JP2016189355A - 電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title description 32
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 19
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 351
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 142
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 292
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 192
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 137
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 99
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 82
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 82
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 76
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 76
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 76
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 59
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 claims description 46
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 44
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 39
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 38
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 33
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 28
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 26
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 23
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims description 23
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 15
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 11
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 claims description 4
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 3
- 238000000408 29Si solid-state nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract description 12
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 331
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 36
- UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C UQEAIHBTYFGYIE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 18
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 17
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 17
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 11
- -1 specifically Substances 0.000 description 11
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 10
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 5
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 5
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 4
- OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N [C].[O] Chemical compound [C].[O] OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 4
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001678 elastic recoil detection analysis Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 230000009993 protective function Effects 0.000 description 3
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 3
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 3
- 238000000371 solid-state nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 3
- KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N (dimethyl-$l^{3}-silanyl)oxy-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)O[Si](C)C KWEKXPWNFQBJAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N Calcium oxide Chemical compound [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L Calcium chloride Chemical group [Cl-].[Cl-].[Ca+2] UXVMQQNJUSDDNG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- NDBCAARATDAEFZ-UHFFFAOYSA-N N-methylsilyl-N-trimethylsilylmethanamine Chemical compound C[SiH2]N(C)[Si](C)(C)C NDBCAARATDAEFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N [(dimethyl-$l^{3}-silanyl)amino]-dimethylsilicon Chemical compound C[Si](C)N[Si](C)C GJWAPAVRQYYSTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJLLJBLGCMFLSC-UHFFFAOYSA-N [dimethyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[Si](C)(C)N[SiH3] DJLLJBLGCMFLSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N [methyl-(silylamino)silyl]methane Chemical compound C[SiH](C)N[SiH3] JLFZXEWJEUGNQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000001110 calcium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001628 calcium chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006757 chemical reactions by type Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N diethylsilane Chemical compound CC[SiH2]CC UCXUKTLCVSGCNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N dimethylsilane Chemical compound C[SiH2]C UBHZUDXTHNMNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N diphosphonate Chemical compound O=P(=O)OP(=O)=O YWEUIGNSBFLMFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C=C GCSJLQSCSDMKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000007646 gravure printing Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilane Chemical compound C[Si](C)(C)[Si](C)(C)C NEXSMEBSBIABKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000012417 linear regression Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- CSJDCSCTVDEHRN-UHFFFAOYSA-N methane;molecular oxygen Chemical compound C.O=O CSJDCSCTVDEHRN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N oxostrontium Chemical compound [Sr]=O UFQXGXDIJMBKTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N phenylsilane Chemical compound [SiH3]C1=CC=CC=C1 PARWUHTVGZSQPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N phosphorus pentoxide Inorganic materials O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920006290 polyethylene