JP2017185666A - フィルムの製造方法、フィルム製造装置及び有機デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】支持基板の変形を回復することにより、品質の向上を図れるフィルムの製造方法、フィルム製造装置及び有機デバイスの製造方法の提供。【解決手段】フィルム３を表面温度Ｔ１の第１ロール３０により加熱する加熱工程と、加熱工程の後に、複数の第２ロール３２によりフィルムを表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却工程と、を含み、第１ロールの表面温度Ｔ１は、フィルムの材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３〜１．０５倍であり、終点温度Ｔｆは、ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８〜１倍であり、フィルムの搬送方向において一の第２ロールに隣接し且つ一の第２ロールよりも下流側に設けられた他の第２ロールの表面温度は、以下の式を満たすフィルムの製造方法。（他の第２ロールの表面温度）≦（一の第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ【選択図】図３

Description

本発明は、フィルムの製造方法、フィルム製造装置及び有機デバイスの製造方法に関する。

従来の有機デバイスの製造方法としては、例えば、特許文献１に記載されている方法が知られている。特許文献１に記載の有機デバイスの製造方法では、ロールツーロール方式により、可撓性を有するプラスチックの支持基板上に、第１電極層、有機機能層、第２電極層及び封止層を形成する。有機機能層は、有機材料を含む発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、活性層、半導体層、絶縁層等の種々の機能層を有する。有機機能層は、有機材料を含む溶液を第１電極層上に塗布し、加熱処理によって有機材料を硬化させることにより形成されている。

特開２００６−２９４５３６号公報

しかしながら、従来の有機デバイスの製造方法では、例えば、有機機能層を形成する工程において加熱処理によりプラスチックフィルムである支持基板が加熱されると、支持基板の熱収縮によって、支持基板にしわ等の変形が生じるおそれがある。支持基板の変形を生じたままにすると、支持基板の意匠性が低下したり、溶液を塗布した場合に溶液が流動し、支持基板上に形成される各層を均一に形成させることが困難になったりすることがある。そのため、支持基板（プラスチックフィルム）の品質が低下し、ひいては支持基板上に形成される有機デバイス部等の品質が低下するおそれがある。

本発明は、支持基板の変形を回復することにより、品質の向上を図れるフィルムの製造方法、フィルム製造装置及び有機デバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係るフィルムの製造方法は、一方向に延在するプラスチックのフィルムに当該一方向に張力を与えてフィルムを搬送すると共に、フィルムを表面温度Ｔ１の第１ロールにより加熱する加熱工程と、加熱工程の後に、複数の第２ロールによりフィルムを表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却工程と、を含み、第１ロールの表面温度Ｔ１は、フィルムの材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、終点温度Ｔｆは、ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、フィルムの搬送方向において一の第２ロールに隣接し且つ一の第２ロールよりも下流側に設けられた他の第２ロールの表面温度は、以下の式を満たす。
（他の第２ロールの表面温度）≦（一の第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ

本発明のフィルムの製造方法では、上記条件でフィルムを加熱及び冷却することにより、フィルムのしわ等の変形を補正できる。特に、他の第２ロールの表面温度を、上記の式を満たす温度にすることにより、フィルムが急速に冷却されることを抑制できる。そのため、急速な冷却による熱収縮によってフィルムに新たな変形が生じることを抑制できる。したがって、本発明のフィルムの製造方法では、フィルムの品質の向上を図れる。

一実施形態においては、終点温度Ｔｆは、一の第２ロールの表面温度以下であってもよい。これにより、急速な冷却による熱収縮によってフィルムに新たな変形が生じることをより一層抑制できる。

一実施形態においては、冷却工程では、第２ロールにフィルムを接触させて、フィルムを搬送しつつフィルムを終点温度Ｔｆまで冷却してもよい。これにより、第２ロールによりフィルムを直接冷却するため、フィルムを効果的に冷却できる。

一実施形態においては、冷却工程では、少なくとも１つの第２ロールの表面から放出される気体をフィルムに吹き付け、フィルムと第２ロールとを接触させず終点温度Ｔｆまでフィルムを冷却してもよい。これにより、フィルムと非接触でフィルムを冷却できる。そのため、例えば、フィルム上に素子等の物体が形成されている場合、物体と第２ロールとを接触させることなく、フィルムを冷却できる。したがって、物体の破損を抑制しつつ、フィルムを冷却できる。

一実施形態においては、冷却工程では、表面温度Ｔ１から終点温度Ｔｆまで段階的に温度を低くしてもよい。これにより、フィルムが徐々に冷却されるため、フィルムの急激な冷却による熱収縮によりフィルムに変形が生じることを抑制できる。

本発明の一側面に係るフィルム製造装置は、一方向に延在するフィルムに当該一方向に張力を与えて前記フィルムを搬送すると共に、フィルムを表面温度Ｔ１の第１ロールにより加熱する加熱機構と、加熱機構により加熱されたフィルムを、複数の第２ロールによって表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却機構と、を備え、第１ロールの表面温度Ｔ１は、フィルムの材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、終点温度Ｔｆは、ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、フィルムの搬送方向において一の第２ロールに隣接し且つ一の第２ロールよりも下流側に設けられた他の第２ロールの表面温度は、以下の式を満たす。
（他の第２ロールの表面温度）≦（一の第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ

本発明のフィルム製造装置では、上記条件でフィルムを加熱及び冷却することにより、フィルムのしわ等の変形を補正できる。特に、他の第２ロールの表面温度を、上記の式を満たす温度にすることにより、フィルムが急速に冷却されることを抑制できる。そのため、急速な冷却による熱収縮によってフィルムに新たな変形が生じることを抑制できる。したがって、本発明のフィルム製造装置では、フィルムの品質の向上を図れる。

