JP2015207568A - 発光装置の作製方法 - Google Patents

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薫 波多野
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貴章 永田
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Tatsuya Okano
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Abstract

【課題】寿命の長いフレキシブル発光装置を簡便に提供することを目的とする。また、当該フレキシブル発光装置を用いた寿命が長く、安価な電子機器を提供することを目的とする。【解決手段】可撓性及び可視光の透光性を有する基板と、基板上に設けられた第１の接着剤層と、第１の接着剤層上に位置する窒素及びケイ素を含む絶縁膜と、第１の電極、第１の電極と対向する第２の電極、及び第１の電極と第２の電極との間に設けられたＥＬ層とを備える発光素子と、第２の電極上に形成された第２の接着剤層と、第２の接着剤層上に設けられた金属基板とを有し、金属基板の厚さは１０μｍ以上２００μｍ以下であるフレキシブル発光装置及び当該フレキシブル発光装置を用いた電子機器を提供する。【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置及びその作製方法に関する。また、そのような発光装置を搭載した電
子機器に関する。
近年、ディスプレイ分野の技術の発展はめざましく、特に高精細化、薄型化に関しては市
場のニーズも後押しし、著しい進歩を遂げている。
この分野における次のフェーズとしては、曲面を再現できるフレキシブルなディスプレイ
の商品化が注目されており、ディスプレイのフレキシブル化に関しては様々な提案がなさ
れている（例えば特許文献１参照）。また、フレキシブルな基板を用いた発光装置はガラ
スなどを用いた場合と比較して非常に軽量化することが可能である。
しかし、このようなフレキシブルなディスプレイの実用化における最大の難関はその寿命
にある。
これは、発光素子を支持すると共に、外界の水分や酸素などから素子を保護すべき基板に
、可撓性を有さないガラス基板を用いることが出来ず、可撓性を有するが透水性が高く、
耐熱性が低いプラスチック基板を使用しなければいけないことが原因となっている。プラ
スチック基板はその耐熱性が低い為に、高温をかけて良質な保護膜を作製することができ
ず、プラスチック基板を用いた側からの水分の侵入が発光素子ひいては発光装置の寿命に
大きな悪影響を及ぼしてしまう。例えば、非特許文献１ではポリエーテルスルホン（ＰＥ
Ｓ）をベースとした基板上に発光素子を作製し、アルミニウムのフィルムで封止を行った
フレキシブル発光装置を作製した例が紹介されているが、その寿命は２３０時間程度であ
り、実用にはほど遠い。非特許文献２及び非特許文献３では、ステンレス基板上に発光素
子を作製したフレキシブル発光装置の例が紹介されているが、ステンレス基板側からの水
分の侵入は抑制されているものの、発光素子側からの水分の侵入を有効にはばむことがで
きない。その為、ステンレス基板上でフレキシブル発光装置が作製されており、発光素子
側には、複数種の材料を何層も繰り返し積層した封止膜を適用することにより寿命の改善
を試みている。
なお、アルミニウムのフィルムのような金属薄膜やステンレス基板は可撓性と透水性の低
さを同時に持ち合わせているが、通常の厚さでは可視光を透過しないため、発光装置にお
いては発光素子を挟む一対の基板のうち、どちらか一方のみに使用が限られる。
特開２００３−２０４０４９号公報
Ｇｉ Ｈｅｏｎ Ｋｉｍら，ＩＤＷ’０３，２００３，ｐ．３８７−ｐ．３９０ Ｄｏｎｇ Ｕｎ Ｊｉｎ他，ＳＩＤ ０６ ＤＩＧＥＳＴ，２００６，ｐ．１８５５−ｐ．１８５７ Ａｎｎａ Ｃｈｗａｎｇ他，ＳＩＤ ０６ ＤＩＧＥＳＴ，２００６，ｐ．１８５８−ｐ．１８６１
非特許文献１の寿命の短さは、アルミニウムのフィルムで封止を行った上部からの水分の
侵入は抑制されたものの、ＰＥＳ基板側からの水分の侵入をはばむことができなかった結
果であると考えられる。また、このような発光装置に用いられる発光素子の耐熱性も低い
ことから、発光素子を形成した後に良質な保護膜を形成することも難しい。
非特許文献２及び非特許文献３では、ガラス基板で挟まれた発光装置と同じ程度の寿命が
でているように見えるが、これは、先にも述べた通り複数種の材料による層を繰り返し積
層した封止膜を用いていることにより達成しているものであり、生産性が悪い。生産性が
悪いとその分価格に跳ね返ってくるため、あまり現実的ではない。
このように、フレキシブル発光装置においては、従来用いられてきたガラス基板より耐熱
性の低いプラスチック基板を用いることから、緻密な高温成膜の保護膜を用いることが出
来ず発光素子や発光装置の寿命が短かった。また、それを補うために用いられる封止膜は
生産性の非常に悪いものであった。
また、フレキシブル発光装置は、プラスチック基板を用いるため、ガラス基板などに比べ
て帯電しやすい。従って、何らかの原因、例えば人体から静電気が放電されてフレキシブ
ル発光装置に電荷が蓄積され、静電気に起因する不具合が発生する恐れがある。
そこで、本発明の一態様は、寿命の長いフレキシブル発光装置を簡便に提供することを目
的の一とする。また、当該フレキシブル発光装置を用いた電子機器を提供することを目的
の一とする。また、静電気対策がなされたフレキシブル発光装置を提供することをも課題
の一つとする。
上記課題は、ガラス基板など耐熱性の高い基板上に充分に低い透水性を有するように適切
な温度で保護膜を形成し、ＴＦＴや発光素子の電極若しくは発光素子など必要なものを保
護膜上に形成した後、それらを保護膜ごとプラスチック基板に転置し、最後に接着剤を用
いて金属基板を接着することによって作製されたフレキシブル発光装置により解決するこ
とができる。
すなわち、本明細書中において開示する発明の一は、可撓性及び可視光に対する透光性を
有する基板と、基板上に設けられた第１の接着剤層と、第１の接着剤層上に位置する窒素
及びケイ素を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成された第１の電極と、第１の電極と対向する
第２の電極、及び第１の電極と第２の電極との間に設けられたＥＬ層とを備える発光素子
と、第２の電極上に形成された第２の接着剤層と、第２の接着剤層上に設けられた金属基
板とを有し、金属基板の厚さは１０μｍ以上２００μｍ以下であるフレキシブル発光装置
である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、可撓性及び可視光に対する透光性を有す
る基板と、基板上に設けられた第１の接着剤層と、第１の接着剤層上に位置する窒素及び
ケイ素を含む絶縁膜と、絶縁膜上に設けられたＴＦＴ形成層と、ＴＦＴ形成層に設けられ
たＴＦＴの一部と電気的に接続する第１の電極と、第１の電極と対向する第２の電極、及
び第１の電極と第２の電極との間に設けられたＥＬ層とを備える発光素子と、第２の電極
上に形成された第２の接着剤層と、第２の接着剤層上に設けられた金属基板とを有し、金
属基板の厚さは１０μｍ以上２００μｍ以下であるフレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成においてＴＦＴ形成層に形成さ
れたＴＦＴの活性層には、結晶質シリコンが用いられているフレキシブル発光装置である
。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記に記載のフレキシブル発光装置にお
いて、複数の発光素子を含む画素部と、画素部の外側に設けられた駆動回路部を有し、駆
動回路部がＴＦＴ形成層に形成されたＴＦＴにより構成されているフレキシブル発光装置
である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において発光素子の第２の電極
と第２の接着剤層との間に膜封止層を形成するフレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において金属基板がステンレス
、アルミニウム、銅、ニッケル、アルミニウム合金から選ばれる材料によりなるフレキシ
ブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において第１の接着剤層が、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂から選ばれる一種若しくは
複数種の材料によりなるフレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において第２の接着剤層は、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂から選ばれる一種若しくは
複数種の材料によりなるフレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において金属基板上にさらに樹
脂層が設けられているフレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において樹脂層は、エポキシ樹
脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、若しくはポリエステル樹脂から選
ばれる一種または複数種からなる熱硬化性樹脂、又はポリプロピレン、ポリエチレン、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂、若しく
はポリエチレンナフタレートから選ばれる一種または複数種からなる熱可塑性樹脂を含む
フレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において可撓性及び可視光に対
する透光性を有する基板、第１の接着剤層、第２の接着剤層及び樹脂層の少なくとも一に
さらに繊維体が含まれているフレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において可撓性及び可視光に対
する透光性を有する基板と第１の接着剤層との間に、透水性の低い膜が形成されているフ
レキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において透水性の低い膜はケイ
素及び窒素を含む膜もしくはアルミニウム及び窒素を含む膜、であるフレキシブル発光装
置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成において可撓性及び可視光に対
する透光性を有する基板における金属基板と対向する面と反対の面に、コート膜を有する
フレキシブル発光装置である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成においてコート膜は、可視光に
対する透光性を有し、高硬度の膜であるフレキシブル発光装置である。また、上記構成に
おいてコート膜は、可視光に対する透光性を有する導電膜を用いると、静電気からフレキ
シブル発光装置を保護することができる。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記構成のフレキシブル発光装置を表示
部に用いる電子機器である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、作製基板上に剥離層を形成し、剥離層上
に窒素及びケイ素を含む絶縁膜を形成し、絶縁膜上に第１の電極を形成し、第１の電極上
に第１の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第１の電極及び隔壁上に仮支持基板を接着し
、絶縁膜、第１の電極、隔壁、及び仮支持基板を、剥離層と絶縁膜との間で剥離すること
によって作製基板から分離し、分離によって露出した絶縁膜の表面に第１の接着剤層を用
いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を接着し、仮支持基板を除去して、第
１の電極の表面を露出させ、露出した第１の電極を覆って有機化合物を含むＥＬ層を形成
し、ＥＬ層を覆って第２の電極を形成し、第２の電極の表面に第２の接着剤層を用いて厚
さが１０μｍ以上２００μｍ以下の金属基板を接着するフレキシブル発光装置の作製方法
である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、作製基板上に剥離層を形成し、剥離層上
に窒素及びケイ素を含む絶縁膜を形成し、絶縁膜上に複数のＴＦＴを含むＴＦＴ形成層を
形成し、ＴＦＴ形成層上に、ＴＦＴ形成層に設けられた一部のＴＦＴと電気的に接続する
第１の電極を形成し、第１の電極の端部を覆って隔壁を形成し、第１の電極及び隔壁上に
仮支持基板を接着し、絶縁膜、ＴＦＴ形成層、第１の電極、隔壁、及び仮支持基板を、剥
離層と絶縁膜との間で剥離することによって作製基板から分離し、分離によって露出した
絶縁膜の表面に第１の接着剤層を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を
接着し、仮支持基板を除去して、第１の電極の表面を露出させ、露出した第１の電極を覆
って有機化合物を含むＥＬ層を形成し、ＥＬ層を覆って第２の電極を形成し、第２の電極
の表面に第２の接着剤層を用いて厚さが１０μｍ以上２００μｍ以下の金属基板を接着す
るフレキシブル発光装置の作製方法である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、上記作製方法において金属基板を接着し
た後、金属基板上に樹脂層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、第２の電極と第２の接着剤層との間に膜
封止層を形成するフレキシブル発光装置の作製方法である。
また、本明細書中において開示する発明の一は、絶縁膜は、プラズマＣＶＤ法によって２
５０℃以上４００℃以下の温度条件で成膜するフレキシブル発光装置の作製方法である。
本発明の一態様の発光装置は、フレキシブルな発光装置でありながら、長寿命且つ簡便に
作製することが可能なフレキシブル発光装置である。また、本発明の一態様は、フレキシ
ブル発光装置を作製することが可能な作製方法を提供することができる。
実施の形態に係わる発光装置を説明する図。 実施の形態に係わる発光装置を説明する図。 実施の形態に係わる発光装置の作製工程を説明する図。 実施の形態に係わる発光装置を説明する図。 実施の形態に係わる電子機器を説明する図。 実施の形態に係わる発光素子の構成を説明する図。 実施例に係わる発光装置を説明する図。 実施例に係わる発光装置を説明する図。 実施例に係わる発光装置を説明する図。 実施例に係わる発光装置を説明する図。 実施の形態に係わる発光装置を説明する図。 実施の形態に係わる発光装置を説明する図。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
（実施の形態１）
本実施の形態における発光装置は、ガラスやセラミックなど耐熱性の高い作製基板上に、
剥離層を介して保護膜を含む被剥離層（ＴＦＴや発光素子の第１の電極、発光素子などを
含んでも良い）を形成した後、剥離層を境に作製基板と被剥離層とを分離して、分離した
被剥離層を接着剤を用いてプラスチック基板上に接着して作製される。よって、透水性の
高いプラスチック基板側に充分に透水性の低い保護膜が設けられる。このため、本実施の
形態における発光装置はプラスチック基板と保護膜との間に第１の接着剤層が存在する。
本明細書においてプラスチック基板とは、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板
のことである。プラスチック基板としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基
板であれば特に限定はないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナ
フタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹
脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスル
フォン樹脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポ
リアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、などを好適に用いることができる。また、第
１の接着材層は可視光に対する透光性を有する材料で形成する。例えば、紫外線硬化型等
