CN111210732B - 显示面板和显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示装置。显示面板包括：阵列基板，包括多个像素电路；发光器件层，位于阵列基板上，包括多个发光器件，发光器件与像素电路电连接；触控电极层，集成于发光器件层中，包括多个触控电极；触控走线层，与阵列基板中的至少一层导电层位于同一层，且独立于像素电路设置。本发明实施例的技术方案，缓解了现有显示面板触控结构工艺复杂、生产成本高、增加显示面板的厚度，以及不利于显示面板的弯折性能的技术问题，为显示面板集成触控功能的同时，简化了生产工艺，降低了制造成本，提升了显示面板的弯折性能，有利于实现显示面板的轻薄化设计。

Description

显示面板和显示装置

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板和显示装置。

背景技术

目前，显示面板的触控结构多设计在封装层之上，或是设计为外挂式结构。触控结构设置于封装层之上的方案中，触控结构的掩膜制程工艺复杂，生产成本较高。外挂式触控结构的显示面板膜组较厚，不仅增加了显示面板的厚度，而且会对显示面板的弯折性能造成不利影响。

发明内容

本发明提供一种显示面板和显示装置，以实现为显示面板集成触控功能，简化显示面板的生产工艺，降低显示面板的制造成本。

第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：

阵列基板，包括多个像素电路；

发光器件层，位于所述阵列基板上，包括多个发光器件，所述发光器件与所述像素电路电连接；

触控电极层，集成于所述发光器件层中，包括多个触控电极；

触控走线层，与所述阵列基板中的至少一层导电层位于同一层，且独立于所述像素电路设置。

进一步地，所述像素电路包括薄膜晶体管和连接电极，所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层，所述第一电极层通过所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接，所述触控走线层与所述连接电极位于同一层；

和/或，所述像素电路包括薄膜晶体管和降电阻线，所述降电阻线通过过孔与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极电连接，所述触控走线层与所述降电阻线位于同一层。

进一步地，所述触控走线层包括层叠的钛层、铝层和钛层。

进一步地，所述像素电路包括薄膜晶体管和电源线，所述电源线与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接，所述触控走线层与所述电源线位于同一层。

进一步地，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述触控走线层与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极位于同一层。

进一步地，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层，所述第一电极层与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接；

所述第二电极层包括多个相互独立的第二电极，至少部分所述第二电极复用为所述触控电极。

进一步地，所述显示面板还包括呈网格状的隔离结构，所述第二电极层包括多个第二电极，相邻所述第二电极通过所述隔离结构绝缘设置。。

进一步地，所述显示面板还包括覆盖所述阵列基板的平坦化层，以及位于所述平坦化层远离所述阵列基板一侧的像素定义层；

所述隔离结构位于所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧；

优选地，所述隔离结构的横截面呈T型或倒梯形，所述横截面平行于所述隔离结构的宽度方向和厚度方向限定出的平面；

优选地，所述第二电极层为阴极层，所述隔离结构具有疏所述阴极层材料的性质，优选地，所述隔离结构的材料包括苯环有机物。

进一步地，所述显示面板还包括覆盖所述阵列基板的平坦化层，以及位于所述平坦化层远离所述阵列基板一侧的像素定义层；

所述像素电路包括薄膜晶体管和连接电极，所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层，所述第一电极层通过所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接，所述隔离结构与所述连接电极位于同一层；

和/或，所述像素电路包括薄膜晶体管和降电阻线，所述降电阻线通过过孔与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极电连接，所述隔离结构与所述降电阻线位于同一层；

所述显示面板还包括贯穿所述像素定义层和所述平坦化层的凹槽，所述隔离结构位于所述凹槽的底部；

优选地，所述隔离结构包括叠层的钛层、铝层和钛层，沿铝层的宽度方向，铝层的两端均短于两侧的钛层的两端。

第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括驱动电路和如第一方面所述的显示面板；

所述驱动电路与所述多个像素电路以及所述触控走线层中的多条触控走线电连接。

本发明实施例提供了一种显示面板和显示装置，显示面板包括阵列基板、发光器件层、触控电极层和触控走线层；阵列基板包括多个像素电路；发光器件层位于阵列基板上，包括多个发光器件，发光器件与像素电路电连接；触控电极层集成于发光器件层中，包括多个触控电极；触控走线层与阵列基板中的至少一层导电层位于同一层，且独立于像素电路设置。本发明实施例的技术方案，将触控电极层集成于发光器件层中，复用发光器件层的材质作为触控电极，实现了显示面板触控功能的集成；将触控走线层与像素电路中的至少一层导电层同层设置，能够在形成像素电路的同时来形成触控走线层，无需新增掩膜版来单独形成触控走线层。缓解了现有显示面板触控结构工艺复杂、生产成本高、增加显示面板的厚度，以及不利于显示面板的弯折性能的技术问题，为显示面板集成触控功能的同时，简化了生产工艺，降低了制造成本，提升了显示面板的弯折性能，有利于实现显示面板的轻薄化设计。