本発明の一側面に係る有機デバイスの製造方法は、一方向に延在するプラスチックフィルムである支持基板上に第１電極層、有機機能層、及び第２電極層をこの順番に積層してなる有機デバイス部を有する有機デバイスの製造方法であって、支持基板の変形を補正する変形補正工程を含み、変形補正工程は、支持基板に一方向に張力を与えて支持基板を搬送すると共に、支持基板を表面温度Ｔ１の第１ロールにより加熱する加熱工程と、加熱工程の後に、複数の第２ロールにより支持基板を表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却工程と、を含み、第１ロールの表面温度Ｔ１は、支持基板の材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、終点温度Ｔｆは、ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、支持基板の搬送方向において一の第２ロールに隣接し且つ一の第２ロールよりも下流側に設けられた他の第２ロールの表面温度は、以下の式を満たす。
（他の第２ロールの表面温度）≦（一の第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ

本発明の有機デバイスの製造方法では、上記条件で支持基板を加熱及び冷却することにより、支持基板のしわ等の変形を補正できる。特に、他の第２ロールの表面温度を、上記の式を満たす温度にすることにより、支持基板が急速に冷却されることを抑制できる。そのため、急速な冷却による熱収縮によって支持基板に新たな変形が生じることを抑制できる。したがって、支持基板の変形に起因する有機デバイス部の不具合を抑制できると共に意匠性の低下を抑制でき、有機デバイスの品質の向上を図れる。

一実施形態においては、変形補正工程の前に、支持基板を乾燥させる乾燥工程を含んでいてもよい。支持基板は、乾燥工程において加熱されることにより変形し得る。そのため、乾燥工程の後に変形補正工程を行うことにより、支持基板の変形に起因する不具合を抑制できる。

一実施形態においては、有機材料を含む溶液を塗布した後に溶液を乾燥、又は、溶液を塗布した後に溶液を乾燥させ更に加熱することにより有機機能層を形成する有機機能層形成工程を含み、有機機能層形成工程の後に、変形補正工程を行ってもよい。支持基板は、有機機能層形成工程において加熱されることにより変形し得る。そのため、有機機能層形成工程の後に変形補正工程を行うことにより、支持基板の変形に起因する不具合を抑制できる。

一実施形態においては、加熱工程では、支持基板において有機機能層が形成された一方の主面とは反対側の他方の主面と前記第１ロールとを接触させて支持基板を加熱し、冷却工程では、一方の主面と対向する位置に配置された第２ロールの表面から放出される気体をフィルムに吹き付け、支持基板と第２ロールとを接触させずに支持基板を冷却すると共に、他の主面と対向する位置に配置された第２ロールを他の主面と接触させて支持基板を冷却してもよい。この構成では、第１ロールと支持基板の他方の主面とを接触させて支持基板を加熱するため、支持基板を確実に加熱できる。また、一方の主面と対向する第２ロールが支持基板と非接触で支持基板を冷却するため、支持基板上に形成された有機機能層の破損等を防止できる。更に、他方の主面と対向する第２ロールが支持基板と接触するため、支持基板を確実に冷却できる。したがって、プラスチックフィルムである支持基板の変形を適切に補正できる。

本発明によれば、支持基板の変形を回復することにより、品質の向上を図れる。

一実施形態に係る有機デバイスの製造方法によって製造された有機ＥＬ素子の断面図である。 ロールツーロール方式による有機デバイスの製造方法を模式的に示す図である。 第１実施形態に係る有機デバイスの製造方法に用いられる変形補正装置を模式的に示す図である。 第１実施形態に係る有機デバイスの製造方法における評価結果を示す図である。 第１実施形態に係る有機デバイスの製造方法における評価結果を示す図である。 第２実施形態に係る有機デバイスの製造方法に用いられる変形補正装置を模式的に示す図である。 第２実施形態に係る有機デバイスの製造方法における評価結果を示す図である。 第２実施形態に係る有機デバイスの製造方法における評価結果を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。

図１に示されるように、本実施形態の有機デバイスの製造方法によって製造される有機ＥＬ素子１は、支持基板３と、陽極層（第１電極層）５と、有機機能層７と、陰極層（第２電極層）９と、封止層１１と、を備えている。陽極層５、有機機能層７及び陰極層９は、有機ＥＬ部（有機デバイス部）１３を構成している。

［支持基板］
支持基板３は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する樹脂から構成されている。支持基板３は、フィルム状の基板（フレキシブル基板、可撓性を有する基板）である。支持基板３の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下である。支持基板３が樹脂の場合は、ロールツーロールの連続時の基板ヨレ、シワ、伸びの観点からは４５μｍ以上、可撓性の観点からは１２５μｍ以下が好ましい。

支持基板３は、プラスチックフィルムである。支持基板３の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂を含む。

支持基板３の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレート、又はポリエチレンナフタレートが特に好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

支持基板３の一方の主面３ａ上には、有機ＥＬ部１３が形成される。支持基板３の他方の主面３ｂは、発光面である。他方の主面３ｂには、光取り出しフィルムが貼付されていてもよい。

［陽極層］
陽極層５は、支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陽極層５には、光透過性を示す電極層が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、及び銅等からなる薄膜が用いられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズからなる薄膜が好適に用いられる。

陽極層５として、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物の透明導電膜を用いてもよい。また、陽極層５として、金属又は金属合金等をメッシュ状にパターニングした電極、或いは、銀を含むナノワイヤーがネットワーク状に形成されている電極を用いてもよい。

陽極層５の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定することができる。陽極層５の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極層５の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法及び塗布法等を挙げることができる。

