TWI532162B - 可撓式顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Description

可撓式顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種顯示面板及其製造方法,且特別是有關於一種可撓式顯示面板及其製造方法。
隨著顯示技術的躍遷,顯示器從早期的陰極射線管(CRT)顯示器逐漸地發展到目前的平面顯示器(Flat Panel Display,FPD)。相較於硬質基板所構成的平面顯示器,由於可撓性基板具有可撓曲及耐衝擊等特性,因此近年來已著手研究將主動元件及顯示元件製作於可撓性基板上的可撓式顯示面板。
可撓式顯示面板的製造方法主要可區分成捲軸連續式(Roll to Roll)製程以及將可撓性基板貼附於硬質載板等兩種製造方法。以硬質載板作為載具的可撓式顯示面板製作技術而言,於完成顯示單元的製程後,如何將可撓性基板自硬質載板上離型,使可撓性基板與硬質載板分離,決定了可撓式顯示面板的製程良率及產值(yield)。
現有的可撓式顯示面板的製造方法包括先將可撓性基板固定在硬質載板上,之後再於可撓性基板上進行主動元件及顯示元件的製造流程。待主動元件及顯示元件製造完成之後,再將形成有主動元件及顯示元件的可撓性基板從硬質載板上取下,並與訊號傳遞線路接合。由於可撓性基板是直接製作於硬質載板上,因此在離型時,容易因應力而有斷線或者是裂痕(crack)的情況發生,導致製程良率下降。再者,當可撓性基板為塑膠基板時,於可撓性基板上製造主動元件及顯示元件時易受限於塑膠基板的製程溫度,而影響元件特性的表現。
其次,可撓性基板通常需透過位於其上的接墊與訊號傳遞線路接合,可撓式顯示面板才可運作。若是在可撓性基板與訊號傳遞線路接合之後,再進行可撓性基板與硬質載板的離型,容易導致可撓性基板與訊號傳遞線路剝離(peeling)的問題。另一方面,也可在可撓性基板與硬質載板離型之後,再將可撓性基板與訊號傳遞線路接合。然而,在可撓性基板與硬質載板離型之後且在與訊號傳遞線路接合之前,通常會先於可撓性基板的表面黏貼保護膜,以避免環境中的塵粒沾附到可撓性基板而導致可撓性基板上的線路或元件產生斷線或裂縫。因此,在使可撓性基板與訊號傳遞線路接合時,必須先令保護膜曝露出可撓性基板上的接墊。如此一來,除了造成製程步驟相對繁瑣、複雜外,製程良率在保護膜的來回黏貼、撕除下亦容易受到影響。
本發明提供一種可撓式顯示面板,其具有良好的信賴性。
本發明提供一種可撓式顯示面板的製造方法,其具有相對簡易的製程步驟。
本發明的一種可撓式顯示面板,其包括緩衝層、主動元件、接墊、顯示元件以及訊號傳遞線路。主動元件位於緩衝層上。接墊位於緩衝層中,並與主動元件電性連接。顯示元件位於主動元件上,並與主動元件電性連接,其中顯示元件包括畫素電極、對向電極以及位於畫素電極與對向電極之間的顯示介質層。主動元件與訊號傳遞線路分別位於緩衝層相對的第一表面與第二表面,且訊號傳遞線路透過接墊與主動元件電性連接。
在本發明的一實施例中,上述的接墊與顯示元件分離。
在本發明的一實施例中,上述的顯示介質層與接墊分離。
在本發明的一實施例中,上述的緩衝層具有第一接觸窗,接墊位於第一接觸窗內,且訊號傳遞線路透過接墊與主動元件電性連接。
在本發明的一實施例中,上述的顯示介質層包括有機發光層或液晶層。
在本發明的一實施例中,上述的接墊包括多層堆疊的導電層(stacked conductive layers)。
在本發明的一實施例中,上述的訊號傳遞線路包括軟性電路板。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式顯示面板更包括位於主動元件上的絕緣層,其中絕緣層具有第二接觸窗,且主動元件透過第二接觸窗與顯示元件電性連接。
在本發明的一實施例中,上述的接墊具有第三表面與第四表面,第三表面與第一表面位於同一側,第四表面與第二表面位於同一側,並且主動元件與第三表面接觸,而訊號傳遞線路與第四表面接觸。
本發明的一種可撓式顯示面板的製造方法包括以下步驟。首先,於載板上形成緩衝層。其次,於緩衝層上形成主動元件;並且於主動元件的形成過程中,於緩衝層中形成接墊,以使接墊與主動元件電性連接。接著,於主動元件上形成與主動元件電性連接的顯示元件,其中顯示元件包括畫素電極、對向電極以及位於畫素電極與對向電極之間的顯示介質層。然後,使載板與緩衝層分離,以曝露出接墊。使接墊與訊號傳遞線路電性連接。
在本發明的一實施例中,上述的接墊的形成方法包括以下步驟。於緩衝層中形成第一接觸窗。於第一接觸窗中填入導電材料,以於第一接觸窗內形成接墊。
在本發明的一實施例中,上述於載板上形成緩衝層之前,更包括於載板上形成離型層,且接墊與離型層接觸。
在本發明的一實施例中,上述的可撓式顯示面板的製造方法更包括移除離型層,以使載板與緩衝層分離。