naphthalate film Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N propylsilane Chemical compound CCC[SiH3] UIDUKLCLJMXFEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilane Chemical compound C[SiH](C)C PQDJYEQOELDLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】本発明の電子デバイス70は、第1の基板71と、第1の基板71の面71a上に設けられた機能素子72と、面71aに対向する第2の基板63と、第1の基板71と第2の基板63との間にあって、第1の基板71と第2の基板63の周縁部に沿って配置され、第1の基板71と第2の基板63とを貼り合わせる封止部84と、を有し、第1の基板71及び第2の基板63の少なくとも一方は、フィルムと前記フィルムの少なくとも片方の面に形成された少なくとも1層のバリア層とを備えるガスバリア性フィルムであり、前記ガスバリア性フィルムの水蒸気透過度は10−2g/m2・day以下であり、前記バリア層の平均密度が1.8g/cm3以上であることを特徴とする。
【選択図】図1
Description
形成する種々の電子デバイス、具体的には液晶表示素子、電気泳動表示素子、光電変換素
子、電池素子を有する装置に共通する。
特許文献1には、環境感受性デバイスを、吸湿剤を含む接着層を介して有機領域と無機領域を含むバリア層を有するガスバリア性フィルムで封止する方法が開示されている。
特許文献2には、被封止物の上面及び側面を被覆する大きさに形成された吸湿膜を表面に有するガスバリア性シートを用いて、そのガスバリア性シートの吸湿面側で、被封止物上の上面及び側面を被覆し、さらに、そのガスバリア性シートの吸湿膜が形成されていない領域で基板に接着させる封止体が開示されている。
特許文献2に記載の方法では、ガスバリア性シートの吸湿膜が、機能素子である有機ELの陰極と直接接触しており、素子の耐久性への影響が懸念される。
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比、及び炭素の原子数比が、前記バリア層の膜厚方向における90%以上の領域において、下記式(1)で表される条件を満たすこと、
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上であること、を全て満たし、前記炭素分布曲線から求められる前記炭素の原子数比の平均値が、3at%以上30at%以下であり、前記バリア層の平均密度が1.8g/cm3以上であり、前記封止部は、吸湿層と接着層とからなり、前記吸湿層が、前記接着層の内側に、前記機能素子を囲むように形成されており、前記吸湿層の吸湿能力が10mg/cc以上であることを特徴とする。
(Q1,Q2,Q3のピーク面積を合計した値)/(Q4のピーク面積)<10 …(I)
(Q1は、1つの中性酸素原子及び3つの水酸基と結合した珪素原子を示し、Q2は、2つの中性酸素原子及び2つの水酸基と結合した珪素原子を示し、Q3は、3つの中性酸素原子及び1つの水酸基と結合した珪素原子を示し、Q4は、4つの中性酸素原子と結合した珪素原子を示す。)
なお、この実施の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
図1は、本発明の電子デバイスの第1実施形態を示す概略図であり、(a)は斜視図、(b)は(a)のA−A線に沿う側断面図である。なお、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
本実施形態においては、第1の基板71がガスバリア性フィルムである。即ち、第1の基板71は、フィルム73とバリア層74とからなる。フィルム端部から電子デバイス内部への水蒸気浸透の影響を排除し、機能素子を保護する観点から、バリア層は、ガスバリア性フィルムの機能素子に面する側に形成されていることが好ましく、本実施形態においては、フィルム73の面73a上にバリア層74が形成されている。機能素子の保護機能を更に高める観点から、フィルムの両面にバリア層が形成されてもよい。即ち、フィルム73の面73b上にもバリア層が形成されていてもよい。
これらのバリア層の材質の中でも、得られるガスバリア性フィルムの透明性及びガスバリア性のバランスの観点から、酸化珪素を主成分として用いることが好ましく、一般式:SiOx(前記一般式において、Xは1〜2の数を表す。)で表される酸化珪素を主体として用いることがより好ましく、一般式A:SiOx(前記一般式Aにおいて、Xは1.5〜2.0の数を表す。)で表される酸化珪素を主成分として用いることが特に好ましい。
なお、本明細書において、主成分として用いるとは、材質の全成分の質量に対してその成分の含有量が50重量%以上(好ましくは70重量%以上)であることをいう。
また、これらの酸化珪素を主成分とするバリア層は、珪素および酸素以外の元素を含んでいても良い。そのような元素としては、例えば炭素を挙げることができる。珪素、酸素、炭素を含むバリア層は、一般式B:SiOxCy(前記一般式Bにおいて、Xは0〜2の数を,Yは0〜2の数を表す。)で表される珪素−酸素−炭素化合物を主成分として用いることが好ましい。
また、これらのバリア層は、珪素、酸素、炭素以外の元素として、水素を含んでいてもよい。
[ガスバリア性フィルム]
本実施形態の電子デバイス70に用いられるガスバリア性フィルムは、フィルムと前記フィルムの少なくとも片方の面に形成された少なくとも1層のバリア層とを備え、水蒸気透過度は10−2g/m2・day以下であり、前記バリア層のうちの少なくとも1層が珪素原子、酸素原子及び炭素原子を含有し、前記バリア層の膜厚方向における前記バリア層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記バリア層に含まれる珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率(珪素の原子数比)、酸素原子数の比率(酸素の原子数比)、炭素原子数の比率(炭素の原子数比)との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、下記条件(i)〜(iii):