附图说明

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图；

图6是本发明实施例提供的一种显示面板的主视结构示意图；

图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的主视结构示意图；

图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；

图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；

图12是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。

正如前述背景技术所述，现有显示面板的触控结构多为触控面板(Touch Panel，TP)设置在薄膜封装(Thin-Film Encapsulation，TFE)结构之上，即TP on TFE，或是设计为外挂TP的形式。TP on TFE结构中，触控面板的感应层、绝缘层和驱动层的膜层结构较为复杂，触控面板的掩膜制程工艺繁琐，生产成本较高。外挂式的触控面板的膜层通常较厚，不仅增加了显示面板的厚度，而且会对显示面板的弯折性能造成不利影响。

本发明实施例提供的显示面板包括阵列基板、发光器件层、触控电极层和触控走线层；阵列基板包括多个像素电路；发光器件层位于阵列基板上，包括多个发光器件，发光器件与像素电路电连接；触控电极层集成于发光器件层中，包括多个触控电极；触控走线层与像素电路中的至少一层导电层位于同一层，且独立于像素电路设置，触控走线层包括多条触控走线，每个触控电极与至少一条触控走线电连接。本发明实施例的技术方案，将触控电极层集成于发光器件层中，复用发光器件层的材质作为触控电极，实现了显示面板触控功能的集成；将触控走线层与像素电路中的至少一层导电层同层设置，能够在形成像素电路的同时来形成触控走线层，无需新增掩膜版来单独形成触控走线层。缓解了现有显示面板触控结构工艺复杂、生产成本高、增加显示面板的厚度，以及不利于显示面板的弯折性能的技术问题，实现显示面板集成触控功能的同时，简化了生产工艺，降低了制造成本，提升了显示面板的弯折性能，有利于实现显示面板的轻薄化设计。

以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

图1是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图。如图1所示，显示面板包括阵列基板10、发光器件层20、触控电极层30和触控走线层40；阵列基板10包括多个像素电路100；发光器件层20位于阵列基板10上，包括多个发光器件200，发光器件200与像素电路100电连接；触控电极层30集成于发光器件层20中，包括多个触控电极300；触控走线层40与阵列基板10中的至少一层导电层位于同一层，且独立于像素电路100设置，触控走线层40包括多条触控走线400，每个触控电极300与至少一条触控走线400电连接。

具体地，参考图1，阵列基板10包括多个像素电路100，像素电路100可包括多个薄膜晶体管、多条信号走线和电容，薄膜晶体管可包括驱动晶体管和开关晶体管，驱动晶体管、开关晶体管、信号走线和电容可以多种连接关系形成像素电路100。其中，驱动晶体管可以产生驱动电流，驱动发光器件200发光，开关晶体管则主要起到开关作用，而不用于驱动发光器件。信号走线可以包括数据信号线、扫描信号线和电源线等，不同的信号走线可用于为像素电路100传输不同的信号。电容可以用于在驱动晶体管被写入数据电压后，保持驱动晶体管栅极的电位，以使驱动晶体管能够为发光器件200提供稳定的驱动电流，使发光器件200所发出的光的亮度保持稳定。可选地，阵列基板10还可以包括基底50，基底50可以为显示装置提供缓冲、保护或支撑等作用。基底50可以是柔性基底，柔性基底的材料可以是聚酰亚胺(PI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，也可以是上述多种材料的混合材料。基底50也可以为采用玻璃等材料形成的硬质基底。

继续参考图1，发光器件层20可以包括设置于所述阵列基板10一侧的第一电极层210、发光层220和第二电极层230。可选地，第一电极层210为阳极层，第二电极层230为阴极层。阳极层可以采用三层结构，其中第一层与第三层可为金属氧化物层例如可以是铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铝锌氧化物(AZO)，中间的第二层可为金属层(如银或铜)。阴极层可以是ITO透明电极或镁银合金。发光层220可以只包括单层膜层，即只包括发光材料层，也可以包括自第一电极层210至第二电极层230层叠设置的空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层、电子注入层等形成的多层结构。并且，发光层220至少包括红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层，进而可实现多种颜色的显示。每个发光器件200可以通过第一电极层210与像素电路100一一对应电连接，进而为第一电极层210提供驱动电压，驱动发光器件200发光。