在本發明的一實施例中,上述在形成顯示元件之前,更 包括於主動元件上形成絕緣層,其中絕緣層具有第二接觸窗,且主動元件透過第二接觸窗而與顯示元件電性連接。
基於上述,本發明在載板(諸如玻璃基板)上製作主動元件、顯示元件及接墊的製程中可以不受限於可撓式基板之製程溫度的限制。此外,由於製造可撓式顯示面板之製程中,是於載板離型之後才與訊號傳遞線路接合,因此於離型時,可避免訊號傳遞線路自可撓式顯示面板剝離的問題,而使可撓式顯示面板具有良好的信賴性。另外,在本發明之可撓式顯示面板的製造方法中,接墊會於載板離型之後曝露出來,其可直接與訊號傳遞線路接合,因此,可撓式顯示面板的製造方法可具有相對簡易的製程步驟。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200‧‧‧可撓式顯示面板
110‧‧‧載板
120‧‧‧緩衝層
130‧‧‧離型層
140‧‧‧主動元件
142‧‧‧多晶矽層
142A‧‧‧通道區
142B‧‧‧源極區
142C‧‧‧汲極區
142D‧‧‧低摻雜區
142E‧‧‧下電極
144‧‧‧閘絕緣層
146、146A‧‧‧閘極
146a、148a、150a‧‧‧第一導電層
146b、148b、150b‧‧‧第二導電層
148、148A‧‧‧上電極
150、150A‧‧‧接墊
160‧‧‧層間介電層
172‧‧‧第一電極圖案
174‧‧‧第二電極圖案
180‧‧‧絕緣層
182‧‧‧介電層
184‧‧‧平坦層
190、190A‧‧‧顯示元件
192‧‧‧對向電極
194、194A‧‧‧顯示介質層
196‧‧‧畫素電極
T1‧‧‧封裝層
T2‧‧‧第一保護層
FPC‧‧‧訊號傳遞線路
B1‧‧‧第二保護層
W1‧‧‧第一接觸窗
W2‧‧‧第二接觸窗
W21、W22‧‧‧接觸窗
O1‧‧‧第一開口
O2‧‧‧第二開口
O3‧‧‧第三開口
O4‧‧‧第四開口
C‧‧‧儲存電容
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
S3‧‧‧第三表面
S4‧‧‧第四表面
S100‧‧‧雷射剝離製程
圖1A至圖1I是依照本發明第一實施例的可撓式顯示面板的製作流程的剖面示意圖。
圖2A至圖2I是依照本發明第二實施例的可撓式顯示面板的製作流程的剖面示意圖。
第一實施例
圖1A至圖1I是依照本發明第一實施例的可撓式顯示面板的製作流程的剖面示意圖。請參照圖1A,於載板110上形成緩衝層120。緩衝層120具有第一表面S1以及與第一表面S1相對的第二表面S2,其中第二表面S2例如位於第一表面S1與載板110之間。在本實施例中,載板110例如是用以承載後續元件製程的載具。舉例而言,載板110的材料可以是玻璃、石英、聚酯類、聚碳酸酯類或其它具備一定剛性的材料。另一方面,緩衝層120例如是用以阻擋載板110所含的雜質擴散。舉例而言,緩衝層120的材料可以是高介電係數之氧化矽或氮化矽等。
在本實施例中,載板110例如是作為暫時基板。也就是說,在後續元件製作完成後,載板110要能夠與緩衝層120離型。因此,本實施例於載板110上形成緩衝層120之前,可進一步於載板110上形成離型層130。亦即是,本實施例可於載板110上依序地形成離型層130及緩衝層120,其中離型層130位於載板110與緩衝層120之間。此外,本實施例的離型層130可以是非晶矽半導體層,但本發明不以此為限。在其他實施例中,離型層130也可以是感光性膠體。
請參照圖1B,於緩衝層120上依序地形成多晶矽層142以及閘絕緣層144。在本實施例中,多晶矽層142例如包括通道區142A、源極區142B、汲極區142C、低摻雜區142D以及下電極142E,其中通道區142A位於源極區142B與汲極區142C之間, 低摻雜區142D位於通道區142A與源極區142B之間以及通道區142A與汲極區142C之間,且通道區142A、源極區142B、汲極區142C以及低摻雜區142D兩兩相連並形成島狀結構。此外,下電極142E位於島狀結構旁,並與島狀結構分離。亦即是,本實施例的下電極142E不與島狀結構直接接觸,但本發明不以此為限。在其他實施例中,下電極142E可以與島狀結構直接接觸。
在本實施例中,形成上述源極區142B、汲極區142C、低摻雜區142D以及下電極142E的方法例如是於上述區域中藉由離子植入製程來植入摻質,其中植入摻質的種類(例如是P型或N型摻質)以及摻質植入的多寡,端視設計需求而定,此為此領域具有通常知識者所知悉,於此便不再贅述。
接著,於緩衝層120中形成第一接觸窗W1,以曝露出離型層130的部分區域。由於在形成第一接觸窗W1時,閘絕緣層144覆蓋於緩衝層120上,因此本實施例的第一接觸窗W1形成於緩衝層120與閘絕緣層144中。
