JP2011109138A - 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011109138A JP2011109138A JP2011037041A JP2011037041A JP2011109138A JP 2011109138 A JP2011109138 A JP 2011109138A JP 2011037041 A JP2011037041 A JP 2011037041A JP 2011037041 A JP2011037041 A JP 2011037041A JP 2011109138 A JP2011109138 A JP 2011109138A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- tables
- optical system
- exposure
- projection optical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
- G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing
- G03F7/202—Masking pattern being obtained by thermal means, e.g. laser ablation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
- H01L21/0275—Photolithographic processes using lasers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70733—Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
- G03F7/70816—Bearings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Public Health (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Control Of Vending Devices And Auxiliary Devices For Vending Devices (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Magnetic Bearings And Hydrostatic Bearings (AREA)
- Microscoopes, Condenser (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
【解決手段】水圧パッドと水圧パッドとによって、ウエハ及び該ウエハが載置されたテーブルが狭持されている。水圧パッドによって、その軸受面とウエハとの投影光学系の光軸方向に関する間隔が、所定寸法に維持される。また、水圧パッドは、気体静圧軸受とは異なり、軸受面と支持対象物(基板)との間の非圧縮性流体(液体)の静圧を利用するので、軸受の剛性が高く、軸受面と基板との間隔が、安定してかつ一定に保たれる。また、液体(例えば純水)は気体(例えば空気)に比べて、粘性が高く、液体は振動減衰性が気体に比べて良好である。従って、焦点位置検出系などを必ずしも設けることなく、デフォーカスの殆どないウエハ(基板)上へのパターンの転写が実現される。
【選択図】図1
Description
δ=k2・λ/NA2 ……(2)
以下、本発明の第1の実施形態について、図1〜図6に基づいて説明する。
これまでの説明では、水圧パッド32が鏡筒40に固定され、投影光学系PLと水圧パッド32との位置関係が一定に維持されている場合について説明したが、これに限らず、例えば、投影光学系PLを構成する最も像面側の光学部材として、図8に示されるような上下に2分割された分割レンズ(Divided Lens)を用いることとしても良い。この図8に示される分割レンズ150は、下側の半球状の第1部分レンズ152aと、その第1部分レンズの外表面(球面の一部)と同一の点を中心とする曲率半径が僅かに大きな曲率半径の球面をその内面(内表面)として有し、前記第1部分レンズ152aの中心とは異なる点を中心とする球面を外面(外表面)として有する第2部分レンズ152bとによって構成されている。この場合、第1部分レンズ152aは平凸レンズであり、第2部分レンズ152bは、凹メニスカスレンズである。
次に、図9及び図10に基づいて本発明の第2の実施形態の露光装置について説明する。図9には、第2の実施形態の露光装置を構成するウエハステージ装置300の構成が、平面図にて示されている。ここで、重複説明を避ける観点から、前述の第1の実施形態と同一の構成部分には、同一の符号を用いるとともに、その説明を省略するものとする。
次に上述した露光装置をリソグラフィ工程で使用したデバイスの製造方法の実施形態について説明する。
Claims (96)
- 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
それぞれ基板を載置し、互いに独立して移動可能な第1、第2テーブルと、
前記基板が下面側に対向して配置され、かつ前記投影光学系に対して可動な液浸部材を含み、前記投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、
前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの一方との間に前記液浸領域が維持される第1状態から、前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの他方との間に前記液浸領域が維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の直下に前記液浸領域を維持しつつ、前記投影光学系の下方で前記第1、第2テーブルを移動する駆動システムと、を備え、
前記基板は、それぞれ前記第1、第2テーブルによって前記液浸領域に対して相対的に移動される。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に回収口を有する。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光装置であって、
それぞれ基板を載置し、互いに独立して移動可能な第1、第2テーブルと、
前記基板が対向して配置される下面側に回収口を有する液浸部材を含み、前記投影光学系の直下に液体を供給して液浸領域を形成する液浸システムと、
前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの一方との間に前記液浸領域が維持される第1状態から、前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの他方との間に前記液浸領域が維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の直下に前記液浸領域を維持しつつ、前記投影光学系の下方で前記第1、第2テーブルを移動する駆動システムと、を備え、
前記基板は、それぞれ前記第1、第2テーブルによって前記液浸領域に対して相対的に移動される。 - 請求項2又は3に記載の露光装置において、
前記液浸部材はその下面側に形成される凹部に前記回収口が設けられる。 - 請求項4に記載の露光装置において、
前記凹部は、前記液浸部材の下面側で環状に形成される。 - 請求項2〜5のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、前記エネルギビームが通過する開口部が下面側の一部に形成されるとともに、前記開口部に対して前記回収口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、前記エネルギビームの照射領域を囲む環状部材である。 - 請求項1〜7のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、前記液体を接する前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられる。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸部材は、前記液体の流路を内部に有する。 - 請求項9に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、前記液浸部材の内部流路を介して前記液浸領域の液体を回収する。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、前記液浸部材を介して前記投影光学系の直下に液体を供給する。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は、前記露光において前記液浸部材の下面に近接して配置される。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、前記液浸部材によって前記基板よりも小さい局所領域内に前記液体を保持して、前記投影光学系の直下に前記液浸領域を形成する。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸システムは、少なくとも前記基板の露光動作において前記液体の供給と回収とを常時行う。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記基板の載置領域と、その一部に形成される開口内に前記載置領域が位置するように設けられるカバー部材とを有し、前記カバー部材によって前記投影光学系との間に前記液浸領域を維持する。 - 請求項15に記載の露光装置において、
前記基板はその表面が前記カバー部材の表面とほぼ面一となるように前記載置領域に載置される。 - 請求項15又は16に記載の露光装置において、
前記基板の露光動作において前記投影光学系から前記基板が外れる位置に前記第1、第2テーブルがそれぞれ移動する際、前記液浸領域は前記投影光学系と前記カバー部材との間に維持される。 - 請求項15〜17のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板の交換のために前記投影光学系から前記基板が外れる位置に前記第1、第2テーブルがそれぞれ移動する際、前記液浸領域は前記投影光学系と前記カバー部材との間に維持される。 - 請求項15〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記カバー部材が相対移動可能に設けられる。 - 請求項15〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記カバー部材は、前記開口を含む複数の開口が形成され、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記開口と異なる開口内に配置される計測部材を有し、
前記投影光学系との間に前記液浸領域を維持した状態で前記計測部材を用いる計測が行われる。 - 請求項20に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、その表面が前記計測部材の表面を含めてほぼ面一となるように設定される。 - 請求項15〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記カバー部材と前記基板との隙間からの前記液体の流出を抑制するように前記カバー部材に近接させて前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項22に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記投影光学系の下方での移動によって、前記液浸領域が前記投影光学系の直下に維持されつつ、前記隙間を横切って前記カバー部材及び前記基板の一方から他方に移動する。 - 請求項1〜23のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルを接近させるように相対移動するとともに、前記第1状態から前記第2状態に遷移するように前記投影光学系の直下に前記液浸領域を維持しつつ前記接近させた第1、第2テーブルを移動する。 - 請求項24に記載の露光装置において、
前記一方のテーブルに対して前記他方のテーブルが接近するように移動される。 - 請求項1〜25のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において近接または接触した状態で移動される。 - 請求項1〜26のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記投影光学系の直下に前記液浸領域が維持されるように近接した状態で移動される。 - 請求項1〜27のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記液体の流出が防止されるように近接した状態で移動される。 - 請求項1〜28のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において所定方向に関して近接または接触しつつ前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜29のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において所定方向に関してその位置関係が維持されつつ同時に移動される。 - 請求項29又は30に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移のために、前記所定方向に関して接近するように移動される。 - 請求項31に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルは、前記所定方向に関する前記接近のための移動と、前記所定方向と直交する方向に関する位置関係の調整とが行われる。 - 請求項1〜32のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なるマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜33のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において、前記走査露光時に前記基板が走査される所定方向に移動される。 - 請求項1〜34のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記液浸領域は、前記遷移において、前記第1、第2テーブルの少なくとも一方によって前記投影光学系の直下に維持される。 - 請求項35に記載の露光装置において、
前記第1、第2状態の間の過渡状態では、前記第1、第2テーブルの両方によって前記液浸領域が前記投影光学系の直下に維持される。 - 請求項1〜36のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記遷移において、前記一方のテーブルには露光後の基板が載置され、前記他方のテーブルには次に露光が行われる基板が載置される。 - 請求項1〜37のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1テーブルに載置される基板の露光動作と、前記第2テーブルに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記遷移動作がその露光動作の間に行われる。 - 請求項1〜38のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系が配置される第1領域と異なる第2領域に配置されるマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ前記第1、第2領域の一方から他方に移動される。 - 請求項39に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記第2領域から第1領域への移動と、前記第1領域から前記第2領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項39又は40に記載の露光装置において、
前記第1、第2領域は所定方向に関して位置が異なり、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項1〜41のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板のマークを検出するマーク検出系を、さらに備え、
前記第1、第2テーブルの一方に載置される基板の露光動作と、前記第1、第2テーブルの他方に載置される基板のマーク検出動作とが並行して行われ、
前記遷移において、前記一方のテーブルには露光後の基板が載置され、前記他方のテーブルにはマーク検出後の基板が載置される。 - 請求項42に記載の露光装置において、
前記遷移後、前記他方のテーブルに載置される基板の露光動作が開始され、かつ前記一方のテーブルは基板交換位置まで移動されて、前記露光された基板の交換動作が、前記他方のテーブルに載置される基板の露光動作と並行して行われる。 - 請求項1〜43のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、かつ前記液体を介することなくマーク検出が行われる。 - 請求項1〜44のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルの位置情報を計測する計測装置を、さらに備え、
前記計測装置は、前記露光において前記第1、第2テーブルの位置情報を計測するエンコーダを含む。 - 請求項45に記載の露光装置において、
前記エンコーダは、前記第1、第2テーブルの裏面に設けられるスケールを使ってその位置情報を計測する。 - 請求項1〜46のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記第1、第2テーブルとは独立して移動可能な第3テーブルを、さらに備え、
前記第3テーブルを用いて前記基板の露光動作と異なる動作を実行する。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項1〜47のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板上にデバイスパターンを転写する。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
互いに独立して移動可能な第1、第2テーブルにそれぞれ載置される基板を、前記投影光学系の直下に液体を供給して形成される液浸領域を介して露光することと、
前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの一方との間に前記液浸領域が維持される第1状態から、前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの他方との間に前記液浸領域が維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の直下に前記液浸領域を維持しつつ、前記投影光学系の下方で前記第1、第2テーブルを移動することと、を含み、
前記液浸領域は、前記基板が下面側に対向して配置され、かつ前記投影光学系に対して可動な液浸部材を含む液浸システムによって、前記投影光学系の直下に形成され、
前記基板は、それぞれ前記第1、第2テーブルによって、前記液浸領域に対して相対的に移動される。 - 請求項49に記載の露光方法において、
前記液浸領域の液体は、前記液浸部材の下面側に配置される回収口を介して回収される。 - 投影光学系と液体とを介してエネルギビームで基板を露光する露光方法であって、