の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型
接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリ
コーン樹脂、フェノール樹脂などが用いられている。保護膜は透水性が低く、且つ可視光
に対する透光性を有する材料で形成する。例えば、窒化ケイ素膜や窒化酸化ケイ素膜、酸
化窒化ケイ素膜などが挙げられ、窒素とケイ素を含む絶縁膜を用いることが好ましい。
また、プラスチック基板と発光素子を挟んで反対側の基板には金属基板を用いる。金属基
板は可撓性を得るためにその膜厚は１０μｍ以上２００μｍ以下のものを用いる。なお、
２０μｍ以上１００μｍ以下のものが可撓性が高いため好ましい。金属基板を構成する材
料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッケル、またはアルミニウム合金
若しくはステンレスなどの金属の合金などを好適に用いることができる。金属基板は充分
に低い透水性と充分な可撓性を有するが、この範囲の膜厚では可視光に対する透光性を有
さないため、本実施の形態における発光装置はＴＦＴ層が設けられたプラスチック基板側
から発光を取り出すいわゆるボトムエミッション型の発光装置となる。なお、金属基板は
プラスチック基板と同様に、接着剤層を介して発光素子と接着されるため、発光素子の第
２の電極若しくは膜封止層と金属基板との間には第２の接着剤層が存在する。第２の接着
剤層の材料としては、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの接着剤を
用いることができる。これら接着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコ
ーン樹脂、フェノール樹脂などが用いられている。
このような構成を有する本実施の形態におけるフレキシブル発光装置は、透水性の高いプ
ラスチック基板側に当該プラスチック基板の耐熱温度以上の温度をかけて作製した、透水
性の充分に低い保護膜を設けていることから、プラスチック基板側から侵入する水分の影
響を有効に低減することができる。また、プラスチック基板と発光素子を挟んで反対側に
位置する封止基板として、充分な可撓性を有し、透水性の低い金属基板を用いることによ
って、封止基板側からの水分の侵入の影響も良好に抑えることが可能である。このように
、発光素子の両側において、多くの膜を積層しなくとも水分が侵入することを有効に低減
させることができることから、本実施の形態におけるフレキシブル発光装置は、簡便に作
製することができる寿命の長いフレキシブル発光装置であるということができる。
作製基板上に形成する被剥離層には保護膜の他ＴＦＴや発光素子等を作り込んでおいても
良い。ＴＦＴとしては、アモルファスシリコンを用いたＴＦＴや酸化物半導体を用いたＴ
ＦＴなど高い熱をかけずに作製できるものはもちろん、耐熱性の高い作製基板上でＴＦＴ
を作製できることによって結晶質シリコンなど、ある程度の加熱やレーザ処理が必要な結
晶質半導体層を用いたＴＦＴも作製が可能である。このことから、本実施の形態のフレキ
シブル発光装置は、結晶質半導体を用いたＴＦＴを有するアクティブマトリクス型のフレ
キシブル発光装置とすることができる。また、結晶質半導体を用いたＴＦＴを使用できる
ことから、駆動回路部やＣＰＵを画素部と同じ基板上に作り込むこともでき、別途駆動回
路やＣＰＵを装着するよりもコスト面や作製工程面で非常に有利なフレキシブル発光装置
を作製することも可能となる。
図１（Ａ）乃至（Ｃ）に本実施の形態における発光装置を表す図を示す。
図１（Ａ）は、駆動回路部及び画素ＴＦＴを設けたフレキシブル発光装置の例である。プ
ラスチック基板１１０上に第１の接着剤層１１１が設けられている。第１の接着剤層１１
１は保護膜１１２とプラスチック基板１１０とを接着している。保護膜１１２上には、下
地絶縁膜１１３、画素ＴＦＴ１１４、駆動回路部のＴＦＴ１１５、画素ＴＦＴ１１４に電
気的に接続する発光素子の第１の電極１１７及び第１の電極１１７の端部を覆う隔壁１１
８が設けられており、図１（Ａ）ではそれらの一部が示されている。発光素子１２７は隔
壁１１８から露出した第１の電極１１７と、それを少なくとも覆って形成された有機化合
物を含むＥＬ層１１９及びＥＬ層１１９を覆って設けられた第２の電極１２０を有する。
第２の電極１２０上には第２の接着剤層１２１を用いて金属基板１２２が接着されている
。なお、駆動回路部は必ずしも設ける必要はない。また、さらにＣＰＵ部を有していても
良い。また、図１（Ａ）では、被剥離層１１６は保護膜１１２、下地絶縁膜１１３、画素
ＴＦＴ１１４、駆動回路部のＴＦＴ１１５、第１の層間絶縁膜１２８、第２の層間絶縁膜
１２９、第１の電極１１７及び隔壁１１８を少なくとも含む構成としたが、これは作製が
しやすい一例を示したものであり、被剥離層１１６を構成する要素はこれに限らない。
図１（Ｂ）はパッシブマトリクス型のフレキシブル発光装置の例を示した。図１（Ａ）と
同様、プラスチック基板１１０上に第１の接着剤層１１１が設けられている。第１の接着
剤層１１１は被剥離層１１６とプラスチック基板１１０とを接着している。被剥離層１１
６には保護膜１１２、発光素子の第１の電極１１７及び隔壁１１８が設けられており、図
ではそれらの一部が示されている。発光素子１２７は隔壁１１８から露出した第１の電極
１１７と、それを少なくとも覆って形成された有機化合物を含むＥＬ層１１９及びＥＬ層
１１９を覆ってストライプ状に設けられた第２の電極１２０を有する。第２の電極１２０
上には第２の接着剤層１２１を用いて金属基板１２２が接着されている。図１（Ｂ）では
被剥離層１１６は保護膜１１２、第１の電極１１７及び隔壁１１８を少なくとも含む構成
としたが、これは作製がしやすい一例を示したものであり、被剥離層１１６を構成する要
素はこれに限らない。なお、図１（Ｂ）では、隔壁１１８の形状が順テーパー型のパッシ
ブマトリクス型発光装置の例を示したが、逆テーパー型のパッシブマトリクス型発光装置
であっても良い。この場合、隔壁１１８のテーパーによってＥＬ層１１９及び第２の電極
１２０を分離形成することができるため、それらの成膜にマスクを用いてパターニングを
行う必要が無い。
なお、図１（Ｃ）のように、金属基板１２２上にさらに樹脂層１２３を設けて、金属基板
１２２を保護しても良い。又は、プラスチック基板１１０の第１の接着剤層１１１と接す
る面と逆の面側にコート膜１２４を設けて押圧やひっかき傷からプラスチック基板表面を
保護しても良い。また、プラスチック基板１１０として予め透水性の低い保護膜１２５が
成膜された基板を用いたり、第２の電極１２０上に膜封止層１２６を設けたりすることに
より、さらに水分の侵入を抑制した構造としても良い。樹脂層１２３は、エポキシ樹脂、
アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリエステル樹脂等の熱硬化性樹脂か
ら選ばれる一種若しくは複数種の樹脂材料、またはポリプロピレン、ポリエチレン、ポリ
カーボネート、ポリスチレン、ポリアミド、ポリエーテルケトン、フッ素樹脂、ポリエチ
レンナフタレート等の熱可塑性樹脂から選ばれる一種若しくは複数種の樹脂材料を用いて
形成することができる。また、コート膜１２４は、有機膜、無機膜、若しくはその両方を
用いた積層膜など、様々な材料で形成することができ、柔らかいプラスチック基板１１０
の表面を傷などから保護することができるハードコート膜（例えば窒化ケイ素膜など）や
、押圧を分散可能な材質の膜（例えばアラミド樹脂膜等）を指すものとする。また、コー
ト膜１２４は、可視光に対する透光性を有し、高硬度な膜であるのが好ましい。プラスチ
ック基板に予め形成しておく保護膜１２５や膜封止層１２６としては、例えば窒化ケイ素
膜や窒化酸化ケイ素膜など、窒素及びケイ素を含む膜を用いることができる。
図１（Ｃ）におけるフレキシブル発光装置は、保護膜１１２及び金属基板１２２によって
、基板面方向からの水分の侵入が有効に抑制されているため、保護膜１２５または膜封止
層１２６は、補助的に透水性をさらに低減させる意味では有効な構成である。なお、樹脂
層１２３、コート膜１２４、保護膜１２５及び膜封止層１２６は、どれか一つを適用して
も良いし、複数、若しくは全てを適用してもよい。また、図１（Ｃ）は図１（Ａ）を元に
作製したが、これらの構成はもちろん図１（Ｂ）とも組み合わせて使用することができる
。
図１（Ａ）乃至（Ｃ）において、発光素子１２７は一つしか示されていないが、画像を表
現するディスプレイ用途で本実施の形態におけるフレキシブル発光装置を用いる場合は、
複数の発光素子１２７を有する画素部を形成する。また、フルカラーの画像を表示する場
合には、少なくとも赤、緑、青の３色の光を得ることが必要となる。その方法としては、
色ごとにＥＬ層１１９の必要な部分を塗り分けする方法、すべての発光素子を白色発光と
してカラーフィルタ層を透過させることによって各々の色を得る方法、全ての発光素子を
青もしくはそれより波長の短い発光とし色変換層を介して各々の色を得る方法などがある
。
図２（Ａ）乃至（Ｄ）にカラーフィルタ層、もしくは色変換層の設置方法について説明す
る図を示す。図２（Ａ）乃至（Ｄ）においては、３００がカラーフィルタ層（もしくは色
変換層）を表し、３０１がバリア膜である。バリア膜３０１はカラーフィルタ層３００（
もしくは色変換層）から発生するガスの影響を発光素子やＴＦＴが受けないようにするた
めに設置されるが、これは必ずしも設ける必要はない。カラーフィルタ層３００（もしく
は色変換層）は発光素子１２７に対応し、色ごとに設けられるが、隣り合う色のカラーフ
ィルタ層同士は、発光素子１２７の開口領域（第１の電極、ＥＬ層、第２の電極が直接重
なっている部分）以外の場所において重なっていても良い。カラーフィルタ層３００とバ
リア膜３０１は画素部のみに形成しても、駆動回路部まで形成してもよい。
図２（Ａ）では、ＴＦＴの電極３０７を形成した後、ＴＦＴの層間絶縁膜３０４上にカラ
ーフィルタ層３００を形成し、有機絶縁膜によりカラーフィルタ層による段差を平坦化す
る平坦化膜３０６を形成する。その後、平坦化膜３０６にコンタクトホールを形成し、発
光素子の第１の電極１１７とＴＦＴの電極３０７を接続する電極３０５を形成して、発光
素子の第１の電極１１７を設けた一例である。また、平坦化膜３０６上にバリア膜３０１
を設けても良い。
また、図２（Ｂ）のように層間絶縁膜３０４の下にカラーフィルタ層３００を設けてもよ
い。図２（Ｂ）では、バリア膜３０１を形成した後、バリア膜３０１上にカラーフィルタ
層３００を形成する。その後、層間絶縁膜３０４及びＴＦＴの電極３０５を形成して、発
光素子の第１の電極１１７を設けた一例である。
なお、図２（Ａ）乃至（Ｄ）では１色のカラーフィルタ層（もしくは色変換層）しか示し
ていないが、発光装置においては、赤、青及び緑のカラーフィルタ層（もしくは色変換層
）が適宜所定の配置及び形状で形成されている。カラーフィルタ層（もしくは色変換層）
の配列パターンは、ストライプ配列、斜めモザイク配列、三角モザイク配列などがあるが
、どのような配列をとっても良い。また、白色発光素子とカラーフィルタ層を用いる場合
、ＲＧＢＷ４画素配列を採用しても良い。ＲＧＢＷ４画素配列は、赤、青、緑３色のカラ
ーフィルタ層が設けられた画素と、カラーフィルタ層を設けない画素とを有する画素配置
であり、消費電力の低減などに効果を発揮する。また、白色発光素子は例えば赤、青及び
緑色の光を含み、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒ
ｄｓ Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）で定められた赤、青及び緑色の光を含む構成であれば好まし
い。
カラーフィルタ層は公知の材料を用いて形成することができる。カラーフィルタ層のパタ
ーンは、感光性の樹脂を使う場合はカラーフィルタ層そのものを露光及び現像して形成し
てもよいが、微細なパターンであるため、ドライエッチングによってパターンを形成する
ことが好ましい。
図２（Ｃ）は、カラーフィルタ層３００が設けられたカラーフィルタ基板３０２を設置す
る構成の例である。カラーフィルタ基板３０２のカラーフィルタ層３００が形成されてい
ない面をプラスチック基板１１０に第１の接着剤層１１１を用いて貼り合わせる場合、カ
ラーフィルタ基板３０２には、カラーフィルタ層３００を傷などから保護する為のコート
膜３０３を設けていても良い。コート膜３０３は可視光に対する透光性を有する材料で構
成し、コート膜１２４と同じ材料を用いることができる。また、図示していないがカラー
フィルタ基板３０２のカラーフィルタ層３００が形成された側をプラスチック基板１１０
側に向けて貼り合わせても良い。なお、カラーフィルタ基板３０２とは、可撓性及び可視
光に対する透光性を有する各種基板、例えばプラスチック基板１１０と同様の材料にカラ
ーフィルタ層３００を形成したものである。
図２（Ｄ）は、あらかじめカラーフィルタ層３００をプラスチック基板１１０に設けたカ
ラーフィルタ基板３０２を第１の電極を有する被剥離層１１６に直に貼り合わせる構成の
例である。カラーフィルタ層３００を設けたプラスチック基板１１０からなるカラーフィ
ルタ基板３０２を、第１の電極を有する被剥離層１１６に直に貼り合わせることにより、
部品点数を削減し作製コストが低減できる。以上、簡単にカラーフィルタ層（もしくは色
変換層）の設置について説明したが、この他、各発光素子の間にブラックマトリクスが設
けられていても良いし、その他公知の構成が適用されていても良い。
続いて、一例として、ＴＦＴを有する本実施の形態におけるフレキシブル発光装置の作製
方法を図３（Ａ）乃至（Ｅ）及び図１（Ａ）乃至（Ｃ）を用いて説明する。
まず、絶縁表面を有する作製基板２００上に剥離層２０１を介して、ＴＦＴ及び第１の電
極１１７等を含む被剥離層１１６を形成する。（図３（Ａ）参照）。
作製基板２００としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、表
面に絶縁層が形成された金属基板など、良質な保護膜を形成することができる程度に耐熱
性の高い基板を用いることができる。
作製基板は、通常のディスプレイ作製に用いられるような可撓性の小さい基板を用いてい
ることから、高精細に画素ＴＦＴを設けることもできる。
剥離層２０１は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎ
ｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ル
テニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリ
ジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、
又は元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素を含
む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、
塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法、ノズルプリンティング
法、スロットダイコーティング法を含む。
剥離層２０１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタン
グステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しく
は酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングス
テンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タン
グステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当す
る。
剥離層２０１が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン
層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングス
テン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物
又は窒化酸化物を含む層を形成する。
剥離層２０１として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層
を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒
化酸化物を含む層を形成する場合も同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上
