WO2018131320A1 - 有機デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

有機デバイス１の製造方法は、支持基板３上に第１電極層５及び少なくとも一層の有機機能層７を形成して、有機機能層付き支持基板１０を製造する第１形成工程Ｓ０２，Ｓ０３と、有機機能層７上に保護フィルム１３を配置し、有機機能層付き支持基板１０及び保護フィルム１３を巻き取る巻取工程Ｓ０５と、巻き取られた有機機能層付き支持基板１０及び保護フィルム１３を送り出し、保護フィルム１３を剥離する剥離工程Ｓ０６と、剥離工程Ｓ０６の後、有機機能層付き支持基板１０を加熱する加熱工程Ｓ０７と、加熱工程Ｓ０７の後、有機機能層付き支持基板１０上に、第１形成工程Ｓ０３で形成していない有機機能層７、及び第２電極層９から選ばれる少なくとも一層を形成する第２形成工程Ｓ０８と、を含む。

Description

有機デバイスの製造方法

　本発明は、有機デバイスの製造方法に関する。

　従来の有機デバイスの製造方法として、例えば、特許文献１に記載された方法が知られている。特許文献１に記載の有機デバイスの製造方法は、可撓性を有する支持基板上に陽極層を形成する工程と、陽極層上に有機機能層を形成する工程と、有機機能層上に陰極層を形成する工程と、含んでいる。特許文献１の有機デバイスの製造方法では、各種層のいずれかを形成した後に支持基板を巻き取る際、当該層上に保護フィルムを配置して、支持基板と保護フィルムとを一緒に巻き取る。

特開２００６－２９４５３６号公報

　上述のように、有機デバイスの製造方法では、例えば、有機機能層上に保護フィルムを配置することで、有機機能層が支持基板と接触して損傷したり、有機機能層に塵及び埃等が接触したりすることの抑制を図っている。ここで、保護フィルムには、通常、水分又は保護フィルムからブリードアウトしたモノマー、オリゴマー、有機溶媒等の成分（以下、水分等と称する。）が含まれている。そのため、保護フィルムが配置された支持基板を巻き取って保管した場合、保護フィルムに含まれる水分等が有機機能層に接触（浸透）することがある。有機機能層に水分等が含まれると、例えば、有機機能層の機能発揮領域（有機エレクトロニクスルミネッセンスの場合は発光領域）において非機能発揮領域が拡大する等の不具合が生じることがある。これにより、有機デバイスの特性が劣化し、有機デバイスの信頼性が低下するおそれがある。

　本発明の一側面は、有機デバイスの信頼性の向上を図ることができる有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

　本発明に一側面に係る有機デバイスの製造方法は、可撓性を有する支持基板の一方の主面上に、第１電極層、単層又は複層の有機機能層及び第２電極層がこの順番で配置された有機デバイスの製造方法であって、支持基板上に、第１電極層及び少なくとも一層の有機機能層を形成して、有機機能層付き支持基板を製造する第１形成工程と、第１形成工程の後、有機機能層上に保護フィルムを配置し、有機機能層付き支持基板及び保護フィルムを巻き取る巻取工程と、巻き取られた有機機能層付き支持基板及び保護フィルムを送り出し、複層の有機機能層を構成する層のうちの第１形成工程で形成していない有機機能層、及び第２電極層から選ばれる少なくとも一層を形成する前に保護フィルムを剥離する剥離工程と、剥離工程の後、複層の有機機能層を構成する層のうちの第１形成工程で形成していない有機機能層、及び第２電極層から選ばれる少なくとも一層を形成する前に、有機機能層付き支持基板を加熱する加熱工程と、加熱工程の後、有機機能層付き支持基板上に、複層の有機機能層を構成する層のうちの第１形成工程で形成していない有機機能層、及び第２電極層から選ばれる少なくとも一層を形成する第２形成工程と、を含む。

　本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法では、保護フィルムを剥離した後、複層の有機機能層を構成する層のうちの第１形成工程で形成していない有機機能層、及び第２電極層から選ばれる少なくとも一層を形成する前に、支持基板を加熱する。これにより、支持基板と同時に巻き取られた保護フィルムに水分等が含まれており、その水分等が有機機能層に接触（浸透）した場合であっても、加熱工程により、有機機能層の水分等が除去される。したがって、有機デバイスの製造方法では、保護フィルムにより有機機能層を保護しつつ、有機機能層の水分等に起因する有機デバイスの特性劣化を抑制できる。その結果、有機デバイスの製造方法では、有機デバイスの信頼性の向上を図ることができる。

　一実施形態においては、第２形成工程では、第２電極層を、真空蒸着法又はスパッタリング法により形成してもよい。これにより、第２電極層は、大気に曝されない状態で形成される。したがって、有機デバイスの製造方法では、第２電極層を形成する第２形成工程において、有機機能層及び第２電極層に水分等が接触することを抑制できる。

　一実施形態においては、加熱工程では、有機機能層付き支持基板に赤外線を照射してもよい。これにより、有機デバイスの製造方法では、有機機能層の水分等を除去することができる。

