JP6559758B2 - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電子デバイスの製造方法に関する。

従来の電子デバイスの製造方法として、例えば、特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載の電子デバイスの製造方法では、少なくとも第１の基材と、第１の電極と、エレクトロルミネッセンス層と、第２の電極と、第２の基材とがこの順で積層された構造のデバイスを、この構造の中間部分で分離した二つの部材として製造し、両部材を貼合して形成する。この電子デバイスの製造方法では、少なくとも一方の基材の電極側にハーフカットが施されており、両部材を貼合した後、ハーフカットによる溝を利用して不要部分を除去して少なくとも一方の電極を露出させる。

特開２００８−２６９９６４号公報

従来の電子デバイスの製造方法では、第１の基材と第２の基材とを貼り合わせた後で、不要部分を除去している。このように、従来の方法では、２つの基材を貼り合わせた後にハーフカットによる溝を起点に折り曲げて不要部分を除去するため、作業が煩雑となる。

本発明の一側面は、製造の簡易化が図れる電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る電子デバイスの製造方法は、一方向に延在する支持基板の一方の主面上に、少なくとも第１電極層、機能層及び第２電極層をこの順番で積層した電子デバイス部を、一方向において所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、各電子デバイス部における第１電極層及び第２電極層それぞれの一部が露出し且つ複数の電子デバイス部に跨がるように、一方向に延在する帯状の封止部材を一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、貼合工程の前に、封止部材の母材であり且つ封止部材よりも一方向に直交する幅方向の寸法が大きい封止体に対して、封止部材の幅となるように切り込みを入れる切断工程と、切り込みが入れられた封止体から封止部材を分離させる分離工程と、を含み、貼合工程では、分離工程において封止体から分離した封止部材を貼り合わせる。

本発明の一側面に係る電子デバイスの製造方法では、切断工程において封止体に切り込みを入れ、貼合工程において封止部材を電子デバイス部に貼り合わせる前に、封止体から封止部材を分離する。そして、封止体から分離した封止部材を貼り合わせる。これにより、電子デバイスの製造方法では、封止部材を貼り合わせた後で、不要部分を除去する必要がない。したがって、電子デバイスの製造方法では、製造の簡易化を図ることができる。

一実施形態においては、封止体には、剥離フィルムが設けられており、切断工程の後で且つ貼合工程の前に、剥離フィルムを封止体から剥離する剥離工程を含んでいてもよい。封止部材を貼り合わせる前まで、剥離フィルムが封止体に貼られている。そのため、封止部材に塵埃等が付着することを抑制できる。その結果、塵埃等に起因する電子デバイスの不具合発生を抑制できる。

一実施形態においては、切断工程では、封止体において剥離フィルムが貼合されている一方の面の反対側に位置する他方の面側から、剥離フィルムの厚さ方向に剥離フィルムが分断されないように切り込みを入れてもよい。この方法では、剥離フィルムによって、分離工程において封止体から封止部材が分離されるまで、封止体が一体的に保持される。したがって、剥離フィルムが剥離されるまでは、封止部材となる部分と不要部分とが分離しないため、封止体の扱いが容易になる。

一実施形態においては、剥離工程の後に、分離工程を行ってもよい。この方法では、完全に分断されていない剥離フィルムによって、剥離フィルムが剥離されるまでは、封止体が一体的に保持される。そのため、分離工程が行われる前までに封止部材の位置にずれが生じることを抑制できる。したがって、封止部材を電子デバイス部に貼り合わせるときの封止部材の位置精度の向上を図れる。

一実施形態においては、切断工程の後で且つ分離工程の前に、封止体を保管する保管工程を含み、分離工程では、保管工程において保管されていた封止体から封止部材を分離してもよい。この方法では、予め切り込みを入れて保管しておいた封止体を製造に用いることができる。

一実施形態においては、切断工程の前に、封止体の脱水処理を行う脱水工程を含んでいてもよい。この方法では、封止部材に水分が含まれることを抑制できる。したがって、封止部材に含まれる水分によって電子デバイスに不具合が生じることを抑制できる。

一実施形態においては、切断工程の後で且つ分離工程の前に、封止体の脱水処理を行う脱水工程を含んでいてもよい。この方法では、封止部材に水分が含まれることを抑制できる。したがって、封止部材に含まれる水分によって電子デバイスに不具合が生じることを抑制できる。

本発明の一側面によれば、製造の簡易化が図れる。

図１は、一実施形態に係る電子デバイスの製造方法により製造された有機ＥＬ素子の断面構成を示す図である。 図２は、有機ＥＬ素子の製造方法を示すフローチャートである。 図３は、封止体の断面構成を示す図である。 図４は、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の切断工程を示す図である。 図５は、切断工程において切断する封止体の断面構成を示す図である。 図６は、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の貼合工程を示す図である。 図７は、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の貼合工程を示す図である。 図８は、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の切断工程及び貼合工程を示す図である。 図９は、第３実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の切断工程及び貼合工程を示す図である。 図１０は、切断工程において切断する封止体の断面構成を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