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比及び炭素の原子数比が、前記バリア層の膜厚方向における90%以上の領域において下記式(1)で表される条件を満たすこと、
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上であること、
を全て満たし、前記炭素分布曲線から求められる前記炭素の原子数比の平均値が、3at%以上30at%以下であり、前記バリア層の平均密度が1.8g/cm3以上である。
バリア層Hは、バリア層Hのうちの少なくとも1層が珪素、酸素、及び水素を含んでおり、後述する成膜ガスの完全酸化反応によって生じるSiO2を多く含む第1層Ha、不完全酸化反応によって生じるSiOxCyを多く含む第2層Hbを含み、第1層Haと第2層Hbとが交互に積層された3層構造となっている。
本実施形態に用いられるガスバリア性フィルムが備えるフィルムFは、可撓性を有し高分子材料を形成材料とするものである。
フィルムFの形成材料は、ガスバリア性フィルムが光透過性を有する場合、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリエーテルサルフォン樹脂;ポリイミド樹脂が挙げられる。これらの樹脂の中でも、耐熱性と透明性とのバランスの観点から、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、及びポリイミド樹脂の中から選ばれる樹脂材料を1種以上含むことが好ましい。また、これらの樹脂は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。
また、ガスバリア性フィルムの光透過性が重要視されない場合には、フィルムFとして、例えば上記樹脂にフィラーや添加剤を加えた複合材料を用いることも可能である。
本実施形態に用いられるガスバリア性フィルムが備えるバリア層Hは、フィルムFの少なくとも片面に形成される層であり、少なくとも1層が珪素原子、酸素原子、及び炭素原子を含有している。また、バリア層Hは、窒素、アルミニウムを更に含有していてもよい。なお、バリア層Hは、機能素子の保護機能を更に高める観点から、フィルムFの両面に形成されることとしてもよい。
本実施形態に用いられるガスバリア性フィルムが備えるバリア層Hは、平均密度が1.8g/cm3以上の高い密度となっている。なお、本明細書においてバリア層Hの「平均密度」は、ラザフォード後方散乱法(Rutherford Backscattering Spectrometry:RBS)で求めた珪素の原子数、炭素の原子数、酸素の原子数と、水素前方散乱法(Hydrogen Forward scattering Spectrometry:HFS)で求めた水素の原子数と、から測定範囲のバリア層の重さを計算し、測定範囲のバリア層の体積(イオンビームの照射面積と膜厚との積)で除することで求められる。
また、バリア層Hは、バリア層Hの膜厚方向におけるバリア層Hの表面からの距離と、該距離に位置する点の珪素原子、酸素原子及び炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率(珪素の原子数比)、酸素原子数の比率(酸素の原子数比)、及び炭素原子数の比率(炭素の原子数比)との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、上述した条件(i)〜(iii)の全てを満たす。
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
また、本実施形態に用いられるガスバリア性フィルムが備えるバリア層Hは、炭素分布曲線から求められる炭素の原子数比の平均値が、3at%以上30at%以下である。
|dC/dx|≦ 0.5 ・・・(F1)
で表される条件を満たすことをいう。
また、本実施形態に用いられるガスバリア性フィルムが備えるバリア層Hは、少なくとも1層が珪素、酸素、及び水素を含んでおり、バリア層Hの29Si−固体NMR測定において求められる、Q4のピーク面積に対する、Q1,Q2,Q3のピーク面積を合計した値の比が、下記条件式(I)を満たすことが好ましい。
(Q1,Q2,Q3のピーク面積を合計した値)/(Q4のピーク面積)<10 …(I)
Q1:1つの中性酸素原子、及び3つの水酸基と結合した珪素原子
Q2:2つの中性酸素原子、及び2つの水酸基と結合した珪素原子
Q3:3つの中性酸素原子、及び1つの水酸基と結合した珪素原子
Q4:4つの中性酸素原子と結合した珪素原子
以下の説明においては、スムージング後のスペクトルを「測定スペクトル」と称する。
バリア層HとフィルムFとを分離する方法としては、例えば、バリア層Hを金属製のスパチュラなどで掻き落とし、固体NMR測定における試料管に採取する方法が挙げられる。また、フィルムのみを溶解する溶媒を用いてフィルムFを除去し、残渣として残るバリア層Hを採取しても構わない。
本実施形態に用いられるガスバリア性フィルムは、フィルムF及びバリア層Hを備えるものであるが、必要に応じて、更にプライマーコート層、ヒートシール性樹脂層、接着剤層等を備えていてもよい。このようなプライマーコート層は、ガスバリア性フィルムとの接着性を向上させることが可能な公知のプライマーコート剤を用いて形成することができる。また、このようなヒートシール性樹脂層は、適宜公知のヒートシール性樹脂を用いて形成することができる。さらに、このような接着剤層は、適宜公知の接着剤を用いて形成することができ、このような接着剤層により複数のガスバリア性フィルム同士を接着させてもよい。
本実施形態に用いられるガスバリア性フィルムは、以上のような構成となっており、その水蒸気透過度は、40℃RH90%の条件下、10−2g/m2・day以下であり、10−3g/m2・day以下であることが好ましく、10−4g/m2・day以下であることがより好ましい。
