・・・配線、240・・・機能層、250・・・表示素子、251・・・トランジスタ、261・・・第1画素、262・・・第2画素、263・・・第3画素、264・・・第4画素、265・・・第1トランジスタ、266・・・第2トランジスタ、267・・・第3トランジスタ、268・・・第4トランジスタ、280・・・制御部、290・・・シフトレジスタ、294・・・i本の配線、295・・・j本の配線、300・・・領域、310、320・・・湾曲領域




Claims (16)

  1. 一方向及び前記一方向と交差する方向に複数の表示素子が配列する表示領域と、
    前記表示領域と重なり、前記一方向と交差する方向に伸延する湾曲領域とを含み、
    前記複数の表示素子の各々は、トランジスタが電気的に接続され、
    前記複数の表示素子のうち、前記湾曲領域に重なる表示素子に電気的に接続される前記トランジスタは前記湾曲領域の外側に配置されること、
    を特徴とする表示装置。
  2. 前記表示素子の配列の間隔と、前記トランジスタの配列の間隔が異なること、
    を特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  3. 前記湾曲領域に含まれる第1表示素子に電気的に接続される第1トランジスタと、
    前記第1表示素子と前記一方向に伸延する方向に隣接して配列され、前記表示領域に含まれる第2表示素子に電気的に接続される第2トランジスタと、
    前記第2表示素子と前記一方向に伸延する方向に隣接して配列され、前記表示領域に含まれる第3表示素子に電気的に接続される第3トランジスタと、を有し、
    前記第1トランジスタと前記第2トランジスタの間隔と、
    前記第2トランジスタと前記第3トランジスタの間隔が同じであること、
    を特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  4. 前記湾曲領域に含まれる第1表示素子に電気的に接続される第1トランジスタと、
    前記第1表示素子と前記一方向に伸延する方向に隣接して配列され、前記表示領域に含まれる第2表示素子に電気的に接続される第2トランジスタと、
    前記第2表示素子と前記一方向に伸延する方向に隣接して配列され、前記表示領域に含まれる第3表示素子に電気的に接続される第3トランジスタと、を有し、
    前記第1トランジスタと前記第2トランジスタの間隔と、
    前記第2トランジスタと前記第3トランジスタの間隔が異なること、
    を特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  5. 前記複数の表示素子の配列は、前記湾曲領域の中心を境に、鏡面反転していることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  6. 前記トランジスタは、半導体膜と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、を含み、
    前記半導体膜とゲート絶縁膜とが接する面と逆の面に接する第1絶縁膜と、
    前記ゲート電極の上に配置される第2絶縁膜と、を含む、請求項1に記載の表示装置。
  7. 駆動回路をさらに含む、請求項1に記載の表示装置。
  8. 前記表示領域は複数の走査信号線を含み、前記複数の走査信号線は、前記湾曲領域にも配置されること、
    を特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  9. 前記表示素子は、発光素子であること、を特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  10. 前記表示領域は、第1バリアフィルムと第2バリアフィルムの間に含まれること、を特徴とする請求項1に記載の表示装置。
  11. 前記表示領域及び駆動回路は、樹脂基板、プラスチック基板上に形成されることを特徴とする、請求項1に記載の表示装置。
  12. 前記ゲート絶縁膜と、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜とは、前記湾曲領域の外側に配置されること、
    を特徴とする請求項6に記載の表示装置。
  13. 前記駆動回路は、前記表示領域の外側に配置され、
    複数のトランジスタと、前記複数のトランジスタの各々を接続する配線と、を有し、
    前記複数のトランジスタは、前記駆動回路と前記湾曲領域とが重なる領域の外側に配置され、
    前記複数のトランジスタの各々を接続する配線は、前記駆動回路と前記湾曲領域とが重なる領域にも配置されること、
    を特徴とする請求項7に記載の表示装置。
  14. 前記ゲート絶縁膜と、前記第1絶縁膜及び前記第2絶縁膜は、無機化合物であること、を特徴とする請求項12に記載の表示装置。
  15. 前記無機化合物は、酸化ケイ素や窒化酸化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化ケイ素のうち、少なくとも一つを含むこと、を特徴とする請求項14に記載の表示装置。
  16. 前記第1バリアフィルム及び前記第2バリアフィルムは、無機化合物を含むことを特徴とする請求項10に記載の表示装置。



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