図１に示されるように、本実施形態の電子デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬ素子（電子デバイス）１は、支持基板３と、陽極層（第１電極層）５と、有機機能層（機能層）７と、陰極層（第２電極層）９と、封止部材１１と、を備えている。陽極層５、有機機能層７及び陰極層９は、有機ＥＬ部（電子デバイス部）１０を構成している。

［支持基板］
支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。支持基板３が樹脂の場合は、ロールツーロール方式の連続時の基板ヨレ、シワ、及び伸びの観点から４５μｍ以上、可撓性の観点から１２５μｍ以下が好ましい。

支持基板３は、例えば、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。

支持基板３の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

支持基板３の一方の主面３ａ上には、ガスバリア層、或いは、水分バリア層が配置されていてもよい。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。他方の主面３ｂには、光取り出しフィルムが設けられていてもよい。なお、支持基板３は、薄膜ガラスであってもよい。支持基板３が薄膜ガラスの場合、その厚さは、強度の観点から３０μｍ以上、可撓性の観点から１００μｍ以下が好ましい。

［陽極層］
陽極層５は、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陽極層５には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。

陽極層５として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層５として、上記で挙げられた金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。

陽極層５の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜２００ｎｍである。

陽極層５の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のドライ成膜法、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法を挙げることができる。また、陽極層５は、さらにフォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いてパターンを形成することができる。塗布法を用いて支持基板３上に直接塗布することで、フォトリソ法、ドライエッチング法、レーザートリミング法等を用いることなくパターンを形成することもできる。

［有機機能層］
有機機能層７は、陽極層５の主面（支持基板３に接する面の反対側）上に配置されている。有機機能層７は、発光層を含んでいる。有機機能層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料、或いは該発光材料とこれを補助する発光層用ドーパント材料を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層７を構成する有機物としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料等の蛍光及び／又はりん光を発光する発光材料や、下記の発光層用ドーパント材料等を挙げることができる。

（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。

（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体等を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。

（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。

（発光層用ドーパント材料）
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。

有機機能層７の厚さは、通常２ｎｍ〜２００ｎｍである。有機機能層７は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液（例えばインク）を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。また、上記のような発光材料は、真空蒸着法によって形成されてもよい。

［陰極層］
陰極層９は、有機機能層７の主面（陽極層５に接する面の反対側）上に配置されている。陰極層９の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層９の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。

また、陰極層９としては、例えば、導電性金属酸化物や、導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、ＩＺＯ等を挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層９は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、後述の電子注入層が陰極層９として用いられる場合もある。

陰極層９の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層９の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極層９の形成方法としては、例えば、インクジェット法、スリットコーター法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、スプレーコーター法等の塗布法、真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法等を挙げることができ、真空蒸着法、又はスパッタリング法が好ましい。

陰極層９は、引出部（第２電極層）９ａを有していてもよい。引出部９ａは、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。具体的には、引出部９ａは、支持基板３の一方の主面３ａ上において、陽極層５を離間して（電気的に絶縁して）配置されている。引出部９ａは、陰極層９と電気的に接続されている。引出部９ａは、陽極層５と同様の材料及び形成方法で形成され得る。

［封止部材］
封止部材１１は、有機ＥＬ素子１において最上部に配置されている。封止部材１１は、粘接着部１３と、封止基材１５と、保護部１７とを有している。封止部材１１は、粘接着部１３、封止基材１５及び保護部１７の順番で積層されている。

粘接着部１３は、封止基材１５及び保護部１７を、陽極層５、有機機能層７及び陰極層９から構成される有機ＥＬ部１０に接着させるために用いられる。粘接着部１３は、具体的には、光硬化性又は熱硬化性のアクリレート樹脂、或いは、光硬化性又は熱硬化性のエポキシ樹脂から構成される。その他一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルム、例えばエチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリブタジエン（ＰＢ）フィルム等の熱融着性フィルムを使用することもできる。また、熱可塑性樹脂も使用することができる。

封止基材１５は、金属箔、透明なプラスチックフィルム、或いはフレキブル性を有する薄膜ガラス等からなる。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、又はステンレスが好ましい。金属箔の厚さは、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１０μｍ〜５０μｍが好ましい。保護部１７は、例えば、プラスチックフィルムである。保護部１７の材料としては、例えば、ＰＥＳ、ＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル樹脂等を挙げることができる。保護部１７の厚さは、フレキシブル性を損なわない程度の厚みであればよく、例えば５μｍ〜２００μｍである。

［有機ＥＬ素子の製造方法］
（第１実施形態）
続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の第１実施形態に係る製造方法について、図２を参照して説明する。

支持基板３が可撓性を有し、長手方向（一方向）に延在する基板である形態では、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機ＥＬ素子１を製造する場合、巻出しロール（図示省略）と巻取りロール（図示省略）との間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板３を連続的に搬送ローラ（図示省略）で搬送しながら、各層を支持基板３側から順に形成する。