［有機機能層］
有機機能層７は、陽極層５の主面（支持基板３に接する面の反対側）及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。有機機能層７は、発光層を含んでいる。有機機能層７は、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、或いは該有機物とこれを補助する発光層用ドーパント材料（を含む。発光層用ドーパント材料は、例えば発光効率を向上させたり、発光波長を変化させたりするために加えられる。なお、有機物は、低分子化合物であってもよいし、高分子化合物であってもよい。有機機能層７を構成する発光材料としては、例えば下記の色素材料、金属錯体材料、高分子材料、発光層用ドーパント材料を挙げることができる。

（色素材料）
色素材料としては、例えばシクロペンダミン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体、トリフェニルアミン及びその誘導体、オキサジアゾール及びその誘導体、ピラゾロキノリン及びその誘導体、ジスチリルベンゼン及びその誘導体、ジスチリルアリーレン及びその誘導体、ピロール及びその誘導体、チオフェン化合物、ピリジン化合物、ペリノン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、オリゴチオフェン及びその誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体等を挙げることができる。

（金属錯体材料）
金属錯体材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｐｔ、Ｉｒ等を中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を配位子に有する金属錯体を挙げることができる。金属錯体としては、例えばイリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体等を挙げることができる。

（高分子材料）
高分子材料としては、例えばポリパラフェニレンビニレン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体、ポリパラフェニレン及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、ポリアセチレン及びその誘導体、ポリフルオレン及びその誘導体、ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、上記色素材料、又は金属錯体材料を高分子化した材料等を挙げることができる。

（発光層用ドーパント材料）
発光層用ドーパント材料としては、例えばペリレン及びその誘導体、クマリン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、キナクリドン及びその誘導体、スクアリウム及びその誘導体、ポルフィリン及びその誘導体、スチリル色素、テトラセン及びその誘導体、ピラゾロン及びその誘導体、デカシクレン及びその誘導体、フェノキサゾン及びその誘導体等を挙げることができる。

有機機能層７の厚さは、通常約２ｎｍ〜２００ｎｍである。有機機能層７は、例えば、上記のような発光材料を含む塗布液（例えばインク）を用いる塗布法により形成される。発光材料を含む塗布液の溶媒としては、発光材料を溶解するものであれば、限定されない。

［陰極層］
陰極層９は、有機機能層７の主面（陽極層５又は支持基板３に接する面の反対側）及び支持基板３の一方の主面３ａ上に配置されている。陰極層９は、引出電極９ａに電気的に接続されている。引出電極９ａは、支持基板３の一方の主面３ａに配置されている。引出電極９ａは、陽極層５と所定の間隔をあけて配置されている。引出電極９ａの厚さは、陽極層５の厚さと同等である。引出電極９ａの材料は、陽極層５の材料と同様である。なお、引出電極９ａにリード線又はコネクタを電気的に接続し、外部電源から電流を供給する。

陰極層９の材料としては、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属及び周期表第１３族金属等を用いることができる。陰極層９の材料としては、具体的には、例えばリチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム等の金属、前記金属のうちの２種以上の合金、前記金属のうちの１種以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうちの１種以上との合金、又はグラファイト若しくはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金等を挙げることができる。

また、陰極層９としては、例えば、導電性金属酸化物及び導電性有機物等からなる透明導電性電極を用いることができる。導電性金属酸化物としては、具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、及びＩＺＯを挙げることができ、導電性有機物としてポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等を挙げることができる。なお、陰極層９は、２層以上を積層した積層体で構成されていてもよい。なお、電子注入層が陰極層９として用いられる場合もある。

陰極層９の厚さは、電気伝導度、耐久性を考慮して設定される。陰極層９の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極層９の形成方法としては、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、金属薄膜を熱圧着するラミネート法及び塗布法等を挙げることができる。

［封止部材］
封止層１１は、有機ＥＬ素子１において最上部に配置されている。封止層１１は、封止基材と、粘接着層と、を有している。封止基材は、金属箔、透明なプラスチックフィルムの表面若しくは裏面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属積層させたフィルム等からなり、ガスバリア機能、特に水分バリア機能を有する。金属箔としては、バリア性の観点から、銅、アルミニウム、又はステンレスが好ましい。金属箔の厚さは、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１５μｍ〜５０μｍが好ましい。

［有機ＥＬ素子の製造方法］
続いて、上記構成を有する有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。最初に、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。

（第１実施形態）
支持基板３が可撓性を有し、長手方向（一方向）に延在する基板である形態では、図２に概念的に示されるように、ロールツーロール方式が採用され得る。ロールツーロール方式で有機ＥＬ素子１を製造する場合、巻出しロール２０Ａと巻取りロール２０Ｂとの間に張り渡された長尺の可撓性の支持基板３を連続的に搬送ロール２１で搬送しながら、各層を支持基板３側から順に形成する。

有機ＥＬ素子１を製造する場合、最初に、支持基板３を加熱し、乾燥させる（基板乾燥工程Ｓ０１）。次に、図３に示されるように、乾燥された支持基板３（一方の主面３ａ）上に、陽極層５及び引出電極９ａを形成する（陽極層形成工程Ｓ０２）。陽極層５（引出電極９ａ）は、陽極層５の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。

次に、陽極層５上に、有機機能層７を形成する（有機機能層形成工程Ｓ０３）。有機機能層７は、上述のように、発光材料（有機材料）を含む塗布液（例えばインク（溶液））を用いる塗布法により形成される。塗布法は、例えば、インクジェット印刷法、スリットコート法、スプレー法、スクリーン印刷法等である。塗布液は、陽極層５及び引出電極９ａの少なくとも一部上に、上記塗布法により形成される。