　一実施形態においては、加熱工程では、有機機能層付き支持基板の一方の主面のみを加熱してもよい。このように、有機デバイスの製造方法では、有機機能層が形成されている有機機能層付き支持基板の一方の主面を加熱するため、有機機能層の水分等をより効果的に除去することができる。

　一実施形態においては、加熱工程では、不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下で有機機能層付き支持基板を加熱してもよい。これにより、有機デバイスの製造方法では、加熱工程において有機機能層に水分等が接触することを抑制できる。

　一実施形態においては、保護フィルムは、基材及び当該基材に設けられた粘接着部を有しており、巻取工程では、粘接着部が有機機能層と重ならないように、保護フィルムを有機機能層上に配置してもよい。これにより、有機デバイスの製造方法では、有機機能層付き支持基板と保護フィルムとを一緒に巻き取るときに、粘接着部によって、保護フィルムがずれることを抑制できる。また、有機デバイスの製造方法では、粘接着部が有機機能層上に配置されていないため、保護フィルムを剥離するときに、有機機能層の表面が剥離する等して有機機能層が破損することを回避できる。

　一実施形態においては、保護フィルムは、基材及び当該基材に設けられた粘接着部を有しており、巻取工程では、粘接着部が有機機能層における機能発揮領域と重ならないように、保護フィルムを有機機能層上に配置してもよい。これにより、有機デバイスの製造方法では、有機機能層付き支持基板と保護フィルムとを一緒に巻き取るときに、粘接着部によって、保護フィルムがずれることを抑制できる。また、有機デバイスの製造方法では、粘接着部が有機機能層における機能発揮領域と重ならいように配置されているため、有機機能層上の一部に粘接着部が配置され、保護フィルムを剥離したときに有機機能層の表面の一部が剥離したとしても、機能発揮の品位に影響を与えない。

　一実施形態においては、第１形成工程では、第１電極層上に有機材料を塗布して乾燥させることにより、有機機能層を形成してもよい。このように、有機機能層が塗布法より形成される場合には、有機機能層が水分等の影響を特に受け易い。そのため、保護フィルムを剥離した後、有機機能層を構成する複数の層のうちの残りの層又は第２電極層を形成する前に、有機機能層付き支持基板を加熱する上記製造方法は、有機機能層を塗布法により形成する場合に特に有効である。

　一実施形態においては、加熱工程から第２形成工程まで、真空、不活性ガス、又はドライエアの雰囲気下で、有機機能層付き支持基板を搬送させてもよい。これにより、有機デバイスの製造方法では、有機機能層付き支持基板が加熱工程から第２形成工程に搬送される間に有機機能層が大気に曝されない。そのため、有機デバイスの製造方法では、有機機能層に水分等が接触することを抑制できる。

　本発明の一側面によれば、有機デバイスの信頼性の向上を図ることができる。

図１は、第１実施形態に係る有機デバイスの製造方法によって製造された有機ＥＬ素子の断面図である。 図２は、ロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法を模式的に示す図である。 図３は、ロールツーロール方式による有機ＥＬ素子の製造方法を模式的に示す図である。 図４は、有機ＥＬ素子の製造方法を示す図である。 図５は、第２実施形態に係る有機デバイスの製造方法によって製造された有機ＥＬ素子の断面図である。 図６は、他の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す図である。 図７は、他の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す図である。

　以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
　図１に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬ素子（有機デバイス）１は、支持基板３と、陽極層（第１電極層）５と、有機機能層７と、陰極層（第２電極層）９と、封止部材１１と、を備えている。

［支持基板］
　支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ～８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。支持基板３が樹脂の場合は、ロールツーロール方式の連続時の基板ヨレ、シワ、及び伸びの観点から４５μｍ以上、可撓性の観点から１２５μｍ以下が好ましい。

　支持基板３は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン－酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。

　支持基板３の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

　支持基板３の一方の主面３ａ上には、ガスバリア層、或いは、水分バリア層が配置されていてもよい。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。なお、支持基板３は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板３が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点から３０μｍ以上、可撓性の観点から１００μｍ以下が好ましい。

［陽極層］
　陽極層５は、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陽極層５には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。

　陽極層５として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層５として、上記で挙げられた金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。

　陽極層５の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～２００ｎｍである。

　陽極層５の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のドライ成膜法、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法を挙げることができる。また、陽極層５は、さらにフォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いてパターンを形成することができる。塗布法を用いて支持基板３上に直接塗布することで、フォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いることなくパターンを形成することもできる。

［有機機能層］
　有機機能層７は、陽極層５の主面（支持基板３に接する面の反対側）上に配置されている。有機機能層７は、発光層を含んでいる。有機機能層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層７を構成する有機物としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等の蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料、又は、下記の発光層用ドーパント材料等を挙げることができる。

（色素材料）
　色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。

（金属錯体材料）
　金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。

（高分子材料）
　高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。

（発光層用ドーパント材料）
　発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。

　有機機能層７の厚さは、通常約２ｎｍ～２００ｎｍである。有機機能層７は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液（例えばインク）を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着法によって形成されてもよい。