図２に示されるように、有機ＥＬ素子１を製造する場合、支持基板３を加熱し、乾燥させる（基板乾燥工程Ｓ０１）。次に、乾燥された支持基板３の一方の主面３ａ上に、陽極層５を形成する（陽極層形成工程（形成工程）Ｓ０２）。陽極層５は、陽極層５の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。また、陽極層５の形成と同じタイミングで、引出部９ａを形成する。引出部９ａは、引出部９ａの説明の際に例示した形成方法（陽極層５と同様の形成方法）で形成し得る。

支持基板３上には、陽極層５及び引出部９ａの組が、支持基板３の長手方向において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板３の幅方向（一方向に直交する他方向）において所定の間隔をあけて複数（例えば、２つ）形成される。

続いて、陽極層５上に、有機機能層７を形成する（有機機能層形成工程（形成工程）Ｓ０３）。有機機能層７は、有機機能層７の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。次に、有機機能層７及び引出部９ａ上に、陰極層９を形成する（陰極層形成工程（形成工程）Ｓ０４）。陰極層９は、陰極層９の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。以上により、支持基板３の一方の主面３ａ上には、有機ＥＬ部１０が、支持基板３の長手方向において所定の間隔をあけて複数形成されると共に、支持基板３の幅方向において所定の間隔をあけて複数形成される。つまり、支持基板３の長手方向に沿って、有機ＥＬ部１０の列が複数列（例えば、２列）形成される。

続いて、封止体２０を用意し、封止体２０に切り込みを入れる（切断工程Ｓ０５）。封止体２０は、封止部材１１の母材である。図３に示されるように、封止体２０は、封止部材１１を構成する粘接着部１３、封止基材１５及び保護部１７に加えて、セパレートフィルム（剥離フィルム）１９を有している。セパレートフィルム１９は、粘接着部１３の接着面に貼合されている。セパレートフィルム１９は、例えば、プラスチックフィルムである。セパレートフィルム１９の材料としては、例えば、ＰＥＳ、ＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル樹脂等を挙げることができる。セパレートフィルム１９の厚さは、セパレートフィルム１９を巻き取るための張力に対して破断しない強度を有する厚みであり、且つ、フレキシブル性を損なわない程度の厚みであればよく、例えば１０μｍ〜２００μｍである。

封止体２０の幅は、封止部材１１の幅よりも広い。すなわち、封止体２０の長手方向に直交する幅方向の寸法は、封止部材１１の幅方向の寸法よりも大きい。本実施形態では、例えば、封止体２０の幅は、封止部材１１の幅の２倍以上である。切断工程Ｓ０５では、封止体２０において、封止体２０から得られる封止部材１１の幅が、有機ＥＬ部１０における陽極層５及び陰極層９の引出部９ａそれぞれの一部が露出する幅となるように切り込みを入れる。

図４に示されるように、切断工程Ｓ０５では、切断刃Ｂにより、封止体２０に切り込みを入れる。切断刃Ｂは、例えば、回転刃である。切断工程Ｓ０５では、例えば、封止体２０が巻き取られた巻出しロール３０と巻取りロール３２との間に張り渡された長尺の封止体２０を連続的に搬送ローラＲ１、搬送ローラＲ２及び搬送ローラＲ３で搬送しながら、切断刃Ｂで封止体２０に切り込みを入れる。本実施形態では、封止体２０の中央寄りの位置において、幅方向において所定の間隔をあけて、２つの切断刃Ｂにより封止体２０の２本の切り込みを入れる。このとき、図５に示されるように、セパレートフィルム１９が貼合されている一方の面の反対側に位置する他方の面側、すなわち保護部１７側から切断刃Ｂで封止体２０に切り込みを入れる。切り込みは、後述の分離工程Ｓ０８において封止体２０から封止部材１１が分離できるように、すなわち粘接着部１３、封止基材１５、保護部１７及びセパレートフィルム１９が分離できるように入れる。このとき、セパレートフィルム１９は、厚さ方向に完全に分断されるように、切り込みが入れられる。切り込みが入れられた封止体２０は、巻取りロール３２に巻き取られる。

続いて、図２に示されるように、切り込みが入れられた封止体２０の巻取りロール３２を保管する（保管工程Ｓ０６）。本実施形態では、例えば、巻取りロール３２を保管庫に保管する。保管庫は、例えば、水分濃度の低い環境であることが好ましい。

