CN103548174B - 用于制造图案化层的制造设备和方法以及电学器件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于在衬底(14)上制造图案化层(18)的制造设备。在衬底(14)上的第二区域中应用保护材料(17)并且然后将液体层材料(18)印刷在衬底(14)上的与第二区域不同的第一区域中。在通过使用比保护材料(17)的熔化温度高的去除温度从衬底(14)去除保护材料(17)之前,通过将层材料(18)加热到比保护材料(17)的熔化温度的干燥温度来干燥层材料(18)。因此可以在不使用例如昂贵光刻工艺的情况下生产图案化层(18),并且由于保护材料(17)的使用,层材料(18)仅存在于期望的第一区域中而不存在于第二区域中。这改善了图案化层的质量,该图案化层可以用于生产OLED。
Description
技术领域
本发明涉及用于制造图案化层的制造设备、制造方法和制造计算机程序。本发明还涉及包括所述图案化层的诸如有机发光二极管(OLED)的电学器件。
背景技术
OLED通常包括用于提供阳极的图案化导电材料,其中各有机层夹在阳极和另一导电层之间,该另一导电层形成阴极。形成阳极的导电层通常通过使用光刻来图案化。尤其对于小产品系列,这使得图案化层成为昂贵的部件,因为光刻已经发展为获得很高精确度和精细图案分辨率,这使得光刻成为昂贵的工艺。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于制造图案化层的制造设备、制造方法和制造计算机程序而不使用昂贵的光刻工艺。本发明的另一个目的是提供包括所制造的图案化层的诸如OLED的电学器件。
在本发明的第一方面,提出了一种用于在衬底上制造图案化层的制造设备,其中所述衬底包括第一区域和第二区域,形成所述层的层材料将应用在所述第一区域中,所述层材料将不应用在所述第二区域中,其中所述制造设备包括:
- 保护材料应用单元,其用于在所述衬底上的第二区域中应用保护材料,
- 层材料应用单元,其用于在所述衬底上的第一区域中印刷液体层材料,
- 干燥单元,其用于通过将所述层材料加热到比所述保护材料的熔化温度低的干燥温度来干燥所述层材料,
- 保护材料去除单元,其用于通过使用比所述保护材料的熔化温度高的去除温度从所述衬底去除所述保护材料。
由于在衬底上的第一区域中印刷了所述层材料,因此可以在不使用昂贵光刻工艺的情况下生产图案化层。此外,由于在衬底上的第一区域中印刷液体层材料之前在衬底上的第二区域中应用保护材料,在第二区域中层材料仅可以位于保护材料上。因此,在保护材料被去除之后,层材料仅存在于第一区域中而不存在于第二区域中。这改善了图案化层的质量。
图案化层可以直接位于衬底上,或者一个或若干其它层可以设置在衬底与图案化层之间。例如,衬底可以是涂敷有阻挡层并且涂敷有导电涂层(例如氧化铟锡(ITO)涂层)的玻璃板,所述阻挡层可以包括氧化硅或氮化硅。所述导电涂层优选是透明的。因此所述制造设备可以被适配成在已经被提供在衬底上的导电层上应用保护材料以及印刷层材料。
可以在应用保护材料以及印刷层材料之前,清洁具有可选的一个或若干涂层的衬底。也可以预先处理具有可选的一个或若干涂层的衬底,以便改善印刷精确度和湿润行为,从而减少,特别地防止保护材料和/或层材料的通常可能的大范围扩散。
在一个优选实施例中,所述保护材料应用单元被适配成通过印刷应用所述保护材料。印刷的优点是与光刻相比不那么昂贵并且可以提供从一种设计到另一种设计的快速切换时间。进一步优选的是,所述保护材料应用单元被适配成应用蜡作为所述保护材料。在一个实施例中,使用在约90℃变为液体的蜡。所述蜡优选是可印刷的热蜡墨(hot wax ink)。
同样优选的是,所述层材料应用单元被适配成应用金属作为所述层材料。所述层材料优选包括银或铜。例如,层材料应用单元可以被适配成使用喷墨印刷或丝网印刷来应用该层材料。优选地,层材料应用单元被适配成在所述衬底上的第一区域中印刷金属墨(ink)。
所述衬底优选被涂敷有导电层,其中所述制造设备还可以包括消融单元(ablation unit),该消融单元用于穿过所述保护材料和所应用的层材料的至少其一来消融所述导电层,以在所述衬底上产生图案化的导电层。特别地,所述消融单元包括用于穿过保护材料和/或层材料执行激光消融的激光器。在一个实施例中,所述激光器是具有用于等脉冲能量的Q开关模式的在355nm工作的固态激光器。束廓形可以是高斯形的。然而,在一个优选实施例中,束廓形是平顶廓形。同样地,激光消融与光刻相比更不那么昂贵并且可以提供从一种设计到另一种设计的快速切换时间。