次いで、上述の条件(a)〜(d)を全て満たすバリア層を有するガスバリア性フィルムの製造方法について説明する。
フィルムFを製造装置に装着した後に乾燥させる方法としては、送り出しロールからフィルムFを送り出し搬送しながら、チャンバー内を減圧することが挙げられる。また、通過させるロールがヒーターを備えるものとし、ロールを加熱することで該ロールを上述の加熱ドラムとして用いて加熱することとしてもよい。
上述の装置を用いて形成されるバリア層について、バリア層に含まれる炭素の原子数比の平均値を例えば、11at%以上21at%以下とするためには、例えば、以下のようにして定めた範囲で原料ガスと反応ガスとを混合した成膜ガスを用いて成膜する。
(成膜条件)
真空チャンバー内の真空度:3Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
フィルムの搬送速度:0.5m/min
本実施形態においては、第2の基板63としては、上述したポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル樹脂;ポリエチレン(PE)、ポリプロピレン(PP)、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂;ポリアミド樹脂;ポリカーボネート樹脂;ポリスチレン樹脂;ポリビニルアルコール樹脂;エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物;ポリアクリロニトリル樹脂;アセタール樹脂;ポリエーテルサルフォン樹脂;ポリイミド樹脂等に加えて、ガラス;アルミニウム、銅等の金属箔;等を用いることができる。
本実施形態において、電子デバイス70の外界からの水蒸気等の影響を遮断するため、第1の基板71の一方の面71a上に設けられた機能素子72を囲むように第1の基板71と第2の基板63の周縁部に沿って配置され、第1の基板71と第2の基板63とを貼り合せる封止部84が設けられている。
接着層86は、第1の基板71と第2の基板63を接着する役割を果たしている。
吸湿層85は、接着層86から侵入してきた水蒸気を吸収する役割を果たしている。当該役割を果たすべく、吸湿層85は、第1の基板と第2の基板のうち、少なくとも一方の基板と接していてればよく、他方の基板との間に空間が生じていてもよい。吸湿層の性能をより発揮させるためには、吸湿層が第1の基板及び第2の基板の両方と接していることが好ましく、一方の基板に密着し、他方の基板と接していることがより好ましく、両方の基板に密着していることが、特に好ましい。本実施形態において、吸湿層85は、接着層86とともに、第1の基板71と第2の基板63の両方に密着している。
熱硬化性樹脂には1液型、2液型が挙げられ、いずれも接着層として用いることができる。
光硬化性樹脂の主たるものはUV硬化樹脂であるが、その典型的な化合物として、アクリレート化合物、エポキシ化合物、オキセタン化合物、多官能性ビニルエーテル化合物等が挙げられる。
接着層86に用いる材料は、耐透湿性に優れたものを選択して使用することが望ましい。また、接着層86に用いる材料は、使用する基板との接着強度が高くなるものを選択することが望ましい。
バインダーの材料として、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、シリコーン樹脂などが挙げられる。
吸湿層85を構成する乾燥剤は、化学反応系乾燥剤、及び物理吸着系乾燥剤のいずれを用いてもよい。
物理吸着系乾燥剤としては、モレキュラーシーブ、シリカゲルなどが挙げられる。
化学反応系乾燥剤としては、アルカリ金属の酸化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、五酸化燐等が挙げられる。
アルカリ金属の酸化物としては、酸化リチウム(Li2O)、酸化ナトリウム(Na2O)等が挙げられる。
アルカリ土類金属の酸化物としては、酸化マグネシウム(MgO)、酸化カルシウム(CaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化バリウム(BaO)等が挙げられる。
アルカリ土類金属のハロゲン化物として、塩化カルシウムが挙げられる。
これらの乾燥剤の中で、水(H2O)との反応性が高く、乾燥剤としての性能が優れていることから、アルカリ金属の酸化物及び/又はアルカリ土類金属の酸化物を含むことが好ましい。即ち、乾燥剤は、アルカリ金属の酸化物及びアルカリ土類金属の酸化物のうちいずれかを含んでもよく、両方を含んでいてもよい。更に、アルカリ金属の酸化物及び/又はアルカリ土類金属の酸化物をそれぞれ複数種含んでいてもよい。
例えば、乾燥剤の酸化バリウム単体は、自重に対して0.117(g/g)の水と反応し、その密度5.72 から、吸湿能力は669(mg/cc)となる。
また、酸化カルシウム単体の吸湿能力は1,075(mg/cc)となる。
一方、(i) 接着層の水蒸気透過度が高いとき、 (ii) 接着層の幅が狭いとき、(iii)吸湿層の幅が狭いとき、又は吸湿層の面積が小さいとき、(iv)電子デバイスの寿命を長く設定するとき、には、吸湿層の吸湿能力を高く設定する必要がある。
一方、吸湿層における乾燥剤の割合が低すぎる場合には、バインダーに残留している水分により、混合の際に乾燥剤の吸湿能力の失われる割合が高くなり、初期の吸湿層の吸湿能力が低下するおそれがある。
また、吸湿層85を構成する材料は、電子デバイス70における吸湿層85が設けられる位置によって、それぞれ異なっていてもよい。
先ず、機能素子72が設けられた第1の基板71の一方の面71a上に、上記方法により、第1の基板71の外周に沿って、封止部84を額縁状に形成する。次いで、面71aの上から第2の基板63を載せて積層する。接着層86として、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂を用いる場合には、加温又は光照射により、これらの樹脂を硬化させる。
封止部84が形成された第1の基板71と、第2の基板63と、を貼合させるに際し、第2の基板63がフィルム、金属箔等、柔軟性の基板である場合には、ラミネーターを使用することができる。