続いて、図２に示されるように、保管工程Ｓ０６において保管されていた巻取りロール３２を用意し、封止体２０からセパレートフィルム１９を剥離する（剥離工程Ｓ０７）。図６に示されるように、巻取りロール３２から封止体２０を連続的に繰り出し、搬送ローラＲ４、搬送ローラＲ５及び搬送ローラＲ６で搬送しながら、封止体２０からセパレートフィルム１９を剥離する。より詳細には、封止体２０において、封止部材１１として用いられる部分に貼合されているセパレートフィルム１９を剥離する。剥離したセパレートフィルム１９は、例えば、ローラＲ１０に巻き取る。なお、巻取りロール３２から繰り出された封止体２０は、各部（封止部材１１として用いる部分及び不要部分（後述））が一体的に保持された状態で搬送される。封止体２０には、搬送方向において張力が加えられている。そのため、搬送ローラＲ４、搬送ローラＲ５及び搬送ローラＲ６から封止体２０が離間する方向に封止部材１１が移動することが抑制される。また、封止体２０の上記各部は、厚みを有しているため、各部によって幅方向への移動が規制される。したがって、巻取りロール３２から繰り出された封止体２０は、各部が分離しない。そのため、封止体２０は、各部が一体的に保持された状態で搬送される。

なお、剥離工程Ｓ０７の前に、保管工程Ｓ０６において保管されていた封止体２０を脱水処理してもよい（脱水工程）。脱水処理では、封止体２０を加熱する。封止体２０を加熱する装置としては、封止体２０に赤外線を照射する装置、熱風を供給する装置、封止体２０に接触する加熱ローラ、オーブン等を使用することができる。封止体２０の脱水処理は、窒素雰囲気で行われることが好ましい。

続いて、図２に示されるように、セパレートフィルム１９が剥離された封止体２０から封止部材１１を分離する（分離工程Ｓ０８）。具体的には、セパレートフィルム１９が剥離された封止体２０において、切断工程Ｓ０５で入れた切り込みに沿って、封止部材１１と、不要部分（封止部材１１として用いる部分以外の部分）とに分離し、不要部分を取り除く。図６に示されるように、分離工程Ｓ０８では、巻取りロール３２からローラＲ７を介して、封止体２０の不要部分を取り除く。取り除いた封止体２０の不要部分は、例えば、図示しないローラに巻き取る。これにより、封止体２０から封止部材１１が分離される。

続いて、図２に示されるように、封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせる（貼合工程Ｓ０９）。具体的には、封止部材１１は、図７に示されるように、陽極層５の一部及び陰極層９の引出部９ａそれぞれの一部が露出し且つ複数の有機ＥＬ部１０に跨がるように、有機ＥＬ部１０上に貼付される。具体的には、封止部材１１は、複数の有機ＥＬ部１０に跨るように長手方向に沿って貼付される。

図６に示されるように、ロールツーロール方式では、有機ＥＬ部１０が形成された支持基板１２（以下、有機ＥＬ部付き支持基板１２）を巻出しロール３４から繰り出し、有機ＥＬ部付き支持基板１２を搬送しながら、有機ＥＬ部１０と封止部材１１とを貼り合わせる。有機ＥＬ部付き支持基板１２と封止部材１１とは、ローラＲ８とローラＲ９との間を通過する。これにより、有機ＥＬ部付き支持基板１２及び封止部材１１は、ローラＲ８及びローラＲ９によって、圧力が付与され、粘接着部１３と有機ＥＬ部１０とが密着する。なお、ローラＲ８及びローラＲ９、或いはローラＲ８又はローラＲ９に加熱機構を設けてもよい。有機ＥＬ部１０と封止部材１１とを貼り合わせるときは、水分濃度の低い環境で行うことが好ましく、特に窒素雰囲気で行われることが好ましい。

なお、有機ＥＬ部１０に対する封止部材１１の位置合わせは、有機ＥＬ部付き支持基板１２の幅方向の端の位置情報を検出すると共に封止体２０の幅方向の端の位置情報を検出し、それぞれの端の位置情報に基づいて、有機ＥＬ部付き支持基板１２又は封止体２０を有機ＥＬ部付き支持基板１２又は封止体２０の幅方向に移動させることにより行う。

続いて、図２に示されるように、封止部材１１が貼合された複数の有機ＥＬ部１０を個片化する（裁断工程Ｓ１０）。以上により、図１に示される有機ＥＬ素子１が製造される。

以上説明したように、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程Ｓ０５において封止体２０に切り込みを入れ、貼合工程Ｓ０９において封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせる前に、分離工程Ｓ０８において封止体２０から封止部材１１を分離する。そして、封止体２０から分離した封止部材１１を貼り合わせる。これにより、有機ＥＬ素子１の製造方法では、封止部材１１を貼り合わせた後で、不要部分を除去する必要がない。したがって、有機ＥＬ素子１の製造方法では、製造の簡易化を図ることができる。