互いに独立して移動可能な第1、第2テーブルにそれぞれ載置される基板を、前記投影光学系の直下に液体を供給して形成される液浸領域を介して露光することと、
前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの一方との間に前記液浸領域が維持される第1状態から、前記投影光学系と前記第1、第2テーブルの他方との間に前記液浸領域が維持される第2状態に遷移するように、前記投影光学系の直下に前記液浸領域を維持しつつ、前記投影光学系の下方で前記第1、第2テーブルを移動することと、を含み、
前記液浸領域は、前記基板が対向して配置される下面側に回収口を有する液浸部材を含む液浸システムによって、前記投影光学系の直下に形成され、
前記基板は、それぞれ前記第1、第2テーブルによって、前記液浸領域に対して相対的に移動される。 - 請求項50又は51に記載の露光方法において、
前記液浸部材はその下面側に形成される凹部に前記回収口が設けられる。 - 請求項52に記載の露光方法において、
前記凹部は、前記液浸部材の下面側で環状に形成される。 - 請求項50〜53のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、前記エネルギビームが通過する開口部が下面側の一部に形成されるとともに、前記開口部に対して前記回収口よりも外側に別の回収口を有する。 - 請求項49〜54のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、前記エネルギビームの照射領域を囲む環状部材である。 - 請求項49〜55のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、前記液体を接する前記投影光学系の光学部材を囲んで設けられる。 - 請求項49〜56のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材は、前記液体の流路を内部に有する。 - 請求項57に記載の露光方法において、
前記液浸領域の液体は、前記液浸部材の内部流路を介して回収される。 - 請求項49〜58のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液体は、前記液浸部材を介して前記投影光学系の直下に供給される。 - 請求項49〜59のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記露光において前記液浸部材の下面に近接して配置される。 - 請求項49〜60のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸部材によって前記基板よりも小さい局所領域内に前記液体を保持して、前記投影光学系の直下に前記液浸領域を形成する。 - 請求項49〜61のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液体の供給と回収とは、少なくとも前記基板の露光動作において常時行われる。 - 請求項49〜62のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記基板の載置領域と、その一部に形成される開口内に前記載置領域が位置するように設けられるカバー部材とを有し、前記カバー部材によって前記投影光学系との間に前記液浸領域を維持する。 - 請求項63に記載の露光方法において、
前記基板はその表面が前記カバー部材の表面とほぼ面一となるように前記載置領域に載置される。 - 請求項63又は64に記載の露光方法において、
前記基板の露光動作において前記投影光学系から前記基板が外れる位置に前記第1、第2テーブルがそれぞれ移動する際、前記液浸領域は前記投影光学系と前記カバー部材との間に維持される。 - 請求項63〜65のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板の交換のために前記投影光学系から前記基板が外れる位置に前記第1、第2テーブルがそれぞれ移動する際、前記液浸領域は前記投影光学系と前記カバー部材との間に維持される。 - 請求項63〜66のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記カバー部材が相対移動可能に設けられる。 - 請求項63〜67のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記投影光学系との間に前記液浸領域を維持した状態で、前記カバー部材において前記開口と異なる開口内に配置される計測部材を用いる計測が行われる。 - 請求項68に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、その表面が前記計測部材の表面を含めてほぼ面一となるように設定される。 - 請求項63〜69のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記カバー部材と前記基板との隙間からの前記液体の流出を抑制するように前記カバー部材に近接させて前記基板を前記載置領域に載置する。 - 請求項70に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記投影光学系の下方での移動によって、前記液浸領域が前記投影光学系の直下に維持されつつ、前記隙間を横切って前記カバー部材及び前記基板の一方から他方に移動する。 - 請求項49〜71のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルを接近させるように相対移動するとともに、前記第1状態から前記第2状態に遷移するように前記投影光学系の直下に前記液浸領域を維持しつつ前記接近させた第1、第2テーブルを移動する。 - 請求項72に記載の露光方法において、
前記一方のテーブルに対して前記他方のテーブルが接近するように移動される。 - 請求項49〜73のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において近接または接触した状態で移動される。 - 請求項49〜74のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記投影光学系の直下に前記液浸領域が維持されるように近接した状態で移動される。 - 請求項49〜75のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記液体の流出が防止されるように近接した状態で移動される。 - 請求項49〜76のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において所定方向に関して近接または接触しつつ前記所定方向に移動される。 - 請求項49〜77のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において所定方向に関してその位置関係が維持されつつ同時に移動される。 - 請求項77又は78に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移のために、前記所定方向に関して接近するように移動される。 - 請求項79に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルは、前記所定方向に関する前記接近のための移動と、前記所定方向と直交する方向に関する位置関係の調整とが行われる。 - 請求項49〜80のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記投影光学系と所定方向に関して位置が異なるマーク検出系によってマーク検出が行われ、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項49〜81のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は走査露光が行われ、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において、前記走査露光時に前記基板が走査される所定方向に移動される。 - 請求項49〜82のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記液浸領域は、前記遷移において、前記第1、第2テーブルの少なくとも一方によって前記投影光学系の直下に維持される。 - 請求項83に記載の露光方法において、
前記第1、第2状態の間の過渡状態では、前記第1、第2テーブルの両方によって前記液浸領域が前記投影光学系の直下に維持される。 - 請求項49〜84のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記遷移において、前記一方のテーブルには露光後の基板が載置され、前記他方のテーブルには次に露光が行われる基板が載置される。 - 請求項49〜85のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1テーブルに載置される基板の露光動作と、前記第2テーブルに載置される基板の露光動作とが交互に行われ、前記遷移動作がその露光動作の間に行われる。 - 請求項49〜86のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記投影光学系が配置される第1領域と異なる第2領域に配置されるマーク検出系によってマーク検出が行われ、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ前記第1、第2領域の一方から他方に移動される。 - 請求項87に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルはそれぞれ、前記第2領域から第1領域への移動と、前記第1領域から前記第2領域への移動とで異なる経路を辿るように移動される。 - 請求項87又は88に記載の露光方法において、
前記第1、第2領域は所定方向に関して位置が異なり、
前記第1、第2テーブルは、前記遷移において前記所定方向に移動される。 - 請求項49〜89のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルの一方に載置される基板の露光動作と、前記第1、第2テーブルの他方に載置される基板のマーク検出動作とが並行して行われ、
前記遷移において、前記一方のテーブルには露光後の基板が載置され、前記他方のテーブルにはマーク検出後の基板が載置される。 - 請求項90に記載の露光方法において、
前記遷移後、前記他方のテーブルに載置される基板の露光動作が開始され、かつ前記一方のテーブルは基板交換位置まで移動されて、前記露光された基板の交換動作が、前記他方のテーブルに載置される基板の露光動作と並行して行われる。 - 請求項49〜91のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板は、前記液体を介して露光が行われ、かつ前記液体を介することなくマーク検出が行われる。 - 請求項49〜92のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記露光において、前記第1、第2テーブルをそれぞれ、エンコーダによってその位置情報を計測しつつ移動する。 - 請求項93に記載の露光方法において、
前記エンコーダによる計測では、前記第1、第2テーブルの裏面に設けられるスケールが用いられる。 - 請求項49〜94のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記第1、第2テーブルとは独立して移動可能な第3テーブルを用いて前記基板の露光動作と異なる動作を実行する。 - リソグラフィ工程を含むデバイス製造方法であって、
前記リソグラフィ工程では、請求項49〜95のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板上にデバイスパターンを転写する。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011037041A JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003174259 | 2003-06-19 | ||
JP2003174259 | 2003-06-19 | ||
JP2011037041A JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010025992A Division JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013080847A Division JP5556925B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011109138A true JP2011109138A (ja) | 2011-06-02 |
JP2011109138A5 JP2011109138A5 (ja) | 2012-06-07 |
JP5287901B2 JP5287901B2 (ja) | 2013-09-11 |
Family
ID=33534785
Family Applications (19)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2004-06-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-02-26 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010025992A Expired - Fee Related JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037041A Expired - Fee Related JP5287901B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078269A Expired - Fee Related JP5488635B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-12-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) | 2003-06-19 | 2014-04-02 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-06-25 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-10-20 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016003694A Expired - Lifetime JP6123920B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-01-12 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016207355A Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-10-21 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-09-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) | 2003-06-19 | 2018-10-05 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005507235A Expired - Fee Related JP4437474B2 (ja) | 2003-06-19 | 2004-06-18 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2009044470A Expired - Fee Related JP4505675B2 (ja) | 2003-06-19 | 2009-02-26 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010025992A Expired - Fee Related JP4894936B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2010293650A Expired - Fee Related JP5287845B2 (ja) | 2003-06-19 | 2010-12-28 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2011037040A Expired - Fee Related JP5287900B2 (ja) | 2003-06-19 | 2011-02-23 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Family Applications After (13)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012077973A Expired - Fee Related JP5494708B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2012078269A Expired - Fee Related JP5488635B2 (ja) | 2003-06-19 | 2012-03-29 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013080847A Expired - Fee Related JP5556925B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-04-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2013272184A Expired - Fee Related JP5626443B2 (ja) | 2003-06-19 | 2013-12-27 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2014076375A Expired - Fee Related JP5761418B2 (ja) | 2003-06-19 | 2014-04-02 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015006821A Expired - Fee Related JP5928618B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-01-16 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015127136A Expired - Fee Related JP5930102B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-06-25 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2015206314A Expired - Fee Related JP6103016B2 (ja) | 2003-06-19 | 2015-10-20 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016003694A Expired - Lifetime JP6123920B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-01-12 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2016207355A Expired - Fee Related JP6237857B2 (ja) | 2003-06-19 | 2016-10-21 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017020807A Expired - Fee Related JP6264479B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-02-08 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2017176254A Expired - Fee Related JP6512252B2 (ja) | 2003-06-19 | 2017-09-14 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