層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、窒化酸化珪素層を形成するとよい。さらには、タング
ステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、一酸化二窒素、一酸化二窒素単体、あるいは前記ガスとそ
の他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。
続いて、剥離層２０１上に、被剥離層１１６を形成する。被剥離層１１６としては、まず
、剥離層２０１上に保護膜１１２を形成する。保護膜１１２は窒化ケイ素や酸化窒化ケイ
素、窒化酸化ケイ素など、窒素とケイ素を含む絶縁膜をプラズマＣＶＤにより形成し、そ
の成膜温度を２５０℃〜４００℃、及びその他の条件を公知の条件にすることによって、
緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
次に、この後作製するＴＦＴの特性安定化のため下地絶縁膜１１３を形成する。下地絶縁
膜１１３は、酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などの無機絶縁
膜を用い、単層若しくは複数層にて作製することができる。なお、保護膜１１２が下地と
なる絶縁膜を兼ねることが出来る場合は、下地絶縁膜１１３は形成しなくとも良い。
トランジスタが有する半導体層を形成する材料は、シランやゲルマンに代表される半導体
材料ガスを用いて気相成長法やスパッタリング法で作製される非晶質（アモルファス、以
下「ＡＳ」ともいう）半導体、該非晶質半導体を光エネルギーや熱エネルギーを利用して
結晶化させた多結晶半導体、或いは微結晶（セミアモルファス若しくはマイクロクリスタ
ルとも呼ばれる。以下「ＳＡＳ」ともいう）半導体、有機材料を主成分とする半導体など
を用いることができる。半導体層はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、またはプラズマＣＶＤ法
等により成膜することができる。
微結晶半導体層は、ギブスの自由エネルギーを考慮すれば非晶質と単結晶の中間的な準安
定状態に属するものである。すなわち、自由エネルギー的に安定な第３の状態を有する半
導体であって、短距離秩序を持ち格子歪みを有する。柱状または針状結晶が基板表面に対
して法線方向に成長している。微結晶半導体の代表例である微結晶シリコンは、そのラマ
ンスペクトルが単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１よりも低波数側に、シフトしている
。即ち、単結晶シリコンを示す５２０ｃｍ−１とアモルファスシリコンを示す４８０ｃｍ
−１の間に微結晶シリコンのラマンスペクトルのピークがある。また、未結合手（ダング
リングボンド）を終端するため水素またはハロゲンを少なくとも１原子％またはそれ以上
含ませている。さらに、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンなどの希ガス元素を含
ませて格子歪みをさらに助長させることで、安定性が増し良好な微結晶半導体層が得られ
る。
この微結晶半導体層は、周波数が数十ＭＨｚ〜数百ＭＨｚの高周波プラズマＣＶＤ法、ま
たは周波数が１ＧＨｚ以上のマイクロ波プラズマＣＶＤ法により形成することができる。
例えば、ＳｉＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＳｉＨ２Ｃｌ２、ＳｉＨＣｌ３、ＳｉＣｌ４、ＳｉＦ４
などの水素化珪素を水素で希釈して形成することができる。また、水素化珪素及び水素に
加え、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス
元素で希釈して微結晶半導体層を形成することができる。これらのときの水素化珪素に対
して水素の流量比を５倍以上２００倍以下、好ましくは５０倍以上１５０倍以下、更に好
ましくは１００倍とする。
アモルファス半導体としては、例えば水素化アモルファスシリコン、結晶性半導体として
は例えばポリシリコンなどがあげられる。ポリシリコン（多結晶シリコン）には、８００
℃以上のプロセス温度を経て形成されるポリシリコンを主材料として用いた所謂高温ポリ
シリコンや、６００℃以下のプロセス温度で形成されるポリシリコンを主材料として用い
た所謂低温ポリシリコン、また結晶化を促進する元素などを用いて、非晶質シリコンを結
晶化させたポリシリコンなどを含んでいる。もちろん、前述したように、微結晶半導体又
は半導体層の一部に結晶相を含む半導体を用いることもできる。
また、半導体層の材料としてはシリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）などの単体のほ
かＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ、ＳｉＧｅなどのような化合物半導体も
用いることができる。また酸化物半導体である酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２
）、酸化マグネシウム亜鉛、酸化ガリウム、インジウム酸化物、及び上記酸化物半導体の
複数より構成される酸化物半導体などを用いることができる。例えば、酸化亜鉛とインジ
ウム酸化物と酸化ガリウムとから構成される酸化物半導体なども用いることができる。な
お、酸化亜鉛を半導体層に用いる場合、ゲート絶縁層をＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２
、それらの積層などを用いるとよく、ゲート電極層、ソース電極層、ドレイン電極層とし
ては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、Ａｕ、Ｔｉなどを用いるとよい。また、ＺｎＯに
ＩｎやＧａなどを添加することもできる。なお、半導体層に可視光を透過する酸化物半導
体膜を利用した透明トランジスタを画素部のトランジスタに適用することもできる。この
ような透明トランジスタに発光素子を重ねて形成すると、画素に占める発光素子の面積率
、いわゆる開口率を高めることができ、高輝度で高解像度のフレキシブルな表示装置を形
成できる。また、透明トランジスタのゲート電極、ソース電極乃至ドレイン電極を、可視
光を透過する導電膜を用いて形成すると、さらに開口率を高めることができる。
半導体層に、結晶性半導体層を用いる場合、その結晶性半導体層の作製方法は、種々の方
法（レーザ結晶化法、熱結晶化法、またはニッケルなどの結晶化を助長する元素を用いた
熱結晶化法等）を用いれば良い。また、ＳＡＳである微結晶半導体をレーザ照射して結晶
化し、結晶性を高めることもできる。結晶化を助長する元素を導入しない場合は、非晶質
珪素膜にレーザ光を照射する前に、窒素雰囲気下５００℃で１時間加熱することによって
非晶質珪素膜の含有水素濃度を１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にまで放出させる。
これは水素を多く含んだ非晶質珪素膜にレーザ光を照射すると非晶質珪素膜が破壊されて
しまうからである。
非晶質半導体層への金属元素の導入の仕方としては、当該金属元素を非晶質半導体層の表
面又はその内部に存在させ得る手法であれば特に限定はなく、例えばスパッタ法、ＣＶＤ
法、プラズマ処理法（プラズマＣＶＤ法も含む）、吸着法、金属塩の溶液を塗布する方法
を使用することができる。このうち溶液を用いる方法は簡便であり、金属元素の濃度調整
が容易であるという点で有用である。また、このとき非晶質半導体層の表面の濡れ性を改
善し、非晶質半導体層の表面全体に水溶液を行き渡らせるため、酸素雰囲気中でのＵＶ光
の照射、熱酸化法、ヒドロキシラジカルを含むオゾン水又は過酸化水素による処理等によ
り、酸化膜を成膜することが望ましい。
また、非晶質半導体層を結晶化し、結晶性半導体層を形成する結晶化工程で、非晶質半導
体層に結晶化を促進する元素（触媒元素、金属元素とも示す）を添加し、熱処理（５５０
℃〜７５０℃で３分〜２４時間）により結晶化を行ってもよい。結晶化を助長（促進）す
る元素としては、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ルテニウム（Ｒｕ
）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）
、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）から選ばれた一種又は複数種類を用いること
ができる。
結晶化を助長する元素を結晶性半導体層から除去、又は軽減するため、結晶性半導体層に
接して、不純物元素を含む半導体層を形成し、ゲッタリングシンクとして機能させる。不
純物元素としては、ｎ型を付与する不純物元素、ｐ型を付与する不純物元素や希ガス元素
などを用いることができ、例えばリン（Ｐ）、窒素（Ｎ）、ヒ素（Ａｓ）、アンチモン（
Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｉ）、ボロン（Ｂ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴ
ン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）から選ばれた一種または複数種を用
いることができる。結晶化を促進する元素を含む結晶性半導体層に、希ガス元素を含む半
導体層を形成し、熱処理（５５０℃〜７５０℃で３分〜２４時間）を行う。結晶性半導体
層中に含まれる結晶化を促進する元素は、希ガス元素を含む半導体層中に移動し、結晶性
半導体層中の結晶化を促進する元素は除去、又は軽減される。その後、ゲッタリングシン
クとなった希ガス元素を含む半導体層を除去する。
非晶質半導体層の結晶化は、熱処理とレーザ光照射による結晶化を組み合わせてもよく、
熱処理やレーザ光照射を単独で、複数回行っても良い。
また、結晶性半導体層を、直接作製基板の下地絶縁膜上にプラズマ法により形成しても良
い。また、プラズマ法を用いて、結晶性半導体層を選択的に作製基板の下地絶縁膜上に形
成してもよい。
有機材料を主成分とする半導体層としては、他の元素と組み合わせて一定量の炭素または
炭素の同素体（ダイヤモンドを除く）からなる物質を主成分とする半導体層を用いること
ができる。具体的には、ペンタセン、テトラセン、チオフェンオリゴマ誘導体、フェニレ
ン誘導体、フタロシアニン化合物、ポリアセチレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、シア
ニン色素等が挙げられる。
ゲート絶縁膜、ゲート電極は公知の構造、方法により作製すれば良い。例えばゲート絶縁
膜は酸化ケイ素の単層又は酸化ケイ素と窒化ケイ素との積層構造など、公知の構造で作製
すればよいし、ゲート電極は、ＣＶＤ法やスパッタ法、液滴吐出法などを用い、Ａｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｗ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｄ、Ｚｎ、Ｆｅ、
Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｚｒ、Ｂａから選ばれた元素、又は元素を主成分とする合金材料もし
くは化合物材料で形成すればよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶シ
リコン膜に代表される半導体層や、ＡｇＰｄＣｕ合金を用いてもよい。また、単層構造で
も複数層の構造でもよい。
なお、図１においては、トップゲートのトランジスタの一例を示したが、もちろんその他
、ボトムゲートや公知の他の構造のトランジスタを用いても構わない。
続いて、層間絶縁膜を形成する。層間絶縁膜は無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて、
単層又は積層で形成することができる。有機絶縁材料としては、例えば、アクリル、ポリ
イミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン等を使用することができる
。なお、図１では２層から成る層間絶縁膜１２８、１２９を示したが、これは一例を示し
たものであり、層間絶縁膜の構成はこれに限定されるものではない。
層間絶縁膜を形成したら、パターニング及びエッチングを行うことによって、層間絶縁膜
、ゲート絶縁膜などにトランジスタの半導体層に達するコンタクトホールを形成し、導電
性の金属膜をスパッタ法又は真空蒸着法によって成膜してエッチングによってトランジス
タの電極及び配線を形成する。画素トランジスタのドレイン電極は画素電極である第１の
電極と重なる部分を設け、電気的な接続が得られるように形成する。
つづいて、可視光に対する透光性を有する導電膜を用いて第１の電極１１７を形成する。
第１の電極１１７が陽極である場合は、可視光に対する透光性を有する導電膜の材料は、
酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）や酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２；
ＩＴＯ）などをスパッタ法や真空蒸着法などを用いて形成して用いることができる。酸化
インジウム酸化亜鉛合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＺｎＯ）を用いても良い。また、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）も適した材料であり、さらに可視光の透過率や導電率を高めるためにガリウム（Ｇａ
）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ：Ｇａ）などを用いることができる。第１の電極１１７を
陰極とする場合には、アルミニウムなど仕事関数の低い材料の極薄膜を用いるか、そのよ
うな物質の薄膜と上述のような可視光に対する透光性を有する導電膜との積層構造を用い
ることによって作製することができる。
その後、層間絶縁膜、第１の電極１１７を覆って有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて
絶縁膜を形成し、当該絶縁膜を第１の電極１１７の表面が露出し且つ第１の電極１１７の
端部を覆うように加工して隔壁１１８を形成する。
以上のような工程により、被剥離層１１６を形成することができる。
続いて、被剥離層１１６と仮支持基板２０２とを剥離用接着剤２０３を用いて接着し、剥
離層２０１を用いて被剥離層１１６を作製基板２００より剥離する。これにより被剥離層
１１６は、仮支持基板２０２側に設けられる（図３（Ｂ）参照）。
仮支持基板２０２は、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基
板などを用いることができる。また、本実施の形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有する
プラスチック基板を用いてもよいし、フィルムのような可撓性基板を用いても良い。
また、ここで用いる剥離用接着剤２０３は、水や溶媒に可溶なものや、紫外線などの照射
により可塑化させることが可能であるような、必要時に仮支持基板２０２と被剥離層１１
６とを化学的もしくは物理的に分離することが可能な接着剤を用いる。
なお、仮支持基板への転置工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、剥離
層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む膜を形成した場合は、当該金属酸化膜
を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作成基板から剥離することができる。また、耐熱
性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場
合はレーザ光の照射またはエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離
層を作成基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金
属酸化膜を含む膜を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一
部を溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスによりエッチングで除去
した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層とし
て窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸
素含有合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素
や水素をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。
または、被剥離層が形成された作製基板を機械的に削除又は溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、Ｃ
ｌＦ３等のフッ化ハロゲンガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる
。この場合、剥離層を設けなくとも良い。
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に転置工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な削除を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。
また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離しても
よい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
その他の剥離方法としては、剥離層２０１をタングステンで形成した場合は、アンモニア
水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層２０１をエッチングしながら剥離を行うと良い
。
つづいて、作製基板２００から剥離され、剥離層２０１、若しくは保護膜１１２が露出し
た被剥離層１１６に剥離用接着剤２０３とは異なる接着剤による第１の接着剤層１１１を
用いてプラスチック基板１１０を接着する（図３（Ｃ）参照）。
第１の接着剤層１１１の材料としては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応
硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いること
ができる。
プラスチック基板１１０としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する各種基板を
用いることができ、有機樹脂のフィルムなどを好適に使用できる。有機樹脂としては、例
えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等
のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリ
メチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹
脂（ＰＥＳ）、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミド
イミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等を用いることが出来る。
プラスチック基板１１０には予め窒化ケイ素や酸化窒化ケイ素等の窒素とケイ素を含む膜
や窒化アルミニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜や酸化アルミニウム膜のような透水
性の低い保護膜１２５を成膜しておいても良い。
その後、剥離用接着剤２０３を溶解若しくは可塑化させて、仮支持基板２０２を取り除く
。仮支持基板２０２を取り除いたら、発光素子の第１の電極１１７が露出するように剥離
用接着剤２０３を水や溶媒などで除去する（図３（Ｄ）参照）。
以上により、ＴＦＴ及び発光素子の第１の電極１１７までが形成された被剥離層１１６を
プラスチック基板１１０上に作製することができる。
第１の電極１１７が露出したら、続いてＥＬ層１１９を成膜する。ＥＬ層１１９の積層構
造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層または正孔輸送性の高い物
質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い物質を含む層、バイポー
ラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含む層等を適宜組み合わせて構成すれ
ばよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層等を適宜組
み合わせて構成することができる。本実施の形態では、ＥＬ層は、正孔注入層、正孔輸送
層、発光層、電子輸送層を有する構成について説明する。各層を構成する材料について以
下に具体的に示す。
正孔注入層は、陽極に接して設けられ、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデ
ン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物
等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニ
ン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニル
アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，４’−ビ
ス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−
フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化合物、或いはポリ
（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／
ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
また、正孔注入層として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合
材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有さ
せたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことが
できる。つまり、第１の電極１１７として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の
小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テト
ラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、ク
ロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元
素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的
には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化
タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特
に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘
導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、
種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔
輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上
の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い
物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることので
きる有機化合物を具体的に列挙する。
例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジ
フェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、４，
４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル
｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，５−トリス［Ｎ−
（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（略称：ＤＰＡ３Ｂ
）等を挙げることができる。
複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（
９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾ
ール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−
イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、
３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−
９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。
また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ
（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カ
ルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９
−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４
−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用い
ることができる。
また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−
ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５
−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，
１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０
−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセ
ン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔ
ｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、
２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン
、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テ
トラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチ
ル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０
’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル
）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェ
ニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペ
リレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また
、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０−６ｃ
ｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いるこ
とがより好ましい。
なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい
。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジ
フェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジ
フェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。
また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルア
ミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略
称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フ
ェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもでき
る。
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、
例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略
称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，
１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４
’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン
（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２
−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合
物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔
移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら
以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけで
なく、上記物質からなる層が二層以上積層したものでもよい。
また、正孔輸送層として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４
−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもで
きる。
発光層は、発光性の物質を含む層である。発光層の種類としては、発光物質を主成分とす
るいわゆる単膜の発光層であっても、ホスト材料中に発光材料を分散するいわゆるホスト
−ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。
用いられる発光材料に制限は無く、公知の蛍光又は燐光を発する材料を用いることができ
る。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−
イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧ
Ａ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アン
トリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、等の他、発光波長が４５０ｎｍ以上
の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アント
リル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−
（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略
称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（
略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９
Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’
−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビ
ス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰ
Ａ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェ
ニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，
１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，
４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’
’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，
１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−
２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２Ｐ
ＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリ
ル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ
）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−
１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’
−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４
−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェ
ニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェ
ニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニル
アントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフ
ェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛
２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−
イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２
，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテ
ニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ
，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略
称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１３−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−
メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称
：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラ
メチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−
イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴ
Ｉ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，
３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニ
ル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（
２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４
−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（
８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，
５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン
｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光性材料と
しては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２
’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、
の他、発光波長が４７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある、ビス［２−（４’，６’−ジフ
ルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：
ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナ
ト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（
ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］
イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波長が５０
０ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト
）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅ
ｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（
略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾ
ラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）
２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イ
リジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ
））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチ
ルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４
，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナ
ート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ
，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃ
ａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキ
サリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチ
ルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略
称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オ
クタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス
（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピ
ウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル
）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（Ｉ
ＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような材料又は
他の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば良い。
ホスト材料を用いる場合は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（
略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（Ｉ
Ｉ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェ
ノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（
ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビ
ス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’
，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュ
プロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール
−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、
ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる
。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、
ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、
９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−
［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミ
ン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェ
ニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル
−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３
−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：
ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５
，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’
’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（
略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−
カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−
９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−
ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（
２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（
２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称
：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：
ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：Ｄ
ＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称
：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々が分散す
る発光中心物質のエネルギーギャップ（燐光発光の場合は三重項励起エネルギー）より大
きなエネルギーギャップ（三重項励起エネルギー）を有する物質を有し、且つ各々の層が
有すべき輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニ
ウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウ
ム（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノ
ラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を
有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル
）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２）、ビス［２−（２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などのオキサゾール系、
チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外
にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４
−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、
３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１
，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）
、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、
主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子
の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。
また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したも
のでもよい。
また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。こ
れは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した
層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節する
ことが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生
する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。
また、陰極となる電極に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化
リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のよ
うなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例え
ば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれ
らの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの
等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層
中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第２の電
極１２０からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。
続いて、ＥＬ層１１９上に第２の電極１２０を形成する。第２の電極１２０を形成する物
質としては、第２の電極１２０を陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい（具体的
には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用い