続いて、塗布液を硬化させるために、塗布剤を加熱する（加熱工程（有機機能層形成工程）Ｓ０４）。塗布液の加熱（乾燥）は、例えば、加熱装置により実施される。加熱装置は、例えば、塗布液に赤外線を照射する装置、熱風を供給する装置、又は、オーブン等を使用することができる。塗布液の加熱処理は、水分濃度の低い環境で行うことが好ましく、特に窒素雰囲気で行われることが好ましい。塗布液が加熱されて硬化することにより、有機機能層７が形成される。

続いて、加熱工程Ｓ０４において支持基板３に発生した変形を補正する（変形補正工程（加熱工程、冷却工程）Ｓ０５）。加熱工程Ｓ０４においては、支持基板３が加熱により収縮し、支持基板３にしわ等の変形が生じ得る。そのため、変形補正工程Ｓ０５では、支持基板３に生じた変形を補正する（しわを伸ばす）。変形補正工程Ｓ０５で、支持基板３に生じた変形を補正し、平坦性を確保することによって、支持基板３上に形成される各層を均一に形成させることができる。

変形補正工程Ｓ０５は、図３に示される変形補正装置Ｍにより実施される。図３に示されるように、変形補正装置Ｍは、第１ロール（加熱機構）３０と、第２ロール（冷却機構）３２と、第３ロール（第２ロール、冷却機構）３４と、搬送ロール３６，３８と、を有している。搬送ロール３６の上流側及び搬送ロール３８の下流側には変形補正装置Ｍ内の支持基板３の張力を設定するためのダンサーロール機構を有していてもよい。変形補正装置Ｍでは、支持基板３の搬送方向の上流側から、第１ロール３０、第２ロール３２及び第３ロール３４の順番で各ロール３０，３２，３４が設けられている。搬送ロール３６は、第１ロール３０の上流側に設けられている。搬送ロール３８は、第３ロール３４の下流側に設けられている。変形補正装置Ｍは、支持基板３を加熱及び冷却することにより、支持基板３の変形を補正する。

第１ロール３０は、表面３０ａを有している。第１ロール３０は、ヒータ（図示しない）により、表面３０ａの表面温度Ｔ１が変更可能である。第１ロール３０の表面温度Ｔ１（Ｋ：絶対温度）は、支持基板３のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下である。なお、以下の説明において、温度の単位は全て「Ｋ」である。

第２ロール３２は、表面３２ａを有している。本実施形態では、表面３２ａには、複数の孔（図示しない）が設けられている。第２ロール３２は、表面３２ａの複数の孔から気体（ドライエア、不活性ガス等）を吹き出すエアターンバーである。気体は、所定の温度に設定されている。第２ロール３２は、気体を吹き出すことにより、支持基板３と表面３２ａとが接触しない状態で支持基板３を搬送する。第２ロール３２は、気体の温度を変更することにより、第２ロール３２の表面３２ａの表面温度Ｔ２が変更可能である。第２ロール３２の表面３２ａの表面温度Ｔ２は、第１ロール３０の表面温度Ｔ１よりも低い（Ｔ１＞Ｔ２）。なお、第１ロール３０の表面温度Ｔ１と第２ロール３２の表面温度Ｔ２とは、温度差が大きくないことが好ましい。

第３ロール３４は、表面３４ａを有している。第３ロール３４は、ヒータ（図示しない）により、表面３４ａの表面温度Ｔ３が変更可能である。第３ロール３４の表面温度Ｔ３は、第２ロール３２の表面温度Ｔ２に応じて変更する。具体的には、第３ロール３４の表面温度Ｔ３は、以下の式（Ａ）を満たす温度である。
Ｔ３≦Ｔ２＋３０Ｋ …（Ａ）

変形補正装置Ｍでは、支持基板３に対して当該支持基板３の長手方向に所定の張力を付与しつつ、所定の搬送速度で支持基板３を搬送し、支持基板３を第１ロール３０により加熱すると共に、第２ロール３２及び第３ロール３４により終点温度Ｔｆ（＜Ｔ１）まで支持基板３を冷却する。終点温度Ｔｆは、支持基板３のガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下である。変形補正装置Ｍは、終点温度Ｔｆ以下となった支持基板３を次の工程に送り出す。

次に、変形が補正された支持基板３に形成された有機機能層７上に、陰極層９を形成する（陰極層形成工程（第２電極層形成工程）Ｓ０６）。陰極層９は、陰極層９の説明の際に例示した形成方法で形成し得る。以上により、支持基板３上に有機ＥＬ部１３が形成される。有機ＥＬ部１３を形成した後、有機ＥＬ部１３と封止層１１とを貼り合わせて、有機ＥＬ部１３を封止層１１で被覆する（封止工程Ｓ０７）。以上により、有機ＥＬ素子１が製造される。

続いて、第１実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法における変形補正工程の一実施例について説明する。なお、変形補正工程を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

支持基板３として、厚さ１００ｕｍ、幅３００ｍｍのＰＥＮ製のプラスチックフィルムを準備した。支持基板３のガラス転移温度Ｔｇは、４２８Ｋである。支持基板３を２００℃で２分加熱し、支持基板３に変形（しわ）を発生させた。

変形補正装置Ｍでは、第１ロール３０、第２ロール３２及び第３ロール３４の直径を３００ｍｍとした。第１ロール３０、第２ロール３２及び第３ロール３４の抱き角は、１８０°とした。搬送速度（ｍ／分）、張力（Ｎ）、及び、各ロールの表面温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３を変化させたときの支持基板３の変形状態を評価した結果について、図４に示す。図４に示す例では、支持基板３の変形状態について、４段階で評価した。支持基板３の変形状態の評価は、目視により実施した。支持基板３の変形が変形補正工程を実施する前よりも悪化していた場合には「××」とした。支持基板３の変形が補正されていない場合には「×」とした。支持基板３の変形の一部が補正されている場合には「△」とした。支持基板３の変形が補正されている場合には「○」とした。本実施形態では、変形が補正されているとは、評価が「△」及び「○」の場合を意味する。