优选在应用层材料之后,特别地在将金属墨印刷在衬底上(即,衬底的导电层上)并干燥之后,执行导电层的消融。所述消融单元优选地被适配成消融作为所述导电层的位于衬底上的ITO层。
还优选的是,保护材料去除单元被适配成使用经加热的水来去除保护材料。因此,可以仅通过使用经加热的水以相对简单方式去除保护材料。优选地,通过使用被加热到比蜡的熔化温度高的温度的水去除优选为蜡的保护材料。所述水优选是蒸馏水。例如,所述水被加热到约90℃的温度,在该温度蜡可以是液体,或者所述水可以被加热到更高的温度。它可以在低于例如100℃的温度作为液体被提供,在例如约100℃的温度作为蒸汽被提供,或者在高于例如100℃的温度作为过热蒸汽被提供。该去除过程可以通过喷洒-剥离或另一种剥离技术被执行。
所述保护材料去除单元还可以被适配成将所述层结构,特别地将所述衬底加热到保护材料蒸发的温度。所述蒸发可以去除在仅使用经加热的水执行去除过程之后仍然可能存在的保护材料的单层。
在一个优选实施例中,所述制造设备还包括用于烧结所述层材料的烧结单元。所述层材料优选是诸如银或铜墨的金属墨,该金属墨通过例如高于130℃的温度被烧结。通过烧结,蜡的同样可能剩余的部分可以通过将它们汽化而去除。
同样优选的是,所述制造设备包括绝缘材料应用单元,其用于在所述保护材料被去除之后在所述层材料上应用绝缘材料。所述绝缘材料应用单元优选地被适配成通过喷墨印刷应用所述绝缘材料。所述绝缘材料优选是抗蚀剂。
所述制造设备还可以包括用于固化所述绝缘材料的固化单元。在一个实施例中,所述固化单元被适配成烘烤所述绝缘材料。
在一个实施例中,所述制造设备包括电学器件生产单元,其用于生产包括所述图案化层的电学器件。例如,所述衬底可以包括一个或若干涂层,尤其是诸如ITO涂层的导电涂层,并且所述层材料可以被印刷在所述导电涂层上。可以通过使用所述消融单元来图案化所述导电涂层以便生产这样的层结构,该层结构包括具有图案化的导电涂层以及所印刷的层材料的衬底,图案化的导电涂层例如是图案化的ITO涂层,所印刷的层材料优选地形成第二图案化的导电涂层。所述电学器件生产单元可以被适配成在所述层结构上应用有机材料,然后在所述层结构的一部分上以及在所述有机材料上应用另一导电层以用于提供阴极。位于衬底上的图案化的导电涂层——即,例如图案化的ITO涂层——可以形成阳极,其中图案化的印刷的层材料可以被认为是用于改善阳极内的电流分布的支持结构。阴极和阳极可以电连接到电压源,以便向有机材料应用电压,所述有机材料然后发光。因此所生产的电学器件优选是OLED。所述电学器件生产单元还可以被适配成提供外壳和吸气剂以用于保护所述有机材料不受潮。
在本发明的另一方面,提出了一种电学器件,其中所述电学器件包括可由如上文所提到的制造设备制造的位于衬底上的图案化层。在一个优选实施例中,所述电学器件是OLED。
在本发明的另一方面,提出了一种用于在衬底上制造图案化层的制造方法,其中所述衬底包括第一区域和第二区域,形成所述层的层材料将应用在所述第一区域中,所述层材料将不应用在所述第二区域中,其中所述制造方法包括:
- 在所述衬底上的第二区域中应用保护材料,
- 在所述衬底上的第一区域中印刷液体层材料,
- 通过将所述层材料加热到比所述保护材料的熔化温度低的干燥温度来干燥所述层材料,
- 通过使用比所述保护材料的熔化温度高的去除温度从所述衬底去除所述保护材料。
在本发明的另一方面,提出了一种用于制造层结构的制造计算机程序。其中所述制造计算机程序至少包括在衬底上的第一图案化层和第二图案化层,该计算机程序包括程序代码装置,当该计算机程序在控制如上文所提到的制造设备的计算机上运行时,该程序代码装置致使所述制造设备实施如上文所提到的制造方法的各步骤。
应当理解,如上文所提到的制造设备、电学器件、制造方法和制造计算机程序具有相似和/或相同的优选实施例。
应当理解,本发明的优选实施例也可以是本公开中的实施例的任何组合。
参考在下文中描述的实施例,本发明的这些及其它方面将显而易见并且得到阐明。
附图说明