請參照圖1C,於第一接觸窗W1中形成接墊150,並於閘絕緣層144上形成閘極146以及上電極148,其中閘極146位於通道區142A的上方,上電極148位於下電極142E的上方,而接墊150透過第一接觸窗W1設置於離型層130上。具體而言,接墊150具有第三表面S3以及與第三表面S3相對的第四表面S4,其中第三表面S4例如與第一表面S1位於同一側,而第四表面S4例如與第二表面S2位於同一側。
在本實施例中,接墊150、閘極146以及上電極148可以同時形成。此外,本實施例形成接墊150的方法例如是於第一接觸窗W1中填入與閘極146以及上電極148相同的導電材料。所述導電材料可以是鉬(Mo)、鋁(Al)、鈦(Ti)等金屬材料或其合金。在另一實施例中,接墊150也可以是多層堆疊的導電層,且所述導電層的材料例如是選自上述導電材料中的至少兩者。
接著,如圖1D所示,於閘絕緣層144、接墊150、閘極146以及上電極148上形成層間介電層160,且於層間介電層160中形成第一開口O1,並且於閘絕緣層144與層間介電層160中形成第二開口O2、第三開口O3以及第四開口O4。第一開口O1曝露出接墊150,第二開口O2曝露出源極區142B,第三開口O3曝露出汲極區142C,而第四開口O4曝露出下電極142E。
之後,如圖1E所示,於層間介電層160上形成第一電極圖案172與第二電極圖案174。第一電極圖案172經由第一開口O1及第二開口O2電性連接於接墊150及源極區142B。並且,第二電極圖案174經由第三開口O3及第四開口O4電性連接於汲極區142C及下電極142E。在本實施例中,第二電極圖案174可進一步延伸至上電極148上方的層間介電層160上。
於此,則完成主動元件140的製作,其中主動元件140位於緩衝層120上,且主動元件140包括通道區142A、源極區142B、汲極區142C、低摻雜區142D、閘絕緣層144、閘極146、第一電極圖案172以及第二電極圖案174。
需說明的是,本實施例的主動元件140雖以低溫多晶矽薄膜電晶體(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor,LTPS TFT)進行說明,但本發明並不限定主動元件的型態。在其他實施例中,主動元件也可以是非晶矽薄膜電晶體(Amorphous Silicon TFT,a-Si TFT)、微晶矽薄膜電晶體(micro-Si TFT)或金屬氧化物電晶體(Oxide TFT)等。
在本實施例中,接墊150是於主動元件140的形成過程中一起形成。舉例而言,接墊150是與閘極146同時形成,但本發明不以此為限。
此外,在本實施例中,更包括於主動元件140旁形成儲存電容C。具體而言,上電極148與下電極142E、延伸至上電極148上方的第二電極圖案174電性耦合為多層結構之儲存電容C。上電極148與下電極142E之間設置有閘絕緣層144,而延伸至上電極148上方的第二電極圖案174與上電極148之間設置有層間介電層160。
請參照圖1F,於主動元件140上形成絕緣層180,其中絕緣層180具有第二接觸窗W2,且第二接觸窗W2曝露出主動元件140的第二電極圖案174。具體而言,本實施例的絕緣層180例如是,但不限於,由介電層182以及平坦層184所構成,其中介電層182以及平坦層184例如是依序地形成於主動元件140上,且介電層182位於主動元件140與平坦層184之間。此外,介電層182具有接觸窗W21,而平坦層184具有接觸窗W22。在本實 施例中,部分的平坦層184位於接觸窗W21中,亦即是,本實施例的平坦層184是於接觸窗W21形成之後,才形成於介電層182上,繼而才形成接觸窗W22。然而,在其他實施例中,接觸窗W21以及接觸窗W22也可以是同時形成。亦即是,先形成介電層182以及平坦層184之後,再形成接觸窗W21以及接觸窗W22。
請參照圖1G,於主動元件140上形成顯示元件190,其中顯示元件190與接墊150結構上分離。具體而言,本實施例的顯示元件190位於平坦層184上,並藉由第二接觸窗W2與主動元件140電性連接。進一步而言,本實施例的顯示元件190電性連接於主動元件140之第二電極圖案174。
如圖1G的放大圖所示,顯示元件190包括畫素電極196、對向電極192以及位於畫素電極196與對向電極192之間的顯示介質層194。在本實施例中,顯示元件190以有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode,OLED)進行說明。具體而言,本實施例的顯示介質層194可包括有機發光層以及其他有機發光二極體所需的膜層,例如電子/電洞傳輸層、電子/電洞注入層等。在另一實施例中,顯示元件190也可以是液晶顯示元件或是電泳顯示元件等,亦即是,顯示介質層的材料也可以是液晶或是電泳,其中液晶可以是扭轉向列型液晶(Twisted Nematic Liquid Crystal,TN LC)、超扭轉向列型液晶(Super Twisted Nematic Liquid Crystal,STN LC)或是膽固醇液晶(Cholesteric Liquid Crystal,CLC)等。此處,顯示介質層194是配置於畫素電極192與對向電極196之間, 而不與接墊150接觸。