［陰極層］
　陰極層９は、有機機能層７の主面（陽極層５に接する面の反対側）上に配置されている。陰極層９の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層９の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム－銀合金、マグネシウム－インジウム合金、マグネシウム－アルミニウム合金、インジウム－銀合金、リチウム－アルミニウム合金、リチウム－マグネシウム合金、リチウム－インジウム合金、カルシウム－アルミニウム合金等を挙げることができる。

　また、陰極層９としては、例えば、導電性金属酸化物、又は、導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等を挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層９は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、後述の電子注入層が陰極層９として用いられる場合もある。

　陰極層９の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層９の厚さは、通常、１０ｎｍ～１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ～１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ～５００ｎｍである。

　陰極層９の形成方法としては、例えば、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等を挙げることができ、真空蒸着法、又はスパッタリング法が好ましい。

［封止部材］
　封止部材１１は、有機ＥＬ素子１において最上部に配置されている。封止部材１１は、例えば、図示しない封止基材及び粘接着部を有している。封止基材は、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属積層させたフィルム等からなり、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、又はステンレスが好ましい。金属箔の厚さは、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１０μｍ～５０μｍが好ましい。粘接着部は、封止基材を陽極層５、有機機能層７及び陰極層９に接着させるために用いられる。また、粘接着部は、有機機能層の機能発揮領域の少なくとも一部を覆うように配置されてもよく、機能発揮領域の少なくても一部を囲うように配置されてもよい。

［有機ＥＬ素子の製造方法］
　続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。

　支持基板３が可撓性を有し、長手方向に延在する基板である形態では、図２及び図３に概念的に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機ＥＬ素子１を製造する場合、巻出しロール３０Ａと巻取りロール３０Ｂとの間、及び、巻出しロール４０Ａと巻取りロール４０Ｂとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板３を連続的に搬送ローラ３１，４１で搬送しながら、各層を支持基板３側から順に形成する。

　有機ＥＬ素子１を製造する場合、最初に、支持基板３を加熱し、乾燥させる（基板乾燥工程Ｓ０１）。次に、乾燥された支持基板３（一方の主面３ａ）上に、陽極層５を形成する（陽極層形成工程（第１形成工程）Ｓ０２）。陽極層５は、陽極層５の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。

　続いて、陽極層５上に、有機機能層７を形成する（有機機能層形成工程（第１形成工程）Ｓ０３）。有機機能層７は、有機機能層７の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。本実施形態では、有機機能層７は、発光材料（有機材料）を塗布法により塗布し、塗布後に乾燥させることにより形成される。また、発光材料の上にさらに電子輸送層を塗布後、乾燥して形成してもよい。これにより、図４に示されるように、有機機能層が形成された支持基板１０（以下、有機機能層付き支持基板１０と称する。）が製造される。

　続いて、図４に示されるように、有機機能層７上に保護フィルム１３（図４参照）を配置する（配置工程Ｓ０４）。保護フィルム１３は、基材１５と、粘接着部１７と、を有している。本実施形態では、保護フィルム１３は、有機機能層付き支持基板１０の長手方向（図４における奥行き方向）に延在しており、基材１５の幅方向（長手方向に直交する方向、図４における左右方向）の両端部に、長手方向に沿って粘接着部１７が設けられている。粘接着部１７は、基材１５と接する面とは反対側の面が接着性及び剥離性を有している。

　保護フィルム１３は、粘接着部１７が有機機能層７と重ならないように（有機機能層７上に位置しないように）、有機機能層７上に配置される。具体的には、図４に示されるように、一対の粘接着部１７の間に有機機能層７が位置するように、保護フィルム１３が配置される。すなわち、保護フィルム１３の粘接着部１７は、有機機能層付き支持基板１０において有機機能層７が形成されてない領域に配置される。これにより、保護フィルム１３の基材１５が有機機能層７上に配置される。

　続いて、有機機能層付き支持基板１０及び保護フィルム１３をロール状に巻き取る（巻取工程Ｓ０５）。これにより、ロールが形成される。そして、ロールを、次の工程まで、例えば、保管庫に保管する。このとき、不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下で保管されてもよい。

　続いて、図３に示されるように、保管していたロールを用意し、有機機能層付き支持基板１０及び保護フィルム１３を巻出しロール４０Ａから送り出し、有機機能層付き支持基板１０から保護フィルム１３を剥離する（剥離工程Ｓ０６）。剥離された保護フィルム１３は、芯材４２に巻き取られる。剥離工程Ｓ０６は、不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下で行われてもよい。

　続いて、有機機能層付き支持基板１０を加熱する（加熱工程Ｓ０７）。本実施形態では、赤外線を照射する加熱チャンバーにより、有機機能層付き支持基板１０を加熱する。赤外線は、例えば、中赤外線である。加熱チャンバーでは、有機機能層付き支持基板１０の一方の主面３ａ側に赤外線を照射して、有機機能層付き支持基板１０（陽極層５及び有機機能層７）を加熱する。加熱チャンバー内は、不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下である。つまり、有機機能層付き支持基板１０の加熱は、保護フィルム１３を剥離する雰囲気と同じ、又は異なる不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下で行われてもよい。有機機能層付き支持基板１０は、保護フィルム１３が剥離されてから加熱チャンバーに搬入されるまで、不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下で搬送されてもよい。すなわち、有機機能層付き支持基板１０は、保護フィルム１３が剥離されてから加熱されるまで、大気に曝されない。