图1示意性且示例性地示出用于从衬底制造图案化层的制造设备的实施例,
图2-6示意性且示例性地示出在由所述制造设备执行的不同工艺步骤之后的层结构,
图7示意性且示例性地示出包括所加工的层结构的OLED,以及
图8示出流程图,该流程图示例性地图示用于在衬底上制造图案化层的制造方法的实施例。
具体实施方式
图1示意性且示例性地示出一种用于在衬底上制造图案化层的制造设备,其中所述衬底包括第一区域和第二区域,形成所述层的层材料将应用在所述第一区域中,所述层材料将不应用在所述第二区域中。在此实施例中,衬底14被涂敷有阻挡层15和导电层16。阻挡层15优选是氧化硅层或氮化硅层。阻挡层15可以具有在10-30nm的范围内的厚度。在此实施例中,导电层16是ITO层,并且可以具有150nm的厚度。衬底14、阻挡层15和导电层16形成由制造设备1加工的层结构13。
制造设备1包括用于初始清洁层结构13的初始清洁单元2。例如,首先,可以可选地改善水的湿润行为,然后可以接着进行若干漂洗步骤和/或机械刷洗。在正常地去除较大颗粒的那些步骤之后,在层结构13接着被移动到空气刀下并且随后通过红外加热被干燥之前,可以接着进行超声和兆频超声清洁步骤来去除较小的颗粒。在此工艺之后,可以接着进行紫外臭氧准备步骤来改变表面能。
制造设备1还包括保护材料应用单元3,其用于在衬底上的第二区域中(即在与阻挡层15一起被涂敷在衬底14上的导电层16上)应用保护材料17。在此实施例中,保护材料应用单元3被适配成通过印刷应用保护材料17。所述保护材料优选是蜡质墨,其也可以被标记为热蜡墨。所使用的蜡在约90℃变为液体。在印刷和释放温度后,保护材料凝固并且形成保护掩模。保护材料应用单元3优选被适配成使用例如由Océ Technologies B.V.提供的加热喷墨技术。图2示意性且示例性地示出了所得到的具有保护材料17的层结构。
制造设备1还包括层材料应用单元4,其用于在衬底上的第一区域中印刷液体层材料,即,在此实施例中,用于在包括阻挡层15和导电层16的衬底14上的第一区域中印刷液体层材料。在此实施例中,层材料应用单元4被适配成通过使用喷墨印刷或丝网印刷应用诸如银或铜墨的金属墨作为所述层材料。金属墨可以包括金属纳米颗粒以及用于防止金属墨在印刷头内部堵塞的一定量的聚合物。所述聚合物之后可以通过下文所述的烧结工艺被驱出,在所述烧结工艺中仅所述金属留下来并且单个的纳米颗粒熔化在一起。例如,来自例如SunChemicals的产品名称为“Suntronic U5603”的基于银纳米颗粒的墨(由25-40体积百分比的乙二醇、25-40体积百分比的乙醇、10-25体积百分比的丙三醇、2.5-5体积百分比的2-异丙氧基乙醇以及约3体积百分比的Ag组成)可以与由Dimatix DMP2800提供的具有标准Dimatix Material Cartridges DMC11610的金属墨喷墨技术一起使用。图3示意性且示例性地示出层材料18(在此实施例中为金属墨)被印刷之后的层结构。
在层材料18被印刷之后,干燥单元5通过将层材料18加热到比保护材料17的熔化温度低的干燥温度来干燥层材料18。例如,干燥单元5可以被适配成在约80℃的温度干燥层材料18例如15分钟。干燥单元5可以包括用于执行干燥过程的对流加热炉。
制造设备1还包括消融单元6,其用于穿过保护材料17和/或穿过所应用的层材料18消融导电层16,以产生图案化的导电层16。在此实施例中,消融单元6包括用于穿过保护材料和/或层材料执行激光消融的激光器。所述激光器优选是具有用于等脉冲能量的Q-开关模式的在355nm工作的固态激光器。束廓形可以是高斯形的,但也可以具有诸如平顶廓形形状的另一形状。所得到的层结构在图4中示意性且示例性地示出。在图4中,箭头20指示消融单元6的激光器。
激光消融会产生保护材料17和/或层材料18(优选是金属墨)的碎屑颗粒。此外,激光消融会产生层材料16的碎屑。在图4中,用附图标记19表示碎屑颗粒。在层材料18已经被印刷在层结构上之后执行激光消融,从而避免在消融线上面的意外印刷的层材料(即,在此实施例中为意外印刷的金属)。在印刷层材料18之后消融确保了消融线将不会被碎屑颗粒覆盖,并且在印刷保护材料17之后消融确保了在去除保护材料17之后由消融带来的碎屑不留在层16上。