ることが好ましい。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の第１族または第
２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、お
よびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ
土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イ
ッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金等が挙げられる。しかしな
がら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を設けることにより、仕事関数の大小に関
わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸
化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いることができる。これら導電性材料は、スパ
ッタリング法やインクジェット法、スピンコート法等を用いて成膜することが可能である
。
また、第２の電極１２０を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には４
．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好
ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸
化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タング
ステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導
電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作
製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに
対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成
することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（Ｉ
ＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０
．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができ
る。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロ
ム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、
上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の
材料を選択することができる。
なお、上述のＥＬ層は図６（Ａ）のように第１の電極６００と第２の電極６０１との間に
複数積層されていても良い。この場合、積層されたＥＬ層８００とＥＬ層８０１との間に
は、電荷発生層８０３を設けることが好ましい。電荷発生層８０３は上述の複合材料で形
成することができる。また、電荷発生層８０３は複合材料よりなる層と他の材料よりなる
層との積層構造をなしていてもよい。この場合、他の材料よりなる層としては、電子供与
性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、可視光に対する透光性を有する導電膜より
なる層などを用いることができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移
動や消光などの問題が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿
命とを併せ持つ発光素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方
で蛍光発光を得ることも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用い
ることができる。
次に、ＥＬ層が第１の電極と第２の電極との間に２層以上の複数積層されている場合につ
いても説明する。図６（Ｂ）のようにＥＬ層１００３が、例えばｎ（ｎは２以上の自然数
）層の積層構造を有する場合には、ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と、
（ｍ＋１）番目のＥＬ層との間には、それぞれ電荷発生層１００４が挟まれた構造を有す
る。
なお、電荷発生層１００４とは、第１の電極１００１と第２の電極１００２に電圧を印加
したときに、電荷発生層１００４に接して形成される一方のＥＬ層１００３に対して正孔
を注入する機能を有し、他方のＥＬ層１００３に電子を注入する機能を有する。
電荷発生層１００４としては、例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料を用いること
ができる。また、電荷発生層１００４は、有機化合物と金属酸化物の複合材料と、他の材
料（例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物）とを組み合わせ
て形成しても良い。例えば、有機化合物と金属酸化物の複合材料よりなる層と、他の材料
（例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物）よりなる層との積
層構造をなしていても良い。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例えば、有機
化合物とＶ２Ｏ５やＭｏＯ３やＷＯ３等の金属酸化物を含む。有機化合物としては、芳香
族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デ
ンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有機化合物
としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上であるも
のを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これ
ら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層１００４に用いるこれらの材料は、キャ
リア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子の低電流駆動を実現することが
できる。
特に図６（Ａ）の構成は白色の発光を得る場合に好ましく、図２の構成と組み合わせるこ
とによって長寿命、高効率なフルカラーフレキシブル発光装置を作製することができる。
複数の発光層の組み合わせとしては、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する構成で
あればよく、例えば、青色の蛍光材料を発光物質として含む第１のＥＬ層と、緑色と赤色
の燐光材料を発光物質として含む第２のＥＬ層を有する構成が挙げられる。また、補色の
関係にある光を発する発光層を有する構成であっても白色発光が得られる。ＥＬ層が２層
積層された積層型素子において、第１のＥＬ層から得られる発光の発光色と第２のＥＬ層
から得られる発光の発光色を補色の関係にする場合、補色の関係としては、青色と黄色、
あるいは青緑色と赤色などが挙げられる。青色、黄色、青緑色、赤色に発光する物質とし
ては、例えば、先に列挙した発光物質の中から適宜選択すればよい。
以下に、第１のＥＬ層および第２のＥＬ層のそれぞれが補色の関係にある複数の発光層を
有し、白色発光が得られる構成の一例を示す。
例えば、第１のＥＬ層は、青色〜青緑色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示
す第１の発光層と、黄色〜橙色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示す第２の
発光層とを有し、第２のＥＬ層は、青緑色〜緑色の波長領域にピークを有する発光スペク
トルを示す第３の発光層と、橙色〜赤色の波長領域にピークを有する発光スペクトルを示
す第４の発光層とを有するものとする。
この場合、第１のＥＬ層からの発光は、第１の発光層および第２の発光層の両方からの発
光を合わせたものであるので、青色〜青緑色の波長領域および黄色〜橙色の波長領域の両
方にピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第１のＥＬ層は２波長型の白色ま
たは白色に近い色の発光を呈する。
また、第２のＥＬ層からの発光は、第３の発光層および第４の発光層の両方からの発光を
合わせたものであるので、青緑色〜緑色の波長領域および橙色〜赤色の波長領域の両方に
ピークを有する発光スペクトルを示す。すなわち、第２のＥＬ層は、第１のＥＬ層とは異
なる２波長型の白色または白色に近い色の発光を呈する。
したがって、第１のＥＬ層からの発光および第２のＥＬ層からの発光を重ね合わせること
により、青色〜青緑色の波長領域、青緑色〜緑色の波長領域、黄色〜橙色の波長領域、橙
色〜赤色の波長領域をカバーする白色発光を得ることができる。
なお、上述した積層型素子の構成において、積層されるＥＬ層の間に電荷発生層を配置す
ることにより、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での長寿命素子を実現することが
できる。また、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光
が可能となる。
第２の電極１２０まで形成したら、第２の電極１２０上に、第２の接着剤層１２１を用い
て金属基板１２２を接着する。第２の接着剤層１２１は第１の接着剤層１１１と同様の材
料で形成することができる。金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、アル
ミニウム、銅、ニッケルやアルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを
好適にもちいることができる（図３（Ｅ））。なお、金属基板１２２は、第２の接着剤層
１２１を用いて接着する前に、真空中でのベークやプラズマ処理を行うことによって、そ
の表面に付着した水を取り除いておくことが好ましい。
金属基板１２２の接着は、ラミネーターを用いて行うこともできる。例えば、まずシート
状の接着剤をラミネーターを用いて金属基板に貼り合わせておき、それをラミネーターを
用いてさらに発光素子上に接着する方法や、スクリーン印刷などで金属基板に接着剤を印
刷しておき、それをラミネーターを用いて発光素子上に接着する方法などがある。この工
程は、気泡が入るのを低減するため、減圧下で行うことが好ましい。
以上のように図１（Ａ）乃至（Ｃ）に示したような本発明の一態様の発光装置を作製する
ことができる。
本実施の形態では、ＴＦＴを有するフレキシブル発光装置を発光素子の第１の電極１１７
までを作製基板上に形成し、剥離する方法を例示したが、本明細書中で開示する発明はこ
れに限らず、発光素子１２７まで形成してから（すなわち、発光素子の第２の電極１２０
を形成後）剥離、転置を行っても良い。また、保護膜１１２のみ作製基板に形成し、プラ
スチック基板１１０に剥離、転置した後、ＴＦＴや発光素子を作製しても良い。また、Ｔ
ＦＴを設けない場合は、保護膜１１２上に発光素子の第１の電極１１７から作り始めるこ
とによって同様に作製することができる。
なお、発光素子の第２の電極１２０まで形成した後、図１（Ｃ）に示したように膜封止層
１２６を形成し、さらなる透水性の低減を図っても良い。また、プラスチック基板１１０
の第１の接着剤層１１１と接する面と逆の面側にコート膜１２４を設け、画面に付いてし
まう傷や押圧による破損を防止しても良い。また、金属基板１２２上にも樹脂層１２３を
設け、金属基板の保護を図ってもよい。
また、プラスチック基板１１０、第１の接着剤層１１１、第２の接着剤層１２１及び樹脂
層１２３には、これらの材料中に繊維体が含まれていても良い。繊維体は有機化合物また
は無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率またはヤン
グ率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエス
テル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニ
レンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維が挙げられる。ガラス繊
維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられ
る。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹
脂を硬化させた構造体をプラスチック基板１１０として用いても良い。プラスチック基板
１１０として繊維体と有機樹脂からなる構造体を用いると、曲げや局所的押圧による破損
に対する信頼性が向上するため、好ましい構成である。
なお、プラスチック基板１１０や第１の接着剤層１１１中に上述のような繊維体が含まれ
る場合、発光素子からの光が外部に出るのを妨げることを低減するために、当該繊維体を
直径１００ｎｍ以下のナノファイバーとすることが好ましい。また、繊維体と有機樹脂や
接着剤の屈折率を合わせることが好ましい。
また、第１の接着剤層１１１とプラスチック基板１１０の両方の役割を担うものとしても
、繊維体に有機樹脂を含浸させ有機樹脂を硬化させた構造体を用いることが出来る。この
際、当該構造体の有機樹脂としては、反応硬化型、熱硬化型、紫外線硬化型など追加処理
を施すことによって硬化が進行するものを用いると良い。
次いで、異方性導電材で入出力端子部の各電極にＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキッ
ト）を貼り付ける。必要があればＩＣチップなどを実装させても良い。
以上の工程で、ＦＰＣが接続されたモジュール型の発光装置が完成する。
続いて、モジュール型の発光装置（ＥＬモジュールとも呼ぶ）の上面図及び断面図を図４
に示す。
図４（Ａ）は、ＥＬモジュールを示す上面図、図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＡ−Ａ’で切断
した断面図である。図４（Ａ）において、第１の接着剤層５００を介してプラスチック基
板１１０上に、保護膜５０１が設けられ、その上に画素部５０２、ソース側駆動回路５０
４、及びゲート側駆動回路５０３が形成されている。
また、４００は第２の接着剤層、４０１は金属基板であり、画素部および駆動回路部上に
第２の接着剤層４００が形成され、その第２の接着剤層４００によって金属基板４０１が
接着されている。さらに、金属基板４０１上に樹脂層を設けて金属基板４０１を保護して
も良い。
なお、５０８はソース側駆動回路５０４及びゲート側駆動回路５０３に入力される信号を
伝送するための配線であり、外部入力端子となるＦＰＣ４０２（フレキシブルプリントサ
ーキット）からビデオ信号やクロック信号を受け取る。なお、ここではＦＰＣ４０２しか
図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていて
も良い。本明細書中で開示するフレキシブル発光装置には、発光装置本体だけでなく、そ
れにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
次に、断面構造について図４（Ｂ）を用いて説明する。第１の接着剤層５００上に接して
保護膜５０１が設けられ、保護膜５０１の上方には画素部５０２、ゲート側駆動回路５０
３が形成されており、画素部５０２は電流制御用ＴＦＴ５１１とそのドレインに電気的に
接続された画素電極５１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回路
５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５１３とｐチャネル型ＴＦＴ５１４とを組み合わせたＣＭＯ
Ｓ回路を用いて形成される。
図４（Ｃ）には、図４（Ｂ）と異なる断面構造の例を示す。図４（Ｃ）の例においては、
隔壁１１８を、窒化ケイ素や酸化窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素及び酸化ケイ素のような無
機材料により形成する。そして、第２の接着剤層４００と金属基板４０１の周辺端部は隔