また、有機ＥＬ素子１の製造方法では、貼合工程Ｓ０９において封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせる直前まで、複数の封止部材１１を含む一枚の封止体２０として扱う。したがって、有機ＥＬ部付き支持基板１２の幅方向において複数列に有機ＥＬ部１０を形成する場合、封止体２０と有機ＥＬ部付き支持基板１２との位置合わせを行うことにより、有機ＥＬ部１０に対する封止部材１１の位置合わせを一度に行うことができる。したがって、有機ＥＬ部１０に対して封止部材１１を一列ずつ位置合わせする必要がないため、製造工程及び装置の簡易化を図ることができる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、セパレートフィルム１９が設けられている封止体２０を用いる。本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程Ｓ０５（保管工程Ｓ０６）の後で且つ貼合工程Ｓ０９の前に、セパレートフィルム１９を封止体２０から剥離する剥離工程Ｓ０７を含んでいる。この方法では、封止部材１１を貼り合わせる前まで、セパレートフィルム１９が封止体２０に貼られている。そのため、封止部材１１に塵埃等が付着することを抑制できる。その結果、塵埃等に起因する有機ＥＬ素子１の不具合発生を抑制できる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程Ｓ０５の後で且つ分離工程Ｓ０８（剥離工程Ｓ０７）の前に、封止体２０を保管する保管工程Ｓ０６を含む。分離工程Ｓ０８では、保管工程Ｓ０６において保管されていた封止体２０から封止部材１１を分離する。この方法では、予め切り込みを入れて保管しておいた封止体２０を製造に用いることができる。

本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程Ｓ０５の後で且つ分離工程Ｓ０８の前に、封止体２０の脱水処理を行う。この方法では、封止部材１１に水分が含まれることを抑制できる。したがって、封止部材１１に含まれる水分によって有機ＥＬ素子１に不具合が生じることを抑制できる。

（第２実施形態）
続いて、有機ＥＬ素子１の第２実施形態に係る製造方法について、図８を参照して説明する。第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、基板乾燥工程Ｓ０１から陰極層形成工程Ｓ０４までは、第１実施形態と同様の工程である。

第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程、剥離工程、分離工程及び貼合工程が連続して行われる。図８に示されるように、切断工程では、封止体２０が巻き取られた巻出しロール３０から封止体２０を連続的に繰り出し、搬送ローラＲ２及び搬送ローラＲ６で搬送しながら、切断刃Ｂで封止体２０に切り込みを入れる。

続いて、剥離工程では、封止体２０からセパレートフィルム１９を剥離する。図８に示されるように、切り込みが入れられた封止体２０からセパレートフィルム１９を剥離する。より詳細には、封止体２０において、封止部材１１として用いられる部分に貼合されているセパレートフィルム１９を剥離する。剥離したセパレートフィルム１９は、例えば、ローラＲ１０に巻き取る。なお、切り込みが入れられた封止体２０は、各部（封止部材１１として用いる部分及び不要部分）が一体的に保持された状態で搬送される。封止体２０には、搬送方向において張力が加えられている。そのため、搬送ローラＲ６から封止体２０が離間する方向に封止部材１１が移動することが抑制される。また、封止体２０の上記各部は、厚みを有しているため、各部によって幅方向への移動が規制される。したがって、巻取りロール３２から繰り出された封止体２０は、各部が分離しない。そのため、封止体２０は、各部が一体的に保持された状態で搬送される。

続いて、分離工程では、セパレートフィルム１９が剥離された封止体２０から封止部材１１を分離する。具体的には、セパレートフィルム１９が剥離された封止体２０において、切断工程で入れた切り込みに沿って、封止部材１１と不要部分とに分離し、不要部分を取り除く。図８に示されるように、ローラＲ７を介して、封止体２０の不要部分を取り除く。取り除いた封止体２０の不要部分は、例えば、図示しないローラに巻き取る。これにより、封止体２０から封止部材１１が分離される。

続いて、貼合工程では、封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせる。具体的には、封止部材１１は、陽極層５の一部及び陰極層９の引出部９ａの一部が露出し且つ複数の有機ＥＬ部１０に跨がるように、有機ＥＬ部１０上に貼付される。そして、封止部材１１が貼合された複数の有機ＥＬ部１０を個片化する。以上により、図１に示される有機ＥＬ素子１が製造される。

以上説明したように、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、第１実施形態と同様に、切断工程Ｓ０５において封止体２０に切り込みを入れ、貼合工程Ｓ０９において封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせる前に、封止体２０から封止部材１１を分離する。そして、封止体２０から分離した封止部材１１を貼り合わせる。これにより、有機ＥＬ素子１の製造方法では、封止部材１１を貼り合わせた後で、不要部分を除去する必要がない。したがって、有機ＥＬ素子１の製造方法では、製造の簡易化を図ることができる。

また、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程、剥離工程、分離工程及び貼合工程を連続して行う。そのため、部材を一時的に巻き取るために必要となる装置等（例えば、巻取りロールを作製するための装置等）が不要となるため、装置の簡易化を図ることができる。

（第３実施形態）
続いて、有機ＥＬ素子１の第３実施形態に係る製造方法について、図９を参照して説明する。第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、基板乾燥工程Ｓ０１から陰極層形成工程Ｓ０４までは、第１実施形態と同様の工程である。

