JP2021005469A - 有機電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】封止部材にしわ等の変形が生じることを抑制し、長期保管性に優れた有機電子デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】支持基材の主面上に、第１の電極、有機機能層及び第２の電極をこの順に有する有機電子デバイス基材を形成する工程と、樹脂層、金属層及び粘接着材層がこの順に積層された封止部材を乾燥する工程と、乾燥された封止部材を、粘接着材層を介して有機電子デバイス基材に貼合する工程と、を備え、金属層の耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ２である、有機電子デバイスの製造方法。【選択図】図１

Description

本発明は、有機電子デバイスの製造方法に関する。

有機電子デバイスの例として有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬデバイス）、有機太陽電池、有機トランジスタなどが挙げられる。有機電子デバイスは、第１の電極と、所定の機能を有する機能層（例えば、有機ＥＬデバイスでは正孔注入層、発光層、電子注入層など）と、第２の電極を有し、それらは基板上に設けられている。有機電子デバイスは、通常、機能層の一つとして有機層を含む。そのため、通常、少なくとも機能層が封止部材で封止されている。特許文献１では、長尺の基板上に第１の電極、機能層及び第２の電極が形成されてなる長尺の有機電子デバイス基材をローラで搬送しながら、ローラで搬送されてきた長尺の封止部材を、有機電子デバイス基材に貼合して、有機電子デバイスを製造している。

国際公開第２０１０／１０６８５３号

有機電子デバイスに使用される封止部材は、安価で軽量なＡｌＰＥＴ（ＡｌとＰＥＴの複合材）等の樹脂層及び金属層を含む封止基材と、粘接着材層とを有し、粘接着材層を介して封止基材が、有機電子デバイス基材に貼合される。そのため、粘接着材層に水分が含まれていると、製造した有機電子デバイスの長期保管性が低下するという問題がある。このような長期保管性の低下を回避するために、封止部材を予め乾燥させておくことが考えられる。

ここで、封止部材を乾燥させる際には、封止部材を加熱して水分を除去する。乾燥後、高温で加熱された封止部材が冷却された際に、封止部材における個々の層の熱膨張率が異なるために、各層の面内に応力が発生し、封止部材にしわ等が発生して変形する。このような変形は、特に搬送ローラと接触した際に封止部材が急冷されることよって生じやすい。封止部材に変形が生じた場合、気泡の混入などにより有機電子デバイス基材と封止部材との密着性が低下するため、有機電子デバイスの長期保管性が低下してしまう。

そこで、本発明は、封止部材にしわ等の変形が生じることを抑制し、長期保管性に優れた有機電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の有機電子デバイスの製造方法は、支持基材の主面上に、第１の電極、有機機能層及び第２の電極をこの順に有する有機電子デバイス基材を形成する工程と、樹脂層、金属層及び粘接着材層がこの順に積層された封止部材を乾燥する工程と、乾燥された封止部材を、粘接着材層を介して有機電子デバイス基材に貼合する工程と、を備え、金属層の耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２である。
本発明の有機電子デバイスの製造方法では、封止部材は耐力が１００Ｎ／ｍｍ^２以上である金属層を有する。このような金属層は変形しにくいため、乾燥後の温度変化に伴う樹脂層及び粘接着材層の変形を抑制し、しわ等の変形が生じることを防ぐことができる。また、当該金属層の耐力が高すぎると、封止部材をローラで搬送する際に、封止部材が硬すぎて搬送路の形状になじみにくく、搬送することが困難になる。しかしながら、本発明の製造方法における封止部材では、耐力が２００Ｎ／ｍｍ^２以下の金属層を使用しているため、適度な可撓性を有しており、ローラで搬送することが容易である。
また、このような金属層の材質としては、加工硬化されたアルミニウムが好ましい。アルミニウムは比重が小さいため、有機電子デバイス製造装置の荷重負荷を抑制できる。また、硬質アルミニウムにすることでしわ等の変形が生じることをより効果的に防ぐことができる。

また、本発明の有機電子デバイスの製造方法は、支持基材の主面上に、第１の電極、有機機能層及び第２の電極をこの順に有する有機電子デバイス基材を形成する工程と、樹脂層、金属層及び粘接着材層がこの順に積層された封止部材を乾燥する工程と、乾燥された封止部材を、粘接着材層を介して有機電子デバイス基材に貼合する工程と、を備え、金属層の材質が加工硬化されたアルミニウムである製造方法であってもよい。
加工硬化されたアルミニウムは、変形しにくいため、乾燥後の温度変化に伴う樹脂層及び粘接着材層の変形を抑制し、しわ等の変形が生じることを防ぐことができると共に、適度な可撓性を有しており、ローラで搬送することが容易である。さらに、アルミニウムは比重が小さいため、有機電子デバイス製造装置の荷重負荷を抑制できる。
また、より効果的にしわ等の変形が生じることを防ぐことができ、ローラでの搬送がより容易になる傾向にあることから、金属層の耐力は、１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２であると好ましい。

上記金属層の材質が１Ｎ３０−Ｈ材であるであると好ましい。

上記封止部材の粘接着材層の表面に保護フィルムが設けられており、上記貼合する工程において、封止部材から当該保護フィルムを剥離して、封止部材を有機電子デバイス基材に貼合すると好ましい。