　続いて、有機機能層７上に陰極層９を形成する（陰極層形成工程（第２形成工程）Ｓ０８）。陰極層９は、陰極層９の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。また、陰極層９は、電子注入層と電極層を含む２層以上で構成されていてもよい。例えば、有機機能層７上に後ほど例示する電子注入層を形成し、その上に、陰極層９の説明の際に例示した陰極層９の材料を用いて、層を形成してもよい。本実施形態では、陰極層９は、真空蒸着法により形成される。より具体的には、陰極層９は、全圧が１×１０^－３Ｐａ以下であり、且つ、水分圧が１×１０^－４Ｐａ以下である成膜チャンバー内で形成される。有機機能層付き支持基板１０は、加熱チャンバーで加熱されてから成膜チャンバーに搬入されるまで、不活性ガスの雰囲気下、真空の雰囲気下、又はドライエアの雰囲気下で搬送（移動）される。すなわち、有機機能層付き支持基板１０は、加熱されてから陰極層９が形成されるまで、大気に曝されない。そして、陰極層９上に、封止部材１１を配置して有機機能層７及び陰極層９を封止する（封止工程Ｓ０９）。以上により、有機ＥＬ素子１が製造される。

　以上説明したように、本実施形態にかかる有機ＥＬ素子１の製造方法では、保護フィルム１３を剥離した後、陰極層９を形成する前に、有機機能層付き支持基板１０を加熱する。これにより、有機機能層付き支持基板１０と同時に巻き取られた保護フィルム１３に水分等が含まれており、その水分等が有機機能層７に接触（浸透）した場合であっても、加熱工程Ｓ０７により、有機機能層７の水分等が除去される。したがって、有機ＥＬ素子１の製造方法では、保護フィルム１３により有機機能層７を保護しつつ、有機機能層７の水分等に起因する有機ＥＬ素子１の特性劣化を抑制できる。その結果、有機ＥＬ素子１の製造方法では、有機ＥＬ素子１の信頼性の向上を図ることができる。

　また、本実施形態の有機ＥＬ素子１の製造方法では、加熱工程Ｓ０７によって有機機能層７の水分等が除去されるため、保護フィルム１３に乾燥剤又は吸湿剤等を設ける必要がない。そのため、有機ＥＬ素子１の製造方法では、保護フィルム１３に乾燥剤等を設けることによるコストの増大を抑制できる。また、有機ＥＬ素子１の製造方法では、保護フィルム１３をあらかじめ、脱水等の処理を行う必要もないため、保護フィルムを脱水等するための設備、工程も不要になりコストの増大を抑制できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、加熱工程Ｓ０７において有機機能層付き支持基板１０に赤外線を照射する。詳細には、加熱工程Ｓ０７において、有機機能層７が形成された有機機能層付き支持基板１０における支持基板３の一方の主面３ａ側に赤外線を照射する。これにより、有機ＥＬ素子１の製造方法では、有機機能層７の水分等を効果的に除去することができる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、加熱工程Ｓ０７において、不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下で有機機能層付き支持基板１０を加熱する。これにより、有機ＥＬ素子１の製造方法では、加熱工程Ｓ０７において有機機能層７に水分等が接触することを抑制できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、保護フィルム１３は、基材１５及び当該基材１５に設けられた粘接着部１７を有している。巻取工程では、粘接着部１７が有機機能層７と重ならないように、保護フィルム１３を有機機能層７上に配置する。これにより、有機ＥＬ素子１の製造方法では、有機機能層付き支持基板１０と保護フィルム１３とを一緒に巻き取るときに、粘接着部１７によって、保護フィルム１３がずれることを抑制できる。また、有機ＥＬ素子１の製造方法では、保護フィルム１３を剥離する剥離工程Ｓ０６において、例えば、有機機能層７の表面が粘接着部１７によって剥がれて破損することを回避できる。

　本実施形態に係る有機ＥＬ素子１では、陽極層５上に有機材料を塗布して乾燥させることにより、有機機能層７を形成する。このように、有機機能層７が塗布法より形成される場合には、有機機能層７が水分等の影響を特に受け易い。そのため、保護フィルム１３を剥離した後、陰極層９を形成する前に、有機機能層付き支持基板１０（有機機能層７）を加熱する本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法は、有機機能層７を塗布法により形成する場合に特に有効である。

（第２実施形態）
　続いて、第２実施形態について説明する。図５に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬ素子１Ａは、支持基板３と、陽極層５と、正孔注入層２０と、正孔輸送層２２と、発光層２４と、電子輸送層２６と、陰極層９と、封止部材１１と、を備えている。正孔注入層２０、正孔輸送層２２、発光層２４及び電子輸送層２６は、有機機能層を構成している。発光層２４は、上述の有機機能層７に含まれる発光層と同様の構成を有している。