壁１１８の周辺端部よりフレキシブル発光装置の中心部に近くなるように設置する。すな
わち、第２の接着剤層４００及び金属基板４０１は隔壁１１８よりその面積が小さく、隔
壁１１８の上に収まるように設置する。そして低融点金属５２０を第２の接着剤層４００
の側面を覆うように形成する。これにより、第２の接着剤層４００の側面端部からの水分
の侵入を非常に有効に遮断出来、さらなるフレキシブル発光装置の寿命の向上を実現でき
る。低融点金属５２０としては、特に限定はないが、概ね４５℃〜３００℃で融着可能な
金属材料を用いると良い。３００℃程度の融着温度であれば、画素部周辺且つ隔壁の上で
の部分的な温度上昇であるため、発光素子やプラスチック基板に損傷を与えること無く融
着することが可能である。そのような材料としては、スズ、銀、銅、インジウムなどを含
む金属材料が挙げられる。また、これらにビスマスなどがさらに含まれていても良い。
図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）には、発光装置の周辺端部からの水分の侵入をより効果的
に防ぐ別な構造を示す。図１１（Ａ）に示す発光装置の金属基板４０１は、第２の接着剤
層４００、発光素子５１８、被剥離層１１６及びプラスチック基板１１０に比べ大きく、
金属基板４０１の端部は第２の接着剤層４００、発光素子５１８、被剥離層１１６及びプ
ラスチック基板１１０外周部より外側に延在している。また、封止膜５２１が第２の接着
剤層４００、発光素子５１８、被剥離層１１６及びプラスチック基板１１０を覆い、金属
基板４０１の表面と接している。封止膜５２１としては透水性が低く、且つ可視光に対す
る透光性を有する材料で形成する。代表的には窒化ケイ素膜や窒化酸化ケイ素膜、酸化窒
化ケイ素膜のような無機材料などが挙げられ、窒素とケイ素を含む絶縁膜を用いることが
好ましい。封止膜５２１をこのような構造とすることで、発光装置を構成する第２の接着
剤層４００、発光素子５１８、被剥離層１１６及びプラスチック基板１１０の端部及び、
界面から発光装置の内部へ水分が侵入するのを防ぐことができる。
また、図１１（Ｂ）に示す発光装置は第２の接着剤層４００、発光素子５１８、被剥離層
１１６及びプラスチック基板１１０の端部に平坦化層５２２を有する。平坦化層５２２は
樹脂を用いることができる。平坦化層５２２は第２の接着剤層４００、発光素子５１８、
被剥離層１１６及びプラスチック基板１１０からなる積層構造がつくる段差を緩和する。
平坦化層５２２により段差が緩和された端部は、封止膜５２１による被覆が容易になる。
このような構造とすることで、発光装置を構成する第２の接着剤層４００、発光素子５１
８、被剥離層１１６及びプラスチック基板１１０の端部及び、界面からの水分の侵入を封
止膜５２１でより効果的に防ぐことができる。なお、平坦化層５２２は端部だけでなく、
プラスチック基板１１０全面を覆って塗布してもよい。
以上のように、本実施の形態に記載のフレキシブル発光装置は、耐熱性の高い作製基板上
にＴＦＴを作製することができることから、移動度の高い結晶質シリコンなどの結晶質半
導体層を用いたＴＦＴを用いることができるため、このような駆動回路部を同時に作り込
むことが出来、より安価にフレキシブル発光装置を作製することができるようになる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１に示す発光装置をその一部に含む電子機器について説明
する。
実施の形態１に示した発光素子を有する電子機器の一例として、ビデオカメラ、デジタル
カメラなどのカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置
（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（
モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備え
た画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）
等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる
。これらの電子機器の具体例を図５に示す。
図５（Ａ）はテレビ装置であり、筐体９１０１、支持台９１０２、表示部９１０３、スピ
ーカー部９１０４、ビデオ入力端子９１０５等を含む。このテレビ装置の表示部９１０３
は、実施の形態１に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且つ
長寿命で簡便に作製できる実施の形態１に記載の発光装置を搭載したテレビ装置は、表示
部９１０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的
安価な商品とすることが可能となる。
図５（Ｂ）はコンピュータであり、本体９２０１、筐体９２０２、表示部９２０３、キー
ボード９２０４、外部接続ポート９２０５、ポインティングデバイス９２０６等を含む。
このコンピュータの表示部９２０３は、実施の形態１に示した発光装置を用いることによ
って作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態１に記載の発光
装置を搭載したコンピュータは、表示部９２０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化
を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能となる。
図５（Ｃ）は携帯電話であり、本体９４０１、筐体９４０２、表示部９４０３、音声入力
部９４０４、音声出力部９４０５、操作キー９４０６、外部接続ポート９４０７等を含む
。この携帯電話の表示部９４０３は、実施の形態１に示した発光装置を用いることによっ
て作製される。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態１に記載の発光装
置を搭載した携帯電話は、表示部９４０３において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現
しながら高い画質の映像を提供することが可能となる。また軽量化が図られた実施の形態
における携帯電話には、様々な付加価値を備えても携帯に適した、重量に止めることがで
き、当該携帯電話は高機能な携帯電話としても適した構成となっている。
図５（Ｄ）はカメラであり、本体９５０１、表示部９５０２、筐体９５０３、外部接続ポ
ート９５０４、リモコン受信部９５０５、受像部９５０６、バッテリー９５０７、音声入
力部９５０８、操作キー９５０９、接眼部９５１０等を含む。このカメラの表示部９５０
２は、実施の形態１に示した発光装置を用いることによって作製される。フレキシブル且
つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態１に記載の発光装置を搭載したカメラは、表示部
９５０２において、曲面の表示が可能かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安
価な商品とすることが可能となる。
図５（Ｅ）はディスプレイであり、本体９６０１、表示部９６０２、外部メモリ挿入部９
６０３、スピーカー部９６０４、操作キー９６０５等を含む。本体９６０１には他にテレ
ビ受像アンテナや外部入力端子、外部出力端子、バッテリーなどが搭載されていても良い
。このディスプレイの表示部９６０２は実施の形態１に示した発光装置を用いることによ
って作製される。フレキシブルな表示部９６０２は本体９６０１内に巻き取ることで収納
することが可能であり、携帯に好適である。フレキシブル且つ長寿命で簡便に作製できる
実施の形態１に記載の発光装置を搭載したディスプレイは、表示部９６０２において、携
帯好適性かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較的安価な商品とすることが可能と
なる。
以上の様に、実施の形態１に示した発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあ
らゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
（実施の形態３）
フレキシブル発光装置は、プラスチック基板を用いるため、ガラス基板などに比べて帯電
しやすい。そこで本実施の形態では、図１（Ｃ）のコート膜１２４として透明導電膜を用
い、静電気対策がなされたフレキシブル発光装置を作製する例を示す。
プラスチック基板１１０の第１の接着剤層１１１と接する面と逆の面側に透明導電膜であ
るコート膜１２４を設ける構成とする。ＦＰＣ４０２を貼り合わせた後に透明導電膜であ
るコート膜１２４を形成してもよいし、金属基板４０１を貼り合わせた後に透明導電膜で
あるコート膜１２４を形成してもよいし、ＦＰＣ４０２を貼り合わせる前に透明導電膜で
あるコート膜１２４を形成してもよい。
また、コート膜１２４に用いる透明導電膜は、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）や酸化錫や
、酸化インジウム酸化スズ合金（Ｉｎ２Ｏ３―ＳｎＯ２、ＩＴＯと略記する）、酸化タン
グステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化
チタンを含むインジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウ
ム錫酸化物、酸化アンチモンなどをスパッタ法や印刷法や真空蒸着法などを用いて形成す
る。
静電気を帯びた人体の手、指などが透明導電膜であるコート膜１２４で覆われたプラスチ
ック基板１１０にふれた場合に放電が起きても、ＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ５１３やｐ
チャネル型ＴＦＴ５１４など）や画素部５０２を保護することができる。
また、透明導電膜であるコート膜１２４は柔らかいプラスチック基板１１０の表面を傷な
どから保護することもできる。
また、透明導電膜であるコート膜１２４と金属基板４０１とを導通させることが好ましく
、図１２にその構成の一例を示す。なお、この場合、金属基板４０１には導電性を有する
基板を用いる。
また、図１２は、図４と一部異なる以外は同一であるため、同じ部位には同じ符号を用い
て説明する。
図１２（Ａ）は、ＥＬモジュールを示す上面図、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）を鎖線Ａ−
Ａ’で切断した断面図である。また、図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）を点線Ｘ−Ｙで切断
した断面図である。
図１２（Ａ）において、第１の接着剤層５００を介してプラスチック基板１１０上に、保
護膜５０１が設けられ、その上に画素部５０２、ソース側駆動回路５０４、及びゲート側
駆動回路５０３を形成されている。これらの画素部や駆動回路は、上記実施の形態１に従
えば得ることができる。
また、４００は第２の接着剤層、４０１は金属基板であり、画素部および駆動回路部上に
第２の接着剤層４００が形成され、その第２の接着剤層４００によって金属基板４０１が
接着されている。金属基板４０１は、プラスチック基板１１０と重ならない領域を有して
おり、その領域に透明導電膜であるコート膜１２４を形成する。また、プラスチック基板
１１０の側面、第１の接着剤層５００の側面、保護膜５０１の側面、ゲート絶縁膜の側面
、層間絶縁膜の側面、第２の接着剤層４００の側面などにも透明導電膜であるコート膜１
２４を形成する。これらの側面に透明導電膜であるコート膜１２４を形成することによっ
て、金属基板４０１とコート膜１２４とを導通させる。
図１２（Ｃ）に示すように、プラスチック基板１１０を囲むように金属基板４０１とコー
ト膜１２４とを配置し、金属基板４０１とコート膜１２４とを導通させることによって効
果的に静電気の帯電を抑制することができる。
本実施の形態では、プラスチック基板１１０及びステンレス基板である金属基板４０１に
１１０ｎｍの酸化インジウム酸化スズ合金膜を成膜する。
なお、スパッタ法によって透明導電膜を成膜する際にはＦＰＣ４０２の端部に成膜されな
いよう金属ホイルなどで覆って保護した状態で成膜を行い、側面及び金属基板４０１の一
部（プラスチック基板１１０と重ならない領域）にも成膜されるようにすることが好まし
い。なお、図示しないが、金属ホイルなどで覆って保護しなければ、ＦＰＣ４０２にも透
明導電膜が形成される。
また、透明導電膜であるコート膜１２４は柔らかいプラスチック基板１１０の表面を傷な
どから保護することもできる。また、側面に設けた透明導電膜であるコート膜１２４は、
水分の侵入を抑制する保護膜としても機能する。
また、本実施の形態は他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。
本実施例では、画像表示装置として用いることができるアクティブマトリクス型のフレキ
シブル発光装置を例示する。本実施例で例示する発光装置の構成を図７（Ａ）、図７（Ｂ
）に示す。図７（Ａ）はアクティブマトリクス型の発光装置を示す上面図であり、図７（
Ｂ）は図７（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図である。
本実施例で例示するフレキシブル発光装置は、プラスチック基板１１０と、被剥離層１１
６と、発光素子５１８と金属基板４０１を有する。
被剥離層１１６が転置されるプラスチック基板１１０は、可視光に対する透光性が９０％
以上であって、熱膨張率が約１０ｐｐｍ／Ｋの厚み２０μｍのアラミドフィルムからなる
。また、プラスチック基板１１０と被剥離層１１６を接着する第１の接着剤層５００は、
二液性エポキシ接着剤（株式会社アルテコ製、商品名：Ｒ２００７／Ｈ−１０１０）から
なる。
被剥離層１１６は、保護膜５０１と、画素部５０２と、ゲート側駆動回路５０３と、ソー
ス側駆動回路５０４を有する。また、画素部５０２は電流制御用ＴＦＴ５１１と、画素電
極５１２を有する。画素電極５１２は電流制御用ＴＦＴ５１１のドレイン電極層と電気的
に接続している。なお、例示する電流制御用ＴＦＴ５１１はｐ型であり、画素電極５１２
は発光素子５１８の陽極にあたる。
保護膜５０１は、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層と、厚
さ２００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｙ）層と、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン（Ｓ
ｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層と、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン（ＳｉＮｙＯｘ、ｘ＜ｙ
）層と、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層の多層膜からな
る。
このような積層構造により、基板下部からの水蒸気や酸素の浸入を防止することができる
ようになる。
本実施例が例示するＴＦＴは、半導体層上にゲート絶縁膜を有し、ゲート絶縁膜を介して
半導体層と重畳するゲート電極層を有し、半導体層のソース領域及びドレイン領域と電気
的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を有する順スタガ構造のＴＦＴを有する。
該ＴＦＴの半導体層は厚さ５０ｎｍのポリシリコン層からなり、ゲート絶縁膜は厚み１１
０ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）膜からなる。
なお、図示されていないがゲート電極層は２層からなり、下層のゲート電極層が上層のゲ
ート電極層よりも長い形状を有する。下層のゲート電極層は厚み３０ｎｍの窒化タンタル
層からなり、上層の電極層は厚み３７０ｎｍのタングステン（Ｗ）層からなる。このよう
な形状により、フォトマスクを追加することなく、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ
Ｄｒａｉｎ）領域を形成できる。
ゲート絶縁膜とゲート電極層上に形成される第１の層間絶縁膜５１５ａは、厚さ５０ｎｍ
の酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層と、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン
（ＳｉＮｙＯｘ、ｘ＜ｙ）層と、厚さ５２０ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ
＞ｙ）層を積層した多層膜からなる。