本発明によれば、封止部材にしわ等の変形が生じることを抑制し、長期保管性に優れた有機電子デバイスの製造方法を提供することができる。

図１は、一実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法で製造される有機電子デバイスの一例である有機ＥＬデバイスの構成を示す模式図である。 図２は、有機ＥＬデバイスの製造に使用する長尺の保護フィルム付き封止部材の側面図である。 図３は、図１に示した有機ＥＬデバイスの製造方法の一例のフローチャートである。 図４は、有機ＥＬデバイス基材（有機電子デバイス基材）の構成を説明するための図面である。 図５は、乾燥工程及び貼合工程を説明するための図面である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。本発明で製造される有機電子デバイスとしては、例えば有機ＥＬデバイス、有機太陽電池、有機フォトディテクタ及び有機トランジスタが挙げられる。以下に説明する実施形態は、断らない限り、有機電子デバイスの一例である有機ＥＬデバイスの製造方法の実施形態である。

図１に模式的に示されているように、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法で製造される有機ＥＬデバイス１０は、基板１２と、陽極（第１の電極）１４と、有機ＥＬ部１８（有機機能層）と、陰極（第２の電極）２０と、を備える。有機ＥＬデバイス１０は、例えば照明に使用される有機ＥＬ照明パネルである。

有機ＥＬデバイス１０は、陰極２０に電気的に接続された引出電極１６を備えてもよい。有機ＥＬデバイス１０は、少なくとも有機ＥＬ部１８を封止する封止部材２２を備えてもよい。有機ＥＬデバイス１０は、陽極１４側から光を出射する形態、又は、陰極２０側から光を出射する形態を取り得る。以下では、有機ＥＬデバイス１０として、引出電極１６及び封止部材２２を備えており、陽極１４側から光を出射する形態について説明する。

［基板］
基板１２は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有するものである。基板１２はフィルム状を呈してもよく、基板１２の厚さは、例えば、３０μｍ以上７００μｍ以下である。

基板１２は、可撓性を有する可撓性基板であってもよい。可撓性基板とは、可撓性を有する基板であり、可撓性とは、基板に所定の力を加えても剪断したり破断したりすることがなく、基板を撓めることが可能な基板である。基板１２の例としては、プラスチックフィルム又は高分子フィルムである。基板１２の材料としては、例えばポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂などが挙げられる。

基板１２には、有機ＥＬデバイス１０を駆動するための駆動回路（例えば、薄膜トランジスタなどを含む回路）が形成されていてもよい。このような駆動回路は、通常、透明材料から構成される。

基板１２には、水分バリア層が設けられてもよい。水分バリア層は、水分をバリアする機能に加えて、ガス（例えば酸素）をバリアする機能を有してもよい。水分バリア層は、例えば、ケイ素、酸素及び炭素からなる膜、又は、ケイ素、酸素、炭素及び窒素からなる膜であり得る。具体的には、水分バリア層の材料の例は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等である。水分バリア層の厚さの例は、１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。

[陽極]
陽極１４は、基板１２上に設けられている。陽極１４には、光透過性を示す電極が用いられてもよい。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。陽極１４は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。

陽極１４の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定され得る。陽極１４の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極１４の材料としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等が挙げられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズが好ましい。陽極１４は、例示した材料からなる薄膜として形成され得る。陽極１４の材料には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、陽極１４は、透明導電膜として形成され得る。前述したように、陽極１４は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。

［引出電極］
引出電極１６は、陽極１４と絶縁した状態で基板１２上に設けられている。引出電極１６は、陰極２０に接続されており、陰極２０を外部接続するために使用され得る。引出電極１６の材料及び厚さは、陽極１４と同様とし得る。

[有機ＥＬ部]
有機ＥＬ部１８は、発光層１８１を含み、陽極１４及び陰極２０に印加された電力（例えば電圧）に応じて、キャリアの移動及びキャリアの再結合などの有機ＥＬデバイス１０の発光に寄与する機能部である。

本実施形態では、有機ＥＬ部１８は陽極１４の一部を覆うように設けられており、有機ＥＬ部１８の一部は、図１に示したように、陽極１４と引出電極１６との間の基板１２上にも配置されている。これにより、陽極１４と他の電極（例えば、陰極２０及び引出電極１６）との短絡が防止されている。

図１に示した例では、有機ＥＬ部１８は単層構造を有する。すなわち、有機ＥＬ部１８は、発光層１８１から構成されている。発光層１８１は、陽極１４上に設けられている有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）用の機能層である。発光層１８１の厚さは、例えば１ｎｍ〜１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎｍである。

発光層１８１は、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又は、その有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。発光層１８１に含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。また、当該有機物は、有機金属錯体であってもよい。発光層１８１を構成する発光材料としては、下記の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料等が挙げられる。

色素系材料としては、例えばシクロペンタミン若しくはその誘導体、テトラフェニルブタジエン若しくはその誘導体、トリフェニルアミン若しくはその誘導体、オキサジアゾール若しくはその誘導体、ピラゾロキノリン若しくはその誘導体、ジスチリルベンゼン若しくはその誘導体、ジスチリルアリーレン若しくはその誘導体、ピロール若しくはその誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン若しくはその誘導体、ペリレン若しくはその誘導体、オリゴチオフェン若しくはその誘導体、オキサジアゾールダイマー若しくはその誘導体、ピラゾリンダイマー若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体等が挙げられる。