［正孔注入層］
　正孔注入層２０は、陽極層５から発光層２４への正孔注入効率を向上させる機能を有する層である。正孔注入層２０の厚さは、例えば１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。正孔注入層２０の材料は公知の正孔注入材料が用いられ得る。正孔注入材料の例としては、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、及び、酸化アルミニウム等の酸化物、フェニルアミン化合物、スターバースト型アミン化合物、フタロシアニン化合物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、及び、ポリチオフェン誘導体等を挙げることができる。

　正孔注入層２０は、例えば、インクジェット法、スピンコート法等の塗布法により形成される。

［正孔輸送層］
　正孔輸送層２２は、陽極層５、正孔注入層２０又は陽極層５により近い正孔輸送層２２から発光層２４への正孔注入を向上させる機能を有する層である。正孔輸送層２２の厚さは、例えば、１ｎｍ～１μｍであり、好ましくは２ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ～２００ｎｍである。正孔輸送層２２の材料には、公知の正孔輸送材料が用いられ得る。正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン若しくはその誘導体、ピラゾリン若しくはその誘導体、アリールアミン若しくはその誘導体、スチルベン若しくはその誘導体、トリフェニルジアミン若しくはその誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）若しくはその誘導体、又はポリ（２，５－チエニレンビニレン）若しくはその誘導体等を挙げることができる。また、正孔輸送層２２は、正孔輸送性を有する架橋性高分子化合物、及び、該高分子化合物の架橋体からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有することが好ましく、該架橋性高分子化合物としては、国際公開第２０１３／１１４９７６号、国際公開第２０１３／１４６８０６号、国際公開第２０１５／１６３１７４号、国際公開第２０１６／０５２３３７号、特開２０１６－１１１３５５号公報、国際公開第２０１６／００５７４９号、国際公開第２０１６／００５７５０号等に記載若しくは例示される高分子化合物も挙げることができる。

　正孔輸送層２２は、例えば、インクジェット法、スピンコート法等の塗布法により形成される。

［電子輸送層]
　電子輸送層２６には、公知の電子輸送材料が使用できる。電子輸送材料としては、例えば、トリアゾール及びその誘導体、オキサゾール及びその誘導体、イミダゾール及びその誘導体、フルオレン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン及びその誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン及びその誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、アントロン及びその誘導体、チオピランジオキシド及びその誘導体、カルボジイミド及びその誘導体、フルオレニリデンメタン及びその誘導体、ジスチリルピラジン及びその誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物等の芳香族炭化水素化合物又は芳香族複素環式化合物；メタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾール又はベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体、フタロシアニン及びその誘導体、８－キノリノール及びその誘導体、有機シラン化合物、８－ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体等が挙げられる。電子輸送材料は、上記の化合物のアルカリ金属塩及びアルカリ土類金属塩、並びに、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化物塩、炭酸塩等の塩であってもよい。

　電子輸送材料は、好ましくは芳香族炭化水素化合物又は芳香族複素環式化合物、或いは、これらのアルカリ金属塩又はアルカリ土類金属塩である。電子輸送材料は、フッ化水素量を所定の範囲内とすることによる発光素子の長寿命化が顕著であるので、好ましくはカルボン酸イオンとアルカリ金属イオン又はアルカリ土類金属イオンとから構成される塩を含むものである。

　電子輸送材料は、高分子化合物であっても、低分子化合物であってもよい。電子輸送材料が高分子化合物である場合、該高分子化合物は、例えば、特開２００９－２３９２７９号公報、特開２０１２－０３３８４５号公報、特開２０１２－２１６８２１号公報、特開２０１２－２１６８２２号公報、特開２０１２－２１６８１５号公報に記載の方法に従って合成することができる。電子輸送材料が低分子化合物である場合、該低分子化合物は、例えば、国際公開ＷＯ１０／０９００７７号公報、特開２０１２－８９７７７号公報、特開２０１２－１０４５３６号公報、特開２０１３－１６７１７号公報、特開２０１３－１００２３９号公報、国際公開ＷＯ／００４６３９号公報、特開２０１３－３８４３２号公報、特開２０１３－２５８４１６号公報、特開２０１４－１３１０７９号公報、特開２０１５－１６７２３６号公報に記載の化合物等が挙げられる。

　電子輸送層は、例えば、インクジェット法、スピンコート法等の塗布法により形成される。

［有機ＥＬ素子の製造方法］
　続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１Ａの製造方法について説明する。有機ＥＬ素子１Ａの製造方法は、有機ＥＬ素子１と同様、ロールツーロール方式が採用される。最初に、支持基板３を加熱し、乾燥させる。次に、支持基板３（一方の主面３ａ上）に、陽極層５を形成する。これらの工程は、前述の基板乾燥工程Ｓ０１及び前述の陽極層形成工程（第１形成工程）Ｓ０２と同様である。

　続いて、陽極層５上に、正孔注入層２０と、正孔輸送層２２と、発光層２４を順に形成する（有機機能層形成工程（第１形成工程））。正孔注入層２０、正孔輸送層２２、発光層２４は、それぞれ各層の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。本実施形態では、正孔注入層２０、正孔輸送層２２、発光層２４は、それぞれ塗布法により塗布し、塗布後に乾燥されることにより形成される。これにより、正孔注入層２０、正孔輸送層２２、及び発光層２４が形成された支持基板が製造される。