JP2018190188A Expired - Fee Related JP6614310B2 (ja) | 2003-06-19 | 2018-10-05 | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (22) | US7321419B2 (ja) |
EP (4) | EP2275869B1 (ja) |
JP (19) | JP4437474B2 (ja) |
KR (19) | KR101686762B1 (ja) |
CN (2) | CN100459036C (ja) |
AT (1) | ATE453209T1 (ja) |
DE (1) | DE602004024782D1 (ja) |
HK (3) | HK1145043A1 (ja) |
TW (15) | TWI564933B (ja) |
WO (1) | WO2004114380A1 (ja) |
Families Citing this family (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100568101C (zh) * | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7372541B2 (en) * | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US10503084B2 (en) | 2002-11-12 | 2019-12-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US9482966B2 (en) | 2002-11-12 | 2016-11-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101424883B (zh) * | 2002-12-10 | 2013-05-15 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
KR20150036786A (ko) | 2003-04-09 | 2015-04-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101364889B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
EP1611486B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-03-16 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
KR101861493B1 (ko) | 2003-04-11 | 2018-05-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 머신에서 웨이퍼 교환동안 투영 렌즈 아래의 갭에서 액침 액체를 유지하는 장치 및 방법 |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101686762B1 (ko) | 2003-06-19 | 2016-12-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조방법 |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
DE60308161T2 (de) | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
WO2005031820A1 (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-07 | Nikon Corporation | 投影露光装置及び投影露光装置の洗浄方法、メンテナンス方法並びにデバイスの製造方法 |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI569308B (zh) | 2003-10-28 | 2017-02-01 | 尼康股份有限公司 | 照明光學裝置、曝光裝置、曝光方法以及元件製造 方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
TWI519819B (zh) | 2003-11-20 | 2016-02-01 | 尼康股份有限公司 | 光束變換元件、光學照明裝置、曝光裝置、以及曝光方法 |
US7466489B2 (en) * | 2003-12-15 | 2008-12-16 | Susanne Beder | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
KR20180117228A (ko) | 2004-01-05 | 2018-10-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
US7589822B2 (en) * | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI412067B (zh) | 2004-02-06 | 2013-10-11 | 尼康股份有限公司 | 偏光變換元件、光學照明裝置、曝光裝置以及曝光方法 |
TW201816844A (zh) | 2004-03-25 | 2018-05-01 | 日商尼康股份有限公司 | 曝光裝置、曝光方法、及元件製造方法 |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7688421B2 (en) | 2004-06-17 | 2010-03-30 | Nikon Corporation | Fluid pressure compensation for immersion lithography lens |
WO2006007111A2 (en) | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Nikon Corporation | A dynamic fluid control system for immersion lithography |
CN105204296B (zh) | 2004-08-03 | 2018-07-17 | 株式会社尼康 | 曝光装置的控制方法、曝光装置及元件制造方法 |
JP4488006B2 (ja) | 2004-10-15 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
SG157357A1 (en) | 2004-11-01 | 2009-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and device fabricating method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) * | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006222165A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Canon Inc | 露光装置 |
US8018573B2 (en) | 2005-02-22 | 2011-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7324185B2 (en) | 2005-03-04 | 2008-01-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1865541A4 (en) * | 2005-03-31 | 2017-06-14 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) * | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
USRE43576E1 (en) | 2005-04-08 | 2012-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
US8248577B2 (en) | 2005-05-03 | 2012-08-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101524964B1 (ko) | 2005-05-12 | 2015-06-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 노광 장치 및 노광 방법 |
JP4708860B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-06-22 | キヤノン株式会社 | 液浸露光装置 |
EP1918983A4 (en) * | 2005-08-05 | 2010-03-31 | Nikon Corp | STAGE EQUIPMENT AND EXPOSURE DEVICE |
WO2007052659A1 (ja) * | 2005-11-01 | 2007-05-10 | Nikon Corporation | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
US20070127135A1 (en) * | 2005-11-01 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
US7773195B2 (en) | 2005-11-29 | 2010-08-10 | Asml Holding N.V. | System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography |
US20070126999A1 (en) * | 2005-12-07 | 2007-06-07 | Nikon Corporation | Apparatus and method for containing immersion liquid in immersion lithography |
US7420194B2 (en) | 2005-12-27 | 2008-09-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and substrate edge seal |
US7649611B2 (en) | 2005-12-30 | 2010-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2003680B1 (en) * | 2006-02-21 | 2013-05-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method and device manufacturing method |
WO2007097466A1 (ja) * | 2006-02-21 | 2007-08-30 | Nikon Corporation | 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
JP4889331B2 (ja) * | 2006-03-22 | 2012-03-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
US7804582B2 (en) * | 2006-07-28 | 2010-09-28 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of calibrating a lithographic apparatus and device manufacturing method |
KR101824374B1 (ko) * | 2006-08-31 | 2018-01-31 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI590005B (zh) * | 2006-08-31 | 2017-07-01 | 尼康股份有限公司 | Exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7872730B2 (en) * | 2006-09-15 | 2011-01-18 | Nikon Corporation | Immersion exposure apparatus and immersion exposure method, and device manufacturing method |
WO2008038752A1 (fr) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Nikon Corporation | système à unité MOBILE, DISPOSITIF DE FORMATION DE MOTIF, DISPOSITIF D'EXPOSITION, PROCÉDÉ D'EXPOSITION, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF |
US20080158531A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-07-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
US8237911B2 (en) | 2007-03-15 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine |
US8267388B2 (en) * | 2007-09-12 | 2012-09-18 | Xradia, Inc. | Alignment assembly |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP4533416B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
EP2179330A1 (en) | 2007-10-16 | 2010-04-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101546987B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-08-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8279399B2 (en) | 2007-10-22 | 2012-10-02 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR101470671B1 (ko) * | 2007-11-07 | 2014-12-08 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI547769B (zh) | 2007-12-28 | 2016-09-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method |
FR2927708A1 (fr) * | 2008-02-19 | 2009-08-21 | Commissariat Energie Atomique | Procede de photolithographie ultraviolette a immersion |
NL1036614A1 (nl) * | 2008-03-21 | 2009-09-22 | Asml Netherlands Bv | A target material, a source, an EUV lithographic apparatus and a device manufacturing method using the same. |
JP5360057B2 (ja) | 2008-05-28 | 2013-12-04 | 株式会社ニコン | 空間光変調器の検査装置および検査方法、照明光学系、照明光学系の調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法 |
JP5097166B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-12-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置の動作方法 |
KR101634825B1 (ko) | 2008-06-09 | 2016-06-29 | 케이엘에이-텐코어 코오포레이션 | 참조 검사 디바이스 |
US8260479B2 (en) * | 2008-12-09 | 2012-09-04 | Honeywell International Inc. | Modular software architecture for an unmanned aerial vehicle |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8902402B2 (en) | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
EP2221668B1 (en) * | 2009-02-24 | 2021-04-14 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning assembly |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) * | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8553204B2 (en) * | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5365407B2 (ja) * | 2009-08-17 | 2013-12-11 | ソニー株式会社 | 画像取得装置及び画像取得方法 |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
EP2381310B1 (en) | 2010-04-22 | 2015-05-06 | ASML Netherlands BV | Fluid handling structure and lithographic apparatus |
DE102010024263A1 (de) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | Festo Ag & Co. Kg | Luftlagereinrichtung |