金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体が挙げられる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等が挙げられる。

高分子系材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリパラフェニレン若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、ポリアセチレン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、上記色素材料及び金属錯体材料の少なくとも一方を高分子化した材料等が挙げられる。

ドーパント材料としては、例えばペリレン若しくはその誘導体、クマリン若しくはその誘導体、ルブレン若しくはその誘導体、キナクリドン若しくはその誘導体、スクアリウム若しくはその誘導体、ポルフィリン若しくはその誘導体、スチリル色素、テトラセン若しくはその誘導体、ピラゾロン若しくはその誘導体、デカシクレン若しくはその誘導体、フェノキサゾン若しくはその誘導体等が挙げられる。

図１では、有機ＥＬ部１８が発光層１８１である形態を例示しているが、有機ＥＬ部１８は、発光層１８１と、他の機能層を含む積層体でもよい。

陽極１４と発光層１８１との間に設けられる機能層の例としては、正孔注入層及び正孔輸送層が挙げられる。陰極２０と発光層１８１との間に設けられる機能層の例としては、電子注入層及び電子輸送層が挙げられる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層の厚さは、有機ＥＬデバイス１０のデバイス性能などに応じて適宜設定され得る。

正孔注入層は、陽極１４から発光層１８１への正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔注入層の材料には、公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料としては、例えば酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び、酸化アルミニウム等の酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及び、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等のポリチオフェン誘導体を挙げることができる。

正孔輸送層は、陽極１４、正孔注入層又は陽極１４により近い正孔輸送層から発光層１８１への正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層の材料には、公知の正孔輸送材料が用いられ得る。正孔輸送層の材料としては、例えばポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５−チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等が挙げられる。正孔輸送層の材料としては、例えば特開２０１２−１４４７２２号公報に開示されている正孔輸層材料も挙げられる。

電子輸送層は、陰極２０、電子注入層又は陰極２０により近い電子輸送層からの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層を構成する電子輸送材料には、公知の材料が用いられ得る。電子輸送層を構成する電子輸送材料としては、オキサジアゾール若しくはその誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン若しくはその誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン若しくはその誘導体、８−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体などを挙げることができる。

電子注入層は、陰極２０から発光層１８１への電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子注入層は、陰極２０の一部を構成する場合もある。電子注入層の材料には、公知の電子注入材料が用いられ得る。電子注入層の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の炭酸塩、又はこれらの物質の混合物等が挙げられる。

上述した各種の機能層を含む有機ＥＬデバイス１０の層構成の例を以下に示す。
（ａ）陽極／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極
（ｄ）陽極／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極
（ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｈ）陽極／発光層／電子注入層／陰極
（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。上記（ａ）の構成が図１に示した構成に対応する。

有機ＥＬデバイス１０は単層の発光層１８１を有していても２層以上の発光層１８１を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極１４と陰極２０との間に配置された積層構造を「構造単位Ｉ」とすると、２層の発光層１８１を有する有機ＥＬデバイス１０の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ｉ）の層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極／（構造単位Ｉ）／電荷発生層／（構造単位Ｉ）／陰極
ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデンなどからなる薄膜を挙げることができる。

「（構造単位Ｉ）／電荷発生層」を「構造単位ＩＩ」とすると、３層以上の発光層１８１を有する有機ＥＬデバイス１０の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極／（構造単位ＩＩ）ｘ／（構造単位Ｉ）／陰極
記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位ＩＩ）ｘ」は、（構造単位ＩＩ）がｘ段積層された積層体を表す。複数ある（構造単位ＩＩ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

電荷発生層を設けずに、複数の発光層１８１を直接的に積層させて有機ＥＬデバイス１０を構成してもよい。

［陰極］
陰極２０は、有機ＥＬ部１８上に設けられている。本実施形態のように、有機ＥＬデバイス１０が引出電極１６を有する形態では、陰極２０は、引出電極１６に接続されるように、有機ＥＬ部１８上に設けられ、この場合、陰極２０の一部は、基板１２上に配置されてもよい。陰極２０の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。陰極２０の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

発光層１８１からの光を陽極１４側に陰極２０で反射するために、陰極２０の材料は、可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極２０の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表の１３族金属等が挙げられる。陰極２０として、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いてもよい。

[封止部材]
封止部材２２は、少なくとも有機ＥＬ部１８を封止するための部材である。封止部材２２は、陰極２０上に設けられている。本実施形態において、封止部材２２は、陽極１４の一部及び引出電極１６の一部が、封止部材２２から突出するように設けられている。陽極１４及び引出電極１６のうち封止部材２２の外部に位置する部分は、外部接続のための領域として機能する。封止部材２２は、基板１２側から見て、粘接着材層２２２と、金属層２２３と、樹脂層２２４とをこの順に有する。

樹脂層２２４は、有機ＥＬデバイス１０において基板１２と反対側の最表面に位置する。樹脂層２２４の材質としては、ＰＥＴ等の透明なプラスチックフィルムが挙げられる。樹脂層２２４は６〜５１μｍの厚さであると好ましい。