　正孔注入層２０、正孔輸送層２２、及び発光層２４が形成された支持基板に対して、有機ＥＬ素子１の製造方法における有機機能層付き支持基板と同様に、前述の配置工程Ｓ０４、巻取工程Ｓ０５、剥離工程Ｓ０６、加熱工程Ｓ０７を行う。

　続いて、発光層１４上に電子輸送層２６を形成する。電子輸送層２６は、電子輸送層２６の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。本実施形態では、電子輸送層２６は、塗布法により塗布し、塗布後に乾燥されることにより形成される。

　続いて、電子輸送層２６上に陰極層９を形成する。そして、陰極層９上に、封止部材１１を配置して、正孔注入層２０、正孔輸送層２２、発光層２４、電子輸送層２６、及び陰極層９を封止する。これらは、前述の陰極層形成工程（第２形成工程）Ｓ０８及び封止工程Ｓ０９と同様である。以上により、有機ＥＬ素子１Ａが製造される。

　以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

　例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層を含む有機機能層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層７の構成はこれに限定されない。有機機能層７は、以下の構成を有していてもよい。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）

　ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。

　電子注入層は、有機機能層を構成する一つであってもよく、無機物のみで構成されていてもよい。電子注入層には、公知の電子注入材料を用いることができる。電子注入材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属及びアルカリ土類金属のうちの１種類以上を含む合金、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩、又はこれらの物質の混合物等を挙げることができる。アルカリ金属、アルカリ金属の酸化物、ハロゲン化物、及び炭酸塩の例としては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、酸化リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、フッ化ナトリウム、酸化カリウム、フッ化カリウム、酸化ルビジウム、フッ化ルビジウム、酸化セシウム、フッ化セシウム、炭酸リチウム等を挙げることができる。また、アルカリ土類金属、アルカリ土類金属の酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩の例としては、マグネシウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、酸化カルシウム、フッ化カルシウム、酸化バリウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、フッ化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等を挙げることができる。この他に従来知られた電子輸送性の有機材料と、アルカリ金属の有機金属錯体を混合した層も電子注入層として用いることができる。

　電子注入層は、蒸着法、スパッタリング法、塗布法（例えば、インクジェット法、スピンコート法）などの所定の公知の方法によって形成することができる。電子注入層２５の厚さは、１ｎｍ～１μｍ程度が好ましい。

　有機ＥＬ素子１は、単層の有機機能層７を有していてもよいし、２層以上の有機機能層７を有していてもよい。上記（ａ）～（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層

　ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。

　また、「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層

　記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

　電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。

　上述のように、有機機能層７が複層である場合には、保護フィルム１３は、第１形成工程において、複層の有機機能層７のうちの少なくとも１層が形成された後に、当該層上に配置されればよい。この場合、保護フィルム１３を剥離した後に、支持基板３を加熱し、複層の有機機能層７を構成する層のうちの第１形成工程で形成していない層、及び、陰極層９を形成する。上記実施形態では、発光層２４を形成した後に保護フィルム１３を配置して巻き取り、保護フィルム１３を剥離して加熱工程を経た後に電子輸送層２６を形成する形態を説明した。しかし、正孔輸送層２２を形成した後に保護フィルム１３を配置して巻き取り、保護フィルム１３を剥離して加熱工程を経た後に発光層２４及び電子輸送層２６を順に形成してもよい。また、第２形成工程において、複層の有機機能層７を構成する層のうちの第１形成工程で形成していない有機機能層を一層形成した後に保護フィルム１３を配置して巻き取り、保護フィルム１３を剥離して加熱工程を経た後、残りの有機機能層７及び陰極層９を形成してもよい。

　上記実施形態では、保護フィルム１３の粘接着部１７が有機機能層７と重ならないように、保護フィルム１３を有機機能層７上に配置する形態を一例に説明した。しかし、保護フィルムの配置形態はこれに限定されない。

　例えば、図６に示されるように、保護フィルム１３Ａは、粘接着部１７の一部が有機機能層７上に配置されてもよい。具体的には、粘接着部１７は、有機機能層７上において、有機機能層７の発光領域（機能発揮領域）Ａを含まない位置に配置される。これにより、支持基板３と保護フィルム１３Ａとを一緒に巻き取るときに、粘接着部１７によって、保護フィルム１３Ａがずれることを抑制できる。また、粘接着部１７が有機機能層７における発光領域Ａと重ならいように配置されているため、有機機能層７上の一部に粘接着部１７が配置され、保護フィルム１３を剥離したときに有機機能層７の表面の一部が剥離したとしても、発光品位に影響を与えない。

　上記実施形態では、保護フィルム１３，１３Ａが基材１５及び粘接着部１７を有する形態を一例に説明した。しかし、図７に示されるように、保護フィルム１３Ｂは、基材のみで構成されていてもよい。

　保護フィルム１３Ｂが基材のみで構成している場合、保護フィルム１３Ｂは支持基板３に固定されないが、保護フィルム１３Ｂと支持基板３を同時に巻取り部に搬送し、巻き取ることで、保護フィルム１３Ｂを有機機能層７が形成された支持基板３の有機機能層７上に配置することができる。このとき、配置工程Ｓ０４及び巻取工程Ｓ０５は同時に行われる。