制造设备1还包括保护材料去除单元7,其用于通过使用比保护材料17的熔化温度高的去除温度从衬底去除保护材料17。在此实施例中,保护材料去除单元7被适配成使用经加热的水来去除保护材料17。特别地,蜡优选用作所述保护材料,其通过使用被加热到比蜡的熔化温度高的温度的水被去除。特别地,所述水优选是蒸馏水,其被加热到约90℃或95℃的温度。优选通过喷洒-剥离来执行所述去除过程。然而,在另一实施例中,所述去除过程也可以通过使用另一剥离技术执行。例如,保护材料去除单元7可以包括一连串的漂洗站,其中从漂洗站到漂洗站保护材料被越来越多地去除。随着保护材料17的去除,也去除了可能由所述消融过程产生的碎屑颗粒和/或误印在第二区域中的金属墨(即层材料)。图5示意性且示例性地示出在保护材料17去除之后的层结构。
所述制造设备还包括用于烧结层材料18的烧结单元8。烧结单元8优选地被适配成在高于130℃的温度烧结金属墨。该烧结步骤可以具有这样的副作用,即它可以进一步去除潜在的保护材料17的薄的残留物。因此可以执行所述烧结以便保护材料的残留物可以被去除。
制造设备1还包括用于在层材料上应用绝缘材料的绝缘材料应用单元9。在此实施例中,绝缘材料21是抗蚀剂,其通过喷墨印刷被应用。所述抗蚀剂诸如是例如AZ1518的光致抗蚀剂,其中优选地可以使用上文所述的使用具有标准Dimatix Material CartridgesDMC11610的Dimatix DMP2800喷墨技术。所得到的具有绝缘材料21的层结构在图6中示意性且示例性地示出。
制造设备1还包括固化单元10,其用于固化所述绝缘材料,尤其是烘烤所述绝缘材料。此外,制造设备1包括最后清洁单元11,其用于执行最后的清洁过程。最后清洁单元11可以被适配成执行与上述初始清洁相似的最后清洁。可以由相同或不同的单元执行所述初始清洁和最后清洁。
制造设备1还可以包括电学器件生产单元12,其用于生产包括所清洁的层结构的电学器件。例如,电学器件生产单元12可以被适配成如图7示意性且示例性所示在层结构上应用有机层27和另外的导电层28。此外,电学器件生产单元41可以被适配成在所述层结构上附着具有吸气剂23的金属外壳22用于防潮。然后将毗邻有机层27的经消融的导电图案16的部分以及另外的导电层28经由层材料18和电连接24、25连接到电压源26,以便在有机材料27中引入电流,用于以已知方式产生光29。因此所述另外的导电层28优选是阴极,并且毗邻有机材料27的经消融的导电层16的所述部分优选是阳极。电学器件生产单元12所生产的电学器件因此优选是OLED。
在下文中,将参考图8中所示的流程图来示例性地描述用于在衬底上制造图案化层的制造方法的实施例。
在步骤101,初始清洁单元2清洁具有阻挡层15和导电层16的衬底14。在步骤102,保护材料应用单元3在将不应用层材料的第二区域中应用保护材料。特别地,保护材料应用单元3在导电层16上的第二区域中印刷蜡,用于保护这些第二区域。在步骤103,层材料应用单元4在衬底上的第一区域(金属应最后存在于该第一区域中)中,即,在衬底14上涂敷在阻挡层15上的导电层16上,印刷金属墨作为层材料。在步骤104,干燥单元5通过将金属墨加热到比保护材料的熔化温度低的干燥温度干燥所述金属墨,并且在步骤105,消融单元6穿过保护材料17和所应用的金属18的至少其一消融导电层16,以产生图案化的导电层16。在步骤106,保护材料去除单元通过使用经加热的水去除保护材料17,所述水被加热到例如约90℃或95℃的温度,在约90℃或95℃的温度所述保护材料(优选为蜡)变为液体。在步骤107,烧结单元8烧结金属材料18,并且在步骤108,通过使用绝缘材料应用单元9应用绝缘材料21。然后在步骤109中通过固化单元10固化(尤其是烘烤)所应用的绝缘材料,随之在步骤110中通过最后清洁单元11清洁所得到的层结构。在步骤111,电学器件生产单元12基于所清洁的结构生产电学器件,尤其是OLED。
用于OLED制造的衬底通常广泛地由具有透明导电阳极涂层和顶上的金属化物的显示器玻璃制成。阳极和金属层二者都被图案化以实现电绝缘区域,并且在金属的情况下,产生用于光提取的窗口。尽管在OLED显示器或小的器件中金属通常仅形成器件的框架,但是在更大的器件中,由于阳极材料的有限导电性,附加的支持精细金属结构可以被应用以改善横向电流分布从而实现均匀发射器件。可替换的衬底也可以用由诸如塑料材料的另一材料制成。