金属層２２３は、主成分として金属を含む層であり、当該金属は、金属の単体であっても合金であってもよい。本実施形態の有機ＥＬデバイス１０における金属層２２３は、耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２であるとの条件、及び金属層２２３の材質が加工硬化されたアルミニウムであるとの条件のうち、少なくとも一方の条件を満たす。

金属層２２３の耐力は、１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２であると好ましく、１１０〜１９０Ｎ／ｍｍ^２であるとより好ましく、１２０〜１８０Ｎ／ｍｍ^２であると更に好ましく、１５０〜１７０Ｎ／ｍｍ^２であると特に好ましい。本実施形態の封止部材は、耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２の金属層２２３を有するため、乾燥工程の後、封止部材が温度変化してもしわ等の変形が生じることを抑制できると共に、ローラで搬送することが容易である。なお、本明細書で言う「耐力」とは、ＪＩＳＺ２２４１（金属材料引張試験方法）に規定する０．２％耐力（オフセット法）を意味する。

金属層２２３の厚さは、５〜５０μｍであることが好ましく、１０〜４０μｍであるとがより好ましい。金属層２２３の厚さが５〜５０μｍであると、搬送性と封止性能を両立することが可能となる。

金属層２２３の材質としては、加工硬化されたアルミニウム（以下、硬質アルミニウムとも言う。）、銅等が挙げられる。しわ等の変形が生じることを抑制できると共に、ローラで搬送することが容易である傾向にあり、更に比重が小さいため、装置への荷重負荷を軽減できる傾向があることから硬質アルミニウムが特に好ましい。

ここで、硬質アルミニウムとは、加工（圧延）を施して加工硬化させた状態のアルミニウム箔を意味し、例えば、加工硬化上がりの箔、加工硬化後に適度な熱処理を施した箔等が挙げられ、一般的にＪＩＳ規格（ＪＩＳ Ｈ０００１）で用いられている質別記号ＨＸ１、ＨＸ２、ＨＸ３、ＨＸ４、ＨＸ５、ＨＸ６、ＨＸ７、ＨＸ８、ＨＸ９のもの（ただし、Ｘ：１〜３）が挙げられる。

硬質アルミニウムのより具体的な材質としては、特に限定されるものではないが、ＪＩＳ Ｈ４１６０で定義される１Ｎ３０−Ｈ等が挙げられる。一般的に、１Ｎ３０−Ｈの耐力は、１５０〜１７０Ｎ／ｍｍ^２である。

粘接着材層２２２は、金属層２２３における基板１２側の表面に設けられており、上記金属層２２３を、陽極１４、有機ＥＬ部１８及び陰極２０が形成された基板１２に接着させるとともに、水分バリアのために用いられる。粘接着材層２２２は、陽極１４、有機ＥＬ部１８及び陰極２０からなる積層構造を埋設可能な厚さを有していればよいが、好ましくは１μｍ〜１００μｍ、より好ましくは５μｍ〜６０μｍ、さらに好ましくは１０μｍ〜３０μｍである。粘接着材層２２２の厚さが１μｍ以上であると、基板１２表面の凹凸又は混入した塵埃を十分埋め込むことができる傾向にあり、それらに起因する有機ＥＬ部１８への機械的なストレスを与えることによるダークスポットの発生を抑制できる。また、粘接着材層２２２の厚さが１００μｍ以下であると、粘接着材層２２２の端面から浸入する水分の影響を受けにくくなる傾向にある。

粘接着材層２２２の材料は、例えば感圧型の粘着樹脂である。粘着樹脂の例は、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン・プロピレン共重合体などのポリオレフィンの酸変性物、エチレン・酢酸ビニル共重合体の酸変性物、エチレン・アクリル酸共重合体、エチレン・メタクリル酸共重合体、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂である。

次に、図１に示した構成を有する有機ＥＬデバイス１０の製造方法の一例として、可撓性を有する長尺の基板１２を用いて有機ＥＬデバイス１０を製造する方法について説明する。

本実施形態の有機ＥＬデバイス１０の製造方法では、図２に示した長尺の保護フィルム付き封止部材２４を使用する。

保護フィルム付き封止部材２４は、封止部材２２と、保護フィルム２４１とを有する。保護フィルム２４１は、封止部材２２が有する粘接着材層２２２の表面（金属層２２３と反対側の面）２２２ａに貼合されている。保護フィルム２４１は、粘接着材層２２２にゴミが付着したり、封止部材２２同士が貼合したりすることなどを防止するためのフィルムである。保護フィルム２４１の材料は、例えばシリコーンやフッ素化合物等で表面処理されたＰＥＴである。保護フィルム２４１の厚さは、例えば５μｍ〜５０μｍである。

有機ＥＬデバイス１０の製造方法は、図３に示したように、デバイス基材形成工程Ｓ１０と、乾燥工程Ｓ２０と、貼合工程Ｓ３０と、切断工程Ｓ４０と、を有する。

［デバイス基材形成工程］
デバイス基材形成工程Ｓ１０では、図４に模式的に示したように、長尺の基板１２上の長手方向に設定される複数のデバイス形成領域のそれぞれに、陽極１４、引出電極１６、有機ＥＬ部１８及び陰極２０が設けられた有機ＥＬデバイス基材(有機電子デバイス基材)２６を形成する。図４は、デバイス形成領域において、基板１２を、その長手方向に直交する面で切断した場合の断面構成を模式的に示している。