本実施形態において、機能素子72としては、特に限定されず、有機EL素子、液晶表示素子、電気泳動表示素子、有機薄膜太陽電池等が挙げられる。これらの機能素子を構成する材料が有する特性から、該機能素子を用いた本実施形態の電子デバイス70には、極めて低い水蒸気透過特性が求められる。
図6は、本発明の電子デバイスの第2の実施形態を示す側断面図である。なお、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは適宜異ならせてある。
本実施形態において、第1実施形態に示されたものと同じ構成要素には、同一の符号を付して説明を省略する。
本実施形態においては、第1の基板71及び第2の基板93の両方が、ガスバリア性フィルムである。即ち、第2の基板93は、フィルム94とバリア層95とからなる。機能素子を保護する観点から、バリア層は、ガスバリア性フィルムの機能素子に面する側に形成されていることが好ましく、本実施形態においては、フィルム94の面94a上にバリア層95が形成されている。機能素子の保護機能を更に高める観点から、フィルムの両面にバリア層が形成されてもよい。即ち、フィルム94の面94b上にもバリア層が形成されていてもよい。
(A−1)フィルム
2軸延伸ポリエチレンナフタレートフィルム(PENフィルム、厚み:100μm、幅:350mm、帝人デュポンフィルム(株)製、商品名「テオネックスQ65FA」)
すなわち、A−1を基材(基材F)として用い、これを送り出しロ−ル11に装着した。
そして、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18との間の空間に無終端のトンネル状の磁場を形成すると共に、第1成膜ロール17と第2成膜ロール18にそれぞれ電力を供給して第1成膜ロール17と第2成膜ロール18との間に放電させ、このような放電領域に成膜ガス(原料ガス(HMDSO)及び反応ガス(酸素ガス)の混合ガス)を供給して、下記条件にてプラズマCVD法による薄膜形成を行った。この工程を3回行うことにより、珪素、酸素、炭素の元素から成るSiOXCYのバリア層が積層されたガスバリア性フィルムを得た。
原料ガスの供給量:50sccm
酸素ガスの供給量:500sccm
真空チャンバー内の真空度:3Pa
プラズマ発生用電源からの印加電力:0.8kW
プラズマ発生用電源の周波数:70kHz
フィルムの搬送速度:0.5m/min
得られたガスバリア性フィルムの水蒸気透過度について、温度40℃、低湿度側の湿度0%RH、高湿度側の湿度90%RHの条件で、水蒸気透過度測定機(GTRテック社製、GTRテック−30XASC)を用いて測定したところ、2×10−4g/(m2・day)であった。
得られたガスバリア性フィルムについて、下記条件にてXPSデプスプロファイル測定を行い、珪素原子、酸素原子、炭素原子の分布曲線を作成したところ、得られた珪素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線から、炭素分布曲線が実質的に連続であること、炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上であることを満たしていることが確認された。
エッチングイオン種:アルゴン(Ar+)
エッチングレート(SiO2熱酸化膜換算値):0.05nm/sec
エッチング間隔(SiO2換算値):10nm
X線光電子分光装置:Thermo Fisher Scientific社製、VG Theta Probe
照射X線:単結晶分光AlKα
X線のスポット形状及びスポット径:800×400μmの楕円形。
実験例2で使用した材料を以下に示す。
(A−2)基板
実験例1で作成した、ガスバリアフィルム(フィルム:ポリエチレンナフタレート (PEN) 、バリア層:SiOXCY)のバリア層表面をUVオゾン洗浄したものを2枚用意した。
(C−1)光硬化性樹脂
UV硬化樹脂 (エポキシアクリレート、25℃における粘度:7720(mPa・s)、日立化成工業(株)製、商品名「ヒタロイド7851」)
(C−2)光重合開始剤
光重合開始剤(2,2-ジメトキシー1,2−ジフェニルエタンー1−オン、融点:63〜67℃、BASF社製、商品名「IRGACURE651」)
次いで、第2の基板として2枚目のA−2を用い、第1の基板におけるD−1の塗工面と、第2の基板のバリア層面と、を貼合した。
次いで、UV照射装置を用いて、貼合した面に、10mW/cm2の強度で100秒間 UV照射を行った。D−1は硬化して接着層が形成され、この接着層は、ガスバリア性フィルムと密着していることが確認された。
実験例3で使用した材料を以下に示す。
(A−3)基板
フィルム(ポリエチレンテレフタレート (PET) )を2枚用意した。
(C−1)光硬化性樹脂
UV硬化樹脂 (エポキシアクリレート、25℃における粘度:7720(mPa・s)、日立化成工業(株)製、商品名「ヒタロイド7851」)
(C−2)光重合開始剤
光重合開始剤(2,2-ジメトキシー1,2−ジフェニルエタンー1−オン、融点:63〜67℃、BASF社製、商品名「IRGACURE651」)
(E)乾燥剤
乾燥剤(酸化バリウム、BET比表面積法による平均粒子径:0.9μm)
1枚目のA−3の面上に、バーコーターを用いてF−1を約250μmの厚さに塗工後、塗工面に2枚目のA−3を貼合した。次いで、UV照射装置を用いて、貼合した面に、10mW/cm2の強度で100秒間 UV照射を行った後、形成された吸湿層をA−3から剥離し、吸湿能力測定の試料として用いた。
高温高湿対応TG/DTA測定装置(エスエスアイ・テクノロジー(株)製)を用いて、一定の温度・湿度下での、吸湿層12.28(mg)の吸湿による重量増加を測定した。測定条件等を以下に示す。
50℃60%RH条件下で、試料を過飽和とし、2.5時間後に50℃0%RHの条件に切り替え、1時間以上の測定で漸近した重量増加量を試料の吸湿能力とした。
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比、及び炭素の原子数比が、前記バリア層の膜厚方向における90%以上の領域において、下記式(1)で表される条件を満たすこと、