図４に示されるように、搬送速度は、１ｍ／分及び２ｍ／分とした。搬送速度が１ｍ／分の場合、第１ロール３０、第２ロール３２及び第３ロール３４による加熱時間又は冷却時間は３０秒となる。搬送速度が２ｍ／分の場合、第１ロール３０、第２ロール３２及び第３ロール３４との加熱時間又は冷却時間は１５秒となる。

支持基板３に与える張力は、３０Ｎ及び４０Ｎとした。張力は、２０Ｎ以上１００Ｎ以下とすることができる。張力が２０Ｎよりも小さい場合、変形補正工程後に支持基板３を巻き取る場合、支持基板３の巻き取りが困難となるおそれがある。張力が１００Ｎよりも大きくなると、ロールツーロール方式の場合、変形補正工程の前工程において支持基板３の搬送時に支持基板３にしわが発生し易くなる。好ましくは、張力は、４０Ｎ以下である。

図４に示されるように、搬送速度１ｍ／分、張力３０Ｎの条件において、第１ロール３０の表面温度Ｔ１を変化させ、第２ロール３２の表面温度Ｔ２及び第３ロール３４の表面温度Ｔ３を一定とした場合（Ｔ２：３６３Ｋ、Ｔ３：３６３Ｋ）、表面温度Ｔ１が４４３Ｋ、４３３Ｋ及び４０３Ｋ〜４２３Ｋの場合に、支持基板３の変形が補正されていることが確認された。すなわち、図４及び図５に示されるように、表面温度Ｔ１が支持基板３のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、終点温度Ｔｆがガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、且つ、表面温度Ｔ３が以下の式（Ａ）を満たす場合（以下、「所定条件を満たす場合」と称する。）に、支持基板３の変形が補正されることが確認された。
Ｔ３≦Ｔ２＋３０Ｋ …（Ａ）

また、図４に示されるように、搬送速度１ｍ／分、張力３０Ｎの条件において、第２ロール３２の表面温度Ｔ２を変化させ、第１ロール３０の表面温度Ｔ１及び第３ロール３４の表面温度Ｔ３を一定とした場合（Ｔ１：４３３Ｋ、Ｔ３：３６３Ｋ）、表面温度Ｔ２が３３３Ｋ〜３５３Ｋ、３６３Ｋ、３８３Ｋの場合に、支持基板３の変形が補正されていることが確認された。すなわち、図４及び図５に示されるように、上記所定条件を満たす場合に、支持基板３の変形が補正されることが確認された。

また、図４に示されるように、搬送速度１ｍ／分、張力３０Ｎの条件において、第３ロール３４の表面温度Ｔ３を変化させ、第１ロール３０の表面温度Ｔ１及び第２ロール３２の表面温度Ｔ２を一定とした場合（Ｔ１：４３３Ｋ、Ｔ２：３６３Ｋ）、表面温度Ｔ３が３３３Ｋ〜３５３Ｋ、３６３Ｋの場合に、支持基板３の変形が補正されていることが確認された。すなわち、図４及び図５に示されるように、上記所定条件を満たす場合に、支持基板３の変形が補正されることが確認された。

また、図４に示されるように、張力３０Ｎの条件において、搬送速度を変化させ、第１ロール３０の表面温度Ｔ１、第２ロール３２の表面温度Ｔ２及び第３ロール３４の表面温度Ｔ３を一定とした場合（Ｔ１：４３３Ｋ、Ｔ２：３８３Ｋ、Ｔ３：３６３Ｋ）、搬送速度が１ｍ／分及び２ｍ／分のいずれにおいても、支持基板３の変形が補正されていることが確認された。この実施例では、第１ロール３０の表面温度Ｔ１、第２ロール３２の表面温度Ｔ２及び第３ロール３４の表面温度Ｔ３が段階的に低くなっている。また、搬送速度２ｍ／分の条件において、張力を４０Ｎとした場合にも、支持基板３の変形が補正されていることが確認された。すなわち、図４及び図５に示されるように、上記所定条件を満たす場合に、支持基板３の変形が補正されることが確認された。

（第２実施形態）
続いて、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法について説明する。第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法は、変形補正工程Ｓ０５が第１実施形態と異なる。以下では、第２実施形態に係る変形補正工程Ｓ０５について説明する。

第２実施形態では、変形補正工程Ｓ０５は、図６に示される変形補正装置Ｍ１により実施される。図６に示されるように、変形補正装置Ｍ１は、第１ロール４０と、第２ロール４２と、第３ロール（第２ロール）４４と、第４ロール（第２ロール）４６と、搬送ロール４８，５０と、を有している。第１ロール４０、第２ロール４２、第３ロール４４及び第４ロール４６は、回転軸の高さ位置が略同等である。変形補正装置Ｍ１では、支持基板３の搬送方向の上流側から、第１ロール４０、第２ロール４２、第３ロール４４及び第４ロール４６の順番で各ロール４０，４２，４４，４６が設けられている。搬送ロール４８は、第１ロール４０の上流側に設けられている。搬送ロール５０は、第４ロール４６の下流側に設けられている。

第１ロール４０は、表面４０ａを有している。第１ロール４０は、ヒータ（図示しない）により、表面４０ａの表面温度Ｔ１が変更可能である。第１ロール４０の表面温度Ｔ１（Ｋ：絶対温度）は、支持基板３のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下である。

第２ロール４２は、表面４２ａを有している。第２ロール４２は、ヒータ（図示しない）により、表面４２ａの表面温度Ｔ２が変更可能である。第２ロール４２の表面４２ａの表面温度Ｔ２は、第１ロール４０の表面温度Ｔ１よりも低い（Ｔ１＞Ｔ２）。