デバイス基材形成工程Ｓ１０は、図３に示したように、陽極（第１の電極）形成工程Ｓ１１、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２及び陰極（第２の電極）形成工程Ｓ１３を有する。

＜陽極形成工程＞
陽極形成工程Ｓ１１では、長尺の基板１２の長手方向に設定される複数のデバイス形成領域にそれぞれ陽極１４を形成する。この際、各デバイス形成領域に、陽極１４とともに、引出電極１６も形成する。デバイス形成領域は、製造する有機ＥＬデバイス１０の製品サイズに対応する領域である。

陽極１４及び引出電極１６は、有機ＥＬデバイス１０の製造において公知の方法で形成され得る。陽極１４の形成方法としては、例えば真空成膜法、イオンプレーティング法、メッキ法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、陽極１４を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、例えばマイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズルプリント法等が挙げられる。

陽極１４及び引出電極１６は、例えば陽極１４及び引出電極１６となる導電膜を形成した後に、その導電膜を、陽極１４及び引出電極１６それぞれのパターンにパターニングすることで形成され得る。陽極１４及び引出電極１６は、陽極１４及び引出電極１６それぞれのパターンに対応した導電膜を直接形成することで作製されてもよい。

＜有機ＥＬ部形成工程＞
有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２では、陽極１４上に有機ＥＬ部１８を形成する。図１に示した形態では、有機ＥＬ部１８は発光層１８１を有するため、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２は、陽極１４上に発光層１８１を形成する発光層（機能層）形成工程Ｓ１２Ａを有する。発光層１８１の形成方法としては、例えば真空成膜法、塗布法等が挙げられる。塗布法としては、例えばインクジェット印刷法が挙げられるが、発光層１８１を形成可能な塗布法であれば、他の公知の塗布法でもよい。インクジェット印刷法以外の公知の塗布法としては、陽極１４を塗布法で形成する場合の説明で例示した塗布法が挙げられる。

有機ＥＬ部１８が発光層１８１以外の機能層を含む場合、有機ＥＬ部１８の層構成に応じて陽極１４側から順に機能層を形成すればよい。各機能層の形成方法は、発光層形成工程Ｓ１２Ａと同様とし得る。

＜陰極形成工程＞
陰極形成工程Ｓ１３では、有機ＥＬ部１８上に陰極２０を形成する。陰極２０は、陽極１４の形成方法と同様の方法で形成され得る。

なお、デバイス基材形成工程Ｓ１０において、陽極形成工程Ｓ１１、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２及び陰極形成工程Ｓ１３のうち少なくとも一つの工程をロールツーロール方式で実施してもよい。例えば、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２をロールツーロール方式で実施してもよいし、有機ＥＬ部形成工程Ｓ１２及び陰極形成工程Ｓ１３を連続的にロールツーロール方式で実施してもよい。

［乾燥工程］
乾燥工程Ｓ２０では、図２に示した保護フィルム付き封止部材２４を乾燥させることによって、封止部材２２を乾燥させる。一実施形態では、乾燥工程Ｓ２０では、封止部材２２が有する粘接着材層２２２の含水率が６００ｐｐｍ以下（なお、ｐｐｍは質量基準であり、本明細書において同様である。）となるように、封止部材２２を乾燥させる。乾燥工程Ｓ２０については、後ほど詳述する。

[貼合工程]
貼合工程Ｓ３０では、乾燥工程Ｓ２０により乾燥された封止部材２４から保護フィルム２４１を剥離して得られる封止部材２２を、有機ＥＬデバイス基材２６に粘接着材層２２２を介して貼合する。貼合工程Ｓ３０については、後ほど詳述する。

[切断工程]
切断工程Ｓ４０では、貼合工程Ｓ３０により封止部材２２が貼合された長尺の有機ＥＬデバイス基材２６を、その長手方向に搬送しながら、デバイス形成領域毎に基板１２を切断する。これにより、封止部材２２が貼合された長尺の有機ＥＬデバイス基材２６から製品サイズの複数の有機ＥＬデバイス１０が得られる。

次に、図５を参照して、乾燥工程Ｓ２０及び貼合工程Ｓ３０について詳細に説明する。図５は、乾燥工程Ｓ２０及び貼合工程Ｓ３０を説明するための図面である。図５では、有機ＥＬデバイス基材２６及び封止部材２４を模式的に太い実線で示している。本実施形態では、図５に示したように、乾燥室２８で乾燥工程Ｓ２０を実施した後、乾燥室２８に連結部３０を介して連結された貼合室３２において貼合工程Ｓ３０を実施する。なお、図５では、有機ＥＬデバイスは、ロールツーロール方式で製造される。

説明のために、保護フィルム付き封止部材２４が巻かれたロールを第１ロール３４Ａと称し、封止部材２２が貼合される前の長尺の有機ＥＬデバイス基材２６が巻かれたロールを第２ロール３４Ｂと称し、貼合工程Ｓ３０により封止部材２２が貼合された有機ＥＬデバイス基材２６が巻かれたロールを第３ロール３４Ｃと称す。