EP2593841A2 (en) * | 2010-07-15 | 2013-05-22 | Centre de Recherche Public - Gabriel Lippmann | Methods and systems for detecting, setting, monitoring, determining, storing and compensating the spatial situation of a mobile unit |
NL2008183A (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-28 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus, a method of controlling the apparatus and a device manufacturing method. |
NL2007604C2 (en) * | 2011-10-14 | 2013-05-01 | Mapper Lithography Ip Bv | Charged particle system comprising a manipulator device for manipulation of one or more charged particle beams. |
NL2008695A (en) * | 2011-05-25 | 2012-11-27 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus comprising substrate table. |
NL2007114C2 (en) * | 2011-07-14 | 2013-01-15 | Levitech B V | Floating substrate monitoring and control device, and method for the same. |
NL2009692A (en) | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
US9211481B2 (en) * | 2012-07-27 | 2015-12-15 | Nb Tech Inc. | Visual display system and method of constructing a high-gain reflective beam-splitter |
JP5975785B2 (ja) * | 2012-08-14 | 2016-08-23 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 描画装置、露光描画装置、プログラム及び描画方法 |
US9362812B2 (en) * | 2012-09-18 | 2016-06-07 | Honeywell International Inc. | Shaft coupling apparatus, rotary fluid damper, and deployable device with magnetic coupling mechanism |
US9772564B2 (en) | 2012-11-12 | 2017-09-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
TWI564555B (zh) * | 2014-12-27 | 2017-01-01 | 財團法人工業技術研究院 | 全周反射取像模組與全周反射取像方法 |
CN104597721B (zh) * | 2015-01-20 | 2016-09-21 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 紫外光刻二维平台 |
WO2016159295A1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-10-06 | 株式会社ニコン | 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、及び露光方法 |
TWI701004B (zh) | 2015-07-06 | 2020-08-11 | 澳大利亞商米切爾特勒斯私人有限公司 | 用於塗敷產品的裝置 |
JP6855009B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2021-04-07 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにフラットパネルディスプレイ製造方法 |
WO2017092936A1 (en) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | Asml Netherlands B.V. | Method and apparatus for processing a substrate in a lithographic apparatus |
JP6757849B2 (ja) | 2016-09-12 | 2020-09-23 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置のための流体ハンドリング構造 |
US10372113B2 (en) * | 2016-09-23 | 2019-08-06 | Kla-Tencor Corporation | Method for defocus detection |
US9990460B2 (en) * | 2016-09-30 | 2018-06-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Source beam optimization method for improving lithography printability |
CN109256884A (zh) * | 2017-10-13 | 2019-01-22 | 朱卫 | 一种用钛金属生产的马达外壳 |
US20210069700A1 (en) * | 2018-02-27 | 2021-03-11 | Georgia Tech Research Corporation | Systems Devices and Methods Providing Hydrodynamic Barriers |
JP6922849B2 (ja) * | 2018-05-25 | 2021-08-18 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、ポリマー、ネガ型レジスト組成物、フォトマスクブランク、及びレジストパターン形成方法 |
CN110658683A (zh) * | 2018-06-28 | 2020-01-07 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 晶片承载系统和浸没光刻设备 |
JP7099250B2 (ja) | 2018-10-25 | 2022-07-12 | 信越化学工業株式会社 | オニウム塩、ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP2019183175A (ja) * | 2019-08-01 | 2019-10-24 | ダイキン工業株式会社 | 離型フィルム |
CN115818207B (zh) * | 2023-02-10 | 2023-06-02 | 季华实验室 | 一种基板传送装置、控制方法及相关设备 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998040791A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Positioning device having two object holders |
JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2003017404A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-17 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2004090577A2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
WO2004114380A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005074014A1 (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Nikon Corporation | ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Family Cites Families (325)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1242527A (en) | 1967-10-20 | 1971-08-11 | Kodak Ltd | Optical instruments |
US4026653A (en) * | 1975-05-09 | 1977-05-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Proximity printing method |
US4341164A (en) | 1980-06-13 | 1982-07-27 | Charles H. Ruble | Folding camp table |
US4346164A (en) * | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
US4509852A (en) | 1980-10-06 | 1985-04-09 | Werner Tabarelli | Apparatus for the photolithographic manufacture of integrated circuit elements |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) * | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
US4650983A (en) | 1983-11-07 | 1987-03-17 | Nippon Kogaku K. K. | Focusing apparatus for projection optical system |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS62121417A (ja) | 1985-11-22 | 1987-06-02 | Hitachi Ltd | 液浸対物レンズ装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2940553B2 (ja) | 1988-12-21 | 1999-08-25 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
JP2897355B2 (ja) | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法,露光装置,並びに位置検出方法及び装置 |
US5121256A (en) * | 1991-03-14 | 1992-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Lithography system employing a solid immersion lens |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JP3200874B2 (ja) | 1991-07-10 | 2001-08-20 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5243195A (en) | 1991-04-25 | 1993-09-07 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus having an off-axis alignment system and method of alignment therefor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JP3203719B2 (ja) | 1991-12-26 | 2001-08-27 | 株式会社ニコン | 露光装置、その露光装置により製造されるデバイス、露光方法、およびその露光方法を用いたデバイス製造方法 |
JPH05304072A (ja) | 1992-04-08 | 1993-11-16 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5469963A (en) | 1992-04-08 | 1995-11-28 | Asyst Technologies, Inc. | Sealable transportable container having improved liner |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JPH06208058A (ja) | 1993-01-13 | 1994-07-26 | Olympus Optical Co Ltd | 顕微鏡対物レンズ |
US5591958A (en) * | 1993-06-14 | 1997-01-07 | Nikon Corporation | Scanning exposure method and apparatus |
JP3412704B2 (ja) | 1993-02-26 | 2003-06-03 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに露光装置 |
JPH09311278A (ja) | 1996-05-20 | 1997-12-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3747951B2 (ja) | 1994-11-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
JP3635684B2 (ja) | 1994-08-23 | 2005-04-06 | 株式会社ニコン | 反射屈折縮小投影光学系、反射屈折光学系、並びに投影露光方法及び装置 |
JP3747958B2 (ja) | 1995-04-07 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 反射屈折光学系 |
US5636066A (en) | 1993-03-12 | 1997-06-03 | Nikon Corporation | Optical apparatus |
US5534970A (en) | 1993-06-11 | 1996-07-09 | Nikon Corporation | Scanning exposure apparatus |
JP3265503B2 (ja) | 1993-06-11 | 2002-03-11 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
JP3212199B2 (ja) | 1993-10-04 | 2001-09-25 | 旭硝子株式会社 | 平板型陰極線管 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
US7365513B1 (en) | 1994-04-01 | 2008-04-29 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US6989647B1 (en) | 1994-04-01 | 2006-01-24 | Nikon Corporation | Positioning device having dynamically isolated frame, and lithographic device provided with such a positioning device |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
JP3395801B2 (ja) | 1994-04-28 | 2003-04-14 | 株式会社ニコン | 反射屈折投影光学系、走査型投影露光装置、及び走査投影露光方法 |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JPH07335748A (ja) | 1994-06-07 | 1995-12-22 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
US5715064A (en) * | 1994-06-17 | 1998-02-03 | International Business Machines Corporation | Step and repeat apparatus having enhanced accuracy and increased throughput |
USRE38438E1 (en) | 1994-08-23 | 2004-02-24 | Nikon Corporation | Catadioptric reduction projection optical system and exposure apparatus having the same |
JPH0883753A (ja) | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08136475A (ja) | 1994-11-14 | 1996-05-31 | Kawasaki Steel Corp | 板状材の表面観察装置 |
JP3387075B2 (ja) * | 1994-12-12 | 2003-03-17 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、露光装置、及び走査型露光装置 |
JPH08171054A (ja) | 1994-12-16 | 1996-07-02 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
US5677758A (en) | 1995-02-09 | 1997-10-14 | Mrs Technology, Inc. | Lithography System using dual substrate stages |
US6008500A (en) | 1995-04-04 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus having dynamically isolated reaction frame |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3526042B2 (ja) | 1995-08-09 | 2004-05-10 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP3242564B2 (ja) * | 1995-11-29 | 2001-12-25 | 富士通株式会社 | 昇圧回路を有する記憶装置及び昇圧回路制御方法 |
JPH09232213A (ja) | 1996-02-26 | 1997-09-05 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JPH09267236A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-14 | Kyocera Corp | 位置決め装置 |