第３ロール４４は、表面４４ａを有している。第３ロール４４は、ヒータ（図示しない）により、表面４４ａの表面温度Ｔ３が変更可能である。第３ロール４４の表面温度Ｔ３は、第２ロール３２の表面温度Ｔ２に応じて変更する。具体的には、第３ロール３４の表面温度Ｔ３は、以下の式（Ａ）を満たす温度である。
Ｔ３≦Ｔ２＋３０Ｋ …（Ａ）

第４ロール４６は、表面４６ａを有している。第４ロール４６は、ヒータ（図示しない）により、表面４６ａの表面温度Ｔ４が変更可能である。第４ロール４６の表面温度Ｔ４は、第３ロール４４の表面温度Ｔ３に応じて変更する。具体的には、第４ロール４６の表面温度Ｔ４は、以下の式（Ｂ）を満たす温度である。
Ｔ４≦Ｔ３＋３０Ｋ …（Ｂ）

続いて、第２実施形態に係る有機ＥＬ素子１の製造方法における変形補正工程の一実施例について説明する。なお、変形補正工程を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

支持基板３として、厚さ１００ｕｍ、幅３００ｍｍのＰＥＮ製のプラスチックフィルムを準備した。支持基板３のガラス転移温度Ｔｇは、４２８Ｋである。支持基板３を２００℃で２分加熱し、支持基板３に変形（しわ）を発生させた。

変形補正装置Ｍでは、第１ロール４０、第２ロール４２、第３ロール４４及び第４ロール４６の直径を１３０ｍｍとした。張力（Ｎ）は、６０Ｎとした。搬送速度（ｍ／分）、及び、各ロールの表面温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４を変化させたときの支持基板３の変形状態を評価した結果について、図７に示す。図７に示す例では、支持基板３の変形状態について、４段階で評価した。評価方法は、第１実施形態と同様である。図７において、各表面温度Ｔ１，Ｔ２，Ｔ３，Ｔ４で括弧内に示す数字は、図６に示す各ロール４０，４２，４４，４６における加熱時間又は冷却時間（単位：秒）である。図７に示されるように、搬送速度は、１ｍ／分、２ｍ／分及び３ｍ／分とした。

図７に示されるように、張力６０Ｎの条件において、搬送速度１ｍ／分、第１ロール４０の表面温度Ｔ１を４０３Ｋ、第２ロール４２の表面温度Ｔ２を３９３Ｋ、第３ロール４４の表面温度Ｔ３を３８３Ｋ、第４ロール４６の表面温度Ｔ４を３６３Ｋとした場合に、支持基板３の変形が補正されていることが確認された。すなわち、図７及び図８に示されるように、表面温度Ｔ１が支持基板３のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、終点温度Ｔｆがガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、且つ、表面温度Ｔ３が以下の式（Ａ）を満たすと共に表面温度Ｔ４が以下の式（Ｂ）を満たす場合（以下、「所定条件を満たす場合」と称する。）に、支持基板３の変形が補正されることが確認された。
Ｔ３≦Ｔ２＋３０Ｋ …（Ａ）
Ｔ４≦Ｔ３＋３０Ｋ …（Ｂ）

また、図７に示されるように、張力６０Ｎの条件において、搬送速度３ｍ／分、第１ロール４０の表面温度Ｔ１を４０３Ｋ、第２ロール４２の表面温度Ｔ２を３９３Ｋ、第３ロール４４の表面温度Ｔ３を３８３Ｋ、第４ロール４６の表面温度Ｔ４を３６３Ｋとした場合に、支持基板３の変形が補正されていることが確認された。すなわち、図７及び図８に示されるように、上記所定条件を満たす場合に、支持基板３の変形が補正されることが確認された。

以上説明したように、本実施形態に係る有機デバイスの製造方法は、支持基板３の変形を補正する変形補正工程Ｓ０５を含む。第１実施形態では、変形補正工程Ｓ０５は、支持基板３に一方向に張力を与えて支持基板３を搬送すると共に、支持基板３を表面温度Ｔ１の第１ロール３０により加熱する加熱工程と、加熱工程の後に、第２ロール３２及び第３ロール３４により支持基板３を表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却工程と、を含む。第１ロール３０の表面温度Ｔ１は、支持基板３の材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、終点温度Ｔｆは、ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下である。支持基板３の搬送方向において第２ロール３２に隣接し且つ第２ロール３２よりも下流側に設けられた第３ロール３４の表面温度Ｔ３は、以下の式（Ａ）を満たす。
Ｔ３≦Ｔ２＋３０Ｋ …（Ａ）

これにより、有機デバイスの製造方法では、上記条件で支持基板３を加熱及び冷却することにより、支持基板３のしわ等の変形を補正できる。特に、第２ロール３２の表面温度Ｔ２を、上記の式（Ａ）を満たす温度にすることにより、支持基板３が急速に冷却されることを抑制できる。そのため、急速な冷却による熱収縮によって支持基板３に新たな変形が生じることを抑制できる。したがって、支持基板３の変形に起因する有機ＥＬ部１３の不具合を抑制できると共に意匠性の低下を抑制でき、有機ＥＬ素子１の品質の向上を図れる。第２実施形態についても、同様の作用効果を得ることができる。

本実施形態に係る有機デバイスの製造方法では、有機機能層７を形成する有機機能層形成工程Ｓ０３及び加熱工程Ｓ０４を含み、加熱工程Ｓ０４の後に、変形補正工程Ｓ０５を行う。支持基板３は、加熱工程Ｓ０４において加熱されることにより変形し得る。そのため、加熱工程Ｓ０４の後に変形補正工程Ｓ０５を行うことにより、支持基板３の変形に起因する不具合を抑制できる。