　上記実施形態に加えて、封止工程Ｓ０９において封止部材１１を陰極層９上に貼付した後に、支持基板３の他方の主面３ｂに光取り出しフィルムを貼付してもよいし、封止部材１１上に保護フィルムを貼付してもよい。また、保護フィルムは、封止部材１１に予め設けられていてもよい。

　上記実施形態では、第１電極層が陽極層、第２電極層が陰極層の形態を一例に説明した。しかし、第１電極層が陰極層、第２電極層が陽極層であってもよい。

　上記実施形態では、有機デバイスとして、有機ＥＬ素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。

　以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されない。

(実施例１）
　下記の構成を有する有機ＥＬ素子を作製した。
ガラス基板／ＩＴＯ層（厚さ４５ｎｍ）／正孔注入層（厚さ３５ｎｍ）／正孔輸送層（厚さ２０ｎｍ）／発光層（厚さ７５ｎｍ）／電子輸送層（厚さ１０ｎｍ）／ＮａＦ層（厚さ４ｎｍ）／Ａｌ層（厚さ１００ｎｍ）

　スパッタリング法により厚さ４５ｎｍのＩＴＯ膜（陽極）を形成し、フォトリソ法にてパターニングしたガラス基板を、ＵＶオゾン洗浄機にてドライクリーニングを行った。その後、正孔注入層として、日産化学工業株式会社製の正孔注入材料ND-3202（固形分濃度：２．０重量％）を、スピンコート法にて膜厚３５ｎｍに成膜した。前記正孔注入材料が成膜された基板を、オゾンが除去された大気雰囲気下でホットプレートにて８０℃で４分間加熱して溶媒を揮発させ、続けてホットプレートにて２３０℃で１５分間熱処理を施した。

　次に、上記に例示した正孔輸送層材料１をキシレンに溶解させたキシレン溶液を用意した。このキシレン溶液における正孔輸送材料１の濃度を０．７重量％とした。次に、大気雰囲気中において、得られたキシレン溶液をスピンコート法によりガラス基板に塗布し、厚さが２０ｎｍの正孔輸送層の塗布膜を成膜した。さらに、酸素濃度及び水分濃度がそれぞれ体積比で１０ｐｐｍ以下に制御された窒素ガス雰囲気中において、１８０℃で６０分間保持して塗布膜を乾燥、焼成した。このことにより、正孔輸送層材料１が架橋し、発光層材料１を溶解させる溶媒に対して不溶化している、正孔輸送層を得た。

　次に、トルエンに上記に例示した発光層の材料である発光層材料１を溶解させたトルエン溶液を用意した。このトルエン溶液における発光層材料１の濃度は３．０重量％とした。大気雰囲気中において、得られたトルエン溶液をスピンコート法によりガラス基板に塗布し、厚さが７５ｎｍの発光層用の塗布膜を成膜した。さらに、酸素濃度及び水分濃度がそれぞれ体積比で１０ｐｐｍ以下に制御された窒素ガス雰囲気中において、１３０℃で１０分間保持して塗布膜を乾燥させることで、発光層を得た。

　次に、上記に例示した電子輸送層の材料である電子輸送層材料１を溶解させた溶液を用意した。溶媒は、下層が溶解しないものを選ぶことができ、極性溶媒を用いた。この極性溶媒溶液における電子輸送材料１の濃度は０．３重量％とした。大気雰囲気中において、得られた極性溶媒溶液をスピンコート法によりガラス基板に塗布し、厚さが１０ｎｍの電子輸送層用の塗布膜を成膜した。さらに、酸素濃度及び水分濃度がそれぞれ体積比で１０ｐｐｍ以下に制御された窒素ガス雰囲気中において、１３０℃で１０分間保持して塗布膜を乾燥させることで、電子輸送層を得た。

　次に、電子輸送層まで形成されたガラス基板上に発光エリアをすべて覆う大きさで、東レ株式会社製の二軸延伸ポリエステル（ＰＥＴ)フィルム（製品名：ルミラー）を電子輸送層に接するように保護フィルムとして配置した。さらに、保護フィルムの上から１／２１ｋｇｆの加圧し電子輸送層と保護フィルムとを密着させた。

　次に、上記のように電子輸送層と保護フィルムとを密着させてから１６時間後に保護フィルムを取り去り、酸素濃度及び水分濃度がそれぞれ体積比で１０ｐｐｍ以下に制御された窒素ガス雰囲気中において、ホットプレートにて１３０℃で１０分間加熱保持した。

　次に、真空チャンバーに基板を移送し、９×１０^－５Ｐａ以下の真空中で、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）を約０．０３ｎｍ／秒の蒸着速度で、厚さ約４ｎｍで蒸着することにより電子注入層を形成した。さらに、アルミニウム（Ａｌ）を約０．４ｎｍ／秒の蒸着速度で、厚さ約２００ｎｍで蒸着して陰極を形成した。その後、封止基板であるガラス基板を用いて封止を行うことで、有機ＥＬ素子を作製した。

