JP2014075581A5 - - Google Patents

Claims (8)

1. 透光性を有する画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、容量素子と
   を有し、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられ酸化物半導体層を含む第１の多層膜と
   を含み、
   前記容量素子は、
   前記画素電極と、前記画素電極と重なりかつ所定の間隔を開けて配置された前記第１の多層膜と同じ層構造である第２の多層膜と、を有し、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の多層膜のうち、前記ゲート絶縁膜と接しない少なくとも一層であること
   を特徴とする表示装置。
2. 前記第１の多層膜は、
   前記ゲート絶縁膜上に接する第１の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層上に接する第２の酸化物層と、
   を含むことを特徴とする
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記第２の酸化物層は、
   前記第１の酸化物層よりも電子親和力が０．２ｅＶよりも大きいことを特徴とする
   請求項２に記載の表示装置。
4. 前記第１の酸化物層は、
   アルミニウム、シリコン、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、スズ、ランタン、セリウムまたはハフニウムを前記第２の酸化物層よりも１．５倍以上高い濃度で含むことを特徴とする
   請求項２または請求項３に記載の表示装置。
5. 前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物であり、
   前記第１の酸化物層がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ１：ｙ１：ｚ１［原子数比］、前記第２の酸化物層がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ２：ｙ２：ｚ２［原子数比］のとき、ｙ１／ｘ１がｙ２／ｘ２よりも１．５倍以上大きいことを特徴とする
   請求項２または請求項３に記載の表示装置。
6. 前記第２の酸化物層が結晶質構造であり、
   前記第１の酸化物層が前記第２の酸化物層より結晶性の低い構造であることを特徴とする
   請求項２乃至請求項５のいずれか一に記載の表示装置。
7. 前記ゲート電極と同一工程で形成した容量線を有し、
   前記第２の多層膜は、前記容量線に電気的に接続される
   ことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか一に記載の表示装置。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の表示装置を用いた電子機器。