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上であること、
を全て満たし、
前記炭素分布曲線から求められる前記炭素の原子数比の平均値が、3at%以上30at%以下であり、前記バリア層の平均密度が1.8g/cm3以上であり、前記封止部は、吸湿層と接着層とからなり、前記吸湿層が、前記接着層の内側に、前記機能素子を囲むように形成されており、前記吸湿層の吸湿能力が10mg/cc以上であることを満たし、プラズマ化学気相成長法を用いて、フィルム上にバリア層を形成して前記ガスバリヤフィルムを成膜する成膜工程を有し、該成膜工程を、前記フィルムが巻き掛けられる第1成膜ロールと、前記第1成膜ロールに対向し、前記第1成膜ロールに対し前記フィルムの搬送経路の下流において前記フィルムが巻き掛けられる第2成膜ロールと、を備える成膜装置を用いて行い、前記バリア層を、前記第1ロールと前記第2ロールとが対向する空間に、無終端のトンネル状の磁場を形成することにより、前記トンネル状の磁場に沿って形成される放電プラズマを用いたプラズマ化学気相成長法により形成すること、を特徴とする。
Claims (8)
- 第1の基板と、前記第1の基板の面上に設けられた機能素子と、
前記第1の基板の前記面に対向する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との間にあって、前記第1の基板と前記第2の基板の周縁部に沿って配置され、前記第1の基板と前記第2の基板とを貼り合わせる封止部と、を有し、
前記第1の基板及び前記第2の基板の少なくとも一方は、フィルムと前記フィルムの少なくとも片方の面に形成された少なくとも1層のバリア層とを備えるガスバリア性フィルムであり、前記ガスバリア性フィルムの水蒸気透過度は10−2g/m2・day以下であり、
前記バリア層のうちの少なくとも1層が珪素原子、酸素原子及び炭素原子を含有し、
前記バリア層の膜厚方向における前記バリア層の表面からの距離と、前記距離に位置する点の前記バリア層に含まれる珪素原子、酸素原子、及び炭素原子の合計数に対する珪素原子数の比率(珪素の原子数比)、酸素原子数の比率(酸素の原子数比)、炭素原子数の比率(炭素の原子数比)との関係をそれぞれ示す珪素分布曲線、酸素分布曲線、及び炭素分布曲線において、下記の条件(i)〜(iii):
(i)珪素の原子数比、酸素の原子数比、及び炭素の原子数比が、前記バリア層の膜厚方向における90%以上の領域において、下記式(1)で表される条件を満たすこと、
(酸素の原子数比)>(珪素の原子数比)>(炭素の原子数比)・・・(1)
(ii)前記炭素分布曲線が少なくとも1つの極値を有すること、
(iii)前記炭素分布曲線における炭素の原子数比の最大値及び最小値の差の絶対値が5at%以上であること、
を全て満たし、
前記炭素分布曲線から求められる前記炭素の原子数比の平均値が、3at%以上30at%以下であり、
前記バリア層の平均密度が1.8g/cm3以上であり、
前記封止部は、吸湿層と接着層とからなり、前記吸湿層が、前記接着層の内側に、前記機能素子を囲むように形成されており、前記吸湿層の吸湿能力が10mg/cc以上であることを特徴とする電子デバイス。 - 前記バリア層のうちの少なくとも1層が、珪素、酸素、及び水素を含有しており、
前記バリア層の29Si固体NMR測定において求められる、酸素原子との結合状態が異なる珪素原子の存在比に基づいて、Q4のピーク面積に対する、Q1,Q2,Q3のピーク面積を合計した値の比が、下記条件式(I)を満たす請求項1に記載の電子デバイス。
(Q1,Q2,Q3のピーク面積を合計した値)/(Q4のピーク面積)<10 …(I)
(Q1は、1つの中性酸素原子及び3つの水酸基と結合した珪素原子を示し、Q2は、2つの中性酸素原子及び2つの水酸基と結合した珪素原子を示し、Q3は、3つの中性酸素原子及び1つの水酸基と結合した珪素原子を示し、Q4は、4つの中性酸素原子と結合した珪素原子を示す。) - 前記バリア層は、前記ガスバリア性フィルムの前記機能素子に面する側の面に形成されている請求項1又は2に記載の電子デバイス。
- 前記第1の基板及び前記第2の基板の両方が、前記ガスバリア性フィルムである請求項1から3のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記ガスバリア性フィルムは、前記フィルムの両面に前記バリア層が形成されている請求項1から4のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記封止部の吸湿層が、乾燥剤及びバインダーからなり、前記乾燥剤は、アルカリ金属の酸化物及び/又はアルカリ土類金属の酸化物を含む請求項1から5のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記封止部の接着層が、熱硬化性樹脂又は光硬化性樹脂からなる請求項1から6のいずれか1項に記載の電子デバイス。
- 前記フィルムの形成材料が、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、及びポリイミド樹脂から選ばれる樹脂材料を1種以上含む請求項1から7のいずれか1項に記載の電子デバイス。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2012082407A Division JP2013211241A (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 電子デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016189355A true JP2016189355A (ja) | 2016-11-04 |
JP6261682B2 JP6261682B2 (ja) | 2018-01-17 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6261682B2 (ja) |
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