参考图1，触控电极层30包括多个触控电极300，触控电极300可以是单层自电容ITO电极，触控电极300对地或触控电极300对手指可以构成自电容，当手指触摸到显示面板时，手指的电容将会叠加到触控电极300上，使触控电极300的电容量增加。触控电极300可以集成于发光器件层20中，例如集成在第二电极层230中，第二电极层230可以是ITO透明电极材质的阴极层，与触控电极300的电极材质相同，因而可实现功能的集成与材质的复用，降低了生产成本，使发光器件层20发光的同时还能实现触控，并且，相较于TP on TFE或外挂TP的触控结构设计，降低了显示面板的厚度，有利于显示面板的弯折性能。

图1仅示出了显示面板中的部分触控电极300，实际应用时，多个触控电极300可以分布于整面显示区的发光器件层20中，使触控走线400能够向触控电极300提供驱动信号，以使触控电极300进行全屏扫描，并通过触控走线400传输触控电极300中的感应信号，根据感应信号中触控电极300的电容变化量，可以确定触摸点的坐标。触控走线层40可以与阵列基板10中的任一导电层同层设置，例如，可以在像素电路100与基底50之间的导电层设置触控走线层40，每个触控电极300均可以通过过孔与至少一条触控走线400电连接；又如，也可以在阵列基板10中，位于像素电路100与发光器件层20之间的导电层设置触控走线层40，每个触控电极300均可以通过过孔与至少一条触控走线400电连接，这样过孔的深度较浅，有利于简化加工工艺。图1示意性地示出了触控走线层40与像素电路100中的导电层同层设置的情况，像素电路100中的薄膜晶体管、信号走线和电容可以设置于不同的导电层中，触控走线层40可以与薄膜晶体管、信号走线和电容所在的任一导电层同层设置，每个触控电极300均可以通过过孔与至少一条触控走线400电连接。这样，可以在形成像素电路100的同时来形成触控走线层40，无需新增掩膜版来单独形成触控走线层40，简化了显示面板的生产工艺，降低了显示面板的制造成本。并且，触控走线层40独立于像素电路100设置，触控功能与显示功能独立进行，在实现触控的同时，又不会影响显示面板的显示效果。

图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图2所示，可选地，本发明实施例提供的显示面板，在基底50一侧还包括缓冲层51，缓冲层51能够起到缓冲、阻水氧等作用，以阻挡基底50上的杂质对阵列基板造成的污染，缓冲层51的材质可以是硅氧化物(SiOx)。在缓冲层51远离基底50的一侧，包括多晶硅层111，该多晶硅层111可以采用常见的沉积-光阻涂敷-曝光-显影-刻蚀-光阻剥离的过程来完成。在多晶硅层111远离基底50的一侧可包括栅极绝缘层52；在栅极绝缘层52远离基底50的一侧可包括第一金属层171，该第一金属层171包括像素电路中薄膜晶体管110的栅极112，还可包括像素电路中的存储电容150的一个极板151；在第一金属层171远离基底50的一侧还可包括电容绝缘层53；在电容绝缘层53远离基底50的一侧包括第二金属层172，其中，第二金属层172中可包括像素电路的电源线130和存储电容150的另一个极板152；在第二金属层172远离基底50的一侧，还可包括层间绝缘层54，在层间绝缘层54远离基底50的一侧包括薄膜晶体管110的源极113和漏极114，且源极113和漏极114通过过孔与多晶硅层111连接；在源极113和漏极114远离基底50的一侧包括绝缘层55，在绝缘层55远离基底50的一侧包括第三金属层173，其中，第三金属层173可包括电源线130以及像素电路的数据信号线的降电阻线140，在第三金属层173远离基底50的一侧包括平坦化层56，在平坦化层56远离基底50的一侧包括发光器件层20，发光器件层20包括第一电极层210、发光层220和第二电极层230，各发光器件的发光层220之间可以设置像素定义层57，像素定义层57用于限定出显示面中的多个发光器件，像素定义层57远离基底50的一侧设置有支撑柱58，支撑柱58用于支撑掩膜板，以便蒸镀发光层220，第二电极层230位于像素定义层57远离基底50的一侧，且第二电极层230包覆支撑柱58。

参考图2，可选地，像素电路100包括薄膜晶体管110和连接电极120，发光器件层20包括层叠的第一电极层210、发光层220和第二电极层230，第一电极层210通过连接电极120与薄膜晶体管110的漏极114或源极113电连接，触控走线层40与连接电极120位于同一层。具体地，参考图2，发光器件层20的第一电极层210可以是阳极层，第二电极层230可以是阴极层，第一电极层210可以通过连接电极120和过孔连接薄膜晶体管110的漏极114，在其他薄膜晶体管结构中，第一电极层210可以通过连接电极120和过孔连接薄膜晶体管110的源极113，另外，第一电极层210也可以直接通过过孔连接薄膜晶体管110的漏极114或源极113，图2示意性地示出了第一电极层210通过连接电极120和过孔连接薄膜晶体管110的漏极114的情况。可以在连接电极120所在的第三金属层173设置触控走线层40，显示面板的制作过程中，在第三金属层173中同时形成连接电极120和触控走线层40，这样，无需新增其他膜层并通过单独的掩膜版来制作触控走线层40，简化了生产工艺，降低了生产成本，减小了显示面板的厚度。另外，由于触控电极层30集成于发光器件层20中，第三金属层173距离发光器件层20仅间隔平坦化层56和像素限定层57，仅在平坦化层56和像素限定层57两层形成过孔即可实现触控电极300与触控走线400的电连接，进一步简化了生产工艺流程。

参考图2，可选地，像素电路100还可以包括薄膜晶体管110和降电阻线(图中未示出)，降电阻线通过过孔与薄膜晶体管110的栅极112、源极113或漏极114电连接，触控走线层40与降电阻线位于同一层。具体地，该降电阻线还可以是与薄膜晶体管110的栅极112、源极113或漏极114电连接，用于降低薄膜晶体管110的各电极上的阻抗的走线。触控走线层40可以与该降电阻线同层设置，这样能够在降低薄膜晶体管110的各电极上的阻抗的同时，为显示面板集成触控功能。可选地，像素电路100还可以同时包括薄膜晶体管110、连接电极120和用于降低薄膜晶体管110的各电极上的阻抗的降电阻线，触控走线层40与连接电极120和降电阻线位于同一层。这样，显示面板的制作过程中，能够在第三金属层173中同时形成不同功能的走线，且触控走线40独立于连接电极120和降电阻线，三者互不影响，无需新增多个膜层来分别设置不同功能的走线，不但降低了显示面板的厚度，还降低了生产成本。

可选地，如图2所示，像素电路100还可以包括电源线130，电源线130与薄膜晶体管110的源极113或漏极114电连接，降电阻线140与电源线130异层设置，降电阻线140通过至少一个过孔与电源线130电连接，触控走线层40与降电阻线140位于同一层。具体地，参考图2，降电阻线140可以是与电源线130并联，用于降低电源线130的阻抗，以及降低像素电路的数据信号线的阻抗的走线，降电阻线140可以设置在第三金属层173中，触控走线层40可以与降电阻线140同层设置。在显示面板的制作过程中，可以在第三金属层173中同时形成降电阻线140和触控走线层40，在降低电源线130阻抗的同时，又能为显示面板集成触控功能，在同一道工序制作降电阻线140和触控走线层40，简化了生产工艺，降低了生产成本，降低了显示面板的厚度。

继续参考图2，可选地，像素电路100还可以同时包括薄膜晶体管110、连接电极120、电源线130和降电阻线140，触控走线层40与连接电极120和降电阻线140位于同一层。这样，显示面板的制作过程中，能够在第三金属层173中同时形成不同功能的走线，且触控走线40独立于连接电极120和降电阻线140，三者互不影响，无需新增多个膜层来分别设置不同功能的走线，不但降低了显示面板的厚度，还降低了生产成本。

可选地，参考图2，触控走线层40包括层叠的钛层、铝层和钛层。示例性地，在加工过程中，可以将触控走线层40，即第三金属层173中的连接电极120和降电阻线140均设置为层叠的钛层、铝层和钛层的结构，这样不但能够简化制作工艺流程，也能够有效降低连接电极120、降电阻线140和触控走线层40的电阻，提升导电性能，同时，降电阻线140的设置，还能够起到进一步降低电源线130和像素电路的数据信号线的阻抗的效果。可选地，触控走线层40还可以包括层叠的钼层、铝层和钼层，这样同样能够起到上述降低连接电极120、降电阻线140和触控走线层40的电阻，提升导电性能，以及降低电源线130和像素电路的数据信号线的阻抗的效果。可选地，触控走线层40还可以包括透明锗氧化物，透明锗氧化物具有较低的电阻，同样能够实现上述有益效果，这里不再赘述。