本実施形態に係る有機デバイスの製造方法では、変形補正工程Ｓ０５では、支持基板３において有機ＥＬ部１３が形成された一方の主面３ａとは反対側の他方の主面３ｂと第１ロール３０とを接触させて支持基板３を加熱する。また、変形補正工程Ｓ０５では、一方の主面３ａと対向する位置に配置された第２ロール３２の表面から放出される気体を支持基板３に吹き付け、支持基板３と第２ロール３２とを接触させずに支持基板３を冷却すると共に、他の主面３ｂと対向する位置に配置された第３ロール３４を他の主面３ｂと接触させて支持基板３を冷却する。この構成では、第１ロール３０と支持基板３の他方の主面３ｂとを接触させて支持基板３を加熱するため、支持基板３を確実に加熱できる。また、一方の主面３ａと対向する第２ロール３２が支持基板３と非接触で支持基板３を冷却するため、支持基板３上に形成された有機ＥＬ部１３の破損等を防止できる。更に、他方の主面３ｂと対向する第３ロール３４が支持基板３と接触するため、支持基板３を確実に冷却できる。したがって、プラスチックフィルムである支持基板３の変形を適切に補正できる。

なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。例えば、上記実施形態では、陽極層５と陰極層９との間に発光層を含む有機機能層７が配置された有機ＥＬ素子１を例示した。しかし、有機機能層７の構成はこれに限定されない。有機機能層７は、以下の構成を有していてもよい。
（ａ）（陽極層）／発光層／（陰極層）
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／（陰極層）
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／（陰極層）
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層／（陰極層）
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層／（陰極層）
ここで、記号「／」は、記号「／」を挟む各層が隣接して積層されていることを示す。上記（ａ）に示す構成は、上記実施形態における有機ＥＬ素子１の構成を示している。

正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は、公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、有機機能層７と同様に塗布法により形成できる。

ここで、電子注入層は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、又は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属の酸化物、フッ化物を含有していてもよい。電子注入層の成膜法としては、塗布法、真空蒸着法等を挙げることができる。酸化物及びフッ化物の場合は、電子注入層の厚さは０．５ｎｍ〜２０ｎｍが好ましい。電子注入層は、特に絶縁性が強い場合は、有機ＥＬ素子１の駆動電圧上昇を抑制する観点からは、薄膜、例えば、０．５ｎｍ〜１０ｎｍの厚さであることが好ましく、また、電子注入性の観点からは、２ｎｍ〜７ｎｍの厚さであることが好ましい。また、電子注入層は、例えば、引出電極９ａと陰極層９の間に形成されていてもよい。

有機ＥＬ素子１は、単層の有機機能層７を有していてもよいし、２層以上の有機機能層７を有していてもよい。上記（ａ）〜（ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層５と陰極層９との間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記（ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は、互いに同じであっても、異なっていてもよい。
（ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層

ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、ＩＴＯ、酸化モリブデン等からなる薄膜を挙げることができる。

また、「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の有機機能層７を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下の（ｋ）に示す層構成を挙げることができる。
（ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層

記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

電荷発生層を設けずに、複数の有機機能層７を直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。

上記実施形態では、有機機能層形成工程Ｓ０３後の加熱工程Ｓ０４の後に変形補正工程Ｓ０５を実施する形態を一例に説明した。しかし、変形補正工程は、例えば、基板乾燥工程の後に実施してもよいし、陰極層形成工程の後に実施してもよい。変形補正工程は、任意のタイミング（各工程の途中）で実施することができる。

上記実施形態では、第１ロール３０（４０）が１つ設けられている形態を一例に説明した。しかし、第１ロール３０（４０）は、複数設けられていてもよい。第１ロール及び第２ロールの数は、設計に応じて適宜設定されればよい。

上記実施形態では、ロールツーロール方式により、支持基板３上に陽極層５を形成する形態を一例に説明した。しかし、支持基板３上に陽極層５を予め形成し、巻出しロール２０Ａと巻取りロール２０Ｂとの間に張り渡された長尺の陽極層５が形成された支持基板３を連続的に搬送ロール２１で搬送しながら、有機ＥＬ素子１の製造に係る各工程を実施してもよい。

上記実施形態では、基板乾燥工程Ｓ０１を実施しているが、基板乾燥工程Ｓ０１は実施しなくてもよい。

上記実施形態に加えて、任意のタイミングにおいて、支持基板３を巻き取る工程を実施してもよい。

上記実施形態では、有機デバイスとして、有機ＥＬ素子を一例に説明した。有機デバイスは、有機薄膜トランジスタ、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池等であってもよい。

上記実施形態では、有機ＥＬデバイスの製造方法の一工程として、変形補正工程を含む形態を一例に説明した。しかし、本発明は、プラスチックフィルムの製造方法において、プラスチックフィルムの変形を補正する工程に適用されてもよい。すなわち、プラスチックフィルムの製造方法は、一方向に延在するフィルムに当該一方向に張力を与えてフィルムを搬送すると共に、フィルムを表面温度Ｔ１の第１ロールにより加熱する加熱工程と、加熱工程の後に、少なくとも１つの第２ロールによりフィルムを表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却工程と、を含む。第１ロールの表面温度Ｔ１は、フィルムの材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下である。終点温度Ｔｆは、ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下である。フィルムの搬送方向において一の第２ロールに隣接し且つ一の第２ロールよりも下流側に設けられた他の第２ロールの表面温度は、以下の式を満たす。
（他の第２ロールの表面温度）≦（一の第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ

フィルムの製造方法では、上記条件でフィルムを加熱及び冷却することにより、フィルムのしわ等の変形を補正できる。特に、他の第２ロールの表面温度を、上記の式を満たす温度にすることにより、フィルムが急速に冷却されることを抑制できる。そのため、急速な冷却による熱収縮によってフィルムに新たな変形が生じることを抑制できる。したがって、フィルムの製造方法では、フィルムの品質の向上を図れる。また、フィルムの変形を抑えるために、ガラス転移温度以下の低温でフィルムの搬送速度を下げて長時間処理する必要がなく、生産性の低下を抑えることができる。

また、上記実施形態における変形補正装置Ｍ，Ｍ１は、プラスチックフィルムの製造工程に用いられるフィルム製造装置に適用できる。

１…有機ＥＬ素子（有機デバイス）、３…支持基板、５…陽極層（第１電極層）、７…有機機能層、９…陰極層（第２電極層）、１３…有機ＥＬ部（有機デバイス部）、Ｓ０１…乾燥工程、Ｓ０３…有機機能層形成工程、Ｓ０４…加熱工程（有機機能層形成工程）、Ｓ０５…変形補正工程（加熱工程、冷却工程）。

Claims (10)

1. 一方向に延在するプラスチックのフィルムに当該一方向に張力を与えて前記フィルムを搬送すると共に、前記フィルムを表面温度Ｔ１の第１ロールにより加熱する加熱工程と、
   前記加熱工程の後に、複数の第２ロールにより前記フィルムを前記表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却工程と、を含み、
   前記第１ロールの前記表面温度Ｔ１は、前記フィルムの材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、
   前記終点温度Ｔｆは、前記ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、
   前記フィルムの搬送方向において一の前記第２ロールに隣接し且つ一の前記第２ロールよりも下流側に設けられた他の前記第２ロールの表面温度は、以下の式を満たす、フィルムの製造方法。
   （他の前記第２ロールの表面温度）≦（一の前記第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ
2. 前記終点温度Ｔｆは、一の前記第２ロールの前記表面温度以下である、請求項１に記載のフィルムの製造方法。
3. 前記冷却工程では、前記第２ロールに前記フィルムを接触させて、前記フィルムを搬送しつつ前記フィルムを前記終点温度Ｔｆまで冷却する、請求項１又は２に記載のフィルムの製造方法。
4. 前記冷却工程では、少なくとも１つの前記第２ロールの表面から放出される気体を前記フィルムに吹き付け、前記フィルムと前記第２ロールとを接触させず前記終点温度Ｔｆまで前記フィルムを冷却する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のフィルムの製造方法。
5. 前記冷却工程では、前記表面温度Ｔ１から前記終点温度Ｔｆまで段階的に温度を低くする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のフィルムの製造方法。
6. 一方向に延在するフィルムに当該一方向に張力を与えて前記フィルムを搬送すると共に、前記フィルムを表面温度Ｔ１の第１ロールにより加熱する加熱機構と、
   前記加熱機構により加熱された前記フィルムを、複数の第２ロールによって前記表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却機構と、を備え、
   前記第１ロールの前記表面温度Ｔ１は、前記フィルムの材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、
   前記終点温度Ｔｆは、前記ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、
   前記フィルムの搬送方向において一の前記第２ロールに隣接し且つ一の前記第２ロールよりも下流側に設けられた他の前記第２ロールの表面温度は、以下の式を満たす、フィルム製造装置。
   （他の前記第２ロールの表面温度）≦（一の前記第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ
7. 一方向に延在するプラスチックフィルムである支持基板上に第１電極層、有機機能層、及び第２電極層をこの順番に積層してなる有機デバイス部を有する有機デバイスの製造方法であって、
   前記支持基板の変形を補正する変形補正工程を含み、
   前記変形補正工程は、
   前記支持基板に前記一方向に張力を与えて前記支持基板を搬送すると共に、前記支持基板を表面温度Ｔ１の第１ロールにより加熱する加熱工程と、
   前記加熱工程の後に、複数の第２ロールにより前記支持基板を前記表面温度Ｔ１よりも低い終点温度Ｔｆまで冷却する冷却工程と、を含み、
   前記第１ロールの前記表面温度Ｔ１は、前記支持基板の材料のガラス転移温度Ｔｇの０．９３倍以上１．０５倍以下であり、
   前記終点温度Ｔｆは、前記ガラス転移温度Ｔｇの０．７７８倍よりも大きく１倍以下であり、
   前記支持基板の搬送方向において一の前記第２ロールに隣接し且つ一の前記第２ロールよりも下流側に設けられた他の前記第２ロールの表面温度は、以下の式を満たす、有機デバイスの製造方法。
   （他の前記第２ロールの表面温度）≦（一の前記第２ロールの表面温度）＋３０Ｋ
8. 前記変形補正工程の前に、前記支持基板を乾燥させる乾燥工程を含む、請求項７に記載の有機デバイスの製造方法。
9. 有機材料を含む溶液を塗布した後に前記溶液を乾燥、又は、前記溶液を塗布した後に前記溶液を乾燥させ更に加熱することにより前記有機機能層を形成する有機機能層形成工程を含み、
   前記有機機能層形成工程の後に、前記変形補正工程を行う、請求項７又は８に記載の有機デバイスの製造方法。
10. 前記加熱工程では、前記支持基板において前記有機機能層が形成された一方の主面とは反対側の他方の主面と前記第１ロールとを接触させて前記支持基板を加熱し、
    前記冷却工程では、前記一方の主面と対向する位置に配置された前記第２ロールの表面から放出される気体を前記フィルムに吹き付け、前記支持基板と前記第２ロールとを接触させずに前記支持基板を冷却すると共に、前記他の主面と対向する位置に配置された前記第２ロールを前記他の主面と接触させて前記支持基板を冷却する、請求項９に記載の有機デバイスの製造方法。

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