第１の層間絶縁膜５１５ａのコンタクトホールを介して、ＴＦＴのソース領域及びドレイ
ン領域と接続するソース電極層及びドレイン電極層が形成されている。ソース電極層及び
ドレイン電極層は、厚さ１００ｎｍのチタン層と、厚さ７００ｎｍのアルミニウム層と、
厚さ１００ｎｍのチタン層の多層膜からなる。このように、電気抵抗が低いアルミニウム
と耐熱性に優れたチタンを積層することにより、配線抵抗を抑制しつつ、工程中のヒロッ
クの発生を防止できる。なお、図示されていないが配線層も同じ層で形成されている。
また、ＴＦＴ上に形成される第２の層間絶縁膜５１５ｂは、厚さ１５０ｎｍの酸化窒化シ
リコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層からなる。
画素電極（第１の電極）５１２は厚み１２５ｎｍの酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（
ＩＴＳＯ）膜からなる。また、画素電極５１２の端部は感光性ポリイミドからなる隔壁５
１９で覆われている。隔壁５１９の端部は画素電極５１２の表面に接し、またなだらかな
角度を有する。なだらかな角度を有して接する隔壁５１９の端部は段差が緩和され、画素
電極５１２を一方の電極とする発光素子において、画素電極５１２と他方の電極が短絡し
難くなる。
なお、本実施例の被剥離層１１６は厚さ０．７ｍｍのガラス基板（旭硝子社製、商品名Ａ
Ｎ１００）に形成された剥離層上に作製する。また、剥離層は厚さ１００ｎｍの酸化窒化
シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層と、厚さ５０ｎｍのタングステン層を積層した多層
膜からなる。
画素電極５１２を一方の電極とする発光素子５１８の構成を図７（Ｃ）に示す。発光素子
５１８は画素電極５１２を第１の電極とし、第２の電極５１７との間にＥＬ層５１６を有
する。本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
以下に、本実施例の発光素子の作製方法を示す。
まず、画素電極５１２が形成された面が下方を向くように、画素電極５１２が形成された
基板を真空蒸着装置内に設けた基板ホルダーに固定した。１０−４Ｐａ程度まで減圧した
後、画素電極５１２上に、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ
］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを共蒸着することにより、有
機化合物と無機化合物とを複合してなる複合材料を含む第１の層２１１１を正孔注入層と
して形成した。その膜厚は１４０ｎｍとし、ＮＰＢと酸化モリブデン（ＶＩ）との比率は
、重量比で１：０．１１（＝ＮＰＢ：酸化モリブデン）となるように調節した。なお、共
蒸着法とは、一つの処理室内で複数の蒸発源から同時に蒸着を行う蒸着法である。
次に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、複合材料を含む第１の層２１１１上にＮＰＢを１
０ｎｍの膜厚となるように成膜し、第２の層２１１２を正孔輸送層として形成した。
さらに、第２の層２１１２上に９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル
］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）と、緑色の発光物質Ｎ−（９，１０−ジフェ
ニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称
：２ＰＣＡＰＡ）とを共蒸着することにより、第３の層２１１３を発光層として形成した
。発光層の膜厚は３０ｎｍとし、ＣｚＰＡと２ＰＣＡＰＡの比率は、重量比で１：０．０
５（＝ＣｚＰＡ：２ＰＣＡＰＡ）となるように蒸着レートを調節した。
次に、第３の層２１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）
と電子トラップ性物質であるＮ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン（略称：ＤＰＱｄ）とを
共蒸着することにより、第１の電子輸送領域２１１４ａを形成した。第１の電子輸送領域
２１１４ａの膜厚は１０ｎｍとし、ＡｌｑとＤＰＱｄの比率は、重量比で１：０．００５
（＝Ａｌｑ：ＤＰＱｄ）となるように蒸着レートを調節した。
その後、第２の電子輸送領域２１１４ｂとしてバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ
）を３０ｎｍ蒸着して、第１の電子輸送領域２１１４ａと第２の電子輸送領域２１１４ｂ
からなる第４の層２１１４を電子輸送層として形成した。
さらに第４の層２１１４上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を蒸着することにより第５の層
２１１５を電子注入層として形成した。また、第５の層２１１５の膜厚は１ｎｍとした。
最後に陰極として機能する第２の電極５１７を形成した。第２の電極５１７は二層で構成
した。第５の層２１１５に接する第１の導電層５１７ａは、アルミニウム（Ａｌ）とＮＰ
Ｂとを共蒸着して形成した。ここで、アルミニウムとＮＰＢの重量比は、５：１（＝Ａｌ
：ＮＰＢ）となるように調整した。また、膜厚は１００ｎｍとした。さらに、第１の導電
層５１７ａ上に第２の導電層５１７ｂとしてアルミニウムを１００ｎｍ蒸着した。なお、
第２の電極５１７は共通電極層を介して、端子部と接続されている。
また、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いることができる。
金属基板４０１は第２の接着剤層４００を介して被剥離層１１６と発光素子５１８に貼り
付けられ、被剥離層１１６と発光素子５１８が大気に曝されるのを防いでいる。金属基板
４０１は熱膨張率が約１０ｐｐｍ／Ｋであって、厚み２０μｍのフェライト系のステンレ
ス基板（新日鉄マテリアルズ社製、商品名ＹＵＳ２０５−Ｍ１）からなる。第２の接着剤
層４００は２５μｍの厚みを有するアクリル系シート状接着剤（住友スリーエム社製、商
品名８１７１Ｊ）からなる。
本実施例で例示する発光装置は、実施の形態１において説明した作製方法に従って作製す
る。すなわち、作製基板に形成された剥離層上に保護膜５０１と、第１の電極として機能
する画素電極５１２等を有する被剥離層１１６をはじめに形成した。次に、被剥離層１１
６を作製基板から可視光に対する透光性と可撓性を有するプラスチック基板１１０に仮支
持基板を介して転置した。続いて、画素電極５１２上にＥＬ層５１６と第２の電極５１７
を形成して発光素子５１８を形成した。最後に、第２の接着剤層４００を用いて金属基板
４０１で被剥離層１１６と発光素子５１８を封止して、発光装置を作製した。
本実施例で例示するフレキシブル発光装置を直径１０ｍｍの円柱に巻き付けた状態で、ビ
デオ信号を入力した。該発光装置は円筒状に撓んだ状態でビデオ信号に応答し、正常に動
作した。また、円柱から解放して駆動しても、平面状態で正常に動作した。発光状態を写
真で図９に示す。
本実施例で例示する発光装置は、耐熱性の高い作製基板を用いて作製した被剥離層を有す
る。その結果、被剥離層に高温プロセスを用いることができるため、防湿性が高い保護膜
の形成が容易になり、発光素子の保護が確実かつ安価にできるようになる。また、例示す
る発光装置は可撓性を有し、撓ませた状態でも、平面状態でも発光できる。
また、例示する発光装置は、薄膜と薄いフィルムと薄い金属板で構成されている。そのた
め、重量が軽く落下時に変形が少ないだけでなく、平面性に優れ、使用環境の変化に伴う
カールが少ないため、表示装置の駆動回路が壊れにくい。従って、例示する発光装置はフ
レキシブルディスプレイの用途に適している。
本実施例では、表示装置及び照明装置としても用いることができるフレキシブル発光装置
を例示する。本実施例の発光装置は、スイッチング素子を介さずに端子部に接続している
複数の発光素子の電極層がマトリクス状に配置されているため、パッシブマトリクス型と
いうことができ、表示装置や、表示装置のバックライトに利用できる。なお、複数の発光
素子を配置せず一個の発光素子を配置しても照明装置として利用できる。
本実施例で例示する発光装置の画素部の構成を図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示す。図８（Ａ
）は、パッシブマトリクス型の発光装置を示す上面図であり、図８（Ｂ）は図８（Ａ）を
Ａ−Ａ’で切断した断面図である。
本実施例で例示するフレキシブル発光装置は、プラスチック基板１１０と、被剥離層１１
６と、発光素子５１８と金属基板４０１を有する。プラスチック基板１１０と、発光素子
５１８と金属基板４０１は実施例１と同じものを用いたため、説明を省略する。
本実施例で例示する被剥離層１１６は、保護膜５０１と、画素電極５１２と、層間絶縁膜
（５１５ａ、５１５ｂ）と隔壁５１９を有する。
保護膜５０１は、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層と、厚
さ２００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｙ）層と、厚さ２００ｎｍの酸化窒化シリコン（Ｓ
ｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層と、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン（ＳｉＮｙＯｘ、ｘ＜ｙ
）層と、厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層の多層膜からな
る。
第１の層間絶縁膜５１５ａは、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ
）層と、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化シリコン（ＳｉＮｙＯｘ、ｘ＜ｙ）層と、厚さ５２０
ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層の多層膜からなる。
配線層は、厚さ１００ｎｍのチタン層と、厚さ７００ｎｍのアルミニウム層と、厚さ１０
０ｎｍのチタン層の多層膜からなる。また、第２の層間絶縁膜５１５ｂは、厚さ１５０ｎ
ｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）層からなる。
画素電極５１２は第２の層間絶縁膜５１５ｂのコンタクトホールを介して配線層と電気的
に接続している。画素電極５１２は厚み１２５ｎｍの酸化珪素を含むインジウム錫酸化物
（ＩＴＳＯ）膜からなる。
また、画素電極５１２の端部は感光性ポリイミドからなる隔壁５１９で覆われている。
なお、本実施例の被剥離層１１６は厚さ０．７ｍｍのガラス基板に形成された剥離層上に
作製した。また、剥離層は厚さ１００ｎｍの酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）
層と、厚さ５０ｎｍのタングステン層を積層した多層膜からなる。
本実施例で例示するフレキシブル発光装置を直径５ｍｍから直径３０ｍｍの円柱に巻き付
けた状態で駆動した。該発光装置は円筒状に撓んだ状態で点灯し、正常に動作した。また
、円柱から解放して駆動しても、平面状態で正常に点灯し、撓ませた状態と解放した状態
を複数回繰り返しても正常に発光した。発光状態を写真で図１０に示す。
本実施例で例示する発光装置は、耐熱性の高い作製基板を用いて作製した被剥離層を有す
る。その結果、被剥離層に高温プロセスを用いることができるため、防湿性が高い保護膜
の形成が容易になり、発光素子の保護が確実かつ安価にできるようになる。また、例示す
る発光装置は可撓性を有し、撓ませた状態でも、平面状態でも発光できる。
また、例示する発光装置は、薄膜と薄いフィルムと薄い金属板で構成されている。厚みが
薄いため狭い場所や、曲面に沿わせて変形して配置ができる。また、重量が軽いため、モ
バイル機器や航空機のように重量の抑制が厳しく求められる装置への適用に適している。
１１０ プラスチック基板
１１１ 第１の接着剤層
１１２ 保護膜
１１３ 下地絶縁膜
１１４ 画素ＴＦＴ
１１５ ＴＦＴ
１１６ 被剥離層
１１７ 第１の電極
１１８ 隔壁
１１９ ＥＬ層
１２０ 第２の電極
１２１ 第２の接着剤層
１２２ 金属基板
１２３ 樹脂層
１２４ コート膜
１２５ 保護膜
１２６ 膜封止層
１２７ 発光素子
１２８ 第１の層間絶縁膜
１２９ 第２の層間絶縁膜
２００ 作製基板
２０１ 剥離層
２０２ 仮支持基板
２０３ 剥離用接着剤
３００ カラーフィルタ層
３０１ バリア膜
３０２ カラーフィルタ基板
３０３ コート膜
３０４ 層間絶縁膜
３０５ 電極
３０６ 平坦化膜
３０７ 電極
４００ 第２の接着剤層
４０１ 金属基板
４０２ ＦＰＣ
５００ 第１の接着剤層
５０１ 保護膜
５０２ 画素部
５０３ ゲート側駆動回路
５０４ ソース側駆動回路
５０８ 配線
５１１ 電流制御用ＴＦＴ
５１２ 画素電極
５１３ ｎチャネル型ＴＦＴ
５１４ ｐチャネル型ＴＦＴ
５１５ａ 第１の層間絶縁膜
５１５ｂ 第２の層間絶縁膜
５１６ ＥＬ層
５１７ 第２の電極
５１７ａ 第１の導電層
５１７ｂ 第２の導電層
５１８ 発光素子
５１９ 隔壁
５２０ 低融点金属
５２１ 封止膜
５２２ 平坦化層
６００ 第１の電極
６０１ 第２の電極
８００ ＥＬ層
８０１ ＥＬ層
８０３ 電荷発生層
１００１ 第１の電極
１００２ 第２の電極
１００３ ＥＬ層
１００４ 電荷発生層
２１１１ 第１の層
２１１２ 第２の層
２１１３ 第３の層
２１１４ 第４の層
２１１４ａ 第１の電子輸送領域
２１１４ｂ 第２の電子輸送領域
２１１５ 第５の層
９１０１ 筐体
９１０２ 支持台
９１０３ 表示部
９１０４ スピーカー部
９１０５ ビデオ入力端子
９２０１ 本体
９２０２ 筐体
９２０３ 表示部
９２０４ キーボード
９２０５ 外部接続ポート
９２０６ ポインティングデバイス
９４０１ 本体
９４０２ 筐体
９４０３ 表示部
９４０４ 音声入力部
９４０５ 音声出力部
９４０６ 操作キー
９４０７ 外部接続ポート
９５０１ 本体
９５０２ 表示部
９５０３ 筐体
９５０４ 外部接続ポート
９５０５ リモコン受信部
９５０６ 受像部
９５０７ バッテリー
９５０８ 音声入力部
９５０９ 操作キー
９５１０ 接眼部
９６０１ 本体
９６０２ 表示部
９６０３ 外部メモリ挿入部
９６０４ スピーカー部
９６０５ 操作キー

Claims (4)

  1. 第１の基板上に、剥離層を形成し、
    前記剥離層上に、窒素及びケイ素を含む第１の絶縁膜を形成し、
    前記第１の絶縁膜上に第１の電極を形成し、
    前記第１の電極上に、前記第１の電極の端部を覆う隔壁を形成し、
    前記第１の電極及び前記隔壁上に、第１の接着剤を用いて第２の基板を接着し、
    前記剥離層と前記第１の絶縁膜との間で剥離することによって、前記第１の絶縁膜、前記第１の電極、前記隔壁、及び前記第２の基板を、前記第１の基板から分離し、
    前記分離によって露出した前記第１の絶縁膜に、第２の接着剤を用いてプラスチック基板を接着し、
    前記第２の基板を分離し、前記第１の電極を露出させ、
    露出した前記第１の電極上にＥＬ層を形成し、
    前記ＥＬ層上に第２の電極を形成し、
    前記第２の電極上に、窒素及びケイ素を含む第２の絶縁膜を形成し、
    前記第２の絶縁膜上に、第３の接着剤を用いて金属基板を接着し、
    前記第１の接着剤は、紫外線を照射することにより可塑化することが可能な接着剤であることを特徴とする発光装置の作製方法。
  2. 請求項１において、
    前記プラスチック基板の端部は、前記金属基板の端部よりも外側に延在しており、
    前記第３の接着剤の端部を覆い、かつ、前記隔壁及び前記金属基板と接するように、金属を設け、
    前記隔壁は、無機材料により形成されていることを特徴とする発光装置の作製方法。
  3. 請求項１において、
    前記金属基板の端部は、前記プラスチック基板の端部よりも外側に延在しており、
    前記プラスチック基板の外側に、窒素及びケイ素を含む第３の絶縁膜を形成し、
    前記第３の絶縁膜は、前記金属基板と接する領域を有することを特徴とする発光装置の作製方法。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    前記プラスチック基板の外側に、透明導電膜を形成し、
    前記透明導電膜は、前記金属基板と電気的に接続していることを特徴とする発光装置の作製方法。
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