当前的制造主要是基于阳极和金属化物的全区涂敷以及利用通常由光刻完成的后续图案化工艺。尤其对于小产品系列而言,这使得衬底成为昂贵的部件,原因在于大量金属材料被浪费;由于掩模成本的原因,光刻是昂贵的,并且由于所需的化学过程的原因,光刻具有有限的环境友好性。
该制造设备和方法使用印刷工艺用于印刷层材料(尤其是金属墨),而不是使用光刻。通常,将层材料放置在不想要的区域中存在合理的风险。通过丝网印刷,这可能是在一些时间之后墨在网下面蠕动;因此随后墨可能与上文所述阳极接触,形成层材料的不受控岛。考虑喷墨印刷,层材料的这种人为的且不想要的沉积可归因于喷嘴堵塞、喷洒、附属物(satellite)、发射次序(firing sequence)以及其它参数。对于其它印刷技术,其它原因适用。即使印刷参数可以被优化以在一定程度上最小化所述效应,但是从长远来看将或多或少地发生人为的沉积。
由于尺寸非常不同的那些岛的结果,建立在其上的电学器件(尤其是OLED)会变得很不可靠。在OLED的情况下,一方面这是因为颗粒对于薄OLED通常是关键的,原因在于在有机材料沉积期间的遮挡效应,由此得到更薄的有机材料或金属层,或者甚至直接形成到阴极的短路。在另一方面,在寿命期间源于附属物沉积的材料向阴极的迁移限制了可靠性。一旦其发生,在那些点周围场强显著增加,导致电流增加,电流增加本身导致温度更高以及有机材料电阻率减小,所述电阻率减小反过来导致电流进一步增加。总的效果是在此位置处有机材料寿命显著减少和/或形成使得器件不工作(dead)的电捷径。
通过在印刷层材料之前引入保护膜,所述制造设备和方法使用一种途径来确保层材料(尤其是金属)仅沉积在期望该层材料存在的区域中,或者在层材料被误沉积时仅沉积在该层材料是不关键的区域中。该膜可以覆盖有源区,从而误印刷在该区域中的层材料位于该膜顶上。在金属被烧结之前,该膜将被去除,该膜连同带走潜在存在的不想要的金属并且留下清洁表面以用于例如OLED沉积。
保护膜(即保护材料)优选被适配成可完全被去除,而不也去除印刷的层材料。仅位于保护膜顶上的不想要的层材料应当随着保护膜去除而被去除。这两个要求(即,i)完全去除保护材料和ii)不去除所印刷的层材料)的组合满足起来复杂,这是因为一方面所印刷的层材料不得不被加热而变干并且耐受针对保护物的去除工艺,另一方面热处理对保护材料也有相同的效果。因此,通过加热,不可能去除的趋势增加。这意味着,一方面,加热层材料以增加其与衬底的附着也增加了保护物的附着,并且因此要么倾向于去除保护材料和层材料二者,即,没有干燥,要么倾向于一个也不去除,即,进行干燥。所述制造设备和方法提供了一种解决方案,该解决方案通过使用具有上述属性的保护材料,尤其是通过使用蜡作为保护材料,并且通过应用上文提及的制造步骤,解决了这两个要求。
尽管在上述实施例中,所述制造设备被适配成制造OLED,所述制造设备也可以被适配成仅在衬底上制造图案化层,尤其是在衬底上制造包括图案化的第一层和图案化的第二层的层结构。特别地,所述制造设备可以被适配成仅制造图6中指示的层结构。所制造的层结构然后可以用作生产OLED或另一电学器件的基础。
根据对附图、公开内容和各种实施例的学习,本领域技术人员在实践所要求保护的发明时可以理解和实现对所公开实施例的其它改变。
在本公开中,“包括”一词不排除其它元素或步骤,并且不定冠词“一”或“一个”不排除多个。
单个单元或器件可以实现本公开中所述的若干项的功能。在相互不同的实施例中陈述某些手段的纯粹事实并不指示不能有利地使用这些手段的组合。
通过使用一个或若干单元或器件执行的工艺步骤,比如应用保护材料和层材料、消融、剥离保护材料等,可以由任何其它数量的单元或器件执行。根据所述制造方法对所述制造设备的控制可以实现为计算机程序的程序代码装置和/或实现为专用硬件。
计算机程序可以存储/分配于与其它硬件一起或作为其它硬件一部分被提供的适当介质(诸如光学存储介质或固态介质),但是也可以以其它形式分配,诸如经由互联网或其它有线或无线电信系统。
本公开中的任何附图标记不应当理解为限制范围。
本发明涉及一种用于在衬底上制造图案化层的制造设备。将保护材料应用在衬底上的第二区域中,以及然后将液体层材料印刷在衬底上与第二区域不同的第一区域中。在通过使用比保护材料的熔化温度高的去除温度从衬底去除保护材料之前,通过将层材料加热到比保护材料的熔化温度低的干燥温度来干燥层材料。因此可以在不使用例如昂贵光刻工艺的情况下生产图案化层,并且由于保护材料的使用,层材料仅存在于期望的第一区域中而不存在于第二区域中。这改善了图案化层的质量,该图案化层可以用于生产OLED。
Claims (11)
1.一种用于在涂敷有导电层(16)的衬底(14)上制造图案化的导电层的制造设备(1),其中所述衬底包括第一区域和第二区域,形成所述图案化的导电层的层材料将应用在所述第一区域中,所述层材料将不应用在所述第二区域中,所述制造设备包括:
- 保护材料应用单元(3),其用于在所述衬底上的第二区域中应用保护材料(17),
- 层材料应用单元(4),其用于在所述衬底上的第一区域中印刷液体层材料(18),
- 干燥单元(5),其用于通过将所述层材料(18)加热到比所述保护材料(17)的熔化温度低的干燥温度来干燥所述层材料(18),
- 消融单元(6),其用于穿过所述保护材料和所述层材料的至少其一来消融所述导电层以产生图案化的导电层,以及
- 保护材料去除单元(7),其用于通过使用比所述保护材料(17)的熔化温度高的去除温度从所述衬底去除所述保护材料(17)。
2.如权利要求1所述的制造设备,其中所述保护材料应用单元(3)被适配成通过印刷应用所述保护材料(17)。
3.如权利要求1所述的制造设备,其中所述保护材料应用单元(3)被适配成应用蜡作为所述保护材料(17)。
4.如权利要求1所述的制造设备,其中所述层材料应用单元(4)被适配成应用金属作为所述层材料(18)。
5.如权利要求1所述的制造设备,其中所述保护材料去除单元(7)被适配成使用经加热的水来去除所述保护材料(17)。
6.如权利要求1所述的制造设备,其中所述制造设备(1)还包括用于烧结所述层材料(18)的烧结单元(8)。
7.如权利要求1所述的制造设备,其中所述制造设备(1)还包括绝缘材料应用单元(9),其用于在所述保护材料(17)被去除之后在所述层材料(18)上应用绝缘材料(21)。
8.如权利要求1所述的制造设备,其中所述制造设备(1)还包括电学器件生产单元(12),其用于生产包括所述图案化的导电层的电学器件。
9.一种电学器件,其包括可由如权利要求1所述的制造设备制造的位于衬底上的图案化层。
10.如权利要求9所述的电学器件,其中所述电学器件是有机发光二极管。
11.一种用于在涂敷有导电层(16)的衬底(14)上制造图案化的导电层的制造方法,其中所述衬底包括第一区域和第二区域,形成所述图案化的导电层的层材料将应用在所述第一区域中,所述层材料将不应用在所述第二区域中,所述制造方法包括:
- 在所述衬底上第二区域中应用保护材料(17),
- 在所述衬底上的第一区域中印刷液体层材料(18),
- 通过将所述层材料(18)加热到比所述保护材料(17)的熔化温度低的干燥温度来干燥所述层材料(18),
- 穿过所述保护材料和所述层材料的至少其一消融所述导电层以产生所述图案化的导电层,以及
- 通过使用比所述保护材料(17)的熔化温度高的去除温度从所述衬底去除所述保护材料(17)。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP11167070 | 2011-05-23 | ||
EP11167070.9 | 2011-05-23 | ||
PCT/IB2012/052292 WO2012160468A1 (en) | 2011-05-23 | 2012-05-09 | Fabrication apparatus for fabricating a patterned layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103548174A CN103548174A (zh) | 2014-01-29 |
CN103548174B true CN103548174B (zh) | 2016-09-28 |
Family
ID=46208109
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201280024866.5A Expired - Fee Related CN103548174B (zh) | 2011-05-23 | 2012-05-09 | 用于制造图案化层的制造设备和方法以及电学器件 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9472787B2 (zh) |
EP (1) | EP2715829B1 (zh) |
JP (1) | JP6058640B2 (zh) |
CN (1) | CN103548174B (zh) |
WO (1) | WO2012160468A1 (zh) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9231212B2 (en) * | 2011-05-23 | 2016-01-05 | Koninklijke Philips N.V. | Fabrication apparatus for fabricating a layer structure |
EP3041890A1 (en) | 2013-09-06 | 2016-07-13 | Solvay Specialty Polymers Italy S.p.A. | Electrically conducting assemblies |
JP6836908B2 (ja) * | 2017-01-10 | 2021-03-03 | 住友化学株式会社 | 有機デバイスの製造方法 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101267702A (zh) * | 2007-03-15 | 2008-09-17 | 财团法人山形县产业技术振兴机构 | 有机el发光装置及其制造方法 |
EP2086033A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | Applied Materials, Inc. | Method of coating a substrate and coating installation |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20030148024A1 (en) | 2001-10-05 | 2003-08-07 | Kodas Toivo T. | Low viscosity precursor compositons and methods for the depositon of conductive electronic features |
WO2003055636A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-10 | Ifire Technology Inc. | Method of laser ablation for patterning thin film layers for electroluminescent displays |
KR100778286B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2007-11-22 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전기발광소자의 제조 방법 |
US7288469B2 (en) | 2004-12-03 | 2007-10-30 | Eastman Kodak Company | Methods and apparatuses for forming an article |
US20060189113A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-24 | Cabot Corporation | Metal nanoparticle compositions |
US7510951B2 (en) * | 2005-05-12 | 2009-03-31 | Lg Chem, Ltd. | Method for forming high-resolution pattern with direct writing means |
KR100833017B1 (ko) * | 2005-05-12 | 2008-05-27 | 주식회사 엘지화학 | 직접 패턴법을 이용한 고해상도 패턴형성방법 |