（比較例１）
　比較例１では、上記のように電子輸送層と保護フィルムとを密着させてから１６時間後に保護フィルムを取り去り、その後、ホットプレートにて加熱保持を行わないこと以外は、実施例と同様に有機ＥＬ素子を作製した。

（参考例）
　参考例では、上記のように電子輸送層に保護フィルムを配置せず、酸素濃度及び水分濃度がそれぞれ体積比で１０ｐｐｍ以下に制御された窒素ガス雰囲気中において１６時間保管後、ホットプレートにて１３０℃で１０分間加熱保持した以外は、実施例１と同様に有機ＥＬ素子を作製した。

（デバイスの駆動寿命の測定）
　作製した各有機ＥＬ素子に各有機ＥＬ素子の輝度が同じになるように適切な電圧をそれぞれ印加することで、初期輝度とした。次に、各有機ＥＬ素子からのフォトン量（光の強度）をフォトディテクタで測定し、その光の強度が初期よりも７０％に低下するまでの時間を測定した。結果、実施例１では約２５４時間、比較例１では２１時間、比較例２では２５６時間であった。

　実施例１と比較例１とを比較すると、陰極に保護フィルムを密着後、加熱を行わない比較例１は、駆動寿命が短時間になっており、加熱したものは約１２倍と大幅に寿命が延びていることがわかる。一方、保護フィルムを用いない参考例と実施例１は同等の駆動寿命であることから、実施例１は保護フィルムを用いて悪化した駆動寿命特性をほぼ改善できていることが分かった。よって、有機デバイスの特性劣化と、有機デバイスの信頼性低下とを抑制することができた。

　１，１Ａ…有機ＥＬ素子（有機デバイス）、３…支持基板、３ａ…一方の主面、５…陽極層（第１電極層）、７…有機機能層、９…陰極層（第２電極層）、１０…有機機能層付き支持基板、１３，１３Ａ，１３Ｂ…保護フィルム、Ｓ０２…陽極層形成工程（第１形成工程）、Ｓ０３…有機機能層形成工程（第２形成工程）、Ｓ０４…配置工程（巻取工程）、Ｓ０５…巻取工程、Ｓ０６…剥離工程、Ｓ０７…加熱工程、Ｓ０８…陰極層形成工程（第２形成工程）。

Claims (9)

1. 　可撓性を有する支持基板の一方の主面上に、第１電極層、単層又は複層の有機機能層及び第２電極層がこの順番で配置された有機デバイスの製造方法であって、
   　前記支持基板上に、前記第１電極層及び少なくとも一層の前記有機機能層を形成して、有機機能層付き支持基板を製造する第１形成工程と、
   　前記第１形成工程の後、前記有機機能層上に保護フィルムを配置し、前記有機機能層付き支持基板及び前記保護フィルムを巻き取る巻取工程と、
   　巻き取られた前記有機機能層付き支持基板及び前記保護フィルムを送り出し、複層の前記有機機能層を構成する層のうちの前記第１形成工程で形成していない有機機能層、及び前記第２電極層から選ばれる少なくとも一層を形成する前に前記保護フィルムを剥離する剥離工程と、
   　前記剥離工程の後、複層の前記有機機能層を構成する層のうちの前記第１形成工程で形成していない有機機能層、及び前記第２電極層から選ばれる少なくとも一層を形成する前に、前記有機機能層付き支持基板を加熱する加熱工程と、
   　前記加熱工程の後、前記有機機能層付き支持基板上に、複層の前記有機機能層を構成する層のうちの前記第１形成工程で形成していない有機機能層、及び前記第２電極層から選ばれる少なくとも一層を形成する第２形成工程と、を含む、有機デバイスの製造方法。
2. 　前記第２形成工程では、前記第２電極層を、真空蒸着法又はスパッタリング法により形成する、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
3. 　前記加熱工程では、前記有機機能層付き支持基板に赤外線を照射する、請求項１又は２に記載の有機デバイスの製造方法。
4. 　前記加熱工程では、前記有機機能層付き支持基板の前記一方の主面のみを加熱する、請求項１～３のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
5. 　前記加熱工程では、不活性ガス、真空、又はドライエアの雰囲気下で前記有機機能層付き支持基板を加熱する、請求項１～４のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
6. 　前記保護フィルムは、基材及び当該基材に設けられた粘接着部を有しており、
   　前記巻取工程では、前記粘接着部が前記有機機能層と重ならないように、前記保護フィルムを前記有機機能層上に配置する、請求項１～５のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
7. 　前記保護フィルムは、基材及び当該基材に設けられた粘接着部を有しており、
   　前記巻取工程では、前記粘接着部が前記有機機能層における機能発揮領域と重ならないように、前記保護フィルムを前記有機機能層上に配置する、請求項１～５のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
8. 　前記第１形成工程では、前記第１電極層上に有機材料を塗布して乾燥させることにより、前記有機機能層を形成する、請求項１～７のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。
9. 　前記加熱工程から前記第２形成工程まで、真空、不活性ガス、又はドライエアの雰囲気下で、前記有機機能層付き支持基板を搬送させる、請求項１～８のいずれか一項に記載の有機デバイスの製造方法。

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