乾燥工程Ｓ２０では、乾燥室２８内の繰出し部３６にセットされた第１ロール３４Ａから封止部材２４を繰りだし、封止部材２４の長手方向にガイドローラＲ１でガイドしながら搬送する。このように封止部材２４を搬送しながら、搬送経路上に配置された少なくとも一つの赤外線照射部３８から封止部材２４に赤外線を照射して、封止部材２４を加熱乾燥させる。図５では、複数の赤外線照射部３８を利用して封止部材２４を加熱乾燥させる場合を例示している。

乾燥室２８内において、封止部材２４の搬送経路は、図５に示したように、複数回、折り返されてもよい。この場合、乾燥のための省スペース化を図りながら乾燥時間を確保可能である。赤外線照射部３８は、例えば封止部材２４の厚さ方向において、封止部材２４の両側に配置されてもよいし、一方にのみ配置されてもよい。

乾燥室２８内は、乾燥を効果的に行うために、例えば露点−４０℃以下であり且つ不活性ガス雰囲気（例えば窒素ガス雰囲気）で満たされていてもよい。乾燥室２８内は、乾燥を効果的に行うために、１０Ｐａ以下の減圧環境に設定されていてもよい。

乾燥室２８で乾燥された封止部材２４は、連結部３０を通過して貼合室３２に搬入され、貼合室３２で貼合工程Ｓ３０が実施される。

貼合工程Ｓ３０では、貼合室３２内の繰出し部４０にセットされた第２ロール３４Ｂから、有機ＥＬデバイス基材２６を繰り出す。繰り出された有機ＥＬデバイス基材２６を、その長手方向にガイドローラＲ２でガイドしながら搬送した後、巻取り部４２に巻き取って第３ロール３４Ｃを形成するまでの間に、乾燥室２８から搬入されてきた封止部材２４から保護フィルム２４１が剥離されて得られる封止部材２２を、有機ＥＬデバイス基材２６に貼合する。

具体的には、貼合室３２内には、一対の貼合ローラＲ３が隙間を空けて配置されており、この隙間に、封止部材２２の粘接着材層２２２と有機ＥＬデバイス基材２６において陽極１４、有機ＥＬ部１８及び陰極２０が形成されている側とが対向するように、有機ＥＬデバイス基材２６と封止部材２２とが送り込まれる。そして、一対の貼合ローラＲ３により有機ＥＬデバイス基材２６及び封止部材２２が押圧される。このとき、貼合ローラＲ３にはヒーターが埋め込まれており、貼合ローラＲ３を加熱することで封止部材２２を温めながら、有機ＥＬデバイス基材２６に封止部材２２が貼合される。

一対の貼合ローラＲ３に封止部材２２を送りこむために、乾燥室２８から搬送されてきた封止部材２４は、ガイドローラＲ４でガイドされながら搬送される。貼合室３２内におけるガイドローラＲ４による封止部材２２の搬送経路には、ガイドローラＲ５が配置されており、ガイドローラＲ５により保護フィルム２４１が封止部材２２から剥離される。保護フィルム２４１が剥離されて得られた封止部材２２は、ガイドローラＲ４により搬送され、一対の貼合ローラＲ３に上述した状態で送り込まれる。

ガイドローラＲ５により剥離された保護フィルム２４１は、フィルム回収部４４で巻き取ればよい。

連結部３０及び貼合室３２内は、乾燥室２８で乾燥された粘接着材層２２２の含水率を維持し、且つ、封止部材２２を貼合していない有機ＥＬデバイス基材２６の劣化を防ぐように調整され得る。例えば、連結部３０及び貼合室３２内は露点−４０℃以下であり且つ不活性ガス雰囲気であり得る。したがって、乾燥室２８も露点−４０℃以下であり且つ不活性ガス雰囲気であれば、連結部３０及び貼合室３２内は同じ室内環境であってもよい。図５では、繰出し部３６が乾燥室２８に配置されているが、繰出し部３６は乾燥室２８外に配置されていてもよい。同様に、繰出し部４０、巻取り部４２及びフィルム回収部４４も貼合室３２外に配置されていてもよい。ただし、繰出し部４０には封止部材２２が貼合される前の長尺の有機ＥＬデバイス基材２６が巻かれた第２ロール３４Ｂが設置される。そのため、繰出し部４０を貼合室３２外に配置する場合は、繰出し部４０の配置領域及び繰出し部４０から繰り出された有機ＥＬデバイス基材２６の搬送経路は、有機ＥＬデバイス基材２６の劣化を防ぐように構成され得る。例えば、繰出し部４０の配置領域及び繰出し部４０から繰り出された有機ＥＬデバイス基材２６の搬送経路は露点−４０℃以下であり且つ不活性ガス雰囲気を保てるように構成され得る。

乾燥室で加熱乾燥された高温の保護フィルム付き封止部材２４は、連結部３０及び貼合部３２に搬送された後、連結部３０及び貼合部３２の温度が乾燥部よりも低いため、徐々に除熱される。特にガイドローラＲ４、Ｒ５等との接触により、急激に冷却される場合もある。この際に、封止部材の各層の熱膨張率が異なるため、従来の封止部材では、各層の面内に収縮の不整合に伴う応力が発生し、封止部材にしわ等の変形が発生する。このように変形した封止部材を有機ＥＬデバイス基材に貼合すると、しわ等の変形箇所に気泡が混入し、封止部材と有機ＥＬデバイス基材との密着性が損なわれる。それにより、封止部材の封止性能が十分に発揮できず、有機ＥＬデバイスの長期保管性が劣化する。

しかしながら、本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造方法では、封止部材における金属層２２３の耐力が１００Ｎ／ｍｍ^２〜２００Ｎ／ｍｍ^２である、又は金属層２２３の材質が加工硬化されたアルミニウムであるため、上記応力に抗して封止材の変形を抑制できる。一方で、例えば、金属層２２３として、ＪＩＳ Ｈ４１６０で定義される１Ｎ３０−Ｏ（一般的に、１Ｎ３０−Ｏの耐力は、３０〜４０Ｎ／ｍｍ^２である）等の軟質のアルミニウムを用いた場合、封止材の変形を十分に抑制できない。また、封止部材における金属層２２３の耐力が２００Ｎ／ｍｍ^２以下であると、封止部材が固すぎず、封止部材が十分な可撓性を有するため、ローラでの搬送が容易である。

上記有機ＥＬデバイス１０の製造方法では、封止部材２２に保護フィルム２４１が貼合されてなる封止部材２４を乾燥させている。そのため、乾燥時の加熱により、粘接着材層２２２のタック性が増大しても、粘接着材層２２２がガイドローラＲ１等に直接接触しないため、ガイドローラＲ１等に粘接着材が付着するのを防ぐことができる。

乾燥工程Ｓ２０において、封止部材２２は、保護フィルム２４１が貼合された状態で搬送されるので、搬送過程において、粘接着材層２２２にゴミが付着しない。そのため、封止部材２２を有機ＥＬデバイス基材２６に貼合した際に、有機ＥＬデバイス基材２６にゴミが入り込むことを防止でき、その結果、上記ゴミに起因したデバイス不良が生じない。

乾燥を効果的に行うためには、保護フィルム２４１の厚さは薄い方がよいが、薄すぎると、搬送過程において、保護フィルム２４１が切れたり、保護フィルム２４１にシワが入ったりするなどにより搬送制御が困難になる。一方、保護フィルム２４１が厚すぎると、乾燥効率が低下するため、封止部材２４の搬送経路が不要に長くなるとともに、乾燥処理に要する時間も長くなる。さらに、封止部材２４が巻かれた第１ロール３４Ａも無用に大きくなるなどの問題がある。これに対して、保護フィルム２４１が例えば５μｍ以上５０μｍ以下であれば、封止部材２４の搬送も容易であるとともに、乾燥効率の向上も図れる。さらに、第１ロール３４Ａのサイズも小さくできる。

粘接着材層２２２の材料が感圧型の粘着樹脂である場合、乾燥工程Ｓ２０での熱によりタック性が増大し易い。よって、本実施形態で説明した有機ＥＬデバイス１０の製造方法は、感圧型の粘着樹脂を含む粘接着材層２２２を有する封止部材２２を使用する場合により一層有効である。

乾燥工程Ｓ２０では、粘接着材層２２２の含水率が６００ｐｐｍ以下になるように封止部材２４（より具体的には封止部材２２）を乾燥することが好ましい。このような乾燥状態の封止部材２２を有機ＥＬデバイス基材２６に貼合することで、長期保管性がより一層向上した有機ＥＬデバイス１０を製造可能であるからである。

本実施形態で説明した有機ＥＬデバイスの製造方法では、前述したように、保護フィルム付き封止部材２４を乾燥させた後、乾燥された封止部材２２を有機ＥＬデバイス基材２６に貼合している。よって、生産性の向上を図りながら、長期保管性に優れた有機ＥＬデバイス１０を効率的に製造可能である。さらに、封止部材２２の含水率が例えば６００ｐｐｍ以下となるように乾燥することで、より一層長期保管性に優れた有機ＥＬデバイス１０を効率的に製造可能である。

以上、本発明の種々の実施形態及び実施例について説明した。しかしながら、本発明は上述した種々の実施形態及び実施例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。

図５では、乾燥室と貼合室とが連結部で連結した形態を例示した。しかしながら、乾燥室と貼合室とは繋がっていなくてもよい。この場合、乾燥室で乾燥された保護フィルム付き封止部材を、一旦、ロール状に巻き取った後、気密容器に収容して、貼合室に搬入すればよい。

乾燥工程での乾燥方法として赤外線加熱を例示したが、保護フィルム付き封止部材の乾燥方法は、赤外線加熱に限定されない。例えば、保護フィルム付き封止部材をガイドするガイドローラを加熱ローラとし、加熱ローラにより保護フィルム付き封止部材を乾燥してもよいし、ハロゲンランプヒーター、レーザー、マイクロ波加熱等の加熱方法で乾燥してもよい。

上記実施形態では、基板に陽極、有機ＥＬ部及び陰極を順に形成する形態を説明したが、例えば、陽極が予め形成された基板から有機ＥＬデバイスを製造してもよい。この場合、有機ＥＬデバイスの製造方法は、有機ＥＬ部形成工程及び陰極形成工程を備えていればよい。
また、上記実施形態では、長尺の基材及び長尺の封止部材を用いたロールツーロール方式による製造方法について説明したが、基材及び封止部材としては、断裁等により予め所定のサイズに調整された枚葉のものを用いて有機電子デバイスを製造してもよい。

また、例えば、剥離工程は、貼合工程の後に実施する場合に限定されない。例えば、剥離工程は、デバイス本体部形成工程中に実施してもよいし、デバイス本体部形成工程と、貼合工程との間に実施してもよい。デバイス本体部形成工程中に実施する場合は、例えば、陽極（第１電極）を形成した後に実施すればよい。例えば、有機機能層形成工程中でもよいし、有機機能層形成工程と陰極形成工程との間に実施してもよい。可撓性基板上にデバイス本体部などを形成する際のハンドリングの容易性向上のために可撓性基板を支持基板に固定するため、剥離工程は、少なくとも陽極（第１電極）形成工程の後に実施することが好ましい。

上記実施形態において、封止部材として粘接着材層の表面に設けられた保護フィルムを有する保護フィルム付き封止部材を使用する場合、乾燥工程の前に保護フィルムを剥離してもよい。また、封止部材として元々保護フィルムを有しないものも使用できる。保護フィルムを有しない封止部材としては、例えば、粘接着剤層と樹脂層とが接するようにロール状に巻かれた封止部材等を使用することができ、この場合、樹脂層の金属層とは反対側の表面に必要に応じて離型処理が施されていてもよい。

これまでの説明では、第１の電極を陽極とし、第２の電極を陰極として説明したが、第１の電極が陰極であって、第２の電極が陽極であってもよい。

有機電子デバイスの一例である有機ＥＬデバイスについて、その製造方法を説明したが本実施形態に係る有機電子デバイスの製造方法は、例えば有機太陽電池、有機フォトディテクタ、有機トランジスタ等の有機機能層を備える有機電子デバイスにも適用可能である。有機トランジスタを製造する場合、第１の電極は、例えばソース電極、ドレイン電極及びゲート電極のいずれかであり、第２の電極は、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極のうちの第１の電極以外の電極である。有機トランジスタを製造する場合の機能層は、ゲート絶縁層又は有機半導体層で有り得る。

［実施例１］
封止部材Ａとして、以下の層構成のものを使用した。
保護フィルム（厚さ１２μｍ）／粘接着材層（厚さ３０μｍ）／アルミニウム層（厚さ３０μｍ、１Ｎ３０−Ｈ材、東洋アルミニウム株式会社製）／ＰＥＴ（厚さ３８μｍ）
封止部材Ａを搬送速度１ｍ／ｍｉｎで搬送し、保護フィルム側からカーボンヒーターを用いて封止部材Ａの温度が１６０℃になるように赤外照射し、５分間加熱した後、巻き取った。封止部材Ａにしわ等の変形は見られなかった。
巻き取った封止部材Ａの保護フィルムを剥離し、有機電子デバイス基材に貼合したところしわは見られず、良好な貼合面が得られた。

［比較例１］
封止部材Ａのアルミニウム層を１Ｎ３０−Ｏ材の層（厚さ３０μｍ、東洋アルミニウム株式会社製）に変更した封止部材Ｂを使用したこと以外は、実施例１と同様に実験を行った。
巻き取った後の封止部材Ｂでは、幅５ｍｍのシワが搬送方向に連続的に発生し、変形が見られた。
巻き取った封止部材Ｂの保護フィルムを剥離し、有機電子デバイス基材に貼合したところシワの部分に気泡が混入し、良好な貼合面が得られなかった。

１０…有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）、１２…基板、１４…陽極（第１の電極）、２０…陰極（第２の電極）、２２…封止部材、２４…保護フィルム付き封止部材、１８１…発光層（機能層）、２２２…粘接着材層、２２３・・・金属層、２２４・・・樹脂層、２４１…保護フィルム。

Claims (6)

1. 支持基材の主面上に、第１の電極、有機機能層及び第２の電極をこの順に有する有機電子デバイス基材を形成する工程と、
   樹脂層、金属層及び粘接着材層がこの順に積層された封止部材を乾燥する工程と、
   乾燥された前記封止部材を、前記粘接着材層を介して有機電子デバイス基材に貼合する工程と、を備え、
   前記金属層の耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２である、有機電子デバイスの製造方法。
2. 前記金属層の材質が加工硬化されたアルミニウムである、請求項１に記載の有機電子デバイスの製造方法。
3. 支持基材の主面上に、第１の電極、有機機能層及び第２の電極をこの順に有する有機電子デバイス基材を形成する工程と、
   樹脂層、金属層及び粘接着材層がこの順に積層された封止部材を乾燥する工程と、
   乾燥された前記封止部材を、前記粘接着材層を介して有機電子デバイス基材に貼合する工程と、を備え、
   前記金属層の材質が加工硬化されたアルミニウムである、有機電子デバイスの製造方法。
4. 前記金属層の耐力が１００〜２００Ｎ／ｍｍ^２である、請求項３に記載の有機電子デバイスの製造方法。
5. 前記金属層の材質が１Ｎ３０−Ｈ材である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
6. 前記封止部材の前記粘接着材層の表面に保護フィルムが設けられており、前記貼合する工程において、前記封止部材から前記保護フィルムを剥離して、前記封止部材を有機電子デバイス基材に貼合する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
   

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