US5964441A (en) | 1996-04-01 | 1999-10-12 | Lear Corporation | Linkage assembly with extruded hole member |
JPH103039A (ja) | 1996-06-14 | 1998-01-06 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JPH1020195A (ja) | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Nikon Corp | 反射屈折光学系 |
JP3480192B2 (ja) * | 1996-10-01 | 2003-12-15 | ウシオ電機株式会社 | Xyステージの位置決め装置 |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JPH10188333A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-07-21 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置 |
JP4029181B2 (ja) * | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
CN1244018C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光方法和曝光装置 |
DE69717975T2 (de) | 1996-12-24 | 2003-05-28 | Asml Netherlands Bv | In zwei richtungen ausgewogenes positioniergerät, sowie lithographisches gerät mit einem solchen positioniergerät |
US5815246A (en) | 1996-12-24 | 1998-09-29 | U.S. Philips Corporation | Two-dimensionally balanced positioning device, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10209039A (ja) | 1997-01-27 | 1998-08-07 | Nikon Corp | 投影露光方法及び投影露光装置 |
USRE39027E1 (en) * | 1997-02-07 | 2006-03-21 | Emerson Power Transmission Manufacturing, L.P. | Shaft locking device for bearing assemblies |
JP3612920B2 (ja) | 1997-02-14 | 2005-01-26 | ソニー株式会社 | 光学記録媒体の原盤作製用露光装置 |
JPH10255319A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) * | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
US5884841A (en) * | 1997-04-25 | 1999-03-23 | Ratnik Industries, Inc. | Method and apparatus for making snow |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US5900354A (en) | 1997-07-03 | 1999-05-04 | Batchelder; John Samuel | Method for optical inspection and lithography |
EP1028456A4 (en) | 1997-09-19 | 2003-03-05 | Nikon Corp | PLATINUM, SCANNING ALIGNMENT DEVICE, AND SCANNING EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURED THEREBY |
JP2000106340A (ja) * | 1997-09-26 | 2000-04-11 | Nikon Corp | 露光装置及び走査露光方法、並びにステージ装置 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
WO1999027568A1 (fr) | 1997-11-21 | 1999-06-03 | Nikon Corporation | Graveur de motifs a projection et procede de sensibilisation a projection |
JPH11176727A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
KR20010033118A (ko) | 1997-12-18 | 2001-04-25 | 오노 시게오 | 스테이지 장치 및 노광장치 |
US6897963B1 (en) | 1997-12-18 | 2005-05-24 | Nikon Corporation | Stage device and exposure apparatus |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
JPH11219896A (ja) * | 1998-02-02 | 1999-08-10 | Canon Inc | 露光装置およびデバイス製造方法 |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JPH11340846A (ja) | 1998-05-26 | 1999-12-10 | Alps Electric Co Ltd | Dect通信装置 |
JP2000058436A (ja) * | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
AU5650399A (en) | 1998-09-17 | 2000-04-10 | Nikon Corporation | Method of adjusting optical projection system |
IL143467A (en) * | 1998-12-02 | 2005-05-17 | Newport Corp | Specimen holding robotic arm and effector |
AU2325900A (en) | 1999-03-12 | 2000-10-04 | Nikon Corporation | Exposure device, exposure method, and device manufacturing method |
JP4365934B2 (ja) | 1999-05-10 | 2009-11-18 | キヤノン株式会社 | 露光装置、半導体製造装置およびデバイス製造方法 |
JP4504479B2 (ja) | 1999-09-21 | 2010-07-14 | オリンパス株式会社 | 顕微鏡用液浸対物レンズ |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2001160530A (ja) * | 1999-12-01 | 2001-06-12 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
TW546551B (en) | 1999-12-21 | 2003-08-11 | Asml Netherlands Bv | Balanced positioning system for use in lithographic apparatus |
TWI223734B (en) * | 1999-12-21 | 2004-11-11 | Asml Netherlands Bv | Crash prevention in positioning apparatus for use in lithographic projection apparatus |
EP1111471B1 (en) * | 1999-12-21 | 2005-11-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus with collision preventing device |
US7187503B2 (en) * | 1999-12-29 | 2007-03-06 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective for immersion lithography |
US6995930B2 (en) * | 1999-12-29 | 2006-02-07 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP2001267239A (ja) | 2000-01-14 | 2001-09-28 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
SG107560A1 (en) | 2000-02-25 | 2004-12-29 | Nikon Corp | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001241439A (ja) * | 2000-02-25 | 2001-09-07 | Canon Inc | 静圧軸受を備えた移動装置 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
JP2001244177A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Nikon Corp | ステージ装置とホルダ、および走査型露光装置並びに露光装置 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
JP4503906B2 (ja) | 2000-05-03 | 2010-07-14 | エーエスエムエル ホールディング エヌ.ブイ. | パージガスを用いた非接触型シール |
SE517970C2 (sv) | 2000-07-20 | 2002-08-13 | Volvo Articulated Haulers Ab | Förfarande för att uppskatta en livslängdsreducerande skada på ett i drift belastat objekt,jämte datorprogramprodukt |
TW591653B (en) * | 2000-08-08 | 2004-06-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing an optically scannable information carrier |
JP2002134930A (ja) | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Idec Izumi Corp | 電気機器 |
JP4405071B2 (ja) * | 2000-10-23 | 2010-01-27 | パナソニック株式会社 | 送り装置及びそれを具備する光ディスク原盤記録装置 |
KR100866818B1 (ko) * | 2000-12-11 | 2008-11-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치 |
JP2002198299A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-12 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2002305140A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Nikon Corp | 露光装置及び基板処理システム |
WO2002091078A1 (en) * | 2001-05-07 | 2002-11-14 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods and apparatus employing an index matching medium |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
US6680774B1 (en) * | 2001-10-09 | 2004-01-20 | Ultratech Stepper, Inc. | Method and apparatus for mechanically masking a workpiece |
US6665054B2 (en) * | 2001-10-22 | 2003-12-16 | Nikon Corporation | Two stage method |
US7134668B2 (en) * | 2001-10-24 | 2006-11-14 | Ebara Corporation | Differential pumping seal apparatus |
DE10229249A1 (de) | 2002-03-01 | 2003-09-04 | Zeiss Carl Semiconductor Mfg | Refraktives Projektionsobjektiv mit einer Taille |
US7190527B2 (en) | 2002-03-01 | 2007-03-13 | Carl Zeiss Smt Ag | Refractive projection objective |
US7154676B2 (en) | 2002-03-01 | 2006-12-26 | Carl Zeiss Smt A.G. | Very-high aperture projection objective |
DE10229818A1 (de) | 2002-06-28 | 2004-01-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem |
US7092069B2 (en) * | 2002-03-08 | 2006-08-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection exposure method and projection exposure system |
DE10210899A1 (de) | 2002-03-08 | 2003-09-18 | Zeiss Carl Smt Ag | Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie |
EP1353229A1 (en) * | 2002-04-09 | 2003-10-15 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
KR101013347B1 (ko) | 2002-04-09 | 2011-02-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광방법, 노광장치, 및 디바이스 제조방법 |
KR20040104691A (ko) | 2002-05-03 | 2004-12-10 | 칼 짜이스 에스엠테 아게 | 높은 개구를 갖는 투영 대물렌즈 |
US20040035775A1 (en) * | 2002-05-31 | 2004-02-26 | Biolink Partners, Inc. | MemCoatTM: functionalized surface coatings, products and uses thereof |
CN100462844C (zh) | 2002-08-23 | 2009-02-18 | 株式会社尼康 | 投影光学系统、微影方法、曝光装置及使用此装置的方法 |
US6954993B1 (en) * | 2002-09-30 | 2005-10-18 | Lam Research Corporation | Concentric proximity processing head |
US7367345B1 (en) | 2002-09-30 | 2008-05-06 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography |
US7093375B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-08-22 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing |
US6988326B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-24 | Lam Research Corporation | Phobic barrier meniscus separation and containment |
US7383843B2 (en) | 2002-09-30 | 2008-06-10 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for processing wafer surfaces using thin, high velocity fluid layer |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP1420299B1 (en) | 2002-11-12 | 2011-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Immersion lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7372541B2 (en) | 2002-11-12 | 2008-05-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121818A1 (en) | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG121822A1 (en) * | 2002-11-12 | 2006-05-26 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN100568101C (zh) | 2002-11-12 | 2009-12-09 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
US7110081B2 (en) | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1420300B1 (en) * | 2002-11-12 | 2015-07-29 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10253679A1 (de) * | 2002-11-18 | 2004-06-03 | Infineon Technologies Ag | Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren |
SG131766A1 (en) * | 2002-11-18 | 2007-05-28 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE10258718A1 (de) * | 2002-12-09 | 2004-06-24 | Carl Zeiss Smt Ag | Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives |
DE10257766A1 (de) | 2002-12-10 | 2004-07-15 | Carl Zeiss Smt Ag | Verfahren zur Einstellung einer gewünschten optischen Eigenschaft eines Projektionsobjektivs sowie mikrolithografische Projektionsbelichtungsanlage |
US6992750B2 (en) * | 2002-12-10 | 2006-01-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus and method |
JP4352874B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-10-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP4232449B2 (ja) | 2002-12-10 | 2009-03-04 | 株式会社ニコン | 露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
CN101424883B (zh) | 2002-12-10 | 2013-05-15 | 株式会社尼康 | 曝光设备和器件制造法 |
CN100370533C (zh) | 2002-12-13 | 2008-02-20 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于照射层的方法和用于将辐射导向层的装置 |
JP4364806B2 (ja) | 2002-12-19 | 2009-11-18 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 層上にスポットを照射する方法及び装置 |
US7010958B2 (en) * | 2002-12-19 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | High-resolution gas gauge proximity sensor |
CN1316482C (zh) | 2002-12-19 | 2007-05-16 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 照射层上斑点的方法和装置 |
US6781670B2 (en) * | 2002-12-30 | 2004-08-24 | Intel Corporation | Immersion lithography |
US20040227932A1 (en) | 2003-02-13 | 2004-11-18 | Geunyoung Yoon | Large dynamic range shack-hartmann wavefront sensor |
TWI247339B (en) | 2003-02-21 | 2006-01-11 | Asml Holding Nv | Lithographic printing with polarized light |
US7206059B2 (en) * | 2003-02-27 | 2007-04-17 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6943941B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-09-13 | Asml Netherlands B.V. | Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems |
US6851787B2 (en) * | 2003-03-06 | 2005-02-08 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printer servicing system and method |
US7029832B2 (en) * | 2003-03-11 | 2006-04-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Immersion lithography methods using carbon dioxide |
US20050164522A1 (en) | 2003-03-24 | 2005-07-28 | Kunz Roderick R. | Optical fluids, and systems and methods of making and using the same |
EP1612850B1 (en) | 2003-04-07 | 2009-03-25 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and method for manufacturing a device |
KR20110104084A (ko) | 2003-04-09 | 2011-09-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 유체 제어 시스템 |
EP1611486B1 (en) | 2003-04-10 | 2016-03-16 | Nikon Corporation | Environmental system including a transport region for an immersion lithography apparatus |
KR101364889B1 (ko) | 2003-04-10 | 2014-02-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 진공 배출을 포함하는 환경 시스템 |
JP4488005B2 (ja) | 2003-04-10 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用の液体を捕集するための流出通路 |
JP4656057B2 (ja) | 2003-04-10 | 2011-03-23 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ装置用電気浸透素子 |
JP4582089B2 (ja) * | 2003-04-11 | 2010-11-17 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム |
SG10201803122UA (en) | 2003-04-11 | 2018-06-28 | Nikon Corp | Immersion lithography apparatus and device manufacturing method |
WO2004095135A2 (en) | 2003-04-17 | 2004-11-04 | Nikon Corporation | Optical arrangement of autofocus elements for use with immersion lithography |
JP4025683B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2007-12-26 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法及び露光装置 |
JP4146755B2 (ja) * | 2003-05-09 | 2008-09-10 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
TWI295414B (en) | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1480065A3 (en) * | 2003-05-23 | 2006-05-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
TWI474380B (zh) | 2003-05-23 | 2015-02-21 | 尼康股份有限公司 | A method of manufacturing an exposure apparatus and an element |
JP2004349645A (ja) | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Sony Corp | 液浸差動排液静圧浮上パッド、原盤露光装置および液侵差動排液による露光方法 |
TWI442694B (zh) * | 2003-05-30 | 2014-06-21 | Asml Netherlands Bv | 微影裝置及元件製造方法 |
US7213963B2 (en) | 2003-06-09 | 2007-05-08 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2261741A3 (en) * | 2003-06-11 | 2011-05-25 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4054285B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-02-27 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084710B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US6867844B2 (en) * | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
JP4029064B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-01-09 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP4084712B2 (ja) * | 2003-06-23 | 2008-04-30 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2005019616A (ja) | 2003-06-25 | 2005-01-20 | Canon Inc | 液浸式露光装置 |
JP4343597B2 (ja) | 2003-06-25 | 2009-10-14 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6809794B1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-10-26 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface |
JP3862678B2 (ja) | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1498778A1 (en) | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
DE60308161T2 (de) * | 2003-06-27 | 2007-08-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels |
EP1494074A1 (en) | 2003-06-30 | 2005-01-05 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2007527615A (ja) | 2003-07-01 | 2007-09-27 | 株式会社ニコン | 同位体特定流体の光学素子としての使用方法 |
JP2005022696A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Kashiwara Seitai:Kk | 空気通路の構造及びこれを用いた空気封入緩衝材 |
WO2005010611A2 (en) | 2003-07-08 | 2005-02-03 | Nikon Corporation | Wafer table for immersion lithography |
US7738074B2 (en) | 2003-07-16 | 2010-06-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7384149B2 (en) | 2003-07-21 | 2008-06-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system |
EP1500982A1 (en) | 2003-07-24 | 2005-01-26 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7006209B2 (en) | 2003-07-25 | 2006-02-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
US7175968B2 (en) * | 2003-07-28 | 2007-02-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate |
EP1503244A1 (en) * | 2003-07-28 | 2005-02-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic projection apparatus and device manufacturing method |
US7326522B2 (en) * | 2004-02-11 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Device manufacturing method and a substrate |
KR101343720B1 (ko) | 2003-07-28 | 2013-12-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의제어 방법 |
US7779781B2 (en) | 2003-07-31 | 2010-08-24 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005057294A (ja) | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Asml Netherlands Bv | インタフェースユニット、該インタフェースユニットを含むリソグラフィ投影装置、及びデバイス製造方法 |
US7700267B2 (en) * | 2003-08-11 | 2010-04-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography |
US7579135B2 (en) * | 2003-08-11 | 2009-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits |
US7061578B2 (en) | 2003-08-11 | 2006-06-13 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems |
US7085075B2 (en) | 2003-08-12 | 2006-08-01 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3 |
US6844206B1 (en) | 2003-08-21 | 2005-01-18 | Advanced Micro Devices, Llp | Refractive index system monitor and control for immersion lithography |
TWI245163B (en) | 2003-08-29 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI263859B (en) | 2003-08-29 | 2006-10-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7070915B2 (en) * | 2003-08-29 | 2006-07-04 | Tokyo Electron Limited | Method and system for drying a substrate |
US6954256B2 (en) * | 2003-08-29 | 2005-10-11 | Asml Netherlands B.V. | Gradient immersion lithography |
US7014966B2 (en) * | 2003-09-02 | 2006-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems |
JP4288426B2 (ja) | 2003-09-03 | 2009-07-01 | 株式会社ニコン | 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
JP3870182B2 (ja) | 2003-09-09 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US6961186B2 (en) * | 2003-09-26 | 2005-11-01 | Takumi Technology Corp. | Contact printing using a magnified mask image |
DE60302897T2 (de) | 2003-09-29 | 2006-08-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1519230A1 (en) | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7158211B2 (en) | 2003-09-29 | 2007-01-02 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7369217B2 (en) * | 2003-10-03 | 2008-05-06 | Micronic Laser Systems Ab | Method and device for immersion lithography |
JP2005136374A (ja) | 2003-10-06 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置及びそれを用いたパターン形成方法 |
EP1524557A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (en) | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7678527B2 (en) * | 2003-10-16 | 2010-03-16 | Intel Corporation | Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids |
TWI295408B (en) | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7411653B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-08-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7352433B2 (en) | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