图3是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图3所示，可选地，像素电路100包括薄膜晶体管110和电源线130，电源线130与薄膜晶体管110的源极113或漏极114电连接，触控走线层40与电源线130位于同一层。示例性地，参考图3，像素电路100中还包括向薄膜晶体管110的源极113或漏极114提供电源信号的电源线130，电源线130可以和存储电容150的极板152同层设置在第二金属层172中，触控走线层40可以与电源线130和存储电容150的极板152同层设置，并独立于电源线130和存储电容150的极板152设置。这样，无需新增掩膜版来单独制作触控走线层40，同样能够达到简化生产工艺，降低生产成本，以及减小显示面板厚度的有益效果。

图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图4所示，可选地，像素电路100包括薄膜晶体管110，触控走线层40与薄膜晶体管110的栅极112、源极113或漏极114位于同一层。图4示意性地示出了触控走线层40与薄膜晶体管110的栅极112位于同一层的情况，示例性地，栅极112可以与存储电容150的极板151同层设置在第一金属层171中，触控走线层40可以与薄膜晶体管110的栅极112和存储电容150的极板151同层设置，并独立于栅极112和极板151设置。这样能够有效利用显示面板的已有膜层空间，在第一金属层171中同时形成触控走线层40、薄膜晶体管110的栅极112和存储电容150的极板151，为显示面板集成触控功能的同时简化了生产工艺，而且触控信号的传输与像素电路信号的传输独立进行，不会影响显示面板的显示性能。触控走线层40也与薄膜晶体管110的源极113或漏极114位于同一层，这样触控走线400距离集成有触控电极300的发光器件层20更近，便于触控走线400与触控电极300的电连接，保证了触控信号传输的可靠性。

图5是本发明实施例提供的一种显示面板的俯视结构示意图。结合图2-图5，可选地，像素电路100包括薄膜晶体管110，发光器件层20包括层叠的第一电极层210、发光层220和第二电极层230，第一电极层210与薄膜晶体管110的漏极114或源极113电连接；第二电极层230包括多个相互独立的第二电极231，至少部分第二电极231复用为触控电极300。示例性地，参考图2-图5，第二电极层230可以是发光器件层20的阴极层，可选地，阴极层可分割为M*N个独立的正方形的第二电极231，第二电极231矩阵排布于显示面板600的显示区610，第二电极231复用为触控电极300，每个触控电极300均可单独连接触控走线400，以实现显示区610不同区域的触控，可以设置每个第二电极231均复用为触控电极300，这样即可实现整个显示区610的触控。优选地，第二电极231的边长小于5mm。第二电极231的尺寸的设置，既能避免影响显示面板的显示效果，又能保证触控识别的精确度。

图6是本发明实施例提供的一种显示面板的主视结构示意图；图7是本发明实施例提供的另一种显示面板的主视结构示意图。结合图6-图7，可选地，显示面板还包括呈网格状的隔离结构70，隔离结构70用于分割第二电极层230，形成多个第二电极231，相邻第二电极231通过隔离结构70绝缘设置。示例性地，隔离结构70可以包括多个交叉垂直的条状结构，在蒸镀第二电极层230前，可以先蒸镀一层用来断开第二电极层230的隔离结构70，然后紧接着蒸镀整面第二电极层230，由于隔离结构70的存在，隔离区域无法蒸镀上第二电极层230，因此第二电极层230蒸镀完成后，第二电极层230形成多个独立的第二电极231，以便第二电极231复用为触控电极，将触控结构集成到显示面板的制程中。

图8是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图；图9是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。结合图6-图9所示，可选地，显示面板还包括覆盖阵列基板10的平坦化层56，以及位于平坦化层56远离阵列基板10一侧的像素定义层57，像素定义层57用于定义出发光器件200；隔离结构70位于像素定义层57远离阵列基板10的一侧。图6、图8和图9分别示意性地示出了隔离结构70在像素定义层57上的设置情况，图7示意性地示出了第二电极231在像素定义层57上的设置情况，实际加工过程中，可以在形成像素定义层57后，形成发光器件的发光层220，然后在像素定义层57远离基底50的一侧蒸镀形成隔离结构70，在隔离结构70形成之后，在像素定义层57远离基底50的一侧蒸镀第二电极层230，由于隔离结构70的存在，第二电极层230无法形成连续的结构，使相邻的第二电极231通过网格状的隔离结构70彼此绝缘，形成多个独立的第二电极231，这样发光器件层20的第二电极层230的蒸镀及其图形化可在一道工序中同时完成，简化了生产工艺流程。优选地，隔离结构70在阵列基板上的垂直投影位于相邻各发光层220在阵列基板上的垂直投影之间。具体地，在像素定义层57上，隔离结构70可以避开发光层220所在区域设置，示例性地，隔离结构70的网格状结构可以包围发光层220所在区域，在像素定义层57之上，像素间隙对应的区域形成隔离结构70，既有利于第二电极层230的图形化，又不会影响显示面板的显示效果。

可选地，所述发光层220可以为子像素，如红R、绿G、蓝B，或者为一个像素单元，所述像素单元由多个子像素组成；优选地，隔离结构70在阵列基板上的垂直投影位于相邻子像素或像素单元在阵列基板上的垂直投影之间。

参考图8和图9，优选地，每段隔离结构70的横截面呈T型或倒梯形，该横截面平行于隔离结构70的宽度方向oa和厚度方向ob限定出的平面。图8示意性地示出了隔离结构70的横截面呈T型的情况，图9示意性地示出了隔离结构70的横截面呈倒梯形的情况，图8和图9分别只示出了显示面板中的一个隔离结构70，实际应用中，像素定义层57上可形成如图6所示分布的隔离结构70。在加工过程中，相邻的隔离结构70可限定出第二电极231的蒸镀区域，将隔离结构70设计为横截面呈T型或倒梯形的结构，能够有效防止第二电极231蒸镀时超出隔离结构70的限定区域，防止蒸镀材料爬坡，有利于保持相邻第二电极231的独立，进而保证显示面板触控功能的精确度。

参考图6-图9，优选地，第二电极层为阴极层，隔离结构70具有疏阴极层材料的性质，优选地，隔离结构70的材料包括苯环有机物。具体地，隔离结构70具有分散阴极层材料的性质，例如，阴极层材料具有导电性能，隔离结构70可以是具有绝缘性能的材质，这样在蒸镀阴极层时，在网格状的隔离结构70的作用下，相邻区域的阴极层能够彼此分离并绝缘。苯环有机物具有良好的电绝缘性和耐腐蚀性，可以用于形成隔离结构70。

图10是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。如图10所示，可选地，显示面板还包括覆盖阵列基板10的平坦化层56，以及位于平坦化层56远离阵列基板10一侧的像素定义层57，像素定义层57用于定义出发光器件200；像素电路100包括薄膜晶体管110和连接电极120，发光器件层20包括层叠的第一电极层210、发光层220和第二电极层230，第一电极层210通过连接电极120与薄膜晶体管110的漏极114或源极113电连接，隔离结构70与连接电极120位于同一层。

具体地，图10示意性地示出了第一电极层210通过连接电极120与薄膜晶体管110的漏极114连接的情况，当第一电极层210通过连接电极120与薄膜晶体管110的源极113连接时，连接电极120也可设置在第三金属层173。隔离结构70可以与连接电极120同层设置，显示面板的制作过程中，在第三金属层173中同时形成连接电极120和隔离结构70，如图10中A区域所示，然后形成具有暴露隔离结构70的凹槽结构的平坦化层56，以及具有暴露隔离结构70的凹槽结构的像素定义层57，这样，在像素定义层57上形成第二电极层230时，第二电极层材料可以蒸镀至A区域中平坦化层56和像素定义层57的凹槽的内壁，由于隔离结构70的存在，第二电极层材料在凹槽的底部断开，从而分割第二电极层230，形成多个第二电极231。图10仅示出了对应于一个发光器件所在区域的一个隔离结构70的剖面情况，实际应用时，显示面板的显示区内具有多条横纵交错的隔离结构70，多个隔离结构70能够分割第二电极层230，形成如图5所示结构的多个第二电极231。这样能够复用第二电极231作为触控电极300，在形成像素电路的连接电极120的同时形成隔离结构70，并依次形成具有凹槽结构的平坦化层56和像素定义层57，形成第二电极层230的同时实现了第二电极层230的图像化，直接制作成了可复用为触控电极300的第二电极231结构，无需在第二电极层230形成后再对第二电极层230进行图形化分割，利用显示面板的现有膜层来实现第二电极层230的图形化，在不增加掩膜工艺的同时，降低了制造成本。

参考图10，可选地，像素电路100还可以包括薄膜晶体管110和降电阻线(图中未示出)，降电阻线通过过孔与薄膜晶体管110的栅极112、源极113或漏极114电连接，隔离结构70与降电阻线位于同一层。具体地，隔离结构70还可以与该降电阻线位同层设置，在同一道工序中形成隔离结构70和降电阻线，降低薄膜晶体管110的各电极上的阻抗的同时，还有利于第二电极层230的图形化。可选地，像素电路100还可以同时包括薄膜晶体管110、连接电极120和用于降低薄膜晶体管110的各电极上的阻抗的降电阻线，隔离结构70与连接电极120和降电阻线位于同一层。这样，显示面板的制作过程中，能够在第三金属层173中同时形成不同的功能层，且隔离结构70独立于连接电极120和降电阻线，三者互不影响，既有利于第二电极层230的图形化，又有利于降低薄膜晶体管110的各电极上的阻抗，还实现发光器件与薄膜晶体管的电连接，无需新增多个膜层来分别设置不同的功能层，减小了显示面板的厚度，进一步降低了生产成本。

参考图10，可选地，像素电路100包括薄膜晶体管110、电源线130和降电阻线140，电源线130与薄膜晶体管110的源极113或漏极114电连接，降电阻线140与电源线130异层设置，降电阻线140通过至少一个过孔与电源线130电连接，隔离结构70与降电阻线140位于同一层。具体地，隔离结构70也可以与降电阻线140同层设置在第三金属层173中，在同一道工序中形成隔离结构70和降电阻线140，降低电源线130和像素电路的数据信号线的阻抗的同时，还有利于第二电极层230的图形化，并且，第三金属层173与第二电极层230之间仅间隔了平坦化层56和像素定义层57，形成隔离结构70后，仅需在平坦化层56和像素定义层57两层中设置凹槽即可实现第二电极层230的图形化工艺，进一步降低了制造成本。

继续参考图10，可选地，像素电路100还可以同时包括薄膜晶体管110、连接电极120、电源线130和降电阻线140，隔离结构70与连接电极120和降电阻线140位于同一层。这样，显示面板的制作过程中，能够在第三金属层173中同时形成不同的功能层，且隔离结构70独立于连接电极120和降电阻线140，三者互不影响，能够在设置第二电极层230的图形化隔断结构的同时降低电源线130和像素电路的数据信号线的阻抗，并实现发光器件与薄膜晶体管的电连接，无需新增多个膜层来分别设置不同的功能层，减小了显示面板的厚度，进一步降低了生产成本。

参考图10，可选地，隔离结构70还可以与薄膜晶体管110的栅极112、源极113、漏极114、存储电容150的极板151、极板152和电源线130中的任一层同层设置。具体地，可以在薄膜晶体管110的栅极112、源极113、漏极114、存储电容150的极板151、极板152和电源线130中的任一层的制作过程中，同时形成隔离结构70与该层的原有结构。利用显示面板的现有膜层，无需增加新的膜层来单独形成隔离结构70，同样能够达到减小显示面板厚度，简化生产工艺步骤，降低生产成本的效果。

参考图10，可选地，显示面板还包括贯穿像素定义层57和平坦化层56的凹槽，隔离结构70位于凹槽的底部。优选地，隔离结构70包括叠层的钛层、铝层和钛层，沿铝层的宽度方向oc，铝层的两端均短于两侧的钛层的两端。具体地，如图10中A区域的结构所示，隔离结构70包括自绝缘层55叠层设置的钛层71、铝层72和钛层73，铝层72的宽度短于钛层71和钛层73的宽度，并且沿oc方向，铝层72的两端均短于钛层71和钛层73的两端，形成铝层72相对于钛层71和钛层73内缩的结构。这样在形成了隔离结构70，以及具有凹槽结构的像素定义层57和平坦化层56后，在像素定义层57上蒸镀第二电极层230时，第二电极层230蒸镀到具有倒刻蚀角的隔离结构70上，会形成断裂的第二电极层230，第二电极层材料仅能蒸镀到凹槽内侧壁，无法蒸镀到凹槽底部，从而实现隔断第二电极层230。可选地，隔离结构70也可以设置成包括叠层的钼层、铝层和钼层，且铝层相对于钼层内缩设置，同样能够达到隔断第二电极层230的效果。另外，钛层71、铝层72和钛层73叠层设置，两侧的钛层71和钛层73能够保护铝层72的上下表面，由于铝层72的导电性能好，这样能够保证铝层72的导电性能及信号传输性能。可以在形成第三金属层173时，将该层的隔离结构70、连接电极120和降电阻线140均设置为钛、铝、钛，或钼、铝、钼的叠层结构，这样不但能够简化显示面板的制作工艺，还能实现第二电极层230的隔断，同时也不会影响连接电极120和降电阻线140的导电性能。

继续参考图10，可选地，在第三金属层173形成包括钛层、铝层和钛层的叠层结构后，可以通过刻蚀工艺将铝层内缩。具体地，由于钛和铝两种金属的刻蚀速率不一样，可以通过湿法刻蚀，将第三金属层173浸泡在腐蚀液内进行腐蚀，因为铝金属的刻蚀速率快于钛金属的刻蚀速率，所以能够形成铝层内缩的结构，由于隔离结构70还具有保证铝层72的导电性能及信号传输性能的有益效果，第三金属层173中除了隔离结构70还有连接电极120和降电阻线140等金属线，将连接电极120和降电阻线140等金属线也设置成钛层、铝层和钛层的叠层结构，也有益于提升连接电极120和降电阻线140的导电性能。可选地，也可以包覆第三金属层173中的连接电极120和降电阻线140，仅刻蚀第三金属层173中的隔离结构70，仅将用于隔断第二电极层230的隔离结构70设置成铝层内缩，而无需改变连接电极120和降电阻线140的结构，以保证连接电极120和降电阻线140的完整性。