第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程、剥離工程、分離工程及び貼合工程が連続して行われる。図９に示されるように、切断工程では、封止体２０が巻き取られた巻出しロール３０から封止体２０を連続的に繰り出し、搬送ローラＲ２及び搬送ローラＲ６で搬送しながら、切断刃Ｂで封止体２０に切り込みを入れる。図１０に示されるように、切断工程では、セパレートフィルム１９が貼合されている一方の面の反対側に位置する他方の面側、すなわち保護部１７側から切断刃Ｂで封止体２０に切り込みを入れる。切り込みは、後述の分離工程Ｓ０８において封止体２０から封止部材１１が分離でき、すなわち粘接着部１３、封止基材１５及び保護部１７が分離でき、且つセパレートフィルム１９の厚さ方向にセパレートフィルム１９が完全に分断されないように入れる。図１０では、セパレートフィルム１９にハーフカットとなるように切り込みを入れているが、セパレートフィルム１９に切り込みが入っていなくてもよい。また、セパレートフィルム１９の切り込みの深さは、セパレートフィルム１９が完全に分断されない深さであればよく、例えば、セパレートフィルム１９の厚さの０．０１〜０．９９倍が挙げられる。

続いて、剥離工程では、封止体２０からセパレートフィルム１９を剥離する。図９に示されるように、切り込みが入れられた封止体２０からセパレートフィルム１９を剥離する。より詳細には、封止体２０に貼合されているセパレートフィルム１９を全て剥離する。剥離したセパレートフィルム１９は、例えば、ローラＲ１０に巻き取る。

続いて、分離工程では、封止体２０から封止部材１１を分離する。具体的には、封止体２０において、封止部材１１と不要部分とに分離し、不要部分を取り除く。図９に示されるように、ローラＲ７を介して、封止体２０の不要部分（封止部材１１）を取り除く。取り除いた封止体２０の不要部分は、例えば、図示しないローラに巻き取る。これにより、封止体２０から封止部材１１が分離される。

続いて、貼合工程では、封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせる。具体的には、封止部材１１は、陽極層５の一部及び陰極層９の引出部９ａの一部が露出し且つ複数の有機ＥＬ部１０に跨がるように、有機ＥＬ部１０上に貼付される。そして、封止部材１１が貼合された複数の有機ＥＬ部１０を個片化する。以上により、図１に示される有機ＥＬ素子１が製造される。

以上説明したように、第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、第１実施形態と同様に、切断工程Ｓ０５において封止体２０に切り込みを入れ、貼合工程Ｓ０９において封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせる前に、封止体２０から封止部材１１を分離する。そして、封止体２０から分離した封止部材１１を貼り合わせる。これにより、有機ＥＬ素子１の製造方法では、封止部材１１を貼り合わせた後で、不要部分を除去する必要がない。したがって、有機ＥＬ素子１の製造方法では、製造の簡易化を図ることができる。

また、第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、切断工程では、封止体２０においてセパレートフィルム１９が貼合されている一方の面の反対側に位置する他方の面側から、セパレートフィルム１９の厚さ方向にセパレートフィルム１９が分断されないように前記切り込みを入れる。この方法では、セパレートフィルム１９によって、分離工程において封止体２０から封止部材１１が分離されるまで、封止体２０が一体的に保持される。したがって、封止部材１１となる部分と不要部分とが分離しないため、封止体２０の扱いが容易になる。

第３実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法では、剥離工程の後に、分離工程を行う。この方法では、完全に分断されていないセパレートフィルム１９によって、セパレートフィルム１９が剥離されるまでは、封止体２０が一体的に保持される。そのため、分離工程が行われる前までに封止部材１１の位置にずれが生じることを抑制できる。したがって、封止部材１１を有機ＥＬ部１０に貼り合わせるときの封止部材１１の位置精度の向上を図れる。

第３実施形態においては、切り込みが入れられた封止体２０を巻き取って巻取りロールを作製し、巻取ロールを保管してもよい。この場合、剥離工程では、保管されていた巻取りロールを用意し、封止体２０からセパレートフィルム１９を剥離する。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層を含む有機機能層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層７の構成はこれに限定されない。有機機能層７は、以下の構成を有していてもよい。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。

正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層７と同様に塗布法により形成できる。

ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機ＥＬ素子１の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜であることが好ましく、その厚さは、例えば、０．５ｎｍ〜１０ｎｍであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、２ｎｍ〜７ｎｍであることが好ましい。

有機ＥＬ素子１は、単層の有機機能層７を有していてもよいし、２層以上の有機機能層７を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層

ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。

また、「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層

記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。

上記実施形態では、第１電極層が陽極層５、第２電極層が陰極層９である形態を一例に説明した。しかし、第１電極層が陰極層、第２電極層が陽極層であってもよい。

上記実施形態では、支持基板３上に陽極層５を形成する形態を一例に説明した。しかし、支持基板３上に陽極層５を予め形成したロールを用いてもよい。

上記実施形態では、有機ＥＬ素子１の製造方法において、支持基板３を加熱して乾燥させる工程を実施する形態を一例に説明した。しかし、支持基板３の乾燥工程は必ずしも実施しなくてもよい。