WO2005050324A2 (en) | 2003-11-05 | 2005-06-02 | Dsm Ip Assets B.V. | A method and apparatus for producing microchips |
US7924397B2 (en) * | 2003-11-06 | 2011-04-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications |
EP1531362A3 (en) | 2003-11-13 | 2007-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor manufacturing apparatus and pattern formation method |
JP2005150290A (ja) | 2003-11-13 | 2005-06-09 | Canon Inc | 露光装置およびデバイスの製造方法 |
JP4295712B2 (ja) | 2003-11-14 | 2009-07-15 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィ装置及び装置製造方法 |
US7545481B2 (en) | 2003-11-24 | 2009-06-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8854602B2 (en) | 2003-11-24 | 2014-10-07 | Asml Netherlands B.V. | Holding device for an optical element in an objective |
DE10355301B3 (de) | 2003-11-27 | 2005-06-23 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Abbildung einer Struktur auf einen Halbleiter-Wafer mittels Immersionslithographie |
US7125652B2 (en) * | 2003-12-03 | 2006-10-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Immersion lithographic process using a conforming immersion medium |
JP2005175016A (ja) | 2003-12-08 | 2005-06-30 | Canon Inc | 基板保持装置およびそれを用いた露光装置ならびにデバイス製造方法 |
JP2005175034A (ja) | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Canon Inc | 露光装置 |
EP1697798A2 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-06 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective having a high aperture and a planar end surface |
EP1700163A1 (en) | 2003-12-15 | 2006-09-13 | Carl Zeiss SMT AG | Objective as a microlithography projection objective with at least one liquid lens |
WO2005106589A1 (en) | 2004-05-04 | 2005-11-10 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus and immersion liquid therefore |
JP4308638B2 (ja) | 2003-12-17 | 2009-08-05 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
US20050185269A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-08-25 | Carl Zeiss Smt Ag | Catadioptric projection objective with geometric beam splitting |
JP4323946B2 (ja) | 2003-12-19 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
US7460206B2 (en) * | 2003-12-19 | 2008-12-02 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for immersion lithography |
WO2005059645A2 (en) | 2003-12-19 | 2005-06-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithography projection objective with crystal elements |
US7589818B2 (en) * | 2003-12-23 | 2009-09-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7119884B2 (en) | 2003-12-24 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20050147920A1 (en) * | 2003-12-30 | 2005-07-07 | Chia-Hui Lin | Method and system for immersion lithography |
US7088422B2 (en) * | 2003-12-31 | 2006-08-08 | International Business Machines Corporation | Moving lens for immersion optical lithography |
JP4371822B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2009-11-25 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
JP4429023B2 (ja) * | 2004-01-07 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US20050153424A1 (en) * | 2004-01-08 | 2005-07-14 | Derek Coon | Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography |
KR101309242B1 (ko) | 2004-01-14 | 2013-09-16 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 반사굴절식 투영 대물렌즈 |
JP4586367B2 (ja) | 2004-01-14 | 2010-11-24 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
KR101233879B1 (ko) | 2004-01-16 | 2013-02-15 | 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 | 편광변조 광학소자 |
WO2005069078A1 (en) | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Carl Zeiss Smt Ag | Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens |
CN1938646B (zh) | 2004-01-20 | 2010-12-15 | 卡尔蔡司Smt股份公司 | 曝光装置和用于投影透镜的测量装置 |
US7026259B2 (en) * | 2004-01-21 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | Liquid-filled balloons for immersion lithography |
US7391501B2 (en) * | 2004-01-22 | 2008-06-24 | Intel Corporation | Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography |
EP1723467A2 (en) | 2004-02-03 | 2006-11-22 | Rochester Institute of Technology | Method of photolithography using a fluid and a system thereof |
KR101377815B1 (ko) | 2004-02-03 | 2014-03-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
WO2005076084A1 (en) | 2004-02-09 | 2005-08-18 | Carl Zeiss Smt Ag | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
US7050146B2 (en) * | 2004-02-09 | 2006-05-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1714192A1 (en) | 2004-02-13 | 2006-10-25 | Carl Zeiss SMT AG | Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus |
EP1721201A1 (en) | 2004-02-18 | 2006-11-15 | Corning Incorporated | Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light |
JP2005236087A (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP2005259789A (ja) | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Nikon Corp | 検知システム及び露光装置、デバイス製造方法 |
US20050205108A1 (en) * | 2004-03-16 | 2005-09-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method and system for immersion lithography lens cleaning |
JP2005268700A (ja) | 2004-03-22 | 2005-09-29 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
US7027125B2 (en) * | 2004-03-25 | 2006-04-11 | International Business Machines Corporation | System and apparatus for photolithography |
US7084960B2 (en) * | 2004-03-29 | 2006-08-01 | Intel Corporation | Lithography using controlled polarization |
US7034917B2 (en) * | 2004-04-01 | 2006-04-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7227619B2 (en) * | 2004-04-01 | 2007-06-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7295283B2 (en) * | 2004-04-02 | 2007-11-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7712905B2 (en) | 2004-04-08 | 2010-05-11 | Carl Zeiss Smt Ag | Imaging system with mirror group |
US7898642B2 (en) * | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7271878B2 (en) * | 2004-04-22 | 2007-09-18 | International Business Machines Corporation | Wafer cell for immersion lithography |
US7244665B2 (en) * | 2004-04-29 | 2007-07-17 | Micron Technology, Inc. | Wafer edge ring structures and methods of formation |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
US7379159B2 (en) * | 2004-05-03 | 2008-05-27 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8054448B2 (en) | 2004-05-04 | 2011-11-08 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7091502B2 (en) * | 2004-05-12 | 2006-08-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. | Apparatus and method for immersion lithography |
US8107162B2 (en) | 2004-05-17 | 2012-01-31 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Catadioptric projection objective with intermediate images |
US7616383B2 (en) * | 2004-05-18 | 2009-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7486381B2 (en) * | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8605257B2 (en) | 2004-06-04 | 2013-12-10 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Projection system with compensation of intensity variations and compensation element therefor |
KR101257960B1 (ko) | 2004-06-04 | 2013-04-24 | 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하 | 광학적 결상 시스템의 결상 품질을 측정하기 위한 시스템 |
JP4305915B2 (ja) | 2004-06-17 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 基地局選択に用いる基準を求める方法 |
US7057702B2 (en) | 2004-06-23 | 2006-06-06 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7463330B2 (en) | 2004-07-07 | 2008-12-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4305917B2 (ja) | 2004-07-14 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 映像信号処理装置及びテレビジョン装置 |
US7256871B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
JP4488006B2 (ja) | 2004-10-15 | 2010-06-23 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7119876B2 (en) | 2004-10-18 | 2006-10-10 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7583357B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-09-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7403261B2 (en) | 2004-12-15 | 2008-07-22 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7528931B2 (en) | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
SG124351A1 (en) | 2005-01-14 | 2006-08-30 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW200815933A (en) | 2006-05-23 | 2008-04-01 | Nikon Corp | Maintenance method, exposure method and apparatus, and device manufacturing method |
US8436864B2 (en) * | 2006-08-01 | 2013-05-07 | Nvidia Corporation | Method and user interface for enhanced graphical operation organization |
US8446445B2 (en) * | 2006-09-27 | 2013-05-21 | Casio Computer Co., Ltd. | Exposure device, image forming apparatus and method for operating exposure device |
TWM314880U (en) * | 2006-10-20 | 2007-07-01 | Imagetech Co Ltd | Multimedia video generation device |
JP2007274881A (ja) | 2006-12-01 | 2007-10-18 | Nikon Corp | 移動体装置、微動体及び露光装置 |
-
2004