参考图10，可选地，在第三金属层173形成隔离结构70时，可以在除第三金属层173外的像素电路中的其他导电层形成触控走线层40，例如，可以在第一金属层171或第二金属层172中形成触控走线层40，图10示意性地示出了触控走线层40与像素电路的电源线130位于同一层的情况，这样，在第二金属层172形成触控走线层40，在第三金属层173形成隔断第二电极层230的隔离结构70，在第二电极231形成后，可以复用第二电极231为触控电极300，通过过孔连接触控电极300和触控走线400，以实现显示面板的触控功能。本实施例的技术方案，将触控电极300和触控走线400的制作工艺融合入显示面板像素电路的工序中同时进行，复用第二电极231为触控电极300，利用像素电路的导电层来制作触控走线400，无需新增膜层即可实现触控功能，降低了制作成本，同时还减小了显示面板的厚度，有利于显示面板的轻薄化设计。

本发明实施例还提供了一种显示装置。图11是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；图12是本发明实施例提供的另一种显示面板的结构示意图。结合图11和图12，该显示装置60包括本发明任意实施例所述的显示面板600；驱动电路620与多个像素电路100以及触控走线层中的多条触控走线400电连接。

图11示意性地示出了显示装置60为手机的情况，实际应用时，显示装置60还可以是电脑或平板电脑等装置。驱动电路620可以包括同时集成包括显示驱动功能和触控驱动功能的电路，多条触控走线400与多个像素电路100分别与驱动电路620电连接，这样，驱动电路620为像素电路提供显示信号的同时，还能为触控走线400提供触控信号，显示和触控能够同时独立进行，有效提升了显示装置的性能。

本发明实施例所提供的显示装置包括本发明任意实施例所述的显示面板，因此具备上述有益效果，这里不再赘述。

注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (7)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

阵列基板，包括多个像素电路；

发光器件层，位于所述阵列基板上，包括多个发光器件，所述发光器件与所述像素电路电连接；

触控电极层，集成于所述发光器件层中，包括多个触控电极；

触控走线层，与所述阵列基板中的至少一层导电层位于同一层，且独立于所述像素电路设置；

其中，所述发光器件层包括层叠的第一电极层、发光层和第二电极层，所述第一电极层连接所述像素电路；所述显示面板还包括覆盖所述阵列基板的平坦化层，位于所述平坦化层远离所述阵列基板一侧的像素定义层以及贯穿所述像素定义层和所述平坦化层的凹槽；

所述显示面板还包括隔离结构，所述隔离结构位于所述凹槽的底部；所述第二电极层位于所述像素定义层远离所述阵列基板的一侧以及所述凹槽的侧壁上，且所述第二电极层被所述隔离结构分割为多个相互独立的第二电极，至少部分所述第二电极复用为所述触控电极；

所述隔离结构包括叠层的钛层、铝层和钛层，沿铝层的宽度方向，铝层的两端均短于两侧的钛层的两端。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括薄膜晶体管和连接电极，所述第一电极层通过所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接，所述触控走线层与所述连接电极位于同一层；

和/或，所述像素电路包括薄膜晶体管和降电阻线，所述降电阻线通过过孔与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极电连接，所述触控走线层与所述降电阻线位于同一层。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述触控走线层包括层叠的钛层、铝层和钛层。

4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括薄膜晶体管和电源线，所述电源线与所述薄膜晶体管的源极或漏极电连接，所述触控走线层与所述电源线位于同一层。

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素电路包括薄膜晶体管，所述触控走线层与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极位于同一层。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述像素电路包括薄膜晶体管和连接电极，所述第一电极层通过所述连接电极与所述薄膜晶体管的漏极或源极电连接，所述隔离结构与所述连接电极位于同一层；

和/或，所述像素电路包括薄膜晶体管和降电阻线，所述降电阻线通过过孔与所述薄膜晶体管的栅极、源极或漏极电连接，所述隔离结构与所述降电阻线位于同一层。

7.一种显示装置，其特征在于，包括驱动电路和权利要求1-6任一项所述的显示面板；

所述驱动电路与所述多个像素电路以及所述触控走线层中的多条触控走线电连接。

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