上記実施形態では、支持基板３上に、支持基板３の長手方向において所定の間隔をあけて有機ＥＬ部１０を複数形成すると共に、支持基板３の幅方向において所定の間隔をあけて有機ＥＬ部１０を複数形成する形態を一例に説明した。つまり、支持基板３上に有機ＥＬ部１０を複数列形成する形態を一例に説明した。しかし、有機ＥＬ部１０は、少なくとも、支持基板３上に１列形成されればよい。

上記実施形態では、有機ＥＬ部付き支持基板１２の幅方向の端の位置情報を検出すると共に封止体２０の幅方向の端の位置情報を検出し、それぞれの端の位置情報に基づいて、有機ＥＬ部付き支持基板１２又は封止体２０を有機ＥＬ部付き支持基板１２又は封止体２０の幅方向に移動させることにより、有機ＥＬ部１０に対する封止部材１１の位置合わせを行う形態を一例に説明した。しかし、有機ＥＬ部１０に対する封止部材１１の位置合わせ方法はこれに限定されない。例えば、有機ＥＬ部１０に対する封止部材１１の位置合わせは、有機ＥＬ部付き支持基板１２上に設けられたアライメントマークをカメラにて撮像された画像に基づいてアライメントマークの位置情報を検出すると共に、封止体２０に設けられたアライメントマークをカメラにて撮像された画像に基づいてアライメントマークの位置情報を検出し、それぞれのアライメントマークの位置情報に基づいて、有機ＥＬ部付き支持基板１２及び封止体２０の少なくとも一方を有機ＥＬ部付き支持基板１２又は封止体２０の幅方向に移動させることにより行ってもよい。

また、有機ＥＬ部１０に対する封止部材１１の位置合わせは、有機ＥＬ部付き支持基板１２の幅方向の端の位置情報を検出すると共に封止体２０に設けられたアライメントマークの位置情報を検出し、それらの検出結果に基づいて行ってもよいし、有機ＥＬ部付き支持基板１２上に設けられたアライメントマークの位置情報を検出すると共に封止体２０の幅方向の端の位置情報を検出し、それらの検出結果に基づいて行ってもよい。また、有機ＥＬ部付き支持基板１２の幅方向の端の位置情報を検出し、有機ＥＬ部付き支持基板１２の幅方向の端の位置情報に基づいて有機ＥＬ部付き支持基板１２の位置の調整を行った後に、有機ＥＬ部付き支持基板１２上に設けられたアライメントマークの位置情報を検出してもよい。同様に、封止体２０の幅方向の端の位置情報を検出し、封止体２０の幅方向の端の位置情報に基づいて封止体２０の位置の調整を行った後に、封止体２０に設けられたアライメントマークの位置情報を検出してもよい。

上記実施形態では、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法において、剥離工程Ｓ０７と分離工程Ｓ０８との間に、封止体２０の脱水処理を行う形態を一例に説明した。しかし、封止体２０の脱水処理は、他のタイミングで行ってもよい。例えば、封止体２０の脱水処理は、切断工程の前に行ってもよい。つまり、脱水処理を行った封止体２０に切り込みを入れてもよい。封止体２０の脱水処理は、切断工程の前に行う場合、封止体２０が水分を再吸収又は再吸着することを抑制するため、低湿度の環境下で切断工程を実施することが好ましい。

第２実施形態及び第３実施形態のように、切断工程、剥離工程、分離工程及び貼合工程を一つの装置で連続して行う場合においては、脱水処理は、例えば剥離工程の前に行われる。この場合、脱水時（加熱時）に封止体２０に張力を加える必要があり、封止体２０に変形が生じたり、他の工程とは異なる張力を封止体２０に加える機構を設ける必要が生じる。また、脱水処理において生じた水分が他の工程に流入しないように、各工程における装置内の気圧を制御する機構を設ける必要がある。そのため、装置の構成が複雑化しやすい。脱水処理を切断工程の前に行う場合には、上記の問題が生じない。そのため、第２実施形態及び第３実施形態のように、一つの装置において各工程を連続して実施する方法では、切断工程の前に脱水処理を行うことが特に有効である。

上記実施形態では、有機ＥＬ素子１の製造方法において、剥離工程Ｓ０７の後に分離工程Ｓ０８を実施する形態を一例に説明した。しかし、分離工程の後に剥離工程を実施してもよい。すなわち、封止体２０から封止部材１１を分離させてから、封止部材１１のセパレートフィルム１９を剥離してもよい。また、剥離工程Ｓ０７と分離工程Ｓ０８とは、同時に実施してもよい。

上記実施形態では、封止体２０にセパレートフィルム１９が設けられている形態を一例に説明した。しかし、封止体には、セパレートフィルムが設けられていなくてもよい。

上記実施形態では、切断工程において、保護部１７側から切断刃Ｂによって切り込みを入れる形態を一例に説明した。しかし、粘接着部１３（セパレートフィルム１９を有する場合にはセパレートフィルム１９）側から切断刃Ｂによって切り込みを入れてもよい。

上記実施形態では、封止部材１１及び封止体２０に保護部１７が設けられている形態を一例に説明した。しかし、封止部材１１及び封止体２０には、保護部１７が設けられていなくてもよい。

上記実施形態では、切断刃Ｂによって封止体２０に切り込みを入れる形態を一例に説明した。しかし、封止体２０に切り込みを入れる方法としては、例えば、レーザー光（炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー等）を用いることができる。

上記実施形態に加えて、搬送ローラＲ６とローラＲ８及びローラＲ９との間に、封止部材１１を搬送するローラを更に備えていてもよい。当該ローラは、１〜３本設置されることが好ましい。この構成では、封止体２０から不要部分を分離するローラＲ７は、ローラＲ８及びローラＲ９の直前に配置されることが好ましい。この場合、一体的に保持された状態で搬送される封止体２０から封止部材１１が分離された直ぐ後に封止部材１１が貼合されるため、封止部材１１の位置のずれを抑制できる。

上記実施形態では、電子デバイスとして、有機ＥＬ素子を一例に説明した。電子デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等の有機電子デバイスであってもよく、液晶ディスプレイ等の無機材料を用いた電子デバイスであってもよい。また、上記実施形態では、機能層として有機材料を含む有機機能層を一例に説明したが、機能層は有機材料を含んでいなくてもよい。

１…有機ＥＬ素子（電子デバイス）、３…支持基板、３ａ…一方の主面、５…陽極層（第１電極層）、７…有機機能層（機能層）、９…陰極層（第２電極層）、１０…有機ＥＬ部（電子デバイス部）、１１…封止部材、１９…セパレートフィルム（剥離フィルム）、２０…封止体、Ｓ０２…陽極層形成工程（形成工程）、Ｓ０３…有機機能層形成工程（形成工程）、Ｓ０４…陰極層形成工程（形成工程）、Ｓ０５…切断工程、Ｓ０６…保管工程、Ｓ０７…剥離工程、Ｓ０８…分離工程、Ｓ０９…貼合工程。

Claims (6)

1. 一方向に延在する支持基板の一方の主面上に、少なくとも第１電極層、機能層及び第２電極層をこの順番で積層した電子デバイス部を、前記一方向において所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、
   各前記電子デバイス部における前記第１電極層及び前記第２電極層それぞれの一部が露出し且つ複数の前記電子デバイス部に跨がるように、前記一方向に延在する帯状の封止部材を前記一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、
   前記貼合工程の前に、前記封止部材の母材であり且つ前記封止部材よりも前記一方向に直交する幅方向の寸法が大きいと共に剥離フィルムが設けられている封止体に対して、前記封止部材の幅となるように切り込みを入れる切断工程と、
   前記切り込みが入れられた前記封止体から前記封止部材を分離させる分離工程と、
   前記切断工程の後で且つ前記貼合工程の前に、前記剥離フィルムを前記封止体から剥離する剥離工程と、を含み、
   前記切断工程では、前記封止体において前記剥離フィルムが貼合されている一方の面の反対側に位置する他方の面側から、前記剥離フィルムの厚さ方向に前記剥離フィルムが分断されないように前記切り込みを入れ、
   前記貼合工程では、前記分離工程において前記封止体から分離した前記封止部材を貼り合わせる、電子デバイスの製造方法。
2. 前記剥離工程の後に、前記分離工程を行う、請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
3. 前記切断工程の後で且つ前記分離工程の前に、前記封止体を保管する保管工程を含み、
   前記分離工程では、前記保管工程において保管されていた前記封止体から前記封止部材を分離する、請求項１又は２に記載の電子デバイスの製造方法。
4. 前記切断工程の前に、前記封止体の脱水処理を行う脱水工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
5. 前記切断工程の後で且つ前記分離工程の前に、前記封止体の脱水処理を行う脱水工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子デバイスの製造方法。
6. 一方向に延在する支持基板の一方の主面上に、少なくとも第１電極層、機能層及び第２電極層をこの順番で積層した電子デバイス部を、前記一方向において所定の間隔をあけて複数形成する形成工程と、
   各前記電子デバイス部における前記第１電極層及び前記第２電極層それぞれの一部が露出し且つ複数の前記電子デバイス部に跨がるように、前記一方向に延在する帯状の封止部材を前記一方向に沿って貼り合わせる貼合工程と、
   前記貼合工程の前に、前記封止部材の母材であり且つ前記封止部材よりも前記一方向に直交する幅方向の寸法が大きい封止体に対して、前記封止部材の幅となるように切り込みを入れる切断工程と、
   前記切り込みが入れられた前記封止体から前記封止部材を分離させる分離工程と、を含み、
   前記分離工程では、前記貼合工程の直前に前記封止体から前記封止部材を分離させ、
   前記貼合工程では、前記分離工程において前記封止体から分離した前記封止部材を貼り合わせる、電子デバイスの製造方法。

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