另外,本實施例可進一步於顯示元件190以及絕緣層180上依序形成封裝層(Thin Film Encapsulation,TFE)T1以及第一保護層T2,其中第一保護層T2可以是以黏貼的方式形成於封裝層T1上。
請參照圖1H,使載板110與緩衝層120分離,以曝露出接墊150。在本實施例中,使載板110與緩衝層120分離的方法例如是透過雷射剝離(laser lift-off)製程S100來移除離型層130,進而使載板110與緩衝層120分離。然而,使載板110與緩衝層120分離的方法可視離型層130的材質而有所不同,因此本發明並不限定使載板110與緩衝層120分離的方法。
請參照圖11,使接墊150與訊號傳遞線路FPC電性連接。在本實施例中,訊號傳遞線路FPC例如為軟性電路板,其適於將兩個電子裝置連接或是將電子裝置與晶片連接,以驅動電子裝置(例如是驅動可撓式顯示面板)。進一步而言,本實施例的訊號傳遞線路FPC例如透過接墊150而與主動元件140電性連接。此外,訊號傳遞線路FPC與主動元件140分別位於緩衝層120相對的兩表面。具體而言,主動元件140位於緩衝層120的第一表面S1上,而訊號傳遞線路FPC位於緩衝層120的第二表面S2上,並且主動元件140與接墊150的第三表面S3接觸,而訊號傳遞線路FPC與接墊150的第四表面S4接觸。
另外,在載板110與緩衝層120分離後,本實施例可進 一步於緩衝層120的第二表面S2上形成第二保護層B1,其中第二保護層B1曝露出接墊150,以使訊號傳遞線路FPC得以與接墊150電性連接。於此,則初步完成本實施例的可撓式顯示面板100。
在本實施例中,主動元件140、顯示元件190及接墊150是製作於載板(諸如玻璃基板)上,因此在上述元件的製程中可以不受限於製程溫度,而具有良好的元件特性的表現;再者,本實施例亦不會有塑膠基板因熱膨脹係數差異所造成的應力問題,因此,本實施例的可撓式顯示面板100可具有良好的信賴性以及製程良率。其次,由於主動元件140及接墊150是製作於緩衝層120上,且緩衝層120透過雷射剝離製程與載板110分離,因此在離型時,可以不用考慮可撓性基板與載板間的附著力及應力等問題,且可避免因應力而有斷線或者是裂痕的情況發生,進而可進一步提升可撓式顯示面板100的製程良率。另外,接墊150會於載板110離型之後才曝露出來,其可直接與訊號傳遞線路FPC接合。因此,本實施例的可撓式顯示面板100的製造方法除了可改善習知的保護膜來回黏貼、撕除而影響製程良率的問題外,還可具有相對簡易的製程步驟。
第二實施例
圖2A至圖2I是依照本發明第二實施例的可撓式顯示面板的製作流程的剖面示意圖。值得一提的是,下列實施例中部分製程的詳細實施方式與前述實施例所揭示者類似,因此相關說明請參考前述實施例,下文將不再重複贅述。第二實施例與第一實 施例的差異主要在於圖2C中接墊150A、閘極146A以及上電極148A的結構及所述結構的形成方法。
請參照圖2C,本實施例的接墊150A、閘極146A以及上電極148A分別由雙層堆疊的第一導電層以及第二導電層所形成。其形成方法例如是於緩衝層120上以及第一接觸窗W1中依序形成第一導電材料層以及第二導電材料層,再進行圖案化製程以形成接墊150A、閘極146A以及上電極148A。其中接墊150A包括第一導電層150a及第二導電層150b,閘極146A包括第一導電層146a及第二導電層146b,而上電極148A包括第一導電層148a及第二導電層148b。
在本實施例中,第一導電層150a、146a、148a的材質例如是金屬氧化物,如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物。又或者,第一導電層150a、146a、148a可以是上述至少兩種材質之堆疊層。另一方面,第二導電層150b、146b、148b的材質例如是鉬、鋁、鈦等金屬材料或其合金。又或者,第二導電層150b、146b、148b可以是上述至少兩種材質的堆疊層。由於第一導電層150a、146a、148a具有良好耐蝕性以及阻水、阻氧的特性,因此透過第一導電層150a、146a、148a的設置可進一步提升可撓式顯示面板200的信賴性。
另外,如圖2G所示,本實施例的顯示元件190A例如以液晶顯示元件進行說明。具體而言,本實施例的顯示元件190A包 括對向電極192、畫素電極196以及位於對向電極192與畫素電極196之間的顯示介質層194A,且本實施例的顯示介質層194A例如為液晶層。
在本實施例中,主動元件140、顯示元件190A及接墊150是製作於載板(諸如玻璃基板)上,因此在上述元件的製程中可以不受限於製程溫度,而具有良好的元件特性的表現;再者,本實施例亦不會有塑膠基板因熱膨脹係數差異所造成的應力問題,因此,本實施例的可撓式顯示面板200可具有良好的信賴性以及製程良率。其次,由於主動元件140及接墊150是製作於緩衝層120上,且緩衝層120透過雷射剝離製程與載板110分離,因此在離型時,可以不用考慮可撓性基板與載板間的附著力及應力等問題,且可避免因應力而有斷線或者是裂痕的情況發生,進而提升可撓式顯示面板200的製程良率。另外,接墊150會於載板110離型之後才曝露出來,其可直接與訊號傳遞線路FPC接合。因此,本實施例的可撓式顯示面板200的製造方法除了可改善習知的保護膜來回黏貼、撕除而影響製程良率的問題外,還可具有相對簡易的製程步驟。
綜上所述,本發明是在載板上製作主動元件、顯示元件及接墊,因此於主動元件、顯示元件及接墊的製程中可以不受限於製程溫度的限制。此外,由於製造可撓式顯示面板之製程中,是於載板離型之後才與訊號傳遞線路接合,因此於離型時,可避免訊號傳遞線路自可撓式顯示面板剝離的問題,而使可撓式顯示 面板具有良好的信賴性。另外,在本發明之可撓式顯示面板的製造方法中,接墊會於載板離型之後暴露出來,其可直接與訊號傳遞線路接合,因此,可撓式顯示面板的製造方法可具有相對簡易的製程步驟。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧可撓式顯示面板
120‧‧‧緩衝層
140‧‧‧主動元件
142‧‧‧多晶矽層
142A‧‧‧通道區
142B‧‧‧源極區
142C‧‧‧汲極區
142D‧‧‧低摻雜區
142E‧‧‧下電極
144‧‧‧閘絕緣層
146‧‧‧閘極
148‧‧‧上電極
150‧‧‧接墊
160‧‧‧層間介電層
172‧‧‧第一電極圖案
174‧‧‧第二電極圖案
180‧‧‧絕緣層
182‧‧‧介電層
184‧‧‧平坦層
190‧‧‧顯示元件
T1‧‧‧封裝層
T2‧‧‧第一保護層
FPC‧‧‧訊號傳遞線路
B1‧‧‧第二保護層
W1‧‧‧第一接觸窗
W2‧‧‧第二接觸窗
W21、W22‧‧‧接觸窗
O1‧‧‧第一開口
O2‧‧‧第二開口
S3‧‧‧第三表面
O3‧‧‧第三開口
O4‧‧‧第四開口
C‧‧‧儲存電容
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
S4‧‧‧第四表面

Claims (14)

  1. 一種可撓式顯示面板,包括:一緩衝層;一主動元件,位於該緩衝層上,其中該主動元件包括一第一電極圖案以及一第二電極圖案;一電容器,位於該緩衝層上,其中該電容器包括一上電極、一下電極以及部份延伸至該上電極上方的該第二電極圖案,且該電容器的該下電極透過該第二電極圖案與該主動元件電性連接;一接墊,位於該緩衝層中,並透過該第一電極圖案與該主動元件電性連接;一顯示元件,位於該主動元件上,並與該主動元件電性連接,其中該顯示元件包括一畫素電極、一對向電極以及一位於該畫素電極與該對向電極之間的一顯示介質層;以及一訊號傳遞線路,其中該主動元件與該訊號傳遞線路分別位於該緩衝層相對的一第一表面與一第二表面,且該訊號傳遞線路透過該接墊與該主動元件電性連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,其中該接墊與該顯示元件分離。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,其中該顯示介質層與該接墊分離。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,其中該緩衝層具有一第一接觸窗,該接墊位於該第一接觸窗內,且該訊號 傳遞線路透過該接墊與該主動元件電性連接。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,其中該顯示介質層包括一有機發光層或一液晶層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,其中該接墊包括多層堆疊的導電層。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,其中該訊號傳遞線路包括一軟性電路板。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,更包括:一絕緣層,位於該主動元件上,該絕緣層具有一第二接觸窗,且該主動元件透過該第二接觸窗與該顯示元件電性連接。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的可撓式顯示面板,其中該接墊具有一第三表面與一第四表面,該第三表面與該第一表面位於同一側,該第四表面與該第二表面位於同一側,並且該主動元件與該第三表面接觸,而該訊號傳遞線路與該第四表面接觸。
  10. 一種可撓式顯示面板的製造方法,包括:於一載板上形成一緩衝層;於該緩衝層上形成一主動元件以及一電容器,其中該主動元件包括一第一電極圖案以及一第二電極圖案,該電容器包括一上電極、一下電極以及部份延伸至該上電極上方的該第二電極圖案,且該電容器的該下電極透過該第二電極圖案與該主動元件電性連接;於該主動元件的形成過程中,於該緩衝層中形成一接墊,以 使該接墊通過該第一電極圖案與該主動元件電性連接;於該主動元件上形成與該主動元件電性連接的一顯示元件,其中該顯示元件包括一畫素電極、一對向電極以及一位於該畫素電極與該對向電極之間的一顯示介質層;使該載板與該緩衝層分離,以曝露出該接墊;以及使該接墊與一訊號傳遞線路電性連接。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的可撓式顯示面板的製造方法,其中該接墊的形成方法包括:於該緩衝層中形成一第一接觸窗;於該第一接觸窗中填入一導電材料,以於該第一接觸窗內形成該接墊。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的可撓式顯示面板的製造方法,其中於該載板上形成該緩衝層之前,更包括:於該載板上形成一離型層,且該接墊與該離型層接觸。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的可撓式顯示面板的製造方法,更包括移除該離型層,以使該載板與該緩衝層分離。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的可撓式顯示面板的製造方法,其中在形成該顯示元件之前,更包括:於該主動元件上形成一絕緣層,該絕緣層具有一第二接觸窗,且該主動元件透過該第二接觸窗而與該顯示元件電性連接。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI711177B (zh) * 2018-08-01 2020-11-21 創王光電股份有限公司 顯示裝置
TWI835414B (zh) * 2022-11-22 2024-03-11 友達光電股份有限公司 可撓式電子裝置及其製造方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102107456B1 (ko) * 2013-12-10 2020-05-08 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI532163B (zh) * 2014-01-10 2016-05-01 友達光電股份有限公司 可撓式顯示面板及可撓式顯示面板之製作方法
DE202014103821U1 (de) * 2014-07-09 2014-09-09 Carmen Diegel Flexible elektrische Leiterstruktur
JP6497858B2 (ja) * 2014-07-11 2019-04-10 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法
KR102263604B1 (ko) * 2014-12-03 2021-06-10 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
TWI552334B (zh) * 2015-03-25 2016-10-01 友達光電股份有限公司 顯示面板之畫素結構
TWI565039B (zh) * 2016-05-30 2017-01-01 友達光電股份有限公司 可撓式畫素陣列基板及可撓式顯示面板
TWI613939B (zh) * 2016-06-23 2018-02-01 Pomiran Metalization Research Co Ltd 金屬化軟性基板及使用該基板之多層電路板製造方法
CN106169481B (zh) * 2016-07-20 2019-04-05 武汉华星光电技术有限公司 柔性阵列基板及其制备方法、柔性显示装置
CN106449976B (zh) * 2016-10-31 2019-08-16 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示面板及柔性显示装置
KR20180100013A (ko) * 2017-02-28 2018-09-06 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
TWI648572B (zh) * 2017-05-05 2019-01-21 元太科技工業股份有限公司 開關元件陣列結構
TWI641896B (zh) * 2017-11-09 2018-11-21 友達光電股份有限公司 可撓性電子裝置
CN108107060A (zh) * 2017-11-30 2018-06-01 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 基于柔性薄膜封装的平板探测器及其制备方法
US10424750B2 (en) 2017-12-31 2019-09-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Stretchable display panel, manufacturing method thereof, and stretchable display apparatus
CN108183126B (zh) * 2017-12-31 2020-11-10 深圳市华星光电技术有限公司 一种弹性显示面板制作方法、弹性显示面板及其显示器
KR102595915B1 (ko) 2018-06-18 2023-10-31 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN109585462A (zh) * 2019-01-23 2019-04-05 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、柔性显示面板、拼接屏
CN109917593B (zh) * 2019-02-22 2022-05-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制备方法、显示装置
TWI702579B (zh) * 2019-05-07 2020-08-21 友達光電股份有限公司 軟性顯示器
CN110112171B (zh) * 2019-05-21 2021-08-20 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法及显示面板
CN110265440A (zh) * 2019-06-06 2019-09-20 惠州市华星光电技术有限公司 显示面板及其制作方法
CN112420939A (zh) * 2019-08-22 2021-02-26 群创光电股份有限公司 电子装置及其制造方法
CN110597421B (zh) * 2019-09-29 2022-12-06 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN112599532A (zh) * 2019-10-01 2021-04-02 财团法人工业技术研究院 电子装置
CN111584562A (zh) * 2020-05-08 2020-08-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
KR20220014442A (ko) * 2020-07-27 2022-02-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
KR20220016425A (ko) * 2020-07-31 2022-02-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN114391183A (zh) * 2020-08-06 2022-04-22 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及显示装置
CN116071992A (zh) * 2021-11-02 2023-05-05 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示装置
KR20230099764A (ko) * 2021-12-27 2023-07-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN115132086B (zh) * 2022-07-07 2024-05-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏及其制备方法和显示装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100391004C (zh) 2002-10-30 2008-05-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制作方法
KR101033797B1 (ko) 2003-01-15 2011-05-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박리 방법 및 그 박리 방법을 사용한 표시 장치의 제작 방법
JP3897173B2 (ja) * 2003-05-23 2007-03-22 セイコーエプソン株式会社 有機el表示装置及びその製造方法
JP2004349540A (ja) 2003-05-23 2004-12-09 Seiko Epson Corp 薄膜装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
US7825582B2 (en) 2004-11-08 2010-11-02 Kyodo Printing Co., Ltd. Flexible display and manufacturing method thereof
US7316942B2 (en) 2005-02-14 2008-01-08 Honeywell International, Inc. Flexible active matrix display backplane and method
TWI302423B (en) 2005-05-13 2008-10-21 Lg Display Co Ltd Fabricating method of flexible display
TW200701318A (en) * 2005-06-24 2007-01-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Method for manufacturing a thin film transister
TWI288493B (en) 2005-09-13 2007-10-11 Ind Tech Res Inst Method for fabricating a device with flexible substrate and method for stripping flexible-substrate
TWI287298B (en) 2005-10-21 2007-09-21 Univ Nat Chunghsing Flexible thin film transistor substrate and method of fabricating the same
EP1946374A4 (en) * 2005-11-09 2014-01-01 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
KR101318242B1 (ko) 2007-01-26 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시소자의 제조 방법
TWI325639B (en) * 2007-03-15 2010-06-01 Au Optronics Corp Semiconductor structure and fabricating method thereof for liquid crystal display device
TWI475282B (zh) * 2008-07-10 2015-03-01 Semiconductor Energy Lab 液晶顯示裝置和其製造方法
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
TWI413038B (zh) 2009-10-02 2013-10-21 Innolux Corp 軟性顯示器元件之製作方法
KR101221871B1 (ko) 2009-12-07 2013-01-15 한국전자통신연구원 반도체 소자의 제조방법
KR101097344B1 (ko) 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
JP2013030293A (ja) * 2011-07-27 2013-02-07 Sony Corp 表示装置および表示装置用基板
TWI472003B (zh) 2011-08-15 2015-02-01 Au Optronics Corp 顯示面板

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI711177B (zh) * 2018-08-01 2020-11-21 創王光電股份有限公司 顯示裝置
TWI835414B (zh) * 2022-11-22 2024-03-11 友達光電股份有限公司 可撓式電子裝置及其製造方法

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