WO2007004121A2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method for generating an electrode layer pattern in an organic functional device |
KR100690930B1 (ko) * | 2006-05-03 | 2007-03-09 | 한국기계연구원 | 깊은 제거를 이용하여 원하는 패턴 두께 혹은 높은종횡비를 가지는 고해상도 패턴 형성 방법 |
DE102007043182A1 (de) | 2007-09-11 | 2009-03-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung dicker Leiterbahnen auf Halbleiterbauelementen und Halbleiterbauelement |
US8659220B2 (en) * | 2010-06-07 | 2014-02-25 | Nec Lighting, Ltd. | Organic electroluminescent lighting device |
-
2012
- 2012-05-09 CN CN201280024866.5A patent/CN103548174B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-09 EP EP12725503.2A patent/EP2715829B1/en not_active Not-in-force
- 2012-05-09 US US14/117,436 patent/US9472787B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-09 JP JP2014511980A patent/JP6058640B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-09 WO PCT/IB2012/052292 patent/WO2012160468A1/en active Application Filing
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101267702A (zh) * | 2007-03-15 | 2008-09-17 | 财团法人山形县产业技术振兴机构 | 有机el发光装置及其制造方法 |
EP2086033A1 (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-05 | Applied Materials, Inc. | Method of coating a substrate and coating installation |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9472787B2 (en) | 2016-10-18 |
EP2715829B1 (en) | 2016-06-29 |
EP2715829A1 (en) | 2014-04-09 |
CN103548174A (zh) | 2014-01-29 |
WO2012160468A1 (en) | 2012-11-29 |
US20140203250A1 (en) | 2014-07-24 |
JP2014517998A (ja) | 2014-07-24 |
JP6058640B2 (ja) | 2017-01-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
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|
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20160928 Termination date: 20170509 |