- 2004-06-18 KR KR1020157031632A patent/KR101686762B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW103137370A patent/TWI564933B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020187035459A patent/KR20180132996A/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020127016894A patent/KR101265454B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020137028434A patent/KR101476087B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020137005136A patent/KR101419663B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 DE DE602004024782T patent/DE602004024782D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 EP EP10185953.6A patent/EP2275869B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 TW TW102123164A patent/TWI515769B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 CN CNB200480015978XA patent/CN100459036C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 EP EP09015888A patent/EP2216685B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 JP JP2005507235A patent/JP4437474B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-18 KR KR1020107023716A patent/KR101148810B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020147016500A patent/KR101529844B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020167032936A patent/KR101830565B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW093117577A patent/TW200514132A/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 AT AT04746097T patent/ATE453209T1/de not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW104107541A patent/TWI543235B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW098113289A patent/TWI433211B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW102123165A patent/TWI515770B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW098146230A patent/TWI463532B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020187003214A patent/KR101931923B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW103137368A patent/TWI527086B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW099136459A patent/TWI457981B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020117022062A patent/KR101289979B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020157001442A patent/KR101674329B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 WO PCT/JP2004/008595 patent/WO2004114380A1/ja active Application Filing
- 2004-06-18 TW TW098146233A patent/TWI433212B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 TW TW105113425A patent/TWI590306B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020107000875A patent/KR101146962B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW102123163A patent/TWI540612B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020107023718A patent/KR101148811B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW106105260A patent/TW201721717A/zh unknown
- 2004-06-18 CN CN2008101846483A patent/CN101436003B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 KR KR1020147002172A patent/KR101483916B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW099136460A patent/TWI482200B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 KR KR1020097023978A patent/KR101134957B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020137005135A patent/KR101475634B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020117028752A patent/KR101187617B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 KR KR1020127006006A patent/KR101265450B1/ko active IP Right Grant
- 2004-06-18 TW TW102123393A patent/TWI536430B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-18 EP EP04746097A patent/EP1635382B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-06-18 EP EP10185992.4A patent/EP2278401B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-10-27 US US11/258,846 patent/US7321419B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2005-12-02 KR KR1020057023089A patent/KR101119812B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-01-26 US US11/339,683 patent/US7812925B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-01-27 US US11/340,680 patent/US8018575B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-11-21 US US11/602,371 patent/US7486385B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-04-19 US US11/785,716 patent/US8027027B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-16 US US11/889,733 patent/US8436978B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-02-26 JP JP2009044470A patent/JP4505675B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-24 US US12/382,807 patent/US8319941B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-02-08 JP JP2010025992A patent/JP4894936B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-05 US US12/923,717 patent/US8705001B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-05 US US12/923,718 patent/US8436979B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 HK HK10111515.1A patent/HK1145043A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2010-12-28 JP JP2010293650A patent/JP5287845B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-02-23 JP JP2011037040A patent/JP5287900B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-23 JP JP2011037041A patent/JP5287901B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-21 HK HK11106390.0A patent/HK1152391A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-06-21 HK HK11106397.3A patent/HK1152392A1/xx not_active IP Right Cessation
- 2011-09-09 US US13/137,753 patent/US8767177B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-03-29 JP JP2012077973A patent/JP5494708B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-03-29 JP JP2012078269A patent/JP5488635B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-04-18 US US13/449,430 patent/US8830445B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-03-28 US US13/852,807 patent/US8724085B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2013-03-29 US US13/853,643 patent/US8717537B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-03-29 US US13/853,319 patent/US8692976B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-04-08 JP JP2013080847A patent/JP5556925B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-27 JP JP2013272184A patent/JP5626443B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-03-31 US US14/230,537 patent/US9019473B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-31 US US14/230,377 patent/US9001307B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2014-04-02 JP JP2014076375A patent/JP5761418B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-06-16 US US14/305,656 patent/US9025129B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-16 JP JP2015006821A patent/JP5928618B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-03-26 US US14/669,326 patent/US9274437B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-25 JP JP2015127136A patent/JP5930102B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-10-20 JP JP2015206314A patent/JP6103016B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-12 JP JP2016003694A patent/JP6123920B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2016-02-26 US US15/054,920 patent/US9551943B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2016-10-21 JP JP2016207355A patent/JP6237857B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-01-17 US US15/407,597 patent/US9810995B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2017-02-08 JP JP2017020807A patent/JP6264479B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-09-14 JP JP2017176254A patent/JP6512252B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2017-10-04 US US15/724,777 patent/US10007188B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-06-20 US US16/013,131 patent/US10191388B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2018-10-05 JP JP2018190188A patent/JP6614310B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1998040791A1 (en) * | 1997-03-10 | 1998-09-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Positioning device having two object holders |
JP2000164504A (ja) * | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Nikon Corp | ステージ装置、露光装置、及び前記ステージ装置を用いた位置決め方法 |
JP2001118773A (ja) * | 1999-10-18 | 2001-04-27 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2003017404A (ja) * | 2001-06-21 | 2003-01-17 | Nikon Corp | ステージ装置及び露光装置 |
JP2003249443A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2004289128A (ja) * | 2002-11-12 | 2004-10-14 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 |
WO2004090577A2 (en) * | 2003-04-11 | 2004-10-21 | Nikon Corporation | Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens |
WO2004114380A1 (ja) * | 2003-06-19 | 2004-12-29 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005074014A1 (ja) * | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Nikon Corporation | ステージ駆動方法及びステージ装置、露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6614310B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120413 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130520 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5287901 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |