JP2014074906A5 - - Google Patents

Claims (16)

1. 透光性を有する画素電極と電気的に接続されたトランジスタと、容量素子と
   を有し、
   前記トランジスタは、
   ゲート電極と、前記ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上に設けられ酸化物半導体を含む第１の多層膜と
   を含み、
   前記容量素子は、
   前記画素電極と、前記画素電極と重なりかつ所定の間隙をもって配設された前記第１の多層膜と同じ層構造である第２の多層膜からなる導電性の電極と、を有し、
   前記トランジスタのチャネル形成領域は、前記第１の多層膜のうち、前記ゲート絶縁膜と接しない少なくとも一層であることを特徴とする表示装置。
2. 請求項１において、
   前記第１の多層膜は、
   前記ゲート絶縁膜上に接する第１の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層上に接する第２の酸化物層と、
   を含むことを特徴とする表示装置。
3. 請求項２において、
   前記第２の酸化物層は、
   前記第１の酸化物層よりも電子親和力が０．２ｅＶよりも大きいことを特徴とする表示装置。
4. 請求項２または請求項３において、
   前記第１の酸化物層は、
   アルミニウム、シリコン、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、スズ、ランタン、セリウムまたはハフニウムを前記第２の酸化物層よりも１．５倍以上高い濃度で含むことを特徴とする表示装置。
5. 請求項２または請求項３において、
   前記第１の酸化物層および前記第２の酸化物層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物であり、
   前記第１の酸化物層がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ_１：ｙ_１：ｚ_１［原子数比］、および前記第２の酸化物層がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ_２：ｙ_２：ｚ_２［原子数比］の時、ｙ_１／ｘ_１がｙ_２／ｘ_２よりも１．５倍以上大きいことを特徴とする表示装置。
6. 請求項２乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第２の酸化物層が結晶質であり、
   前記第２の酸化物層よりも前記第１の酸化物層の結晶性が低いことを特徴とする表示装置。
7. 請求項１において、
   前記第１の多層膜は、
   前記ゲート絶縁膜上に接する第１の酸化物層と、
   前記第１の酸化物層上に接する第２の酸化物層と、
   前記第２の酸化物層上に接する第３の酸化物層と、
   を含むことを特徴とする表示装置。
8. 請求項７において、
   前記第２の酸化物層は、
   前記第１の酸化物層および前記第３の酸化物層よりも電子親和力が０．２ｅＶよりも大きいことを特徴とする表示装置。
9. 請求項７または請求項８において、
   前記第１の酸化物層および前記第３の酸化物層は、
   アルミニウム、シリコン、チタン、ガリウム、ゲルマニウム、イットリウム、ジルコニウム、スズ、ランタン、セリウムまたはハフニウムを前記第２の酸化物層よりも１．５倍以上高い濃度で含むことを特徴とする表示装置。
10. 請求項７または請求項８において、
    前記第１の酸化物層、前記第２の酸化物層および前記第３の酸化物層は、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物であり、
    前記第１の酸化物層がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ_１：ｙ_１：ｚ_１［原子数比］、前記第２の酸化物層がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ_２：ｙ_２：ｚ_２［原子数比］、および前記第３の酸化物層がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝ｘ_３：ｙ_３：ｚ_３［原子数比］の時、ｙ_１／ｘ_１およびｙ_３／ｘ_３がｙ_２／ｘ_２よりも１．５倍以上大きいことを特徴とする表示装置。
11. 請求項７乃至請求項１０のいずれか一おいて、
    前記第２の酸化物層が結晶質であり、
    前記第２の酸化物層よりも前記第１の酸化物層の結晶性が低いことを特徴とする表示装置。
12. 請求項１１において、
    前記第３の酸化物層が結晶質であることを特徴とする表示装置。
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
    前記ゲート電極と同一層、且つ、同一材料からなる容量線を有し、
    前記第２の多層膜は、前記容量線に電気的に接続されることを特徴とする表示装置。
14. 請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
    前記第２の多層膜は、
    前記第１の多層膜と比べて、キャリア密度が高いことを特徴とする表示装置。
15. 請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
    前記第２の多層膜は、
    前記ゲート絶縁膜上に接して設けられ、ｎ型の導電性を付与する不純物を含むことを特徴とする表示装置。
16. 請求項１乃至請求項１５のいずれか一に記載の表示装置を用いた電子機器。